0122 Programacion Java y Netbeans

UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA
FACULTAD DE INGENIERÍA
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ASIGNATURA: FISICA DEL ESTADO SOLIDO

PROFESOR: José Sierra Ortega Ph.D.
CAPITULO 1
NOCIONES CLASICAS DE MATERIA CONDENSADA
INTRODUCCIÓN
La Física del estado sólido es una de las partes más importantes de la ciencia moderna. Gracias a los
éxitos alcanzados por la física del solido han sido posibles los grandes adelantos en la electrónica
cuántica, en la física de los semiconductores, en la física de las nanoestructuras, y en general en la
física de la creación de materiales con propiedades únicas, los cuales han sido determinantes en el
progreso de la nanotecnología.
La física del estado sólido es la ciencia de la estructura y propiedades de los sólidos así como también
de los fenómenos que en ellos ocurren. Las presentes notas introductorias tiene como objeto servir de
apoyo o de guía para que los estudiantes de Ingeniería Electrónica de la Universidad del Magdalena,
tengan una noción de las ideas generales sobre la estructura de los cristales y de las sustancias amorfas,
los métodos de investigación de la estructura de los sólidos y sus diversas propiedades: mecánicas,
térmicas, magnéticas, ópticas, etc.
Este documento ha sido elaborado tratando de que contenga los tópicos básicos que se pueden
encontrar en cualquier texto sobre nociones clásica de la materia condensada, dándole una orientación
acorde en primer lugar, con la naturaleza del estudiante, que es un estudiante de ingeniería y no de
Ciencias puras, y en segundo lugar teniendo presente las necesidades actuales, para un ingeniero
electrónico, de manejar con rigor científico conocimientos y experiencias derivadas de la física del
estado sólido, los cuales son indispensables en la investigación y la innovación tecnológica.
CONTENIDO
1.1 Red cristalina.
1.1.1 Clasificación de los cristales.
1.1.2 Tipos de enlaces: iónica, metálica, covalente y molecular.
1.1.3 Defectos en los cristales
1.1.4 Índices de dirección e índices de Miller
1.1.5 Ejercicios resueltos y propuestos
1.2 Modelo clásico del gas de electrones de conducción
2.1.1 Modelo clásicos de gases ideales
2.1.2 Distribución de Boltzmann
Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

JOSÉ SIERRA ORTEGA Ph.D. Bloque 8 Segundo Piso
Grupo de investigación en Teoría de la Materia
FECHA
08 – 03 --- 2018 Condensada PAGINA 1 DE 44
2.1.3 Densidad de estados. Distribución de Maxwell
2.1.4 Capacidad calorífica de los cristales. Ley de Dulong-Petit
2.1.5 Tratamiento clásico del gas de electrones de conducción
1.3 Modelo clásico de la conductividad
1.3.1. Fenómenos de transporte de masa, calor y carga
1.3.2. Conducción eléctrica en metales. Leyes de Ohm y de Joule
1.3.3. Coeficiente de termo conductividad. Ley de Wiedemann-Franz
1.3.4. Resistividad de materiales en función de la temperatura
1.3.5. Conducción térmica, efectos de Peltier y de Seebeck y sus aplicaciones
1.3.6. Efecto de Hall y magnetorresistencia
1.1.1 Clasificación de los cristales

La mayoría de los cuerpos sólidos en la naturaleza, tienen estructura cristalina. Por ejemplo, casi todos
los minerales y todos los metales en estado sólido son cristales. El rasgo característico del estado
cristalino, que lo distingue de los estados líquido y gaseoso, es la anisotropía, es decir, que una serie
de propiedades físicas (mecánicas, térmicas, eléctricas, ópticas) dependen de la dirección.
Se llaman isótropos aquellos materiales cuyas propiedades son iguales en todas las direcciones.
Además de los gases, son isótropos todos los líquidos. La causa de la anisotropía de los cristales es la
disposición regular de las partículas (átomos y moléculas) de las que está formado el cuerpo. La
disposición regular de las partículas se manifiesta en el tallado exterior regular de los cristales. Los
cristales están limitados por caras planas que se cruzan bajo ciertos ángulos, determinados por la
especie dada de cristales. La fragmentación de los cristales ocurre con mayor facilidad por
determinados planos que reciben el nombre de planos crucero.
La regularidad de la forma geométrica y la anisotropía de los cristales no se manifiestan a causa de
que los cuerpos cristalinos son, como regla, policristales, es decir, en forma de conglomerados de
pequeños cristales, orientados de modo irregular, que entre sí se han adherido. En los policristales la
anisotropía sólo se observa en los límites de un cristal aislado, mientras que en el cuerpo en su total
no se observa la anisotropía a consecuencia de la orientación irregular de los cristales. Creando
condiciones especiales de cristalización de un fundido o solución pueden ser creados grandes cristales,
llamados monocristales de toda sustancia. Los monocristales de ciertos minerales se encuentran en la
naturaleza en estado natural. La regularidad de disposición de los átomos del cristal consiste en que
éstos (o las moléculas) se sitúan en los nudos de una red espacial geométricamente regular.
Todo el cristal puede ser obtenido
mediante la múltiple repetición en tres
diferentes direcciones de un mismo
elemento estructural que recibe el nombre
de celda cristalina elemental (Fig.
1.1(a)). Las longitudes de las aristas a, b y
c de la red cristalina se denominan
períodos de identidad del cristal o
constantes de red. La celda cristalina es un
paralelepípedo construido sobre tres Fig.1.1 (a) Representación esquemática de la red
cristalina y (b) una celda cristalina elemental

FECHA
vectores 𝑎⃗, 𝑏⃗⃗ , 𝑐⃗, cuyos módulos son iguales a los períodos de identidad. Además de las aristas a, b, c,
el paralelepípedo se caracteriza también por los ángulos 𝛼, 𝛽 𝑦 𝛾, entre las aristas (Fig. 1.1 (b)). Las
magnitudes a, b, c y 𝛼, 𝛽 𝑦 𝛾 determinan unívocamente la celda elemental y se llaman parámetros
de la red.
La celda elemental puedo ser escogida de diferentes maneras. Esto se muestra en la Fig. 1.2, para un
ejemplo de una estructura plana. El cubrimiento de una pared mediante baldosas triangulares oscuras
y claras, puede ser realizado por la múltiple repetición en
dos direcciones de diversos tipos de celdas
(Véanse, por ejemplo, las células 1, 2 y 3; con flechas se
indican las direcciones por las que las células se repiten).
Las celdas 3 y 2 se distinguen por contener la cantidad
mínima de elementos estructurales (un baldosín claro y uno
oscuro). La celda cristalina que contiene la menor cantidad
de átomos, que caracterizan la composición química de una
sustancia cristalina (por ejemplo, un átomo de oxígeno y
dos de hidrógeno para el cristal de hielo), recibo el nombre
de celda primitiva. No obstante, en lugar de la primitiva se
elige la celda elemental con mayor número de átomos pero que posee la misma simetría que el cristal
entero. Así, la estructura plana mostrada en la figura 1.2, Fig.1.2 Ilustración de varias posibilidades
al girar 120° alrededor de cualquier eje perpendicular a para escoger la celda elemental
ella y que pasa por los vértices de las baldosas, coincide
consigo misma. Esta misma propiedad la tiene también la célula 3. Las células 1 y 2 tienen menor
grado de simetría: coinciden consigo mismas sólo al girar a 360°.
Una red cristalina puede tener diversos tipos de simetría. Entendemos por simetría de una red
cristalina, la propiedad de ésta, de coincidir consigo misma después de ciertos desplazamientos
espaciales. Ante todo, toda red tiene simetría de traslación, es decir, coincide consigo misma después
de desplazamientos (traslaciones). Entre otros tipos de simetría señalemos la simetría con respecto a
rotaciones, es decir de giros alrededor de ciertos ejes, así como la simetría con respecto a la reflexión
especular con relación a ciertos planos. Si la red coincide consigo misma al girar un ángulo 𝟐𝝅⁄𝒏
alrededor de cierto eje (por consiguiente, al dar una vuelta completa alrededor del eje, la red coincide
consigo misma), este eje se denomina
como eje de simetría de n-ésimo orden. Es
posible mostrar que, además del eje trivial
de primer orden, solo son posibles ejes de
simetría de orden 2, 3, 4 y 6. En la figura
1.3 se muestra esquemáticamente ejemplos
de estructuras que poseen diferentes ejes
de simetría (con círculos blancos, negros y
con crucecitas se designan los átomos de Fig.1.3 Ejemplos de las redes con las simetrías de
diferentes ordenes
diversas especies).
Reciben el nombre de planos de simetría aquellos, en los que mediante una reflexión especular la red
coincide consigo misma. Los diversos tipos de simetría se denominan elementos de simetría de una
red cristalina. Comúnmente, la red cristalina posee simultáneamente varios tipos de simetría. Sin

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embargo, no todas combinaciones de los elementos de simetría pueden ser posible, solo existen 230
combinaciones de los elementos de simetría, llamados grupos espaciales. Los grupos se dividen en 32
clases. Por último, según la forma de la celda elemental todos los cristales se dividen en sistemas
cristalográficos, cada uno de los cuales contiene varias clases de simetría y se llaman redes de Bravais.
Las redes de Bravais son una disposición infinita de puntos discretos cuya estructura es invariante bajo
cierto grupo de traslaciones (simetría trasnacional) y rotaciones (simetría rotacional). Estas
propiedades hacen que desde todos los nodos de una red de Bravais se tenga la misma perspectiva de
la red. Se dice entonces que los puntos de una red de Bravais son equivalentes.
Mediante la teoría de grupos se ha demostrado que sólo existe una única red de Bravais
unidimensional, 5 redes bidimensionales y 14 modelos distintos de redes tridimensionales.
La red unidimensional es elemental, siendo ésta una simple secuencia de nodos equidistantes entre sí.
En dos o tres dimensiones las cosas se complican más y la variabilidad de formas obliga a definir
ciertas estructuras patrones para trabajar cómodamente con las redes. Para generar éstas normalmente
se usa el concepto de celda primitiva. Las celdas primitivas pueden contener uno o más átomos, pero
la celda primitiva con menor multiplicidad se denomina celda unitarias, las cuales son paralelogramos
(2D) o paralelepípedos (3D) que constituyen la menor subdivisión de una red cristalina que conserva
las características generales de toda la red, de modo que por simple traslación de la misma, puede
reconstruirse la red por completo en cualquier punto. Una red típica 𝑅 en un espacio de n dimensiones
ℝ𝑛 tiene la forma:𝑅 = {∑𝑛𝑖=1 𝑣𝑖 𝑎⃗𝑖 |𝑣𝑖 ∈ ℤ} donde {𝑎⃗1 , … 𝑎⃗𝑛 } es una base de ℝ𝑛 . Puede haber diferentes
bases que generen la misma red pero el valor absoluto del determinante de los vectores 𝑎⃗𝑖 (cuyo valor
absoluto define el volumen de la celda primitiva) vendrá siempre determinado por la red, por lo que
se le puede representar como d(R).
Las celdas unitarias se pueden definir de forma muy simple a partir de dos (2D) o tres vectores (3D).
La construcción de la celda se realiza trazando las paralelas de estos vectores desde sus extremos hasta
el punto en el que se cruzan. Existe un tipo de celda unitaria que se construye de un modo distinto y
que presenta ciertas ventajas en la visualización de la red, ya que posee la misma simetría que la red,
es la celda de Wigner-Seitz. Una celda unitaria se caracteriza principalmente por contener un único
nodo de la red de ahí el adjetivo de "unitaria". Si bien en muchos casos existen distintas formas para
las celdas unitarias de una determinada red el volumen de toda celda unitaria es siempre el mismo.
En ocasiones resulta más sencillo construir otro tipo de celdas que sin ser unitarias describen mejor la
estructura de la red que tratamos. Este tipo de celdas se denominan celdas convencionales. Éstas
tienen, a su vez, sus propios parámetros de red y un volumen determinado. Todas estas celdas se
consideran celdas primitivas ya que son capaces de cubrir todo el espacio mediante traslaciones sin
que queden huecos ni solapamientos. Sus diferencias o características son las siguientes:
Empaquetamiento compacto: Esto es cuando los átomos de la celda están en contacto unos con
otros. No siempre será así y en muchos casos mediará una distancia mínima entre las nubes
electrónicas de los diferentes átomos.
Parámetro de red: Es la longitud de los lados de la celda unitaria. Puede haber uno, dos o hasta tres
parámetros de red distintos dependiendo del tipo de red de Bravais que tratemos. En las estructuras
más comunes se representa con la letra a, b y c.

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Nodos o átomos por celda: Tal y como dice el nombre es el número de nodos o átomos que posee
cada celda. Una celda cuadrada, por ejemplo, poseerá un nodo por celda ya que cada esquina la
comparte con cuatro celdas más. De hecho si una celda posee más de un nodo de red es que no es
unitaria, en cambio si posee más de un átomo por celda pudiera ser que estuviésemos en una celda
unitaria pero con una base atómica de más de un átomo.
Número de coordinación: Es el número de puntos de la red más cercanos, los primeros vecinos, de
un nodo de la red. Si se trata de una estructura con empaquetamiento compacto el número de
coordinación será el número de átomos en contacto con otro. El máximo es 12.
Factor de empaquetamiento: Fracción del espacio de la celda unitaria ocupada por los átomos,
suponiendo que éstos son esferas sólidas. 𝑓 = 𝑛𝑉𝑎 ⁄𝑉𝑐 , donde f es el factor de empaquetamiento o
fracción de volumen ocupado, n el número de átomos por celda, 𝑉𝑎 el volumen del átomo y 𝑉𝑐 el
volumen de la celda. Normalmente se suele dar el factor de empaquetamiento compacto para las
diferentes celdas como indicador de la densidad de átomos que posee cada estructura cristalina. En
este caso los átomos se tratan como esferas rígidas en contacto con sus vecinos más cercanos.
Densidad: A partir de las características de la red, puede obtenerse la densidad teórica del material
𝑛∙𝑚
que conforma la red mediante la siguiente expresión 𝜌 = 𝑁 ∙𝑉 donde 𝜌 es la densidad, 𝑁𝐴 el número
𝐴 𝑐
de Avogadro y m la masa atómica.
Volumen de la celda unitaria primitiva: Toda celda unitaria tiene el mismo volumen representado
por la siguiente fórmula 𝑉𝑐 = 𝑎⃗1 ∙ (𝑎⃗2 × 𝑎⃗3 ), donde los 𝑎⃗𝑖 son los vectores base de la red.
Redes bidimensionales
Según la simetría, los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen 5 tipos de las redes cristalinas
bidimensionales presentadas esquemáticamente en la Fig. 1.4
Fig.1.4 Posibles sistemas cristalográficas bidimensionales

Redes tridimensionales
En función de los parámetros de la celda unitaria, longitudes de sus lados y ángulos que forman una
red cristalina tridimensional, se distinguen 7 sistemas cristalinos. Para determinar completamente la
estructura cristalina elemental de un sólido, además de definir la forma geométrica de la red, es
necesario establecer las posiciones en la celda de los átomos o moléculas que forman el sólido
cristalino; que se denominan puntos reticulares. Las alternativas son las siguientes:
· P: Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son sólo los vértices del paralelepípedo.

