Principios de Equivalencia

• Concepto de Apertura.
• Principios de Equivalencia
• Expresiones de los Campos Radiados
• Directividad
• Aperturas rectangulares
• Distribuciones separables: ejemplos
• Aperturas circulares

Concepto de Apertura

• Las antenas de Apertura se

caracterizan por radiar la
energía al espacio que las rodea
a través de una abertura
(apertura)
– en algunos casos la apertura
está perfectamente limitada
por paredes metálicas
conductoras (Bocinas y Plano de
ranuras cortadas sobre planos, Apertura
cilindros, guíaondas, etc.).
– mientras que en otros casos
(reflectores y lentes) la
apertura se define como la
porción de la superficie frontal Apertura
plana en la que los campos de
la onda colimada por aquellos
toman valores apreciables.

1
 Teorema de Unicidad

En un medio homogéneo, dentro de un volumen V (libre de fuentes de radiación),
limitado por una superficie S, los campos existentes únicamente dependen del valor
que toman las componentes tangenciales de E y H sobre S.
r r
r E, H
Fuentes de J V S
σ, ε, µ
Radiación n$

– Sean E1,H1 y E2,H2 dos soluciones de las ecuaciones de Maxwell que cumplan:
r r r r
n$ × E1 = n$ × E 2 y n$ × H1 = n$ × H 2
S S S S

– Los vectores E1-E2 y H1-H2 también son solución de las Ecuaciones de Maxwell.
Aplicando el Teorema de la Divergencia a:
r r r r r r r r r r r r  ∫∫S = 0
[( ) ( ) ] = (H − H ) ⋅ (∇ × (E − E )) − (E − E ) ⋅ (∇ × (H − H ) )
∇ ⋅ E 1 − E 2 × H1 − H 2
*
1 2
*
1 2 1 2 1 2
*

 r r 2
r r
E1 ≡ E 2
 E1 − E 2 ≥ 0 ⇒ r r
r r r r r r r r r r
$ = jω ∫∫∫ [µ H − H − ε E − E ]dV + σ ∫∫∫ E − E
∫∫ [(E − E ) × (H − H ) ] ⋅ ndS
H1 ≡ H 2
* 2 2 2
dV  r r 2
S
1 2 1 2
V
1 2 1 2
V
1 2
 H1 − H 2 ≥ 0

La solución es UNICA: Los campos interiores se deben poder calcular a partir de sus
componentes tangenciales sobre S

Principios de Equivalencia

El análisis de estas antenas típicas de microondas se realiza a partir del

conocimiento de los campos E y H del frente de onda que atraviesa la apertura.
– Estos campos se obtienen, en el caso de las bocinas y ranuras, a partir de los modos
que se propagan en su interior, mientras que para los reflectores y lentes se realiza un
trazado de rayos basado en óptica geométrica.

El análisis se basa en la aplicación de los Principios de Equivalencia

Electromagnética, que responden al siguiente planteamiento:

– Si se conocen los campos en una superficie cerrada S que

rr contiene todas las fuentes (corrientes reales) de campo, ¿Pueden
~ J ( r′ ) obtenerse los campos radiados? ¿Existe alguna distribución de
corrientes equivalentes sobre S que produzca el mismo campo
radiado?
rS r – La respuesta es afirmativa tal como sugiere el Principio de
E HS Difracción que Huygens estableció para la luz en 1690.
Datos S

2
 Principios de Equivalencia

Principio de Huygens Principios de Equivalencia

Fuentes
Secundarias
Planteamiento n$ = z$
Matemático r r r
Onda Ea J = n$ × H a
r >
< rs r
Plana Ha M s = − n$ × E a
Frentes
de Ondas

Plano XY Plano XY

“Cada punto de un frente de ondas El Principio de Equivalencia, en su primera

actúa como una fuente secundaria de
generación de ondas esféricas; el
siguiente frente de ondas es la
envolvente de estas ondas secundarias
y así sucesivamente”.
forma, permiten sustituir, a efectos de
calcular los campos en el semiespacio z≥0,
los campos en la apertura Ea, Ha, por las
corrientes superficiales equivalentes Js y
Ms, calculadas sobre la apertura

