TAREA N°3 “Circuitos Electrónicos”

Nombres: Bastián Herrera Bugueño

Simón Soto Valdés

Profesor: Francisco Alonso

Ayudante: Richard Mancilla Lara

INTRODUCCIÓN

Los transistores de campo o FET se denominan así porque durante su funcionamiento la

señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la corriente a través del
dispositivo.
Estos transistores también se llaman unipolares para distinguirlos de los transistores
bipolares de unión y para destacar el hecho de que un solo tipo de portadores electrones o
huecos intervienen en su funcionamiento.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect
Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
· Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)
· Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor)
La principal diferencia entre los transistores FET y los BJT radica en el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET
son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida
es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en
el otro el nivel de tensión aplicada. En los transistores FET se crea un campo eléctrico que
controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto
directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión). De
forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los
transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada
con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de mega ohmios, muy
superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de
entrada del orden de unos pocos kilos ohmios. Esto proporciona a los FET una posición de
ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) fueron primero propuestos por
Schockley en 1952 y su funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente por el
campo aplicado a la puerta, por una o varias uniones p-n polarizadas en inverso.
Los transistores de efecto de campo de unión metal-semiconductor (MESFET), propuestos
en 1966, tienen un funcionamiento muy similar al JFET, pero en ellos el control del flujo de
la corriente se realiza por una unión metal-semiconductor de tipo Schottky. Finalmente
existe también otro tipo de transistores denominados genéricamente MOSFET (metal-
oxidosemiconductor), de desarrollo más reciente, en los que el control de la corriente a través del
semiconductor por una capa aislante (normalmente, oxido de silicio). Este tipo de transistores se
utiliza preferentemente en la electrónica digital.

EJERCICIO 1

1) La corriente drain para un MOSFET de enriquecimiento se puede calcular con la siguiente

ecuación:
𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2

Así, solo bastaría con reemplazar los datos del enunciado en la ecuación para encontrar el
voltaje gate-source 𝑉𝐺𝑆

Caso 𝑰𝑫 = 𝟒 [𝒎𝑨]

4𝑚 = 0.25(𝑉𝐺𝑆 − 1)2

Despejando 𝑉𝐺𝑆 se llega a:

𝑉𝐺𝑆1 = 5[𝑉] y 𝑉𝐺𝑆2 = −3 [𝑉]

Se descarta 𝑉𝐺𝑆2, por lo tanto:

𝑉𝐺𝑆 = 5[𝑉]

Para calcular el valor mínimo de 𝑉𝐷𝑆 , se debe saber que este último ocurre cuando 𝑉𝐷𝑆 se
encuentra en saturación, cumpliéndose la siguiente relación:

𝑉𝐷𝑆 𝑚í𝑛 = 𝑉𝐷𝑆 𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 = 5 − 1

𝑉𝐷𝑆 𝑚í𝑛 = 4[𝑉]

Caso 𝑰𝑫 = 𝟏𝟔 [𝒎𝑨]

Se procede igual que en el caso anterior:

16𝑚 = 0.25(𝑉𝐺𝑆 − 1)2

Despejando 𝑉𝐺𝑆 se obtienen dos valores. Nuevamente, se descarta uno y se deja el otro,
resultando en:
𝑉𝐺𝑆 = 9[𝑉]

Luego, se utiliza la misma ecuación del caso anterior para encontrar 𝑉𝐷𝑆 𝑚í𝑛 :

𝑉𝐷𝑆 𝑚í𝑛 = 𝑉𝐷𝑆 𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 = 9 − 1

𝑉𝐷𝑆 𝑚í𝑛 = 8[𝑉]
 2) El valor 𝐼𝐷𝑆𝑆 se define como la corriente de drenaje máxima permitida por un transistor
JFET, y está definida cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0 [V]

Generalmente es un parámetro que entrega el fabricante.

En un JFET, este parámetro es importante pues es la corriente máxima que alcanza el JFET sin
ingresar a la región de saturación.

