1.

Marco Teórico

Cuando se aplica una polarización directa a una unión p-n, la densidad de portadores minoritarios
es la indicada por la figura 1, donde se observa el incremento de los portadores minoritarios en las
adyacencias de la unión provenientes de la inyección desde el otro lado de la unión donde están
en exceso por ser mayoritarios.

Si la polarización de un circuito con un diodo polarizado en sentido directo, pasa a ser en sentido
inverso, la corriente no podrá pasar inmediatamente al valor que corresponde a la polarización
inversa. La corriente no puede anularse a su valor de equilibrio hasta que la distribución de
portadores minoritarios, que en el momento de invertir la tensión era la indicada en la figura
1.1.a., pase a ser la distribución de la figura 1.1.b., correspondiente a la distribución en
polarización inversa

Tiempo de transición y de almacenamiento

En la figura 2 se indica la secuencia que acompaña la inversión del sentido directo al inverso, en la
polarización del diodo. Consideremos que la tensión de la figura 2.b se aplica al circuito resistencia
diodo de la figura 2.a. Durante largo tiempo y hasta t1, se ha aplicado la tensión de polarización en
el sentido directo vi = VF. La resistencia RL se supone lo suficientemente grande como para que la
diferencia de potencial entre sus extremos sea elevada comparada con la del diodo. En este caso
la corriente será i = VF/RL = IF. En el instante t = t1, la tensión de entrada se invierte bruscamente
al valor v = -VR. Por las razones descritas anteriormente , la corriente no baja a cero, sino que se
invierte y permanece a un valor i = -VR/RL = -IR hasta que transcurre un tiempo t = t2. En ese
momento, tal como se observa en la figura 3.c, la densidad de portadores minoritarios pn a x = 0
ha alcanzado su estado de equilibrio pno. Si la resistencia óhmica del diodo es Rd. la tensión del
diodo desde t1 cae lentamente pero no se invierte. Para t = t2, cuando el exceso de portadores
minoritarios en las inmediaciones de la unión ha pasado a través de ella, la tensión en el diodo
empieza a invertirse y la corriente a decrecer. El intervalo de t1 a t2 en el que la carga de
minoritarios llega a ser cero, se denomina tiempo de almacenamiento ts.

El lapso de tiempo transcurrido entre t2 y el momento en que el diodo se ha recuperado

totalmente, se denomina tiempo de transición ttr. Este intervalo de recuperación se completa
cuando los portadores minoritarios que se hallan a cierta distancia de la unión lleguen a difundirse
a través de ella, atravesándola, y, a la vez, cuando la capacidad de transición de la unión polarizada
en inversa se cargue a la tensión -VR a través de la resistencia RL.

Relaciones entre Qrr y trr

Es la cantidad de portadores de carga que fluyen a través del diodo durante el tiempo de
recuperación en inversa, trr debido a un cambio de conducción directa a inversa. Su valor queda
determinado por el área encerrada por la trayectoria de recuperación en inversa.
Pero, debido a crecimientos lentos de es pequeño comparado con tf , las fórmulas se simplifican
en:

El tiempo trr depende de la carga inversa, y de la velocidad de decrecimiento de la corriente,

además de la temperatura.

Recuperación en Directa

Si un diodo está en condición de polarización inversa, fluye una corriente de fuga debido a los
portadores minoritarios.

Si ahora se le aplica una polarización directa, se obligaría al diodo a conducir. Pero, se requiere un
cierto tiempo, conocido como “tiempo de recuperación en directa”, antes de que los portadores
mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de la corriente. Si el valor de es alto, la
corriente podría estar concentrada en forma no homogénea en la zona de la unión y el diodo
podría fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperación en directo limita la velocidad de elevación de
la corriente directa. Respecto a las limitaciones de la velocidad de conmutación, es despreciable
frente al trr.

2. Objetivos.

El estudiante:

• Conoce el funcionamiento del diodo como elemento de conmutación y sus características

dinámicas.

• Medirá los tiempos de retardo producidos en el diodo al pasar éste de conducción a corte y de
corte a conducción.

• Conoce la dependencia de estos tiempos con determinados parámetros del circuito (frecuencia,
carga,…)

3. Materiales, Reactivos y Equipos

•Diodos de potencia 40HFR60 y 1N5401

•Resistencia de 100 [Ω] - ½[W].

•Resistencia 10[KΩ] - ½[W].

