1.

Noţiuni de bază

Tranzistorul cu joncţiuni reprezintă un dispozitiv care se efectuează dintr-

un monocristal de Ge (germaniu) sau Si (siliciu) şi în care prin impurificare se
creează trei regiuni alternativ dopate, despărţite prin două suprafeţe de separaţie.
Se numesc emitor şi respectiv colector regiunile de la extremităţi care au
acelaşi tip de conductibilitate (ambele p sau ambele n). Bază este numită
regiunea centrală care are o conductibilitate opusă faţă de extremităţi. Pe
suprafaţa fiecăreia din cele trei regiuni se depune cîte un strat metalic de contact
pe care se sudează firele de conexiune.
La un tranzistor cu joncţiuni, joncţiunea emitor – bază se numeşte
joncţiunea emitor, iar joncţiunea colector – bază se numeşte joncţiunea colector.
În mod normal joncţiunea emitorului este polarizată direct, iar joncţiunea
colectorului este polarizată invers. Acest regim de lucru prezintă regimul activ
normal.
În funcţie de dopare a conexiunilor se deosebesc două tipuri de
tranzistoare:
 de tip p-n-p (emitorul şi colectorul sunt de tip p, iar baza este de tip n)
 de tip n-p-n (emitorul şi colectorul sunt de tip n, iar baza este de tip p)
În fig.1.1 sunt arătate structurile simplificate ale tranzistoarelor de tip p-n-p
şi n-p-n şi reprezentările lor grafice.

E n p n C E C

B
B
a)

E p n p C E C

B B

b)

Fig.1.1

2. Tehnologia de fabricare
 a tranzistorului bipolar
KT – 907
Tranzistoarele bipolare se fabrică pe baza germaniului, siliciului şi
arsenurii de galiu. Cea mai largă utilizare o are germaniul şi siliciu. Metodele
tehnologice permit de a fabrica tranzistorul în aşa mod ca să se realizeze într-o
măsură oarecare cerinţele pentru parametrii maximi admisibili.
La etapa actuală se utilizează următoarele metode de fabricare ale
tranzistoarelor: metoda de aliere, metoda de difuzie, metoda planară, epitaxial-
planară şi mesa-planară.
Tranzistorul KT – 907 reprezintă un tranzistor din siliciu (Si) de tip n-p-n.
Tranzistorul dat se fabrică prin metoda epitaxial – planară.
Metoda epitaxial-planară se bazează pe metoda planară. Deci, pentru
început vom analiza metoda planară de fabricare a tranzistoarelor.
Se ia o plachetă de monocristal din siliciu (Si) tip-n, (care în structura
rezultantă va reprezinta colectorul). Pe această plachetă peste prima mască de
oxid se efectuează difuzia acceptorului (de obicei bor) şi se primeşte stratul p al
bazei. Apoi peste a doua mască se face difuzia donorilor (de obicei fosfor) astfel
primim stratul emitorului. În sfârşit cu ajutorul celei de-a treia măşti de oxid se
conectează contactele ohmice din aluminiu la toate cele trei straturi şi în
continuare sunt lipite la aceste contacte contacte subţiri care joacă rolul de
picioruşe ale tranzistorului.
În cazul tehnologiei epitaxial-planare, dintre regiunile bazei şi a
colectorului se creează un strat de rezistenţă înaltă şi de aceeaşi conductibilitate
ca şi colectorul. Acest strat se obţine prin aşa numita depunere epitaxială a unei
pelicule subţire de monocristal de o rezistenţă înaltă pe o suprafaţă de cristal ce
serveşte ca corp al colectorului. Regiunile bazei şi a emitorului se obţin de
obicei prin difuzia locală. Structura unui tranzistor obţinut prin metoda
epitaxial-planară este arătată în fig.2.1.

n+
C

Fig.2.1
3. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar.
 Fie două tranzistoare , unul tip p-n-p si celălalt tip n-p-n , aşa cum se vede în figura
3,a şi respective b.

Curenţii şi tensiunile se notează cu convenţia generală din electrotehnică,

sensul curentului de emitor fiind indicat şi sensul săgeţii de terminal.

U CB
U CB IC
IC
U CE
IB
IB IE
IE U BE
a) b)

Fig.3. Noţiunile curenţilor şi tensiunilor la un tranzistor: a- tip p-n-p; b- tip n-p-n

Tranzistorul este un dispozitiv cu trei terminale (borne) şi poate fi conectat în circuit
după unul din montajele fundamentale; montajele fundamentale sunt denumite şi
conexiuni fundamentale.

Fig.4. Cele trei conexiuni fundamentale:

a)-bază comună (BC); b)- emitor comun (EC); c)- colector comun (CC);
În oricare dintre conexiunile fundamentale se disting două circuite: un
circuit de intrare, în care se aplică semnalul pentru prelucrare şi un circuit de de ieşire,
în care se obţine semnalul prelucrat. Una din bornele tranzistorului face parte din
ambele circuite şi se ia ca electrod de referinţă; acest electrod (terminal) este denumit
şi electrod comun. Luînd în consideraţie care dintre cele trei borne ale tranzistorului
este considerată electrod comun se disting trei conexiuni fundamentale şi anume:

conexiunea bază comună (BC); conexiunea emitor comun (EC); conexiunea colector comun (CC).Cele mai folosite
sînt primele două caracteristici statice.Caracteristicile statice da relaţia dintre două mărimi de la bornele
tranzistorului cînd a treia este menţinută constantă.
 3.1Caracteristicile statice în conexiune BC.
Circuitul cu tranzistorul în baza comună este prezentat în fig.3.1. Atît
pentru circuitul de intrare cît şi pentru cel de ieşire borna comună este baza.
Circuitul de intrare este cel al emitorului, iar circuitul de ieşire – cel al
colectorului. Respectiv parametrii de intrare pentru conexiunea BC sunt
curentul emitorului IE şi tensiunea dintre emitor şi bază IEB, iar cei de ieşire –
curentul colectorului IC şi tensiunea dintre colector şi bază UCB.
IE IC

