Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
TRANZISTORUL BIPOLAR
a) b)
1
Efectul de tranzistor se bazează pe cuplarea electrică a celor două
joncţiuni BE şi BC, care trebuie să satisfacă două condiţii:
— emitorul să fie puternic dopat (joncţiunea BE este de tipul n + p pentru
un tranzistor npn);
— baza să fie subţire în comparaţie cu lungimea de difuzie a electronilor
din emitor pentru un tranzistor npn, astfel încât practic tot fluxul de electroni să
ajungă în regiunea de sarcină spaţială a colectorului. Condiţia este similară pentru
golurile din emitorul TB de tip pnp.
Notă: Dacă baza este prea groasă efectul tranzistor dispare şi rămân două
diode semiconductoare independente conectate în antiserie.
2
⎛ qv BC ⎞
⎜ kT ⎟
I CS ⎜ e − 1 ⎟ – ecuaţia joncţiunii (curentul joncţiunii) BC
⎜ ⎟
⎝ ⎠
α F – coeficient care indică procentul din curentul de emitor
(curentul joncţiunii BE) datorat tensiunii v care se închide prin colector. α F
BE
se numeşte factor de amplificare direct de la emitor la colector (α F ≅ 1);
α R – coeficient care indică procentul din curentul de colector
(curentul joncţiunii BC) datorat tensiunii v ce se închide prin emitor. α R se
BC
numeşte factor de amplificare invers de la colector spre emitor (α R < 1).
Semnul minus din faţa curentului joncţiunii BC se datorează faptului că la
această joncţiune curentul are sensul invers decât la joncţiunea pn.
Pornind de la relaţiile (3.2.1) şi (3.2.2) se obţine:
⎛ qv BC ⎞
⎜ kT ⎟
iC = α F iE − I CB0 ⎜ e − 1⎟ (3.2.4)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
unde I CB0 este curentul rezidual de colector cu emitorul în gol (curentul
de saturaţie al joncţiunii colector-bază) şi are expresia:
I CB0 = (1 − α F α R )I CS (3.2.5)
În mod analog:
⎛ qvBE ⎞
⎜ kT ⎟
i E = α R iC + I EB0 ⎜ e − 1⎟ (3.2.6)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
unde I EB0 este curentul rezidual de emitor cu colectorul în gol (curent de
saturaţie al joncţiunii BE) şi are expresia:
I EB0 = (1 − α F α R )I ES (3.2.7)
În relaţia (3.2.4) se înlocuieşte i E = iC + i B şi se obţine:
⎛ qv BC ⎞
αF 1 ⎜ kT ⎟
iC = iB − I CB0 ⎜ e − 1⎟ (3.2.8)
1 −αF 1 −αF ⎜ ⎟
⎝ ⎠
Se notează prin β F factorul de amplificare în curent de la bază la colector
şi avem:
αF
βF = (3.2.9)
1−αF
şi
3
1
βF + 1= (3.2.10)
1 −αF
unde α F este factorul de amplificare în curent de la emitor la colector şi
are valori tipice în gama (0.99; 0.998) pentru tranzistoare cu siliciu. Factorul de
amplificare în curent de la bază la colector β F are valori tipice în gama (100;
400) pentru tranzistoare cu siliciu.
Utilizând relaţiile (3.2.9) şi (3.2.10), relaţia (3.2.8) devine:
⎛ qv BC ⎞
⎜ kT ⎟
iC = β F iB − (β F + 1)I CB0 ⎜ e − 1⎟ (3.2.11)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Se notează I CE 0 curentul rezidual de colector cu baza în gol, care are
expresia:
I CE 0 = (β F + 1)I CB0 (3.2.12)
Ţinând cont de (3.2.12), relaţia (3.2.11) devine:
⎛ qv BC ⎞
⎜ kT ⎟
iC = β F iB − I CE 0 ⎜ e − 1⎟ (3.2.13)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
4
3.3. Regimuri de funcţionare
Tranzistorul bipolar poate funcţiona atât în conexiune normală cât şi în
conexiune inversă (se inversează C cu E). În fiecare dintre aceste conexiuni avem
trei regimuri de funcţionare, anume: blocat, saturat şi regim activ (regiunea
activă). În continuare se vor defini aceste regimuri pentru tranzistorul npn.