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· F: Celda centrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, además de en los vértices.
Si sólo tienen puntos reticulares en las bases, se designan con las letras A, B o C según sean las
caras que tienen los dos puntos reticulares.
· I: Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda, además de los
vértices.
· C: Primitiva con ejes iguales y ángulos iguales ó hexagonal doblemente centrada en el cuerpo,
además de los vértices.
En realidad, como puede demostrarse, sólo existen 14 configuraciones básicas, pudiéndose obtener el
resto obtener a partir de ellas. Estas estructuras se denominan redes de Bravais.
En orden de simetría creciente, los sistemas cristalográficos se disponen del modo siguiente.
1. Sistema triclínico). Para él es característico que 𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 ≠ 𝛽 ≠ 𝛾. La celda elemental es un

paralelepípedo oblicuángulo.
2. Sistema monoclínico. Dos ángulos son rectos, el tercero (que, por regla, es el ángulo 𝛽 se distingue
del recto. Por lo tanto. 𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 = 𝛾 = 900 ; 𝛽 ≠ 900 . La celda elemental tiene la forma de un
prisma recto, cuya base es un paralelogramo (es decir, la forma de un paralelepípedo recto).
3. Sistema rómbico. Todos los ángulos son rectos, todas las aristas, diferentes: 𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 = 𝛽 =
𝛾 = 900 la célula elemental tiene la forma de un paralelepípedo rectangular.
4. Sistema tetragonal. Todos los ángulos son rectos, dos aristas, iguales: 𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 =
900 : La celda elemental tiene la forma de un prisma recto de base cuadrada.
5. Sistema romboédrico (o trigonal). Todas las aristas son iguales, los ángulos también son iguales y
distintos del ángulo recto: 𝑎 = 𝑏 = 𝑐; 𝛼 = 𝛽 = 𝛾 ≠ 900 . La célula elemental tiene la forma de un
cubo, deformado por su diagonal por la compresión o la tracción.
6. Sistema hexagonal. Las aristas y los ángulos entre ellas satisfacen las condiciones: 𝑎 = 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 =
𝛽 = 900 ; 𝛾 = 1200 . Si las ponemos juntas las celdas eleméntales son de la forma de un prisma
hexagonal regular.
7. Sistema cúbico. Todas las aristas son iguales, todos los ángulos son rectos: 𝑎 = 𝑏 = 𝑐; 𝛼 = 𝛽 =
𝛾 = 900 . La célula elemental tiene la forma de un cubo.
Los correspondientes sistemas cristalinos se presentan en las Tabla 1.1 y 1.2 a continuación
Tabla 1.1: Los siete sistemas cristalinos

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Tabla 1.2: Sistemas cristalinos y Redes de Bravais

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En el caso más sencillo, a cada punto de red le corresponderá un átomo, pero en estructuras más
complicadas, como materiales cerámicos y compuestos, cientos de átomos pueden estar asociados a
cada punto de red formando celdas unitarias extremadamente complejas. La distribución de estos
átomos o moléculas adicionales se denomina base atómica y esta nos da su distribución dentro de la
celda unitaria. Existen dos casos típicos de bases atómicas. La estructura del diamante y la
hexagonal compacta. Para redes bidimensionales un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura
sigue un patrón de red en panal.
1.1.2 Tipos de enlaces: Iónico, Metálico, Covalente y Molecular

Dependiendo de la naturaleza de las partículas situadas en los nudos de la red cristalina y del carácter
de las fuerzas de interacción entre las partículas, se distinguen cuatro tipos de redes cristalinas y,
correspondientemente, cuatro tipos de cristales: iónicos, covalentes u homopolares, metálicos y
moleculares
1. Cristales Iónicos. En los nudos de la red cristalina se disponen iones de diferentes signos. Las
fuerzas de interacción entre ellos son, fundamentalmente, electrostáticas (Coulombianas). El enlace
condicionado por las fuerzas electrostáticas de atracción entre los iones cargados de diferente signo,
recibe el nombre do heteropolar (o bien iónico). El ejemplo típico de una red iónica es el Cloruro de
Sodio (NaCl), popularmente denominado sal común, sal de mesa,
representada en la Fig. 1.5. Dicha red pertenece al sistema cúbico. Con
esferitas de color naranja se representan los iones de sodio de carga
positiva, con las verdes, los iones negativos de cloro. Como vemos en la
figura, los vecinos más próximos del ión del signo dado serán los iones de
signo opuesto. En estado gaseoso, el NaCl consta de moléculas en las que
se unen a pares los iones de sodio y cloro. La agrupación del ión de Na y
el de Cl, que forma lo molécula, pierde en el cristal su existencia por
separado. El cristal iónico no consta de moléculas, sino que de iones. En
su totalidad, el cristal puede ser considerado como una gigantesca Fig.1.5 Estructura
molécula. cristalina del NaCl
2. Cristales covalentes. En los nudos de la red cristalina están situados átomos neutros. El enlace que
reúne los átomos neutros en el cristal (así como en la molécula recibe el nombre de homopolar (o
covalente). Con el enlace homopolar las fuerzas de interacción también tienen carácter eléctrico (pero
no Coulombiano). La naturaleza de estas fuerzas sólo puede ser explicada basándose en la mecánica
cuántica. El enlace covalente se efectúa por pares electrónicos. Esto quiere decir que en el
aseguramiento del enlace entre dos átomos toma parte un electrón de cada átomo. Por esta causa, el
enlace homopolar tiene carácter dirigido. Durante este enlace, cada ión actúa sobre todos los iones que
están suficientemente cerca de él. El enlace homopolar sólo puede ser realizado con los electrones de
valencia, es decir, con aquellos que están ligados con el átomo en menor grado. Como cada electrón
sólo puede asegurar el enlace con un átomo, el número de enlaces, en los que es posible que tome
parte el átomo dado (número de vecinos con los que él puede tener enlace), es igual a su valencia.

FECHA
El diamante y el grafito son ejemplos típicos de
cristales atómicos. Por su naturaleza química estas dos
sustancias son idénticas (su estructura está formada por
átomos de carbono), pero se diferencian por su
estructura cristalina. En la figura 1.6 se muestran las
estructuras del diamante y del grafito. En este ejemplo
podemos apreciar con claridad la influencia de la
estructura cristalina sobre las propiedades de la Fig.1.6 Estructura cristalina del Diamante
sustancia. y de Grafito
Los típicos semiconductores, es decir, germanio (Ge) y silicio (Si) también tienen una red como la del
diamante (red tipo diamante). Para esta red es característico que cada átomo esté rodeado de cuatro
vecinos equidistantes de él, situados en los vértices de un tetraedro regular. Cada uno de los cuatro
electrones de valencia entra en uno de los pares electrónicos, que liga el átomo dado con uno de sus
vecinos.
3. Cristales metálicos. En todos los nudos de la red cristalina se encuentran los iones positivos del
metal. Como las moléculas de un gas, entre ellos se mueven en desorden los electrones, que se
separaron de los átomos al formarse los iones. Dichos electrones juegan el papel de «pegante o
cemento» que retiene a los iones positivos juntos; en caso contrario la red se destruiría por efecto de
las fuerzas de repulsión entre los iones. Al mismo tiempo, los electrones son rete-nidos por los iones
en los márgenes de la red cristalina y no la pueden abandonar.
La mayoría de los metales tienen redes de uno de los
tres siguientes tipos: cúbica centrada en el cuerpo (Fig.
1.7 a), cúbica centrada en las caras (Fig. 1.7 b) y la
llamada hexagonal compacta (Fig. 1.7 c). Esta última es
una red hexagonal con la razón 𝑐 ⁄𝑎 igual a √8⁄3. Las
redes cúbica centradas en las caras y hexagonal
compacta corresponden al empaquetamiento más
Fig.1.7 Redes cristalinas típicas para
compacto de bolas iguales y tienen el mayor factor de
enlaces metálicos
empaquetamiento como se puede ver en la Tabla 1.3.
Tabla 1.3 Parámetros de redes cristalinas con enlaces metálicos

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4. Cristales moleculares. En los nudos de la red cristalina están situadas las moléculas orientadas en
un modo determinado. En el cristal, las fuerzas de enlace entre las moléculas tienen la misma
naturaleza que las de atracción entre las moléculas que conducen a las divergencias de los gases
ideales. Por esta causa, dichas fuerzas reciben el nombre de fuerzas de Van der Waals. Redes
moleculares forman, por ejemplo, las siguientes sustancias: H2, N2, 02, C02, H20. Es decir, el hielo
corriente, así como el hielo seco (anhídrido carbónico sólido) son cristales moleculares. También son
cristales moleculares los materiales orgánicos sólidos, polímeros y biológicos.
1.1.3 Defectos en los cristales

Las desviaciones locales con respecto a la estructura cristalina regular reciben el nombre de defectos
de los cristales. Semejante desviación puede consistir en la falta de un átomo en el nudo de la red
(hueco o vacancia), en la sustitución de un átomo de la sustancia dada (el propio) por un átomo
diferente (la impureza), en la penetración de un átomo excesivo (suyo o extraño) en el espacio
intersticial. Semejantes defectos se denominan como puntuales y estos provocan la alteración de la
regularidad de la red que se propaga a una distancia de un orden de varios períodos.
Además de los puntuales existen defectos
concentrados cerca de ciertas líneas que se
denominan defectos lineales o dislocaciones. Los
defectos de semejante tipo alteran la secuencia
correcta de los planos cristalinos. Los más
sencillos tipos de dislocaciones son llamados
límite o simple y en hélice. La dislocación límite
está condicionada por un semiplano cristalino
excesivo introducido entro dos capas vecinas de
átomos (Fig. 1.8 a). El extremo de dicho semiplano Fig.1.8 Dislocación (a) lineal y (b) helicoidal
forma la dislocación del tipo dado. La línea de
dislocación es una recta perpendicular al plano de la figura, marcada con el signo . La dislocación
en hélice puede ser representada como el corte del cristal por un semiplano y el posterior
desplazamiento de las partes de la red dispuestas por los dos lados del corte una hacia otra en la
magnitud de un período (Fig. 1.8b). El borde interior del corte forma la dislocación en hélice (véase
la línea de trazos en la figura). El cristal con semejante dislocación, de hecho consta de un plano
cristalino que está curvado por una superficie helicoidal (tal superficie recibe el nombre de helicoide).
La línea de dislocación coincide con el eje de la hélice. Durante cada circulación alrededor de esta
línea el plano cristalino se desplaza a un período. Hemos examinado los dos tipos más sencillos de
dislocaciones. En ambos casos las líneas de dislocación son rectas. En caso general, dichas líneas
pueden ser curvas.
Los defectos influyen en alto grado sobre las propiedades físicas de los cristales, incluida su resistencia
mecánica. En particular, las dislocaciones son la causa de que la deformación plástica de los cristales
reales ocurra al ejercer esfuerzos de varios órdenes menores que los calculados para los cristales
perfectos. En los monocristales de los metales se produce con facilidad el deslizamiento a lo largo de
las capas atómicas. No debemos imaginamos este proceso como si todos los átomos de la capa se
desplazan simultáneamente como un todo. En realidad, los átomos pasan a las nuevas posiciones
sucesivamente por pequeños grupos. Semejante desplazamiento sucesivo de los átomos puede ser
representado como el movimiento de las dislocaciones. Para el desplazamiento de las dislocaciones
FECHA
son suficientes menores esfuerzos que durante el movimiento simultáneo de toda la capa atómica y la
presencia de las dislocaciones explica la existencia de la deformación plástica de los metales.
El desplazamiento de las dislocaciones se ve obstaculizado por la presencia de otros defectos en el
cristal, por ejemplo, al haber átomos de una impureza. También se frenan las dislocaciones al cruzarse
entre sí. Si en el cristal, la cantidad de dislocaciones y otros defectos es pequeña, las primeras,
prácticamente se desplazan libremente. Como resultado, la resistencia a la deformación plástica será
pequeña. El aumento de la densidad de las dislocaciones y el crecimiento de la concentración de
impurezas, conducen a un fuerte frenado de las dislocaciones, al ceso de su movimiento, por lo que la
resistencia del material aumenta. Por ejemplo, la elevación de la resistencia del hierro se logra
diluyendo en él átomos de carbono (semejante solución se denomina Acero).
Defectos puntuales
Vacancias
Constituye el defecto puntual más simple. Es un hueco creado por la
pérdida de un átomo que se encontraba en esa posición. Puede producirse
durante la solidificación por perturbaciones locales durante el crecimiento
de los cristales. También puede producirse por reordenamientos atómicos
en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los átomos.
(Fig. 1.9) Son las imperfecciones más comunes en los cristales. Se dan
hasta una por cada 10000 átomos. Las vacantes de no equilibrio tienen
tendencia a agruparse formando clusters, que forman divacantes o
trivacantes. Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con
sus vecinos. Este proceso es importante en la migración o difusión de los Fig.1.9 Vacancia
átomos en el estado sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la
movilidad de los átomos es mayor.
Defectos intersticiales
Algunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la red
en una posición que normalmente no está ocupada formando un defecto
llamado “Defecto intersticial”. Generalmente este tipo de defecto
introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores puesto que
normalmente el átomo es sustancialmente más grande que la posición
intersticial en la que se sitúa. Consecuentemente la formación de este Fig.1.10 Defecto intersticial
defecto no es muy probable. Se pueden introducir en una
estructura por radiación. (Fig. 1.10)
Impurezas
Este defecto se introduce cuando un átomo es
reemplazado por un átomo diferente. El átomo
sustituyente puede ser más grande que el átomo original
y en ese caso los átomos alrededor están a compresión Fig.1.11 Defecto de sustitución o Impurezas
ó puede ser más pequeño que el átomo original y en este
caso los átomos circundantes estarán a tensión. Este defecto puede presentarse como una impureza o
como una adición deliberada en una aleación. (Fig. 1.11). Dependiendo de la clase de impureza que

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se halle en el cristal, de su concentración y de la temperatura se formará en el cristal una SOLUCIÓN
SÓLIDA. Cuando se habla de una solución sólida hay que hacer claridad sobre algunos términos:
- Soluto: Es el elemento o compuesto dentro de la solución sólida, que se encuentra en menor
concentración
- Solvente: Es el elemento dentro de la solución sólida, que se encuentra en mayor concentración.
Una solución sólida se forma cuando átomos de soluto se adicionan al material y la estructura cristalina
original se mantiene. Se puede asimilar a una solución líquida en la que también los átomos que
constituyen las impurezas (soluto) están distribuidos al azar y uniformemente dispersos dentro del
sólido. Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones sólidas pueden generarse por dos
mecanismos:
- Sustitución: Aquí el soluto o las impurezas reemplazan a átomos
originales. Esto se da cuando los átomos que constituyen el soluto
y el solvente cumplen los siguientes requerimientos (Reglas de
Hume-Rothery):
o Los radios atómicos no difieran más del 15%
o Las estructuras cristalinas deben ser las mismas
o Las electronegatividades deben ser similares ya que de
otra manera reaccionarían y se formarían nuevos
compuestos
o Deben tener la misma valencia
Fig.1.12 Solución sólida por
Un ejemplo de solución sólida en metales lo constituyen el sustitución de Cobre y Níquel
Cobre y el Níquel. Se presenta en la Fig. 1.12
- Intersticial: Aquí los átomos de las impurezas llenan los vacíos o intersticios dentro del material
original. En la mayoría de los materiales metálicos el empaquetamiento atómico es alto y los
intersticios son pequeños. Consecuentemente los diámetros de los átomos que constituyen las
impurezas intersticiales deben ser sustancialmente más pequeños que los del material original, razón
por la cual este defecto es mucho menos común. Un ejemplo de este tipo de impureza por sustitución
lo constituyen el carbón y el hierro. En una solución sólida de estos dos elementos, el carbón puede
sustituir al hierro en no más del 2%.
1.1.4 Índices de dirección e índices de Miller

Índices de Miller para las direcciones cristalográficas
Dirección cristalográfica: vector que une dos puntos de la red cristalina.
Procedimiento para determinación de los índices de Miller de una dirección cristalográfica:
1. Trasladar el “vector dirección” de manera que pase por el origen del sistema de coordenadas.
2. Determinar la proyección del vector en cada uno de los tres ejes coordenados. Esas
proyecciones deben ser medidas en términos de los parámetros de red (a,b,c)
3. Multiplicar o dividir esos tres números por un factor común, de tal forma que los tres números
resultantes sean los menores enteros posibles.
4. Representar la dirección escribiendo los tres números entre corchetes: [u v w].

FECHA
Direcciones cristalográficas: ejemplo
Nota: A veces no es necesario multiplicar o dividir esos tres recíprocos por un factor común, tal que
los tres números resultantes sean los menores enteros posibles.
Índices de Miller para los Planos Cristalográficos:

1. Determinar los puntos de las intersecciones del plano con los ejes del sistema de coordenadas
en términos de los parámetros de red a, b y c. Si el plano pasa por el origen, se debe trasladar
el plano a una nueva posición en el sistema de coordenadas.
2. Obtener los recíprocos de esos tres números. Si el plano es paralelo a uno de los ejes, el punto
de la intersección se considera en el infinito y el su recíproco será cero.
3. Multiplicar o dividir esos tres recíprocos por un factor común, tal que los tres números
resultantes sean los menores enteros posibles
4. Representar los índices de Miller en la forma (h k l)
Nota: En el caso, cuando algún fragmento cortado por el plano en un eje de coordenadas resulta ser
negativo, el signo menos se coloca sobre y no delante del índice de Miller correspondiente.
Ejemplos de índices de Millar para los planos cristalográficos
̅ 11), (11
Nota: Una familia de planos, como por ejemplo (1 ̅ 1), (111
̅ ), (1
̅1̅ 1), (11
̅1̅ ), (1
̅ 11
̅ ), (1
̅1̅1
̅) y
(111) es representada por {111}
FECHA
1.1.5 Ejercicios resueltos y propuestos
 Ejercicios Resueltos
1. Considere un material monocristalino cuya red cristalina es cubica
centrada en el cuerpo (ver figura de la derecha) con constante de red 𝑎 =
5 Å = 5 × 10−8 𝑐𝑚, determine la densidad volumétrica de átomos en esta
red.
Solución.
En un sólido como este se tiene que cada átomo de la esquina (vértice) es compartido por ocho celdas
unitarias como la mostrada en la figura, de manera que cada átomo de la esquina solo contribuye con
un octavo (1/8) a una celda en particular. Los ocho átomos de las ocho esquina contribuyen con el
equivalente a un átomo a la celda, si a esto le adicionamos el átomo centrado en el cuerpo, entonces
la celda contiene el equivalente de dos átomos. De manera que la densidad volumétrica será:
2 𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝜌= = 1.6 × 1022 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑐𝑚3
(5 × 10−8 𝑐𝑚)3
Nota: La densidad volumétrica de átomos que acabamos de calcular representa el orden de magnitud
de la densidad de mayoría de los materiales.
2. Determine los índices de Miller para el plano mostrado en la figura de la

derecha.
Solución.
Como se puede ver en la figura, los intercepto de este plano con los ejes
definidos por los vectores de la red 𝑎⃗, 𝑏⃗⃗, 𝑐⃗, son 3, 2 y 1 respectivamente. La terna de los recíprocos de
1 1 1
estos números será (3 , 2 , 1). Ahora multiplicamos por el mínimo común múltiplo, que en este caso es
6, y se obtiene (2,3,6). De manera que los índices de Miller para este plano son (236).
Nota: Se puede demostrar que cualquier plano paralelo al mostrado en la figura tendrá los mismos
índices de Miller. Es decir que cualquier plano paralelo es completamente equivalente a cualquier otro.
3. Considere la estructura cubica centrada en el cuerpo y el plano

(110) que se muestran en la figura de la derecha. Asumiendo que
los átomos son esferas rígidas y que cada átomo toca a sus vecinos
más cercanos, y que la constante de red es 𝑎1 = 5 Å, analice como
los átomos son cortados por el plano y cuál sería la densidad
superficial de átomos en ese plano.

