C3

ELECTRONICĂ APLICATĂ

Dr.ing. Mihai MIRON

Departamentul de Electronică și Calculatoare

E-mail: mihai.miron@unitbv.ro

1
 C3: Tranzistoare bipolare

Structura TB; Tipuri; Simboluri; Caracteristici;

Circuite de polarizare;
Regimul dinamic;
Aplicații.

2
 STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR

 Tranzistorul bipolar (TB) - dispozitiv electronic activ cu trei terminale:

emitor (E), bază (B) şi colector (C) - plasate pe trei regiuni
semiconductoare de conductibilitate diferită (p sau n) ale aceluiaşi
cristal semiconductor (siliciu – Si sau germaniu – Ge).

- bipolar - denumirea provine de la faptul că tipurile de purtători de

sarcină ce asigură conducţia sunt de polaritate diferită (electroni şi
goluri).

- TB este format din trei regiuni cu conductibilitate diferită (n sau

p) care alternează.
 Există tranzistoare cu structură npn sau pnp.

3
4
Sensurile pozitive ale tensiunilor şi curenţilor TB

5
 Conexiunile
Tranzistorului
Bipolar

Conexiunea TB este
definită de
borna comună.

6
 Funcționarea TB

 Regimul static (la bornele tranzistorului se aplică tensiuni continue):

 Curentul de emitor şi cel de colector sunt aproximativ egali: IE = IC ;
 curentul de bază este mult mai mic decât curentul de colector:
IC = βFIB , cu βF >> 1, unde βF este amplificarea în curent la semnale mari,
fiind o mărime ce depinde de tranzistor.

 Regimul dinamic (la intrarea tranzistorului - văzut ca un diport – se aplică un

semnal de comandă (sinusoidal sau impuls), sub forma unui curent sau a unei
tensiuni, semnal ce se suprapune peste o tensiune continuă preexistentă):
 Curentul de emitor şi cel de colector sunt aproximativ egali: iE = Ic , unde
iE = IE + ie şi iC = IC + ic ;
 Variaţia curentului de bază este mult mai mică decât variaţia curentului de
colector:
ie = h21ib , cu h21 >> 1 , unde h21 (sau hfe) este amplificarea în curent la
semnale mici cu ieşirea în scurtcircuit (βF ≈ h21).

TB amplifică în putere.
7
 Regimul activ normal (RAN): joncţiunea EB este polarizată direct,
iar joncţiunea CB este polarizată invers.
În cazul TB de tip pnp rezultă: vEB > 0 ; vCB < 0 .

 Regimul activ invers: joncţiunea CB este polarizată direct, iar

joncţiunea EB este polarizată invers.
În cazul TB de tip pnp rezultă: vEB < 0 ; vCB > 0 .

 Regimul de saturaţie: ambele joncţiuni sunt polarizate direct.

 Regimul de blocare (tăiere): ambele joncţiuni sunt polarizate

invers.

8
 Caracteristicile Tranzistorului Bipolar

 Caracteristica de intrare: i1 = i1 (v1 ); v2 = ct. (parametru)

 Caracteristica de transfer: i2 = i2 (v1 ); v2 = ct. (parametru)
 Caracteristica de ieşire: i2 = i2 (v2 ); v1 sau i1 = ct. (parametru)

Caracteristicile statice ale unui TB sunt reprezentările grafice ale

dependenţelor dintre mărimile ce caracterizează funcţionarea sa. Acestea
se reprezintă sub forma unor curbe cedescriu dependenţele între două
mărimi, o a treia fiind constantă (parametru).

9
CARACTERISTICI STATICE ÎN CONEXIUNEA E.C.

- Condiţiile de polarizare normală a

tranzistorului: VEB > 0; V CE << 0.

 Observaţie: - Joncţiunea CB este polarizată

invers deoarece
VCB = VEB + VCE < 0

Curenții prin TB:

IE = IC + IB ;
IC = αFIE + ICBo ; unde αF este factor de amplificare în curent în sens direct (Forward),
iar ICBo este curentul rezidual (invers) prin joncţiunea CB în măsurat conexiunea
B.C. (cu emitorul în gol) .
IC = βFIB + ICEo ; βF >> 1 , unde βF este factorul de amplificare în curent,
iar ICEo se mai numeşte şi curentul rezidual (de saturaţie) de colector, în
conexiunea E.C. măsurat cu baza în gol.

Relaţia IC ≈ IE >> IB este valabilă în oricare din

conexiunile în care lucrează tranzistorul.
10
 Caracteristica de transfer ideală a TB (pnp)
în conexiunea E.C.

Caracteristici de ieşire ale

TB (pnp) în conexiunea E.C.

Caracteristici de intrare ale

TB (pnp) în conexiunea E.C.

11
 POLARIZAREA TB

- Circuitul de polarizare are rolul de a asigura funcționarea T.B. într-un punct

de pe caracteristica statică, numit Punct Static de Funcţionare (PSF).
Ex.: Circuitul de polarizare trebuie să asigure polarizarea directă a joncţiunii
EB şi polarizarea inversă sau directă a joncţiunii CB, după cum T.B. trebuie să
lucreze în RAN, respectiv în saturaţie.

Polarizarea TB cu rezistor în bază

12
 Polarizarea TB cu două surse

Polarizarea TB
cu divizor rezistiv
în bază

13
 TB ÎN REGIM DINAMIC
- TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR

14
15
Distorsiuni datorate blocării tranzistorului

Distorsiuni datorate saturării tranzistorului

16