Tranzistoare bipolare (TB)

Simbolurile

Structura simplificata

Caracteristici de intrare, transfer, iesire

Principiul de functionare

Regiunile de funcţionare

Curentii prin TB

Saturatia TB
pentru TB npn şi pnp
1 / 14
 npn pnp
Simboluri

Simboluri uzuale

“Ce vede” un
ohmmetru la
terminalele TB

Există interacţiune între cele două diode

2 / 14
 npn pnp

Terminalele TB se numesc:
B – bază (corespondent G la TECMOS)
C – colector (corespondent D)
E – emitor (corespondent S)
Săgeata indică sensul pozitiv al curentului prin tranzistor
de la C la E (npn) şi de la E la C (pnp).
3 / 14
 Structura
simplificata,
tranzistor npn

Efectul de tranzistor:
Trecerea curentului printr-o regiune polarizată invers (bază-
colector) datorită interacţiunii ei cu o joncţiune polarizată direct
(bază-emitor) situată în imediata ei vecinătate.
• regiunea bazei foarte îngustă; considerabil mai îngustă decât
lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în bază;
• regiunea de emitor mai puternic dopată decât regiunea
bazei;
• regiunile de emitor şi colector mai late decât lungimea de
4 / 14
difuzie a purtătorilor minoritari în aceste regiuni.
Caracteristici
statice la
terminalele

v BE
IS VT iC =βiB v BE
iB = e VT
β Valabila in regiunea activa
iC = I S e

5 / 14
Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer
Caracteristici de ieşire

Regiunea
activă:
iC=βiB
Saturaţie:
iC <βiB
VCEsat≈0,2V
Blocare:
iC=βiB =0
6 / 14
Regiunile de funcţionare ale TB, npn
vBE>0,6V
rareori folosită vBC>0,6V

vBE<0,6V vBE>0,6V
vBC<0,6V vBC<0,6V

Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de

axe sau de una dintre axe.

Moduri de in comutare (b) (cex)

utilizare ca amplificator (aF), eventual (aR) 7 / 14
 Curenţii prin TB
iE =iC+iB
Valabila in toate regiunile de functionare

În regiunea activă (aF), cu iC=βiB

1 1
iE = iC + iC = iC (1 + )
β β
iE=(β+1)iB ≈βiB

Relaţiile nu sunt valabile la saturaţia TB (cex)

unde iC <βiB 8 / 14
Limitarea curentului de comanda prin TB

deosebire TB – TECMOS: joncţiune în circuitul de comandă

se impune folosirea unei rezistenţe serie pentru stabilirea
(limitarea) curentului de bază, fie în bază, fie în emitor

9 / 14
 Saturaţia TB
valorile rezistoarelor şi surselor de alimentare astfel
încât tranzistorul să lucreze în regiunea dorită
 TB poate fi privit ca o sursă de curent comandată prin
curent după relaţia iC=βiB în regiunea activă (aF).

iCex
i Bsat =
β 10 / 14
 Exemplificare
A.În ce regiune se află T pt RB=50k cu
i) vCo=0,4V; ii) vCo=1,7V;
iii) vCo=5V

B. Se dau vco=2,7V şi β∈(25…200)

Domeniul RB astfel încât T
i) (aF); ii) (cex).

Rezolvare:
i) deoarece vCo=0,4V < VP=0,6V T-(b)

ii) vCo >VP ⇒ T fie în (aF) fie în (cex).

Vom considera vBE=0,7V în conducţie şi β=100. Presupunem T
în (aF) astfel ca iC =βiB.
Vom compara iB cu iCex /β. Dacă iB >iCex /β, T - (cex),
dacă iB <iCex /β, T - (aF) 11 / 14
 V Al − vCEsat 12 − 0,2
iCex = = = 5,9 mA
RC 2
vCo − v BE 1,7 − 0 ,7
iB = = = 0 ,02 mA
RB 50
iCex 5,9
= = 0 ,059 mA
β 100

iCex
Cum iB=20µA < = 59 µA, ⇒ T este în (aF)
β
iC = β iB = 100 ⋅ 0,02 = 2mA
PSF
vCE = V Al − RC ⋅ iC = 12 − 2 ⋅ 2 = 8V

v BC = v BE − vCE = 0,7 − 8 = −7,3V < 0,6V

12 / 14
 iii)
vCo − vBE 5 − 0,7
iB = = = 0,086mA
RB 50

Cum iB =86µA>iCex /β=59µA, rezultă că T este în (cex);

vBE ≈0,8V; vBC=vBEsat -vCEsat ≈0,8V-0,2V=0,6V=VP

Puteam rezolva problema presupunând T în (aF) ⇒ iC=βiB=8,6mA

vCE=VAl - RCiC =12-2·8,6=-5,2V
Evident o valoare imposibilă (vCE nu poate fi decât pozitivă)
deci presupunerea făcută este falsă. Aşadar T este în (cex) 13 / 14
 B. i) Pentru T în (aF) trebuie să ne
asigurăm că iB<iCex /β indiferent
de valoarea lui β din domeniul
specificat; cea mai defavorabilă
situaţie β=βmax= 200.
iCex vCo − v BE i Cex
iB < <
β max RB β max
vCo − vBE 2,7 − 0,7
RB > βmax ⋅ = 200⋅ = 67,8KΩ
iCex 5,9
ii) Pentru saturaţie trebuie îndeplinită condiţia: iCex
vCo − v BEsat iCex
iB >
> β min
RB β min
vCo − vBEsat 2,7 − 0,8
RB < β min = 75 ⋅ = 24KΩ
iCex 5,9 14 / 14