FECHA
Solución.
Haciendo un esquema bidimensional como el que se muestra en

la figura de la derecha, se puede apreciar que los átomos de las
esquinas son compartidos por cuatro planos similares, por lo que
cada átomo de las esquinas contribuye efectivamente con ¼ de su
área al plano de la red. También se puede ver que el átomo central
esta completamente encerrado en el plano que no interesa puesto
que no hay otro plano equivalente que lo corte, por tanto este
átomo contribuye completamente al plano cristalino. De esta
manera, el plano cristalino (110) contiene 2 átomos, y por
consiguiente, la densidad superficial de átomos será:
2 𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 2 𝐴𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝜎= = = 5.66 × 1014 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑚2
(𝑎1 )(𝑎1 √2) (5 × 10−8 𝑐𝑚)2 (√2)
Nota: La densidad superficial de átomos es una función que generalmente varia de un plano del cristal
a otro.
 Ejercicios Propuestos
1. Si la constante de red de una estructura cubica centrada en las caras es 4.75 Å. Determine la
densidad volumétrica de átomos.
2. La densidad volumétrica de átomos para una red cubica simple es 3 × 1022 𝑐𝑚−3 , asumiendo que
los átomos son esferas rígidas y que cada átomo toca a sus vecinos más cercanos, determinar la
constante de red y el radio de los átomos.
3. Determine la distancia entre los planos más cercanos (110) en una red cubica simple con constante
de red 𝑎 = 4.83 Å.
4. La constante de red de una red cubica centrada en las caras es 4.75 Å. Calcule la densidad
superficial de átomos para (a) un plano (100) y (b) un plano (110).
5. La constante de red del GaAs es 5.65 Å. Determine el numero de átomos de Ga y de átomos de As
por centímetro cubico.
6. Asumiendo que los átomos son esferas rígidas y que cada átomo toca a sus vecinos más cercanos,
determinar el factor de empaquetamiento (fracción de volumen ocupado) en: (a) una red cubica
simple, (b) una red cubica centrada en las caras, (c) una red cubica centrada en el cuerpo y (d) una
red estructura de diamante.

FECHA
1.2.1. Modelo clásicos de gases ideales
Según la teoría clásica, el conjunto de electrones libres dentro de un conductor, los cuales abandonaron
sus átomos “maternos” son los responsables de las propiedades eléctricas de los materiales sólidos.
Los electrones de conducción forman un típico sistema macroscópico que consiste de un gran número
de partículas. Para estimar la cantidad de estos electrones, los cuales en adelante llamaremos
“electrones de conducción” en una unidad de volumen en un conductor, consideremos, como ejemplo,
el metal alcalino de potasio con número atómico (en la tabla periódica) 19, masa atómica 39 y densidad
0,97 g/cm3. La masa de un solo átomo teniendo en cuenta que la unidad de masa atómica es igual a
1.66 × 10−27 𝑔 es 39 × 1.66 × 10−27 𝑔 ≈ 6.5 × 10−26 𝑔. Como el átomo de potasio en su capa
electrónica superior tiene solo un electrón, para estimar el número de electrones de conducción por
unidad de volumen, que en adelante la llamaremos la concentración de electrones de conducción, n,
hay que dividir la densidad del material por la masa de un átomo 𝒏 = 0.97⁄(6.5 × 10−26 ) ≈ 1.5 ×
1025 𝑐𝑚−3 = 1.5 × 1031 𝑚−3 . Se ve que el número de electrones en una unidad de volumen es
gigantescamente grande, incluso es del mismo orden que el número de moléculas en un gas. Por esta
razón en la teoría clásica para estudiar electrones de conducción se aplicaron métodos similares a la
teoría de los gases ideales. Cuando los conjuntos de partículas bajo investigación son tan
inmensamente grandes es imposible analizar individualmente a cada elemento de este conjunto y hay
que aplicar los métodos estadísticos que permiten encontrar valores promedios de los resultados de
medición y las posibles fluctuaciones alrededor de estos promedios. Por ejemplo, todos sabemos, que
la presión de un gas sobre las paredes de un recipiente es un promedio 〈𝑃〉 de las fuerzas de los choques
individuales de las moléculas contra la pared. Al parecer, este valor debe ser aleatorio, variando de
una medición a otra debido a una fluctuación del número de choques y las fuerzas de los golpes
individuales, que deberían producir una desviación del valor promedio de la presión ∆𝑃. Pero como
el número de moléculas N, que están golpeando las paredes es enormemente grande de un orden entre
1020 y 1030 y según la teoría de probabilidades ∆𝑃⁄𝑃 ~ 1⁄√𝑁 las desviaciones de los resultados de
medición son despreciables. Esta es la razón del porque la teoría de los gases moleculares y de
electrones de conducción se analiza a través de la teoría de probabilidades y los métodos estadísticos.
Inicialmente haremos una breve revisión de las nociones de la teoría de probabilidades, la cual es
necesaria para un mejor entendimiento de la teoría clásica de los gases y además para facilitar el
estudio de los fundamentos de la mecánica cuántica que analizaran más adelante.
Apéndice Matemático. Nociones generales de probabilidades y distribuciones.

La probabilidad es una medida que se asigna a cada suceso aleatorio A y que caracteriza la frecuencia
con que se realiza este suceso al repetir las pruebas. Si el número general de pruebas es N
(comúnmente, enormemente grande) y 𝑁𝐴 es el número de pruebas favorables al suceso A, entonces
la probabilidad se define como 𝑃(𝐴) = 𝑁𝐴 ⁄𝑁 .
 Axioma 1. A cada suceso 𝐴 le corresponde un número real 𝑃 (𝐴), tal que 0 ≤ 𝑃(𝐴) ≤ 1
 Axioma 2. Las probabilidades de sucesos imposibles Ø y ciertos 𝐸 son 𝑃 (Ø) = 0, y 𝑃 (𝐸) = 1,
respectivamente
 Axioma 3. Si 𝐴1 , 𝐴2 , … son sucesos mutuamente excluyentes (Incompatibles dos a dos, disyuntos
o de intersección vacia dos a dos). Entonces: 𝑃(𝐴1 ∪ 𝐴2 ∪ … ) = 𝑃(𝐴1) + 𝑃(𝐴2 ) + ⋯

FECHA
Una variable aleatoria 𝑨 es discreta si su conjunto de valores posibles 𝐴 = {𝐴1 , 𝐴2 , 𝐴3 , … } es un
número finito o infinito de valores numerables. Si los correspondientes posibles valores aparecen con
frecuencias {𝑛1 , 𝑛2 , 𝑛3 , … } en 𝑁 = 𝑛1 + 𝑛2 + 𝑛3 + ⋯ mediciones, entonces la probabilidad de
aparición del valor 𝐴𝑖 es 𝑃(𝐴𝑖 ) = 𝑛𝑖 ⁄𝑁 = 𝑛𝑖 ⁄(𝑛1 + 𝑛2 + 𝑛3 + ⋯ ). Es evidente, que se cumple la
identidad ∑ 𝑃(𝐴𝑖 ) = ∑ 𝑛𝑖 ⁄𝑁 = ∑ 𝑛𝑖 ⁄(𝑛1 + 𝑛2 + 𝑛3 + ⋯ ) = 1.
El valor promedio de la variable aleatoria discreta se define como:

〈𝐴〉 = ∑ 𝑛𝑖 𝐴𝑖 ⁄𝑁 = ∑ 𝐴𝑖 𝑃 (𝐴𝑖 ) = ∑ 𝑝𝑖 𝐴𝑖
El valor promedio caracteriza una tendencia central de una variable aleatoria. Otra característica
importante es la desviación Δ𝐴 de una variable de su valor promedio, Δ𝐴 = 𝐴 − 〈𝐴〉. Esta
característica puede ser tanto positiva como negativa y es fácil verificar que el promedio de la
desviación es exactamente cero. Por esta razón, es más informativo el valor de la desviación cuadrática
que es siempre positiva Δ𝐴2 = (𝐴 − 〈𝐴〉)2 ≥ 0.
Varianza o Dispersión D, es un valor promedio de la desviación cuadrática

2
𝐷 = 〈(𝐴 − 〈𝐴〉)2〉 = 〈𝐴2 〉 − 〈𝐴〉2 = ∑ 𝑝𝑖 𝐴2𝑖 − (∑ 𝑝𝑖 𝐴𝑖 )
La Desviación estándar o desviación típica, σ, es la raíz cuadrada de la varianza, 𝜎 = √𝐷
Ejemplo 1. Consideremos que hay 2 × 1020 electrones con energía 0.01 eV, 5 × 1020 electrones con
energía 0.02 eV, 1021 electrones con energía 0.03 eV, 2 × 1021 electrones con energía 0.04 eV, y 3 ×
1020 electrones con energía 0.05 eV. ¿Cuáles son las probabilidades de encontrar los electrones con
las respectivas energías? Encuéntrese también el valor promedio, la varianza y desviación estándar
para la energía
Solución.
Aquí la variable aleatoria es la energía E, que puede tener los valores 𝑬 = {𝐸1 , 𝐸2 , 𝐸3 , 𝐸4 , 𝐸5 }
i 𝐸𝑖 (𝑒𝑉) 𝑛𝑖 𝑝𝑖 = 𝑃(𝐸𝑖 ) = 𝑛𝑖 ⁄𝑁 𝑝𝑖 𝐸𝑖 𝑝𝑖 𝐸𝑖2
1 0.01 2 × 1020 0.05 0.00050 5 × 10−6
2 0.02 5 × 1020 0.125 0.00250 50 × 10−6
3 0.03 1021 0.25 0.00750 225 × 10−6
4 0.04 2 × 1021 0.5 0.02000 800 × 10−6
5 0.05 3 × 1020 0.075 0.00375 187.5 × 10−6
SUMA 𝑁 = 40 × 1020 1.0 ∑ 𝑝𝑖 𝐴𝑖 = 34.25 × 10−3 ∑ 𝑝𝑖 𝐴2𝑖 = 1267.5 × 10−6
El valor promedio de la energía es:

〈𝐸〉 = ∑ 𝑝𝑖 𝐸𝑖 = 0.0375 𝑒𝑉
La varianza o dispersión será:
2
𝐷 = ∑ 𝑝𝑖 𝐴2𝑖 − (∑ 𝑝𝑖 𝐴𝑖 ) = 1267.5 × 10−6 ≈ 94.4 × 10−6
La desviación estándar es:
𝜎 = √𝐷 ≈ 0.0087 𝑒𝑉

FECHA
Ejemplo 2. Consideremos un conjunto de electrones, en el cual el 30% de ellos están en un estado con
energías 1 eV y el 70% con energías 3 eV, entonces ¿cuál es la energía promedio y la desviación
estándar en eV?
Solución.
i 𝐸𝑖 (𝑒𝑉) 𝑝𝑖 𝑝𝑖 𝐸𝑖 𝑝𝑖 𝐸𝑖2
1 1 0.3 0.3 0.3
2 3 0.7 2.1 6.3
SUMA 4 1.0 2.4 6.6
La energía promedio es:

〈𝐸〉 = ∑ 𝑝𝑖 𝐸𝑖 = 2.4 𝑒𝑉
La dispersión es:
2
𝐷 = 〈𝐸2 〉 − 〈𝐸〉2 = ∑ 𝑝𝑖 𝐸𝑖2 − (∑ 𝑝𝑖 𝐸𝑖 ) = 6.6 − (2.4)2 = 0.84
𝜎 = √𝐷 ≈ 0.92 𝑒𝑉
Una variable aleatoria X es continúa si su conjunto de posibles valores es todo un intervalo de

números; es decir cuando cualquier número x entre a y b es posible (a < X = x < b)
La Distribución de probabilidades es un modelo teórico que describe la forma en que varían los
resultados de medición de una variable aleatoria. En el caso de las variables aleatorias discretas la
distribución se da a través de una lista de resultados de un experimento con las probabilidades
correspondientes que se esperarían ver asociadas con cada resultado, así como se mostró en los
ejemplos anteriores. También la distribución de la variable discreta puede presentarse en forma gráfica
de un histograma o un polígono.
Una Función de distribución de probabilidades F(x) se define como una probabilidad de que en el
resultado de una medición al azar la variable X acepte un valor, que está ubicado en el eje X al lado
izquierdo respecto el punto x: 𝐹(𝑥) = 𝑃(𝑋 ≤ 𝑥).
Aquí y en adelante la letra P se lee como “la
probabilidad”. Se cumplen las siguientes cuatro
condiciones para la función de distribución:
1) 𝐹(−∞) = 0; 𝐹(∞) = 1
2) Es continua por la derecha.
3) Es monótona no decreciente Fig. 1 Forma típica de función de distribución de
4) 𝑃(𝑥1 < 𝑋 ≤ 𝑥2 ) = 𝐹(𝑥2 ) − 𝐹(𝑥1 ) probabilidad
La Función de densidad de probabilidad 𝑓(𝑥) matemáticamente se define como la derivada de la

función distribución de probabilidad 𝐹(𝑥) o de manera inversa, la función de distribución es la integral
de la función de densidad:

FECHA
𝑥
𝑓(𝑥 ) = 𝐹´(𝑥 ) ⟹ 𝐹 (𝑥 ) = ∫ 𝑓(𝑡) 𝑑𝑡
−∞
𝑃(𝑥 < 𝑋 < 𝑥 + 𝑑𝑥 ) = 𝐹 (𝑥 + 𝑑𝑥 ) − 𝐹 (𝑥 ) = 𝐹´(𝑥 )𝑑𝑥 = 𝑓 (𝑥 )𝑑𝑥
Las propiedades de la densidad de probabilidad son las

siguientes:
1) Para toda 𝑥, 𝑓 (𝑥 ) ≥ 0
2) El área total encerrada bajo la curva es igual a 1:
∞
∫−∞ 𝑓 (𝑥 )𝑑𝑥 = 1
3) La probabilidad de que X tome un valor en el
intervalo [a,b] es el área bajo la curva de la función
de densidad en ese intervalo o lo que es lo mismo,
la integral definida en dicho intervalo. 𝑃(𝑎 < 𝑋 ≤
𝑏
𝑏) = ∫𝑎 𝑓 (𝑥 )𝑑𝑥 = 𝐹 (𝑏) − 𝐹(𝑎)
La gráfica f(x) se conoce a veces como curva de densidad
Fig. 2 Función de densidad de probabilidad
para la distribución normal
La distribución normal Entre todas las curvas de densidad es más conocida la curva de densidad
normal (de Gauss) dada por
1 2 2
𝑓 (𝑥 ) = 𝑒 −𝑥 ⁄2𝜎
√2𝜋𝜎
donde 𝜎 es el valor de la desviación estándar
Las características numéricas de las variables continuas aleatorias, tales como el promedio y la
varianza se calculan a través de las siguientes integrales:
El promedio
∞
𝑋̅ = 〈𝑋〉 = ∫ 𝑥𝑓(𝑥 )𝑑𝑥
−∞
La varianza
∞
𝐷 = 〈(𝑋 − 〈𝑋〉)2 〉 = ∫ (𝑋 − 〈𝑋〉)2 𝑓(𝑥 )𝑑𝑥
−∞
La desviación estándar
𝜎 = √𝐷
Ejemplo 3. Dada la densidad de distribución para las energías (en eV), 𝑓 (𝐸) = 0.1 cuando 10 < 𝐸 <
20 y 𝑓 (𝐸) = 0 en otros casos, calculese la energía promedio y la desviación estándar (en eV)
Solución.
20 20
𝐸2
〈𝐸〉 = ∫ 0.1𝐸𝑑𝐸 = 0.1 | = 15 𝑒𝑉
10 2 10

FECHA
La dispersiós es:
20 20
2〉
𝐸3
〈𝐷𝐸 〉 = 〈𝐸 − (〈𝐸 〉)2 = ∫ 0.1𝐸 𝑑𝐸 − (152 )2 = 0.1 | − 225 ≈ 8.333
10 3 10
y la desviación estándar es:
𝜎𝐸 = √𝐷𝐸 ≈ 2.89 𝑒𝑉
Ejemplo 4. Dada la densidad de distribución para las energías

