BANCO DE PREGUNTAS

Analizar las siguientes preguntas.

Completar

1) La electronica de potencia es aquella rama de la _______________ que se encarga de

adecuar , controlar y convertir la energia electrica disponible.

a) Electrónica b) Física
 c) Electricidad d) Robótica

2) En un temporizador al ___________ (On delay), los contactos temporizados cambian de

posición pasado un tiempo prefijado previamente, y vuelven a la posición de reposo cuando la
___________ se desactiva.

. a) Trabajo - trayectoria 


. b) Dispositivo de germanio - línea 


. c) Trabajo - Contactos 


d) Trabajo - Bobina

Seleccione la respuesta correcta

3) Trabajan en un tiempo de retardo a la desconexión, ya que este cuando recibe un impulso

energiza la bobina pero los contactos no cambian.

. a) Dispositivo On Delay 


. b) Dispositivo Off Delay 


. c) Diodo 


. d) Bobina 


4) Generar un orden preestablecido para el encendido o pagado de dispositivos de carga.

a) Temporizador b) SCR
 c) Secuencia
 d) Bobina

Emparejamiento

a) b) c) d)

e) f) g) h)

5) De los tipos de secuencia estudiados y las características de trabajo mencionadas a

continuación seleccione según corresponda.

1)Secuencia Simple


2)Secuencia Estricta

a) Varias Alternativas de trabajo
 b)Una sola manera de funcionamiento

c)Conocidas como Formas Complejas d)Conocidas como Formas simples

e)1a–2b–2c–1d f)1b–2a–2d–1c

g) 1c–2b–2d–1a h)1b–2a–2c–1d

6) El DIAC se comporta como dos ________________conectados en serie, pero orientados en

formas opuestas


a) diodos zener
 b) Diodos

c) TRIAC d) SCR

7) Un diodo es un ___________________ que permite el paso de la corriente eléctrica en una

única _________ con características similares a un interruptor. a) Dispositivo de silicio -
trayectoria
 b) Dispositivo de germanio - línea
 c) Dispositivo electrónico - ranura
 d)
Dispositivo semiconductor - dirección

8) La sigla IFSM en un diodo de Potencia representa.

. a) La corriente máxima directa de pico repetitivo. 


. b) La corriente máxima directa de pico único. 


. c) La corriente máxima inversa de pico repetitivo. 


. d) La corriente que se utiliza para diseño con fusible. 


9) Como está compuesto el DIAC internamente?

. a) Dos tiristores en antiparalelo 


. b) Tres tiristores en antiparalelo 


. c) Cuatro tiristores en antiparalelo 


. d) Cinco tiristores en antiparalelo 


10) Existen dos tipos de DIAC’S

a) DIAC de tres capas y DIAC de cuatro capas b) DIAC de dos capas y DIAC de tres capas

c) DIAC de una capas y DIAC de cuatro capas d) DIAC de cuatro capas y DIAC de dos capas

11) El DIAC de cuatro capa está compuesto por

. a) Dos diodos Vericap conectados en antiparalelo 


. b) Dos diodos Shockley conectados en antiparalelo 


. c) Dos diodos Zener conectados en antiparalelo 


. d) Dos diodos Tunel conectados en antiparaleloz 


12) Cuál es el control de apagado de un DIAC?

. a) Se acaba cuando la corriente es 10 veces la de saturación 


. b) Se apaga cuando supera la corriente de saturación 


. c) Se apaga cuando supera sus valores y este explota 


. d) Se apaga cuando la corriente es menor a la de retención en forma natural. 


13) Cuál de las siguientes aplicaciones no se realiza con un DIAC?

a) Control de iluminación con intensidad variable

. b) Temporizador de alta corriente 


. c) Calefacción eléctrica con regulación de temperatura. 


. d) Control de velocidad en motores. 


14) De qué forma se encuentra estructurado un BJT:

. a) Un transistor de unión bipolar consiste en dos regiones semiconductoras dopadas 


. b) Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas 


. c) Un transistor de unión bipolar consiste en una sola región semiconductora. 


. d) Un transistor de unión bipolar consiste en cuatro regiones semiconductoras 
 dopadas 


15) Cuando un BJT se encuentra polarizado en activa:

. a) La unión de emisor se polariza en directa y la unión de colector en inversa 


. b) Ambas uniones se polarizan en directa 


. c) Ambas uniones se polarizan en inversa 


. d) La unión base colector se activa directamente. 


16) Que zonas de trabajo del BJT se utilizan en electrónica de potencia:

. a) Zona lineal 


. b) Zona activa directa y zona activa inversa 


. c) Zona de saturación 


. d) Zona corte y zona de saturación 


17) La conducción de un SCR es de forma.

. a) Unidireccional 


. b) Bidireccional 


. c) De corte y saturación 


. d) Directa 


18) La conducción de un TRIAC es de forma.