a) b)
c) d)
Atunci când tranzistorul are cuplată o rezistenţă între bază şi emitor, acesta
este parcurs de un curent rezidual I CER mai mare decât I CES obţinut pentru
v BE = 0 şi mai mic decât I CE 0 obţinut pentru i B = 0 . Blocarea tranzistorului
făcând scurtcircuit între bază şi emitor este greu de realizat în practică, iar blocarea
5
lăsând baza în gol este dezavantajoasă. De aceea, dintre cele trei situaţii prezentate
anterior, blocarea tranzistorului conectând o rezistenţă de dorit cât mai mică între
bază şi emitor este cel mai uşor de realizat în practică şi, de aceea, este cel mai
des utilizată. Cand joncţiunea bază–emitor polarizată invers curentul rezidual prin
tranzistor este cel mai mic.
Deci :
I CEE < I CES < I CER < I CE 0 (3.3.1)
6
Aplicatie: Se consideră circuitul din fig. 3.3.2, realizat cu un tranzistor
bipolar din siliciu, de tip npn , care funcţionează în regim saturat..
Fig. 3.3.2
Se dau:
EC = 15V ; EB = 5V ; RL = 1,5kΩ , VBEsat = 0 ,7V ;
VBCsat = 0,55V şi β F = 200.
Să se calculeze:
a) căderea de tensiune colector–emitor la saturaţie, VCEsat ;
b) curentul de colector I C ;
c) valoarea rezistenţei R B pentru care curentul I B are o valoare de
10 ori mai mare decât valoarea corespunzătoare funcţionării în RAN.
Rezolvare:
a) Căderea de tensiune colector-emitor la saturaţie este:
VCEsat = VBEsat − VBCsat
Pentru VBCsat = 0 ,55V şi VBEsat = 0 ,7 V se obţine
VCEsat = 0,15V
b) Pe circuitul din fig. 3.3.2 pentru tranzistor saturat, se poate scrie:
EC = RL I C + VCEsat
E − VCEsat
IC = C
RL
Neglijând VCEsat (0,15V) faţă de EC (15V), curentul de colector este:
I C ≅ EC / R L , determinat de elementele exterioare tranzistorului.
7
15
IC ≅ = 10 mA
3
1,5 ⋅ 10
c) Valoarea curentului I B0 corespunzătoare funcţionării în RAN se
obţine din relaţia :
I C 10 ⋅ 10 − 3
I B0 = = = 0 ,05 mA
βF 200
Din relaţia (3.2.13) rezultă I C << β F I B , deci I B >> I C / β F ,
relaţie care reprezintă condiţia de saturaţie pentru curentul de bază I B .
Valoarea lui I B conform enunţului este: I B =10 I B0 , adică
I B = 10 ⋅ 0 ,05 ⋅10 − 3 = 0 ,5mA. Această valoare satisface condiţia de saturaţie
I B >> I C / β F (0 ,5 >> 10 / 200 = 0 ,05 mA).
Pe circuitul de intrare, se scrie ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni:
EB = RB I B + VBEsat
E − VBEsat 5 − 0 ,7
RB = B = = 8 ,6 kΩ
IB − 3
0 ,5 ⋅ 10
8
3.3.4. Regiunea activă inversă
Regiunea activă inversă (RAI) este definită de condiţiile:
v BE < 0 şi v BC > 0
Ţinând cont că v BE >> kT / q şi v BC >> kT / q şi punând aceste
condiţii în ecuaţia (3.2.6), se obţine:
i E ≅ α R iC (3.3.7)
în care s-a neglijat curentul rezidual I EB0 dat de relaţia (3.2.7).
' şi
Dacă notăm i E = iC iC = i'E , relaţia (3.3.7) devine:
'
iC = α R i'E (3.3.7)
În relaţia (3.3.7), înlocuind i'E = i'B + iC
' , se obţine:
• Regimuri de funcţionare
Regim Joncțiune Joncțiune Obs.
de BE (VBE) BC (VBC)
funcționare
Blocat VBE<0 VBC<0 IB=0 sau VBE=0
Saturat VBE>0 VBC>0 IB>> IC/β
RAN VBE>0 VBC<0 IC = β F IB , IC = α F IE
RAI VBE<0 VBC>0 I`C= βR IB, I`C= αR I`E
RAN = Regim activ normal,
RAI = Regim activ invers
9
3.4 Conexiunile fundamentale ale tranzistorului
a)
b) c)
10
3.5. Caracteristici statice
11
3.5.2. Caracteristicile statice de ieşire în conexiunea emitor comun
Caracteristica de ieşire: iC = iC (vCE ) pentru i B = I B = ct . (cea mai
utilizată dintre caracteristici) este arătată în fig. 3.5.2.