(dadas en eV) 𝑓 (𝐸) = 2 − 2𝐸 si 0 < 𝐸 < 1 y 𝑓(𝐸) = 0 en
otros casos ¿Cuál es la energía promedio y la desviación
estándar?
Solución.
1
〈𝐸〉 = ∫ 𝐸𝑓 (𝐸)𝑑𝐸 = ∫ 𝐸2(1 − 𝐸)𝑑𝐸𝑑𝐸 = (𝐸2 − 2𝐸3 ⁄3)|10 ≈ 0.333 𝑒𝑉
0
La dispersión es:
1
1
1 2 1
2𝐸 3 𝐸4 1
〈𝐷𝐸 〉 = 〈𝐸 2 〉 − (〈𝐸〉)2 =∫ 𝐸2 ∙ 𝑓(𝐸)𝑑𝐸 − ( ) = ∫ 𝐸2 ∙ 2(1 − 𝐸)𝑑𝐸 = ( − )| = ≈ 0.1673
0 3 0 3 2 0 6
𝜎𝐸 = √𝐷𝐸 ≈ 0.41 𝑒𝑉
Carácter del movimiento térmico de las partículas en un gas.
Si un gas (molecular o electrónico) está en equilibrio, sus partículas se mueven en absoluto desorden,
de manera caótica. Todas las direcciones de movimiento son equiprobables, a ninguna de ellas se
puede dar preferencia con relación a las demás direcciones. Por su magnitud, las velocidades de las
partículas pueden ser muy diferentes. Después de cada choque con otras partículas, la magnitud de la
velocidad de cada partícula y la dirección del movimiento tiene que variar de manera arbitraria y no-
predecible. Estas variaciones después de los choques ocurren de forma casual. Puede ocurrir que una
partícula en una gran serie de choques sucesivos reciba una energía que superará considerablemente
el valor de la energía promedio 〈𝐸〉. No obstante, podemos afirmar que velocidades con valores mucho
mayores en comparación con el valor promedio de las velocidades pueden realizarse muy rara vez. De
este mismo modo, está prácticamente excluido que como resultado de los choques, la velocidad de
una partícula se haga con exactitud igual a cero. Es decir, son poco probables tanto velocidades muy
grandes como muy pequeñas en comparación con el valor promedio de las velocidades. Las
velocidades fundamentalmente se agrupan alrededor del su valor promedio. En su movimiento caótico
un gas de partículas sometido a un recipiente además produce unos choques contra las paredes,
ocasionando una presión contra ellas. El número de choques de las moléculas de un gas contra la
unidad de área de superficie de la pared en unidad del tiempo se estima como:
𝑛〈V〉
𝑣= (1.1)
6

FECHA
Esta fórmula significa que el número de choques es proporcional a la cantidad de partículas por unidad
de volumen (la concentración) y al valor promedio de la magnitud de la velocidad térmica 〈V〉 de las
moléculas y define la densidad del flujo de partículas que “cae” sobre la pared como consecuencia de
su movimiento caótico. El factor 1/6 corresponde a la parte de las partículas que se mueve en la
dirección de la pared, teniendo en la cuenta que cada una de ellas puede moverse dentro de un cubo
contra una de las 6 posibles paredes y por eso todas las partículas puede condicionalmente repartirse
en 6 diferentes grupos. En cada choque contra la pared las moléculas transmiten a la pared en promedio
un impulso Δ𝐾 = 2𝑚〈V〉. Se puede demostrar que la presión que ocasionan las partículas es:
𝑃 = 𝑣 ∙ Δ𝐾
y según (1.1)
1 2 𝑚〈𝑉 2 〉 2
𝑃 = 3 𝑛 ∙ 𝑚 〈V 2 〉 = 3 𝑛 ⋅ = 3 𝑛 ⋅ 〈𝜀 〉 (1.2)
2
donde 〈𝜀〉 es la energía térmica promedio de las partículas. Por otra parte de la teoría clásica para los
gases ideales se cumple una relación lineal entre la presión P y la temperatura T:
𝑃 = 𝑛 ∙ 𝐾𝐵 𝑇 (1.3)
donde 𝐾𝐵 = 1.38 × 1023 𝐽/𝐾 es la constante de Boltzmann. Comparando las formulas (1.2) y (1.3) se
puede concluir que la energía promedio correspondiente a un movimiento traslacional de las partículas
es proporcional a la temperatura
3
〈𝜀〉 = 𝐾𝐵 𝑇 (1.4)
2
Hay que tener en cuenta que al movimiento traslacional de las partículas le corresponden 3 grados de
libertad, uno a lo largo de cada eje X, Y, y Z. De aquí surge la ley de la termodinámica DE
EQUIPARTICION DE LA ENERGIA según la cual a cada grado de libertad de un movimiento
traslacional en estado de equilibrio termodinámico le corresponde la misma energía promedio,
igual a 𝐾𝐵 𝑇 ⁄2. Por otro lado, la energía total de un movimiento vibratorio tiene dos partes, una energía
cinética y otra energía potencial. Por esta razón ley de termodinámica DE EQUIPARTICION DE LA
ENERGIA para los movimientos oscilatorios se formula de manera diferente: a cada grado de libertad
de un movimiento vibratorio en el estado de equilibrio termodinámico le corresponde la misma
energía promedia igual a 𝐾𝐵 𝑇 dos veces mayor que un grado de libertad del movimiento
traslacional.
El resultado anterior para un movimiento traslacional nos permite encontrar la fórmula para el
promedio del cuadrado de la velocidad térmica de las partículas, ya que la energía promedia en este
caso es 〈𝜀〉 = 〈𝑚V2 ⁄2〉 = 𝑚〈V2 〉⁄2. Comparando este resultado con la formula (1.4) se encuentra la
velocidad cuadrática media:
V𝑐𝑚 = √〈V2 〉 = √3𝐾𝐵 𝑇 ⁄𝑚 (1.5)
1.2.2. Distribución de Boltzmann

Formula barométrica
Las velocidades y las energías de las micropartículas en un sistema macroscópico pueden considerarse
como unas variables aleatorias que pueden tener cualquier valor entre cero e infinito, pero esperamos
con mayor probabilidad alrededor del valor dado por la formula (1.4) y (1.5). Ahora vamos a estudiar

FECHA
¿cómo son las distribuciones reales de la energía y de
velocidad?. Para responder a esta pregunta en una forma
más clara empezamos considerando la distribución de las
moléculas en nuestra atmósfera, analizando el cambio de
presión al pasar de una capa atmosférica inferior en la
altura z donde la presión atmosférica es 𝑃(𝑧) a la otra
superior cuya altura es 𝑧 + 𝑑𝑧 con la presión
correspondiente 𝑃(𝑧 + 𝑑𝑧) como lo muestra la figura 3. Si
la masa de las moléculas es m, el peso hacia abajo de una
capa atmosférica con grosor dz y con área A es 𝑁𝑚g = 𝐴 ∙ Fig. 3 Una capa atmosférica en equilibrio
𝑑𝑧 ∙ 𝑛 ∙ 𝑚g, donde N es el número total de moléculas al interior de la capa. La condición del equilibrio
de la capa sugiere la igualdad a cero de la suma vectorial de todas las fuerzas aplicadas a la capa, es
decir:
𝐴𝑃 (𝑧 + 𝑑𝑧) − 𝐴𝑃(𝑧) + 𝑁𝑚g = 0

𝐴𝑃(𝑧 + 𝑑𝑧) − 𝐴𝑃(𝑧) + 𝐴 ∙ 𝑑𝑧 ∙ 𝑛 ∙ 𝑚g = 0
Además, según la ecuación (1.3) 𝑃(𝑧) = 𝑛(𝑧) ∙ 𝐾𝐵 𝑇, la variación de la presión en la dirección vertical
esta relacionada con el cambio de la concentración de las moléculas que conduce a la siguiente
ecuación diferencial:
𝑑𝑃(𝑧) 𝑚g
=− 𝑃(𝑧)
𝑑𝑧 𝐾𝐵 𝑇
cuya solución es:
𝑃 (𝑧) = 𝑃(0)exp(− 𝑚g𝑧⁄𝐾𝐵 𝑇) ⟹ 𝑛(𝑧) = 𝑛(0)exp(− 𝑚g𝑧⁄𝐾𝐵 𝑇) (1.6)
a esta ecuación (1.6) se le conoce como la formula barométrica y describe la variación de la presión
y de la concentración de moléculas en una columna atmosférica.
Por otro lado, considerando la altura de la molécula Z como una variable aleatoria la ecuación (1.6) se
puede utilizar para encontrar la densidad de la distribución de probabilidades de encontrar una
molécula en la altura Z. En una capa de grosor dz y área A, en la altura z el número de moléculas es
𝑑𝑁(𝑧) = 𝑛(𝑧)𝐴𝑑𝑧 = 𝐴𝑛(0)𝑒𝑥𝑝(− 𝑚g𝑧⁄𝑘𝐵 𝑇 )𝑑𝑧 . El número total en una columna atmosférica es la
suma de todas las capas:
∞ ∞
𝑁𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = ∫ 𝑑𝑁(𝑧) = ∫ 𝐴𝑛(0)𝑒𝑥𝑝(− 𝑚g𝑧⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝑧 = 𝐴𝑛(0) 𝑘𝐵 𝑇⁄𝑚g
0 0
y la densidad de probabilidad 𝑓(𝑧) de encontrar una molécula dentro de la capa analizada satisface la
relación:
𝑑𝑁(𝑧) 𝑚g 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚g𝑧⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝑧
𝑓 (𝑧)𝑑𝑧 = =
𝑁𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑘𝐵 𝑇
y por eso
𝑚g
𝑓 (𝑧 ) = 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚g𝑧⁄𝑘𝐵 𝑇) (1.7)
𝑘𝐵 𝑇

FECHA
Ejemplo 5. Encuéntrese la altura promedio de las moléculas de oxigeno para temperaturas 100, 200 y
300°K
Solución: La altura promedia se encuentra como

∞ ∞
𝑚g 𝑘𝐵 𝑇
〈𝑍〉 = ∫ 𝑧𝑓(𝑧) 𝑑𝑧 = ∫ 𝑧 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚g𝑧⁄𝑘𝐵 𝑇) =
0 0 𝑘𝐵 𝑇 𝑚g
−27 −26
Para la molécula de oxigeno 𝑚 = 16 ∙ 1.66 × 10 𝑘𝑔 ≈ 2.66 × 10 𝑘𝑔. Por eso
1.38 × 10−23
〈𝑍 〉 = 𝑇 ≈ 53𝑇
2.66 × 10−26 ∙ 9.8
Por eso para T=100°K, 𝑍 ≈ 5300 𝑚 = 5.3 𝑘𝑚, para T=200°K, 𝑍 ≈ 10.6 𝑘𝑚, T=300°K, 𝑍 ≈
15.9 𝑘𝑚. Es decir a mayor temperatura mayor es la altura promedio de las moléculas. Este resultado
es natural, puesto que el crecimiento de la temperatura aumenta la velocidad promedio de las
moléculas y por tanto ellas son capaces de subir a mayor altura.
La formula barométrica (1.6) como hemos visto anteriormente se transforma en una densidad de
distribución de moléculas en la dirección vertical (1.7). Es mucho más importante transformarla en
una densidad de distribución de las energías de las moléculas E. Esto puede obtenerse teniendo en
cuenta que la energía potencial U de las moléculas que están en una capa ubicada en la altura z es igual
a 𝑈 = 𝑚g𝑧, de manera que la formula barométrica se puede reescribir en la forma
𝑛(𝑈) = 𝑛(0)𝑒𝑥𝑝(−𝑈/𝑘𝐵 𝑇) ,
Donde 𝑛(0) es la concentración de las moléculas con energía potencial U=0. Esta fórmula aplicada a
cualquier tipo de energías E, se llama la Ley de Distribución de Boltzmann;
𝐸
𝑛(𝐸) = 𝑛(0)𝑒𝑥𝑝 (− 𝑘 𝑇) (1.8)
𝐵
Segú esta ley: la probabilidad de encontrar las partículas en un estado particular de energía varia
exponencialmente como el negativo de la energía dividida por 𝒌𝑩 𝑻
En la Fig. 4 se muestra como se transforma la distribución de

Boltzmann con el crecimiento de la temperatura. Cuando
temperatura es cercana a cero grados Kelvin casi todas las
partículas caen al nivel más bajo y hay muy pocas partículas con
energías superiores. A medida que la temperatura se aumenta la
curva de distribución se transforma de tal manera que aparecen
más y más partículas con energías altas, ya que se incrementa la
energía térmica promedia 𝑘𝐵 𝑇 y crece la posibilidad para
excitar las moléculas a niveles de energía más altos.
Fig. 4 Curva de distribución de
1.2.3. Densidad de estados. Distribución de Maxwell Boltzmann
En la deducción de la ecuación (1.8) se consideró un modelo simplificado donde se analizó solo las
probabilidades de ocupación de diferentes estados energéticos sin tener en cuenta la posibilidad de
que a diferentes energías posibles les pueden corresponder números diferentes de oportunidades. Para
corregir la ecuación (1.8) en este sentido hay que introducir una característica que en adelante en toda
la teoría de estado solidó (y en otras ramas de la física) juega un papel importante, que se llama la

FECHA
densidad de estados. Para introducirla, primero definimos una función de la energía 𝑁(𝐸), como el
número de estados con energías inferiores a 𝐸, 𝑁(𝐸) = 𝑁𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜(𝜀 ≤ 𝐸).
Ejemplo 1 Calcularemos esta función para un gas clásico de partículas idénticas con masa m, para las
cuales la energía 𝐸 = 𝑚𝑣 2 ⁄2 = 𝑚(𝑣𝑥2 + 𝑣𝑦2 + 𝑣𝑧2 )⁄2. Anotemos que las partículas con energías
inferiores a E deben cumplir la condición 𝑣𝑥2 + 𝑣𝑦2 + 𝑣𝑧2 ≤ 2𝐸 ⁄𝑚. En el espacio (imaginario) de
velocidades a esta condición la satisface un conjunto de puntos ubicados dentro de una esfera de radio
𝑅 = √2𝐸 ⁄𝑚 = (2𝐸 ⁄𝑚)1⁄2. El número de estados con energías menores a E es proporcional al
volumen de esta esfera 𝑁(𝐸) = 𝑛 ∙ 4𝜋𝑅3 ⁄3 = 4𝜋(2𝐸 ⁄𝑚)3⁄2⁄3, donde n es la concentración de
partículas.
Ejemplo 2. Consideremos ¿Cómo cambiaría la función 𝑁(𝐸) para un gas ideal de partículas en unos
espacios bí- y unidimensionales? Hoy en día estos problemas son importantes para analizar
nanoestructuras, tales como pozos e hilos cuánticos donde el movimiento de los portadores de carga
está restringido prácticamente dentro de un plano o una línea respectivamente.
En el caso bidimensional las partículas con energías inferiores a E deben cumplir la condición 𝑣𝑥2 +
𝑣𝑦2 ≤ 2𝐸 ⁄𝑚. En el espacio (imaginario) de velocidades a esta condición la satisface un conjunto de
puntos ubicados dentro de un círculo de radio 𝑅 = √2𝐸 ⁄𝑚 = (2𝐸 ⁄𝑚)1⁄2. El número de estados con
energías menores a E es proporcional al área de este círculo 𝑁(𝐸) = 𝑛 ∙ 𝜋𝑅2 = 𝜋𝑛(2𝐸 ⁄𝑚) =
2𝜋𝑛𝐸 ⁄𝑚.
En el caso unidimensional las partículas con energías inferiores a E deben cumplir la condición 𝑣𝑥2 ≤
2𝐸 ⁄𝑚. En el espacio (imaginario) de velocidades a esta condición la satisface un conjunto de puntos
ubicados dentro de un intervalo −(2𝐸 ⁄𝑚)1⁄2 ≤ 𝑣𝑥 ≤ (2𝐸 ⁄𝑚 )1⁄2. El número de estados con energías
menores a E es proporcional a la longitud de este intervalo 𝑁(𝐸) = 2𝑛 ∙ (2𝐸 ⁄𝑚)1⁄2.
Resumiendo los resultados de estos dos últimos ejemplos podemos escribir la densidad de estados en
un gas clásico de partículas en la siguiente forma:
2𝑛 ∙ (2𝐸 ⁄𝑚 )1⁄2~𝐸1⁄2 𝑒𝑛 1𝐷
𝑁(𝐸) = { 2𝜋𝑛𝐸 ⁄𝑚 ~ 𝐸 1
𝑒𝑛 2𝐷 (1.9)
3 ⁄ 2 3 ⁄ 2
4𝜋(2𝐸 ⁄𝑚) ⁄3 ~𝐸 𝑒𝑛 3𝐷
Ahora para definir la densidad de estados calcularemos el número de estados 𝑑𝑁 dentro de un intervalo
infinitesimal entre las energías 𝐸 y 𝐸 + 𝑑𝐸. Es evidente que para encontrar este valor hay que restar
dos funciones 𝑁(𝐸 + 𝑑𝐸) y 𝑁(𝐸), es decir 𝑑𝑁 = 𝑁(𝐸 + 𝑑𝐸) − 𝑁(𝐸) y hallar el diferencial de la
función 𝑁(𝐸 ) en el punto 𝐸, o sea:
𝑑𝑁(𝐸)
𝑑𝑁 = g(𝐸)𝑑𝐸, g (𝐸 ) = (1.10)
𝑑𝐸
La densidad de estados 𝐠(𝑬) es la derivada de la función del número de estados respecto a la energía
y es proporcional al número de estados dentro de un intervalo infinitesimal de las energías entre 𝑬
y 𝑬 + 𝒅𝑬.

FECHA
Utilizando las formulas (1.9) y (1.10) se puede encontrar las fórmulas para las densidades de estados
de un gas clásico ideal en una, dos y tres dimensiones:
𝑛 ∙ (2⁄𝑚𝐸 )−1⁄2 ~𝐸−1⁄2 𝑒𝑛 1𝐷
g(𝐸) = { 2𝜋𝑛⁄𝑚 ~ 𝐸 0 (1.11)
𝑒𝑛 2𝐷
1 ⁄ 2 1 ⁄ 2
4𝜋(2𝐸 ⁄𝑚) ⁄3 ~𝐸 𝑒𝑛 3𝐷
Se puede escribir una formula general para cualquiera dimensión D del espacio (a propósito, esta
fórmula general es correcta no solo en el caso de un gas ideal clásico sino también para gas ideal
cuántico los cual demostraremos en la segunda parte del curso):
g 𝐷 (𝐸) = 𝐴𝐷 𝐸 𝐷⁄2−1 (1.12)
Aquí 𝐴𝐷 es un parámetro que depende de la dimensión del espacio y no depende de la energía.
Finalmente, para encontrar la función de densidad de las distribuciones de las energías uno debe
multiplicar la probabilidad de ocupación del estado con energía E dada a través de la distribución de
Boltzmann (1.8) por la densidad de los estados g (E) definida a través de la relación (1.10)
𝑓 (𝐸) = 𝐶 ∙ g(E)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇) (1.13)
El parámetro C es llamado la constante de normalización y se escoge de tal manera que:

∞ ∞ ∞ −1
∫ 𝑓 (𝐸)𝑑𝐸 = 𝐶 ∙ ∫ g(E)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝐸 = 1 ⟹ 𝐶 = (∫ g(E)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝐸 )
−∞ −∞ −∞
Por eso
∞
𝑓 (𝐸) = g(𝐸)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)⁄∫ g(E)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝐸 (1.14)
−∞
Ejemplo 6. Calcularemos la energía promedio de un gas ideal clásico en un espacio de D dimensiones,

en el cual la densidad de estados está definida a través de la formula (1.12). Sustituyendo (1.12) en
(1.14) se obtiene:
∞
⁄2−1 𝑥 = 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇
𝑓 (𝐸 ) = 𝐸 𝐷
𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)⁄∫ 𝐸 𝐷⁄2−1 𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇)𝑑𝐸 |( )
−∞ 𝑑𝐸 = 𝑘𝐵 𝑇𝑑𝑥
∞
= 𝑥 𝐷⁄2−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )⁄𝑘𝐵 𝑇 ∫ 𝑥 𝐷⁄2−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )𝑑𝑥
−∞
La energía promedia entonces se calcula como
∞ ∞ ∞
𝐷⁄2−1 𝑥 = 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇
〈𝐸〉 = ∫ 𝐸𝑓 (𝐸)𝑑𝐸 = ∫ 𝐸𝑥 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )𝑑𝐸⁄𝑘𝐵 𝑇 ∫ 𝑥 𝐷⁄2−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )𝑑𝑥 |( )
−∞ −∞ −∞ 𝑑𝐸 = 𝑘𝐵 𝑇𝑑𝑥
∞ 𝐷 ⁄2 ∞
=𝑘𝐵 𝑇 ∫−∞ 𝑥 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )𝑑𝑥⁄∫−∞ 𝑥 𝐷⁄2−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 )𝑑𝑥
Utilizando la definición de la función Gama:
∞
Γ(𝛼 ) = ∫ 𝑥 𝛼 exp(−𝑥 ) 𝑑𝑥; Γ(𝛼 ) = 𝛼Γ(𝛼 − 1)
−∞
tenemos
〈𝐸〉 = 𝑘𝐵 𝑇. Γ(𝐷⁄2)⁄Γ(𝐷⁄2 − 1) = 𝑘𝐵 𝑇(𝐷⁄2)

FECHA
Este resultado está en plena concordancia con la ley de equipartición de la energía, según la cual a
cada grado de libertad le corresponde igual cantidad 𝑘𝐵 𝑇⁄2 de energía.
Como para un gas ideal monoatómico la energía de las partículas es solamente cinética 𝐸 = 𝑚𝑣 2 /2
la fórmula para la densidad de distribución respecto a las energías se puede transformar a una similar
respecto a las velocidades. Con este fin, solo hay que modificar un poco la ecuación (1.12) para la
densidad de estados, teniendo en cuenta que el número de estados dentro de un intervalo infinitésimo
es:
𝑑𝑁(𝐸) = g(𝐸)𝑑𝐸 = g(𝑚𝑣 2 ⁄2)𝑑(𝑚𝑣 2 ⁄2) = 𝑚𝑣 ∙ g(𝑚𝑣 2 ⁄2)𝑑𝑣
= 𝐴𝐷 𝑚𝑣 ∙ (𝑚𝑣 2 ⁄2)𝐷⁄2−1 = 𝐵𝐷 𝑣 𝐷−1 𝑑𝑣 = g(𝑣 )𝑑𝑣
De aquí se ve que la densidad de estados respecto a las velocidades tiene la forma: g(V) = 𝐵𝐷 V𝐷−1
mientras que la ley de distribución de Boltzmann respecto a las velocidades se escribe como 𝑛(𝐸) =
𝑛(𝑚V2 ⁄2) ~𝑒𝑥𝑝(− 𝑚V2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 ) y la función de la densidad de distribución de velocidades es un
producto de estas dos funciones, es decir: 𝑓 (v) = 𝐹𝐷 v𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 ). Aquí igual como antes
∞ −1
𝐹𝐷 es una constante de normalización es 𝐹𝐷 = (∫0 v𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇)𝑑v) . Para analizar las
velocidades térmicas de las partículas necesitaremos aprender a calcular las integrales de este tipo.
Siempre se utiliza la sustitución 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 = 𝑥 2 ⟹ 𝑑v = 𝑑𝑥√𝑘𝐵 𝑇⁄2𝑚, de manera que:
∞ −1 ∞ −1
𝐹𝐷 = (∫0 v 𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v 2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇) 𝑑v) = (𝑚⁄2𝑘𝐵 𝑇)𝐷⁄2 (∫0 𝑥 𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥 2 )𝑑𝑥 ) = 𝛽𝐷−1 (𝑚⁄2𝑘𝐵 𝑇)𝐷⁄2
Finalmente, la densidad de distribución de velocidades en un gas ideal en un espacio de D dimensiones

es:
∞
𝑓 (v) = 𝛽−1
𝐷
(𝑚⁄2𝑘𝐵 𝑇)𝐷⁄2 v𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 ); 𝛽𝐷 = ∫ 𝑥𝐷−1 𝑒𝑥𝑝(−𝑥2 )𝑑𝑥 (1.15)
0
Para hallar el valor de la integral (es una constante) hay que utilizar las siguientes formulas:
∞ (2𝑛 − 1)‼ 𝜋 ∞
2 2 𝑛!
∫ 𝑥 2𝑛 𝑒 −𝛼𝑥 𝑑𝑥 = 𝑛
√ ; ∫ 𝑥2𝑛−1 𝑒 −𝛼𝑥 𝑑𝑥 =
0 2(2𝛼 ) 𝛼 0 (2𝛼 )𝑛+1
Más adelante necesitaremos la formula (1.15) solo para el espacio tridimensional (D=3). Teniendo en
cuenta que 𝛽3 = √𝜋⁄4, la ecuación (1.15) adquiere la forma:
𝑓 (v) = (𝑚⁄2𝑘𝐵 𝑇)3⁄2 4𝜋v 2 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 ) (1.16)
La expresión (1.16) se llama LA LEY DE DISTRIBUCION DE MAXWELL que define la densidad de

distribución de las velocidades térmicas en un gas ideal clásico.
Ejemplo 7. Considerando a los electrones de conducción en un metal como un gas ideal clásico y
encontraremos la distribución de Maxwell para ellos en una forma explícita.
Solución. Para los electrones se tendría que:

𝑚⁄2𝑘𝐵 = 9.1 × 10−31 ⁄2.76 × 10−23 ≈ 3.3 × 10−8 y 𝑚⁄2𝜋𝑘𝐵 ≈ 1.05 × 10−8

FECHA
Por eso para los electrones
𝑓 (v) ≈ 12.57(1.05 × 10−8 ⁄𝑇)3⁄2 v2 𝑒𝑥𝑝(− 3.3 × 10−8 v 2 ⁄𝑇 )
En la figura 5 se muestran gráficos de esta distribución para tres temperaturas diferentes. Se ve que la
densidad de distribución tiende a cero tanto para velocidades
muy grandes como para muy pequeñas. También en la figura 5
se ve que las posiciones de los máximos en todas las tres curvas
corresponden a velocidades térmicas de electrones que se
ubican entre 50 y 100 km/s y además que la posición del
máximo se desplaza hacia velocidades más altas a medida que
la temperatura crece. A la velocidad de las partículas
correspondientes a la posición del máximo de la densidad de
distribución se le llama la velocidad más probable v𝑝 y su
valor se encuentra de la condición que la derivada de la Fig. 5 densidades de distribución de
densidad de distribución en el punto correspondiente se anula velocidades
𝑓 ′(v𝑝 ) = 0. De esta condición para la función se encuentra
v𝑝 = √2𝑘𝐵 𝑇⁄𝑚 (1.17)
Además, se introducen otras dos características para las velocidades térmicas de las partículas, la
velocidad media 〈v〉 , definida como
∞
〈v〉 = ∫ v ∙ 𝑓 (v)𝑑v = √8 𝑘𝐵 𝑇⁄𝜋𝑚 (1.18)
0
y la velocidad cuadrática media, definida como:
∞
2〉
v𝑚𝑐 = √〈v2 〉 = √3𝑘𝐵 𝑇⁄𝑚 ; 〈v = ∫ v2 ∙ 𝑓 (v)𝑑v (1.19)
0
Si comparamos las expresiones (1.17)-(1.19) llegamos a:
v𝑝 : 〈v〉: v𝑚𝑐 = √2: √8⁄𝜋 : √3 ≈ 1: 1.13: 1.22 (1.20)

es decir la velocidad media y la velocidad cuadrática media son superiores a la velocidad más probable
en 13% y 22%, respectivamente.
1.2.4. Capacidad calorífica de los cristales. Ley de Dulong-Petit

La disposición de los átomos que forman un sólido en los nodos de la red cristalina corresponde al
mínimo de su energía de potencial. El desplazamiento de los átomos de las posiciones de equilibrio da
lugar a unas fuerzas que tienden a retornarlos a sus posiciones iníciales, por lo que aparecen
vibraciones de la red cristalina. Cada átomo de un cristal con una celda simple participa en las
vibraciones en tres direcciones independientes, perpendiculares entre sí. Por esta razón, a cada átomo
de un cristal se debe atribuir tres grados de libertad. Anteriormente se estableció, que a cada grado de
libertad vibratorio corresponde, por término medio una energía 𝑘𝐵 𝑇 , la mitad de la cual corresponde
a la energía cinética y otra mitad a la energía potencial. Por lo tanto, para cada átomo en la red cristalina
corresponde una energía promedio 3𝑘𝐵 𝑇 y si un material sólido esta compuesto por 𝑁 átomos en total
entonces su energía promedio correspondiente al movimiento vibratorio de los átomos del cristal crece
linealmente con el incremento de la temperatura y es igual a: 𝐸 = 3𝑁𝑘𝐵 𝑇.
FECHA
El incremento de la energía del cristal correspondiente a la elevación de la temperatura en un kelvin,
de acuerdo con esta energía, es igual a:
𝐶 = 𝜕𝐸 ⁄𝜕𝑇 = 3𝑁𝑘𝐵 (1.21)
Según (1.21) la capacidad calorífica de todos los cuerpos sólidos con la estructura de la red cristalina
simple no depende de la temperatura y es igual a 3𝑁𝑘𝐵 . Esta afirmación establecida por vía
experimental es el contenido de la ley de Dulong-Petit. Con muy buena aproximación esta ley se
cumple para muchas sustancias sólidas a temperatura ambiente, pero para algunos materiales solo para
temperaturas mucho más altas. Es más, en controversia
con la ecuación (1,21) la capacidad calorífica de todos
los cristales depende de la temperatura, con la
particularidad de que dependencia tiene un
comportamiento típico presentado en la Fig. 6. Para
temperaturas bajas cercanas al cero absoluto la
capacidad calorífica de todos los cuerpos sólidos es
proporcional a 𝑇 3 y solo a una temperatura
suficientemente alta, individual para cada sustancia,
comienza cumplirse la igualdad (1.21). En la mayoría
de los materiales esto se consigue al alcanzar la
temperatura ambiente, mientras que para otros sólo para temperaturas más altas. Para el diamante, por
ejemplo la capacidad calorífica 3𝑁𝑘𝐵 solo se consigue para una temperatura de orden de 1000°K. La
rigurosa teoría de la capacidad calorífica de los materiales sólidos creada por Einstein y Debye en la
base de las ideas de la teoría cuántica, toma en consideración la discretización de las energías
correspondientes al movimiento vibratorio de los átomos en la red cristalina. Esta teoría que concuerda
correctamente con los datos experimentales y simultáneamente conduce para altas temperaturas a la
expresión (1.21) será expuesta en el siguiente capítulo.
1.2.5. Tratamiento clásico de gas de electrones de conducción

En metales conductores los átomos forman una red cristalina con una separación entre los iones entre
2 y 6Å (≈ 0.5 𝑛𝑚 = 5. 10−10 𝑚) para diferentes materiales. El volumen de una celda cristalina (que
contiene solo 1 ión) entonces es del orden 𝑉𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 ≈ 10−28 ÷ 10−29 𝑚3 . Suponiendo que cada átomo
libera varios electrones ( 𝑝) de su capa exterior contribuyendo de esta manera en la formación de un
gas electrónico, entonces la concentración de los electrones en este gas será: 𝑛 ≈ 𝑝⁄𝑉𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 ≈ 1028 ÷
1030 𝑚−3 . Cada partícula en el gas electrónico participa en un movimiento térmico de carácter
caótico en el cual tiene una velocidad instantánea v cuyo valor es aleatorio con una densidad de
m 3⁄2
distribución dada por la formula de Maxwell 𝑓 (v) = (2πk ) 4𝜋v2 exp(−𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇), donde
B T
𝑇 es la temperatura, 𝑘𝐵 = 1.38×10-23 J/K, constante de Boltzmann y m = 9.1×10-31kg masa de electrón.
Ejemplo 8. Estimaremos la velocidad promedio de los electrones en un metal para temperatura

ambiente 𝑇=300°K según la formula (1.18)
𝑚
〈v〉 = √8𝑘𝐵 𝑇⁄𝜋𝑚 = √8 ∙ 1.38 × 10−23 ∙ 300⁄3.14 ∙ 9.1 × 10−31 = 1.08 × 105 = 108 𝑘𝑚/𝑠
𝑠

FECHA
Saltos de potencial en la superficie de conductor. Función de trabajo
La pregunta que surge de este resultado es ¿si la velocidad térmica

promedio para temperatura ambiente es tan tremendamente alta
entonces ¿Por qué todos los electrones no abandonan la región
interna de un conductores en un instante, sino que siguen
localizados dentro de ella? La respuesta a esta pregunta nos
llevará a dos nuevas nociones que son importantes para la teoría
de sólido: pozo de potencial y función de trabajo. Los electrones
que se mueven en el interior del conductor debido a su gran
velocidad térmica pueden a veces salir de sus límites formando
por un lado de la superficie del conductor en la parte superior una
“nube electrónica” cargada negativamente y por el otro lado de la
frontera una “nube” de cargas positivas que se llaman en la
electrostática las cargas imágenes y que son en realidad los iones
“madres” abandonados por los electrones “vagabundos” que
cruzaron la Frontera. Los electrones en la nube exterior sienten
una fuerte atracción por parte de cargas imágenes y no pueden alejarse mucho y además a veces
retornan de nuevo al interior de conductor antes que su lugar sea ocupado por nuevos electrones que
se escapan desde la región interior. Este proceso es muy parecido al fenómeno de evaporación de los
líquidos.
Las dos nubes, la exterior e interior forman una capa eléctrica doble, análoga al condensador plano
paralelo como se puede ver en la Fig. 7. El grosor de esta capa 𝑑 es muy pequeño, del orden de la
constante de la red cristalina (𝑑~0.5 𝑛𝑚 = 5. 10−10 𝑚). Como la distancia entre las cargas de
diferentes signos es extraordinariamente pequeña el campo eléctrico que ellas producen es
suficientemente fuerte. El conductor debido al escape de una parte de los electrones desde la región
interior esta cargado positivamente y su potencial es positivo con respecto a la región exterior (vea en
la Fig. 7), mientras que en las fronteras aparecen saltos de potencial. Los saltos de potencial que surgen
en las superficies de los sólidos juegan un papel importante para toda la microelectrónica y se llaman
las diferencias de potencial de contacto, que aparecen en las fronteras metal-vacio, metal-metal, metal-
semiconductor, semiconductores tipos n y p.
Para estimar el orden del salto de potencial realizamos un cálculo simple. Imaginemos que un electrón
ha salido del conductor, entonces simultáneamente surgió una carga imagen de signo contrario, que lo
atrae hacia atrás. La diferencia de potenciales entre los puntos de localización de las cargas positiva y
𝑒 1.6.10−19
negativa se define a través de Ley de Coulomb ∆𝜑 ≈ ≈ 9. 109 ≈ 2.9𝑉. Para que
4𝜋𝜀0 𝑑 5.10−10
un electrón que se encuentra en el conductor pueda salir de sus límites es necesario que realice trabajo
contra las fuerzas de atracción de cargas imágenes y contra las fuerzas de repulsión de la “nube”
electrónica ubicados alrededor de superficie. El trabajo mínimo necesario para que el electrón
abandone el interior de un conductor se llama LA FUNCION DE TRABAJO que es igual al producto
de la carga del electrón con la diferencia potenciales de contacto en la frontera conductor-vacio:
Φ = 𝑒. ∆𝜑 (1.22)