Para el MOSFET de tipo empobrecimiento, el voltaje 𝑉𝐺𝑆 se ajusta a 0 [V] por la conexión directa
de una terminal a la otra siendo aplicado un voltaje 𝑉𝐷𝑆 . Es por esto por lo que existe una
atracción del potencial positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente
semejante a la que se establece en el JFET. Así, resulta una corriente 𝐼𝐷𝑆𝑆 que coincide cuando
𝑉𝐺𝑆 = 0 [𝑉]

Finalmente, para el MOSFET tipo enriquecimiento, IDSS pierde significado pues no se trabaja con
dicho parámetro.

EJERCICIO 2

Considere los siguientes datos: 𝑉SS=10[𝑉], 𝑅=1[𝑘Ω], 𝑘=1[𝑚𝐴⁄𝑉2] y |𝑉T1|=|𝑉T2|=1[𝑉].

 1) Se tiene que comprobar por análisis que I1 = I2, usamos la corriente para el transistor de
MOSFET de enriquecimiento la cual es:

𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 (0)
Para Q1 y Q2 se tiene los siguientes voltajes puerta-fuente:

𝑉𝐺𝑆1 = −𝑅𝐼2 (1)

𝑉𝐺𝑆2 = −𝑅𝐼1 (2)

𝑘(𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇 )2 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆2 − 𝑉𝑇 )2
(𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇 )2 = (𝑉𝐺𝑆2 − 𝑉𝑇 )2

Aplicamos raíz a ambos lados de la ecuación:

|𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇 | = |𝑉𝐺𝑆2 − 𝑉𝑇 |
|𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇 | = |𝑉𝐺𝑆2 − 𝑉𝑇 |
|𝑉𝐺𝑆1 | = |𝑉𝐺𝑆2 | (3)

De lo calculado anteriormente con VGS:

|−𝑅𝐼2 | = |−𝑅𝐼1 |

𝑅𝐼2 = 𝑅𝐼1
𝐼2 = 𝐼1
2) Si se denota I1 = I2 = ID, se tiene el valor de corriente como:
𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
Reemplazando se obtiene:

𝐼𝐷 = (10−3 ) ∗ ((103 ) ∗ 𝐼𝐷 − 1)2

Resolviendo para ID:

𝐼𝐷1 = 0.382 𝑚𝐴
𝐼𝐷2 = 2.618 𝑚𝐴
Des estos valores solo uno es correcto, el cual debe cumplir la condición:

𝑉𝑇 ≤ 𝑉𝐺𝑆
Reemplazando 𝐼𝐷1 en (3):

|−𝑅𝐼1 | = |𝑉𝐺𝑆2 |

𝑉𝐺𝑆2 = 0.382 𝑉
Reemplazando 𝐼𝐷2 en (3):
 |𝑉𝐺𝑆1 | = |−𝑅𝐼2 |

𝑉𝐺𝑆1 = 2.62 𝑉
Como 1 ≤ 2.62 , la corriente correcta es:

𝐼1 = 𝐼2 = 2.62 𝑚𝐴

3) Para que el voltaje drenaje-fuente se encuentre en saturación debe cumplirse la siguiente

condición:
𝑉𝐷𝑆_𝑆𝐴𝑇 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

Reemplazando datos:

𝑉𝐷𝑆_𝑆𝐴𝑇 = (2.618 − 1) [𝑉] = 1.618 [𝑉]

Luego, LKV a la derecha donde de Q2:

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑅𝐼2 + 𝑅𝐿 𝐼2 + 𝑉𝐷𝑆_𝑆𝐴𝑇 = 0

Remplazando datos:

(103 ∗ 2.618 ∗ 10−3 ) + (𝑅𝐿 ∗ 2.618 ∗ 10−3 ) + 1.618 = 10

Finalmente:
10 − 1.618 − 2.618
𝑅𝐿 = ( ) = 2.2[𝑘Ω]
2.618 ∗ 10−3

EJERCICIO 3

1) Se sabe que VGS = VG – VS → VS = VG – VGS → VS = 1.5 – (-1.5) = 3[V]

Luego, VS = VRS = 3[V] o bien, RS * ID = 3[V]. Dado que en la gráfica si se intersecta VGS con VDS resulta
ID = 6[mA], se tiene que:
𝑉𝑅𝑆 3
𝑅𝑆 = = = 0.5 [𝑘Ω]
𝐼𝐷 6 ∗ 10−3
Además:

𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 = 15

Como VDS y VRS son conocidos:

𝑉𝑅𝐷 = 15 − 6 − 3 = 6 [𝑉]
Puesto que VRD = RD*ID, con la corriente de drain,se despeja RD:
𝑉𝑅𝐷 6
𝑅𝐷 = = = 1 [𝑘Ω]
𝐼𝐷 6 ∗ 10−3
Por otra parte, como dato del ejercicio, 𝑅G=𝑅G1//𝑅G2=90[𝑘Ω].

