Evaluacion de Proyectos 7ma Ed Gabriel Baca Urbina

Algunos ejemplos
• El seleniuro de zinc
• El telururo de zinc
• Materiales semimagnéticos: Hg1-xMnxTe
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
1
Crecimiento cristalino
de materiales II-VI
1800
1700
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
ZnSe
1600
L 1 1526
1500 1500
1400 L 1 + L 2 L 2
1300
1200
1100
1360 3 8 .1
Método
1000
900
800
Recristalización
en Fase Sólida
700
600
500
4 1 9 .5
400
300
221
200
Zn
100 Se
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1-LO
deep
2-LO
Zn A t o mic P e r c e n t Se I
1
3-LO
d
deep
4-LO
1
I
PL Intensity (a.u.)
dee p
I
deep
I
1
2
1
I
FX 2.757 ------------------
2.762 ---
FX n= 2
2Ar
5Se
I 10Se
1
2.8 2.76 2.72 2.68

Energy (eV)
2
El Telururo de Zinc, (ZnTe)
Aspectos de interés
– Interés académico
– Potencial substrato para la epitaxia
– Fabricación de diodos emisores en el verde
Problemática
– Derivada de la dificultad de obtención de monocristales
– Derivada de la dificultad de dopado tipo n
3
Algunas propiedades
Estructura Blenda de zinc

Parámetro de malla 6.089 Å
Temperatura de fusión 1295 ºC
Densidad 5.636 g/cm3
Dureza 54.54 Kg/mm2
Ionicidad 0.61
Coef. Expansión térmica 8.3 10-6 K-1
Conductividad térmica 0.14 W/cmK
Banda prohibida 2.28 eV a 300K
4
Objetivos
Crecer monocristales de buena calidad estructural

Analizar sus propiedades estructurales y físicas, en correlación
con las condiciones de crecimiento
Estudiar sus posibilidades como substrato para la epitaxia
Analizar la respuesta frente a tratamientos térmicos y
tensiones mecánicas
Profundizar en las técnicas y mecanismos de crecimiento
cristalino
5
Crecimiento cristalino del ZnTe
Crecimiento a partir del fundido estequiométrico
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1400
1340
1300 1300
L 1 +L 2
1215
1200
6 5 .4
1100
Alta Temp. Fusión
1000
900 Conocimiento parcial

800
del D.F.
700
600
Desconocimiento del
500 punto exacto de la
449
4 1 9 .5 7
400 fusión congruente
Te Te
300
200
Evaporación a la Tf
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Zn VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
A t o mic P e r c e n t Te
6
Crecimiento en fase gaseosa (PVT y CVT)
•Buenos cristales obtenidos por el grupo del Institute of

Physics, Polish Academy of Sciences. Prof. A. Mycielski.
•Problemas:
-Dificultad de mantener las condiciones termodinámicas
en la interfase móvil durante largos períodos de tiempo
-Dificultad de obtención de grandes monocristales
7
Las técnicas de “baja temperatura”

como alternativa
• Los métodos en disolución:

El método THM
El método CTHM
La recristalización en fase sólida, RSS
8
Método CTHM
Condiciones experimentales:
A partir de los elementos constituyentes: Zinc en forma
cilíndrica y Teluro elemental
Temperatura de trabajo 950 ºC
Velocidad de crecimiento 3 mm/día
Gradiente abrupto a ambos lados de la zona disolvente
9
Resultados:
Síntesis y crecimiento en el mismo proceso

Obtención de un lingote policristalino
de varios centímetros de longitud.
Grandes monocristales con buena
calidad estructural
10
Materiales semimagnéticos,
Hg1-xMnxTe
Aspectos de interés
– Temática infra-roja
– Detectores controlados por campo magnético
Problemática
– Derivada de la dificultad de obtención debido a la
alta presión de vapor del mercurio
– Inhomogeneidades locales
– Inhomogeneidades longitudinales y radiales
– Poca pureza del Manganeso
11
Hg1-xMnxTe
Algunas propiedades:

Parámetro de malla 6.641-0.121x Å
Temperatura de fusión > 700 ºC (x≈0.11)
Densidad 8.12-3.37x g/cm3
12
Hg1-xMnxTe
Objetivos:

Crecer monocristales con homogeneidad composicional
Analizar sus propiedades estructurales y de propiedades
físicas, en correlación con las condiciones de crecimiento
cristalino
13
Hg1-xMnxTe
• Ha sido el método mas
ampliamente utilizado
• Cristales inhomogeneos axial y
longitudinalmente debido a la
gran separación entre las líneas
solidus-liquidus.
• Presíntesis del compuesto.
Alta presión de mercurio
• Contaminación por las
impurezas del manganeso
Una alternativa: Crecimiento Bridgman de la aleación a partir de sus

componentes binarios VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
14
Hg1-xMnxTe

como alternativa

El método THM
El método CTHM
El método CTHM
15
Crecimiento cristalino del Hg1-xMnxTe
Método CTHM
a partir de los
componentes binarios,
MnTe y HgTe
16
Crecimiento cristalino del Hg1-xMnxTe
Método CTHM
Compuestos binarios MnTe y HgTe

para obtener Hg0.89Mn0.11Te
Temperatura de crecimiento 600ºC
Velocidad 2 mm/día
17
Crecimiento
Crecimiento
CTHM
de HgTe
de HgTe
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
800
700
L 670
600
500
4 4 9 .5 7
411
400 85
300
200
Te
100
0
Hg y Te elemental
Hg
-3 8 . 8 3
Disolvente: Te
-1 0 0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Temperatura 520ºC
Hg A t o mic P e r c e n t Te
v= 2mm/día
18
Crecimiento CTHM de HgTe
19
Crecimiento THM de MnTe
Síntesis y Crecimiento
Reacción de Mn y Te en forma
elemental. T=950ºC. Fusión a
1175ºC, 2horas
Crecimiento THM con Te
Temperatura 800ºC;v= 2.5 mm/dia
8 00 800ºC 1 cm
7 50
temperature (ºC)
7 00
6 50
6 00
8 10 12 14 16 18 20
le n g th (c m )
20
Materiales II-VI
HgTe HgSe ZnTe

Método
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
900 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
800
1800
799 1700
800 L
700 2 L 2
670 755 L 1600
L 740 3 1526
L 1 L 1 1500
708 1500
700 3 1 .1 685
600 6 9 .8 8 7 .3 8 L 1 + L 2 L 2
CTHM
1400
1360 3 8 .1
600 1300
500 1200
4 4 9 .5 7 500 1100
411 1000
400 85
400 900
α -H g S e 800
300 300 700
2 2 0 .9 5 600
200 200 500
4 1 9 .5
400
Te 100
100 Se 300
221
200
0 Zn
0 -3 8 . 6 100 Se
-3 8 . 8 3
Hg 0
-1 0 0
Hg 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
-1 0 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Zn A t o mic P e r c e n t Se
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Hg A t o mic P e r c e n t Se
Hg A t o mic P e r c e n t Te
21
Crecimiento THM de MnTe
22
Crecimiento CTHM de Hg1-xMnxTe
600 600ºC 1 cm
550
temperature (ºC)
500
450
400
8 10 12 14 16 18 20
length (cm)
CTHM
HgTe y MnTe elemental
Temperatura 600 ºC
v= 2 mm/día
23
Resultados:
Síntesis y crecimiento a baja temperatura

• Obtención de monocristales
con excelente calidad estructural
y homogeneidad superior a la
obtenida con el método de
Bridgman
• Estructura cúbica con parámetro
de red (a=6.442±0.002 «) que de
acuerdo con la ley de Vegard
corresponde a la concentración
deseada 0.11 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
24
Resultados:
• Las medidas de absorción

