DISEÑO DE CIRCUITOS DE MICROONDAS

Una aproximación practica utilizando ADS

KYUN-WHAN YEOM

CAPITULO I
 Capítulo 1. Circuitos integrados de microondas
Esquema del capítulo
1.1 Clasificación de los circuitos integrados de microondas
1.2 Circuitos de microondas en un sistema de comunicación
1.3 Resumen
1.1 Clasificación de los circuitos integrados de microondas
Un circuito activo de microondas puede definirse como un circuito en el que
dispositivos de microondas activos y pasivos como resistencias, condensadores e
inductores están interconectados por líneas de transmisión. En las frecuencias
bajas, las líneas de transmisión son una conexión simple; sin embargo, en las
frecuencias de microondas ya no son simplemente conexiones simples y su
operación se convierte en un elemento de circuito distribuido complicado. Como
resultado, la clasificación de un circuito integrado de microondas se basa en el
método de fabricación de las líneas de transmisión utilizadas para la interconexión.
Existen varios tipos de líneas de transmisión en los circuitos integrados de
microondas; algunos ejemplos comunes son las líneas de guías de onda, coaxiales y
de microcinta. La figura 1.1 muestra las líneas de transmisión utilizadas en los
circuitos de microondas. Aunque hay casos especiales de circuitos integrados de
microondas que se componen de líneas coaxiales y guías de onda, en la mayoría de
los casos los circuitos integrados de microondas se forman utilizando líneas de
transmisión planas. Por lo tanto, el contenido de este libro está restringido a los
circuitos integrados de microondas formados usando líneas de transmisión planas,
ejemplos de las cuales son microcinta, slot line y guía de onda coplanar (CPW), como
se muestra en la Figura 1.2. Estas líneas de transmisión planas se utilizan
frecuentemente en la producción a gran escala de circuitos de microondas y, en
general, constituyen las líneas de transmisión básicas para los circuitos de
microondas.

Figura 1.1 Algunas líneas de transmisión comunes utilizadas en los circuitos

de microondas: (a) línea coaxial, (b) guía de onda rectangular, y (c) línea de
microcinta
 Figura 1.2 Algunas líneas de transmisión planas comunes utilizadas en los
circuitos de microondas: (a) microcinta, (b) slot line, y (c) CPW (guía de onda
coplanar). Se explican en el Capítulo 3.
La implantación de líneas de transmisión planas sobre sustratos se puede
clasificar en dos grupos básicos: circuitos integrados monolíticos e híbridos. En la
integración monolítica, los dispositivos activos y pasivos, así como las líneas de
transmisión planas, crecen in situ sobre un sustrato planar que normalmente está
hecho de un material semiconductor llamado oblea.
La figura 1.3 muestra un ejemplo de integración monolítica. La figura 1.3(a)
es una fotografía de la cara superior de una oblea y la figura 1.3(b) muestra un único
circuito integrado monolítico de microondas; los circuitos idénticos se producen
repetidamente en la oblea de la figura 1.3(a). El circuito integrado monolítico de
microondas de la figura 1.3(b) contiene dispositivos activos y pasivos y líneas de
transmisión planas. La integración monolítica proporciona un circuito de tamaño
compacto y elimina una cantidad significativa de ensamblaje cuando se construye
un componente o un sistema. Especialmente porque el tamaño es de importancia
crítica en los sistemas de RF más recientes, la integración monolítica es
frecuentemente empleada para proporcionar un componente compacto. Una
ventaja de la integración monolítica es que es muy adecuada para la producción a
gran escala, lo que se traduce en menores costes. Una desventaja es que la
integración monolítica tarda mucho tiempo en desarrollarse y fabricarse, y la
producción a pequeña escala resulta en costes altamente prohibitivos.

Figura 1.3 Integración monolítica: a) una oblea y b) un circuito integrado

monolítico de microondas en la oblea (mezclador de conversión ascendente de
células de GaAs pHEMT Gilbert de 28 GHz; véase el capítulo 12).
 La integración híbrida es un método de fabricación en el que las líneas de
transmisión se implementan mediante patrones de conductores sobre un sustrato
seleccionado con impresión o grabado, y los dispositivos activos y pasivos se
ensamblan sobre el sustrato estampado mediante soldadura o unión por hilo. Al
implementar líneas de transmisión mediante patrones de conductores sobre un
sustrato, se debe considerar cuidadosamente el material del sustrato y el material
conductor para las líneas de transmisión, ya que estos materiales pueden tener
efectos significativos en las características de las líneas de transmisión. La
integración híbrida se clasifica así en tres tipos según el método por el cual se
forman las líneas sobre el sustrato: una placa de circuito impreso (PCB), un sustrato
de película gruesa y un sustrato de película delgada.
La figura 1.4 muestra un ejemplo de cómo se forman las líneas de conexión
en un sustrato de PCB. Ambos lados del material dieléctrico se unen con
revestimiento de cobre que luego se graba al aguafuerte para obtener los patrones
de conductores deseados. Para los materiales de sustrato PCB, se utilizan
ampliamente la fibra de vidrio epoxi (FR4), el teflón y el duroid. El sustrato FR4 (un
tipo de fibra de vidrio epoxi) se puede utilizar desde frecuencias más bajas hasta
aproximadamente 4 GHz, mientras que el teflón o duroid se puede utilizar hasta las
frecuencias de ondas milimétricas, dependiendo de su formación. Generalmente,
todos estos materiales se prestan a la soldadura, mientras que la unión de alambre
para un ensamblaje de circuito integrado no es típicamente usada ampliamente.
Además, en comparación con otros métodos que se explicarán más adelante, un PCB
puede resultar en menores costos; su fabricación es fácil y requiere menos tiempo
de producción. Además, la producción a pequeña escala es posible sin el uso de
costosas máquinas de ensamblaje; es fácil de fijar y también podría utilizarse en la
producción a gran escala, por lo que se utiliza ampliamente.

Figura 1.4 Una fotografía de PCBs de fibra de vidrio epoxi. Las placas de
circuito impreso de la izquierda son para los sintetizadores de frecuencia de banda
X y 2 GHz que utilizan el Bucle de Bloqueo de Fase (PLL). La placa de circuito impreso
de la derecha es para el sistema de identificación automática VHF, que tiene un
diagrama de bloques similar al que se muestra en la Figura 1.7. El amplificador de
potencia se implementa en un bloque separado.
 Los sustratos de película gruesa se producen mediante técnicas de serigrafía
en las que los patrones de conductores se forman empujando pasta conductora
sobre un sustrato cerámico a través de una pantalla de patrones y luego disparando
patrones de conductores impresos. El sustrato se denomina película gruesa porque
los patrones formados por estas técnicas son generalmente mucho más gruesos que
los formados mediante técnicas de capa fina. Como beneficio del uso de técnicas de
serigrafía, es posible realizar múltiples serigrafías. Los patrones dieléctricos o de
resistencia también pueden formarse mediante técnicas de serigrafía similares
utilizando pastas dieléctricas o de resistencia. Utilizando un orden apropiado de
serigrafías múltiples, también es posible formar condensadores y resistencias en el
sustrato cerámico. Dado que el sustrato cerámico es más tolerante al calor, es fácil
montar dispositivos activos en forma de chips. Por otro lado, considerando las líneas
y patrones formados por este proceso, la precisión del patrón de la película gruesa
es algo inferior a la de la película fina. Los costes y el tiempo de desarrollo, caso por
caso, se sitúan entre los de los procesos de PCB y de capa fina. Recientemente, sin
embargo, la integración basada en la tecnología de película gruesa se ha vuelto poco
frecuente debido a que su coste y la precisión del patrón se encuentran entre la
tecnología de PCB y la de película delgada, mientras que la película gruesa se utiliza
ampliamente para construir componentes multifuncionales. Un ejemplo típico es el
paquete basado en la tecnología LTCC (cerámicas de cocción a baja temperatura).1
Las cerámicas multicapa y la estructuración son posibles en las tecnologías LTCC. La
figura 1.5 muestra una fotografía de sustratos con patrones de película gruesa
fabricados mediante el proceso de película gruesa.

Figura 1.5 Una fotografía de los sustratos fabricados por el proceso de

película gruesa. Los circuitos idénticos pueden ser colocados para una producción
eficiente. Este circuito es para el VCO de comunicación móvil que se presenta en el
Capítulo 10.
La técnica de capa fina se utiliza ampliamente en la fabricación de circuitos
de microondas para sistemas de comunicación militares y de microondas. En el caso
del proceso de capa fina, se emplea un material de sustrato cerámico similar al
utilizado en la película gruesa, pero en comparación con el sustrato de capa gruesa,
se utiliza un sustrato de acabado de superficie fino. El sustrato más utilizado es el
99% de alúmina (Al2O3). Otros sustratos como la sílice fundida, el cuarzo, etc. son
posibles para la generación de patrones de conductores basados en tecnologías de
capa fina. La formación de patrones en el sustrato se crea con un proceso
fotolitográfico que puede producir finas huellas de patrones conductores similares
a los de un proceso semiconductor. Dado que el sustrato de capa fina es también
alúmina, como en el caso de un sustrato de capa gruesa, es posible el ensamblaje de
chips semiconductores utilizando la unión por hilo. La película delgada en
comparación con el PCB y la película gruesa es más costosa, y debido a la necesidad
de pistas finas, es necesaria la fabricación de una máscara y el proceso generalmente
toma más tiempo. Los componentes pasivos, como las resistencias y los
condensadores de puente aéreo, se pueden implementar mediante este proceso.
Además, los circuitos integrados producidos por el proceso de película delgada
requieren adhesivos de alambre especiales y equipos de micro-soldado para su
ensamblaje. Comparado con el proceso de integración monolítica, el proceso de
película delgada tiende a ser más barato en términos de costo, pero en comparación
con el MMIC, el circuito ensamblado que utiliza el sustrato de película delgada es
difícil de caracterizar precisamente debido a elementos de circuitos parásitos
desconocidos o mal descritos asociados con los métodos de ensamblaje tales como
la unión de alambres y la fijación de matrices. Antes de la aparición de los MMIC
(circuitos integrados monolíticos de microondas), la tecnología de capa fina era el
método convencional para construir circuitos integrados de microondas (MIC). La
figura 1.6 es una fotografía de circuitos de capa fina fabricados con la técnica de capa
fina.

