Introducción

Uno de los inventos que revolucionaron la primera mitad del siglo XX será
analizado en el presente informe, un invento que se utilizó en su inicio en amplificar
señales telefónicas, lo cual permitió llamar desde mayores distancias, el elemento del
cual se hablará será el transistor.
En el presente informe se analizará el funcionamiento y las características
fundamentales del transistor como además sus aplicaciones. Además, se analizarán
diversos estados del transformador, estado en corte, en saturación y en estado activo
en el cual puede amplificar diversas señales pequeñas. Se analizarán las diversas
características del transformador comparando los valores obtenidos en el laboratorio
como los indicados por el fabricante.

Objetivos

Los objetivos de esta experiencia serán los siguientes:

 Circuito de caracterización de transistor 2N3904(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ).
 Amplificador por polarización con divisor de tensión.
 Conocer los parámetros más importantes de los transistores, en especial en
configuración emisor común.

Marco teórico

Un transistor es un componente formado por materiales semiconductores que

puede ser utilizado para controlar el flujo de la corriente eléctrica que una pequeña
cantidad de corriente en el conductor Base controla una mayor cantidad de corriente
entre el Colector y Emisor, se puede utilizar para amplificar una señal débil como un
oscilador o un interruptor.
La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar
la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, más puede amplificar la
corriente.
Esta ganancia se obtiene sabiendo que el colector de un transistor bipolar es
proporcional ala corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor es
la corriente en el colector.

Según eso el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de funcionamiento:
 Región de corte.
  Región activa.
 Región de saturación.

Región Corte
La corriente de base es nula (o casi nula), en este caso, el transistor no conduce en
absoluto. Se dice que se comporta como un interruptor abierto.

Región Activa.
El transistor conduce parcialmente siguiendo la expresión (𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 ). La corriente del
colector es directamente proporcional a la corriente de la base.

Región Saturación
Conduce totalmente y se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza
cuando la corriente por la base (𝐼𝐵 ) alcanza un valor alto.
 Materiales e Instrumentación

Los instrumentos utilizados en la experiencia fueron:

1 Transistor 2N3904
1 Resistencia 1% tolerancia de 1kΩ
1 Resistencia 1% tolerancia de 100kΩ
1 Resistencia 5% tolerancia de 220Ω
1 Resistencia 5% tolerancia de 2,2kΩ
1 Resistencia 5% tolerancia de 4,7kΩ
1 Resistencia 5% tolerancia de 10kΩ
Potenciómetro de precisión de 10 kΩ
Condensador cerámico de 0,33µF
2 Condensadores cerámicos de 0,22µF
1 Protoboard
Osciloscopio Digital
Multímetro True RMS Tektronix dmm912
Multímetro True RMS Mastech
Generador de funciones
 Método experimental

Primer montaje. Caracterización transistor 2N3904.

Utilizando el transistor 2N30904, las resistencias de 0.99[𝑘Ω] y de 99.7[𝑘Ω], un
generador de onda, osciloscopio yla fuente de alimentación y se formó el circuito Nº1 en
protoboard.

Se conecta la sonda del CH1 entre el generador y la resistencia de valor de 0.99[𝑘Ω],

luego de esto la sonda del CH2 al colector del transistor, el retorno de las ondas debe ir
conectado a tierra. Se configura el generador de onda en sinusoidal y en frecuencia de
100𝐻𝑧.
Realizado esto, se varia la fuente de alimentación con la finalidad de medir el voltaje
que cae en la resistencia de 99.7[𝑘Ω]

Tercer Montaje: Se arma el circuito mostrado a continuación en la protoboard.

Se debe configurar la fuente de alimentación (𝑉𝐶𝐶 ) con un valor cercano a los 12[𝑉], el
generador de ondas debe estar a una frecuencia cercana a 10[𝑘𝐻𝑧] y un voltaje
sinusoidal de 100[𝑚𝑉𝑝𝑝], agregando un voltaje offset de 5 [𝑉], notar que 𝑅𝑔 es la
resistencia del generador asociado.
Para la primera parte se analiza el desfase que se halla entre la entrada y la salida de
la fuente, luego de esto se desea saber la respuesta del transistor a distintas frecuencias
como también saber cuales son las ganancias asociadas a ésta, es por esto que se
realiza un barrido de frecuencias. Como último proceso se estudiará el comportamiento
del transistor al aumentarle el voltaje de entrada para así observar la saturación por
voltaje y su deformación provocada por el transistor.
 Resultados y Análisis

Para el primer montaje se obtienen las siguientes curvas 𝑉𝐶𝐸 v/s 𝐼𝐶 , a distintos valores
de 𝐼𝐵 .

