Escuela Politecnica Nacional

Laboratorio de Electrónica de Potencia

PREPARATORIO 5

Nombre: Hugo Pérez GR11

Fecha de elaboración: 12-12-2018

CARACTERIZACION DEL MOSFET

1. Consultar la curva de funcionamiento de un MOSFET y en base a este determinar las zonas de
operación en aplicaciones de electrónica de potencia. Indique las condiciones para el encendido
Vth y el apagado del MOSFET.

Siendo un dispositivo que se activa por voltaje, para que se establezca el funcionamiento como un
interruptor es decir abra o cierre debe tenerse en cuenta las siguientes condiciones.

FIg1. Regiones de operación del MOSFET [1]

 Para el caso de que se desee que el MOSFET funcione en la zona de corte como un
interruptor abierto se debe cumplir que.

𝑽𝑮𝑺 ≤ 𝑽𝑻
Y la corriente es ID=0

 Para el caso de que se desee que el MOSFET funcione en la zona de conducción como un
interruptor cerrado se debe cumplir que

𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑇
Donde se presentan los siguientes casos.

𝑽𝑫𝑺 ≥ 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑻
Teniendo un valor de corriente constante dado por VGS.

Otro de los casos se presenta en la zona óhmica que se da cuando

 𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
En el cual se le relaciona al MOSFET como una resistencia entre el drenaje y fuente.

2. Explique la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. En que rango debe
estar la misma y porque.

Esta resistencia cumple una función específica ya que determina los tiempos de conmutación que
están determinadas por la carga de las capacidades.

El rango en el que se debe establecer el valor de esta resistencia es de algunos ohmios valores
próximos a 10𝛺. Este valor debe ser pequeño con el fin de que las capacidades asociadas con el gate
estén en el orden de nF y por tanto los tiempos de conmutación del MOSFET en el orden de decenas
de ns.

3. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o iguales a 1KHz 10KHz
y 30 KHz, además se debe poder variar la relación de trabajo entre 0.1< 𝜹 < 𝟎. 𝟗.

 Para el caso del diseño.

𝑡1 = 0.693(𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡) ∗ 𝐶1
𝑡2 = 0.693 𝑅𝑏 ∗ 𝐶1
𝑡1 1.44 ∗ 0.9 𝑇
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
𝑡2 1.44 ∗ 0.1 𝑇
𝑅𝑏 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
Ahora debemos asumir un valor para el capacitor que me genera la frecuencia establecida.

C1=0.1uf
1.44 ∗ 0.1
𝑅𝑏 = = 1440Ω
0.1𝑢𝐹 ∗ 1000
1.44 ∗ 0.9
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = = 12960Ω
𝐶1 ∗ 1000
Donde debemos asumir un valor para el potenciómetro acorde.

Rpot=10KΩ

𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = 12960 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑅𝑎 = 12960 − 10000 = 2960Ω

Donde Ra=3300 Ω
 Fig2. Circuito generador de señal PWM con el integrado LM555 1KHz

Fig3. Señal PWM con el integrado LM555 1KHz

Para el caso de la frecuencia de 10 KHz.

𝑡1 = 0.693(𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡) ∗ 𝐶1
𝑡2 = 0.693 𝑅𝑏 ∗ 𝐶1
𝑡1 1.44 ∗ 0.9 𝑇
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
𝑡2 1.44 ∗ 0.1 𝑇
𝑅𝑏 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
Ahora debemos asumir un valor para el capacitor que me genera la frecuencia establecida.

C1=1nf
1.44 ∗ 0.1
𝑅𝑏 = = 14400Ω
0.1𝑛𝐹 ∗ 1000
1.44 ∗ 0.9
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = = 129600Ω
𝐶1 ∗ 1000
Rpot=100KΩ

De donde obtendremos el valor de Ra

 𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = 12960 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑅𝑎 = 129600 − 100000 = 29600Ω
De donde tomando un valor de resistencia comercial tenemos que Ra=33𝐾Ω

Fig4. Circuito generador de señal PWM con el integrado LM555 10 KHz

Fig5. Señal PWM con el integrado LM555 10 KHz

Para el caso de la frecuencia de 30 KHz

𝑡1 = 0.693(𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡) ∗ 𝐶1
𝑡2 = 0.693 𝑅𝑏 ∗ 𝐶1
𝑡1 1.44 ∗ 0.9 𝑇
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
𝑡2 1.44 ∗ 0.1 𝑇
𝑅𝑏 = =
0.693 ∗ 𝐶1 𝐶1
Ahora debemos asumir un valor para el capacitor que me genera la frecuencia establecida.

C1=0.82nf
1.44 ∗ 0.1
𝑅𝑏 = = 15400Ω
0.82 𝑛𝐹 ∗ 1000
 1.44 ∗ 0.9
𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = = 137500Ω
𝐶1 ∗ 1000
Donde debemos asumir un valor para el potenciómetro acorde.

Rpot=100KΩ

De donde obtendremos el valor de Ra

𝑅𝑎 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = 135500 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝑅𝑎 = 137500 − 100000 = 37500Ω

De donde tomando un valor de resistencia comercial tenemos que Ra=39𝐾Ω

Fig6. Circuito generador de señal PWM con el integrado LM555 30 KHz

Fig7. Señal PWM con el integrado LM555 30 KHz

4. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 4 (potencia y control), para
un valor de voltaje de 40VDC y la resistencia de carga es un foco de 120V/100W. Tomar en
cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V. Indicar las formas de onda de voltaje de
compuerta, Voltaje y corriente en los terminales Drain-Source del Mosfet y el voltaje de la carga.
 Fig8. Circuito a implementarse MOSFET

Teniendo en cuenta el MOSFET que se empleara determinaremos el valor de la resistencia del

gate Rg.

𝐸 2 402
𝑃= = = 16 Ω
𝑅 100

𝑉𝑑 = 200 𝑣, 𝐼𝑑 = 6 𝐴, 𝑉𝑡 = 2 − 4 𝑉 𝑦 𝑅𝐷𝑆 = 0.8 Ω

𝐸 40
𝐼𝑚𝑎𝑥 = = = 2.4 𝐴
𝑅𝑡 0.8 + 1.6

Donde ya podemos estimar un valor de Rg de 33 Ω ya que cumple con los requerimientos.

Para el caso de la resistencia R2 debemos tener en cuenta los parámetros en la carga.

𝑃𝑓𝑜𝑐𝑜 100
𝐼𝑓𝑜𝑐𝑜 = = = 2. .5 𝐴
𝑉 40
Entonces
𝑉𝑡 = 𝑉𝑟2 + 4
12 = 12𝑚𝐴 ∗ 𝑅2 + 4
𝑅2 = 666.67 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑢𝑛 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑑𝑒 680 Ω
En el caso de R1 se toma un valor de 1.5 K Ω

Fig9. Circuito implementado MOSFET

 Fig10. Señal PWM antes del MOSFET

Fig11. Señales resultantes en el MOSFET

Bibliografía:
[1] MOSFET para conmutacion de potencia, disponible [Online]: https://eva.fing.edu.uy/pluginfile.php/66655/mod_folder/.../0/Cap7
_mosfet.pdf Disponible[Online]: https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/controladores-basicos-drivers
[2] Apuntes en clase Ing. Jorge Medina.