. a) Unidireccional 


. b) Bidireccional 


. c) De corte y saturación 


. d) Directa 


19) El BJT es un dispositivo controlado por:

a) Corriente


b) Voltaje


c) Corriente y voltaje

d) Solo corriente

20) ¿Cuál de estas definiciones corresponden al Pin EMISOR de un BJT?

a)Se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal, su
nombre de debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

b) Es el pin intermedio, muy estrecha, que separa a la base con el colector.

c) El PIN de extensión mucho mayor.

d) Todas las anteriores

21) ¿Qué es un VMOSFET?

. a) Es un dispositivo controlado por voltaje y posee alta conmutación. 


. b) Es un dispositivo de baja conmutación 


. c) Es un dispositivo similar a un diodo de potencia 


. d) Es un dispositivo bidireccional 


22) ¿El TRIAC es un dispositivo?

. a) Unidireccional 


. b) Bidireccional 


. c) Direccional 


. d) No posee conmutación 


23) ¿Cuáles son las conexiones del SCR?

. a) Base , colector, drenador 


. b) Drenador, gate, source 


. c) Gate, colector, base 


. d) ánodo, cátodo y gate (puerta) 


24) ¿Con que tipo de corriente se realiza el control de fase de un tiristor?

. a) continua 


. b) alterna 


. c) continua y alterna 


. d) todas las anteriores 


25) ¿Qué tipo de dispositivos mosfet de potencia existen según su estructura?

. a) De empobrecimiento y enriquecimiento 


. b) De señales débiles y señales fuertes 


. c) NPN y PNP 


. d) De amplificación y retraso 


26) ¿Qué es un rectificador controlado de silicio (SCR)?

. a) Un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la 
 disposición

pnpn. 


. b) Esunelementocompuestointernamentepordostiristoresenantiparalelo,perosin 
 terminal de
puerta. 


. c) Elemento semiconductor sin polaridad que conduce corriente alterna en ambas 
 direcciones,
cuando se supera la tensión de disparo. 


. d) Dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida 
 en

respuesta a una señal de entrada. 


27) ¿Cuáles son las características generales del SCR?

. a) Control de fase de la corriente del TRIAC-Rectificador bidireccional. 


. b) Conducir corriente alterna en ambas direcciones- Conmutación de alta 
 velocidad en

aplicaciones de corriente alterna. 


. c) Soportar tensiones altas- Amplificador eficaz-Es capaz de controlar grandes 
 potencias. 


. d) Control de fase de circuitos temporizados- Generador de pulsos en diente de 
 sierra. 


28) Seleccione los términos populares para describir la operación de un SCR?

. a) Angulo de disparo y corriente de disparo. 


. b) Control de corriente de disparo y ángulo de disparo. 


. c) Control de conducción y control de retardo. 


. d) Angulo de conducción y ángulo de retardo. 


29) La conducción de un SCR es de forma:

. a) Unidireccional 


. b) Bidireccional 


. c) De corte y saturación 


. d) Directa 


30) ¿Cuáles son las conexiones del SCR?

. a) Base , colector, drenador 


. b) Drenador, gate, source 


. c) Gate, colector, base 


. d) Ánodo, cátodo y gate (puerta) 


31) ¿Qué es un TRIAC?

. a) Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que controla el ángulo de disparo 
 de otros

dispositivos. 


. b) Es un dispositivo semiconductor,bidireccional en su conducción y controlado por 
 una

compuerta. 


. c) Es un tiristor que conduce desde el ánodo al cátodo y es activado por una pequeña 
 corriente
en la compuerta. 


. d) Esuntiristorquepermiteregularlapotenciaquesesuministraalacargamediante 
 pulsos de
activación. 


32) ¿A qué frecuencias trabajan generalmente los TRIACs?

. a) Frecuencias Altas. 


. b) Frecuencias Medias. 

. c) Frecuencias Bajas. 


. d) A cualquier frecuencia. 


33) ¿Cuál es la equivalencia de un TRIAC?

. a) Dos diodos en anti-paralelo. 


. b) Dos diodos en paralelo. 


c) Dos SCR en anti-paralelo.


d) Dos SCR en anti-paralelo con la compuerta común.

34) ¿Cuál es el significado en español del acrónimo TRIAC?

. a) Tiristor para Corriente Alterna. 


. b) Triodo para Corriente Alterna. 


. c) Terminal Regulador para Corriente Alterna. 


. d) Transistor para Corriente Alterna. 


35) Indique ¿Cuál de los siguientes enunciados es falso?

. a) En cuanto a la curva característica V-I del TRIAC, la curva de polarización directa 
 es

simétrica a la de polarización inversa. 


. b) El TRIAC posee tres terminales o electrodos: main terminal 1, main terminal 2 y 
 gate. 


. c) La compuerta del TRIAC controla la conducción del dispositivo en todo 
 momento. 


. d) El TRIAC es un semiconductor que se utiliza en corriente alterna, generalmente 
 para

controlar el valor de la potencia que se suministrará a la carga. 