+
UEB
+
IB

Fig.3.1
Schemă tranzistorului în conexiunea bază comună
Caracteristicile de intrare. Caracteristicile de intrare ale tranzistorului în
conexiunea BC sunt grafice ce arată dependenţa tensiunii dintre emitor şi bază de
curentul emitorului, cînd tensiunea dintre colector şi bază este fixată. Ele sunt
arătate în fig.4.2,b. Pentru comoditate variabila IE se depune pe axa coordonatelor,
iar valoarile tensiunii UEB – pe axa abscisei. Caracteristica de intrare la U EB = 0 este
analogică caracteristicii volt – amperice a diodei: curentul IE creşte exponenţial cu
creşterea UEB. În cazul valorilor mari ale curenţilor IE caracteristicile de intrare sunt
aproape liniare. Creşterea temperaturii deplasează caracteristicile de intrare spre
axa curenţilor.
 IC, mA

IE=30mA

IE=20mA UCB=-5V UCB=0

IE=10mA
ICBo IE=0 -UCB UEB
V V
a) b)
Fig.3.2
Caracteristicile de intrare (b) şi ieşire (a) ale tranzistorului
în schema BC

Caracteristicile de ieşire. Familia caracteristicilor de ieşire al

tranzistorului în schema BC reprezintă dependenţa curentului colectorului de
tensiunea dintre colector şi bază, cînd valoarea curentului emitorului este
constantă. Aceste caracteristici sunt arătate pe fig.3.2,a.
În cazul cînd curentul IE=0 (UEB<0) şi tensiunea UCB<0 în circuitul
colectorului trece curentul ICBo care slab depinde de UCB. Regiunea caracteristicilor
de ieşire, care corespunde polarizării inverse ale ambelor joncţiuni, este numită
regiunea de tăiere.
În cazul cînd curentul IE>0 (UEB>0) şi tensiunea UCB<0 curentul colectorului
poate fi calculat conform relaţiei:
IC = IE + ICB0 (3.1)
Chiar la valorile UCB=0 curentul colectorului IC poate atinge valori
considerabile. Regiunea caracteristicilor de ieşire la conectarea inversă a joncţiunii
colectorului şi la conectarea directă a joncţiunii emitorului este numită regiune
activă.
 La valori pozitive nu prea mari ale tensiunii U CB caracteristicile de ieşire se
curbează brusc, iar regiunea valorilor UCB>0 şi UEB>0 poartă denumirea de regiune
de saturaţie.
Particularitatea principală a regiunii active a caracteristicilor de ieşire în
schema BC este dependenţa slabă a IC de tensiunea UCB.
Caracteristicile reale de ieşire ale tranzistoarelor în BC pot fi descrise de
formula:
IC =IE + ICB0 + UCB/rC (3.2)
Unde rC este rezistenţa colectorului.

3.2 Caracteristicile statice în conexiune EC.

Circuitul cu tranzistorul în conexiune emitor comun este prezentat în
fig.3.3. Atît pentru circuitul de intrare cît şi pentru cel de ieşire borna comună
este emitorul. Circuitul de intrare este cel al bazei, iar circuitul de ieşire – cel al
colectorului. Pentru schema cu EC parametrii de intrare sunt curentul bazei I B şi
tensiunea dintre bază şi emitor U BE, iar parametrii de ieşire – curentul
colectorului IC şi tensiunea dintre colector şi emitor UCE.
IC

IB
+
+ UCE

UBE

Fig.3.3
Schemă tranzistorului în conexiunea emitor comun

Caracteristicile de intrare. Familia caracteristicilor de intrare în

conexiunea EC reprezintă graficile care arată dependenţa tensiunii dintre bază şi
emitor de curentul bazei, cînd tensiunea dintre colector şi emitor este fixată
UBE = f (IB) la UCE = const. Această familie este prezentată în fig.4.4, b. Parametrul
familiei de caracteristici reprezintă tensiunea dintre colector şi emitor.
 Caracteristicile de ieşire. Familia de caracteristici de ieşire a
tranzistorului în conexiunea EC, care arată dependenţa curentului colectorului de
tensiunea dintre colector şi emitor la curentul bazei fixat, adică IC = f (UCE) la IB =
const, este arătată în fig.4.4, a. Parametrul familiei caracteristicilor este curentul
bazei (curentul de intrare). Regiunile de început ale caracteristicilor se întîlnesc în
originea coordonatelor, deoarece la tensiunea UCE = 0 diferenţa de potenţial la
joncţiunea colectorului este practic egală cu zero, deci respectiv şi curentul
colectorului este egal cu zero. În comparaţie cu caracteristicile de ieşire ale
tranzistorului în conectarea BC, cele în conectare EC au un unghi de înclinaţiei mai
mare. Aceasta se datorează unei dependenţi mai mari a coeficientului de transfer a
curentului bazei de tensiunea UCE.
În schema conexiunii EC curentul de intrare este curentul I B. Deci avem
relaţia:
I C  I B /  1     I CB0 /  1    (3.3)
Coeficientul de lîngă IB se numeşte coeficient static de transfer a curentului
bazei şi se notează cu :

 (3.4)
1
Luînd în consideraţie expresia de mai sus (4.4) vom avea:
I C  I B  I CE 0 (3.5)
unde I CE 0  I CB 0  1    . (4.6)

IC
IB>0
UCE=0

UCE=-5V

IB=0
IB=ICBo -UBE
-UCE

Fig.3.4
Caracteristicile de intrare (b) şi ieşire (a) a tranzistorului în conexiune EC
Curentul ICE0 trece prin circuitul colectorului la circuitul bazei deschis (I B = 0)
şi reprezintă curentul invers al colectorului în schema EC. Valoarea curentului ICE0
poate să atingă dimensiuni destul de considerabile.
 Dacă curentul IB = - ICB0, atunci valoarea curentului IC este minim şi este
egală cu valoarea curentului ICB0.
Din ecuaţia (4.14) se poate de determinat:
I  I 
  C CB0 (4.6)
 I B  I CB0 
Coeficientul  reprezintă un parametru de semnal mare. El se determină din
raportul curentul colectorului către curentul bazei la aplicarea unei tensiuni inverse
la joncţiunea colectorului. În practică mai des se întîlneşte noţiunea de coeficientul
diferenţial de transfer a curentului bazei, care este egal cu raportul dintre creşterii
curentului colectorului către creşterea curentului bazei la aplicarea tensiunii inverse
la joncţiunea colectorului:
I C
 dif  , la UC = const (4.7)
I B

4.3 Cuplarea tranzistorului bipolar n-p-n în CC.

Circuitul cu tranzistorul în conexiune colector comun este prezentat în
fig.4.5. Atît pentru circuitul de intrare cît şi pentru cel de ieşire borna comună
este colectorul. Circuitul de intrare este cel al bazei, iar circuitul de ieşire – cel
al emitorului. Pentru schema cu CC parametrii de intrare sunt curentul bazei I B
şi tensiunea dintre bază şi colector UBC, iar parametrii de ieşire – curentul
emitorului IE şi tensiunea dintre emitor şi colector UEC.
IE

