Sunteți pe pagina 1din 6

DISPOZIT IVE OP TOELECTRONICE

Scopul lucrării.
Scopul acestei lucrări de laborator este de a măsura caracteristicile unor
dispozitive optoelectronice: diode luminiscente, fototranzistoare şi celule
fotovoltaice.
Desfãşurarea lucrãrii
A. Diode luminiscente.
1) Se ridică caracteristica i=f(u) pentru 3 diode luminiscente: una cu emisie în
infraroşu (DL1), una cu emisie în roşu (DLR) şi una cu emisie în verde (DLV).
Se foloseşte montajul:

Figura 1. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicii


i=f(u) pentru diode luminiscente.
unde:
G0 - generator de joasã frecvenţă cu ieşire TTL.
G - generator de semnal crescător variabil continuu (ieşirea a) şi în trepte
(16 la ieşirea b şi 8 la ieşirea c). Durata unei trepte de tensiune a lui c este egală
cu durata tuturor treptelor lui b.
MV - milivoltmetru numeric.
DV, DO - intrări pe verticalã şi orizontală ale unui osciloscop.
Se vizualizeazã semnalele în punctele a, b, c.
Se trasează graficele ua = f(t), ub = f(t) şi uc = f(t) respectându-se corelaţiile
temporale dintre ele.
Conectând, succesiv, ieşirea a la LI, LV, LR (vezi Figura 1) se vizualizează
caracteristica i = f(u) pentru cele 3 diode luminiscente.
—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE CATEDRA TEF
LUCRAREA NR. 4 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
—————————————————————————————————————
Notă: Ceea ce se va vizualiza pe osciloscop nu este tocmai caracteristica diodei
luminiscente, ci apare o eroare datorată rezistenţei R 1 care este înseriată cu
aceasta.
Se conecteazã, succesiv, ieşirea b la LI, LV, LR. Caracteristica i = f(u) va fi
aproximată prin 16 puncte. Coordonatele acestor puncte se măsoară cu
milivoltmetrul MV şi se trec în Tabelul 1.
Indicaţie: Pentru efectuarea mãsuratorilor generatorul G0 trebuie trebuie trecut pe
poziţia EXT., caz in care impulsurile dreptunghiulare nu mai sunt repetitive, ci se
comandă extern cu ajutorul butonului SINGLE PULSE. La fiecare două apăsări
ale butonului se trece de la un punct la următorul.

Tabelul 1. R1 = 100

Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16
UO [mV]
Dioda LI UV [mV]
ID = UV/R1 [mA]
UD = U O - U V [mV]
UO [mV]
Dioda LV UV [mV]
ID = UV/R1 [mA]
UD = U O - U V [mV]
UO [mV]
Dioda LR UV [mV]
ID = UV/R1 [mA]
UD = U O - U V [mV]

Se calculează valorile curentului prin dioda luminiscentă ID şi tensiunea pe


aceasta UD folosind formulele din Tabelul 1.
Se trasează pe acelaşi grafic caracteristicile I = f(UD) pentru cele 3 diode
luminiscente măsurate şi se notează diferenţele dintre acestea.

2) Se ridică caracteristica emis = f(i) în unghiul solid 1, 2 şi 3 pentru dioda


luminiscentă cu emisie în infraroşu (DL1). Unghiul solid se modifică prin
modificarea distanţei diodă luminiscentă - fotodetector, şi anume cu cât această
distanţã este mai mare, cu atât unghiul solid este mai mic. Aceasta înseamnă că 1
> 2 > 3.
Se va realiza montajul din Figura 2. Folosind ieşirea a a generatorului se
observă pe osciloscop caracteristica emis = f(i) continuă, iar cu ieşirea c cea
aproximată în 8 puncte. Coordonatele acestor puncte se măsoarã cu
milivoltmetrul numeric MV şi se trec în Tabelul 2.
Observaţii: G0 se fixează pe frecvenţă foarte joasă (ultima poziţie), caz în care
punctele se vor schimba cu o frecvenţă de aproximativ 0,1Hz. De asemenea,

—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE -2- CATEDRA TEF
LUCRAREA NR. 4 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
—————————————————————————————————————
UO1 = UO2 = UO3 şi IL1 = IL2 = IL3 deoarece diodele luminiscente DL1, DL2 şi DL3
sunt identice.
Se calculează valorile curentului prin dioda luminiscentă IL, respectiv prin
fototranzistor IF folosind formulele prezentate în Tabelul 2.