36) Complete: El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado

para...............................en respuesta ..............................

. a) Entregar una señal de salida/ a una señal de entrada. 


. b) Entregar una señal de entrada/ a una señal de salida. 


. c) Entregar señales de entrada y salida/a una sola señal de entrada. 


. d) Generar señales de salida / a una variable de entrada. 


37) ¿Cuál de estas definiciones corresponden al Pin EMISOR de un BJT?

. a) Se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal, su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. 


. b) Es el pin intermedio, muy estrecha, que separa a la base con el colector. 


. c) El PIN de extensión mucho mayor. 


. d) Todas las anteriores 


38) El BJT es un dispositivo controlado por:

. a) Corriente. 


. b) Voltaje. 


. c) Corriente y voltaje. 


. d) Solo corriente. 


39) Que zonas de trabajo del BJT se utilizan en electrónica de potencia:

. a) Zona lineal. 


. b) Zona activa directa y zona activa inversa. 


. c) Zona de saturación. 


. d) Zona corte y zona de saturación. 


40) De qué forma se encuentra estructurado un BJT:

. a) Un transistor de unión bipolar consiste en dos regiones semiconductoras 
 dopadas 


. b) Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras 
 dopadas 


. c) Un transistor de unión bipolar consiste en una sola región semiconductora. 


. d) Un transistor de unión bipolar consiste en cuatro regiones semiconductoras 
 dopadas 


41) El acrónimo de MOSFET, se define como:

. a) Metal Oxide Semicontact Field Effect Transistor 


. b) Metal Oxygen Semiconductor Field Effect Transistor 


. c) Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 


. d) Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 


42) Complete: El MOSFET de empobrecimiento tiene un gran campo de aplicación

como.............débiles en altas frecuencias, debido a su baja capacidad de...............

. a) amplificadores de señales, entrada 


. b) amplificadores de ondas, entrada 


. c) amplificadores de señales, salida 


. d) amplificadores de ondas, carga 


43) ¿Que MOSFET cumple con estas características? Tienen una mayor aplicación en circuitos
digitales y sobre todo en la construcción de circuitos integrados, debido a su pequeño consumo y al
reducido espacio que ocupan.

. a) MOSFET de empobrecimiento 


. b) MOSFET de enriquecimiento 


. c) MOSFET en carga 


. d) MOSFET en saturación 

44) Seleccione cuales son los inconvenientes que pueden prestar los MOSFET.

1. Mayor área de funcionamiento. 


2. Muy sensibles a las descargas electrostáticas y requieren un embalaje especial. 


3. Alta impedancia de entrada. 


4. Es relativamente difícil su protección. 


5. Circuito de mando más simple. 


6. Son más caros que sus equivalentes bipolares. 


. a) 1, 3, 5 


. b) 1, 4, 6 


. c) 2, 3, 5 


. d) 2, 4, 6 


45) Seleccione las ventajas de los MOSFET frente a los BJT.

1. Mayor área de funcionamiento. 


2. Son más caros que sus equivalentes bipolares. 


3. Mayores ganancias. 


4. Es relativamente difícil su protección. 


5. Circuito de mando más simple. 


6. Muy sensibles a las descargas electrostáticas 


7. Alta impedancia de entrada 


. a) 1, 3, 5, 6 


. b) 1, 4, 5, 6 


. c) 1, 3, 5, 7 


. d) 2, 4, 6, 7 


46) Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) consta de:

. a) Un DIAC y un TRIAC. 


. b) Un diodo y un GTO. 


. c) Un BJT y un MOSFET. 


. d) Un SCR y un TRIAC. 


47) Un IGBT se divide en:

. a) 2 materiales tipo n y 3 materiales tipo p. 


. b) 1 material tipo n y 2 materiales tipo p. 


. c) 3 materiales tipo n y 3 materiales tipo p. 


. d) 2 materiales tipo n y 1 material tipo p. 


48) Un GTO es:

. a) Es un dispositivo encendido por un solo pulso al igual que el tiristor normal; pero 
 es
apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el terminal. 


. b) Es un dispositivo encendido y apagado por un pulso negativo de corriente en la 
 compuerta.




. c) Es un dispositivo que purifica la señal para un circuito de disparo. 


. d) Es un dispositivo que se activa con un pulso positivo en el terminal,, pero se 
 desactiva

cuando deja de recibir energía. 

49) ¿Qué capa tiene adicional el tiristor GTO a diferencia del SCR?:

. a) Capa tipo p. 


. b) Capa tipo n+ 


. c) Capa tipo p- 


. d) Capa tipo n- 


50) ¿Qué capacidad de potencia y frecuencia de conmutación alcanza el GTO?

a) Potencia media y frecuencia de conmutación media.

. b) Potencia alta y frecuencia de conmutación lenta. 


. c) Potencia baja y frecuencia de conmutación rápida. 


. d) Potencia alta y frecuencia de conmutación media.