Figura 1.6 Una fotografía de los sustratos producidos por el proceso de capa
fina. De arriba a abajo a la izquierda, son filtro, desfasador, amplificador de potencia
(presentado en el Capítulo 9), circuito de conmutación de ruta por ensamblaje,
divisor de potencia y líneas de 50 Ω
La elección del método de integración depende de la aplicación y de la
situación, teniendo en cuenta varios factores mencionados anteriormente, como la
frecuencia de funcionamiento del circuito integrado, los tipos de componentes
semiconductores (chip o empaquetados), las formas de los componentes pasivos,
los costes de fabricación a gran escala y el método de montaje. Todos estos factores
deben tenerse en cuenta al seleccionar el método óptimo de integración. Para una
descripción de la fabricación de sustratos con diseños de microondas, el ensamblaje
con unión y soldadura por hilo y el embalaje, véase la referencia 1 al final de este
capítulo. El libro proporciona información general sobre la fabricación de circuitos
de microondas. La Tabla 1.1 proporciona una comparación de las integraciones
híbridas descritas anteriormente
.

Tabla 1.1 Comparación de la integración híbrida

Ahora consideraremos la aplicación de las líneas de transmisión planas tales
como microcinta, slot y CPW a las tecnologías de integración monolítica e híbrida.
Las líneas de microcinta son las líneas de transmisión más utilizadas tanto para
tecnologías monolíticas como híbridas de integración. En las líneas de microcinta, el
patrón de conductor superior se conecta generalmente a tierra mediante un orificio
pasante o un orificio pasante. Por lo tanto, el proceso posterior para la fabricación a
través de un agujero o a través de un agujero es esencial para construir un circuito
basado en líneas de microcinta. Este proceso inverso es inconveniente,
especialmente en la integración monolítica. En la integración híbrida, los orificios se
pueden fabricar mediante un simple taladrado mecánico para una caja de circuito
impreso y mediante taladrado láser o ultrasónico para cajas de película gruesa y
fina. Luego, el recubrimiento de los orificios fabricados completa la fabricación de
un orificio pasante o pasante. Sin embargo, para fabricar a través de agujeros en la
integración monolítica, una oblea que típicamente tiene un espesor normal de
alrededor de 600 μm debe ser pulida a alrededor de 100 μm de espesor. La
tecnología actual no soporta la fabricación a través de agujeros más allá de 100 μm
En la Figura 1.2, podemos ver que el CPW y las líneas de ranura no necesitan el suelo
metálico de la parte posterior y eliminan la necesidad de cualquier proceso adicional
de metalización de la parte posterior. El CPW es muy útil en la integración monolítica
y es ampliamente utilizado para construir MMICs sin vías. Sin embargo, las
discontinuidades de los CPWs no se entienden bien comparadas con las de las líneas
de microcinta y la integración basada en un CPW no es tan popular como la basada
en una microcinta. Las diversas discontinuidades de microcinta y líneas de ranura,
CPWs y líneas de transmisión planas se tratan en la referencia 2 al final de este
capítulo
. 1.2 Circuitos de microondas en un sistema de comunicación
La clasificación de los circuitos integrados de microondas ya se ha discutido
anteriormente. El circuito integrado de microondas se clasificó según el método de
implementación de las líneas de transmisión planas para la conexión de dispositivos
activos y pasivos. Las funciones de los circuitos integrados de microondas varían
mucho y ahora consideraremos varios circuitos integrados de microondas
importantes, cuyos diseños se discutirán en capítulos posteriores. Algunos ejemplos
de estos circuitos son los amplificadores de bajo ruido (LNA), amplificadores de
potencia (PA), osciladores, mezcladores, acopladores direccionales, interruptores,
atenuadores y filtros, entre otros muchos circuitos integrados de microondas. Entre
ellos, los acopladores direccionales, interruptores, atenuadores, filtros, etc., son
básicamente circuitos pasivos de microondas, aunque son muy utilizados. Por lo
tanto, no se tratan en este libro porque se considera que están fuera de su alcance.
Además, aunque componentes tales como interruptores, atenuadores variables,
desfasadores y otros circuitos de control son importantes y están compuestos de
dispositivos semiconductores, generalmente no se consideran los componentes
básicos de un sistema de comunicación inalámbrica. Por lo tanto, este libro sólo
cubrirá los amplificadores de bajo ruido, amplificadores de potencia, osciladores y
mezcladores, que son los circuitos más utilizados en la construcción de sistemas de
comunicación inalámbrica. La teoría básica del diseño de estos circuitos, así como
los dispositivos relacionados con ellos, se explicarán en este libro.
Como ejemplo de un sistema de comunicación inalámbrica, la Figura 1.7
muestra un diagrama de bloques de un teléfono celular analógico (la frecuencia de
recepción es de 869-894 MHz y la frecuencia de transmisión es de 824-849 MHz).2
Un transceptor general utilizado para la transmisión y recepción de señales
analógicas (generalmente voz) tiene un diagrama de bloques similar que se muestra
en la Figura 1.7. Una señal de RF débil con un nivel de potencia típico de
aproximadamente -100 dBm (0,1 nW) recibida de una antena pasa primero por un
filtro llamado diplexor y la señal se recibe sólo en la banda de frecuencia del
receptor. La señal filtrada es demasiado débil para la demodulación directa o el
procesamiento de la señal, y se requiere un amplificador de bajo ruido (LNA) con
una ganancia de 20-30 dB para amplificar la señal recibida. Demasiada ganancia
puede causar distorsión y se suele emplear un LNA con una ganancia de 20-30 dB.
El Capítulo 8 proporciona una explicación detallada del diseño de un LNA.