IB
UEC
UBC +

Fig.3.3.1
Schemă tranzistorului în conexiunea emitor comun

Coeficientul de transfer după curent reprezintă raportul dintre curentul

emitorului şi curentul bazei:
IE
KI   1
IB
Caracteristica principală a conexiunii în colector comun este valoarea
rezistenţei de intrare foarte joasă. Datorită rezistenţei de intrare reduse tranzistorul
în conexiunea colector comun este echivalent unui generator de tensiune care se
 schimbă neesenţial la variarea rezistenţei de sarcină (bineînţeles până când
rezistenţa de sarcină nu depăşeşte cu mult rezistenţa de ieşire a generatorului).
4.Analiza scheme echivalente a tranzistorului bipolar.
4.1. Frecvenţă joasă.

Tranzistorul bipolar în funcţie de parametrii circuitului în care este conectat are

diferite comportări. În acest compartiment vom cerceta tranzistorul la frecvenţă joasă.
Joncţiunea colectorului, cît şi joncţiunea emitorului sînt caracterizate prin nişte
capacităţi datorate de existenţa straturilor cu sarcini spaţiale în regiunea joncţiunii.
Deoarece joncţiunea emitorului este alimentată în sens direct în capacitatea totală a
acestei joncţiuni va predomina componenta de difuzie a capacităţii; invers, pentru
joncţiunea colectorului alimentată în sens invers, va predomina capacitatea de barieră
Ccb. Deşi la o joncţiune p-n valoarea capacităţii de difuzie, în curent alternativ efectul
capacităţii de barieră colectorului (şi emitorului) se face simţită pentru frecvenţe care
nu sunt suficient de joase, astfel încît schema echivalentă a tranzistorului lucrînd la
frecvenţe joase mai mari de 1000 Hz de exemplu, trebuie să fie completată prin luarea
în consideraţie a acestor capacităţi şi în special prin considerarea capacităţii
colectorului.
Capacitatea de difuzie a emitorului C BE a fost reprezentată punctat, subliniindu-se
astfel ralul ei este secundar faţă de cel al capacităţii de barieră a colectoruluiC BC.
Expresiile capacităţilor joncţiunilor colectorului şi emitorului se pot afla prin
rezolvarea ecuaţiei Poisson pentru sarcinile spaţiale din joncţiunea respectivă. La
rîndul ei, sarcina spaţială poate fi exprimată prin diferite relaţii în funcţie de modul în
care sînt distribuite impurităţile în regiunea p şi n care formează joncţiunea. În toate
cazurile însă, capacitatea joncţiunii va depinde invers proporţional de tensiunea

aplicată joncţiunii. Se arată că pentru joncţiuni(deci şi tranzistoare) obţinute prin

1 1
aliere С  1 pe când la joncţiunile obţinute prin creştere С  1 . Pentru tensiuni
U 2
U3
UC0=5 (V), capacitatea colectorului pentru tranzistori obţinuţi prin aliere, este
aproximativ 20-30 pF. Pentru tranzistori obţinuţi prin creştere, la o tensiune U C0=5
(V) , capacitatea colectorului este aproximativ 10 pF.

Figura 10. Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă joasă( conectarea în emitor comun)
4.2 Frecvenţe medii.

O deosebire esenţială între schemele echivalente ale tranzistorului la frecvenţă joasă

şi medie nu este, numai că frecvenţe joase mai apare şi capacitatea C BC.

Figura 11. Schema echivalentă a tranzistorului la frecvenţă medie(conectarea în

emitor comun)

4.3. Frecvenţe înalte. Circuitul echivalent Giacoletto.

În figura 11este schema circuitului echivalent Gicoletto, pentru un tranzistor montat în
conexiunea BC.
 Figura 12. Circuitul echivalent Giacoletto (conexiune
bază comună).
După cum se vede se pot distinge trei regiuni: regiunea 1 corespunde joncţiunii
emitor-bază, care fiind direct polarizată poate fi echivelentă cu o rezistenţă r BE, de
câteva sute de  în paralel cu o capacitate CBE, de ordinul a sute de pF(capacitate de
difuzie).
Regiunea 2 modelează fenomenul de transport al purtătorilor prin bază, cu ajutorul
generatorului de curent gmUEB şi al rezistenţei rCE (de ordinul a zeci de k), ce
corespunde difuziei purtătorilor de la emitor spre colector. Totodată, rezistenţa r BB este
rezistenţa extrinsecă a bazei (baza inactivă) şi este în jur de 100 .
Regiunea 3 reprezintă joncţiunea colector-bază (invers polarizată), care se
înlocuieşte cu o rezistenţă rBC de valoare mare (de ordinul 1M) şi cu capacitatea CBC
de ordinul a câţiva pF (capacitatea debarieră).
Punctul B corespunde regiunii active a bazei şi este logic ca generatorul de curent să
depindă doar de căderea de tensiune dintre emitor şi baza activă (U EB).
Coeficientul de proporţionalitate g m se numeşte panta tranzistorului şi se defineşte ca
raportul dintre creşterea infinitezimală a curentului de colector şi creşterea
infinitezimală a tensiunii bază-emitor care o generează, celelalte mărimi fiind

I C e
constante. Aşadar: gm    IC
U BE kT

şi se poate demonstra că: g m rBE  h21 B

 În fine, pentru ca circuitul să fie complet s-au mai figurat şi capacităţile parazite
dintre terminale (care sunt exerioare capsulei), şi anume C EC, CBC şi CEB. Acestea sunt
de ordinul a 1-4 pF, deci intervin în calcul doar la frecvenţe foarte înalte şi din acest
motiv de cele mai multe ori se pot neglija. De menţionat că exceptând r CB şi rEB care o
variaţie mică, ceilalţi parametri ai circuitului Giacoletto propriu-zis depind puternic de
punctul de funcţionare static(de exemplu r CB scade cu IC, iar CBE creşte cu IC).

5. Parametrii H ai tranzistoarelor bipolare

Pentru a caracteriza funcţionarea tranzistorului ca amplificator, se face
apel la parametrii hibrizi (sau parametrii „h”), care se introduc considerînd
tranzistorul un cuadripol.
La intrarea cuadripolului (între baza şi emitorul tranzistorului) s-au notat
tensiunea şi curentul alternativ cu indicele 1, iar la ieşire (între colector şi
emitor, pentru conexiunea EC) s-a folosit indicele 2, conform fig.6.1, unde RS
este rezistenţa de sarcină.