12
3.6. Polarizarea tranzistorului bipolar
a) b)
13
Pentru determinarea PSF al tranzistorului, de obicei se alege V BE , care este
aproximativ constantă şi se determină I B , I C şi VCE .
Grafic, PSF se determină din intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica
de ieşire a tranzistorului pentru o valoare dată a curentului de bază I B , aşa cum
se vede în fig. 3.6.1 b), când I B = I B 2 .
Rezolvare:
Aplicând teorema lui
Thévenin, circuitul din fig.3.6.2,
devine cel din fig. 3.6.3 , unde:
R2
EB = EC
R1 + R2
şi
R1 R2
R B = R1 // R2 =
R1 + R2 Fig. 3.6.3. Circuitul echivalent
dupa aplicarea teoremei lui
Thevenin
15
Pe circuitul din fig. 3.6.3 unde se consideră I E ≅ I C și se pot scrie
relaţiile:
EC = (RC + RE )I C + VCE (3.6.7)
IC = β F I B (3.6.8)
EB = RB I B + VBE + RE I C (3.6.9)
Relaţia (3.6.9) se mai scrie:
R2 R R I
EC = 1 2 ⋅ C + VBE + RE I C (3.6.10)
R1 + R2 R1 + R2 β F
Din relaţia (3.6.10) se deduce expresia lui I C :
R2
⋅ EC − V BE
R1 + R2
IC = (3.6.11)
1 R R
RE + ⋅ 1 2 ⋅
β F R1 + R2
Introducând datele numerice în relaţia (3.6.11), rezultă:
18
⋅ 15 − 0 ,6
IC = 57 + 18 ⋅ 10 − 3 ≅ 5 ,5 mA
1 18 ⋅ 57
0 ,5 + ⋅
300 18 + 57
Din relaţiile (3.6.8) şi (3.6.7) se obţin I B şi respectiv VCE :
IC 5 ,5 ⋅ 10 − 3
IB = = ≅ 18 ,3 µA
βF 300
VCE = EC − (RC + RE )I C = 15 − (1 + 0 ,5)⋅10 3⋅ 5,5⋅10 −3= 6 ,75V
Tranzistorul funcţionează în RAN dacă V BE > 0 şi VBC < 0 .
În cazul nostru,
VBE = 0 ,6 V > 0
VBC = VBE − VCE = 0 ,6 − 6 ,75 = −6 ,15V < 0 ,
16
Aplicatia 3. Se consideră circuitul de polarizare cu două surse de
alimentare prezentat în fig. 3.6.4..
Să se determine PSF când se dau:
β F = 250; EC = EE = 12V ; VBE = 0,6 V ; RC = 1,3 kΩ ; RE = 2 kΩ ;
Să se verifice că tranzistorul funcţionează în RAN.
Rezolvare:
Pentru circuitul din fig. 3.6.4 se poate scrie sistemul:
IC ≅ I E = β F I B (3.6.12)
V BE + R E I C = E E (3.6.13)
(RC + R E )I C + VCE = E E + EC (3.6.14)
17
VCB = VCE − VBE = 5,19 − 0 ,6 = 4,59 V
VBC = −VCB = −4 ,59 V , deci tranzistorul funcţionează în RAN.
Relaţiile (3.7.2) şi (3.7.3) arată că panta g m este cu atât mai mare cu cât
curentul de colector I C în PSF este mai mare.
Rezistenţa de ieşire r0 este dată de relaţia:
unde η este o constantă care are valoarea cuprinsă între 10–5 şi 10–3.
Valoarea pantei pentru tranzistorul bipolar este mult mai mare decât
valoarea pantei tranzistorului cu efect de câmp, acesta fiind principalul avantaj al
TB faţă de TEC.