óptica ponen de manifiesto la
mejor calidad composicional y
menor presencia de impurezas
en estos cristales
• Las propiedades físicas y

estructurales son comparables a
las de los mejores cristales
obtenidos por otras técnicas
25
Diagrama de fases ternarios
26
27
28
de materiales II-VI
CdxZn1-xTe Método HgxZn1-xTe

CTHM
Hg0.85Zn0.15Te
CdxHg1-xTe
Cd0.8Zn0.2Te Cd0.2Hg0.8Te
Actividad investigadora
29
de materiales II-VI
ZnTexSe1-x
Transporte
en fase
ZnSe0.2Te0.8
gaseosa
ZnSexTe1-x
ZnSe0.9Te0.1
30
Crecimiento cristalino y caracterización
de materiales semiconductores
(semimagnéticos y otros materiales)
0 10 20 30 40 50 60 70
0 10 20 30 40 50 60 70
Zn3P2
1 21 0 0
200
L L 1173 1173 PVT
1100
1040
1 11 0 0
000 980 990
55
900
1040
850
100
8 00
0
3 .7
980 990
700
55
90
6 00
0
850
500
3 .7
80
4 00
0 0 .6 6
416
Zn
300
0 10 20 30 40 50 60 70
700 Zn A t o m ic P e r c e n t P
600
Intensity (%)
2,2,0
100 (93.14,100.0)
Bridgman
90
500 80
2,0,3
2,0,2 (101.24,73.1)
70 (79.87,70.0)
2,1,2
416 60 (87.47,60.9)
no
2,1,1
400 0 .6 6 50 (74.54,51.6)
3,0,2
40 2,0,1 0,0,4 (118.90,39.7)
(66.52,36.3) 2,1,3
(100.76,34.7)
1,0,2
Zn 30 1,0,1
(37.44,26.7)
(55.15,29.7) (109.07,30.6)
estequiométrico
1,0,3 3,0,1
300 20 (78.43,18.6) (105.12,18.2)
10 3,1,0
1,0,4
0 10 20 30 0 40 50 0,0,2
1,1,0
(45.30,0.9)
(42.58,0.2)
2,0,0
1,1,2
(61.80,1.1)
(63.92,0.1) 60 2,2,2
3,1,1
(108.57,2.4) 70
(110.58,0.0)
(113.12,0.2)
2 θ (°)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
Zn A t o mic P e r c e n t P
31
Diagrama de fases Pb-Te
32
PbTe
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1000
900
924 THM
L
800 L y
700
CTHM
600
500
4 4 9 .5 7
4 1 0 .9
400 8 9 .1
3 2 6 .8
300
Te
Pb
200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Pb We ig h t P e r c e n t Te
Intensity (%)
2,0,0
100 (61.80,100.0)
90
80
70
60
1,1,1 2,2,0
50 (52.81,48.5) (93.14,46.8)
40
30
20 3,1,1
(116.77,14.4)
10
2 θ (°)
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
33
Diagrama de fases Mn-Te
34
MnTe THM HgxMn1-xTe
Hg0.89Mn 0.11Te
35
Diagrama de fases Cd-Mn-Te
36
CdxMn1-xTe Zn1-xCoxSe
Método de
x<0.12
Bridgman
PVT
Cd0.5Mn0,5Te Cd0.6Mn0,4Te
37
Algunos ejemplos
• El seleniuro de zinc
• El telururo de zinc
• Materiales semimagnéticos: Hg1-xMnxTe
38
El Seleniuro de Zinc, ZnSe
• Algunos aspectos de interés

– Potencial tecnológico en la “temática del azul”
– Fabricación de diodos emisores en el azul
– Temática infra-roja
• Problemática
– Derivada de la dificultad de obtención de monocristales
– Derivada de la dificultad de dopado tipo p
39
Algunas propiedades