Rg I1 I2

U1 „h” RS
Ug U2

Fig.6.1
Cuadripol descris cu parametrii „h”

Alegînd în calitate de variabile independente curentul de intrare şi

tensiunea de ieşire, iar în calitate de mărimi dependente – tensiunea de intrare şi
curentul de ieşire, se poate de obţinut ecuaţiile cuadripolului în sistemul de
parametrii h-.
U 1  h11 I1  h12 U 2 
 (1)
I 2  h21I 1  h22 U 2 
Coeficienţii h11, h12, h21, h22 reflectă proprietăţile electrice ale
tranzistoarelor în relaţiile cu semnale mici de frecvenţă joasă în punctul static de
funcţionare ales şi se numesc parametrii h. Ei pot fi uşor determinaţi, asigurînd
regimul de scurcircuit după curent alternativ la ieşire ( U 2  0 ) şi regimul de
mers în gol la intrare ( I 1  0 ).
  Rezistenţa de intrare când la ieşire avem scurtcircuit:
U 1
h11 
I 2 U 2 0

 Coeficientul de transfer după tensiune când la intrare avem mers în gol:

U 1
h12 
U 2 I1 0

 Coeficientul de transfer după curent când la ieşire asigurăm regim de

scurtcircuit:
I 2
h21 
I 1 U 2 0

 Conductibilitatea de ieşire când la intrare avem mers în gol:

I 2
h22 
U 2 I 2 0

Parametrii menţionaţi mai sus se măsoară în:

 h11 – [
 h12 – [adimensional
 h21 – [adimensional
 h22 – [S

La ridicarea parametrilor h asigurăm regimul de funcţionare după curent

continuu, iar parametrii h se măsoară după curent alternativ la valori ale
semnalului reduse. Parametrii h pot fi determinaţi din caracteristicile statice.

Legătura dintre parametrii „h” şi parametrii echivalenţi.

Pentru a arăta legătura dintre parametrii „h” şi cei echivalenţi vom

prezenta schema echivalentă tranzistorului bipolar (vezi fig.6.2).
6. Funcţionarea tranzistorului bipolare la frecvenţe înalte.
Fie că la ieşirea tranzistorului bipolar, care lucrează în regim activ, avem un
semnal alternativ cu frecvenţa f. Dacă timpul decurgerii a proceselor fizice în
tranzistor, stimulate de schimbarea semnalului de intrare, este de aceiaşi mărime sau
întrece perioada lui, atunci frecvenţa semnalului se numeşte înaltă. În aşa fel, sensul
 Fig.6.2

Schema echivalentă de conectare în bază comună.

Bază comună:
h11B  rE  rB ( 1   )
h21B  
r
h12B  B
rC
1
h22B 
rC
Emitor comun:
h11E  rB  rE (   1)
h21E    1   *
rE
h12E   * 
rC
*
h22E 
rC
Sistemul de parametrii h este hibrid: unii parametrii h se măsoară în regim
de mers în gol la intrare, iar alţii – în regim de scurtcircuit la ieşire.
Parametrii tranzistorului ca cuadripol depind de alegerea punctului static
de funcţionare (după curent continuu), temperatură, frecvenţă şi schema de
conectare.
Parametrii h necesari pentru calcule practice se pot obţine prin metoda
grafico-analitică după caracteristicile statice de intrare şi ieşire. Pentru
determinarea tuturor parametrilor h este necesar de avut nu mai puţin decît cîte
două caracteristici pentru fiecare familie.
de „frecvenţe înalte” este ceva relativ, deoarece este legată cu proprietăţile
inerţiale ale unui tip de tranzistoare concret.
 La frecvenţe înalte rezistenţele reactive ale condensatoarelor circuitelor la
semnal mic, pot fi mai mici ca rezistenţele diferenţiale ale joncţiunii colectorului şi
emitorului. Deaceea parametrii h devin mărimi complexe, care depind de frecvenţă.
Cu mărirea frecvenţei din cauza micşorării rezistenţelor reative a condensatoarelor se
micşorează modulul rezistenţei de intrare h11 şi apare un defazaj între tensiunea de
intrare şi curent. Micşorarea rezistenţei reactive a condensatorului CCbar cu creşterea
frecvenţei, aduce la mărirea modulului conductibilităţii de intrare h22 , coeficientului
h12 .
De asemenea şi coeficientul h21 depinde de frecvenţă şi este strâns legat de
procesele fizice ce au loc în tranzistor. Putem să avem h21E = , h21B= găsite din
schema emitor comun şi respectiv bază comună. Din figură se vede, că la frecvenţe
înalte valoarea h21 se micşoreză comparativ cu valoarea ei la frecvenţe mici. Acest
fapt limitează diapazonul de frecvenţe , în care poate fi utilizat tranzistorul dat pentru
amplificarea semnalului.
Cel mai important parametru al tranzistorului la frecvenţe înalte, care
caracterizează proprietăţile sale inerţiale, este frecvenţa de tăiere a coeficientului de
transfer după curent fT. Ea se defineşte ca frecvenţa la care modulul de transfer după
curent în circuitul emitor comun devine egal cu unitatea.

Fig. 14. Depenenta de frecventa a coeficientului de transfer

Se poate arăta că pentru ridicarea frecvenţei de tăiere este nevoie de micşorat

grosimea bazei şi rezistenţa rc, adică grosimea regiunii colectorului care posedă o
rezistenţă înaltă, de mărit intensitatea câmpului electric în bază, mobilitatea
purtătorilor din bază şi densitatea curentului. Însă la micşorarea grosimii bazei se
micşorează şi tensiunea de străpungere. Din cauză că mobilitatea electronilor este de
căteva ori mai mare ca a golurilor rezultă că şi frecvenţa de tăiere a tranzistorului de
tip n-p-n este mai mare decât ala tranzistoarele de tip p-n-p la aceiaşi grosime a bazei.
Dependenţa de frecvenţă a coeficientului de transfer după curent în schema
emitor comun este aproximată cu o funcţie de tipul:
h 21 E
h 21 E 
  f  (1)
 1  j   
  f h 21 E 
Parametrul tranzistorului f21E , care este folosit în relaţia (1) se numeşte
frecvenţa maximă a coeficientului de transfer după curent în circuitul emitor comun .
La frecvenţă modulul coeficientului de transfer după curent se micşorează de 0,707
ori (pe 3 dB) în comparaţie cu mărimea lui la frecvenţă mică.
În regiunea frecvenţelor f  fh21E modulul de transfer după curent poate fi
prezentat în forma:
h 21 E f h 21 E
h 21 E   h 21 E
f
 f 
2
(2)
1   
 f h 21 E 