Figura 1.7 Diagrama de bloques de un teléfono móvil analógico (estándar

AMPS). Tx_EN significa Tx enable y ALC significa control automático de nivel. Los
datos Tx_ y Rx_data son necesarios para configurar los divisores de frecuencia
programables en los sintetizadores Tx y Rx. LE son las siglas de Load Enable. Cuando
LE es alto, los datos del canal digital se cargan en el correspondiente divisor de
frecuencia programable en PLL IC. Los sintetizadores se explican en el Capítulo 11.
La señal de bloqueo indica que el sintetizador que utiliza PLL se encuentra en un
estado bloqueado.
Luego, debido a que la frecuencia de la señal recibida es tan alta, el primer
mezclador mostrado en la Figura 1.7 traduce la frecuencia portadora a una banda
de frecuencia más baja llamada primer IF (frecuencia intermedia). Un receptor
superheterodino de conversión doble se utiliza más ampliamente que un receptor
superheterodino de conversión simple en un sistema de comunicación. El filtro
situado delante del primer mezclador vuelve a suprimir tanto la señal de frecuencia
de imagen como otras señales en el exterior de la banda de frecuencia de recepción.
Dado que varios usuarios en servicio utilizan la misma banda de frecuencias, los
múltiplos de otras señales de usuario coexisten generalmente con la señal en el
primer FI. Las intermodulaciones entre las múltiples señales son una de las
cuestiones cruciales en el diseño de los mezcladores. El capítulo 12 describe las
topologías típicas de varios mezcladores para suprimir tales señales espurias. Para
filtrar las posibles señales espurias que aparecen en la primera salida del mezclador,
la señal pasa a través de un filtro de paso de banda estrecho que tiene un ancho de
banda de aproximadamente el ancho de banda de la señal. El primer filtro de FI
elimina muchas señales espurias no deseadas, aunque puede no ser completamente
suficiente. La primera salida de FI se convierte de nuevo mediante la segunda
mezcla. Ahora la frecuencia central de la segunda FI es suficientemente baja, el filtro
altamente selectivo está disponible, y las señales espurias pueden ser
suficientemente suprimidas a través del segundo filtro de FI. Además, la frecuencia
de la señal es suficientemente baja y puede ser demodulada para la recuperación de
la señal original. El demodulador es un demodulador FM y es casi el mismo que el
demodulador FM que es comercialmente popular.
Tenga en cuenta que el mezclador requiere la señal de entrada de un
oscilador local (LO) para la traducción de la frecuencia de la señal al FI. Las dos
señales LO son suministradas por los dos sintetizadores Rx y cada sintetizador Rx
consiste en un oscilador controlado por voltaje (VCO) y un circuito integrado PLL
(circuito integrado) comercial. Dado que la frecuencia de la mayoría de los VCO no
es lo suficientemente estable para ser utilizada en tales sistemas de comunicación,
la frecuencia de un VCO debe ser estabilizada usando un oscilador de cristal estable
(XO en la Figura 1.7) con una estabilidad de temperatura típica de 2 ppm (partes por
millón) y un bucle de bloqueo de fase (PLL). Además, la frecuencia LO debe moverse
hacia arriba y hacia abajo de acuerdo con los comandos de la estación base. Esta
síntesis y estabilización de frecuencia puede lograrse mediante un bucle de bloqueo
de fase (PLL). Para construir un sintetizador de frecuencia usando PLL, la frecuencia
del VCO así como la frecuencia del oscilador de cristal deben ser divididas por los
divisores de frecuencia programables apropiados en el PLL IC. Las señales CLK,
Rx_ChDATA, Rx_ChLE y Rx_Lock, mostradas en la Figura 1.7, son las señales digitales
entre el CI PLL y el controlador del sistema. La señal de reloj CLK se utiliza para la
señal de referencia de temporización que genera el controlador del sistema
utilizando el oscilador de cristal. Rx_ChDATA enviado desde el controlador
representa los datos digitales para configurar los divisores de frecuencia
programables. La señal Rx_ChLE selecciona el divisor programable correspondiente
para Rx_ChDATA que se cargará entre varios divisores de frecuencia en el PLL IC.
Cuando se alcanza el bloqueo de fase, el PLL IC envía la señal Rx_Lock al controlador
del sistema para informar de la finalización del bloqueo de fase. Los dos
sintetizadores Rx son necesarios para el receptor superheterodino de conversión
doble. El PLL IC comercial generalmente incluye los componentes necesarios para
lograr el bloqueo de fase para dos VCOs en un solo PLL IC. Por lo tanto, la señal LO
para la segunda conversión se sintetiza de forma similar utilizando un solo CI PLL.
El diseño de los VCOs Tx y Rx en la Figura 1.7, así como los otros VCOs de microondas
se describen en el Capítulo 10, mientras que el funcionamiento de la PLL se explica
en el Capítulo 11.
En la operación de transmisión, la señal de entrada de modulación
(normalmente voz) va a la entrada de modulación de un sintetizador de Tx. El
sintetizador de Tx está compuesto de manera similar por un VCO y un PLL IC. A
través del PLL IC, la frecuencia portadora central deseada se sintetiza de forma
similar a la del sintetizador Rx. Las señales digitales CLK, Tx_ChDATA, Tx_ChLE y
Tx_Lock se interpretan de la misma manera que en el sintetizador Rx. La señal de
modulación tiene generalmente una frecuencia más alta que el ancho de banda del
lazo PLL y por lo tanto puede modular un VCO sin los efectos de un PLL. Por lo tanto,
la señal modulada en frecuencia (FM) aparece en la salida del sintetizador de Tx con
la frecuencia portadora sintetizada. La señal modulada entonces pasa a través del
filtro pasabanda que elimina las señales innecesarias o espurias. El nivel medio de
potencia de salida de la señal modulada es generalmente bajo; por lo tanto, para
obtener el nivel de potencia de salida de RF deseado, la señal debe ser amplificada
por un amplificador de potencia (PA) cuyo nivel máximo de potencia de salida típico
es de aproximadamente 1W. La función ALC (Automatic Level Control) está
generalmente incorporada para controlar el nivel de potencia de transmisión.
Cuando un usuario está cerca de la estación base, el nivel de potencia de transmisión
se ajusta a bajo; de lo contrario, se ajusta a alto para una mejor calidad de
comunicación. La señal de salida de PA pasa a través de un diplexor sin afectar al
receptor y se irradia a través de la antena. Un amplificador de potencia es
importante en este tipo de sistema de comunicación porque consume la mayor parte
de la energía de CC suministrada por una batería. Además, debido a que un
amplificador de potencia funciona en condiciones de señal de gran tamaño, se
produce una distorsión significativa. En el Capítulo 9, discutiremos el diseño y la
evaluación de la linealidad de un amplificador de potencia.
Dada la discusión anterior, los circuitos clave en la construcción de un
sistema de comunicación son un amplificador de bajo ruido, un amplificador de
potencia, osciladores y mezcladores. Con esto en mente, este libro discutirá en
detalle el diseño y el método de evaluación de estos circuitos.
1.3 Resumen
- Los circuitos integrados de microondas pueden clasificarse según el método
de fabricación del sustrato estampado y en términos de integración monolítica e
híbrida. La integración híbrida se puede clasificar en integraciones basadas en PCB,
película gruesa y película delgada. En la selección de la integración, no se puede decir
que un tipo sea superior al otro; la elección se hace en función de la aplicación y de
la situación, y teniendo en cuenta varios factores como el coste, el tiempo, la
precisión del patrón y el montaje.
 - Entre los circuitos activos de microondas, los bloques de construcción más
comúnmente utilizados para sistemas de comunicación inalámbrica u otros
sistemas, tales como repetidores, transpondedores y radares, son los
amplificadores, osciladores y mezcladores.
Problemas
1.1 Una guía de onda generalmente tiene una pérdida de línea menor que una
microbanda. Una guía de onda integrada en el sustrato (SIW) puede ser considerada
como la versión plana de una guía de onda. ¿Cómo se configura una SIW utilizando
un sustrato?
1.2 Encuentre el ejemplo del módulo TR (transmisión y recepción)
construido utilizando un LTCC en el sitio Web www.barryind.com.
1.3 ¿Cómo se construye el ALC en la Figura 1.7?
1.4 Refiérase el demodulador de FM IC SA605, que se utiliza para demodular
una señal de FM. Explique cómo se demodula la señal de FM usando su diagrama de
bloques.
1.5 Consulte el sitio web de los proveedores de PLL IC, como Analog Devices
Inc. u otras empresas. Explique el bus de datos del sintetizador que se muestra en la
Figura 1.7.
1.6 ¿Cómo se puede modular el PLL? Explique cómo ajustar el ancho de banda
del bucle PLL teniendo en cuenta el ancho de banda de una señal de modulación con
banda limitada.
 Esquema del capítulo
2.1 Impedancias
2.2 Clasificación
2.3 Circuitos equivalentes
2.4 Mediciones de impedancia
2.5 Resumen
2.1 Impedances
Passive devices include resistors, capacitors, and inductors. When these devices
are used in a circuit, their most fundamental property is their impedance. The
impedance Z of a resistor, capacitor, and inductor are expressed, respectively,
below in Equations (2.1)–(2.3).

La figura 2.1 muestra el diagrama de escala logarítmico de |Z| en las

ecuaciones anteriores. En el caso de una resistencia, presenta una impedancia
constante independiente de la frecuencia, mientras que la impedancia de un
condensador disminuye linealmente, y la de un inductor aumenta con la frecuencia,
como se muestra en la Figura 2.1. Hay varias maneras de fabricar resistencias,
condensadores e inductores, que producen características de impedancia similares
para algunos rangos de frecuencia limitados. En este capítulo, examinaremos cómo
se clasifican los dispositivos pasivos en función de sus métodos de fabricación, y
analizaremos la dependencia característica de la impedancia de los métodos de
fabricación. Las resistencias, condensadores e inductores disponibles
comercialmente generalmente exhiben las características de impedancia mostradas
en la Figura 2.1 a bajas frecuencias; sin embargo, generalmente no tienen las
características simples e ideales descritas anteriormente a medida que aumenta la
frecuencia. La característica de impedancia típicamente se vuelve más complicada
en frecuencias más altas y es necesario examinar las características antes del diseño
del circuito. En la práctica, se necesitan circuitos equivalentes complicados para sus
representaciones a medida que aumenta la frecuencia, lo que se suma a la dificultad
y complejidad del diseño de circuitos en altas frecuencias.
 Figura 2.1 Diagramas de impedancia de una resistencia de 100 Ω, un
condensador de 10 pF y un inductor de 100 nH

En tales circunstancias, en el diseño del circuito debe utilizarse el circuito

equivalente que refleje adecuadamente las características de impedancia en la gama
de frecuencias de funcionamiento. Los factores críticos serán la comprensión del
circuito equivalente típico de tales resistencias, condensadores e inductores
disponibles comercialmente, y la técnica para determinar los valores del circuito
equivalente con los datos dados. Las formas típicas de datos están disponibles como
hoja de datos y biblioteca en el software de diseño. Cuando los datos no están
disponibles, se pueden realizar mediciones o simulaciones EM para determinarlos.
Por lo tanto, en este capítulo se discutirán técnicas detalladas de análisis de datos y
técnicas de medición apropiadas en ausencia de datos.
2.2 Clasificación
Basados en gran medida en su método de fabricación, los dispositivos pasivos
se clasifican en componentes de tipo plomo y de tipo chip, y componentes pasivos
de tipo patrón. Los componentes de tipo plomo y de tipo chip están ampliamente
disponibles en el mercado. Las fotografías de los mismos se muestran en las figuras
2.2 y 2.3, respectivamente. Los componentes pasivos de tipo patrón están formados
por patrones en el sustrato.
 Figura 2.2 Componentes tipo plomo: (a) resistencia, (b) condensador y (c)
inductor

Figura 2.3 Componentes tipo chip: (a) resistencia, (b) condensador y (c)
inductor

El método de montaje de los componentes de tipo plomo y de tipo viruta es

diferente. Mientras que los componentes de tipo plomo se ensamblan básicamente
mediante una técnica de inserción, los componentes de tipo chip se ensamblan
mediante una técnica de montaje en superficie. Al ensamblar un componente tipo
plomo, los terminales de plomo son primero doblados e insertados en agujeros
pasantes formados en la placa de circuito impreso. Los terminales de plomo
innecesarios se cortan y la placa de circuito impreso con componentes de tipo de
plomo se sumerge en soldadura fundida y, finalmente, los terminales de plomo se
sueldan a los patrones de conductores redondos formados alrededor de los orificios
pasantes en la parte inferior de la placa de circuito impreso. En el caso de los
componentes de tipo chip, las cremas de soldadura se imprimen primero en
patrones de tierra formados en una placa de circuito impreso o sustrato, y los
componentes de tipo chip se montan en los patrones de tierra de forma manual o
automática. Finalmente, pasando a través de una máquina de reflujo con un perfil
de temperatura apropiado, se completa la soldadura de los componentes de tipo
chip a los patrones de terreno. En el caso de los componentes de plomo, debe tenerse
en cuenta que los terminales de plomo se deben utilizar únicamente para las
conexiones. Sin embargo, también dan lugar a inductancia parasitaria a altas
frecuencias y, por consiguiente, la impedancia del terminal de cable restante se
suma a la impedancia del dispositivo pasivo. En el pasado, estos componentes de
tipo plomo se utilizaban principalmente como dispositivos pasivos antes de que los
componentes de tipo chip se popularizaran comercialmente. Pero debido a las
fluctuaciones que surgen de la longitud de los terminales de plomo cuando se
ensamblan, los componentes de tipo de plomo rara vez se utilizan en alta frecuencia,
aunque todavía se utilizan para aplicaciones de baja frecuencia. Además, los
componentes tipo plomo son generalmente más grandes que los componentes tipo
chip.
En comparación con los componentes de tipo plomo, los componentes de tipo
chip tienen relativamente menos elementos parasitarios causados por los
terminales, lo que resulta ventajoso a altas frecuencias. Sin embargo, la razón
principal de la popularidad de estos dispositivos es la miniaturización en lugar de
su ventaja para su uso en altas frecuencias. Además, la técnica de montaje en
superficie, que proporciona una ventaja en la fabricación a gran escala, es otra razón
por la que se utilizan ampliamente.
Los componentes pasivos de tipo patrón se pueden producir normalmente
sobre el sustrato utilizando el proceso de un circuito integrado monolítico de
microondas (MMIC) o película delgada en situaciones en las que un diseñador de
circuitos crea directamente dispositivos pasivos mediante el uso de patrones. Sin
embargo, hay límites en el rango de valores alcanzables con este método en
comparación con los componentes de tipo chip o de tipo plomo, lo que constituye
una desventaja.
En el caso de una resistencia, como se muestra en la figura 2.4(c), se utiliza
una película delgada de un material resistivo (normalmente NiCr y TaN) como
patrón de resistencia sobre el que se forma el patrón del conductor (para la
conexión) mediante la técnica adecuada. La resistencia de la figura 2.4(c) tiene un
espesor uniforme y, por lo tanto, es proporcional a la longitud (L) e inversamente
proporcional a la anchura (W). La constante de proporcionalidad se define como la
resistividad de la lámina RS, y la resistencia R viene dada por la ecuación (2.4).

Figura 2.4 Componentes pasivos producidos por la formación de patrones: a)

inductor, b) condensador y c) resistencia
Tenga en cuenta que RS tiene la dimensión de Ω/square.
 En el caso del condensador en la Figura 2.4(b), se forma una lámina
dieléctrica de espesor uniforme en el patrón conductor inferior, se forma de nuevo
un patrón conductor superior en el dieléctrico y se forma un condensador de metal-
aislador-metal (MIM). El espesor del material dieléctrico, generalmente
determinado por el proceso, es constante y una vez determinada la capacitancia de
la lámina CS, la capacitancia es entonces directamente proporcional a la superficie
(A) y se expresa en la Ecuación (2.5).

Por supuesto, a medida que la frecuencia aumenta, los elementos parasitarios

inherentes al condensador MIM aparecerán, y necesitarán un modelado apropiado
en el rango de frecuencia de operación.
En el caso de un inductor, normalmente se implementa en forma de espiral,
como se muestra en la Figura 2.4(a). Su diseño no es tan simple como el de un
condensador o resistencia. Las empresas de servicios de fundición suelen
proporcionar resultados medidos o datos sobre varias configuraciones de
inductores. A falta de esta información, los valores de los inductores se determinan
mediante simulación electromagnética (EM). Además, aunque la evaluación de estos
componentes de tipo patrón es importante, desde el punto de vista del diseño, la
construcción de sus circuitos equivalentes es la misma que la de los componentes
de tipo chip o de tipo plomo, por lo que aquí se omitirá su discusión específica.
Ejemplo 2.1
(1) Dado que la resistencia de la hoja RS es 50 Ω/square, calcule la resistencia
del componente que se muestra en la figura 2E.1 siguiente.

(2) La permitividad de un condensador MIM es 7.2 y su espesor es 0.4 μm

Determine la capacitancia en hoja en pF/mm2 y luego calcule la capacitancia
de un condensador de 50 μm2
Solución
(1) En el caso de la resistencia, como el valor de la resistencia de la hoja RS es
50 Ω/square, entonces.
 (2) En el caso del condensador, la capacitancia de la chapa por mm2 es

Así, CS = 159 pF/mm2 y para un condensador con un área de 50 μm ×

50 μm, la capacitancia es

2.3 Circuitos equivalentes

Como se mencionó anteriormente, los componentes pasivos de tipo
patrón requieren el proceso de película delgada o MMIC. Cuando no se
utilizan componentes de tipo patrón, la opción más probable para los
componentes pasivos en aplicaciones de alta frecuencia son los componentes
de tipo chip porque los componentes de tipo plomo no son apropiados para
aplicaciones de alta frecuencia. En esta sección se explican los métodos de
fabricación y evaluación de componentes tipo chip. Además, se describirá el
método para extraer el circuito equivalente a partir de los datos dados.
2.3.1 Condensadores tipo chip
Un condensador tipo chip es usualmente construido usando una
estructura de varias capas, como se muestra en la Figura 2.5. Cada terminal
consiste en un número de placas conductoras paralelas (en la Figura 2.5,
están etiquetadas como electrodos internos), y la suma de la capacitancia
formada entre las placas conductoras paralelas aparece en las terminales del
condensador tipo chip. El dieléctrico llena el espacio entre las placas
conductoras y su constante dieléctrica aumenta aún más la capacitancia
entre los terminales.
 Figura 2.5 Estructura de un condensador de chip. La capacitancia aparece
en los dos terminales y es la suma de la capacitancia que aparece entre dos placas
conductoras cercanas. Utilizando material cerámico de alta permitividad, la
capacitancia puede ser incrementada.
La clasificación de los condensadores de tipo chip se basa en los parámetros
geométricos mostrados en la figura 2.6: longitud L entre los terminales y anchura de
los terminales W. Basado en una unidad estándar de mm, un condensador que tiene
una longitud de 1,0 mm y una anchura de 0,5 mm se llama tipo 1005; siguiendo una
definición similar, el tipo 1608 es un condensador que tiene una longitud de 1,6 mm
y una anchura de 0,8 mm. Esta clasificación no se limita a los condensadores; las
resistencias y los inductores se clasifican de la misma manera. Así, una resistencia
de 1608 representa una resistencia de viruta con una longitud de 1,6 mm y una
anchura de 0,8 mm.

Figura 2.6 Dimensiones de un componente tipo viruta (L: largo, W: ancho)

La impedancia de dicho condensador depende de la frecuencia y del circuito
general equivalente como se muestra en la Figura 2.7. En ese circuito equivalente, C
representa la capacitancia de un condensador de chip, L es la inductancia parasitaria
que aparece debido a la estructura multicapa, y R representa la pérdida en el
material dieléctrico utilizado en el condensador. Por lo tanto, desde un punto de
vista estructural, a medida que el tamaño del condensador se hace más pequeño, la
inductancia L generalmente se hace más pequeña. Debe también ser observado que
la inductancia tiende generalmente a ser constante sin importar el valor de la
capacitancia cuando el tamaño del condensador tipo chip es igual.

C: capacitancia del condensador

L: inductancia parasitaria (0,7 nH-1 nH)
R: representa la pérdida de la placa conductora

Figure 2.7 The equivalent circuit of a chip-type capacitor. C is the value of the
capacitor and L occurs due to conductor patterns used to form the capacitor. R
is due to the conductor and dielectric losses.
La figura 2.8 muestra las impedancias de los condensadores tipo chip con
respecto a la frecuencia. Mirando la curva de 100 pF de la figura, una frecuencia de
unos 100 MHz, la impedancia disminuye linealmente con la frecuencia. Esto es
obvio porque a baja frecuencia el condensador de chip se comporta como un
condensador ideal. Como muestra una impedancia de aproximadamente 30 Ω a 50
MHz, se puede ver que tiene una capacidad de:
 Figura 2.8 Características de impedancia de los condensadores tipo chip de
la serie GRM36 (véase la hoja de datos1)
El error en el valor de capacidad calculado se debe a la lectura aproximada
del valor de impedancia del gráfico. De la Figura 2.8, a medida que la frecuencia
aumenta, la impedancia, después de alcanzar un mínimo, se eleva de nuevo. Esto
puede ser entendido a partir del circuito equivalente del condensador tipo chip en
la Figura 2.7. Mientras que la impedancia del condensador C en la Figura 2.7 está
disminuyendo, la del inductor L está aumentando con la frecuencia. Así, a medida
que la frecuencia aumenta, el inductor L en la Figura 2.7 se vuelve dominante, lo que
explica por qué la impedancia de los condensadores tipo chip mostrados en la Figura
2.8 aumenta con la frecuencia.
A partir del punto mínimo de la curva de 100 pF de la figura 2.8, la resistencia
en serie R en el circuito equivalente de la figura 2.7 es de aproximadamente 0,2 Ω
Además, a una frecuencia de 1 GHz, suponiendo que la impedancia esté determinada
principalmente por un inductor, el valor aproximado del inductor puede obtenerse
a partir de la curva. Dado que su impedancia es de aproximadamente 5 Ω a 1 GHz, el
valor aproximado de la inductancia es:

Se pueden determinar valores más precisos del circuito equivalente

mediante el ajuste de curvas, que se utiliza ampliamente para ajustar estos datos.
Así, en el caso del condensador de 100 pF, cuando se utiliza a una frecuencia
superior a 1 GHz, actúa como un inductor y no como un condensador. Para utilizar
el condensador de 100 pF como bloque de CC, debe tener, como máximo, una
impedancia inferior a 5 Ω (que se estima en 1/10 de un valor de impedancia
estándar de 50 Ω). Del gráfico de la Figura 2.8, es posible utilizar el condensador de
100 pF como un bloque de CC o un condensador de derivación en el rango de
frecuencias de 300 MHz a 900 MHz. Su uso como bloque de CC a una frecuencia más
alta plantea una dificultad debido al efecto del inductor parasitario.
2.3.2 Inductores tipo chip
Los métodos de fabricación de los inductores tipo chip son algo más diversos
en comparación con los de los condensadores tipo chip. Las estructuras de los
inductores de chip varían, dependiendo no sólo de sus métodos de fabricación sino
también de sus valores, límites de corriente continua y cobertura de frecuencia. Por
lo tanto, las estructuras no se muestran aquí y los lectores deben referirse a la hoja
de datos. Básicamente, un inductor se forma enrollando alambre de cobre
recubierto de esmalte en un núcleo de ferrita o en materiales dieléctricos. El
bobinado de alambre esmaltado a veces es sustituido por tecnologías de impresión
de película gruesa. Después de que el inductor se forma por devanado, se hacen los
terminales de soldadura apropiados para las conexiones. Es posible enrollar más
con un alambre de diámetro más fino. La inductancia se puede aumentar
significativamente aumentando el número de bobinados. Sin embargo, debe tenerse
en cuenta que esto conducirá a un aumento de la resistencia en serie y a una
disminución de la capacidad de corriente. Además, esto también llevará a un
aumento proporcional de la capacitancia parasitaria. Por lo tanto, el inductor con un
valor de inductancia mayor normalmente no se puede utilizar a altas frecuencias.
Por consiguiente, cuando se utilizan inductores para diseñar un circuito, se debe
consultar cuidadosamente la hoja de datos para determinar la gama de frecuencias
de funcionamiento. Dado que el inductor generalmente muestra una resonancia
paralela debido a la capacitancia parasitaria, el inductor puede ser utilizado como
resonador. Sin embargo, la Q de la resonancia paralela es generalmente baja. Así,
cuando se aplica como resonador a un oscilador, por ejemplo, se requiere un examen
minucioso de la hoja de datos para el valor de Q.
La figura 2.9 muestra un circuito equivalente típico de un inductor tipo chip
donde L representa la inductancia que surge del devanado, R representa la
resistencia del devanado, y C representa la suma de capacitancias parásitas que
aparecen entre los devanados.

Figura 2.9 Circuito equivalente de un inductor. L es el valor del inductor y C

representa la capacitancia perdida entre el devanado. R representa la pérdida de la
bobina.
En la Figura 2.9, a una frecuencia extremadamente baja, el inductor tipo chip
actúa como una resistencia R. A medida que la frecuencia aumenta, la impedancia
de L en la figura se vuelve dominante y actúa como un inductor. A medida que la
frecuencia aumenta aún más, la impedancia de C en la figura se hace más pequeña y
entonces el inductor se comporta como un condensador. Por lo tanto, el rango de
frecuencia aproximado para el inductor tipo chip en la Figura 2.9 para ser usado
como inductor se muestra en la Ecuación (2.6).

La figura 2.10 muestra las impedancias de los inductores tipo chip con
respecto a la frecuencia. En esta figura, examinando la curva 100 μH, se encuentra
que la impedancia aumenta linealmente con frecuencias de hasta 10 MHz. Por lo
tanto, por debajo de 10 MHz, el inductor tipo chip se comporta como un inductor.
Dado que el valor de impedancia a 1 MHz parece ser de aproximadamente 0,6 kΩ, el
valor de la inductancia se calcula de la siguiente manera
 Figura 2.10 Características de impedancia de los inductores tipo chip de la
serie IMC1210 (véase la hoja de datos2)
Debido a la lectura aproximada del valor de impedancia del gráfico, se
produce un error en el valor de inductancia calculado. A medida que la frecuencia
aumenta, la impedancia comienza a caer después de alcanzar un punto máximo, lo
que se debe a la influencia del condensador parásito en el circuito equivalente de la
Figura 2.9. Así, a medida que la frecuencia aumenta, el inductor actúa como un
condensador.
Asumiendo que a una frecuencia de 100 MHz la impedancia se debe
principalmente a un condensador, entonces debido a que su impedancia es de
aproximadamente 0.5 kΩ a esta frecuencia, el valor del condensador se computa
como

De la Figura 2.10, la resistencia en el punto máximo (o resonancia paralela)

es 100 kΩ El valor de la impedancia en esta frecuencia es, aproximadamente,
and the value of the resistor in Figure 2.10 is

2.3.3 Chip-Type Resistors

The structure of a chip-type resistor is shown in Figure 2.11(a), where the resistor
is manufactured by printing a resistive material (RuO2) on a ceramic substrate. In
addition, the terminals for connection are formed using a similar thick-film printed
conductor pattern as shown in the figure. The thick-film printed terminals are
plated to make soldering possible. Furthermore, in order to prevent oxidation or
damage to the resistive material, a glassy coating is added to the resistive material
in a post-processing application.
2.3.3 Resistencias tipo chip
La estructura de una resistencia tipo chip se muestra en la Figura 2.11(a),
donde la resistencia se fabrica imprimiendo un material resistivo (RuO2) sobre un
sustrato cerámico. Además, los terminales para la conexión se forman utilizando un
patrón de conductor impreso de película gruesa similar al que se muestra en la
figura. Los terminales impresos de película gruesa están chapados para hacer
posible la soldadura. Además, para evitar la oxidación o el daño al material resistivo,
se añade un recubrimiento vidrioso al material resistivo en una aplicación de post-
procesamiento.

Figura 2.11 Resistencia tipo chip; (a) estructura y (b) foto. Una resistencia tipo chip se
forma imprimiendo el material resistivo utilizando la tecnología de película gruesa. Se aplica un
recubrimiento de vidrio para su protección. El valor de la resistencia a veces está marcado en el
revestimiento de vidrio. Dos dígitos representan el valor de la resistencia y los dígitos restantes
representan el exponente. Por lo tanto, los tres dígitos 342 corresponden a 3.4 kΩ

Una clasificación similar a la de los condensadores (1005, 1608 y 2010)

también se utiliza en la clasificación de las resistencias de chip. A medida que el
tamaño de las resistencias tipo chip se hace más pequeño, similar al de un
condensador, las características de impedancia generalmente se vuelven más
ideales, es decir, se pueden aplicar a frecuencias más altas. Otro factor a tener en
cuenta es el consumo de energía. El consumo de energía que puede soportar una
resistencia de tipo chip se indica normalmente en la hoja de datos del fabricante. La
capacidad de consumo de energía generalmente se reduce a medida que el tamaño
de la resistencia se reduce.
Dependiendo del fabricante, el valor de la resistencia a veces se marca en su
superficie, como se muestra en la Figura 2.11(b), lo que facilita mucho la
identificación de ese valor. En la Figura 2.11(b), siguiendo una notación general, los
dos primeros dígitos representan el valor de la resistencia y los restantes
representan el exponente. Así, una resistencia 3.4 kΩ se denomina
342 = 34 × 102 = 3.4 × 103 = 3.4 k
La característica de impedancia con respecto a la frecuencia y el circuito
equivalente de una resistencia de tipo chip no es generalmente conocida. El método
explicado en la siguiente sección puede utilizarse para medir la característica de
impedancia desconocida de una resistencia de tipo chip. Usando la característica de
impedancia medida, el circuito equivalente de la resistencia tipo chip puede ser
similar a los condensadores e inductores tipo chip.
2.4 Mediciones de impedancia
Todos los componentes pasivos tipo chip pueden ser considerados como
componentes de un solo puerto. Así, utilizando un analizador de impedancia o un
analizador de red, sus características de impedancia pueden ser medidas. Aquí se
presenta el método para medir las características de impedancia utilizando el
analizador de red ampliamente disponible. Debe tenerse en cuenta que este método
puede ir acompañado de errores significativos cuando se utiliza con frecuencias
altas.
En primer lugar, para realizar mediciones utilizando el analizador de red, se
debe preparar un conector coaxial de pequeño tamaño (SMA) y retirar su pestaña
de soldadura (si está presente), como se muestra en la Figura 2.12. A continuación,
el analizador de red debe calibrarse con el procedimiento de calibración de un
puerto que está instalado en el analizador de red. El plano de referencia calibrado
aparece en el plano T de la figura 2.12. El plano de referencia calibrado T significa
que la impedancia medida con el analizador de red incluye todos los efectos de los
componentes conectados después del plano T. Aquí, por el momento, la calibración
puede entenderse como la eliminación de las características no ideales del
analizador de red y el movimiento del plano de medición al plano T. En la medición
práctica, pueden incluirse cables y adaptadores para conectar el analizador de red
al conjunto que se muestra en la figura 2.12. Además, el propio analizador de redes
tiene las características no ideales. Sin el procedimiento de calibración, tanto las
características de los cables y adaptadores como las características no ideales del
analizador de red se incluyen en la impedancia medida. Ambos efectos pueden ser
eliminados a través de la calibración. Después de la calibración, la impedancia puede
ser medida correctamente sin los efectos de cables y adaptadores y sin las
características no ideales del analizador de red. Después de completar la calibración
de un puerto, el plano de referencia calibrado aparece normalmente en el plano T
del conector.

Figura 2.12 Montaje para la medición de un componente pasivo; (a) vistas

posterior y (b) lateral. El plano T es el plano de referencia convencional que aparece
después de la calibración del analizador de red. El plano de referencia T se puede
desplazar a un nuevo plano de referencia T' utilizando las utilidades de retardo
eléctrico o de extensión de puerto.

