DOS

 TRANSISTORES  

AMPLIFICADOR  CON  UN  TRANSISTOR  NPN  Y  OTRO  PNP.  

a)  Polarización.    β  =  100  y  Vbe  0  0,7V.  
En  primer  lugar  se  calcula  el  Thevenin  equivalente  del  circuito  de  base  
de  Q1  y  todas  las  variables  relacionadas  

 
 En  Q1  hay  que  tener  en  cuenta  que  por  RC1  no  circula  IC1  sino  IC1-­‐IB2  
Las  ecuaciones  que  se  pueden  escribir  ahora  son:  
 
15V = 2kΩxI E 2 + VEC + VC1 VC1 = 15V − ( IC1 − I B2 ) x5kΩ
⎛ I E 2 ⎞  
15V = 2kΩxI E 2 + 0, 7V +15V − ⎜ IC1 − ⎟ x5kΩ  
⎝ 101 ⎠
⎛ 5kΩ ⎞  
I E 2 ⎜ 2kΩ − €
⎟ = 1,28mAx5kΩ − 0, 7V = 5, 7V   I E 2 = 2, 78mA
⎝ 101 ⎠
2, 78mA  
I B2 = = 0,0275mA   I RC1 = IC1 − I B2 = 1,252mA
101
€   €
VC1 = 15V − 5kΩx1,252mA = 8, 74V VE 2 = 8, 74V + 0, 7 = 9, 44V
 
€   €
IC2 = βI B2 = 100x0,0275 = 2, 75mA   VC2 = 2, 7kΩxI C2 = 7, 43V

€
En   la   gráfica   están   todos   los   voltajes   y   corrientes,   incluyendo   las  
corrientes   que   circulan   por   las   resistencias   del   circuito   de   base   del  
primer  transistor.  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
b)  Análisis  de  pequeña  señal  
Análisis  AC  usando  el  modelo  π  

 
Reflejando  las  resistencias  de  emisor  hacia  las  bases  
Al  calcular  valores:  

 
 
 
Resultados:              
 

 
 
 
 

 
 EL  AMPLIFICADOR  CASCODE  CON  BJT  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Se  conecta  un  emisor  común  con  un  base  común  
La  ganancia  es  similar  a  la  de  un  Emisor  Común  
La  ventaja  de  este  circuito  es  su  respuesta  en  frecuencia  
*  Análisis  AC  usando  el  modelo    π  y  el  parámetro  gm  
Si  Rf  es  muy  pequeña  comparada  con  R1//R2,  entonces  vbe  ≈  vi  

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Análisis  AC  usando  el  modelo    π  con  el  parámetro  β y  traslación  de  
fuentes  o  reflejo  de  impedancias  

 
 
 
 
 
 
Resultados
 EJERCICIO  CON  AMPLIFICADOR  CASCODE  CON  BJT  

β= 225, Vbe  =  0,7V  

Calcular   las   resistencias  
para  ICQ=10  mA  y  VCEQ=10V  
Hallar  Av  
 
 
Polarización  
iE  ≈  iC  

 
 
 
Seleccionamos  RE  =  510Ω.  El  circuito  de  base  de  Q1  es  el  siguiente:  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
La  corriente  iB  es  iC/β = 0,04mA  
Sustituyendo  en  la  primera  ecuación:  
 
 
 
Lo  cual  da  la  ecuación          9,2  -­‐  VBB  =  0,04  RB              
Para  que  el  punto  de  operación  sea  estable  debe  cumplirse:  

Seleccionamos  RB  =  12  kΩ    

Entonces  VBB  =  9,2V  -­‐  0,4mA  x  12kΩ  =  8,67V  
Tenemos  el  sistema  de  dos  ecuaciones  
con  dos  incógnitas:  
 
Resolviendo:      R1=20,77  kΩ.      Se  selecciona  20kΩ  por  lo  tanto  R2=  30kΩ  
 
Análisis  AC:  
 
 
 
Usando  la  ecuación  desarrollada  anteriormente  
 
 
 
Resulta:  
 
AV  =  -­gm  (RC//RL)  =  400  (0,51//0,51)  =  -­102  
 PAR  DARLINGTON  CON  BJT  
 
*  Está   constituido   por   dos   etapas  
seguidores  de  emisor.  
*  Alta  impedancia  de  entrada  
*  Efecto  multiplicativo  sobre  la  corriente  
 
Análisis  en  DC  
 
 
 

 
 
Cálculo  de  la  corriente  de  colector  total:  
IE2  =  (β2 + 1) ΙΒ2 ΙΒ2 = ΙΕ1 = (β1 + 1) ΙΒ1

Este  es  el  efecto  multiplicativo  de  la  corriente  

 
Análisis  AC  con  el  modelo  de  parámetros  híbridos  
 
 
   
Cálculo  de  la  ganancia  de  voltaje  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Cálculo  de  la  impedancia  de  entrada.      De  las  ecuaciones:  
 
 
 
 
 
 

Tiene  un  valor  elevado  si    

 
Cálculo  de  la  ganancia  de  corriente  
 
 
 
 *  ESPEJO  DE  CORRIENTE  CON  MOSFET  
 
Hallar  los  valores  de  los  voltajes  y  corrientes  en  el  circuito.    
 
 
 
 
 
 
 
VGD  =  0  <  Vth  =  2    Están  en  saturación  
Ecuaciones  en  el  circuito  MOSFET  de  la  izquierda  Iref  =  ID:  
Ecuación  de  la  corriente  en  el  MOSFET.  Cálculo  de  ID  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 EL  EFECTO  SUSTRATO  
 
*  Usualmente  el  Sustrato  (B)  se  conecta  al  Source,  por  lo  que  se  usa  el  
modelo  simplificado  de  tres  terminales.  
*  En  circuitos  integrados  el  sustrato  es  común  a  varios  dispositivos.    
*  Para  mantener  la  condición  de  corte  de  la  juntura  PN  el  sustrato  se  
conecta  a  la  fuente  más  negativa  para  NMOS  y  a  la  más  positiva  para  
PMOS.  Esto  aumenta  la  región  de  vaciamiento  y  reduce  la  profundidad  
del  canal.  Para  reponer  el  canal  hay  que  aumenta  vGS.  
*  El  efecto  se  puede  representar  como  un  cambio  en  Vth  al  variar  VSB  
 
 
 
Donde:  Vto:  Voltaje  Vth  para  VSB  =  0  
φf  =  Parámetro  físico  (2φf  ≈  0,6V)  
γ =  Parámetro  del  proceso  de  fabricación.  Parámetro  del  efecto  sustrato  
*  El  terminal  B  actúa  como  otro  G  del  MOSFET.  
*  Modificaciones  del  efecto  sustrato  en  la  operación  del  MOSFET  
*Un  cambio  en  VSB  produce  un  cambio  en  VT  
*El  cambio  en  VT  produce  un  cambio  en  ID.  Cambia  punto  de  operación  
*El  sustrato  (B)  actúa  como  otro  Gate  para  el  MOSFET:  Efecto  sustrato  
*Este  efecto  puede  degradar  la  operación  del  MOSFET.  
*Para  las  señales  AC,  como  el  sustrato  está  conectado  a  tierra  pero  el  
Source  no  lo  está,  aparece  un  voltaje  vbs  entre  el  sustrato  y  el  Source.  
*El  sustrato  actúa  como  un  segundo  Gate  que  se  incluye  en  el  modelo.  

 
 
 EJERCICIO  CON  EL  EFECTO  SUSTRATO  
 
MOSFET  DE  VACIAMIENTO  CANAL  N  
 
 
 
 
 
 
 
 
Suponemos  saturación,  consideramos  Vt  =  Vto  y  no  consideramos  λ
Ecuación  de  la  corriente  ID
Ecuación  del  circuito  
Resolviendo:  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Resolviendo  del  circuito:  
*  Estos  resultados  indican  que  ID=  1mA,  con  VGS  =1V  y  VDS=  5V  
No  son  las  condiciones  supuestas.  El  voltaje  VSB  está  dado  por:  
VSB  =  VS  -­‐  VB  =  5V  -­‐0=  5V    
Hay  un  voltaje  entre  el  Source  (S)  y  el  Sustrato  (B)  que  modifica  la  
operación  del  circuito.  
*Se  determina  el  valor  de  Vt  modificado  con  los  datos  disponibles,  a  fin  
de  realizar  un  proceso  de  iteración  
*  Este  resultado  indica  que  el  canal  va  a  existir  solo  hasta  Vt  =  -­‐0,2V  no  
va  a  llegar  hasta  Vt  =  -­‐1V  
*  Con  el  nuevo  valor  de  Vt  hay  que  repetir  el  proceso  para  determinar  el  
punto  de  operación.  
 
 
 
Resultados:  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Se  podría  realizar  otra  iteración,  pero  se  va  a  tomar  este  último  
resultado  como  válido.  

 
 
*  Parámetros  para  análisis  AC  
  
 
 
 
 
 

 
 
*  Análisis  AC  
 
 
 
 
 
 
 

Arreglando  el  circuito  

Se  aplica  el  Teorema  de  Sustitución  en  la  última  rama:  
La  corriente  por  la  rama  es  gmb  vbs  y  el  voltaje  es  vbs,  por  lo  que  la  rama  
puede  sustituirse  por  una  resistencia  cuyo  valor  es  R  =vbs/gmbvbs=1/gmb  
Aplicando  esta  sustitución  el  circuito  queda:  
 

 
*  Resistencia  de  entrada  
 
*  Ganancia  de  voltaje  
*  Resistencia  de  salida  
CIRCUITO  CON  NMOS  Y  PMOS  
 

 
 
 
Determine  las  corrientes  de  Drain,  IDN  e  IDP  
y  el  voltaje  de  salida  vO  cuando:  
a)  vO  =  0    
b)  vO  =  2,5V    
c)  vO  =  -­‐2,5V  
 
*  Circuito  para  vO  =  0  
En  el  circuito  se  observa  que  :  
vGSn  =  VG  -­‐  VSn  =  0-­‐(-­‐2,5)=2,5V  
vGSp  =  VG  -­‐  VSp  =  0-­‐2,5=  -­‐2,5V  
Por  lo  tanto,  dado  que  tienen  los  mismos  
parámetros,    las  ecuaciones  para  las  
corrientes  son  iguales:  

Si  las  dos  corrientes  son  iguales,  la  

corriente  por  la  resistencia  es  cero,  por  lo  
tanto:      
Para  ambos  transistores  se  observa  que  :  
Por  lo  tanto  están  en  saturación.  
*  Circuito  para  vO  =  2,5V  
Con  este  voltaje  en  vO  resulta:  
vGSp  =  VG  -­‐  VSp  =  2,5-­‐2,5=  0V  
Por  lo  tanto  el  PMOS  está  en  
corte  y  solo  opera  el  NMOS.  El  
circuito  queda  como  se  muestra.  
vGSn  =  VG  -­‐  VSn  =  2,5-­‐(-­‐2,5)=5V  
Dada  la  dirección  de  circulación  
de  IDN,  el  voltaje  vO  es  negativo.    El  valor  de  vGD  va  a  ser  2,5V  -­‐  vO,  lo  cual  
va  a  dar  un  valor  mayor  que  2,5V,  por  lo  tanto  vGD  >  Vth  y  el  NMOS  está  
en  la  región  de  triodo.  Suponiendo  que  vDS  es  pequeño  no  consideramos  
el  término  al  cuadrado  y  observando  que  vO  =  vDS  +(-­‐2,5V)  tenemos  :  
IDN=  k'(Wn/Ln)(VGS  -­‐Vt)VDS  =  1(5-­‐1)(  vO  +  2,5)  
La  otra  ecuación  para  IDN  es  IDN  =  (0  -­‐  vO)/10kΩ  
Resolviendo  IDN  =  0,244mA    vO  =  -­‐2,44V            
VDS  =-­‐2,44V  -­‐(-­‐2,5)=0,06V  pequeño,  como  habíamos  considerado.  
*  Circuito  para  vO  =  -­‐2,5V  
Con  este  voltaje  en  vO  resulta:  
vGSn  =  VG  -­‐  VSn  =  2,5-­‐(-­‐2,5)=  0V  
Por  lo  tanto  el  NMOS  está  en  
corte  y  solo  opera  el  PMOS.  El  
circuito  queda  como  se  
muestra.  
Dado  que  los  parámetros  de  los  
transistores  son  iguales  (solo  
cambia  el  signo),  las  ecuaciones  
resultan  ser  las  mismas,  por  lo  
que  los  resultados  son:  
IDP  =  0,244mA    vO  =  2,44V