În figură acestei regiuni îi corespunde porţiunea liniară (în scară logaritmică),

care la f=fT este extrapolat la unitate. Prin urmare:
fT=h21E fh21E (3)
Deoarece pe porţiunea liniară produsul dintre coeficientului de transfer după curent
şi frecvenţă este constant, frecvenţa de tăiere poate fi determinată determinată,
măsurând  h21E la orice frecvenţă, care corespunde regiunii liniare.
Dependenţa de frecvenţă a coeficientului de transfer după în schema bază comună
deasemenea poate fi aproximat la o funcţie de tipul (1):
h 21 B
h 21 B 
  f  (4)
 1  j   
  f h 21 B 
unde: fh21B- frecvenţa maximă a coeficientului de transfer după curent în schema bază
comună. La această frecvenţă coeficientul de transfer după curent se micşorează de
0,707 ori în comparaţie cu mărimea lui la frecvenţe joase (figura 16). Frecvenţa
maximă în schema bază comună fh21B este cu mult mai mare decât în schema emitor
comun:
fh21B= fh21E(1 h21E)(1 m) (5)
unde: m 0,2 0,6;
Frecvenţa cea mai înaltă la care tranzistorul mai poate să genereze oscilaţii în
circuitul autogeneratorului, se numeşte „frecvenţa maximă de generare” –fmax.
Frecvenţa maximă de generare este legată cu frecvenţa de tăiere cu relaţia :

fT
f max  (6)
 8 π r B C Cbar 
În concluzie, h21E are o variaţie monoton descrescătoare la frecvenţe înalte, ceea
ce limitează considerabil capacitatea tranzistorului de a amplifica în acest domeniu.
Mai mult decât atât, de la frecvenţa de tăiere în sus, el nu mai este capabil nici măcar
să repete semnalul de la intrare, ci îl atenuează.
7. Funcţionarea tranzistorului bipolar în regim de
comutatie.
Funcţionarea în regim de comutator a unui dispozitiv electronic, presupune trecerea
bruscă din starea de blocare în starea de conducţie (comutaţia directă) şi din starea de
conducţie în starea de blocare (comutaţia inversă).

7.1.Condiţiile care asigură comutaţia.

Tranzistorul bipolar, în conexiunea EC, constituie un dispozitiv electronic
excelent pentru regimul de comutator (figura 15).
Tranzistorul este blocat cînd ambele joncţiuni sînt blocat, cînd ambele joncţiuni
sînt polarizate invers, curentul de colector avînd în acest caz o valoare foarte mică
(ICB0). În conexiunea EC, tranzistoarele cu germaniu nu pot fi blocate prin anularea
curentului de bază, deoarece ICE0 = (β0 + 1) ICB0 este mare(punctul A ' din fig. 15, b).
Din această cauză în stare blocată la tranzistoarele cu germaniu se aplică o tensiune de
polarizare inversă pe joncţiunea emitorului, punctul reprezentativ al stării blocate fiind
punctul A din fig. 17, b. La tranzistoarele cu siliciu, punctele A şi A ' coincid şi se
situează practic pe axa UCE, încît blocarea tranzistorului se poate face numai prin
întreruperea curentului de bază.
Starea de conducţie a tranzistorului se alege, de regulă, în regiunea de saturaţie
sau la limita dintre regiunea activă şi regiunea de saturaţie (punctul B din fig. 15, b).

Fig.15 Comutatorul cu tranzistor bipolar în conexiunea EC;

a-schema comutatorului;
b- ilustrarea funcţonăii în planul caracteristicilor de ieşire.
La intrarea în saturaţie, tensiunea UCE are valori cuprinse în intervalul 0 – 0.5V,
care pot fi considerate neglijabile în raport cu tensiunea de alimentare E C. În

E C  U CEsat E C
consecinţă, valoarea curentului de colector, la saturaţie este: I CS  RC

RC
. La

limita dintre regiunea activă normală şi regiunea de saturaţie (cînd U CB = 0), acestui

CS CI E
curent de colector îi corespunde curentul de bază de saturaţie: I BS     R . Oricît
0 0 C

de mult se măreşte în continuare curentul de bază peste valoarea I BS, curentul de

colector rămîne la valoarea ICS. Din această cauză, în regiunea de saturaţie este
valabilă inegalitatea: IC  0  I B .

7.2.Definirea timpilor de comutaţie.

Vom urmări calitativ procesele fizice din tranzistorul p-n-p la comutaţia din
stare blocată în starea de conducţie şi invers (fig. 16).
 Fig.16. Formele de undă ale
tensiunii şi curenţilor la intrarea în
timpul comutaţiei
 Pînă în momentul t0 presupunem că tranzistorul era blocat ( I B  0 şi I C  0 ). În
acest moment, tensiunea la intrare îşi schimbă prin salt valoarea, de la E 2 > 0 la E1 < 0.
Curentul prin bază variază şi el aproape în salt, de la zero la I B1 = E1/RB. Curentul de
colector, însă, nu începe să crească imediat. Este necesar un anumit timp pentru ca
purtătorii injectaţi din emitor în bază să ajungă la colector. Intervalul de timp scurs de
la aplicarea comenzii de comutaţie, pînă la momentul cînd curentul de colector începe
să crească defineşte timpul de întîrziere t i.
După ce tranzistorul intră în regiunea activă (momentul t 1), curentul
colectorului nu creşte brusc la valoarea I CS. Timpul de creştere sau ridicare se defineşte
ca intervalul de timp în care valoarea curentului de colector creşte de la 0 la 0.9 din
valoarea finală.
Timpul de comutaţie directă (tCD) se defineşte ca intervalul de timp scurs de la
aplicarea comenzii de comutaţie pînă la momentul cînd curentul colectorului ajunge la
0.9 din valoarea finală: tCD = ti + tr.
Mai departe, tranzistorul rămîne în starea de conducţie, cît timp tensiunea la
intrare se menţine constantă. Presupunem acum că la momentul t 3 tensiunea la intrare
variază brusc la valoarea E2, care polarizează invers joncţiunea emitorului. Curentul
bazei îşi schimbă brusc semnul, luînd valoarea I B2 = E2/RB. Curentul colectorului nu
tinde imediat spre zero. Acest fenomen se explică prin aceea că la saturaţie, în
regiunea bazei, se acumulează un surplus de sarcină electrică. La comutaţia inversă,
curentul colectorului rămîne constant pînă cînd se evacuează acest surplus de sarcină
stocată în regiunea bazei. Intervalul de timp t S, scurs de la aplicarea comenzii de
comutaţie inversă, pînă la momentul de timp t4 cînd curentul colectorului începe să
scadă este numit timp de stocare.
După ce tranzistorul iese din saturaţie, punctul reprezentativ se deplasează pe
dreapta de sarcină spre starea de blocare (de la B la A în fig. 16, b). Timpul de cădere
tC se defineşte ca intervalul în care curentul colectorului scade de la I CS la 0.1 ICS.
Timpul de comutaţie inversă tci este intervalul scurs de la aplicarea comenzii de
comutaţie inversă pînă la momentul în care curentul de colector scade la 0.1 din
valoarea sa iniţială: tci = tS + tC. Timpul de comutaţie directă, ca şi timpul de comutaţie
inversă, sînt cu atît mai mici, cu cît frecvenţa limită a tranzistorului este mai mare.
8. Modelul matematic al tranzistorului.
Pentru a obţine modelul matematic al tranzistorului se utilizează schema
prezentată în fig. 1.