Ecuaciones Simétricas de Maxwell

Ecuaciones Simétrica Ecuaciones con Ecuaciones con

fuentes eléctricas fuentes magnéticas
r r r r r r r r
∇ × E = − m − jωB ∇ × E A = − jωBA ∇ × E F = − m − jωBF
v r r v r r v r
∇ × H = J + jωD ∇ × H A = J + jωD A ∇ × H F = jωD F
r = r + r
∇ ⋅ D = ρe ∇ ⋅ D A = ρe ∇ ⋅ DF = 0
r r r
∇ ⋅ B = ρm ∇ ⋅ BA = 0 ∇ ⋅ BF = ρ m

r r r
E = EA + EF
r r r
H = HA + HF

AT 6

3
 Fuentes Magnéticas Ficticias

Para establecer los Principios de

Equivalencia es necesario introducir unas
fuentes ficticias de campo, de tipo
magnético:
– Densidad de carga magnética ρm.
r r
– Densidad de corriente magnética M, M s
que cumplen el conjunto dual de
Ecuaciones de Maxwell que aparece en la
tabla.

En un problema con fuentes eléctricas

y magnéticas, los campos totales se
obtienen sumando los correspondientes a
η= µ ε
cada distribución.
F: Potencial Vector Eléctrico

P.E.: Campos Radiados

En la zona de radiación: r r r
r r µ e − jkr r r jkr$⋅rr ′ ( ( )) (
E = jω $r × $r × A + jωη $r × F )
A( r ) =
4π r ∫∫S ′
J s ( r ′) e dS′ = A r r$ + A θ θ$ + A φ φ$
Er = 0 Hr = 0
r r ε e − jkr r r r E θ = − jωA θ − jωηFφ H θ = − ηE φ
4 π r ∫∫S′
F( r ) = M s ( r ′) e jkr$⋅r ′ dS′ = Fr r$ + Fθ θ$ + Fφ φ$
E φ = − jωA φ + jωηFθ H φ = ηE θ

Condiciones de Contorno:
n$ r r
r r r r
E 1 , D1 H1 , B1 ( r r S
)
n$ ⋅ D1 − D 2 = ρs
ε1 , µ 1
r r r r
( r r S
)
n$ ⋅ B1 − B2 = ρ ms
1 r
E 2 , D2 H 2 , B2 S (r r S
)
n$ × E1 − E 2 = − M s
r
2 ε2 , µ2 ( )
n$ × H1 − H 2 = J s
S

4
 Teorema de las Imágenes Generalizado.
r r r r
J M J M
ρ ρm ρ ρm
r r
z$ E t ( z = 0) = 0 h E t ( z = 0) = 0
>
<
σ=∞ Conductor Eléctrico h
Perfecto Plano e Indefinido ρ i = −ρ ρmi = ρm r r
Ji Mi
Resultados
válidos sólo para z ≥0 r r r r
J M J M
ρ ρm ρ ρm

r r
z$ H t ( z = 0) = 0 h H t ( z = 0) = 0
>
<
σm = ∞ h
Conductor Magnético
Perfecto Plano e Indefinido ρi = ρ ρmi = −ρ r r
Ji Mi

1er Principio de Equivalencia

ε, µ r ε, µ
r Er = 0
J V V
H=0
r r V0 >
<r r
r r
E, H V0 Js = n$ × H
E, H r rS
n$ S M s = − n$ × E
S∞ n$ S S
r
n$ × E r r
Conocidos n$ × H
rS
se sustituyen las r
E=0
fuentes interiores a V0 r introduciendo r
(
Js = n$ × H − 0
S
r
)
r r
S
por la solución:
H=0 (
M s = − n$ × E − 0
S
)
E∞ = H∞ = 0

Ambos problemas poseen los mismos campos tangenciales sobre S y, por lo

tanto, los campos radiados en V son IDENTICOS.

Se han sustituido el problema real, que posee unas corrientes reales a menudo
desconocidas, por otro con corrientes equivalentes que quedan como únicas
responsables de la radiación fuera de S.

