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Si le collecteur est raccordé à une source d’alimentation, un courant Ib qui traverse la jonction base-
émetteur (courant de base) « déclenche » le courant de collecteur Ic: une sorte de fuite inverse à
travers les deux diodes (y compris celle qui « devrait » être bloquée) qui vient donc ajouter du
courant en plus de celui venant de la diode base-émetteur: C’est l’effet transistor. Tant que la
tension collecteur-émetteur n’est pas nulle et que Ib est présent, le rapport des courants Ic / Ib reste
constant quel que soit Ib et est appelé « gain du transistor ». Il est spécifié par le fabricant comme
garanti entre deux extrêmes possibles que nous appellerons gain_mini et gain_maxi.
On regroupe les différentes façons de monter un transistor dans trois catégories fondamentales
(pouvant être mélangées ensemble):
1) Collecteur commun:
Ce cas simple s’applique si toutefois la résistance de la charge en sortie (émetteur) multipliée par le
gain du transistor reste largement plus grande que la résistance série (inhérente / interne) de la
source. Dans le cas contraire le calcul est plus compliqué.
Pour que le transistor soit bloqué (complètement non passant) il faut que la tension de base
descende naturellement en dessous de 0,6V. Pour qu’il soit saturé il faut que la tension de base
atteigne la tension du collecteur (l’alimentation) + 0,6V, ce qui n’est pas recommandable de toute
façon. Le transistor sera donc quasiment toujours en régime dit « linéaire » ou « polarisé » de façon
naturelle, autrement dit : Semi-passant, pour assurer la tension attendue en sortie même si Rcharge
n’est pas constante.
2) Emetteur commun :
Lorsque l’émetteur est directement relié à la masse (2-a), c’est dans la plupart des cas pour faire de
la commutation (bloqué ou saturé mais rarement linéaire). Dans les cas où une résistance d’émetteur
est utilisée au lieu d’une résistance de base (2-b), c’est en revanche pour faire un amplificateur
(inverseur) car cela permet de maitriser le gain en tension global du circuit (qui n’est pas le gain en
courant du transistor, même si ce dernier entre en ligne de compte).
Par convention, on nommera « Urx » la tension aux bornes d’une résistance nommée Rx.
On nommera « dUrx » la variation éventuelle (écart) appliquée sur la tension Urx.
On nommera « Vce » la tension entre collecteur et émetteur.
2-a) Lorsqu’il n’y a pas de résistance d’émetteur, on peut passer de façon continue par les trois états possibles :
* Si la tension d’entrée Vin est inférieure à 0,6V, pas de conduction possible => bloqué.
La tension de collecteur (sortie référencée par rapport à la masse) reste à la valeur de la tension
d’alimentation Vcc.
* Si la tension Vin est supérieure à 0,6V, en divisant [Vin – 0,6V] par Rb (selon la loi d’Ohm U=R.I
aux bornes de Rb) on connaît alors le courant de base Ib.
→ Si on veut être sûr que le transistor se sature (complètement fermé), on doit s’assurer que Vce
arrive à zéro avant que le courant de collecteur ne puisse atteindre : Ib * gain_mini. Donc on doit
avoir : Quand Vce = 0V, [Urc / Rc] = [Vcc / Rc] < [Ib x gain_mini]
→ Si on veut être sûr qu’il reste en régime linéaire, on doit en revanche s’assurer que le transistor
puisse toujours tirer assez de courant par le collecteur pour arriver à Ib * gain_maxi :
Ic = [Vcc / Rc] > [Ib * gain_maxi].
L’amplification en tension dans le montage 2-a est alors directement proportionnelle au gain réel du
transistor compris entre gain_mini et gain_maxi :
Urc = Rc * Ic = Rc * [gain_reel * Ib] = Rc * gain_reel * [Vin – 0,6V] / Rb
Si, toujours en régime linéaire, on ne se préoccupe que de l’amplification des variations dVin de
Vin, on peut exprimer un gain en tension (dit « dynamique ») et les 0,6V constants n’entreront alors
plus en jeu : dUrc = Rc * gain_reel * dVin / Rb, soit un gain en tension dUrc / dVin égal à :
Rc * gain_reel / Rb
Comme souvent gain_mini et gain_maxi sont très différents, cette méthode donnerait des
amplifications très différentes d’un échantillon à l’autre. C’est pourquoi on réserve plutôt cette
topologie aux circuits de commutation simple (bloqué / saturé), préférant ainsi le montage 2-b pour
le régime linéaire.
2-b) Lorsqu’il y a une résistance d’émetteur, c’est qu’on vise un fonctionnement linéaire :
Même s’il reste toujours possible de bloquer ou de saturer le transistor avec ce circuit, ça ne
présente pas d’intérêt car on le fait aussi simplement sans résistance d’émetteur, laquelle
empêcherait d’ailleurs en plus d’avoir une commutation directe vers la masse.
Nous aborderons ici le cas de calcul simple lorsque le gain du transistor est considéré très grand et
que le courant de base est par conséquent négligeable devant le courant qui vient du collecteur.