αiI2 αiI1
IE IC
E C
I1 I2

Fig.17 Schema echivalenta generala a tranzistorului bipolar dupa modelul Ebers-Moll

Fiecare joncţiune este prezentată în formă de o diodă simplă, iar
interacţiunea dinre ele este reprezentată prin două generatoare de curent. Dacă
joncţiunea emitorului este deschisă atunci în circuitul colectorului va curge un curent,
puţin mai mic ca curentul emitorului (din cauza procesului de recombinare în bază).
Acest curent este obţinut de către generatorul de curent  N I 1   N  1  . Indicele N
reprezintă conectarea normală sau directă. Deoarece în caz general tranzistorul poate
fi conectat şi indirect, la care joncţiunea colectorului este deschisă iar cea a emitorului
este închisă, astfel rezultă că curentului colector I 2 îi corespunde curentul emitorului
 I I 2 , în schema echivalentă este introdus al doilea generator de curent  I I 2 , unde
 I - coeficientul de transfer al curentului emitorului.

În aşa fel curenţii emitor şi colector în caz general conţin două componente: cea
injectată ( I 1 sau I 2 ) şi cea colectată (  I I 2 sau  N I 2 ):
I E  I 1  I I 2 , I C   N I 1  I 2 . (1)
Joncţiunile emitor şi colector sunt analogice joncţiunii p-n a diodei. La
conectarea aparte a joncţiunilor tranzistorului atunci caracteristica Volt-Amper se
determină la fel ca în cazul diodei. Însă dacă la una din joncţiuni se aplică o tensiune,
iar ieşirea cealeilalte joncţiune se scurtcircuiteză, atunci curentul, care trece prin
joncţiunea p-n, la care a fost aplicată tensiunea, se măreşte din cauza schimbării
concentraţiei purtătorilor minoritari de sarcină în bază.

I 1  I ET  e U EB T

 1  ; I 2  I CT
 e
U CT 
T 
1 , (2)
unde I ET - curentul termic al joncţiunii emitorului măsurat la scurtcircuitarea
 - curentul termic al joncţiunii colectorului
electrozilor bazei şi colectorului; I CT
măsurat la scurtcircuitarea electrozilor bazei şi emitorului.
Legătura dintre curenţii termici a joncţiunilor I CT , I ET , conectaţi aparte, şi
 , I ET o primim din relaţiile (1) şi (2). Să
curenţii termici a joncţiunilor I CT
 . Substituim
presupunem că I E  0 , atunci I 1   I I 2 . Cînd U CB  T I 2   I CT
aceste relaţii în (1) şi obţinem pentru curentul colectorului următoarea ecuaţie
  I CT
I CT  1 N  I  .
Respectiv pentru I ET avem I ET  I ET  1 N  I 
Luînd în consideraţie relaţia (2) vom avea următoarele relaţii pentru curenţii
colector şi emitor:
I E  I ET  e U EB T

 1   I I CT
 e U CT T
1 ;  (3)

I C   N I ET  e U EB T
 1   I CT 
 e U CT T

1 ;
Pe baza legii lui Kirghoff curentul bazei este:
 
I B  I E  I C   1   N  I ET e U EB T  1   1   I  I CT
 e UCB T  1   (4)
La utilizarea relaţiilor (1)-(4) trebuie de reţinut că în tranzistoare la general este
valabilă relaţia:
 N I ET   I I CT . (5)
Rezolvînd ecuaţia (3) în raport cu I C , vom boţine:

I C  N I E  I СЕ e U CB T  1 .  (6)
Această ecuaţie descrie caracteristicile de ieşire ale tranzistoarelor.
Dacă ecuaţia (3) se rezolvă în raport cu U EB atunci se obţine relaţia care
reprezintă caracteristicile idealizate de ieşire ale tranzistorului:


U EB  T I E I E I ET  1   N e UCT T  .   (7)

În tranzistorul real în afară de curenţii termici ale joncţiunilor mai sunt şi

curenţii de generare-recombinare, curenţi de canal şi de scurgere. Deaceea
 , I ET , I ET de regulă sunt necunoscute.
I CT , I CT

Dacă joncţiunea p-n este polarizată indirect atunci curentul termic poate fi
înlocuit cu curentul de scurgere, adică putem considera că I CT  I CB 0 şi I ET  I EB 0 .
Prima aproximare poate fi utilizată şi la polarizarea directă. Cu toate acestea la
tranzistorii de siliciu  T trebuie substituit prin m T , unde coeficientul
m reprezintă influienţa curenţilor asupra unei joncţiuni reale ( m  2  4 ). Utilizînd
aceasta, relaţiile (3) şi (5) adesea se scriu în altă forma care este mai comodă la
calcularea parametrilor circuitelor cu tranzistori reali:

IC 
1
A
 
 N I EB 0 e U EB m T
 
 1  I CB 0 e U EB m T

1 ; (8)

IE 
1
A
 
I EB 0 e U EB m T
 
 1   I I CB 0 e UCB m T

1 ; (9)

