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EXPERIENCIA N°2
CONFIGURACION DARLINTONG
I. OBJETIVOS.
Determinar las características de operación de un amplificador de coriente
transistorizado.
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Osciloscopio
Multímetro
Generador de señales
Fuente de poder DC
Puntas de prueba de osciloscopio
2 Transistores 2N2222
Resistores de 1k,1k5,2k,12k,7k5y 100k
Condensadores de 16V 22uF(2),100uF
Computadora con multisim
III. INFORME PREVIO 3
1. Mencionar aplicaciones de la configuración Darlington y algunos códigos de su
versión de circuito integrado.
*En circuitos integrados como el Open Colector que utiliza en su estructura una configuración
en darlintong: 74LS01,74LS06
*En circuitos donde se necesita mover cargas grandes como motores (dron):ART172S
V1
15V
R1
7.5kΩ
Q1
2N2222
R3 Q2
100kΩ
2N2222
R2
12kΩ
R4
1.5kΩ
Transistor 1:
Ic1=28,422uA V1
Vce1=6.379v 15V
Q1
Transistor 2: RB R3
4.6KΩ
100kΩ 2N2222
Ic2=5.278mA Q2
Vce2=7.039v
2N2222
VTH
9.23V
R4
1.5kΩ
Obteniendo los puntos de reposo a partir del cálculo numérico
RB=R1||R2=4.6KOhm
𝑅2 15.12𝑘
𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐. = = 9.23𝑣
𝑅1+𝑅2 12𝑘+7.5𝑘
V2
15V
R1
7.5kΩ
Q1
Rg C1
V1
1kΩ 22µF R3
120Vrms 100kΩ 2N2222
60Hz
Q2
0°
R2 C2 2N2222 C3
12kΩ
100µF 22µF RL
R4 12kΩ
1.5kΩ
EQUIVALENTE HIBRIDO DEL CIRCUITO
Rg
1kΩ hie1 hfe1Ib1
50.19kΩ 1A/A
R3
100kΩ hfe2Ib2
hie2 1A/A
501.9Ω
R1 R4 RL R2
7.5kΩ 1.5kΩ 12kΩ 12kΩ
𝐼𝑏1(ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒2𝐼𝑏2 + ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1 + … … … … … … … … … . . (4)
𝑅3
𝐼𝑏2 = ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1
𝐼𝑏2 ≈ ℎ𝑓𝑒1. 𝐼𝑏1
𝐼𝑏2
→ ℎ𝑓𝑒1 = 𝐼𝑏1 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … . (5)
(5) en (4)
𝐼𝑏2 𝐼𝑏2 (ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒2𝐼𝑏2 + ℎ𝑓𝑒1 ( )+( )( ) … … … … … … … … … . . (4)
ℎ𝑓𝑒1 ℎ𝑓𝑒1 𝑅3
𝐼𝑜 (ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
→ ≈ (ℎ𝑓𝑒2 + ) = 101 … … … … … … … … … … … … … … . . … … . (6)
𝐼𝑏2 𝑅3
𝐼𝑏2
𝐼𝑏1
= ℎ𝑓𝑒1 = 100 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (7)
𝐼1 = 𝐼𝑏1 + 𝐼𝑥
𝐼𝑏1 (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
= 1/(1 + )=0.499………………………………………………………………(8)
𝐼1 𝑅3
Pero ib1=I1*0.499
1 (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝑉𝑖 = 𝐼1[( (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2) )( ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2 + (ℎ𝑓𝑒1) (ℎ𝑓𝑒2 + ) (𝑅´𝐿)+Rg]=𝐼1(0.519 ∗ 107 )
1+ 𝑅3
𝑅3
𝐼1
→ = 1.926 ∗ 10−7 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … . (10)
𝑉𝑖
Reemplazando en (𝜑)
𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1
𝐴𝑣 = = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) … … … … … … … … … … … … … … . . (𝜑)
𝑉𝑖 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1 𝑉𝑖
𝐴𝑣 = (1.034𝑘)(101)(100)(0.499)(1.926 ∗ 10−7 ) = 1.0037
Notamos que la ganancia de voltaje es casi uno, lo cual nos indica que es correcto ya que como
sabemos en la configuración darlintong amplificación es de corriente y no de corriente
Reemplazando
𝐼𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1
𝐴𝑖 = 𝐼1 = (𝐼𝑏2) (𝐼𝑏1) ( 𝐼1 )=(101)(100)(0.499) =5039.9
4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3, C2, en el circuito
de la figura 2.1.
Estos componentes colocados sirven para aumentar el nivel de impedancia de entrada del
amplificador haciéndolo mucho más apreciable que la impedancia de circuito estándar, esta
técnica se le conoce como ‘’Bootstraping’’.
IV.PROCEDIMIENTO:
1. Realice la simulación del circuito de la figura2.1 con el fin de hallar el punto de reposo
Q así como Av,Ai,Zi y Zo.
Punto de reposo de ambos transitores
Ganancia de voltaje
=0.986
Ganancia de
corriente=9.83
Impedancia entrada=135.5k
Impedancia de
salida=11.9kOhm
Frecuencia de
corte(fL)=587,8mHz
3. Implemente el circuito de la figura 2.1
vo vg io if
Valor simulado 98,97mVrms 99.98Vrms 8.23uA 837,512nA
BIBLIOGRAFIA
http://teslabem.com/2n2222a.html
https://document/68821184/Medicion-de-impedancia-de-entrada-y-
salida
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
http://tetroniks/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf