MODULADORES OPTICOS

El modulador óptico más simple que podríamos pensar es el que crea un

destello de luz. Supongamos que activamos un flash encendido durante
1 segundo y apagado durante 1 segundo. Generamos datos digitales '1'
y '0', respectivamente, como se muestra en la figura. En este ejemplo,
la velocidad binaria de los datos ópticos generados por la luz de flash es
1 bit / s.

Las técnicas de modulación óptica se pueden dividir en dos tipos: (i)

modulación directa y (ii) modulación externa.
1. Modulación directa
La corriente de accionamiento del láser puede ser modulada por una
señal, como se muestra en la figura.

Por ejemplo, cuando la señal de mensaje es el bit '0' (bit '1'), el láser
se apaga (enciende). Por lo tanto, la información en el dominio
eléctrico se codifica en el dominio óptico.
El principal problema de la modulación directa viene determinado por
el ancho de banda de modulación limitado que poseen los diodos
láser. Los valores típicos se encuentran por debajo de los 10 GHz

2. Modulación externa

La figura muestra el esquema de un transmisor que utiliza modulador

externo. Los moduladores externos ampliamente utilizados son: (i) el
modulador de fase, (ii) el modulador de interferómetro Mach-Zehnder
(MZ), y (iii) el modulador de electroabsorción (EA).
2.1. Modulador de fase
Los moduladores de fase son dispositivos ópticos capaces de
modificar su índice de refracción.

El cambio del índice de refracción es directamente proporcional a la

intensidad de campo eléctrico aplicada. Consideremos la propagación
de la luz en un cristal de LiNbO3.
Donde n0 es el índice de refracción en ausencia del campo eléctrico
aplicado y r33 es un coeficiente que describe el efecto electroóptico.
Si V es la tensión aplicada a través del cristal y d es el espesor del
cristal, la componente z de la intensidad del campo eléctrico es:

El cambio de fase es:

Entonces:

φ0 es el desplazamiento de fase constante en ausencia del voltaje

eléctrico aplicado, L es la longitud del cristal y:

Es el cambio de fase. La tensión requerida para producir un cambio

de fase de π se conoce como voltaje de media onda o Voltaje de
conmutación Vπ, y está dado por:
2.2. Moduladores Mach-Zehnder (MZM)
Actúa como modulador de intensidad (externo) ya que cada rama
propaga la luz y puede alterar las fases de uno de los brazos, dando
que a la salida se sumen las fases de cada rama.

La señal óptica entra en la guía de onda y se divide en dos, formando

una Y y disminuyendo al intensidad óptica en 50%. Al dividirse la
señal, una viaja por un lado de los brazos sin alteración, mientras
que el otro parte sufre una modulación de fase. En el punto D se
realiza una superposición de las ondas que viajan en los brazos del
modulador.
Los haces ópticos en los brazos superior e inferior experimentan un
desplazamiento de fase de φ1 y φ2, respectivamente, en presencia
de voltajes aplicados. Entonces tenemos:

La relación de potencia existente es:

Donde Δϕ es la diferencia de fase que existe entre los brazos del

modulado
2.3. Modulador de electroabsorción
La electroabsorción se refiere a la dependencia del coeficiente de
absorción de un semiconductor en el campo eléctrico aplicado.
Consideremos un portador óptico con frecuencia fc < Eg0 / h, donde
Eg0 es la brecha de banda en ausencia del campo eléctrico aplicado.
Dejando que la tensión de accionamiento V (t) varíe de 0 a V0 voltios.
Cuando V (t) = 0, la energía del fotón es menor que la brecha de
banda y el portador óptico no es absorbido. Cuando V (t) = V0, la
brecha de banda disminuye.

Ahora la energía del fotón podría ser más grande que la abertura de
la banda, entonces el portador óptico es absorbido, y genera los
pares del electrón-agujero. Por lo tanto, la información en el dominio
eléctrico se traduce en el dominio óptico.
Supongamos que la longitud de onda del portador es λ0. Sea α0 y α1
los coeficientes de absorción en V (t) = 0 y V (t) = V0,
respectivamente. Si L es la longitud del modulador, la potencia óptica
que sale del modulador es:

Para obtener un rendimiento óptimo, típicamente los

semiconductores usan longitudes de onda de 1300nm o 1550nm.
3. Esquemas ópticos de modulación

3.1. Amplitude-Shift Keying

La amplitud de una señal portadora varía conforme a la corriente de
bit (modulando la señal), manteniendo la frecuencia y la fase
constante. El nivel de amplitud puede ser usado para representar los
valores binarios 0s y 1s. Podemos pensar en la señal portadora como
un interruptor ON/OFF.

3.2. Phase-Shift Keying

Es una forma de modulación angular que consiste en hacer variar la
fase de la portadora entre un número determinado de valores
discretos. La diferencia con la modulación de fase convencional (PM)
es que mientras en ésta la variación de fase es continua, en función
de la señal moduladora, en la PSK la señal moduladora es una señal
digital y, por tanto, con un número de estados limitado.
3.3. Differential Phase-Shift Keying
La generación de señal DPSK es similar a la generación de PSK
excepto para un circuito en medio que proporciona información por
comparación.
 En primer lugar, la frecuencia instantánea de la salida láser cambia
con el tiempo. Este ruido de frecuencia es causado por los cambios
del índice de refracción de la capa activa debido a la modulación de la
densidad del portador. La interacción positivo del láser con la
dispersión anómala de la fibra de transmisión conduce al
ensanchamiento del pulso y establece un límite en la distancia de
transmisión máxima alcanzable. Sin embargo, la interacción del láser
con la dispersión normal de la fibra conduce a la compresión de
impulsos inicialmente. De hecho, la distancia de transmisión libre de
errores se puede incrementar utilizando láseres con chirrido positivo
y fibras de transmisión de dispersión normal [2]. Sin embargo, los
pulsos se ensanchan eventualmente (incluso en fibras de dispersión
normales) y el chirrido de láser conduce a penalizaciones de
transmisión para aplicaciones de larga distancia. Los láseres
modulados directamente se utilizan generalmente para sistemas de
transmisión que funcionan a bajas velocidades de transmisión (≤ 10
Gb / s) y para aplicaciones de corto alcance (<100 km). La distorsión
de impulsos y el chirrido de frecuencia impiden el uso de láseres
modulados directamente para aplicaciones de alta velocidad binaria.

Para inyectar la señal de RF a transmitir por el sistema de comunicaciones ópticas

existen dos alternativas claramente diferenciadas, las cuales se representan de
forma esquemática en la siguiente figura. Por una parte, la señal de RF puede
aplicarse junto con la señal de polarización en la entrada de modulación de un láser,
lo cual se conoce con el nombre de modulación directa. Básicamente, todos los
sistemas MI-DD con modulación directa utilizan diodos láser con dos diseños de
cavidad diferentes: Fabry-Perot o DFB, aunque algunos enlaces de bajo coste y
reducidas prestaciones pueden usar diodos LED. La pendiente de la eficiencia de
acoplamiento de los láseres disponibles comercialmente varía entre 0,1 y 0,32 W/A.

Esquemas de modulación directa y externa.

No obstante, uno de los principales problemas de la modulación directa viene
determinado por el ancho de banda de modulación limitado que poseen los diodos
láser. Los valores típicos se encuentran por debajo de los 10 GHz, aunque se han
conseguido frecuencias de modulación de hasta 20-30 GHz pero en prototipos de
laboratorio. Adicionalmente, su respuesta intrínsecamente no lineal da lugar a
niveles de distorsión apreciables, especialmente si se trabaja cerca de la frecuencia
de las oscilaciones de relajación. Finalmente, en los diodos láser la modulación de
intensidad viene acompañada siempre de una modulación de frecuencia que se
conoce con el nombre de chirp. Este efecto es directamente proporcional a la
amplitud de la señal moduladora y da lugar a niveles de distorsión considerables a la
salida del fotodetector cuando se combina con la dispersión cromática de la fibra
(conversión de modulación de fase/frecuencia a modulación de intensidad).

Como alternativa, la modulación externa presenta una serie de ventajas con

respecto a la modulación directa de los láseres: es posible conseguir una mayor
linealidad y ancho de banda, a la vez que el chirp puede llegar a eliminarse
completamente. En este caso, la señal moduladora se inyecta por el puerto de
entrada de RF del modulador electroóptico, el cual se polariza por medio de una
señal de corriente continua. De entre las distintas alternativas para realizar la
modulación externa, destacan claramente los moduladores Mach-Zehnder (MZM) y
los moduladores de electroabsorción (EAM). Los primeros se basan en una
estructura interferométrica construida en Niobato de Lítio (LiNbO3), mientras que los
segundos se basan en la dependencia con el campo eléctrico de la frontera de la
banda de absorción del semiconductor, siendo generalmente más no lineales que los
MZMs. No obstante, se ha demostrado que balanceando la influencia del efecto
Franz-Keldysh con el efecto Stark de cuantos confinados, es posible fabricar un EAM
incluso más lineal que un MZM estándar. Como desventaja, los EAMs admiten
valores de potencia óptica a su entrada inferiores. Así, se ha conseguido inyectar en
un MZM una potencia óptica de hasta 400 mW, frente a 34 mW en un EAM.

Luego tanto en el caso de modulación directa como externa, el campo eléctrico a la

salida del transmisor óptico puede finalmente expresarse como una combinación de
modulación de intensidad (transportando la información) y modulación de fase
(caracterizando el chirp del dispositivo) sobre una portadora óptica de alta
frecuencia.