FECHA
Según nuestra estimación anterior el típico valor de la función de
trabajo debe ser alrededor 2-3𝑒𝑉, y depende de las propiedades
individuales de los conductores. En la tabla I presentamos una tabla
con los valores de la función de trabajo de algunos metales.
Teoría de Drude-Lorentz
En el siglo XIX Drude propuso y posteriormente Lorentz perfeccionó la teoría clásica de conducción
en metales en la cual los electrones de conducción en el metal se consideraron como un gas ideal de
las partículas, las cuales en los intervalos entre las colisiones entre sí o con los iones de la red cristalina
se mueven en completa libertad recorriendo en promedio cierta distancia 𝜆, llamada el promedio del
recorrido libre. Estas colisiones hacen que se establezca el equilibrio térmico entre gas electrónico y
la red cristalina (se igualan sus temperaturas). El tiempo promedio 𝜏, necesario para realizar el
recorrido libre calculado como 𝜏 = 𝜆⁄〈v〉 v se llama el tiempo de relajamiento de electrones de
conducción.
Cuando se conecta el campo al movimiento térmico caótico que se efectúa con la velocidad promedio
v (la cual es de orden 100km/s, como hemos visto anteriormente), se superpone el movimiento
ordenado de los electrones con una velocidad promedia 〈𝑢〉 llamada velocidad de deriva o arrastre.
La dirección de este movimiento ordenado coincide estrictamente con la dirección de campo eléctrico
externo y la magnitud de velocidad correspondiente a este movimiento es fácil de calcular partiendo
de la relación entre la densidad de la corriente 𝑗 = 𝐼 ⁄𝑆 (I es la corriente en A, S el área de la sección
transversal de conductor), la concentración n de los electrones y la velocidad de arrastre: 𝑗 = 𝑛𝑒 〈𝑢〉
La densidad de corriente máxima que permiten las normas técnicas para los conductores de cobre es,
aproximadamente de 107 A/m2 =10 A/mm2. Tomando para n el valor 1029m-3 obtenemos:
〈𝑢〉 = 𝑗⁄𝑛𝑒 = 107 ⁄(1029 ∙ 1.6 ∙ 10−19 ) ≈ 10−3 𝑚/𝑠. De este modo, incluso si las densidades de
corriente son muy grandes, la velocidad media de arrastre 〈𝑢〉 es aproximadamente 108 (cien millones)
veces menor que la velocidad media del movimiento térmico 〈v〉. Por eso, al hacer cálculos en los
cuales se necesita una velocidad de electrón resultante o su energía total el aporte de la velocidad de
arrastre se puede despreciar y tener en la cuenta solo el aporte del movimiento térmico. Al contrario
si se analiza un movimiento ordenado, relacionado con la corriente, el aporte del movimiento térmico
se desprecia, ya que esto es un movimiento caótico para el cual todas las direcciones son equivalentes
y ninguna de ellas es preferible.

FECHA
1.3 Modelo clásico de la conductividad
1.3.1. Fenómenos de transporte de masa, calor y carga
La expresión fenómenos de transporte se refiere al estudio sistemático y unificado de la transferencia

de momento, energía, materia, y carga. Hasta ahora hemos analizado un gas de partículas solo en el
estado de equilibrio, es decir, cuando la temperatura y la concentración de partículas en todas partes
son iguales. Este tema es objeto de estudio de la Física Estadística. Cuando a un gas se aplica un campo
externo (eléctrico, magnético, térmico, etc.) el equilibrio se altera y surgen unas transformaciones en
el sistema relacionadas con los flujos de la masa, calor o carga. Los procesos correspondientes se les
llaman fenómenos de transporte y se estudian en la parte de física llamada la Cinética Física. Los
fenómenos de transporte consisten en que hay una transferencia ordenada y dirigida de la masa
(difusión), de la energía interna, llamada calor (conductividad térmica o calorífica) o la carga eléctrica
(conductividad eléctrica). Con esta transferencia ordenada se altera el carácter totalmente caótico del
movimiento de las partículas y la distribución de las velocidades partículas viene dada por la formula
de Maxwell.
La teoría de los fenómenos de transporte, en general, estudia las transferencias que suceden en
diferentes campos, de temperaturas, de concentración, de carga, etc. Un campo es la dependencia de
una magnitud física P del vector de posición 𝑟⃗ en el espacio, 𝑃(𝑟⃗). Esto puede ser, por ejemplo, el
potencial de campo eléctrico 𝜑(𝑟⃗), el campo de temperaturas 𝑇(𝑟⃗), campo de distribución de masa
definido a través de la concentración local de partículas 𝑛(𝑟⃗) o el campo de distribución de carga
𝜌(𝑟⃗) = 𝑑𝑞(𝑟⃗)⁄𝑑𝑣, etc.
En el estado de equilibrio los campos son homogéneos,

es decir, son iguales en todas partes. En el caso cuando el
campo no es homogéneo, estos varían de un punto a otro.
La no homogeneidad del campo se describe a través de
sus gradientes, que son parámetros vectoriales ∇ ⃗⃗𝑃(𝑟⃗) =
{𝜕𝑃⁄𝜕𝑥 , 𝜕𝑃 ⁄𝜕𝑦 , 𝜕𝑃 ⁄𝜕𝑧 } que define la velocidad con
que está variando la magnitud del campo en las tres
direcciones. Por otra parte, para describir los fenómenos
de transporte debemos calcular las densidades de los
flujos 𝑓⃗ en una dirección 𝒏
⃗⃗⃗ (aquí 𝒏
⃗⃗ es un vector unitario)
que definen la cantidad de una magnitud P que atraviesa
Fig. 8 Flujo de campo P
una superficie perpendicular a 𝒏 ⃗⃗ por unidad de tiempo y
por unidad de área:
∆𝑃
𝑓⃗ = ⃗⃗
∙𝒏
∆𝑆 ∙ ∆𝑡
Intuitivamente se entiende que debería existir una relación lineal entre los flujos y los gradientes del
campo, (𝑓⃗𝑃 ∝ ∇ ⃗⃗𝑃), es decir, cuanto mayor es el gradiente mayor debe ser el flujo. Dicha relación
corresponde a las leyes principales de los fenómenos de transporte:
𝑓⃗𝑃 = −𝛼∇ ⃗⃗𝑃 (1.23)

FECHA
Aquí el signo menos muestra que el transporte esta dirigido desde el punto con mayor magnitud del
campo P hacia el punto con menor magnitud del campo P (en la dirección contraria al crecimiento
del campo). El correspondiente coeficiente de proporcionalidad se llama el coeficiente de transporte.
A continuación consideremos por separado los fenómenos de transporte, importantes para la parte de
física del estado sólido: difusión, conductividades térmica y eléctrica.
DIFUSION
Se llama difusión el fenómeno de penetración mutua y mezcla espontánea de las partículas de los
gases, líquidos y sólidos en contacto. La difusión se produce como consecuencia de la desigualdad de
la densidad de la materia en distintas partes de un volumen. Un campo de las densidades describe la
⃗⃗𝜌(𝑟⃗⃗), muestra como cambia
distribución de masa (o concentración) 𝜌(𝑟⃗), mientras que su gradiente ∇
la masa (o concentración) en diferentes direcciones. Cuando la distribución de la materia es
homogénea, el gradiente de la densidad en todas partes es igual a cero. Pero cuando el gradiente es
diferente de cero aparece el transporte de masa desde un punto, donde la densidad es mayor, a otro
donde la densidad es menor, el cual se describe a través de la densidad de flujo de difusión
∆𝜌
𝐽⃗𝑀 = ⃗⃗
∙𝒏
∆𝑆 ∙ ∆𝑡
aquí el subíndice M se refiere a la transferencia de masa.
La relación lineal (1.23) entre el gradiente del campo de la densidad de materia y el flujo de difusión
se llama la ley de Fick:
𝑗⃗𝒑 = −𝐷∇⃗⃗ρ (1.24)
Aquí D es el coeficiente de difusión, que es igual a la densidad del flujo de masa por gradiente unitario
de densidad. Otra forma de la ley de Fick permite utilizar en lugar de la densidad de masa utilizar la
concentración de las partículas n:
𝑗⃗𝒄 = −𝐷∇⃗⃗𝑛 (1.25)
⃗⃗
donde ∇𝑛 es el gradiente de concentración de las partículas y 𝑗⃗𝒄 = ∆𝑛⁄(∆S ∙ ∆t) ∙ 𝒏⃗⃗ es la densidad de
flujo de concertación. Entre la densidad de las partículas de masa m y la concentración n existe una
relación evidente 𝜌 = 𝑚 ∙ 𝑛.
En la teoría clásica de los gases ideales se demuestra que el coeficiente de difusión D esta relacionado
con la velocidad promedio 〈𝑣 〉 de las partículas y el recorrido libre 𝜆(la distancia promedio entre dos
choques consecutivos) a través de la siguiente fórmula:
1
𝐷 = 3 〈𝑣 〉 ∙ 𝜆 (1.26)
Hay que anotar que la ecuación de Fick adquiere una forma más simple cuando el flujo es
unidireccional. Por ejemplo si solo existe el gradiente de concentración en la dirección x, entonces la
ecuación de Fick tiene la forma:
𝑑𝑛
𝑗𝑥 = −𝐷 𝑑𝑥 (1.27)
Aquí 𝑗𝑥 es la densidad de flujo de concentración a lo largo de eje X.

FECHA
CONDUCTIVIDAD CALORÍFICA (TERMOCONDUCTIVIDAD)
La conductividad calorífica se efectúa con la condición de que exista una diferencia de temperaturas
en diferentes partes de un cuerpo, un gas o un líquido formando un campo térmico, 𝑇(𝑟⃗), que describe
⃗⃗𝑇(𝑟⃗) muestra como cambia
la distribución de la temperatura en el espacio, mientras que su gradiente ∇
la temperatura en diferentes direcciones. En condiciones de equilibrio térmico, la temperatura en todas
partes es la misma y el gradiente de temperatura en todas partes es igual a cero. Pero cuando el
gradiente es diferente de cero aparece la transferencia de calor Q definido por la densidad de flujo
térmico de calor
∆𝑄
𝐽⃗𝑄 = ⃗⃗
∙𝒏
∆𝑆 ∙ ∆𝑡
Por ejemplo, si dos partes de un volumen tienen distintas temperaturas, mantenidas por fuentes
externas, las partículas que se encuentran en diferentes partes del volumen tendrán distintas energías
cinéticas medias. En estas condiciones el movimiento térmico caótico de partículas originará un
transporte dirigido de energía en forma de calor. La parte de energía cinética que ceden las partículas
que pasan de las partes calientes del volumen a las partes más frías, en el proceso de las colisiones
entre partículas es mayor que la parte de la energía similar que ceden partículas desde regiones frías.
La relación lineal (1.23) entre el gradiente de campo de temperaturas y el flujo térmico se llama la ley
de Fourier:
⃗⃗𝑇
𝑗⃗𝑄 = −𝐾∇ (1.28)
La magnitud K se llama el coeficiente de conductividad térmica. Numéricamente este coeficiente es

igual a la densidad del flujo térmico de calor por gradiente unitario de temperaturas. El signo menos
en esta ecuación muestra que el transporte esta dirigido desde el punto con mayor temperatura hacia
el punto con menor temperatura T (en la dirección contraria al crecimiento de la temperatura).
De acuerdo con la teoría clásica de los gases el coeficiente de conductividad térmica es:
1
𝐾 = 𝐷 ∙ 𝐶𝑉 ∙ 𝜌 = 〈𝑣 〉 ∙ 𝜆 ∙ 𝐶𝑉 ∙ 𝜌
3
Donde 𝐶𝑉 es el calor especifico a volumen constante y 𝜌 es la densidad del gas.
La ecuación de Fourier adquiere una forma más simple cuando el flujo térmico es unidireccional. Por
ejemplo, si solo existe el gradiente de temperaturas en la dirección x, entonces la ecuación de Fourier
tiene la forma:
𝑑𝑇
𝑗𝑥 = −𝐾 𝑑𝑥 (129)
Aquí 𝑗𝑥 es la densidad de flujo térmico de calor a lo largo de eje X.

FECHA
CONDUCTIVIDAD ELECTRICA (ELECTROCONDUCTIVIDAD)
La conductividad eléctrica se efectúa con la condición de que exista una diferencia de potenciales en
diferentes partes de un conductor con un gas de electrones libres formando un campo eléctrico, que
describe la distribución de los potenciales en el espacio 𝜑(𝑟⃗), mientras que su gradiente ∇𝜑(𝑟⃗) = −𝐸⃗⃗
que esta relacionada con la intensidad de campo eléctrico 𝐸⃗⃗ , muestra cómo cambia el potencial en
cada punto en diferentes direcciones. En condiciones de ausencia de campos eléctricos externos todo
el volumen de conductor es equipotencial y el gradiente del potencial en todas las partes es igual a
cero. Pero cuando el gradiente es diferente de cero aparece la transferencia de carga q definida por la
densidad del flujo eléctrico o la densidad de corriente
∆𝑞
𝐽⃗𝑞 = ⃗⃗
∙𝒏
∆𝑆 ∙ ∆𝑡
Si dos partes del volumen de conductor tienen distintos potenciales, mantenidos por las fuentes
externas, los portadores de carga eléctrica que se encuentran en diferentes partes de volumen en un
movimiento térmico caótico adquieren una velocidad adicional que se llama la velocidad de arrastre
originando un transporte de la carga dirigido desde el punto con el potencial superior hacia otro punto
con el potencial inferior.
La relación lineal (1.23) entre el gradiente del potencial eléctrico y el flujo de carga o densidad de
corriente se llama la ley de Ohm:
⃗⃗𝜑 = 𝜎𝐸⃗⃗
𝑗⃗𝑞 = −𝜎∇ (1.30)
La magnitud s se llama el coeficiente de conductividad eléctrica o simplemente la conductividad.
Numéricamente la conductividad es igual a la densidad de corriente eléctrica por gradiente unitario de
potencial. El signo menos en esta ecuación muestra que el transporte esta dirigido desde el punto con
mayor potencial hacia el punto con menor potencial 𝜑 (en la dirección contraria al crecimiento del
potencial). De acuerdo con la teoría clásica de los gases la conductividad eléctrica como
demostraremos más adelante es:
𝑛𝑒 2 𝜆
𝜎 = 2𝑚〈𝑣〉 (1.31)
donde 𝑛 es la concentración de portadores de carga
Las tres leyes correspondientes a los fenómenos de transporte pueden ser escritos en una forma
diferente. Presentémoslas para el caso de transporte unidireccional a lo largo de eje X en forma de una
tabla

FECHA
Se puede ver de la tabla que el coeficiente de conductividad eléctrica esta relacionado tanto con el
coeficiente de difusión como con el coeficiente de conductividad térmica. Estas relaciones las
discutiremos más adelante.
1.3.2. Conducción eléctrica en metales. Leyes de Ohm y de Joule