Parámetro de malla 5.668 Å
Temperatura de fusión 1524 ºC
Tem. transición fase, S-S 1425 ºC
∆H (Hexagonal-cúbica) 946 J/mol
Densidad 5.26 g/cm3
Dureza 92 Kg/mm2
Ionicidad 0.63
Coef. expansión térmica 6.8 10-6 K-1
Conductividad térmica 0.19 W/cmK
40
Objetivos

Analizar sus propiedades estructurales y físicas, en correlación
con las condiciones de crecimiento
Estudiar sus posibilidades como substratos para la epitaxia
– Analizar la respuesta frente a tratamientos térmicos y
tensiones mecánicas
cristalino
41
Crecimiento cristalino del ZnSe

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1800
1700
1600
L 1 1526
1500 1500
1400 L 1 + L 2 L 2
1300 1360 3 8 .1
1200
• Alta Temp. Fusión
1100
1000
• Transición de fase S-S
900
800
700
• Conocimiento parcial
600 del D.F.
500
400
4 1 9 .5
• Desconocimiento del
300
200
Zn
221
punto exacto de la fusión
100
0
Se
congruente
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Zn A t o m ic P e r c e n t Se
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ • Evaporación a la Tf
42
Crecimiento en fase gaseosa (PVT y CVT)
• Buenos cristales obtenidos recientemente por el Grupo

del Dr. Korostelin en el Lebeden Physical Inst.
•Problemas:
- Dificultad de mantener las condiciones
termodinámicas en la interfase móvil durante largos
períodos de tiempo
- Técnicamente complejo. Dificultad de aplicación
- Dificultad de obtención de grandes monocristales
43

como alternativa

El método THM
El método CTHM
44
Crecimiento en disolución
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1800
1700
1600
L 1 1526
1500 1500
1400 L 1 + L 2 L 2
1300 1360 3 8 .1
1200
• Poca solubilidad en
1100
1000
Se y Zn
900
800 • Otros disolventes

700
contaminan, (PbCl2)
600
500
400
4 1 9 .5 • Algunos resultados
300 recientes apuntan
221
200
100
Zn hacia el Te/Se.
Se
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
• Cristales con
Zn
A t o m ic P e r c e n t Se inclusiones de Te
45
Material CVD policristalino
Preparación superficial y geometría de la muestra
Recristalización isoterma a 998 ºC
Presión de Selenio o Argón
46
Resultados:
Obtención de monocristales de excelente calidad estructural.

Tamaño dependiente de la duración de la experiencia y
presión de trabajo
Mayor velocidad de crecimiento con la mayor presión de
selenio (10 atm)
Ligera evaporación y deposición superficial en las
experiencias con baja presión de Argón (2 atm)
47
Recristalización en fase sólida
Completa Parcial
(cristales del orden del cm3)
48
Fotoluminiscencia en el ZnSe
Objetivos:
• Estudio de la respuesta fotoluminiscente en cristales

obtenidos a partir de la recristalización
• Correlación de la respuesta con las condiciones de
crecimiento cristalino
• Determinación de defectos e impurezas
• Modificación de la respuesta por tratamientos
superficiales y térmicos
49
Material RSS
2 atm Argón
5 atm Selenio
ZnSe
10 atm Selenio
50
La modelización y simulación numérica como
herramienta en el crecimiento cristalino
El método THM.
Estudio numérico de crecimiento de
HgTe
51
Motivación aplicada
52
Modelización del crecimiento THM
53
a) Continuity equation
∂ρ ∂( ρu) 1 ∂(rρv)
+ + =0
∂t ∂z r ∂r
where ν is the fluid density, u the axial velocity and v the radial velocity.
b) Momentum equation
axial direction:
∂ ∂ 1∂ ∂P ∂ ∂u 1 ∂ ⎡ ∂u ∂v ⎤
( ρu) + (ρuu) + (rρvu) = − + (2µ ) + rµ( + ) + ρg
∂t ∂z r ∂r ∂z ∂z ∂z r ∂r ⎢⎣ ∂r ∂z ⎥⎦
radial direction:
∂ ∂ 1∂ ∂P ∂ ⎡ ∂u ∂v ⎤ 1 ∂ ∂v 1 v
( ρv) + (ρuv) + (rρvv) = − + ⎢µ( + )⎥ + (r2µ ) − (2µ )
∂t ∂z r ∂r ∂r ∂z ⎣ ∂r ∂z ⎦ r ∂r ∂r r r
where P is the static pressure,?ν is the molecular viscosity of the fluid and g is the gravitational acceleration
c) Energy equation
∂ ∂ ∂ ∂ ∂T 1 ∂ ∂T ∂P ∂P ∂P
(ρh) + (ρuh) + (ρvh) = (k ) + (rk ) + + u + v + Sh
∂t ∂z ∂r ∂z ∂z r ∂r ∂r ∂t ∂z ∂r
where h is the enthalpy, T is the temperature, k is the thermal conductivity of the fluid and Sh is a source term
that can include sources of enthalpy.
54
900
Experimental axial temperature