𝑣
Gráfica Nº1, Curvas característica del Transistor 2N3904, relación entre 𝑉𝐶𝐸 𝑠 𝐼𝐶 .

Idealmente en la Región Activa de un transistor, la corriente del colector debiera

𝑣
depender exclusivamente de la de base, por lo tanto, en las gráficas 𝑉𝐶𝐸 𝑠 𝐼𝐶 se formarían
rectas horizontales independientes del valor de 𝑉𝐶𝐸 .
Al medir estos valores se observan diferencias notorias, en primera instancia en la
Región Activa la corriente del colector no es totalmente independiente del 𝑉𝐶𝐸 ya que,
para los valores altos de corriente, la resistencia interna del transistor toma importancia.
Además, la región de saturación no aparece cuando 𝑉𝐶𝐸 = 0 sino que existe una
transición gradual en la cual según los fabricantes se ubica entre 0.1 − 0,3 [𝑉].
Con estas curvas se representa el funcionamiento del transistor. Se puede comprobar
que para un valor constante de 𝑉𝐶𝐸 que provoca pequeñas variaciones de la corriente
de base origina variaciones en la corriente del colector mucho más elevadas, lo cual
indica la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Con estás curvas se encuentra la ganancia del transistor, el cual nos arroja el siguiente
gráfico.
Gráfico Nº2, Curva de ganancia del transistor 2N3904 obtenida en el laboratorio.

Para este caso la ganancia o hfe que se obtiene es 198.4 ≈ 200, valor que se encuentra
dentro de los márgenes que el fabricante nos indica 150 − 200 como [mínimo y máximo],
con lo que se concluye un correcto uso y obtención de valores en él laboratorio.
Para la actividad número 3 se solicita responder lo siguiente, además de rellenar la
siguiente tabla.
¿Cómo es la fase entre la señal de entrada y de salida? Si es distinta, digan de cuánto
es
la diferencia.
 El desfase que se existe entre el voltaje de entrada y de salida es de 180°.

Valor teórico Valor experimental Desviación(ε)

Voltaje en corriente 2,026[V] 2,044[V] 0,888%
continua de la base.
𝑉𝐵 (CC)
Amplitud de la 2,026[V] 2,044[V] 17,713%
corriente alterna de
la base. 𝑉𝐵 (AC)
Voltaje en corriente 2,484[V] 2,534[V] 2,013%
continua en el
colector. 𝑉𝐶 (CC)
Amplitud de la 2,484[V] 2,534[V] 2,013%
corriente alterna en
el colector. 𝑉𝐶 (AC)
Voltaje en corriente 190,869[µV] 243,224[µV] 21,525%
continua en la
resistencia de carga.
𝑉𝑅𝐿 (CC)
Voltaje en corriente 2,203[V] 2,514[V] 14,117%
alterna en la
 resistencia de carga.
𝑉𝑅𝐿 (AC):
Ganancia del 14,533 14,502 0,213%
amplificador. (Av)

De primera vista se puede observar que la ganancia del amplificador es muy cercana a
los valores esperados ya que la desviación obtenida fue de 0,213%, esto indica que la
aplicación del transistor que para este caso fue amplificar el voltaje de entrada se logró
con éxito.
Para los demás datos a pesar de que la desviación se vea muy grande su valor no
cambia demasiado, es decir, para la mayor desviación que se tiene en la tabla que es
cuando se mide el voltaje en corriente continua de carga es 21,525% , pero en realidad
la diferencia que se halla entre el valor teórico y el valor medido es 50,355[𝜇𝑉] una cifra
que considerando el circuito, las condiciones en las cual se midió, los materiales con los
cuales se trabajo y la falla humana, se concluye que es un error mínimo.
En consideración de lo realizado en el laboratorio y la no obtención correcta de datos,
es que las siguientes gráficas se obtuvieron simulando el circuito en esta ocasión se
utilizó el programa Multisim Versión 12. Para esta sección se analizarán 8 gráficos que
se dividirán de la siguiente manera:

 1 grafica comparando el voltaje de entrada del circuito y el voltaje en la

resistencia de carga.
 2 graficas cambiando los valores del potenciómetro del circuito.
 2 graficas cambiando los valores de amplitud de la señal de entrada al circuito.

Gráfico Nº3, Comparación entre voltaje de entrada aplicada al circuito y voltaje de salida visto desde la resistencia Rload, en esta
ocasión el potenciómetro se encuentra en un 22%, el cual equivale a una resistencia de 220[Ω]

Para este primer gráfico se compara la señal de entrada al circuito con el de salida en
la resistencia, se observa la amplificación que se obtiene debido al circuito propuesto y
su respectivo desfase entre ambas señales.
 Gráfica Nº4. Comparación entre voltaje de entrada aplicada al circuito y voltaje de salida medida en Rload, en esta ocasión el
potenciómetro esta en un nivel de 0%.