A
B

Figura 2. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicii


emis = f(i) în unghiul solid 1, 2 şi 3 pentru diode
luminiscente.
Tabelul 2. R1 = 100
 R2 = 1,6 K
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
UO1 [mV]
UV1 [V]
IL1 = UO1 / R1 [mA]
IF1 = UV1 / R2 [mA]
1 [lx]
UV2 [V]
IF1 = UV2 / R2 [mA]
2 [lx]
UV3 [V]
IF1 = UV2 / R2 [mA]
3 [lx]

Pentru determinarea valorilor fluxului (1, 2 şi 3) care corespund celor


8 trepte ale semnalului c se foloseşte diagrama de etalonare a fotodetectorului
[ = f(IF)] din Figura 3.
Se trasează pe acelaşi grafic caracteristicile  = f(IL) în unghiul solid 1, 2 şi
3 pentru cele 3 diode măsurate şi se notează diferenţele între acestea.

—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE -3- CATEDRA TEF
LUCRAREA NR. 4 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
—————————————————————————————————————

[lx]

[A]
Figura 3. Diagrama de etalonare a fototranzistorului.

B. Fototranzistoare
Se ridică caracteristicile iC = f(uCE)  = ct. pentru fototranzistorul FT1. Montajul
folosit este prezentat în Figura 4.

Figura 4. Montaj experimental pentru ridicarea caracteristicilor


iC = f(uCE)  = ct pentru fototranzistoare.

—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE -4- CATEDRA TEF
LUCRAREA NR. 4 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
—————————————————————————————————————
Pentru această măsurătoare se folosesc simultan ieşirile b şi c ale generatorului G.
Fiecare treaptă a lui c corepunde unui nivel al fluxului optic, respectiv uneia
dintre caracteristicile iC = f(uCE)  = ct. Deoarece, dupã cum am menţionat la
început, durata tuturor treptelor de tensiune ale semnalului b este egală cu durata
unei singure trepte a semnalului c rezultă că fiecare caracteristică iC = f(uCE)
pentru un flux constant va fi aproximată în 16 puncte.
Cu semnalul a se observă familia de caracteristici pe osciloscop. Se conectează
apoi F1 la b şi se vizualizează cele 8 caracteristici descompuse in 16 puncte.
Notă: Caracteristicile care se vizualizează pe osciloscop nu sunt cele reale, ci
sunt modificate datorită rezistenţei R2 în emitorul fototranzistorului.
Se măsoară coordonatele acestor puncte folosind milivoltmetrul MV,
rezultatele trecându-se în Tabelul 3.

Tabelul 3. R 2 = 1,6
K
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 16
UO [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...
IL1 = UV [mV] ...
L1 = IC = UV / R2 [A] ...
UCE = UO - UV [mV] ...

—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE -5- CATEDRA TEF
LUCRAREA NR. 4 DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
—————————————————————————————————————
Observaţie: Pentru efectuarea măsurătorilor, generatorul G0 se trece pe poziţia
de lucru EXT., ca la primul punct.
Curentul prin fototranzistor IC şi tensiunea colector - emitor UCE se calculează
folosind relaţia din Tabelul 3, iar curentul IL1 şi fluxul corespunzător L1 se extrag
din Tabelul 2.

Se trasează pe acelaşi grafic caracteristicile IC = f(UCE)  = ct, specificându-se


valoarea fluxului optic L1 corespunzătoare fiecărei caracteristici.
C. Celula fotovoltaică
Se determină dependenţa dintre tensiunea obţinută pe celula fotovoltaică şi
fluxul luminos incident. Pentru aceasta se foloseşte montajul din Figura 5.

Figura 5. Montaj experimental pentru măsurarea dependenţei


dintre tensiunea generată de o celulă fotovoltaică şi
fluxul luminos incident.

Rezultatele se trec în Tabelul 4.


Tabelul 4.
Treapta 1 2 3 4 5 6 7 8
 [lx]
UV [V]

Observaţie:  se extrage din tabelul 2, dioda luminiscentă folosită fiind identică


cu DL1.

Se reprezintă grafic caracteristica UV = f() pentru celula fotovoltaică.

—————————————————————————————————————
LABORATORUL DE MATERIALE -6- CATEDRA TEF