5
 2o Principio de Equivalencia

ε, µ ε, µ
r V Conductor
J Eléctrico V
r r V0 >
< r
Perfecto r
r r Js = n$ × H
E, H E , H V0 r rS
S
n$ S∞ n$ S M s = − n$ × E
S
r r
El volumen V0 se rellena de un conductor eléctrico perfecto que cumple: J s = n$ × H
S
Queda como responsable de la radiación la corriente magnética: r r
M s = − n$ × E
enfrentada al conductor eléctrico perfecto. S

2º P.E. Teorema Imágenes

n$ = z$ n$ = z$
r r r r r
Ea Js = n$ × H a Js Js r
r r r r r 2M s
Ha >
< M s = − n$ × E a >
< Ms Ms >
<

σ=∞ Para
Plano XY z>0 Plano XY

3o Principio de Equivalencia

ε, µ ε, µ
r Conductor
J V V
Magnético
r r V0 >
<r r
Perfecto r r
E, H V0 Js = n$ × H
S E, H r rS
n$ n$ S M s = − n$ × E
S∞ S
r r
El volumen V0 se rellena de un conductor magnético perfecto que cumple: M s = − n$ × E
S
Queda como responsable de la radiación la corriente eléctrica: r r
J s = n$ × H
enfrentada al conductor magnético perfecto. S

3º P.E. Teorema Imágenes

n$ = z$ n$ = z$
r r r r r
Ea J = n$ × H a Js Js r
r rs r r r 2 Js
Ha >
< M s = − n$ × E a >
< Ms Ms >
<

σm = ∞ Para
Plano XY z>0 Plano XY

6
 Aperturas Planas. Campos Radiados.

r r r
Plano XY E a = x$ E ax (x ′, y ′) + y$ E ay ( x ′, y ′ ) J = z$ × H a
r rs r
n$ = z$ H a = x$ H ax (x ′, y ′ ) + y$ H ay (x ′, y ′) M s = − z$ × E a
r
Ea r r r r
r µ e − jkr r
Ha A( r ) = z$ × ∫∫ H a ( r ′ ) e jkr$⋅r ′ dS′
Los potenciales 4π r S′

vectores valen: r r ε e − jkr r r r

F( r ) = − z$ × ∫∫ E a ( r ′) e jkr$ ⋅r ′ dS′
4π r S′
definiendo:
r r r 2π
P ≡ ∫∫ E a ( r ′) e jkr$ ⋅ r ′ dS′ Px ( u, v ) = ∫∫ E ax (x ′, y ′) e j λ ( ux ′+ vy ′ ) dx ′dy ′
r Sa r r Sa
Q ≡ ∫∫ H a ( r ′ ) e jkr$⋅ r ′ dS′ 2π
Sa
Py ( u, v) = ∫∫ E (x ′, y ′) e
Sa
ay
j
λ
( ux ′ + vy ′ ) dx ′dy ′
$r = sen θ cos φ x$ + sen θ sen φ y$ + cos θ z$
r 2π
r ′ = x ′x$ + y ′y$ Q x ( u, v ) = ∫∫ H ax ( x ′, y ′ ) e j λ ( ux ′+ vy ′ ) dx ′dy ′
r 2π Sa
kr$ ⋅ r ′ = ( ux ′ + vy ′) 2π
λ Q y ( u, v) = ∫∫ H ay ( x ′, y ′ ) e j λ ( ux ′+ vy ′ ) dx ′dy ′
u = sen θ cos φ Sa
v = sen θ sen φ

Aperturas Planas. Campos Radiados.

e -jkr
1er Principio E θ ( r, θ, φ ) = jk
4 πr
( (
Px cos φ + Py s e n φ − η cos θ Q x s enφ − Q y cos φ ))
-jkr
e
E φ ( r, θ, φ ) = − jk
4 πr
( ( ) (
cos θ Px s e n φ − Py cos φ + η Q x cos φ + Q y sen φ ))

e -jkr
2o Principio E θ ( r, θ, φ ) = jk
2 πr
( Px cos φ + Py s e n φ )
e -jkr
E φ ( r, θ, φ ) = − jk
2 πr
(
cos θ Px s e n φ − Py cos φ )

e -jkr
3o Principio E θ ( r, θ, φ ) = − jkη
2 πr
(
cos θ Q x sen φ − Q y cos φ )
e -jkr
E φ ( r, θ, φ ) = − jkη
2 πr
(
Q x cos φ + Q y sen φ )
Todas las expresiones son sólo válidas para: 0≤θ≤π 2

7
 Aperturas Planas. Campos Radiados

 Para aperturas grandes, en que Ha y Ea están relacionados por η (fuente de

Huygens), los campos de radiación del 1er Principio se pueden escribir como:
Py e -jkr  1 + cos θ 
Qx = −
η
E θ ( r, θ, φ ) = jk
2 πr 

2 
(  Px cos φ + Py s e n φ)
Px e -jkr  1 + cos θ 
Qy =
η
E φ ( r, θ, φ ) = − jk
2 πr 

2 
( Px s e n φ − Py cos φ )
- Si la polarización es lineal y se mantiene constante en la apertura
este modelo predice contrapolar nula

Si se utilizan los campos exactos de todo el plano de apertura los 3 principios dan
los mismos resultados. Cuando se utiliza la apertura definida como el área donde los
campos toman valores significativos, los resultados difieren si las aperturas son
pequeñas para θ alejados del máximo principal.

Para aperturas grandes, directivas, en las que la radiación se concentra en
direcciones próximas a θ=0 los diagramas obtenidos con los 3 principios son
prácticamente coincidentes.

Aperturas Planas. Polarización.

• Si la apertura es pequeña y se abre sobre un

plano conductor grande (ranuras, bocas de
guía sobre planos, etc.) debe utilizarse el 2º
Principio ya que fija la misma condición de
contorno que la realidad.
• También se ha comprobado con medidas
que el 2º Principio (Modelo de Campo
Eléctrico) modela mejor la radiación
contrapolar de pequeñas bocinas sin plano
de masa.

1er Principio
2o Principio

8
 Aperturas Planas. Polarización.

 La polarización del campo radiado (sobre el lóbulo principal) coincide con la

polarización del campo de iluminación de la apertura, p.e.:
r r e-jkr $
E a = x$ E a (x ′, y ′) 2º Principio E ( r, θ, φ ) = jk
2 πr
(
θ cos φ − φ$ cos θ s enφ Px (θ, φ ) )
cuando θ → 0 e$ = θ$ cos φ − φ$ s enφ = x$

Los campo radiados son en general el producto de un término de polarización por

un “Factor de Radiación” (P(θ,φ), Q(θ,φ)) que determina, para aperturas
eléctricamente grandes, el diagrama de radiación que es así función de la
dimensiones y de la ley de iluminación de la apertura.

Este factor juega el mismo papel que el “Factor de Array” en análisis de arrays.
De hecho se puede llegar a las expresiones de los factores de radiación, que no
son otra cosa que las Transformadas de Fourier bidimensionales de los campos
de apertura, considerando ésta como un array reticular continuo de elementos
dxdy.

Aperturas Rectangulares. Iluminación Uniforme.

y
r
Iluminación: E a = y$ E 0 x ≤ Lx 2 y ≤ Ly 2
Ly
x r
kr$ ⋅ r ′ = k ( ux ′ + vy ′)
r$ = sen θ cos φ x$ + sen θ sen φ y$ + cos θ z$ 
Lx r  u = sen θ cos φ
r ′ = x ′x$ + y ′y$ 
v = sen θ sen φ
Campo Radiado (1er Principio)

Py ( u, v ) = E 0 ∫
Lx 2 Ly 2
e jkux ′ dx ′ ∫− L e jkvy ′ dy ′ = E 0 L x L y
sen ( ( k L x 2 )u ) sen k L y 2 v (( ))
−Lx 2 y 2
( k L 2 )v
( k L x 2)u y

e-jkr  1 + cos θ  sen( ( k L 2 )u ) sen(( k L 2 ) v)

x y
E θ ( r, θ, φ ) = jk   E0LxLy se n φ
2 πr  2  ( k L 2 )u x ( k L 2)v y

e  1 + cos θ 
-jkr sen( ( k L 2 )u ) sen(( k L 2 ) v)
x y
E φ ( r, θ, φ ) = jk   E0LxLy cos φ
2 πr  2  ( k L 2)u x ( k L 2)v y

9
 Aperturas Rectangulares. Iluminación Uniforme.

Diagramas aproximados en los Planos Principales:

Plano E (φ=90º): F NE (θ, φ) =

((
sen k L y 2 v )) E φ ( r, θ, φ) = 0
( k L 2) v
y

sen( ( k L x 2) u )
Plano H (φ=0º): F NH (θ, φ ) = E θ ( r, θ, φ ) = 0
( k L x 2 )u
0 0

Lx=20λ Plano H Plano E Lx=20λ

10 Ly=10λ -13.26 dB 10 Ly=10λ

20 20

30
λ 30 λ
u0 = v0 =
Lx Ly
40 40
0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 2λ 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3

θ
u=senθ BW0 H = θ
v=senθ
Lx

Aperturas Rectangulares. Iluminación Uniforme.

Lx=20λ
 El diagrama es similar al del array
Ly=10λ
v reticular rectangular de las mismas
0.3 dimensiones.
0.2
 El nivel de lóbulos secundarios es
mayor en los planos principales que en
0.1
u los planos diagonales.
0  Si la apertura estuviese iluminada
r
con polarización circular E a = (x$ + jy$ )E 0
0.1
los diagramas de campo representados
0.2 continuarían siendo válidos. La
0.3 polarización sería circular pura del
0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3
D
mismo sentido para θ=0º.

10
 Distribuciones Separables

• En aperturas rectangulares las distribuciones de tipo separable permiten

controlar de forma independiente los diagramas correspondientes a ambos
planos principales.

• En efecto, tomando por ejemplo: E a ( x ′ , y ′ ) = E a1 ( x ′ ) E a 2 ( y ′ )

P ( u, v ) = ∫∫ E a (x ′, y ′ ) e
2π
j ( ux ′ +vy ′ )
λ dx ′dy ′ 
Sa

Lx 2 Ly 2
 ⇒ P ( u, v ) = f1 ( u ) f 2 ( v)
E a 2 ( y ′) e λ dy ′ 
2π 2π
=∫ E a1 ( x ′ ) e λ dx ′ ∫
j ux ′ j vy ′
− Lx 2 − Ly 2 

donde f1(v) y f2(v) son las transformadas de Fourier unidimensionales de las

distribuciones según x’ y según y’, respectivamente.

– Plano XZ (φ=0,π);v=0; f2(v)=cte; ⇒ P(u,0)= Cte · f1(u)

– Plano YZ (φ=π/2,3π/2);u=0; f1(u)=cte; ⇒ P(0,v)= Cte · f2(v)

Ejemplos de Distribuciones Separables

Triangular Coseno (Modelo Guía Rectangular abierta)

 2x L L  πx  L L
E a = E 0 1 −  − x ≤x≤ x E a = E 0 cos  − x ≤ x ≤ x
 Lx  2 2  Lx  2 2
L sen ( kuL x 4)
2
2 L x cos( kuL x 2)
f1 ( u) = E 0 x f1 ( u) = E 0 2
2 ( kuL x 4)
2
π 1 − ( kuL x π)

0 0

Lx=10λ εax=0.75 Lx=10λ εax=0.81

10 10

-23.0 dB
20
-26.5 dB 20

30 λ 30 3 λ
u0 = 2 u0 =
40
Lx 2 Lx
40
0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3

u=senθ θ u=senθθ
λ λ
BW0 ≈ 4 rad BW0 ≈ 3 rad
Lx Lx
LxLy
D0 = 4π ε ax ε ay εa uniforme =1
λ2

11
 Directividad

• En aperturas bien enfocadas (máximo de radiación en θ=0) la directividad vale:

< S(θ = 0) > r

D0 = k r$ ⋅ r ′ = 0
PR 4 πr 2

• La potencia radiada se obtiene como el flujo de potencia que atraviesa la

apertura:
2 2 2 2
E θ (θ = 0 ) + E φ ( θ = 0 ) 2
Px (θ = 0) + Py (θ = 0)
< S(θ = 0) >= =k 2
2η 2 η( 2 πr )

• La directividad vale: PR = ∫∫
SA
1
2η [ 2 2
E ax (x ′, y ′) + E ay (x ′, y ′ ) dx ′dy ′ ]
2 2