Calculated axial temperature
800 Wall temperature
El cálculo del campo de
700
Temperature (K)
temperaturas en el
600
horno permite la
500
determinación de la
400
temperatura de las
300 paredes del mismo que
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35
Axial position (m) ajusta la temperatura

axial obtenida
Perfil de temperatura
Fig. 4 experimentalmente
55
Proceso de resolución en tres niveles
Nivel 1
Se determina el campo de temperaturas considerando la
radiación, la conducción y la convección. Se conoce así la
temperatura en la interfase de crecimiento y disolución que
ajusta el valor de la concentración en el liquido junto con la
longitud de la zona liquida considerando el diagrama de
fases
56
Nivel 2
La temperatura en las paredes de la ampolla es considerada

como condición de contorno para el cálculo más exacto del
campo de temperaturas en el interior de la ampolla de
crecimiento y en particular la zona liquida en la que ahora
incorporamos la convección.
57
Nivel 3
Se plantea un proceso dinámico de desplazamiento de las

temperaturas que produce una diferencia de concentraciones
entre ambas interfases que ajustan el problema global
teniendo en cuenta el diagrama de fases.
58
Pos. 0.085m Pos. 0.090m Pos. 0.095m Pos. 0.100m

Tsta. 753.5 K Tsta. 754.5 K Tsta. 755 K Tsta. 759.5 K
59
Curvas de Isoconcentración
0.515
Posición 0.090m
0.511 0.5137
0.510
0.512
Posición 0.125m
0..506
60
Lingote de HgTe
Programa coordinado de
alimentación de potencia en
función del intercambio “real” de
calor
Los primeros resultados

experimentales han conducido a un
Puerta abierta al desplazamiento y reducción de la
zona con inclusiones
trabajo experimental
61

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Algunos ejemplos

• Materiales semimagnéticos: Hg1-xMnxTe

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

2.8 2.76 2.72 2.68

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Estructura Blenda de zinc

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Crecer monocristales de buena calidad estructural

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Crecimiento a partir del fundido estequiométrico

900 Conocimiento parcial

Crecimiento en fase gaseosa (PVT y CVT)

•Buenos cristales obtenidos por el grupo del Institute of

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Las técnicas de “baja temperatura”

• Los métodos en disolución:

La recristalización en fase sólida, RSS

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Síntesis y crecimiento en el mismo proceso

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Estructura Blenda de zinc

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Crecer monocristales de buena calidad estructural

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Una alternativa: Crecimiento Bridgman de la aleación a partir de sus

Las técnicas de “baja temperatura”

• Los métodos en disolución:

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Compuestos binarios MnTe y HgTe

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

HgTe HgSe ZnTe

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

Síntesis y crecimiento a baja temperatura

• Las medidas de absorción

• Las propiedades físicas y

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

CdxZn1-xTe Método HgxZn1-xTe

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ

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