UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA Y APLICADAS

CARRERA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

ELÉCTRONICA DE POTENCIA

“CONSULTA”

Docente:
Ing. Ángel Hidalgo

Autores:
Carol Lizbeth Velasco Sarabia

Ciclo-Paralelo:
6to “B”.

Periodo:
Octubre 2018- Febrero 2019

Latacunga - Ecuador
 DIODOS DE POTENCIA

Un diodo tiene dos teminales : un anodo y un catodo y son dispositivoa unidireccionales, no

pudiendo conducir la corriente en sentido contrario al de conducción, el unico porcedimiento de
control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Su caracteristica principal es que en estado de
conduccion deeben ser capaces de sorportar una alta intesidad con una pequeña caida de tensión.
En sentido inverso debe ser capaces de soportar una fuerte tension negativa de anodo con una
pequeña intensidad de fugas. La corriente de fuga o corriente de perdida aumenta al subir la
capacidad de voltaje .

Un diodo conduce cuando su voltaje de anodo es mayor que el del catodo, y la caida de voltaje
directo de un diodo de potencia es muy pequeña en el caso normal 0.5 a 1.2 V, si el voltaje de
catodo es mayor que el anodo se dice que esta en modo de bloqueo.

Los diodos de potencia son de tres tipos: de proposito general, de alta velocidad y de Schottky.

TBJ

Se les conoce normalmente por sus siglas BJT (Bipolar Juntion Transistor). El transistor bipolar
es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras: base, emisor y colector que,
atendiendo a su fabricación puede ser de dos tipos: NPN y PNP. Gracias al transistor BJT se puede
controlar una gran potencia a partir de una pequeña, entre los terminales de colector (C) y emisor
(E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias
a la que controlamos la potencia.

Basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del
mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo
en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como
una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor base.

MOSFET

EL transistor Mosfet está basado en la estructura MOS de cuatro terminales pero solo tres
plantillas (ya que el sustrato esta siempre unido a la puerta) : G( puerta ), B(sustrato), D (drenador
)y S (fuente) en la que el substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. El Mosfet controla el
paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero y una salida o terminal
llamado drenador, mediante la aplicación de una tensión con un valor mínimo llamada tensión de
umbral en el terminal llamado puerta.

Tiene tres estados de conducción: Estado de corte cuando la tensión de la puerta es idéntica a la
del sustrato. Estado de NO conducción cuando ninguna corriente fluye entre fuente y drenador,
Conducción lineal cuando al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva
(nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Se aplica
para la conmutación y amplificación.

SCR
El SCR “Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio”, es un dispositivo
semiconductor biestable formado por tres uniones o 3 pines llamados ánodo, cátodo y puerta, la
conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta por lo que es un elemento
unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez. Esta constituido por
cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y del tipo N.

Tiene la característica de conducir la corriente eléctrica en un solo sentido tal como lo hace un
diodo, pero para que comience a conducir el SCR necesita ser activado, mientras no sea activado
este no conducirá y puede ser considerado como un interruptor abierto. Los SCR se utilizan en
aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control, debido a que puede ser usado
como interruptor de tipo electrónico.

TRIAC

Su nombre viene del termino Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor de
tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión
o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento, podríamos decir que un triac se
utiliza para controlar una carga de CA. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Cuando el
TRIAC conduce hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal
a la otra. La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro
capas. El TRIAC se usa para reguladores de luz, controles de motor pequeño, control de velocidad
de un ventilador.

IGBT

Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo que combina las ventajas de los BJT
y los Mosfet, teniendo así una impedancia de entrada elevada y bajas perdidas de conmutación por
lo que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades. La energía aplicada a la
puerta que activa del dispositivo es pequeña con una corriente del orden de los nanoamperios, esta
pequeña potencia necesaria para conmutar el dispositivo. La puerta está aislada del dispositivo,
con lo que se tiene un control por tensión relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se
tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. en
términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región N- tiene
su conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (agujeros), a partir de la
región P+, una vez que J1 está directamente polarizada. Esta mayor conductividad produce una
menor caída de tensión en comparación a un MOSFET similar.

GTO

El GTO tiene una estructura de 4 capas, típica de los componentes de la familia de los tiristores.
Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y bloquearse a través de señales
adecuadas en el terminal de puerta G. El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo
que está directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre
puerta y cátodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se
mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atraídos por el
potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta corriente se mantiene por encima
de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la señal de puerta para mantenerse
en conducción. La aplicación de una polarización inversa en la unión puerta-cátodo puede llevar a
la abertura o bloqueo del GTO.