4π
∫∫ E ( x ′, y ′)dx ′dy ′
SA
ax + ∫∫ E ( x ′, y ′)dx ′dy ′
SA
ay

D0 = 2
λ
∫∫
SA
[E ax ( x ′, y ′)
2 2
]
+ E ay ( x ′ , y ′ ) dx ′dy ′

Directividad - Eficiencia

• Para aperturas planas uniformemente iluminadas, la directividad vale:

4π SA: Superficie de la Apertura

D0 = SA
λ2 (independiente de la forma)

• La eficiencia de iluminación de apertura (εA) da idea de lo bien que se

aprovecha la apertura, esto es, lo uniforme que es su campo de iluminación en
amplitud y fase.
2 2

A ef
∫∫ E ax (x ′, y ′)dx ′dy ′ +
SA
∫∫ E ay (x ′, y ′)dx ′dy ′
SA
εA ≡ = ≤1
SA
SA
[ 2
SA ∫∫ E ax (x ′, y ′) + E ay ( x ′, y ′ ) dx ′dy ′
2
]
4π 4π
D0 = A ef = ε A 2 SA En distribuciones rectangulares separables εA=εaxεay
λ2 λ

12
 Iluminaciones Rotacionalmente Simétricas

En este caso la apertura radiante es circular. En la

z
figura se muestran los parámetros geométricos r
necesarios para su estudio. θ
r y
Ea = x$ E a ( r ′) r ′ ≤ a a
r
r´
Px = ∫∫ E a ( r ′)e jkr$⋅ r ′ dS′ φ´
Sa
r φ
r$ ⋅ r ′ = r ′ sen θ(cos φ cos φ ′ + sen φ sen φ ′ ) = r ′ sen θ cos(φ − φ ′) x

E a ( r ′ ) ∫ e jkr ′ sen θ cos( φ − φ ′ ) dφ ′  r ′dr ′ = 2 π ∫ E a ( r ′)J 0 ( kr ′ sen θ)r ′dr ′

a 2π a
Px = ∫
r ′= 0  φ ′= 0  r ′= 0

r

Si la iluminación es uniforme Ea = x$ E 0 r ′ ≤ a ∫ xJ 0 ( x ) dx = xJ1 ( x )
J 1 ( ka sen θ) r 1 + cos θ e − jkr
Px = 2 πE 0 a 2
ka sen θ
1er Principio (
E = θ$ cos φ − φ$ sen φ
2
)
jk
2 πr
Px

E CP = E θ cos φ − E φ sen φ 1 + cos θ e − jkr J ( ka sen θ)

E CP = jk E 0a 2 1 e$ CP (θ = 0) = x$
2 r ka sen θ
E XP = E θ sen φ + E φ cos φ
E XP =0

Apertura Circular con Iluminación Uniforme

Diagrama con
Para aperturas eléctricamente grandes, el diagrama
simetría de
de radiación normalizado de campo vale:
revolución
2 J1 ( ka sen θ)
fe (θ) =
ka sen θ

dando un SLL=-17.6 dB
BW3dB=1.02λ/(2a)

BWnulos=2θ0
2a=10λ
2π λ
a sen θ 0 = 3,83 θ 0 ≈ 0.61 a >> λ
λ a

BWnulos=2θ0=2.44λ/(2a)

D0=4π(πa2)/λ2

13
 Distribución Parabólica sobre Pedestal

Modelo de campo de apertura Diagrama normalizado de campo

n 1− C
  r  2 Cf (θ, n = 0) + f (θ, n )
Eap ( r ) = C + (1 − C) 1 −    f (θ, n,C) = n +1
  a   C+
1− C
D n +1
a= 2 n +1( n + 1)! J n +1( ka sen θ)
2 f (θ, n) =
( ka sen θ)n +1
1
n=0 0
1.0
Campo
0.8 n=1 en la 10
0.6 Apertura
n=2 (C=-10 dB)
0.4 20 -20 dB
Diagrama C=-10
0.2
ormalizado 30 -14 dB dB
0 λ)
(n=2, a= 50λ
50 30 10 10 30 50
40
-a r a 2 1 0 1 2

θ (grados)

Distribuciones Parabólicas sobre Pedestal

Parámetros típicos de Diagramas de Radiación de Reflectores

HP: Ancho de Haz a -3 dB

εt: Eficiencia de Iluminación

Típicamente, los reflectores

reales, sin o con débil
bloqueo, dan niveles de
lóbulos secundarios entre
n=1 y n=2