Los resultados medidos en el plano calibrado T incluyen obviamente el efecto

de longitud del conector SMA, pero la impedancia correcta de la componente pasiva
se define en el plano T'. Por lo tanto, el efecto de longitud del conector SMA debe ser
eliminado de la impedancia medida, lo que normalmente se puede hacer utilizando
la función de retardo eléctrico o extensión de puerto instalada en el analizador de
red. Dado que la impedancia medida en el plano T' de la figura 2.12 sin el
componente de chip debe ser ∞, debe corregirse para que quede abierta mediante
el ajuste del retardo eléctrico. Ahora, el plano de referencia calibrado se desplaza a
T'. La impedancia medida basada en este método puede incluir algunos errores
porque tal apertura no es una apertura ideal.
A continuación, el dispositivo pasivo bajo prueba (DUT) se conecta soldando
el componente de chip a un conector, como se muestra en la Figura 2.12(b). La
impedancia medida en el plano T' corresponde al valor de impedancia del
componente de chip. La figura 2.13 muestra un ejemplo de la impedancia medida
siguiendo el método presentado. El DUT es un diodo varactor sin sesgo. La
resistencia en serie del diodo varactor es de aproximadamente 0,5 Ω A baja
frecuencia, la reactancia medida es negativa y esto implica que el diodo varactor
actúa como condensador. Sin embargo, a medida que la frecuencia aumenta, el diodo
se comporta como un inductor. Así, el diodo varactor puede ser modelado por el
circuito resonante equivalente de la serie en la Figura 2.7. Los valores de R, L y C se
pueden determinar mediante la optimización.
 Figura 2.13 Impedancia medida para un diodo varactor de viruta utilizando
el método presentado. El diodo varactor puede ser modelado por un circuito
resonante de la serie RLC con una frecuencia de resonancia de aproximadamente
1,4 GHz.
Las limitaciones del método presentado serán principalmente en el conector.
Los conectores SMA típicos pueden utilizarse hasta 18 GHz. Por lo tanto, la medición
de las características de impedancia sólo es posible por debajo de 18 GHz utilizando
un conector SMA. Sin embargo, incluso el uso de otros conectores coaxiales de alta
frecuencia (conectores coaxiales de 2,9 mm o 2,4 mm, que se describirán más
adelante) en lugar del SMA no mejora la precisión de las mediciones a una frecuencia
superior. La razón de esto es porque un circuito abierto creado por el conector
coaxial abierto no está realmente abierto. En la práctica, el extremo abierto del
conector muestra la capacitancia de la franja y la resistencia a la radiación. Además,
no importa cómo se corrijan estos factores, cuando se conecta un dispositivo, la
forma de campo del conector coaxial se distorsiona, lo que es la razón de la dificultad
de obtener características de impedancia precisas para un dispositivo a una
frecuencia más alta.
 Ejemplo 2.2
Abrir la biblioteca de condensadores de Murata en ADS. Después de calcular
la impedancia de 10 pF por simulación, obtenga su circuito equivalente.
Solución
La Figura 2E.2 muestra el esquema de simulación para calcular la impedancia
de un condensador de 10 pF. En el esquema de la Figura 2E.2, Vout se convierte en
la impedancia, ya que la fuente de corriente alterna está ajustada a 1 A. Trazando las
partes real e imaginaria de Vout por separado, se obtienen los gráficos de la Figura
2E.3. De la Figura 2E.3(a), podemos obtener R = 0.17 Ω.

Figura 2E.2 Esquema de simulación para la impedancia del condensador

Murata 10pF. Dado que la fuente de corriente alterna está ajustada a 1 A, la tensión
Vout se convierte en la impedancia del condensador Murata de 10 pF.

Figura 2E.3 (a) Partes reales y (b) imaginarias de la impedancia. La parte real
es constante para el cambio de frecuencia y la parte imaginaria muestra un circuito
resonante en serie con una frecuencia de resonancia de aproximadamente 1,62 GHz.
Así, el condensador Murata de 10 pF puede ser modelado como un circuito RLC en
serie.
 From Figure 2E.3(b), the imaginary part of the impedance shows a series
resonance. The slope near the resonant frequency becomes

Esto significa que la inductancia del circuito resonante en serie puede

obtenerse utilizando la pendiente de la reactancia a la frecuencia de resonancia. En
la Figura 2E.4 se presenta un diagrama de la parte imaginaria cercana a la frecuencia
de resonancia. Para calcular la pendiente, se insertan marcadores en el gráfico. Las
ecuaciones para calcular la pendiente a la frecuencia de resonancia utilizando los
valores de los marcadores se muestran en la Expresión de Medida 2E.1, donde m3 y
m4 representan los valores y (verticales) de los marcadores. Además, indep(m3) e
indep(m4) son los valores x (horizontales) de los marcadores. Así, la primera
ecuación en la Expresión de Medida 2E.1 se convierte en la pendiente dividida por
4π, que corresponde a la inductancia calculada a partir de L=∂X/∂f/(4π). Utilizando
el valor determinado de L y la frecuencia de resonancia, la capacitancia puede
calcularse a partir de la relación C = 1/ (ωo)2L.

Figure 2E.4 The imaginary part of the impedance in Figure 2E.3(b) is redrawn
around the resonant frequency.

L=(m3-m4)/(indep(m3)-indep(m4))/(4*pi)

C=1/((2*pi*indep(m3))**2*L)

X=2*pi*freq*L-1/(2*pi*freq*C)
Expresión de medición 2E.1 Ecuaciones para el cálculo de los valores equivalentes del
circuito en la ventana de visualización

Los valores calculados son R = 0,17 Ω, L = 0,977 nH y C = 10 pF. Así se obtiene

el circuito equivalente del condensador de chip Murata de 10 pF. Finalmente, la
última ecuación representa la reactancia X calculada a partir de los valores
obtenidos de L y C. La reactancia X da la verificación de los valores calculados de L y
C. Si los valores calculados de L y C se acercan lo suficiente para encajar en la parte
imaginaria, X mostrará un buen acuerdo. La comparación se muestra en la Figura
2E.5, donde se puede ver un acuerdo muy bueno. Por lo tanto, se puede encontrar
que el circuito equivalente produce la reactancia cercana a la parte imaginaria
obtenida de la simulación.

Figura 2E.5 Comparación de las dos impedancias obtenidas mediante cálculo

y simulación. El imag(Vout) es la parte imaginaria de la impedancia del condensador
Murata de 10 pF mostrado en la Figura 2E.3(b) y X representa la impedancia
calculada del circuito LC de la serie para la frecuencia. Los valores de LC se calculan
utilizando las ecuaciones de la Expresión de Medición 2E.1.
2.5 Resumen
- Los dispositivos pasivos se clasifican en gran medida en función de su
método de fabricación y se clasifican en componentes de tipo plomo y de tipo chip,
y componentes pasivos de tipo patrón. Los componentes tipo chip son ampliamente
utilizados en circuitos integrados híbridos de microondas.
- La extracción del circuito equivalente de un componente pasivo a partir de
los datos puede realizarse utilizando el gráfico de impedancia. El componente pasivo
comercial muestra una combinación del diagrama de impedancia de la resistencia,
inductor y condensador ideales.
- La impedancia de un componente pasivo puede ser medida usando un
analizador de impedancia o un analizador de red. En esta sección, mostramos cómo
obtener el circuito equivalente a partir de los datos medidos.
Problems
2.1 La empresa A fabrica una resistencia de capa fina cuya resistividad de la
lámina es de 50 Ω/cuadrado; en el caso de una empresa B, una resistencia de capa
fina idéntica tiene una resistividad de la lámina de 100 Ω/cuadrado. ¿Cuál es la
diferencia entre los procesos de las dos empresas? Además, dado que la resistividad
del volumen del material es ρ y su espesor es t, busque la resistividad de su lámina.
2.2 Dado que la resistividad de la lámina es de 50 Ω/square y queremos
diseñar una resistencia 100-Ω, si la corriente que fluye por esta resistencia es de 2
mA, encontraremos su anchura mínima. Su corriente nominal por ancho es de 0,5
mA/μm.
2.3 El material dieléctrico de un condensador MIM es el nitruro de silicio y su
constante dieléctrica es 7.2. Si el área es 50 μm2, encuentre el grosor de un
condensador de 0.53 pF. Además, encuentre la capacitancia por unidad de área en
(F/μm2).
2.4 En el circuito equivalente de un inductor como el de la figura 2.9, mostrar
que la magnitud aproximada de la impedancia en resonancia esque la magnitud
aproximada de la impedancia en resonancia es

2.5 En este capítulo hemos tratado el método para extraer el circuito

equivalente de un condensador de las características |Z(ω)| obtenidas de
un analizador de impedancia como el que se muestra en la Figura 2.8. La
impedancia del circuito equivalente de un condensador es

Utilizando esta ecuación, las partes reales e imaginarias de una frecuencia

pueden obtenerse mediante representación gráfica. Con esto en mente, muestre que
la impedancia aproximada cerca de la frecuencia resonante ωo esZ(ω) ≅ R + j2L(ω
– ωo)
2.6 Similar al problema 2.5 anterior, para un circuito resonante paralelo,
mostrar que la admitancia cerca de la frecuencia resonante Y (ω) viene dada por
Y(ω) ≅ G + j2C(ω – ωo)
2.7 (Problema ADS) En el ejemplo 2.2, el circuito equivalente del
condensador de 10 pF de Murata se obtiene utilizando la pendiente de la reactancia
frente a la frecuencia y frecuencia de resonancia de manera que
 Alternativamente, el circuito equivalente puede obtenerse utilizando el
diagrama de impedancia en la escala logarítmica. Calcular los valores del circuito
equivalente utilizando ADS.
 Capítulo 3. Líneas de Transmisión

Esquema del capítulo

3.1 Introducción
3.2 Parámetros
3.3 Líneas coaxiales y microcintas
3.4 Respuestas sinusoidales
3.5 Aplicaciones
3.6 Discontinuidades
3.7 Resumen

3.1 Introducción
La figura 3.1 muestra un ejemplo de un circuito de alta frecuencia fabricado
sobre un sustrato de GaAs de 100-μm de espesor. En el circuito (un LNA de 28 GHz
de GaAs pHEMT de tres etapas), los voltajes y corrientes en la línea mostrada en la
figura generalmente son funciones de posición a alta frecuencia. El par de tensiones
(V1 y V2) y corrientes (I1 y I2) se consideran simplemente iguales a baja frecuencia,
ya que la línea actúa como una simple conexión. Sin embargo, el par de voltajes y
corrientes en estos dos puntos se vuelve desigual a medida que aumenta la
frecuencia. La forma de las líneas en el circuito parece demasiado compleja. Como
primera aproximación para tratar y comprender el comportamiento de las líneas,
consideraremos una línea recta aislada (o línea de transmisión) llena de medios
homogéneos a lo largo de la dirección de propagación. Los principios y aplicaciones
de las líneas de transmisión uniformes se presentarán en este capítulo.
 Figura 3.1 Ejemplo de un circuito de alta frecuencia. El circuito es un LNA de 28 GHz de
GaAs pHEMT de tres etapas. Los V1 y I1 y V2 y I2 en posiciones diferentes no son iguales, aunque
no hay discontinuidad entre ellos.