Gráfica Nº5, Comparación entre voltaje de entrada aplicada al circuito y voltaje de salida medida en Rload, en esta ocasión el
potenciómetro está a un nivel del 100% el cual equivale a una resistencia de 1[𝑘Ω].

Para estos 2 gráficos se cambia el valor del potenciómetro en 3 casos, para el primero
se tiene el caso en que el potenciómetro tiene un valor de 220[Ω] con esto se tiene que
la señal resultante se encuentra en la zona activa del transistor, esto implica que la señal
de salida estará amplificada.
Luego para el siguiente gráfico el potenciómetro toma un valor de 0[Ω], con esto se
obtiene que la señal de salida está saturada, esto implica que la zona en la cual el
transistor está trabajando es el de saturación, eso es provocado ya que al disminuir el
valor del potenciómetro implica que el 𝑉𝐶𝐸 disminuya trasladando el punto de operación
o punto Q hacia el origen de nuestro sistema de referencia del transistor. Además,
considerar que según la referencia presentada en el marco teórico tenemos una relación
del tipo 𝑉𝐶 < 𝑉𝐵 > 𝑉𝐸 .

Para el último caso, el potenciómetro toma un valor de 1[𝑘Ω], con esto se obtiene que
la señal de salida está en la zona de corte del transistor, esto quiere decir que el punto
de operación o punto Q se trasladó acercándose a 𝑉𝐶𝐸 . Además, entender que según la
referencia que se obtiene del marco teórico tenemos que 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 < 𝑉𝐸 .

Gráfico Nº6, comparación entre voltaje de entrada aplicada al circuito y voltaje de salida medida en Rload, medición con el potenciómetro
en un 22% el cual equivale a 220[Ω]
Gráfica Nº7, comparación entre voltaje de entrada aplicada al circuito y voltaje de salida medida en la resistencia Rload, potenciómetro en
un 22% el cual equivale a 220[Ω].

Conclusiones

Primeramente, se concluye que los objetivos fueron logrados satisfactoriamente.

En primera instancia en relación a los parámetros característicos del transistor 2N3904
𝑣
se midió y se obtuvo distintas curvas que relacionan las variables 𝑉𝐶𝐸 𝑠 𝐼𝐶 a distintos
valores de 𝐼𝐵 con lo cual se obtuvo la ganancia del transistor o también llamado ℎ𝑓𝑒 ,
además de esto se obtuvo la curva característica del transistor en el cual se observan
las 3 zonas que componen al transistor, Zona de Saturación, Zona Activa, Zona de
Corte. Siendo la amplificación de señales la principal utilización de los transistores,
además con un circuito adecuado, se obtiene la generación de una amplia gama de
señales y formas de onda, también se tiene la utilización como interruptores de alta
frecuencia.
Para obtener el gráfico de la ganancia del circuito se debe realizar una comparación
entre los valores de la corriente de entrada 𝐼𝐵 y la de salida 𝐼𝐶 , con esto se obtendrá una
relación lineal el cual indica la ganancia o la amplificación que se tendrá si se varía el
valor de la corriente de entrada.
Para analizar el comportamiento del transistor en diversas condiciones y analizar su
respuesta, es que se cambiaron los valores del potenciómetro en 3 ocasiones , la
primera donde se tiene 22% de su valor, en la segunda cuando tiene 0% de su valor y
por último cuando su valor es 100%, con esto lo que se provoca es un cambio en el
punto de operación del transistor el cual se mueve hacia la zona de saturación cuando
el potenciómetro esta en un 0% esto es debido a que al alterar la resistencia que se
ubica en emisor provoca que la caída de tensión en la base sea mayor que la caída de
tensión en el colector y que en el emisor, se observa en el gráfico Nº4 que la salida
obtenida está saturada esto demuestra donde está trabajando el transistor con estás
condiciones.
Contrariamente lo que ocurre si es que llevamos el potenciómetro a su máxima
capacidad, aumentando así la resistencia que existe en el emisor y provocando que el
punto de operación se lleve hacia la zona de corte, al observar la gráfica Nº5 se aprecia
que la amplitud alcanzada por el voltaje de salida son mucho menores a los dos
mostrados anteriormente, esto es debido a que el transistor se encuentra trabajando en
la zona de corte, otra manera de apreciarlo es saber que en este caso la relación de los
voltajes es 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵 < 𝑉𝐸 .
Ya que se concluyó como trasladar el punto de operación cambiando el valor de la
resistencia del emisor, también se puede lograr alterando los valores de la señal de
entrada,