Partiendo de las ideas sobre un gas de electrones libres
en un conductor, P. Drude creó la teoría clásica de
metales, que mas tarde fue perfeccionada por H. A.
Lorente. Drude supuso que los electrones de
conducción se comportan en el metal de un modo
semejante a las moléculas de un gas ideal. En los
intervalos entre las colisiones se mueven en completa
libertad recorriendo en promedio cierto espacio 𝜆. Es
cierto que, a diferencia de las moléculas del gas, cuyo
recorrido está determinado por las colisiones entre sí,
los electrones chocan principalmente no unos con
otros, sino con los iones que forman la red cristalina
del metal. Estos choques hacen que se establezca el Fig. 9 Postulados del modelo de Drude-Lorentz
equilibrio térmico entre el gas electrónico y la red
cristalina.
Suponiendo que al gas electrónico se pueden extender los resultados de la teoría cinética de los gases,
se puede evaluar la velocidad media del movimiento térmico de los electrones para la temperatura
ambiente usando la formula deducida anteriormente para un gas clásico de partículas:
〈𝑣 〉 = √8𝑘𝐵 𝑇 ⁄𝜋𝑚 ≈ √8 ∙ 1.38 × 10−23 ∙ 300⁄3.14 ∙ 9.1 × 10−31 ≈ 1.08 × 105 𝑚⁄𝑠 = 108 𝑘𝑚⁄𝑠
Cuando se conecta el campo, al movimiento térmico caótico, que se efectúa con velocidad 〈𝑣⃗ 〉 se
superpone el movimiento ordenado de los electrones, con cierta velocidad media 〈𝑢 ⃗⃗ 〉, que en adelante
la llamaremos la velocidad de arrastre o de deriva. La magnitud de esta última velocidad es fácil de
evaluar partiendo de la fórmula que relaciona esta velocidad con la concentración de los portadores de
carga y la densidad de la corriente eléctrica:
𝑗⃗ = 𝑛 ∙ 𝑒 ∙ 〈𝑢
⃗⃗〉 (1.32)
La demostración de esta fórmula se puede realizar con la ayuda

del esquema presentado en de la derecha (fig. 10) donde se ve
que el número total de electrones que atravesarán el área S
durante el tiempo t coincide con el número de electrones que
están dentro un paralelepípedo con arista lateral de longitud u
t, donde u es la velocidad de arrastre. Solo los electrones que
están dentro de este paralelepípedo alcanzarán a llegar hasta la
pared durante el tiempo t y su número total es igual a 𝑛 ∙ 𝑉 =
𝑛 ∙ 𝑆 ∙ 〈 𝑢〉 ∙ 𝑡, y la carga eléctrica que atravesará esta pared es Fig. 10 Cálculo del flujo eléctrico

FECHA
igual a 𝑞 = 𝑒 ∙ 𝑛 ∙ 𝑆 ∙ 〈 𝑢〉 ∙ 𝑡 y por eso la densidad de la corriente se calcula como 𝑗 = 𝑞⁄(𝑆 ∙ 𝑡) =
𝑛 ∙ 𝑒 ∙ 〈 𝑢〉 .
La fórmula (1.32) nos permite estimar aproximadamente el valor razonable de las velocidades de
arrastre. La densidad de corriente máxima que permiten las normas técnicas para los conductores de
cobre es, aproximadamente, do 107 A/m2 (10A/mm2). Tomando para n el valor 1029m-3, obtenemos
𝑗 107
〈 𝑢〉 = ≈ ≈ 6 × 10−4 𝑚⁄𝑠 = 0.06 𝑐𝑚⁄𝑠
𝑒 ∙ 𝑛 1.6 × 10−19 ∙ 1029
De este modo, incluso si las densidades de corriente son muy grandes, la velocidad media del
movimiento ordenado de las cargas 〈𝑢〉 es aproximadamente 108 veces menor que la velocidad media
del movimiento térmico 〈𝑣〉 . Por eso, al hacer los cálculos, el módulo de la velocidad resultante
|𝑣⃗ + 𝑢
⃗⃗| se puede sustituir por el módulo de la velocidad del movimiento térmico |𝑣⃗ |.
Hallemos la variación del valor medio de la energía cinética de los electrones producido por el campo.
El cuadrado medio de la velocidad resultante es 〈(𝑣⃗ + 𝑢 ⃗⃗)2 〉 = 〈𝑣⃗ 2 〉 + 2〈𝑣⃗ ∙ 𝑢⃗⃗〉 + 〈𝑢⃗⃗2 〉. Dos sucesos,
consistentes en que la velocidad del movimiento térmico del electrón toma el valor 𝑣⃗ y la velocidad
del movimiento ordenado, el valor 𝑢 ⃗⃗ son independientes estadísticamente. Por lo tanto, de acuerdo
con el teorema de la multiplicación de probabilidades 〈𝑣⃗ ∙ 𝑢 ⃗⃗〉 = 〈𝑣⃗ 〉 ∙ 〈𝑢
⃗⃗ 〉. Pero 〈𝑣⃗ 〉 es igual a cero, de
manera que el segundo sumando en la formula anterior desaparece y la fórmula adquiere la forma
⃗⃗)2 〉 = 〈𝑣⃗ 2〉 + 〈𝑢
〈(𝑣⃗ + 𝑢 ⃗⃗2 〉. De aquí se infiere que el movimiento ordenado aumenta la energía cinética
de los electrones en un valor medio de
⃗⃗2 〉
𝑚 〈𝑢
〈∆𝐸𝑘 〉 = (1.33)
2
Drude consideró que al chocar un electrón con un ión de la red cristalina, la energía adicional (1.33)
adquirida por el electrón bajo la influencia de campo eléctrico 𝛦⃗⃗ externo se transmite al ión y, por
consiguiente, la velocidad 𝑢⃗⃗ se pierde a consecuencia del choque. Supongamos que el campo que
acelera los electrones es homogéneo. Entonces, bajo la acción de este campo, el electrón recibe una
aceleración constante igual a 𝑎⃗ = 𝐹⃗ / 𝑚 = 𝑒 ∙ 𝛦⃗⃗ / 𝑚 y al final del recorrido libre la velocidad del
movimiento ordenado alcanza en promedio el valor
𝑢𝑚𝑎𝑥 = 𝑎 ∙ 𝑡 = 𝑒 ∙ 𝛦⃗⃗ ∙ 𝑡 / 𝑚 (1.34)
donde t es el tiempo medio entre dos choques consecutivos del electrón con los iones de la red, se
llama el tiempo medio de recorrido libre o el tiempo de relajamiento. Drude no tenía en cuenta lo
distribución de los electrones por velocidades y atribuía a todos ellos un mismo valor 〈𝑣〉 de la
velocidad. En esta aproximación
𝜆
𝑡 = 〈𝑣〉 (1.35)
(Recordamos que 〈𝑣⃗ + 𝑢 ⃗⃗〉 es prácticamente igual a 〈𝑣⃗〉). Sustituyendo este valor en la formula (1.35)
y teniendo en cuenta que la velocidad de arrastre crece linealmente durante el tiempo que dura el
recorrido libre encontraremos su valor medio que es igual a la mitad del máximo:

FECHA
1 𝑒 ∙ 𝐸⃗⃗ ∙ 𝜆
〈𝑢 〉 =
𝑢𝑚𝑎𝑥 =
2 2𝑚 ∙ 〈𝑣 〉
La sustitución de esta expresión en la fórmula (1.32), da
𝑛∙𝑒 2 ∙𝜆
𝑗⃗ = 2𝑚∙〈𝑣〉 𝐸⃗⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗ (1.36)
Donde se observa que la densidad de corriente resulta ser proporcional a la intensidad del campo. Por
lo tanto, hemos llegado a la ley de Ohm, donde el coeficiente de proporcionalidad entre la densidad
de la corriente y campo eléctrico se llama la conductividad
𝑛∙𝑒 2 ∙𝜆
𝜎 = 2𝑚∙〈𝑣〉 (1.37)
Si los electrones no chocaran con los iones de la red, la longitud del recorrido libre, y por consiguiente,
la conductividad, serían magnitudes infinitas. De este modo, de acuerdo con las ideas clásicas, la
resistencia eléctrica de los metales se debe a las colisiones de los electrones libres con los iones que
se encuentran en los nodos de la red cristalina del metal. Al final del recorrido libre el electrón adquiere
una energía cinética adicional, cuyo valor medio es
2
𝑚𝑢𝑚𝑎𝑥 𝑒 2 ∙𝜏2
〈∆𝜀𝑘 〉 = = 𝐸2 (1.38)
2 2𝑚
Al chocar con un ión, el electrón, transmite toda la energía adicional que ha adquirido a la red
cristalina. Esta energía se invierte en el aumento de la energía interna del metal y se manifiesta en su
calentamiento. Cada electrón sufre en promedio cada segundo 1⁄𝜏 = 〈𝑣 〉⁄𝜆 𝑙 colisiones y cada vez
le comunica a la red la energía (1.38). Por lo tanto, el calor que se desprende por unidad de volumen
y por unidad de tiempo, es
𝑛 〈∆𝜀𝑘 〉 𝑛𝑒 2 ∙𝜏 𝑛𝑒 2 𝜆
𝑄𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑖𝑓𝑖𝑐𝑜 = = 𝐸 2 = 2𝑚〈𝑣〉 𝐸 2 = 𝜎𝐸 2 (1.39)
𝜏 2𝑚
(aquí n es el número de electrones de conducción por unidad de volumen).
La magnitud Qespecifico no es más que la potencia térmica específica (magnitud de calor producida por
unidad de volumen y por unidad del tiempo) y la formula (1.39) expresa la ley de Joule-Lenz. Se ve
que la potencia térmica específica depende de la intensidad de campo eléctrico en forma cuadrática a
diferencia con la ley de Ohm, donde esta dependencia es lineal, pero el coeficiente de proporcionalidad
es el mismo, en ambos casos el coeficiente de conductividad 𝜎.
Al final de esta sección recordaremos la relación de las formulas (1.36), 81.37) y (1.39) para sistemas
microscópicos con las leyes correspondientes en forma macroscópica. La ley de Ohm en la forma
macroscópica que relaciona la corriente I, la diferencia potenciales V y la resistencia R:
I =V/R . Si aplicaremos esta ley a un alambre de la longitud L con una sección transversal de área S
entonces, en la ley de Ohm podemos hacer las sustituciones: 𝐼 = 𝑗 ∙ 𝑆 y 𝑉 = 𝛦 𝐿 y obtener:
1 1 𝑅𝑆 𝜌𝐿 1 𝐿
𝑗⃗ = 𝑅𝑆⁄𝐿 𝐸⃗⃗ = 𝜌 𝐸⃗⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗ ; 𝜌= ; 𝑅= , 𝜎 = 𝜌 = 𝑅𝑆 (1.40)
𝐿 𝑆
Aquí 𝜌 es la resistividad (valor inverso a la conductividad) una característica de cada material, entre
mayor sea la resistividad, peor es el conductor, y la formulas (1.40) muestran las relaciones entre las
características micro- y macroscópicas.

FECHA
La ley de Joule en forma macroscópica relación el calor Q emitido por un conductor cuando por este
circula una corriente I durante un tiempo t y es igual a Q = I 2R t. Teniendo en cuenta que en esta
fórmula Q = Qespecifico V t, esta fórmula macroscópica se reduce a su forma microscópica (1.39).
1.3.3 Coeficiente de termo conductividad. Ley de Wiedemann-Franz

Por experiencia sabemos que además de su alta conductividad eléctrica, los metales se caracterizan
por su gran conductividad térmica. En 1853, G. Wiedemann y R. Franz establecieron una ley empírica
según la cual la razón del coeficiente de la conductividad térmica K al coeficiente de conductividad
eléctrica 𝝈 es aproximadamente la misma para todos los metales y varía proporcionalmente a la
temperatura absoluta. Por ejemplo, para el aluminio a la temperatura ambiente esta razón es igual a
5,8×10-6, para el cobre, 6,4×10-6 y para el plomo 7×10-6 𝐽 ∙ Ω⁄𝑠 ∙ 𝐾 . También tienen capacidad para
conducir el calor los cristales no metálicos. Pero la conductividad térmica de los metales es mucho
mayor que la de los dieléctricos. De esto se sigue que la transmisión del calor en los metales la
efectúan, principalmente, no la red cristalina, sino los electrones libres. Considerando estos electrones
como un gas monoatómico se puede tomar para el coeficiente de conductividad la expresión de la
energía cinética de los gases:
1 1
𝐾 = 𝐷 ∙ 𝐶𝑉 ∙ 𝜌 = 〈𝑣 〉 ∙ 𝜆 ∙ 𝐶𝑉 ∙ 𝜌 = 𝑛 ∙ 𝑚 ∙ 〈𝑣 〉 ∙ 𝜆 ∙ 𝐶𝑉
3 3
El calor específico de un gas monoatómico es 𝐶𝑉 = 3𝑘 ⁄2𝑚 . Sustituyendo este valor en la expresión
de K, obtenemos
1
𝐾 = 2 𝑛 ∙ 𝑘 ∙ 〈𝑣〉 ∙ 𝜆 (1.41)
Dividiendo K por la expresión (1.31) de 𝜎 y utilizando luego la aproximación 𝑚〈𝑣 〉2 ≈ 𝑚〈𝑣 2〉 = 3𝑘𝑇,
llegamos a la relación que expresa la ley de Wiedemann-Franz:
𝐾 𝑘 2
= 3( ) 𝑇 (1.42)
𝜎 𝑒
de donde al sustituir los valores de k y e, se obtiene:
𝐾
= 2.23 × 10−8 𝑇
𝜎 −6
Con T=300° K se obtiene para 𝐾 ⁄𝜎 = 6.7 × 10 𝐽 ∙ Ω⁄𝑠 ∙ 𝐾, que concuerda bien con los datos
experimentales (véanse los valores 𝐾 ⁄𝜎 citados anteriormente para el Al, Cu y Pb). Sin embargo, más
tarde se aclaró que esta coincidencia tan buena fue casual, ya que cuando Lorentz precisó los cálculos,
tomando en consideración la distribución de los electrones por velocidades, el factor tres en la formula
(1.42) se reemplazo por dos, que concuerda peor con los dato experimentales.
Se puede también de manera similar establecer la relación entre los coeficientes de conductividad y
de difusión. En realidad, utilizando las formulas (1.26) y (1.37) se obtiene:
𝐷 2 𝑚 ∙ 〈𝑣〉2 2 𝑚 ∙ 〈𝑣 2 〉 𝑘𝑇
= ≈ = 2
𝜎 3 𝑛𝑒 2 3 𝑛𝑒 2 𝑛𝑒 2

FECHA
Un análisis más riguroso que tiene en cuenta la distribución correcta (de Maxwell) de las velocidades
muestra que el factor dos en esta fórmula sobra y por eso entre 𝜎 y D existe la siguiente relación que
se llama la formula de Einstein:
𝑘𝑇
𝐷 = 𝑛𝑒 2 𝜎 (1.43)
1.3.4 Resistividad de materiales en función de la temperatura.

Así, la teoría clásica pudo explicar las leyes de Ohm y de
Joule y dio una explicación cualitativa de la ley de
Wiedemann-Franz. Pero, al mismo tiempo esta teoría se
encontró con varias dificultades importantes. De ellas, las
principales son dos. De la fórmula (1.37) se infiere que la
resistividad de los metales 𝜌 (es decir, la magnitud recíproca
de 𝜎) debe aumentar como la raíz cuadrada de T. En realidad
analizaremos la fórmula de Drude para la resistividad
2𝑚∙〈𝑣〉
𝜌 = 𝑛∙𝑒 2 ∙𝜆 (1.44) Fig. 11 Resistividad de los metales en
función de la temperatura
No existe ningún fundamento para suponer que en los metales la concentración de los electrones n y
el recorrido libre 𝜆 dependan de alguna manera notable de la temperatura. En cambio, la velocidad del
movimiento térmico es proporcional a la raíz cuadrada de T y por eso 𝜌~√𝑇. Esta conclusión de la
teoría contradice los datos experimentales, según los cuales la resistividad eléctrica de los metales para
temperaturas muy bajas aumenta como función cúbica de la temperatura, 𝜌~𝑇 3 , y después para las
temperaturas más altas a la primera potencia de T, 𝜌~𝑇, como se muestra esquemáticamente en la
figura de la derecha.
A continuación, mediante las formulas y el grafico que se explica la diferencia en el comportamiento

de la resistividad y su dependencias de la temperatura en metales, semiconductores y dieléctricos
Fig. 12 Resistividad de los

semiconductores en función de la
temperatura

FECHA
La segunda dificultad de la teoría clásica consiste en que en los metales el gas electrónico debe aportar
a la capacidad calorífica un valor adicional igual 3nk. Añadiendo esta magnitud a la capacidad
calorífica de la red uno debe tener la capacidad calorífica de los metales aproximadamente dos veces
mayor que de los semiconductores y dieléctricos. Pero, en realidad, la capacidad calorífica de los
métalos no se diferencia apreciablemente de la de los cristales no metálicos. La explicación de este
desacuerdo sólo pudo darla la teoría cuántica de los metales
1.3.5 Conducción térmica. Efectos Peltier y Seebeck y sus aplicaciones