Como se explica en el Capítulo 2, las características de los dispositivos

pasivos están representadas por su impedancia. Como en el caso de una resistencia,
por ejemplo, se puede caracterizar por el parámetro de resistencia. De igual forma,
en el caso de las líneas de transmisión, se requieren dos parámetros para su
caracterización. Primero discutimos estos dos parámetros. A continuación,
describiremos una investigación cualitativa de las líneas de transmisión más
utilizadas en altas frecuencias: coaxial y microcinta. Además, cuando una línea de
transmisión es terminada por un dispositivo pasivo, las señales incidentes y
reflejadas aparecen en la línea de transmisión. Por lo tanto, aprenderemos sobre los
parámetros definitorios en tal situación, a saber, el coeficiente de reflexión y las
pérdidas de retorno.
Las aplicaciones de las líneas de transmisión a los circuitos son varias, y en este capítulo
también se explorarán ejemplos de aplicaciones típicas. Estos ejemplos incluyen líneas de
transmisión de corta longitud, múltiplos enteros de líneas de transmisión de cuarta longitud de onda
y aplicaciones de circuitos de dos puertos de líneas de transmisión. Además, en la práctica, cuando
un extremo de una línea de transmisión está abierto, o varias líneas de transmisión están conectadas
en un punto, surgen muchas discontinuidades indeseables, por lo que consideraremos sus efectos y
cómo tratarlas.

3.2 Parámetros
3.2.1 Velocidad de fase
La figura 3.2(a) muestra una línea de transmisión uniforme alineada a lo
largo de la dirección z positiva. Dado que la corriente y la tensión son funciones de
la posición z y el tiempo t, se expresan como i(z,t) y v(z,t), respectivamente. El
circuito equivalente de una sección infinitesimal de la línea de transmisión de
longitud Δz desde la posición z se muestra en la Figura 3.2(b). El campo magnético
que surge debido al flujo de corriente en los conductores se representa como una
inductancia, mientras que el campo eléctrico que surge entre las líneas se representa
como una capacitancia. Ya que la línea de transmisión es uniforme en la dirección de
propagación, la línea de transmisión de longitud Δz puede ser representada por un
circuito equivalente agrupado usando
L: Inductancia por unidad de longitud[H/m].
C: Capacitancia por unidad de longitud[F/m].la siguiente unidad de inductancia y capacitancia
respectivamente:
 Figura 3.2 (a) Línea de transmisión y (b) su circuito equivalente agrupado para la longitud
infinitesimal Δz. Varias formas de circuitos equivalentes agrupados para la longitud infinitesimal Δz
son posibles, pero producen las mismas ecuaciones de línea de transmisión.
Luego, LΔz y CΔz se convierten en la inductancia y capacitancia correspondiente para la línea
de transmisión de longitud infinitesimal Δz Generalmente, los conductores tienen pérdidas así como
el material dieléctrico que llena los conductores. Estas pérdidas también se representan utilizando
la resistencia R y la conductancia G por unidad de longitud. La resistencia R representa la pérdida de
conductor por unidad de longitud, mientras que la conductancia G representa la pérdida dieléctrica
por unidad de longitud. Del mismo modo, la resistencia y conductancia para una línea de longitud Δz
se convierte en RΔz y GΔz
En este caso, suponemos que la línea de transmisión no tiene pérdidas (R = G = 0). Sin
embargo, los resultados, incluida la pérdida, pueden obtenerse de forma similar. Aplicando KVL al
circuito de la Figura 3.2(b) en la dirección indicada por la flecha, obtenemos la Ecuación (3.1).

Así,

Dividiendo ambos lados de esta ecuación por Δz, tenemos

La ecuación (3.2) implica que la tensión v(z,t) disminuye debido a la caída de tensión del
inductor a medida que la tensión se propaga en la dirección z. De manera similar, el resultado de
aplicar KCL en el nodo A de la Figura 3.2(b) es

De manera similar, dividiendo ambos lados de esta ecuación por Δz, obtenemos
 Una vez más, la ecuación (3.3) implica que la corriente i(z,t) disminuye debido a la corriente
de fuga a través del condensador a medida que la corriente se propaga en la dirección z. Las
ecuaciones (3.2) y (3.3) son ecuaciones diferenciales parciales acopladas para la tensión y la
corriente. Diferenciando la Ecuación (3.2) con respecto a z y usando la Ecuación (3.3), el resultado es

Esta es una ecuación de onda unidimensional que tiene una velocidad de fase de vp y la
solución v(z,t) de la Ecuación (3.4) es una onda de voltaje que se propaga en las direcciones +z y -z.
De manera similar, para la corriente obtenemos la Ecuación (3.5).

En conclusión, tanto el voltaje como la corriente tienen una velocidad de fase de vp y las
ecuaciones representan una onda que se propaga en las direcciones +z y -z.

La solución general de la Ecuación (3.4) es

donde C1 y C2 son constantes y f(t) y g(t) representan formas de onda

arbitrarias. Estas formas de onda f(t) y g(t) se determinarán por las condiciones
límite en el punto z = 0, donde está conectada la fuente de tensión. La parte izquierda
de la Ecuación (3.7) representa una onda que viaja en la dirección +z y la parte
derecha representa una onda que viaja en la dirección -z.
Consideremos primero sólo la onda que viaja en la dirección + z. La tensión
en z = 0 es
v(0,t) = C1f(t)
mientras que la onda en una posición arbitraria z se convierte en

Deje C1 = 1. El ajuste C1 = 1 no pierde la generalidad. En este caso, f(t) puede

considerarse como una tensión externa aplicada a la línea de transmisión. En la
Figura 3.3 se muestran dos formas de onda de duración limitada, v(0,t) y v(z,t), con
C1 = 1. Dado que el valor de f(t - t1) en t = t1 es igual al valor de f(t) en t = 0, f(t) en t
= 0 aparece en un tiempo retardado t = t1 en f(t - t1). Si se aplica una lógica similar
a un tiempo distinto de t = 0, entonces f(t - t1) representa una función que f(t) es
desplazada por t1 en la dirección de avance a lo largo del eje temporal. Así, el cambio
en z = 0 con el tiempo se transfiere a un punto z con un retardo de t1. Como otra
interpretación de este retardo t1, cuando se transmite la forma de onda variable en
el punto z = 0, la forma de onda llega a una distancia de z con un lapso de tiempo de
t1 = z/vp porque la velocidad de fase es vp. Por lo tanto, la tensión a una distancia z
aparece con un retardo de tiempo de t1 = z/vp. Tenga en cuenta que la tensión se
propaga sin distorsión ni amortiguación en la línea de transmisión sin pérdidas.

Figura 3.3 Solución de la ecuación de onda. El observador a z = 0 observa la forma de onda

de tensión aplicada externamente v(0,t) a z = 0, mientras que el observador situado a z observa
v(z,t). La forma de onda v(z,t) se retrasa en el tiempo por t1 = z/vp.

Ejemplo 3.1
Las tensiones δ(t), cos(ωt) y ejωt se aplican a una línea de transmisión a z =
0, respectivamente, que se extiende desde la posición z = 0 hasta el infinito.
Determine la forma de onda a una distancia z.
Soluciones
(1) Cuando v(0,t) = δ(t), a una distancia z, la tensión es

Como se muestra en la Figura 3E.1, esto representa v(0,t) desplazado por t1 = z/vp
cuando se observa desde el eje temporal
 Figura 3E.1 Propagación de la forma de onda en una línea de transmisión. El impulso tiene
retardo de tiempo, mientras que el retardo de fase se observa en el caso de una entrada de
tensión sinusoidal.

