Semicondutores

Os semicondutores são componentes eletrônicos, fabricados

principalmente com silício, que possuem resistência intermediária
entre condutores e isolantes.

Led: um semicondutor que emite luz

Semicondutores são materiais que possuem condutividade

intermediária, entre condutores e isolantes. Esses pequenos
dispositivos são impactantes na sociedade atual, pois estão
presentes em todos os aparelhos eletrônicos. A maioria dos
semicondutores é composta por silício, porém, o germânio
também pode ser utilizado por possuir propriedades em comum.
São semicondutores o diodo, o LED e o transistor.
Funcionamento
O silício possui quatro elétrons em sua camada de valência e
estabelece quatro ligações com os átomos vizinhos, criando uma
rede cristalina. Como todos os elétrons estabelecem ligações
covalentes, eles não podem se mover, sendo assim, não podem
conduzir corrente elétrica, portanto, quando puro, o silício possui
condutividade próxima de zero. Essa condição pode ser alterada
de duas formas:
  Variando a temperatura: em baixas temperaturas, o silício
apresenta as camadas da banda de valência preenchidas
por elétrons. Conforme se eleva a temperatura, os elétrons
da última camada “libertam-se” de sua ligação, tornando-se
elétrons livres que podem conduzir corrente elétrica.
 Pelo processo de dopagem: consiste na adição de uma
substância diferente do silício, que pode ser denominada
impureza. Com esse processo, é possível controlar a
concentração de portadores de carga e assim modificar as
propriedades elétricas do material.

Tipos de dopagem
A dopagem pode ser de dois tipos: N ou P
Tipo N – São adicionados ao silício átomos de fósforo ou arsênio.
Esses elementos possuem cinco elétrons na sua camada de
valência, porém, ao serem acrescentados à rede cristalina do
silício, não é possível que todos esses elétrons estabeleçam
ligações. Fica, portanto, um elétron livre, que se caracteriza por
possuir carga negativa, por isso a denominação N. Pouca
quantidade dessas impurezas já possibilita a existência de
elétrons livres suficientes para estabelecer corrente elétrica.
Tipo P – as substâncias adicionadas podem ser o bório ou o
gálio. Esses elementos possuem apenas três elementos na
última camada, que, quando se ligam ao átomo de silício, deixam
um “buraco”, ou seja, a falta de um elétron, o que possibilita a
passagem da corrente elétrica. Essa ausência tem a propriedade
de carga positiva, por isso o nome P.
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 CURTIDAS 0

Dopagem Eletrônica
consiste num procedimento de adição de impurezas químicas a um elemento
semicondutor para transformá-lo num elemento mais condutor, porém, de forma controlada.
O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não-
intencionalmente, possui não mais de um átomo de elemento químico estranho para
cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, é
chamado 1 ppb, ou uma parte por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente
par interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estável.

Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um átomo de

elemento químico desejado (ao contrário do estranho) para cada um milhão de átomos
do material escolhido. O teor da impureza é, no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma
parte por milhão.

Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do

que os semicondutores intrínsecos.

Três elementos comuns na dopagem eletrônica são o carbono, o silício e o germânio.

Todos possuem quatro elétrons na camada de valência, o que possibilita que formem
cristais já que compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos, formando estruturas
reticuladas ou cristalinas.

Existem dois tipos de impurezas usadas:

N: ocorre com a adição de fósforo ou arsênico ao silício. Tanto o arsênico quanto o

fósforo possuem cinco elétrons na camada de valência. Ocorrem ligações covalentes
entre quatro elétrons e um deles fica livre, ou seja, é o chamado elétron livre, que ganha
movimento e gera corrente elétrica. O nome N provém da negatividade gerada da carga
negativa existente.

P: nesta dopagem, há adição de boro ou gálio ao silício. Ambos possuem três elétrons
na camada de valência. Quando são adicionados ao silício criam lacunas, que conduzem
corrente e a ausência de um elétron cria uma carga positiva (por isso o nome P).
O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N
ou P conduzem de forma razoável, mas não excelente.

O diodo é o semicondutor mais simples e possibilita que uma corrente flua apenas em
uma direção.

A junção PN é a estrutura fundamental de semicondutores, especialmente diodos e

transistores, geralmente formada com Silício e Germânio e são utilizadas na dopagem
eletrônica de metais puros.

A polarização direta PN do Diodo deverá ser realizada com a conexão do pólo positivo
da bateria ao anodo (P) do diodo e o pólo negativo ao catodo (N).

Na polarização direta, elétrons livres são cedidos à zona N e elétrons da camada de

valência da zona P são atraídos. O diodo polarizado conduz eletricidade.

A polarização inversa PN ocorre se polo negativo da bateria for conectado à P e o pólo

positivo à N.

Embora na polarização inversa não devesse haver condução de corrente pelo diodo, a
temperatura produzida pela lacuna gera a corrente inversa de saturação. Além dessa, há
uma corrente presente na superfície do diodo. É gerada, portanto, a corrente necessária.

O transistor é formado com três camadas (o diodo, como o próprio nome diz, é formado
por duas camadas) usando combinações PNP e NPN.
Diodo semicondutor

Tipos de diodos e uma ponte de diodos na parte inferior. Escala em centímetros

Diodo semicondutor é um elemento ou componente eletrônico composto de um cristal

semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são
dopadas por diferentes materiais durante sua formação, o que causa a polarização de
cada uma das extremidades.

É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador

de corrente elétrica entre outras aplicações. Possui uma queda de tensão de,
aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).
Aparência real do diodo, no mesmo alinhamento que o seu símbolo. O terminal mais
próximo da barra fina é o cátodo.

Índice
 1Comportamento em circuitos
 2A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N
 3Polarização do diodo
 4Testes com o diodo
 5Usos
 6Tipos de diodos semicondutores
 7Ver também
 8Notas
 9Referências

Comportamento em circuitos[editar | editar código-

fonte]
O diodo é um componente elétrico que permite que a corrente o atravesse num sentido
com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo
semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores
são simbolizados em diagramas esquemáticos como na figura abaixo. O termo "diodo" é
habitualmente reservado a dispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou
menores a 1 A[5].

Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo permite ou impede

corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada, como nas
duas figuras abaixo.
Na imagem da esquerda o diodo está diretamente polarizado, há corrente e a lâmpada
fica acesa. Na imagem da direita o diodo está inversamente polarizado, não há corrente,
logo a lâmpada fica apagada.

O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo
está diretamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado). A
diferença mais substancial é que, quando diretamente polarizado, há uma queda de
tensão no diodo muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves
mecânicas (no caso do diodo de silício, 0,7 V). Assim, uma fonte de tensão de 10 V,
polarizando diretamente um diodo em série com uma resistência, faz com que haja uma
queda de tensão de 9,3 V na resistência, pois 0,7 V ficam no diodo. Na polarização
inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma chave aberta, já que não circula
corrente, não haverá tensão no resistor, a tensão fica toda retida no diodo, ou seja, nos
terminais do diodo há uma tensão de 10 V.

A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é

transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante. Como no semiciclo
negativo de uma corrente alternada o diodo faz a função de uma chave aberta, não passa
corrente elétrica no circuito (considerando o “sentido convencional de corrente”, do
“positivo” para o “negativo”). A principal função de um diodo semicondutor, em
circuitos de corrente contínua, é controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente
elétrica circule apenas em um sentido.

A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N

A dopagem no diodo[6] é feita pela introdução de elementos dentro de cristais
tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com
elementos trivalentes, obtêm-se átomos com sete elétrons na camada de valência, que
necessitam de mais um elétron para a neutralização (cristal P). Para a formação do
cristal P, utiliza-se principalmente o elemento índio. Dopando os cristais tetravalentes
com elementos pentavalentes, obtêm-se átomos neutralizados (com oito elétrons na
camada de valência) e um elétron excedente (cristal N).

Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fósforo. Quanto

maior a intensidade da dopagem, maior a condutibilidade dos cristais, pois suas
estruturas apresentam um número maior de portadores livres (lacunas e elétrons livres) e
poucas impurezas que impedem a condução da corrente elétrica. Outro fator que
influencia na condução desses materiais é a temperatura. Quanto maior é a temperatura
de um diodo, maior a condutibilidade, pelo fato de que a energia térmica ter a
capacidade de quebrar algumas ligações covalentes da estrutura, acarretando no
aparecimento de mais portadores livres para a condução de corrente elétrica.

Após dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N) tem uma determinada
característica diferente da oposta, gerando regiões de condução do cristal, uma com
excesso de elétrons, outra com falta destes (lacunas). Entre ambas, há uma região de
equilíbrio por recombinação de cargas positivas e negativas, chamada de região de
depleção (a qual possui uma barreira de potencial).

Polarização do diodo

Gráfico mostra a curva característica do comportamento do diodo em sua polarização

direta e inversa

A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. A polarização é

direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal
P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado
do cristal N(chamado de cátodo).

Assim, se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo, os
portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão
ultrapassar a junção P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente
elétrica. A polarização é indireta quando o inverso ocorre. Assim, ocorrerá uma atração
das lacunas do anodo(cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma
atração dos elétrons livres do cátodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte
geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N, ocasionando no
bloqueio da corrente elétrica.

Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais, a condução de corrente elétrica no
diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm, que é quase
desprezível. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total
devido novamente pela presença de impurezas, tendo uma pequena corrente que é
conduzida na ordem de microampères, chamada de corrente de fuga, que também é
quase desprezível.
Testes com o díodo
Os díodos, assim como qualquer componente eletrônico, operam em determinadas
correntes elétricas que são especificadas em seu invólucro ou são dadas pelo fabricante
em folhetos técnicos. Além da corrente, a tensão inversa (quando o díodo está
polarizado inversamente) também é um fator que deve ser analisado para a montagem
de um circuito e que tem suas especificações fornecidas pelo fabricante. Se ele for
alimentado com uma corrente ou tensão inversa superior a que ele suporta, o díodo pode
ser danificado, ficando em curto ou em aberto. Utilizando de um ohmímetro ou um
multímetro com teste de díodo, pode-se verificar se ele está com defeito.

Colocando-se as pontas de prova desses aparelhos nas extremidades do díodo (cátodo e

ânodo), verifica-se que existe condução quando se coloca a ponteira positiva no ânodo e
a negativa no cátodo, além de indicar isolação quando ocorre o inverso. Assim o díodo
está em perfeitas condições de operação e com isso é possível a localização do cátodo e
do ânodo, porém se os aparelhos de medição indicarem condução dos dois caminhos do
díodo, ele está defeituoso e em curto. Se os aparelhos de medição indicarem isolação
nos dois caminhos, ele também está defeituoso e em aberto.

Usos
O fenômeno da condutividade em um só sentido é aproveitado como um chaveamento
da corrente elétrica para a retificação de sinais senoidais[7], portanto, este é o efeito
diodo semicondutor tão usado na eletrônica, pois permite que a corrente flua entre seus
terminais apenas numa direção. Esta propriedade é utilizada em grande número de
circuitos eletrônicos e nos retificadores.

Os retificadores são circuitos elétricos que convertem a tensão CA (AC) em tensão CC

(DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os elétrons circulam em dois
sentidos, CC (DC), Corrente contínua, isto é circula num só sentido.

A certa altura, o potencial U , formado a partir da junção n e p não deixa os elétrons e

lacunas movimentarem-se, este processo dá-se devida assimetria de cargas existente.

Tipos de díodos semicondutores

Os diodos são projetados para assumir diferentes características: diodos retificadores
são capazes de conduzir altas correntes elétricas em baixa frequência, diodos de sinal
caracterizam-se por retificar sinais de alta frequência, diodos de chaveamento são
indicados na condução de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das
características dos materiais e dopagem dos semicondutores há uma gama de
dispositivos eletrônicos variantes do diodo:
 Diodo Diodo Diodo
Diodo
zener Schottky túnel

Diodo emissor
Fotodiodo Varicap SCR
de luz

Semicondutor Intrínseco e Extrínseco

Semicondutor intrínseco é aquele

encontrado na natureza na sua
forma mais pura, ou seja a
concentração de portadores de carga
positiva é igual à concentração de
portadores de carga negativa.

Semicondutores extrínsecos ou
dopados são semicondutores
intrínsecos onde introduzimos uma
impureza para controlarmos as
características elétricas do
semicondutor.

No caso do silício, como material

semicondutor estas impurezas são
elementos da coluna III (trivalentes) Diagrama representando um conjunto de átomos de
ou da coluna V (pentavalente) da silício, com quatro elétrons na última camada.
tabela periódica.

Materiais tipo N e materiais tipo P

Quando introduzimos um átomo de uma
Quando introduzimos um átomo de uma
impureza pentavalente este possui cinco
impureza trivalente este possui somente
elétrons para completar as ligações
três elétrons para completar as ligações
covalentes, sendo que um elétron
 covalentes, logo uma das ligações excedente torna-se livre para se
covalentes do silício ficará incompleta. conduzir.

Diagrama representando um conjunto de Diagrama representando um conjunto de

átomos de silício, apresentando um átomo átomos de silício, e ma impureza pentavalente
central trivalente, gerando um lacuna na rede. central, gerando um elétron livre.

A introdução de dopantes no material faz com que surjam íons no material, devido
à não neutralização dos átomos doadores e aceitadores.

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Semicondutor

Semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica

intermediária entre condutores e isolantes. Os semicondutores são em muitos pontos
semelhantes aos materiais cerâmicos, podendo ser considerados como uma subclasse da
cerâmica.

A condutividade elétrica dos semicondutores é particularmente sensível a condições

ambientais tais como temperatura ou estado elétrico (+, neutro, -), o que lhes confere
suma aplicabilidade e importância práticas. Seu emprego é importante na fabricação de
componentes eletrônicos tais como diodos, transístores e outros de diversos graus de
complexidade tecnológica, microprocessadores, e nanocircuitos usados em
nanotecnologia.
Atualmente o elemento semicondutor é primordial na indústria eletrônica e confecção
de seus componentes.

Índice

 1Introdução
 2História
 3Semicondutores intrínsecos
 4Semicondutores extrínsecos
 5Distribuição quântica dos elétrons
 6Mecanismos de condução
 7Semicondutores compostos
 8Referências
 9Ver também
 10Bibliografia

Introdução[editar | editar código-fonte]

Um fato conhecido na física do estado sólido é que a condutividade elétrica é devida aos
elétrons em bandas eletrônicas parcialmente cheias. A temperaturas suficientemente
baixas semicondutores intrínsecos (sem impurezas em sua estrutura) têm suas bandas
eletrônicas completas e comportam-se como isolantes. A condutividade dos
semicondutores à temperatura ambiente é causada pela excitação de uns poucos elétrons
da banda de valência para a banda de condução.[1]

É a quantidade de energia necessária para tirar um elétron da banda de valência e

'libertá-lo' na banda de condução que determina se um sólido será um condutor,
semicondutor ou isolante. Para um semicondutor, pela definição esta energia (conhecida
como "gap" de energia) é abaixo dos 4,5 elétron-volts (4,5 eV); para isolantes esta
energia é bem acima desse valor. A temperaturas suficientemente elevadas os
semicondutores intrínsecos se comportam como condutores pois grande quantidade de
elétrons é termicamente excitada à banda de condução. Nos condutores, dada suas
distribuições eletrônicas, existem sempre bandas de energia não preenchidas e portanto
não existe quantidade mínima de energia necessária para se excitar os elétrons à
condução.

Nos semicondutores a condutividade não é devida apenas aos elétrons que conseguiram
pular para a banda de condução. Os buracos (também chamados de lacunas) que eles
deixaram na banda de valência também dão contribuição importante à mobilidade
elétrica. Tão importante que estes buracos são tratados como partículas reais dotadas de
carga positiva, oposta à do elétron.

Acrescentar pequeníssimas quantidades de impurezas à estrutura material de um

semicondutor intrínseco (ou seja, puro) resulta nos semicondutores ditos extrínsecos.
Escolhendo-se adequadamente a impureza produz-se ou um semicondutor ou do tipo N
(onde a impureza doa elétrons à rede) ou do tipo P (impureza produz buracos
eletrônicos, falta de elétrons, na rede).
A condutividade de um semicondutor extrínseco é altamente dependente de seu estado
eletrostático. Semicondutores extrínsecos se portam como condutores quando
eletricamente neutros a qualquer temperatura. Carregando-se eletricamente estes
semicondutores com sinal adequado (positivo no caso N, negativo no cado P), eles
transitam quase que instantaneamente ao estado de isolantes elétricos. Nos casos
eletrostáticos complementares (semicondutor N eletricamente negativo, P eletricamente
positivo), eles se portam tal como quando neutros, como condutores.

Uma aplicação direta dos semicondutores extrínsecos dada a propriedade acima é na

assim chamada junção PN, onde justapõe-se fisicamente um semicondutor P a um
semicondutor N. Tal junção permite fluxo de elétrons, ou corrente elétrica, apenas em
um sentido e não no sentido oposto: constitui um diodo semicondutor em estado sólido.
Transístores são componentes com três terminais onde há internamente duas junções
semicondutoras fisicamente justapostas: ou PNP ou NPN. O fluxo de corrente através
da estrutura completa ocorre ou não em acordo com as polaridades aplicadas, e mostra-
se particularmente sensível à intensidade do sinal aplicado ao material semicondutor
central, ligado ao terminal conhecido (dado o processo de construção) como "base" do
transistor. De acordo com as quantidades de dopante nos materiais semicondutores a
que se conectam, os outros dois terminais são denominados coletor e emissor do
transistor. Um pequeno sinal de corrente à base modula uma forte corrente entre o
emissor e o coletor: tem-se um amplificador em estado sólido. Transistores operam
facilmente também como chaves eletrônicas controladas.

Componentes com maior número de junções existem e têm cada qual suas propriedades
elétricas específicas: nos diacs, triacs e SCRs encontram-se três junções
semicondutoras.

História[editar | editar código-fonte]

Michael Faraday, em 1833, apercebeu-se de que a resistência do Sulfato de Prata descia

com a temperatura, o efeito contrário ao esperado com outros materiais.[2]

Em 1874, Braun descobriu o efeito semicondutor em alguns sulfetos metálicos. Os

primeiros elementos estudados foram o sulfeto de chumbo e o sulfeto de ferro. Em 1878
e 1879 David E. Hughes iniciou pesquisas no efeito semicondutor, a princípio como
curiosidade, pois foi percebido ao acaso pelo cientista.

Embora Hughes não conhecesse o trabalho de James Clerk Maxwell, descobriu uma
maneira de emitir ondas eletromagnéticas a partir de semicondutores. Em função de
suas experiências acabou por inventar o detector eletromagnético por efeito
semicondutivo, o diodo.

Em 1929, Walter Schottky, confirmou experimentalmente a existência de uma barreira

de potêncial numa junção Metal-Semicondutor.[2] (Heterojunção, diodo de Schottky)

Semicondutores intrínsecos[editar | editar código-fonte]

Os semicondutores são, quando intrínsecos, (sem dopagem, apenas com átomos do

semicondutor-base), a temperaturas muito baixas, excelentes isolantes, pois, possuem na
sua composição tipicamente um elemento ou combinação de elementos que lhes
confiram uma estrutura covalente com todos os orbitais eletrônicos ligantes de todos
os átomos sempre completos. Não há por tal portadores de carga elétrica
estruturalmente livres quando puros. Quimicamente viáveis há os semicondutores do
grupo IV (ver tabela periódica), como os de germânico ou, com vantagens à temperatura
ambiente, os de silício; do grupo III-V, com destaque para o arseneto de gálio, nitreto de
gálio, sulfeto de cádmio, arseneto de índio, e certamente outros com estequiometrias
mais sofisticadas. Os elementos no composto devem aparecer sempre dispostos em
estrutura cristalina sem falhas ou imperfeições, o que justifica o emprego de técnicas de
produção elaboradas e especialmente desenvolvidas para garantir tal simetria.

Para este tipo de material à temperatura de 0 K, a banda de valência está

completamente preenchida e a de condução vazia, logo, mesmo quando aplicado um
campo elétrico ao material, não existe corrente elétrica.

Para temperaturas diferentes do zero absoluto, os elétrons da banda de valência têm

energia suficiente para transitarem para a banda de condução. Quando isto ocorre, gera-
se um portador de carga oposta à do elétrons o buraco (lacuna). Este fenômeno acontece
para uma certa temperatura com um ritmo, chamado Ritmo de Geração Térmica. Que
em equilíbrio termodinâmico é igual ao Ritmo de Recombinação, que é o fenômeno
contrário, onde um eletrão liberta energia e regressa à banda de valência.

A densidade de eletrões (n) e buracos (p) nestes materiais, são iguais e, a uma certa
temperatura, é designada densidade intrínseca do material.

Semicondutor Intrinseco

Alguns valores típicos:

Semicondutor

Si 1.02x1016

Ge 2.33x1019

GaAs 2.1x1012
Semicondutores extrínsecos[editar | editar código-fonte]

Silicio dopado com Fósforo

Os materiais semicondutores podem ser tratados quimicamente de diferentes maneiras

de forma a alterarem as suas características. A combinação de semicondutores com
diferentes tipos de dopagens faz emergir propriedades elétricas não observáveis quando
separados, propriedades muito úteis sobretudo no controlo de correntes elétricas.

A dopagem é feita utilizando-se elementos diferentes dos que integram a rede

semicondutora, usualmente os elementos da coluna III (para semicondutores tipo P) ou
da coluna V (para semicondutores tipo N). É contudo também comum o emprego de
elementos de outras colunas, incluso a coluna IV, tanto para a obtenção de
semicondutores do tipo P como do tipo N.

Caso o tipo de impurezas dopantes seja doadora, isto é, tem eletrões de valência
"dispostos" a sairem da sua orbital, o tipo do semicondutor é N. Isto acontece pois o
semicondutor vai ter um excesso de eletrões face ao número de buracos (cargas
portadoras de sinal contrário ao dos eletrões). O excesso de eletrões ocorre devido à
proximidade da banda de energia mais alta da impureza à banda de condução do
semicondutor. Quando o material dopante é adicionado, este aporta seus elétrons mais
fracamente ligados aos átomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante é também
conhecido como material doador já que cede um de seus elétrons ao semicondutor. O
propósito da dopagem tipo N é o de produzir abundância de elétrons livres no material

Análogamente ocorre caso a impureza seja aceitador, isto é, com as orbitais semi-
preenchidas, capazes de aceitar elétrons. Irá neste caso ocorrer um excesso de buracos
face ao número de eletrões, pois parte destes em vez de se recombinarem com os
buracos, foram aceitados pelas impurezas. Neste caso é tipo P. O propósito da dopagem
tipo-P é criar abundância de lacunas. Por exemplo, uma impureza trivalente deixa
uma ligação covalente incompleta, fazendo que, um dos átomos vizinhos ceda-lhe um
elétron completando assim as suas quatro ligações. Assim os dopantes criam as lacunas.
Cada lacuna está associada com um íon próximo carregado negativamente, portanto o
semicondutor mantém-se eletricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se
move pela rede, um próton do átomo situado na posição da lacuna se vê "exposto" e
logo se vê equilibrado por um elétron. Por esta razão uma lacuna comporta-se como
uma carga positiva. Quando um número suficiente de aceitadores de carga são
adicionados, as lacunas superam amplamente a excitação térmica dos elétrons. Assim,
as lacunas são os portadores majoritários, enquanto os elétrons são os portadores
minoritários nos materiais tipo P.
Os semicondutores (não degenerados) tipo-N têm o nível de Fermi mais próximo da
banda de condução, enquanto que os tipo-P, têm o nível de Fermi mais próximo da
banda de valência