Además, se sabe que para calcular el voltaje de gate se hace un divisor de voltaje:
𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅𝐺2
= 𝑉𝐺
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
Reemplazando con los datos (VG y VDD) se tiene:
15 ∗ 𝑅𝐺2
= 1.5
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
De la ecuación se hace un despeje para poder trabajar más cómodo con la ecuación . Luego:
𝑅𝐺1 ∗ 𝑅𝐺2
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2 =
90[𝑘Ω]
Reemplazando:
15 ∗ 𝑅𝐺2
𝑅𝐺1 ∗ 𝑅𝐺2 15 ∗ 90[𝑘Ω]
= 1.5 → 𝑅𝐺1 = = 900[𝑘Ω]
90[𝑘Ω] 1.5
Finalmente:
900[𝑘Ω] ∗ 𝑅𝐺2
= 90[𝑘Ω] → 𝑅𝐺2 = 100[𝑘Ω]
900[𝑘Ω] + 𝑅𝐺2
2) Para poder armar la recta de carga estática simplemente se hace un LKV en la malla de la
derecha. Así:
−𝑉𝐷𝐷 + 𝑅𝐷 ∗ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑅𝑆 ∗ 𝐼𝐷 = 0
Despejando la corriente se obtiene:
−𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 = +
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆
De esta forma, se encuentran los puntos críticos. Primero, si ID = 0 [mA] y luego, si VDS = 0 [V]. Para
el primer caso:

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 = 15 [𝑉]

Para el segundo caso:

𝑉𝐷𝐷 15
𝐼𝐷𝑄 = = = 10 [𝑚𝐴]
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 1𝑘 + 0.5𝑘
EJERCICIO 4

1) Se puede encontrar el voltaje de compuerta 𝑉𝐺 haciendo un divisor de voltaje:

𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅𝐺2
𝑉𝑮 =
𝑅𝐺2 + 𝑅𝐺1
Reemplazando con los datos de la tabla se obtiene:
18 ∗ 90𝑘
𝑉𝐺 = = 3.3 [𝑉]
400𝑘 + 90𝑘
Además, existe una relación entre 𝑉𝐺𝑆 e 𝐼𝐷 dada por:

𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 = 3.3 (1)

Ecuación de Shockley:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∗ (1 − )
𝑉𝑃

Reemplazando con los valores del enunciado, se obtiene:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 12𝑚 ∗ (1 − 5
) (2)

Se puede reemplazar (2) en (1) para obtener la siguiente ecuación en términos de 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 2
𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ (12𝑚 ∗ (1 − ) = 3.3
5

Despejando el valor de 𝑉𝐺𝑆 se encuentran dos valores:

𝑉𝐺𝑆1 = −2.53 [𝑉] y 𝑉𝐺𝑆2 = −8.51 [𝑉]

De acuerdo con la gráfica, es imposible que 𝑉𝐺𝑆2 = −8.51 [𝑉] sea un valor válido. Por lo
tanto, se escoge 𝑉𝐺𝑆1. Con este valor, se puede saber además la corriente de drenaje 𝐼𝐷 :

𝐼𝐷 = 2.92 [𝑚𝐴]
Se puede encontrar el voltaje drain-source 𝑉𝐷𝑆 haciendo un LVK:

2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 = 18
Por lo tanto, despejando 𝑉𝐷𝑆 se obtiene, finalmente:

𝑉𝐷𝑆 = 6.32 [𝑉]

2) Al igual que en la pregunta anterior, se puede hacer un divisor de voltaje para obtener:

18 ∗ 𝑅𝐺2
𝑉𝐺 =
400𝑘 + 𝑅𝐺2
Pero se sabe que 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 . Reemplazando esto en la ecuación anterior:
 18 ∗ 𝑅𝐺2
𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 =
400𝑘 + 𝑅𝐺2
Por otra parte, se tiene la ecuación de Shockley:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∗ (1 − 5
)

Como se quiere obtener un 𝐼𝐷 = 8 [𝑚𝐴]

𝑉𝐺𝑆 2
8𝑚 = 12𝑚 ∗ (1 − )
5
Se despeja 𝑉𝐺𝑆 para obtener, nuevamente, dos valores que son:

𝑉𝐺𝑆1 = −0.92 [𝑉] y 𝑉𝐺𝑆2 = −9.08 [𝑉]

Según la gráfica, el único valor posible es 𝑉𝐺𝑆1 , por lo tanto se ocupa este valor y se reemplaza
en la ecuación, resultando en:
18 ∗ 𝑅𝐺2
−0.92 + 2𝑘 ∗ 8𝑚 =
400𝑘 + 𝑅𝐺2
De donde se despega 𝑅𝐺2

𝑅𝐺2 = 2.068 [𝑀Ω]

3) Nuevamente, se puede hallar una expresión para el voltaje de compuerta 𝑉𝐺 usando un

divisor de tensión:

𝑉𝐷𝐷 ∗ 90𝑘
𝑉𝐺 =
400𝑘 + 90𝑘
Pero 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 , por lo tanto la ecuación anterior queda determinada como:
𝑉𝐷𝐷 ∗ 90𝑘
𝑉𝐺𝑆 + 2𝑘 ∗ 𝐼𝐷 =
400𝑘 + 90𝑘
Una vez más, se usa la ecuación de Shockley, obteniendo:
𝑉𝐺𝑆 2
8𝑚 = 12𝑚 ∗ (1 − )
5
Así, el valor de 𝑉𝐺𝑆 es el mismo que en el apartado anterior y es igual a 𝑉𝐺𝑆 = −0.92 [𝑉].
Reemplazando este valor en la ecuación anterior, resulta:
𝑉𝐷𝐷 ∗ 90𝑘
−0.92 + 2𝑘 ∗ 8𝑚 =
400𝑘 + 90𝑘
Despejando 𝑉𝐷𝐷 se llega a:

𝑉𝐷𝐷 = 82.11 [𝑉]

Además, haciendo un LVK en la malla derecha:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 4𝑘 ∗ 𝐼𝐷
Como ya se tiene 𝑉𝐷𝐷 e 𝐼𝐷 , se puede encontrar el valor exacto de 𝑉𝐷𝑆 , obteniendo:

𝑉𝐷𝑆 = 50.12 [𝑉]

4) Haciendo un LVK en la malla de la derecha:

𝑅𝐷 − 2.5𝑚 + 17.5 + 1.2𝑘 ∗ 2.5𝑚 = 30

𝑅𝐷 = 3.8 [𝑘Ω]
Para calcular 𝑅𝐺1 y 𝑅𝐺2 , se debe tener en cuenta lo que dice el enunciado:
𝑅𝐺1 ∗ 𝑅𝐺2
≥ 100𝑘
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
Arbitrariamente, se define el valor de 𝑅𝐺1 = 200 [𝑘Ω]. Así, se puede encontrar un intervalo
de valores de 𝑅𝐺2 que cumplen con lo que dice el enunciado.
200𝑘 ∗ 𝑅𝐺2
≥ 100𝑘
200𝑘 + 𝑅𝐺2
Despejando 𝑅𝐺2 en la inecuación, se obtiene lo siguiente:

𝑅𝐺2 ≥ 200 [𝑘Ω]

 CONCLUSIONES

Son dispositivos de estado sólido que tienen tres o cuatro terminales.

El flujo de cargas es controlado por el campo eléctrico.

El flujo de portadores es de un único tipo (o electrones o huecos).

Pueden funcionar en diferentes regiones de polarización.

Según en qué región de polarización se encuentren, funcionan como:

· Resistencias controladas por tensión.

· Amplificadores de corriente o tensión, característica principal debido a su

alta impedancia de entrada con niveles que pueden ser de uno hasta varios
cientos de mega ohmios, en comparación con los transistores BJT.

· Fuentes de corriente.