Rezistenţa de intrare rπ a tranzistorului bipolar, care are valori tipice în
gama (1kΩ ; 2kΩ ) , este mult mai mică decât rezistenţa de intrare a tranzistoarelor
( )
cu efect de câmp care are valori tipice în gama 10 6 kΩ ; 107 kΩ , acesta fiind un
dezavantaj al TB faţă de TEC.
20
Fig. 3.7.3. Circuitul echivalent cu parametrii h
Identificând circuitul echivalent din fig. 3.7.3 cu cel din fig. 3.7.2 în care se
neglijează rµ şi r0 , rezultă:
hie ≅ rπ (3.7.5)
g m vbe = β 0 ib (3.7.6)
Se înlocuieşte vbe = hieib în relaţia (3.7.6) şi, ţinând cont de relaţia
(3.7.5), rezultă:
g m rπ = β o (3.7.7)
Se înlocuiesc g m şi rπ din relaţiile (3.7.2), respectiv (3.7.1) în relaţia
(3.7.7) şi, ţinând cont că I C / I B = β F , rezultă:
β o ≅ β F = g mrπ (3.7.8)
Relaţia (3.7.8) arată că factorul de amplificare în curent la semnal mic şi
frecvenţe joase şi medii este egal cu factorul de amplificare în curent la semnal
mare de frecvenţă joasă.
Notă: În conexiunea BC parametrii h sunt cei de la conexiunea EC raportaţi
la (β 0 + 1).
Rezolvare:
La T = 290 K , g m = 40 I C = 40 ⋅ 5 ⋅ 10 − 3 = 200 mA / V
Curentul de bază este:
I C 5 ⋅ 10 − 3
IB = = = 25 µ A
βF 200
Pentru rezistenţa rπ avem:
kT 25 ⋅ 10 − 3
rπ = = 6
= 1 kΩ
qI B 25 ⋅ 10 −
Rezolvare:
Calculul parametrilor h în conexiune EC:
Impedanţa de intrare:
kT 25 ⋅ 10 − 3
hie ≅ rπ = = = 1,25 kΩ
qI B 20 ⋅ 10 −6
Factorul de amplificare în curent la semnal mic:
β0 = g m ⋅ rπ = 160 ⋅ 10 − 3 ⋅ 1,25 ⋅ 10 3 = 200
22
La frecvenţe joase şi medii, factorul de amplificare în curent la semnal mic
β 0 , este egal cu factorul de amplificare în curent continuu β F .
Curentul de colector I C este:
I C = β F I B = 200 ⋅ 20 ⋅ 10 −6 = 4 mA
În conexiune BC parametrii h sunt cei de la conexiunea EC raportaţi la
(β0 + 1):
hie 1,25 ⋅ 10 3
hib = = ≅ 6 ,2 Ω
β 0 + 1 200 + 1
β0 200
β 0b = = ≅ 0 ,995 = α 0
β 0 + 1 201
Curentul continuu de colector rămâne acelaşi.
Rezolvare:
Banda de fecvenţă este frecvenţa f β la care β scade cu 3dB şi se
calculează cu relaţia:
1
fβ =
(
2π ⋅ rπ Cπ + C µ ⋅ )
kT 25 ⋅ 10 − 3
unde rπ = = = 2 ,5 kΩ
qI B 10 ⋅ 10 − 6
Deci:
1
fβ =
( )
2π ⋅ 2 ,5 ⋅ 10 3 ⋅ 10 − 9 + 5 ⋅ 10 − 12 ⋅
1
fβ = ≅ 63,66 kHz
3 −9
2π ⋅ 2 ,5 ⋅ 10 ⋅ 10
Frecvenţa de tăiere f T (frecvenţa la care |β |= 1) este dată de relaţia:
fT = β 0 f β
23
IC 4 ⋅ 10 − 3
unde: β 0 = β F = = = 400
I B 10 ⋅ 10 − 6
Deci:
fT = 400 ⋅ 63,66 ⋅ 10 3 = 25 ,464 MHz
Dependenţa de frecvenţă a factorului de amplificare în curent la semnal mic
pentru conexiunea EC este:
β0
β=
f
1+ j
fβ
unde: β 0 = 400; β 0 dB = 20 lg 400 = 20 ⋅ 2 ,6 = 52 dB
Funcţia de transfer are un pol la f = f β = 63,66 kHz. Pentru un pol
panta de descreştere a caracteristicii este (− 20 dB / dec .).