 N I EB 0   I I CB 0 (10)
unde A  1   N  I .
Se deosebesc trei regime de bază de funcţionare a tranzistorilor bipolari: activ,
de blocare şi de saturaţie.
În regimul activ una din joncţiunile tranzistorului este polarizată direct datorită
tensiunii aplicate din exterior, iar cealaltă este polarizată indirect. Astfel în regim de
polarizare normală activă emitorulu este polarizat direct iar tensiunea U EB din
relaţiile (3) şi (8) are semnul „+”. Joncţiunea colectorului este polarizată indirect
respectiv tensiunea U CB în relaţia (3) are semnul „-”. La conecatrea inversoare a
tranzistorului în ecuaţiile (3) şi (8) tensiunea U EB şi U CB trebuie să aibă polaritate
opusă. Deosebirea dintre regimul inversor şi cel activ are numai caracter cantitativ.
Pentru regimul activ, cînd  U CB   T şi I CT  I CB 0 relaţia (6) o vom scrie în
forma următoare I C   N I E  I KB 0 , care corespunde absolut cu relaţia (1) din punctul
anterior.
Luînd în consideraţie că deobicei  N  0 ,9  0 ,995 şi  1   N   0 ecuaţia (7)
poate fi simplificată:
U EB   T ln I E I ET   T ln I E  1   N  I   I EB 0 (11)
În acest mod, într-un tranzistor ideal curentul colector şi tensiunea emitor-bază
la o anumită valoare a curentului I E nu depind de tensiunea alpicată la joncţiunea
colector. În realitate la modificarea tensiunii U CB se modifică lărgimea bazei, din
cauza schimbării dimensiunilor joncţiunii colector şi respectiv se modifică gradientul
concentraţiei purtătorilor minoritari de sarcină. Astfel la mărirea U CB are loc
micşorarea bazei, gradientul concentraţiei golurilor în bază şi curentul I E se măresc.
În afară de aceasta, se reduce probabilitatea de recombinare a golurilor şi se măreşte
coeficientul  . Pentru menţionarea acestui efect, care apare mai pronunţat în regimul
activ, în relaţia (11) se adaugă încă un termen:
I C   N I E  I CB 0  U CB rC dif (12)
U CB
unde rC dif  - rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului blocată.
I C I E  const

Acţiunea tensiunii U CB asupra curentului I E se observă cu ajutorul

coeficientului de reacţie negativă în tensiune:
dU EB
 CE   , (13)
dU CB I E  const

care arată de cîte ori trebuie schimbată tensiunea U CB pentru primirea aceleiaşi
schimbări a curentului I E . Semnul minus arată că pentru menţinerea curentului
I E  const creşterea tensiunii trebuie să aibă polaritate opusă. Coeficientul  CE este

destul de mic ( CE  10 4  10 5 ), deaceea la calcule practice deobicei se exclude

influienţa tensiunii colectorului asupra cea a emitorului.
În regim de blocare ambele joncţiuni sunt polarizate indirect de către tensiunile
aplicate din exterior. Modulul tensiunilor trebuie să întreacă valoarea  3  5  m  T . Dacă
aceste tensiuni vor fi mai mici atunci tranzistorul va rămîne în regim de blocare. Însă
curenţii electrozilor vor fi mai mari, ca în regim de blocare puternică.
Ţinînd cont, că tensiunea U CB şi U EB au semn negativ, şi avînd în vedere că
U EB  3 m  T şi U CB  3 m  T , relaţia (8) devine:
I C   1 A    N I EB 0  I CB 0  (14)
I E   1 A   I EB 0   I I CB 0  .

Substituind în (14) valoarea I EB 0 , găsită din (9), şi înlocuind A prin valoarea

sa, obţinem:
1  I
I C  I CB 0 ,
1   N I
(15)
I 1  N 
I E   I CB 0 .
 N  1   N I 

Dacă ţinem cont de faptul că  N  1 iar  I   N atunci expresia (15) se va

simplifica esenţial şi va avea forma:
 I C  I CB 0 ,
1 (16)
IE   I
 N CB 0

 
unde  N  1   ;  1  1   .
N 1

N 1

Din (16) se vede că în regimul de blocare curentul colector are valoarea minimă
care este egală cu curentul unei monojoncţiuni polarizate indirect. Curentul emitorului
are semn opus şi esenţial mai mic ca curentul colector, aşa cum  I   N . Deaceea în
multe cazuri el se consideră egal cu zero.
Curentul bazei în regim de blocare aproximativ este egal cu curentul colector:
I B  I E  I C   I CB 0 . (17)
Acest regim caractreizează starea de blocare a tranzistorului, în care rezistenţa
sa este maximă, iar curenţii electrozilor sunt minimi. Regimul este utilizat în
dispozitivele de impulsuri, unde tranzistorii funcţionează în regim de cheie
electronică.
În regim de saturaţie ambele joncţiuni ale tranzistorului sunt polarizate direct
datorită tensiunii aplicate din exterior. Astfel căderea de tensiune pe tranzistor ( U CE )
este minimă iar valoarea lui este de zeci de milivolţi. Regimul de saturaţie apare
atunci cînd curentul colector al tranzistorului este limitat de către parametrii sursei de
alimentare şi de schema în care este amplasat, unde el nu întrece o valoare maximă
I C max . În acelaşi timp parametrii semnalului de intrare luat astfel încît curentul

emitorului este esenţial mai mare ca valoarea curentului din reţeaua colectorului:
I C max   N I E .

Atunci joncţiunea colectorului este deschis, căderea de tensiune pe tranzistor

este minimală şi nu depinde de curentul emitorului. Mărimea ei la conectare normală
pentru un curent mic I C  I C  I CB 0  este egală cu:
1  I
U CE sat   T . (18)
I

Pentru conectarea inversoare:

1  N
U CE sat   T (19)
N
 În regim de saturaţie ecuaţia (12) devine falsă. Deoarece pentru trecerea
tranzistorului din regimul activ în regimul de saturaţie este necesar de mărit curentul
emitorului (la conectare normală) în aşa mod încît să se îndeplinească condiţia
I C max   N I E . Iar valoarea curentului I E , la care se începe acest regim, depinde de

curentul I C max care este determinat de parametrii circuitului în care este amplasat
tranzistorul.

9. Ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar.

Pentru ridicarea parametrilor tranzistorului bipolar se utilizează schema de lucru din
figura 18.
IC=f(UEB) cînd UCE=const.
IC=f(UCB) cînd IB=const.