•Generador de onda cuadrada.

4. Procedimiento y Cálculos.

Experiencia 1.1

1. Se armó el circuito de la figura 1.1 tal como se muestra.

2. Se hizo variar la fuente DC desde cero hasta 5 Voltios. De 0 hasta 0.7 [V] en tramos cortos, y de
ahí en adelante en tramos más largos. Se hizo el mismo procedimiento para ambos diodos.

40HDR60 1N5401
Vdc[V] Va[V] I[A] Vdc[V] Va[V] I[A]
0.1 0.14 0.3u 0.1 0.10 0
0.2 0.26 4.5u0.071m 0.2 0.22 0.3u
0.3 0.32 27.6u 0.3 0.31 3.6u
0.4 0.36 0.071m 0.4 0.35 22u
0.5 0.44 0.333m 0.5 0.42 73.5u
0.6 0.47 0.454m 0.6 0.51 0.555m
0.7 0.5 1.315m 0.7 0.54 1m
1 0.56 5m 1 0.61 4.10m
1.5 0.60 8.5m 1.5 0.65 8.84m
2 0.61 13.8m 2 0.67 13.1m
2.5 0.62 18.6m 2.5 0.68 17.7m
3 0.63 24.7m 3 0.69 23.2m
3.5 0.64 29.1m 3.5 0.70 28.2m
4 0.65 34.9m 4 0.71 33.5m
4.5 0.65 39.0 4.5 0.71 38.1m
5 0.66 42m 5 0.71 42.6m
 40HDR60 1N5401

Experiencia 1.2

1. Se reemplazó la fuente DC por el generador de onda cuadrada y el resistor de 100 [Ω] por el de
10 [KΩ].

2. El generador tenía los siguientes parámetros: V = +/- 10 [v], frecuencia 1[KHz].

40HDR60 1N5401
VR+ 9V VR+ 9.7 V
VR- -10.7 V VR- -11 V
If 9 mA If 0.97 mA
IRM 1.08 mA IRM 1.1 mA
Ta 11.5 us Ta 5 us
Tb 26.5 us Tb 9 us
Trr 38 us Trr 14 us

5. Conclusiones y comentarios.
• Se conoció el funcionamiento del diodo como elemento de conmutación y sus características
dinámicas.

• Se midió los tiempos de retardo producidos en el diodo al pasar éste de conducción a corte y de
corte a conducción. Dicha medición se la hizo a través del osciloscopio digital donde se daba un
tiempo ta al azar y el tiempo a continuación era tb.

• Se conoció la dependencia de estos tiempos con determinados parámetros del circuito

(frecuencia, carga,…)

• Se pudo notar que el trr en el diodo de potencia 40HDR60 es mucho mayor que el trr en el diodo
de potencia 1N5401

8. Recomendaciones.

-Es recomendable en especial para los estudiantes no jugar en el laboratorio cuando se procede
con la práctica pues se pueden obtener malos resultados.

-Se recomienda llamar la atención a los estudiantes que juegan con los instrumentos de trabajo,
pues pueden salir estudiantes perjudicados.

-Es muy importante presentar el pre informes de manera puntual y correcta para evitar posibles
percances

-Revisar si se tiene la guía correcta de laboratorio para no cometer errores

9. Cuestionario.

• En base a los manuales de los Diodos utilizados para el práctico, anotar los parámetros de
conducción y de bloqueo de ambos diodos.

R.- 40HDR60 1N5401

•De la misma forma anotar los tiempos de conmutación para los mismos.

R.- 40HDR60 1N5401

•En el INFORME, analizar y comentar de qué manera afecta el tiempo de recuperación inversa en
la frecuencia de conmutación del diodo.

R.- En el paso de conducción a bloqueo, o bloqueo a conducción, existe un tiempo que se conoce
como retardo, en el que habiendo mayor tiempo de transición, existe una mayor disipación de
potencia. El segundo diodo presenta una respuesta más rápida por lo que también la potencia
disipada es mínima a comparación del primer diodo. Dependiendo del uso que se dé al diodo, el
tiempo de retardo puede ser favorable o no en aplicaciones que hacemos a diario en el campo
profesional.

•Analizar cuáles son los parámetros más sobresalientes que afectan en la frecuencia de
conmutación del diodo.

10. Bibliografía.
-http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r17694.PDF

-www.edualter.org

-www.electricalfacts.com