14
 Distribución Parabólica sobre Pedestal

ivel de Lóbulo Secundario (dB) (n=2)

20

Depende sólo del nivel de pedestal

No depende del radio de la apertura
25

Se observa que para conseguir )

lóbulos secundarios bajos interesa
30
una iluminación de borde entorno a
-18, -20 dB.
35
40 30 20 10 0

C(dB)

Antenas de Ranura

• Ranuras
• Principio de Babinet
• Admitancias mutuas

15
 Radiación de Ranuras Resonantes

n$ = x$ r
$ m cos
2π 
z = − y$ m cos
V 2π 
E a = yE z
 λ  a  λ 
r r
M st = −2 n$ × E a = z$ m cos
2V 2π 
z
a  λ 
a << λ / 2
Ranura excitada en guía r ε e− jkr
l4 2Vm  2π  a 2
(Campo válido x>0) F = ẑ
4π r ∫
z =−l 4 a
cos z e jkz cos θ dz ∫
 λ  1y =−a 2
44
e jky sen θ sen φ dy
42444 3
≈a
Vm
Eθ = 0
 kl   kl 
cos cos θ  − cos 
V e − jkr  2   2
Ranura excitada con coaxial Eφ = j m
(Campo válido todo el espacio) π r sen θ

En el caso resonante: L = λ/2

cos cos θ

π Expresión similar Para una ranura
V e − jkr 2  (dual) a la del radiando en todo el
Eφ = j m
π r sen θ dipolo en λ/2 espacio D0=1.64

Admitancia de Ranuras Resonantes

2P*
Ya = 2
= G + jB
V
 1  l 2
2
  kl   kl  
2
 cos cos θ  − cos      l << λ
2Prad V π
 
2   2   sin 3θdθ =  90  λ 
G= 2
= ∫
2πη0 0  
 2
V cos θ  1  l  l >> λ
  120  λ 

Vm2 η2
R= = ≈ 480Ω NOTA: No confundir esta resistencia con
2Prad 4R rad dipolo
la conductancia equivalente a la radiación
de una ranura cortada sobre una guía
onda

B depende de la implementación y de la alimentación

16
 Principio de Babinet - Relación de Bookers

“Si se suma el campo tras una pantalla “El producto de las impedancias de
con una apertura Em al campo de la estructuras complementarias inmersas
estructura complementaria Ee, se en un medio de impedancia intrínseca η
obtiene el campo en el vacío E0” vale η2/4”

r r
J M
Zd Zs
r r r r
Ee He Em Hm
Dipolo Ranura
r r r
E0 = Ee + E m Z s η2
r r r Zs ⋅ Z d = =
H0 = He + Hm Yd 4

Admitancias Mutuas entre Ranuras

N
I m = ∑ Vn Ymn
Ranuras
s s s

n =1
s s s
Vns = 0 n = 0,...m − 1, m + 1...n ⇒ I m = Vm Ymm Z dmm η2
=
⇒
N

DipolosV
s
m = ∑I Z s
n
s
mn Ymms
4
n =1
s s s
I sn = 0 n = 0,...m − 1, m + 1...n ⇒ Vm = I m Zmm
[Y ] = η4 [Z ]
s
2
s

N
I m = ∑ Vn Ymn
Ranuras
s s s

n =1
s s s
Vns = 0 n ≠ m ⇒ I n = Vm Ymn Z dmn η2
=
⇒
N

DipolosV
s
m = ∑I Z s
n
s
mn Ymns
4
n =1
s s s
I sn = 0 n ≠ m ⇒ Vn = I m Zmn

17
 Antenas de Parche

• Parches
• Modelo de Líneas de Transmisión
• Modelo de Cavidad
• Polarización circular

Parches Microstrip

Parche rectangular Parche circular

18
 Modos de Alimentación de Parches

Modelo de Linea de Transmisión

L W  1 2 h
G1 = G 2 ≈ 1 − (k 0 h )  < 0. 1
120λ 0  24  λ0
β W
Yin B1 = B 2 ≈ [1 − 0.636 ln(k 0 h )] h < 0.1
120λ 0 λ0
2
  k0W 
 sin  2 cos θ  
    J (k Lsinθ)sin 3θdθ
1 π
G12 ≈
120π 2 ∫0
 cos θ 
0 0