A finales del siglo XVIII, A. Volta observo que entre
dos metales en contacto surge una diferencia de
potenciales llamada el potencial de contacto. El
origen de este salto de potencial puede ser explicado
en el marco de la teoría clásica de metales. Con esta
fin examinemos dos metales con diferentes
concentraciones n1 y n2 de electrones (n1 > n2). Como
en el lugar de contacto los dos metales tienen la misma Fig. 13 Dirección del flujo de difusión y de la
temperatura, la velocidad promedio del movimiento corriente en un contacto de metales con
térmico de los electrones por ambos lados del contacto diferentes concentraciones de electrones (n1 >
será igual. Debido a la diferencia de las n2)
concentraciones de los electrones se produce la difusión de los electrones desde un metal al otro por
medio del movimiento térmico. Durante el tiempo de recorrido libre 𝜏 el número de los electrones que
se transfieren desde el primer metal al segundo es igual a 𝑁1 = 1⁄6 ∙ 𝑛1 ∙ 𝑆 ∙ 𝜆 . Aquí S es el área del
contacto, 𝜆 es el recorrido libre y se tiene en cuenta que durante el tiempo 𝜏 lograrán atravesar el
contacto solo una sexta parte de los electrones que se encuentran en una capa de grosor 𝜆. De manera
similar, el número de los electrones se transfieren durante el mismo tiempo desde el segundo metal
hacia el primero es igual a 𝑁2 = 1⁄6 ∙ 𝑛2 ∙ 𝑆 ∙ 𝜆. Como (n1 > n2) el segundo metal adquiere más
electrones que el primero aparece un flujo de difusión dirigido hacia el segundo metal que se carga
negativamente mientras que el primer metal se carga negativamente. La corriente de difusión en la
capa de contacto es:
∆𝑞 𝑒(𝑁1 − 𝑁2 ) 𝑒𝜆𝑆 𝑒𝑆〈𝑣 〉
𝑖𝑑𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛 = = = (𝑛1 − 𝑛2 ) = (𝑛1 − 𝑛2 )
𝜏 𝜏 6𝜏 6
Una de las consecuencias del proceso de difusión es la formación de una capa doble en la frontera
entre los dos metales (como se puede ver en la Fig.13) con un campo eléctrico dentro de esta capa en
dirección tal que impide el incremento del flujo de difusión, creando una corriente eléctrica en la
dirección contraria a este flujo. El flujo de difusión desde el metal con mayor concentración de
electrones a través del contacto cesará, cuando la diferencia de potenciales dentro la capa doble crearé
una FEM que produzca una corriente eléctrica en dirección contraria igual a la corriente de difusión.
Según la ley de Ohm la diferencia de potenciales en la capa doble Δ𝜑 es igual al producto de la
corriente por la resistencia de las capas en contacto:

FECHA
𝜌1 𝜆 𝜌2𝜆 𝜆 𝜆
𝑅 = 𝑅1 + 𝑅2 = + = 𝜎 𝑆+𝜎
𝑆 𝑆 1 2𝑆
Según la fórmula (1.37) el coeficiente de conductividad
depende de la concentración de electrones, y por eso la
fórmula final para la resistencia del contacto es:
2𝑚〈𝑣〉 1 1
𝑅= ( + )
𝑒 2𝑆 𝑛1 𝑛2 Fig. 14 Cálculo de flujo de difusión en el
contacto entre dos metales
En el estado de equilibrio la corriente eléctrica i debe coincidir con la corriente de difusión y por eso:
𝑚〈𝑣 〉2(𝑛1 − 𝑛2 ) 1 1
Δ𝜑 = 𝑖𝑅 = ( + )
3𝑒 𝑛1 𝑛2
Igual como en los cálculos anteriores utilizaremos la aproximación 𝑚〈𝑣 〉2 ≈ 𝑚〈𝑣 2〉 = 3𝑘𝑇 que nos
permite obtener una formula simple para la diferencia de potencial en el contacto
𝑘𝑇 𝑛1 𝑛
Δ𝜑 = ( − 𝑛2 ) (1.45)
𝑒 𝑛2 1
Se puede ver que la diferencia de potencial en un contacto sólo depende
de la temperatura y la composición de los metales. Entre mayor es la
temperatura del contacto y la diferencia de las concentraciones en los
metales mayor es la diferencia de potencial en el contacto. Con el fin
de aprovechar este efecto primero construyamos un circuito cerrado
compuesto por dos metales y mantengamos la misma temperatura en
todos los puntos del circuito como se muestra Fig. 15. Como los flujos
de la corriente de difusión desde el metal B hacia el metal A (hay que
tener en cuenta que según el convenio la dirección de la corriente es
contraria a la dirección del desplazamiento de los electrones) son
iguales entre sí, resulta que no puede surgir corriente en el circuito, ya
que los saltos de potencial en los dos contactos son iguales y tienen
direcciones contrarias. En este caso la FEM producida por dos
contactos es nula:
𝑘𝑇 𝑛1 𝑛2 𝑘𝑇 𝑛2 𝑛1 Fig. 15 Circuito cerrado de
ℰ = Δ𝜑12 + Δ𝜑21 = ( − )+ ( − )=0 dos metales con igual
𝑒 𝑛2 𝑛1 𝑒 𝑛1 𝑛2 temperatura en los contactos
Otro resultado diferente se obtiene si las temperaturas de las

zonas de contacto son diferentes. Sea, por ejemplo T1 > T2,
como lo muestra la figura 16 entonces la expresión para la
FEM toma la forma:
𝑘 𝑛 𝑛
ℰ = Δ𝜑12 + Δ𝜑21 = 𝑒 (𝑛1 − 𝑛2 ) (𝑇1 − 𝑇2 ) (1.46) Fig. 16 Circuito cerrado de dos metales
2 1 con diferentes temperaturas en los
contactos
Aquí vemos que la FEM no es igual a cero y por esta causa en el circuito surge una corriente
termoeléctrica. Este fenómeno fue descubierto por Thomas Johann Seebeck en 1821 y consiste en la
conversión de un gradiente de temperatura en electricidad. Se crea un voltaje en presencia de una
FECHA
diferencia de temperatura entre dos metales o semiconductores diferentes. La expresión (1.46) se
puede reescribir así:
𝑘 𝑛1 𝑛
ℰ = α(𝑇1 − 𝑇2 ) = 𝛼Δ𝑇 ∴ 𝛼= ( − 𝑛2 ) (1.47)
𝑒 𝑛2 1
Aquí 𝛼 es una magnitud constante que caracteriza las propiedades del

contacto de los dos metales dados, la FEM E se llama la fuerza
termoelectromotriz, o FEM térmica, y Δ𝑇 es la diferencia de
temperaturas entre los dos contactos.
Por analogía, pudiéramos esperar que si por un circuito anterior se hace

pasar la corriente de una fuente externa, entre dos contactos deberá surgir
una diferencia de temperaturas. Semejante fenómeno se observa en los
experimentos y tiene el nombre de efecto Peltier, en honor del científico
quien lo descubrió en el año 1834. Cuando una corriente se hace pasar
por dos metales o semiconductores conectados por dos “junturas de
Peltier”, como lo muestra Fig. 17, la corriente propicia una transferencia
de calor de una juntura a la otra: una se enfría mientras que la otra se Fig. 17 Creación de una
calienta. Una manera para entender cómo es que se produce este efecto diferencia de temperatura en
en una juntura, es notar que cuando los electrones fluyen de una región un circuito cerrado de dos
de alta densidad a una de baja densidad, se expanden (de la manera en metales
que lo hace un gas ideal) y se enfría la región. Cuando una corriente I se
hace pasar por el circuito, el calor se genera en la juntura superior (T2) y es absorbido en la juntura
inferior (T1). A y B indican los materiales diferentes
1.3.6 Efecto de Hall y magnetorresistencia

Si una placa metálica, a lo largo de la cual pasa una
corriente eléctrica continua (a lo largo de eje X), se
sitúa en un campo magnético perpendicular a ella (a
lo largo de eje Z), entre las caras paralelas a la
dirección de la corriente y del campo surge una
diferencia de potencial 𝑈𝐻 = 𝜑1 − 𝜑2 , (Fig. 18).
Este fenómeno fue descubierto por E. H. Hall en
1879 y se denomina efecto Hall o fenómeno
galvanomagnético. La diferencia de potencial de Fig. 18 Placa metálica en la cual se crea un
Hall se determina por la expresión: voltaje Hall
𝑖𝐵𝑅
𝑈𝐻 = 𝐻 (1.48)
𝑑

FECHA
En donde d es el espesor de la placa; i es la
corriente; B es la inducción del campo magnético,
y RH es un coeficiente de proporcionalidad que
recibe el nombre de constante Hall. Este efecto se
explica fácilmente en el marco de la teoría clásica
(modelo Drude-Lorentz).
En ausencia del campo magnético la corriente en

la placa está condicionada por el campo eléctrico
𝐸⃗⃗ (Fig. 19). Los portadores de corriente, es decir, Fig. 19 Placa metálica en la cual se crea un
los electrones, tienen carga negativa, por lo que la voltaje Hall
velocidad de arrastre correspondiente al
movimiento ordenado 𝑢 ⃗⃗ tiene sentido contrario al del vector de densidad de corriente 𝑗⃗. Cuando se
conecta el campo magnético, cada portador resulta sometido a la acción de una fuerza magnética (de
Lorentz) dirigida a lo largo del eje Y cuyo módulo es: 𝐹⃗𝑚 = 𝑒 𝑢 ⃗⃗. Como resultado surge una
⃗⃗ × 𝐵
componente de la velocidad de los electrones dirigida hacia la cara superior (en la figura) de la placa.
Junto en esta cara se produce un exceso de cargas negativas y, respectivamente, junto a la cara inferior,
un exceso de carga positivas. Por consiguiente, aparece un campo eléctrico transversal 𝐸⃗⃗𝐵 adicional.
Cuando la intensidad de este campo alcanza un valor tal que su acción sobre las cargas equilibra la
fuerza de Lorentz, se establece una distribución estacionaria de las cargas en la dirección transversal.
El valor correspondiente de 𝐸⃗⃗𝐻 viene determinado por la condición 𝑒𝐸𝐻 = 𝑒𝑢𝐵. De aquí 𝐸𝐻 = 𝑢𝐵
Para hallar la diferencia de potenciales que surge entre los puntos de las dos superficies de la placa
hay que multiplicar la distancia L entre ellos por la intensidad EH:
𝑈𝐻 = 𝐸𝐻 𝐿 = 𝑢𝐵𝐿 (1.49)
Por otro lado, la velocidad de arrastre correspondiente a la corriente i se calcula como:
𝑗 𝑖
𝑢 = 𝑛𝑒 = 𝑛𝑒𝐿𝑑 (1.50)
Al sustituir (1.50) en (1.49) se obtiene la formula (1.48) con la expresión explícita para coeficiente de
Hall:
1
𝑅𝐻 = 𝑛𝑒 (151)
Midiendo la constante Hall se puede hallar la concentración de portadores de corriente en una muestra
correspondiente. El efecto Hall se observa no sólo en los metales, sino también en los semiconductores,
pudiéndose deducir por el signo del efecto la pertenencia del semiconductor al tipo n o p. Con el efecto
Hall se relaciona otro fenómeno galvanomagnético llamado magnetorresistencia. La
magnetorresistencia es una propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia eléctrica
cuando son sometidos a un campo magnético. Este efecto fue descubierto por William Thomson en el
1857 quien encontró que la resistencia de los metales se incrementa en presencia de un campo
magnético, aunque no fue capaz de aumentar la resistencia en más de un 5% (Hoy en día se llega hasta
el 600%). La teoría clásica explica el pequeño incremento de la resistencia de los conductores,
basándose en la hipótesis de que la trayectoria de los portadores de carga que transfieren la corriente
eléctrica se transforma de rectilínea en una espiral y por eso los portadores para llevar la carga deben
realizar un recorrido más largo.
FECHA
Investigaciones recientes han permitido descubrir materiales que presentan magnetorresistencia
gigante (Giant Magnetoresistance Effect o GMR), magnetorresistencia colosal (Colossal
MagnetoResistance o CMR) y magnetorresistencia de efecto túnel (Tunnel Magnetoresistance Effect
o TMR). Todas estas cosas están su su computadora de mesa, a menos que sea muy antiguo. Los discos
duros utilizan o bien Magnetoresistencia, o bien Magnetoresistencia Gigante. Tanto la MR como la
GMR se basan en el espín de los electrones y por eso forman parte de la espintrónica. Las cabezas
lectoras de los discos duros están compuestas por un sandwich de elementos tal que su resistencia
eléctrica depende del campo magnético. Los “bits” en un disco duro se guardan como un pequeño
imán. La cabeza de lectura magnetoresistiva (MR) tiene una resistencia eléctrica que varía cuando
pasa por encima del “pequeño imán” que es un bit. Por tanto, cuando un bit pasa por debajo de la
cabeza lectora hay una variación de la resistencia que puede detectarse fácilmente.
Bibliografía Recomendada
Los temas tratados en este documento se pueden ampliar o reforzar en los siguientes textos:
[1]. Jaime Rodríguez Lara, Departamento de Física U. N. Notas de Física del estado Sólido,
Programa Ingeniería Electrónica. Capítulo II (Complementos sobre “fundamentos de
cristalografía física”)
[2]. José Rogan, Gonzalo Gutiérrez y Eduardo Menéndez. Apuntes de un curso de Introducción
a la Física de Sólidos, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Chile.
Capítulo 4 (La red cristalina) y Capítulo 5 (La red reciproca)
[3]. P. V. Pavplov. Física del estado Sólido, Editorial Mir Moscú (1987). Capítulo 1 (Estructura de
los cristales y procedimientos para determinarla)
[4]. Sergio M. Rezende, A FÍSICA DE MATERIAIS A DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS,
Departamento de Física, Universidade Federal de Pernambuco (1996). Capítulo 1 (Materiais
para eletrônica)
[5]. Jaime Rodríguez Lara, Departamento de Física U. N. Notas de Física del estado Sólido,
Programa Ingeniería Electrónica. Capítulo III (Estados electrónicos en sólidos)
[6]. José Rogan, Gonzalo Gutiérrez y Eduardo Menéndez. Apuntes de un curso de Introducción
a la Física de Sólidos, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Chile.
Capítulo 1 (Modelo de Drude de los metales), Capítulo 2 (Teoría de Sommerfeld de los metales)
y Capítulo 3 (Fallas del modelo de electrón libre)
Lecturas Complementarías
[7]. Jasprit Singh; Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures,
Cambridge University Press (2003). Chapter 1 (Structural Properties of Semiconductors,
Seccion 1.3)
[8]. Jan G. Korvink and Andreas Greiner; Semiconductors for Micro- and Nanotechnology: An
Introduction for Engineers, WILEY-VCH Verlag GmbH, Weinheim (2002). Chapter 2 (The
Crystal Lattice System)

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0122 Programacion Java y Netbeans

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UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

ASIGNATURA: FISICA DEL ESTADO SOLIDO

NOCIONES CLASICAS DE MATERIA CONDENSADA

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1.1.1 Clasificación de los cristales

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Fig.1.4 Posibles sistemas cristalográficas bidimensionales

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1. Sistema triclínico). Para él es característico que 𝑎 ≠ 𝑏 ≠ 𝑐; 𝛼 ≠ 𝛽 ≠ 𝛾. La celda elemental es un

Tabla 1.1: Los siete sistemas cristalinos

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Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

1.1.2 Tipos de enlaces: Iónico, Metálico, Covalente y Molecular

Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

Tabla 1.3 Parámetros de redes cristalinas con enlaces metálicos

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1.1.3 Defectos en los cristales

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1.1.4 Índices de dirección e índices de Miller

Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

Índices de Miller para los Planos Cristalográficos:

Ejemplos de índices de Millar para los planos cristalográficos

2. Determine los índices de Miller para el plano mostrado en la figura de la

3. Considere la estructura cubica centrada en el cuerpo y el plano

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Haciendo un esquema bidimensional como el que se muestra en

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Apéndice Matemático. Nociones generales de probabilidades y distribuciones.

Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

El valor promedio de la variable aleatoria discreta se define como:

Varianza o Dispersión D, es un valor promedio de la desviación cuadrática

El valor promedio de la energía es:

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La energía promedio es:

Una variable aleatoria X es continúa si su conjunto de posibles valores es todo un intervalo de

La Función de densidad de probabilidad 𝑓(𝑥) matemáticamente se define como la derivada de la

Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

Las propiedades de la densidad de probabilidad son las

Elaborado por: Cra 32 N° 22 – 08 Sector San Pedro Alejandrino DOCUMENTO Nº 1

Ejemplo 4. Dada la densidad de distribución para las energías

Carácter del movimiento térmico de las partículas en un gas.

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1.2.2. Distribución de Boltzmann

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𝐴𝑃 (𝑧 + 𝑑𝑧) − 𝐴𝑃(𝑧) + 𝑁𝑚g = 0

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Solución: La altura promedia se encuentra como

En la Fig. 4 se muestra como se transforma la distribución de

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𝑓 (𝐸) = 𝐶 ∙ g(E)𝑒𝑥𝑝(− 𝐸 ⁄𝑘𝐵 𝑇) (1.13)

El parámetro C es llamado la constante de normalización y se escoge de tal manera que:

Ejemplo 6. Calcularemos la energía promedio de un gas ideal clásico en un espacio de D dimensiones,

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Finalmente, la densidad de distribución de velocidades en un gas ideal en un espacio de D dimensiones

𝑓 (v) = (𝑚⁄2𝑘𝐵 𝑇)3⁄2 4𝜋v 2 𝑒𝑥𝑝(− 𝑚v2 ⁄2𝑘𝐵 𝑇 ) (1.16)

La expresión (1.16) se llama LA LEY DE DISTRIBUCION DE MAXWELL que define la densidad de

Solución. Para los electrones se tendría que:

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𝑓 (v) ≈ 12.57(1.05 × 10−8 ⁄𝑇)3⁄2 v2 𝑒𝑥𝑝(− 3.3 × 10−8 v 2 ⁄𝑇 )

v𝑝 : 〈v〉: v𝑚𝑐 = √2: √8⁄𝜋 : √3 ≈ 1: 1.13: 1.22 (1.20)

1.2.4. Capacidad calorífica de los cristales. Ley de Dulong-Petit