Caracteristica de frecvenţă este arătată în fig. 3.7.4.
24
3.8. Etaj de amplificare EC
Se consideră etajul de amplificare în conexiune EC cu tranzistor bipolar
din fig.3.8.1 La frecvenţe medii condensatoarele C B , C C şi C E au impedanţe
foarte mici (sunt scurtcircuit), iar condensatoarele interne ale tranzistorului se
neglijează.
Rezolvare:
Pentru etajul de amplificare EC din fig .3.8.1 se obţine circuitul de
curent alternativ din fig. 3.8.2. şi circuitul echivalent de semnal mic din fig. 3.8.3.
Din circuitul echivalent de curent alternativ din fig.3.8.2, rezultă:
R B1 ⋅ R B 2 30 ⋅ 5
RB = = ≅ 4 ,3 kΩ
R B1 + RB 2 30 + 5
Expresia generală a amplificării este:
Vo
Ao = (3.8.1)
Vg
25
Fig. 3.8.2.Circuitul echivalent de c.a.
RB // rπ
Vπ = Vg (3.8.2)
rg + (RB // rπ )
Vo = − g m Vπ ⋅ (RC // RL ) (3.8.3)
Înlocuind relaţia (3.8.2) în (3.8.3) se obţine expresia amplificării
conform relaţiei (3.8.1):
RB // rπ
Ao = − g m ⋅ (RC // RL ) ⋅ (3.8.4)
rg + (RB // rπ )
Pentru rg << (RB // rπ ), expresia (3.8.4) devine:
Ao = − g m ⋅ (RC // RL ) (3.8.5)
Panta g m are expresia:
26
qI C
gm = = 40 I C (3.8.6)
kT
unde I C este curentul de colector în PSF.
Ţinând cont că un condensator este o întrerupere în curent continuu, pentru
etajul de amplificare cu EC din fig. 3.8.1 se obţine circuitul de polarizare cu
divizor de tensiune din fig. 3.8.4a). După aplicarea teoremei lui Thévenin rezultă
circuitul din fig. 3.8.4b), pe care se poate scrie relaţia:
a) b)
Fig. 3.8.4. Circuitul echivalent de c.c. a) schema electrica ; b) circuitul
dupa aplicarea teoremei lui Thevenin.
EB = RB I B + VBE + RE I C (3.8.7)
RB 2 5
unde E B = EC = ⋅ 12 ≅ 1,7 V
R B1 + R B 2 30 + 5
RB = RB1 // RB 2 ≅ 4 ,3 kΩ
Din relaţia (3.8.7):
E B - VBE 1,7 − 0 ,6
IC = = ⋅ 10 − 3 ≅ 6 mA
R 4 ,3
R E + B 0 ,16 +
βF 200
Panta se calculază cu relaţia (3.8.6):
g m = 40 I C = 240 mA / V
27
IC 6 ⋅ 10 − 3
IB = = = 30 µ A
βF 200
Rezistenţa rπ este:
kT 25 ⋅ 10 − 3
rπ = = ≅ 833Ω
qI B 30 ⋅ 10 −6
R ⋅r 4 ,3 ⋅ 0 ,833
R B // rπ = B π = ≅ 0 ,7 kΩ
R B + rπ 4 ,3 + 0 ,833
Ţinând cont de valoarea lui RB // rπ , pentru rg = 1 kΩ calculul
amplificării se face cu relaţia (3.8.4), iar pentru rg = 50 Ω cu relaţia (3.8.5).
Introducând datele numerice în relaţia (3.8.4), rezultă:
⎛ 1⋅ 1 ⎞ 3 0 ,7
A0 = −240 ⋅ 10 − 3 ⋅ ⎜ ⎟ ⋅ 10 ⋅ ≅ −49 ,4
⎝ 1 + 1 ⎠ 1 + 0 ,
7
Din relaţia (3.8.5), pentru rg << RB // rπ , rezultă:
⎛ 1⋅1 ⎞
A0 = −240 ⋅ 10 − 3 ⋅ ⎜ 3
⎟ ⋅ 10 ≅ −120
⎝ 1 + 1⎠
Impedanţa (rezistenţa) de intrare este:
Zi = RB // rπ = 0 ,7 kΩ
Impedanţa (rezistenţa) de ieşire este:
Z o = RC = 1kΩ
28