 

G 2 + j(B2 + Yc tanβ L )
Yin = G1 + jB1 + Yc
Yc − B2 tanβL + jG 2 tanβL

Anchura resonante Longitud Resonante

c 2 c 2Yc B c
w= ≈ tanβL = ⇒ L≈ ⇒ Yin = 2(G1 ± G12 )
2f ε r + 1 2f ε r G 2 + B2 − Yc2 2f ε r

19
 Diseño según el Modelo de Linea de Transmisión

w w εeff
−1 2
ε r + 1 ε r − 1  12h  w
ε eff = + 1+ >> 1
2 2  w  h εr h h

L w
+ 0,264
∆L ε eff + 0,3 h
= 0,412
h ε eff − 0,258 w + 0,8
w h
L eff = L + 2∆L

∆L ∆L ∆L Capacidad asociada al
C=
vη desbordamiento
εr h

Modelo de Cavidad

Campos en la Cavidad

Ex = − j
(k 2
− k 2x )
A mnp cos(k x x ) cos(k y y )cos(k z z )
ωµε
k k
E y = − j x y A mnp sen (k x x ) sen (k y y )cos(k z z )
ωµε
k yk z
Ez = − j A mnp sen (k x x ) cos(k y y )sen (k z z ) c c
ωµε Modo dominante (f r )010 = (f r )001 =
2L ε r 2w ε r
Hz = 0 si W>L>h
kz
Hy = − A mnp cos(k x x ) cos(k y y )sen (k z z )
µ
ky
Hy = A mnp cos(k x x ) sen (k y y )cos(k z z )
µ
2 2 2
 mπ   nπ   pπ 
k 2x + k 2y + k 2z =  2 2
 +   +   = k r = ωr µε (f r )020 = c
(f r )002 = c
 h   L  W L εr W εr

20
 Modelo de Cavidad - Radiación

Slots radiantes

Slots no radiantes

TMx010 TMz110

Conocido el modo excitado se obtienen las corrientes equivalentes responsables

de la radiación r r
J s = n̂ × H a
r r
M s = − n̂ × E a

Modelo de Cavidad - Radiación

Er = Eθ = 0
k h  k W 
sen 0 sen θ cos φ  sen  0 cos θ 
k hWE 0 exp(− jk 0 r )  2   2  2 cos k 0 L eff sen θ sen φ 
Eφ = j 0 sen θ  
2π r k 0h k0W  2 
sen θ cos φ cos θ Factor Array
2 2
Elemento

Plano E Plano E
X X
E Total

F Array Elemento

Y Y

21
 Modelo de Cavidad - Impedancia

Alimentación mediante un Alimentador Coaxial

z Φ 2 (y 0 , x 0 )  mπd 
Z(y 0 , x 0 ) = jωµ 0 h ∑∑ 2
J0  
m n k eff − k 2mn  2L 

ε mε n  mπy 0   nπz 0 
Φ (y 0 , z 0 ) = cos  cos 
LW  L   W 
z0

d: anchura de corriente equivalente (se ajusta midiendo)

y0 y
Perdidas
k 2eff = ε r (1 − jδ eff )k 02 δ eff =
2ωWe

1 si m = 0
εm = 
2 si m ≠ 0

Polarización Circular con Parches

• Alimentación dual

• Alimentación simple

sen (πy′ L )
x
TM 010 ⇒ Ey = c Q t = 1 tanδ eff
k 2 (1 − j Q t ) − (π L )
2

sen (πz′ W )
x
TM 001 ⇒ Ez = c
k 2 (1 − j Q t ) − (π W )
2

y ′ z′
=
L W

E y k (1 − j 2Q t ) − π L  1 
≈ = P.C. ⇒ L ≈ W1 + 
E z k (1 − j 2Q t ) − π W  Qt 

22
 Polarización Circular con Parches

• Polarización mediante ranuras • Polarización mediante recorte de las

esquinas

L W
c= =
2.72 2.72
c L W
d= = =
10 27.2 27.2

23