Fig. 18.

În circuitul BC se ridică caracteristicile:

IE=f(UEB) cînd UCB=const.
IC=f(UCB) cînd IE=const.

În circuitul EC se ridică caracteristicile:

 La ridicarea caracteristicilor se asigură funcţionarea tranzistorului în regim
normal. După ce se trasează crcteristicile de intrare şi ieşire se determină parametrii de
bază a tranzistorului.
Ridicarea parametrilor tranzistorului constă nu numai în ridicarea caracteristicilor de
intrare şi ieşire, dar şi din ridicarea parametrilor h. În figura. 18. a) este reprezentată
schema pentru ridicarea parametrului h11E, care este rezistenţa de intrare al
tranzistorului pentru tensiune alternativă mică. Toţi parametrii tranzistorului depind de
regimul după curent continuu, de aceea, în primul rînd, pentru tranzistor, în schemă se
instalează regimul după curent continuu. De exemplu, parametrii pentru tranzistoarele
de putere mică, sînt des ridicaţi la tensiunea U C = 5V, în curentul IC = 1 mA. Regimul
necesar de curent continuu se poate de instalat în felul următor. Vom lua tensiunea
sursei de alimentare US = 10V şi vom cupla rezistorul RC = 5 kΩ şi atunci la curentul
colectorului IC = 1 mA, tensiunea continuă UC relativ de pămînt va fi egală cu 5V.
Aceasta se poate de făcut prin alegerea rezistorului R b, rezistenţa căruia depinde de
h21E. Cînd h21E = 100, Rb = 1 MΩ. De aceea el trebuie de ales, astfel încît rezistenţa R b
să fie de sute de kΩ. Instalînd regimul în curent continuu, se mai cuplează un
generator cu sunete şi se dă de la ieşirea lui tensiunea U 1, ce nu întrece 20 mV.
Frecvenţa de măsurare se ia de obicei egală cu 1kHz. Rezistenţa R bg se poate de luat
de 1-2 kΩ, dar trebuie să fie cunoscută valoarea exactă a ei, de ex. cu o precizie de ± 5
%.

Fig. 19.
Măsurînd U1 şi U2 cu milivoltmetrul electronic de curent alternativ, se determină
curentul prin Rbg, care cu o precizie înaltă este şi curentul alternativ al bazei, deoarece
se poate de neglijat cu divizarea curentului în rezistenţa R b. Este clar că h11E = Rint/Ib.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data - 9 -1/23/20191/23/2019

 Pentru măsurarea parametrului h21E se foloseşte aceeaşi schemă, însă între punctele
A şi B se mai cuplează o rezistenţă nu prea mare, de exemplu R = 100 Ω. Cu
milivoltmetrul pentru curent alternativ se măsoară tensiunea în punctul B relativ de
pămînt şi se convinge în faptul, că tensiunea în punctul A relativ de pămînt este egală
cu zero. Ştiind căderea de tensiune pe rezistenţă se determină componenta alternativă
a curentului colectorului şi se află h21E = IC/IB.
Pentru măsurarea parametrului h22E şi h12E se monteză schema, care este arătată în
fig. 19 b). Instalînd regimul în curent continuu, se cuplează şi generatorul. Se dă o
tensiune alternativă U2 = 1-2 V. Măsurînd tensiunile alternative U1 şi U2 şi ştiind Rcg,
se poate de găsit componenta alternativă a curentului colectorului. Împărţind
componenta alternativă a curentului colectorului la tensiunea alternativă U 2, se obţine
parametrul h22E = IC/U2. Măsurînd cu milivoltmetrul tensiunea UB, se poate de găsit
parametrul h12E = UB/U2.
10. Parametrii de bază ai tranzistorului K907.
Tranzistor bipolar, epitaxial-planar de tip n-p-n, de putere mică frecvenţă înaltă. Se
foloseşte în circuite de generare şi amplificare din aparatajul radioelectronic.
1.Coeficientul de transfer după curent în schema emitor comun U CB=60V IE=3mA:
h21E =10
2. Tensiunea colector-bază: UCB=60V
3. Intensitatea curentului colectorului: IE=3 mA
4. Curentul colectorului maxim: ICmax=50 mA
5. Tensiunea de saturare colector-emitor la I C=50 mA, IB=2 mA: UCEsat=0,4 V
6. Tensiunea de saturare bază-emitor la I C=50 mA, IB=2 mA: UBEsat=4 V
7. Capacitatea joncţiunii colectorului la U CB=60V, f=350z: CC=9 pF
8. Capacitatea joncţiunii emitorului la UBE=4 V, f=250 MHz: CE=80 pF
9. Curentul de scurgere a emitorului la UBE=4 V
10. Conductibilitatea de ieşire la UCB=60V, IE=3 A, f=250kHz……3S
11. Puterea maximă: Pmax=13.5W

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data - 10 -1/23/20191/23/2019

 11.Utilizarea tranzistorului bipolar KT907 circuite

electronice.
Tranzistoarele bipolare utilizate pot fi întâlnite în schemele electronice în cele trei
modalităţi de conexiune BC-bază comună, EC-emitor comun şi CC-colector comun.
Însă cele mai utilizate sunt EC şi CC, datorită particularităţilor pe care le posedă. Voi
prezenta mai jos o parte din circuitul în care se utilizează tranzistorul bipolar KT361Б:
1) Utilizarea tranzistorului cu structrura structura p-n-p, care va imita cintecul
ciocirliei (Figura 20).

Simulator este un generator elaborat in schema ce in tehnica se numeste

multivibrator. Caracteristica sa distinctivă este că cascadele pe tranzistori sunt
conectate simetric (figura 20.) -colector fiecarui tranzistor este conectat printr-un
condensator la baza de altul. Cu toate acestea, capacitatea condensatoarelor nu este
aceeasi ( 50 uF si 5100 pF), deaceea ultivibratorul e numit asimetric. În plus, intre
bazele tranzistoarelor e instalat gamă de comunicare din condensatorul C1 şi
rezistorul R2. Elemente multivibratorului sunt alese astfel încât el să genereaza
semnale care fac difuzorul SPK1, sa le transforme în undele de sunet, similar cu
ciripitor ciocirlii.

Coala

Mod Coală N Document Semn. Data - 11 -1/23/20191/23/2019

 Coala

Mod Coală N Document Semn. Data - 12 -1/23/20191/23/2019