Ainsi, on peut considérer que les courants dans Rc et Re sont quasiment les mêmes. Or, sachant
que, vu de l’émetteur, le transistor se comporte en suiveur (comme dans le cas du collecteur
commun puisqu’on le suppose ni saturé ni bloqué), on aura : Ure = Vi – 0,6V.
Et comme les courants dans Rc et Re sont tous deux égaux à Ic, on aura :
Il faut bien sûr vérifier qu’au courant Ic maximum prévu on aura toujours par calcul Vce > 0V, sans
quoi le transistor serait saturé, ne fonctionnant donc pas comme prévu.
Mettre en série une source de tension avec la source d’entrée (signal) n’est vraiment pas pratique
dans la vraie vie. C’est pourquoi on a recours à un artifice simple basé sur trois composants : Deux
résistances formant un diviseur de tension et un condensateur dit « de liaison » :
Ceci se justifie facilement en calculant le courant qui traverse ces deux résistances en série :
Si, en sortie, on ne veut pas non plus de la tension continue superposée au signal amplifié, on utilise
la même méthode : Condensateur de liaison vers la charge finale :
Remarque importante:
Ceci en vertu de la formule des résistances en parallèle où la résistance globale équivalente est
l’inverse de la somme des inverses des résistances mises en parallèle.
C’est en général celui qui est le plus difficile à comprendre pour les novices. C’est pourquoi il est
plus intuitif de le considérer comme un montage à émetteur commun (cas 2-b / 2-c) à l’entrée
duquel on n’achemine aucun signal, mais qu’on vient « perturber » en tentant de faire varier sa
tension d’émetteur en injectant du courant dans sa branche par Re_in :
Comme on le sait des cas précédents, tant qu’il n’est pas bloqué le transistor assure que la tension
d’émetteur suit la tension de base à 0,6V près. Il ne se « laisse pas faire », de sorte à ce que tout
courant puisé par Re_in de l’émetteur sera compensé par une augmentation du courant de collecteur
(tant qu’on n’arrive pas à la saturation Vce=0V) et que tout courant apporté dans Re par Re_in
entrainera une diminution équivalente du courant de collecteur nécessaire (tant qu’on n’arrive pas
au blocage Ic=0A).
Pour calculer le gain en tension avec ce nouveau type d’entrée, il faut calculer le courant
« perturbateur » injecté : I_inj = (Vin – Ure) / Re_in, sachant qu’on aura calculé le Ure « au repos »
comme précédemment avec le montage en émetteur commun.
Ce courant signé (considéré positif s’il est apporté, négatif s’il est sortant) viendra se soustraire
directement au courant de collecteur Ic pour provoquer un écart signé que nous appellerons dIc :
Comme Ure est constant, un signal alternatif variant entre deux crêtes engendrera une variation en
sortie entre ces deux crêtes indépendante des termes constants, donc :
On voit que Re n’intervient pas dans ce gain et n’a d’effet que sur le point de polarisation, tout
comme le pont diviseur de base, sous réserve que notre hypothèse tienne :
En effet, c’est le courant injecté par cette « nouvelle entrée » qui provoque à lui seul les variations
de Ic. Ce montage a donc un gain en tension mais pas en courant, contrairement aux autres
montages. C’est pour cela que ses applications sont plus rares.
EXERCICE EMETTEUR COMMUN EN LINEAIRE
On suppose que les condensateurs sont déjà calculés par quelqu’un d’autre. Calculez dans un
premier temps les résistances ! A vos cahiers !
SOLUTION :
Il faut, comme souvent, partir de la fin : On sait que le point de polarisation au collecteur doit être
choisi de sorte à ce qu’on reste en régime linéaire si on bouge de +/-1.25V autour de celui-ci.
Considérant que la limite d’écrêtage haute du signal de sortie correspond à une tension de collecteur
atteignant Vcc (Urc=0 et Ic=0), on doit placer le point de polarisation pas plus haut que Vcc–1.25V.
Or, comme il est plus facile de se caler sur la crête haute que sur la crête basse (car Ure et Urc
augmentent en même temps, rendant le calcul toujours possible mais moins simple), on va
délibérément choisir exactement le point de polarisation du collecteur à Vcc – 1.25V, autrement dit :
Urc = 1.25V => Ic = 1.25V / Rc = 1.25V / 1K = 1.25mA
Par ailleurs, alors qu’on connait Rc et le gain en tension requis, on sait d’après 2-b que :
Rc / Re = gain requis = 3.
Soit : Re = 330 Ohms
Il reste maintenant à déterminer quelle tension à la base il faudra appliquer pour assurer le point de
polarisation choisi. Or on sait qu’on doit avoir 1.25mA dans Re, soit Ure = 330 x 0.00125 = 0.41V
Pour se simplifier la vie, on va s’assurer que le courant de base est négligeable devant le courant
série qui traverse R1 et R2. Donc on va choisir R1 bien faible devant Re * gain_mini_transistor.
Soit : R1 faible devant 330 x 100 = 33K.
Choisissons donc un rapport d’à peu près 20, ce qui est largement assez précis pour notre
application. Ainsi :
R1 = 1.5K
Ce qui fait : R2 = 1.5K * (5V – 1.01V) / 1.01V = 5925 ohms, la plus proche valeur courante étant :
R2 = 5.6K
Utiliser C = C2 = 47uF, et Rcharge = 22K puis mesurer la tension sur Rcharge en injectant en entrée
des signaux sinusoïdaux de fréquence comprise entre 10Hz et 10KHz et d’amplitude comprise entre
0.1V et 1V crête à crête. Puis observer ce qui se passe quand l’amplitude d’entrée dépasse 0.8V.
(C’est sans danger tant que la tension crête à crête d’entrée n’est pas largement supérieure à
Vcc=5V).
Autre proposition : On cherche un gain de 10 et une impédance de sortie de 10K. Les autres
hypothèses sont les mêmes. Action…
Contournement des limitations en gain :
L’obtention de gains en tension plus élevés deviendra difficile avec ce montage qui présente ses
limites si Rc >> Re. En effet, si la tension de base résultante appliquée au point de polarisation est
par conséquent trop basse (devenant 0.6V + quantité insignifiante), les imprécisions de nos modèles
simplifiés seront trop grandes et le transistor ne sera pas polarisé correctement. Le montage sera
aussi sensible à la température car le fameux « 0.6V » n’est pas si constant que ça quand la
température varie.
C’est pourquoi, se souvenant de l’effet « perturbateur » sur l’émetteur abordé dans le montage base
commune, on pourra augmenter le gain en alternatif (dit « dynamique ») sans changer Rc et Re.
On va remettre en place, en plus de l’entrée toujours existante, une « Re_in », cette fois non plus
connectée à une source de tension mais… à un condensateur C3, en lieu et place de celle-ci, qui
« essayera » cette fois d’empêcher Ure de changer (par le fait qu’il se charge et se décharge
partiellement sous l’effet des variations de Ure) et provoquant ainsi de fortes variations de Ic même
quand Ure varie très peu ! (C’est le montage base commune « à l’envers »).
Là aussi, sous réserve que C3 ait été calculé correctement, le gain en dynamique augmentera de la
même manière que si Re_in et Re étaient réellement en parallèle, et sans changer le point de
polarisation. On pourra alors concilier une tension de base pas trop faible et un gain de signal élevé,
sans changer le point de polarisation.
En utilisant C3 = 220uF déjà choisi « par quelqu’un d’autre », ajouter Re_In et C3 en choisissant
Re_in pour doubler le gain du premier exercice (donc pour le porter à 6).
Nous avons déjà vu en introduction que le premier « moyen » de détruire un transistor est de forcer
sa tension base-émetteur au-delà de sa limitation naturelle se situant autour de 0.6V. C’est pourquoi
on n’alimente jamais la jonction base-émetteur par une source de tension sans limitation de courant.
(Il y a toujours une Rb ou une Re, comme vu dans les différents montages. En collecteur commun,
Rcharge tient lieu de Re et si Rcharge est court-circuitée c’est la destruction immédiate).
Le forçage de la tension de base au-delà de celle du collecteur majorée de 0.6V, pour les
mêmes raisons que celles qui provoquent la destruction de la jonction base-émetteur.
La cause des deux précédents cas de destruction peut être un mauvais calcul mais aussi, dans
certains cas, la « surcharge » de la sortie du montage, bien que ce terme n’ait pas de sens
pour le transistor lui-même. En effet, supposons que le transistor commande une lampe en
régime de commutation (émetteur commun avec Rb selon 2-a, avec Rc remplacée par la
lampe). Dans ce cas, un court-circuit sur la lampe n’est, vu du transistor, qu’un passage en
régime linéaire puisque le collecteur remonte à Vcc sans qu’on puisse jamais avoir Vce=0.
Ainsi, si Ib est dimensionné copieusement, Ic atteindra des valeurs pouvant dépasser Icmax
et, sinon, la puissance dissipée Vce * Ic = Vcc * Ic pourra dépasser les limites spécifiées,
provoquant une fusion de la puce.
Une tension inverse base-émetteur dépassant celle spécifiée par le fabricant (souvent -5V).
Ce n’est pas une situation courante mais cela peut arriver si on achemine vers la base une
tension « pas propre » comportant des impulsions transitoires négatives de forte valeur,
comme ce qui pourrait provenir d’une charge inductive commutée. Cette situation peut aussi
se produire dans un montage à collecteur commun où on connecterait par mégarde une
alimentation largement supérieure à Vin sur la sortie (donc ici l’émetteur).
Une tension Vce dépassant le Vcemax spécifié par le fabricant. Cela arrive très couramment
quand des novices commandent des charges inductives (comme des relais) sans ajouter ce
qu’on appelle la « diode de roue libre » empêchant la tension de collecteur (exprimée ici par
rapport à la masse) de remonter au-delà de Vcc, alors qu’elle ne gêne pas l’alimentation du
relais dans le sens normal de circulation du courant :