2) Cuando v(0,t) = cos(ωt), la forma de onda a una distancia z es

Comparando el voltaje cos(ωt) a una distancia z = 0, cos(ωt-βz) tiene un

retardo de fase de βz. Tenga en cuenta que el retardo de fase por unidad de longitud
es β, y β se llama la constante de propagación.
(2) Cuando v(0,t) = ejωt, la forma de onda a la distancia z es

v(z, t) = ej(ωt – βz) = ejωt e–jβz

La forma de onda compleja ejωt en el ejemplo 3.1 se utiliza a menudo para

determinar la respuesta sinusoidal. Cuando la onda v(z,t) se expresa usando un fasor
V(z), se convierte en
 V(z) = e–jβz
porque el resto de la forma de onda compleja sin el ejωt se define como el
phasor. V(z) representa el retardo de fase a una distancia z. Cuando se requiere la
forma de onda de dominio temporal del fasor, la forma de onda se puede encontrar
multiplicando el fasor por ejωt y tomando la parte real del resultado como
v(z,t) = Re(V(z)ejωt) = cos(ωt – βz)
3.2.2 Longitud de onda
Como hemos visto anteriormente, el tiempo de retardo en una línea de
transmisión depende tanto de la velocidad de fase como de la longitud de la línea de
transmisión. El retardo de tiempo td a través de la línea de transmisión se expresa
como

Nótese que dadas dos líneas de transmisión físicamente diferentes de

diferentes longitudes, pueden dar el mismo retardo de tiempo pero tener diferentes
parámetros físicos. Así, en la práctica, cuando se indica la longitud de una línea de
transmisión, puede ser especificada por el retardo de tiempo td dado en la Ecuación
(3.8). Alternativamente, cuando se especifican simultáneamente la longitud y la
velocidad de fase, se puede determinar el efecto de la longitud de la línea de
transmisión (en términos de retardo).
Como otra expresión para el efecto de longitud de una línea de transmisión,
se utiliza la longitud de onda. Cuando se aplica una fuente sinusoidal a la entrada
(por ejemplo, una tensión de cos(ωt) aplicada en el punto z = 0), la forma de onda
espacial en un tiempo fijo t1 se muestra en la ecuación (3.9).
Su gráfico se muestra en la Figura 3.4.
 Figura 3.4 Definición de la longitud de onda

Una forma de onda sinusoidal espacial aparece a lo largo de la línea de

transmisión. El período de la onda sinusoidal que ocurre en el espacio se llama
longitud de onda λ, y se define como la distancia entre dos canales sucesivos o la
distancia entre dos crestas sucesivas de la forma de onda. Esto se expresa
matemáticamente en la Ecuación (3.10)

y la relación vp = fλ results. Además, se puede observar que la longitud de

onda varía con la frecuencia. Por lo tanto, otra forma de expresar la longitud de la
línea de transmisión es representarla por la frecuencia y el número correspondiente
de longitudes de onda.
Otra forma de expresar la longitud de la línea de transmisión en una
frecuencia dada es la longitud eléctrica θ. La longitud eléctrica se expresa como el
retardo de fase de una línea de transmisión en una frecuencia dada. Así,

Normalmente expresado en grados, una longitud de onda corresponde a 360°

de la ecuación (3.11), media longitud de onda es 180°, y un cuarto de longitud de
onda se convierte en 90°. En resumen, para representar la longitud de una línea de
transmisión, se utilizan tres convenciones que se expresan en términos de los
siguientes parámetros: (longitud, velocidad de fase), (longitud de onda, frecuencia)
y (longitud eléctrica, frecuencia). La figura 3.5 muestra los métodos para expresar
la longitud de la línea de transmisión.

Figura 3.5 Métodos para expresar la longitud de una línea de transmisión. En (a), el retardo de
tiempo de la línea de transmisión se especifica con la longitud y la velocidad de fase. En (b), la
longitud se especifica en función de la longitud de onda y la frecuencia. En (c), la longitud se
especifica utilizando el retardo de fase, que es igual a la longitud eléctrica de la línea de transmisión
a una frecuencia dada.

Ejemplo 3.2
Para una línea de transmisión en particular, la velocidad de fase es igual a la velocidad de la luz.
¿Cuál es la longitud de onda a una frecuencia de 1 GHz? En esa línea de transmisión, si el retardo
debido a la longitud de la línea de transmisión es de 1 ns, determinar la longitud correspondiente de
la línea de transmisión utilizando la longitud de onda a una frecuencia de 1 GHz.
Soluciones
De la Ecuación (3.10),
 Y

In addition, because λo = 0.3 m at a frequency of 1 GHz, it can be seen from

the result above that
l = λo

Ejemplo 3.3
La Figura 3E.2 muestra una línea de transmisión ideal en la ventana esquemática
del ADS. La E en la figura representa la longitud eléctrica explicada anteriormente.

Figure 3E.2 An ideal transmission line component in ADS

(1) Si la longitud de onda a 1 GHz se denomina λo, ¿cuál es la longitud de la línea
de transmisión?
(2) ¿Cuál es la longitud eléctrica E a una frecuencia de 3 GHz?
Soluciones
(1) Dado que

entonces la longitud es l = 0,25 λo.

(2) La longitud eléctrica es
 Ahora, manteniendo la velocidad de fase y la longitud fijas, la longitud
eléctrica es proporcional a la frecuencia. Así, a 3 GHz, E = 270°.

3.2.3 Impedancia característica

Como se ha comentado anteriormente, tanto las ondas de corriente como las
de tensión viajan con la misma velocidad de fase y existen tres formas diferentes de
especificar el retardo de tiempo que se debe a la longitud de la línea de transmisión.
Debe tenerse en cuenta que las formas de onda de corriente y tensión de
desplazamiento no son independientes. Tienen las mismas formas de onda y pueden
relacionarse mediante una constante de proporcionalidad. La constante se define
como la impedancia característica de la línea de transmisión o simplemente como la
impedancia para un cortocircuito. Para examinar esta relación, asumimos que sólo
existen las ondas de corriente y tensión que viajan en la dirección z positiva, y que
no hay ondas en la dirección opuesta. Luego, las formas de onda se pueden escribir
como

Ahora, sustituyendo Ecuaciones (3.12a) y (3.12b) en Ecuación (3.2),

donde u = t - z/vp. Así, obtenemos

Para que la ecuación (3.13) sea 0, entonces las variables entre paréntesis no
deben depender de u. Nuevamente, si la ecuación tiene que ser 0, tanto v+(u) como
i+(u) deben tener la misma forma de onda, lo que significa que vpL es entonces una
constante de proporcionalidad. El mismo resultado se obtendrá usando la Ecuación
(3.3). Por lo tanto, las ondas de corriente y tensión que viajan por la línea de
transmisión tienen las mismas formas de onda y están relacionadas entre sí por la
constante de proporcionalidad que tiene la misma dimensión que la resistencia y
que se denomina impedancia característica de la línea de transmisión, como se
muestra en la ecuación (3.14).
 El mismo resultado puede obtenerse considerando que la onda viaja en la
dirección -z. Sin embargo, aparece una constante negativa de proporcionalidad
entre la tensión y las ondas de corriente. La tensión tiene un signo positivo
independientemente de la dirección de propagación, que se mide con respecto a una
línea de tierra. Pero, en el caso de la corriente, se vuelve negativa cuando se cambia
la dirección. Como resultado, los voltajes y las ondas de corriente en una línea de
transmisión se expresan respectivamente como Ecuaciones (3.15) y (3.16).

Para resumir los resultados anteriores, una línea de transmisión se

caracteriza por dos parámetros: la impedancia característica define la relación entre
las ondas de corriente y tensión en una línea de transmisión, y el retardo de tiempo
es especificado por los parámetros de longitud y velocidad de fase. Estas
caracterizaciones de las líneas de transmisión se muestran en la Figura 3.6.

Figura 3.6 Formas de especificar los parámetros de la línea de transmisión mediante (a) Zo,
l, vp; (b) Zo y el múltiplo de la longitud de onda; y (c) Zo y la longitud eléctrica. Las especificaciones
de las letras b) y c) requieren frecuencia.

3.2.4 Medidas
La impedancia característica y la velocidad de fase de una línea de
transmisión sin pérdidas, expresadas en términos de capacitancia por unidad de
longitud e inductancia por unidad de longitud, vienen dadas por las ecuaciones
(3.17) y (3.18).

Así, una vez que la capacitancia por unidad de longitud y la inductancia por
unidad de longitud han sido determinadas u obtenidas por medición, los parámetros
de la línea de transmisión, tales como la impedancia característica y la velocidad de
fase, pueden ser obtenidos. Estructuralmente, hay varios tipos de líneas de
transmisión que incluyen microcinta, línea de banda, coaxial, CPW y guía de onda.
Los parámetros Zo y vp de estas líneas de transmisión son a menudo requeridos en
el diseño de circuitos. Para obtener la capacitancia de longitud unitaria C, se abre un
extremo de la línea de transmisión de corta longitud (l<<<λ), como se muestra en la
figura 3.7. Cuando la impedancia de una línea de transmisión de extremo abierto se
mide en el otro extremo de la línea, la corriente a través del inductor es cercana a 0,
y la caída de voltaje debida al inductor puede ser ignorada. La impedancia ZOPEN se
debe a la suma de la capacitancia distribuida por unidad de longitud, como se
muestra en la Ecuación (3.19).

Figura 3.7 Medición de los parámetros de una línea de transmisión. Utilizando las
impedancias ZOPEN y ZSHORT, se pueden calcular los parámetros de la línea de transmisión, como
la impedancia característica y la longitud eléctrica.

A continuación, se produce un cortocircuito en la línea de transmisión y se

mide la impedancia ZSHORT. Considerando que la longitud de la línea de
transmisión es corta, la tensión a través de la capacitancia de la línea es pequeña y
la corriente de fuga debida al condensador es cercana a 0. La impedancia entonces
se vuelve

Combinando las Ecuaciones (3.19) y (3.20), se obtienen las Ecuaciones (3.21)

y (3.22).

Se supone que la medición se realiza a baja frecuencia, pero incluso con una
ecuación de frecuencia más alta (3.21) se puede utilizar para obtener la impedancia
característica. Sin embargo, la ecuación (3.22) es similar en principio para una
frecuencia más alta, pero el resultado es un poco diferente. La ecuación exacta puede
obtenerse utilizando los resultados explicados en la sección 3.4.2. La ecuación (3.22)
es aplicable si la frecuencia es lo suficientemente baja. Aquí, una frecuencia lo
suficientemente baja implica

Por lo tanto, las Ecuaciones (3.21) y (3.22) son aplicables hasta la frecuencia
usualmente igual a 1/10 del lado derecho de la Ecuación (3.23).
3.3 Líneas coaxiales y microcintas
Estructuralmente, existen varios tipos de líneas de transmisión, entre las
cuales se dan consideraciones especiales a las líneas coaxiales y de microcinta. La
línea coaxial puede ser fabricada para ser una línea de transmisión casi ideal con
características de banda ancha. Debido a estas ventajas, la línea coaxial ha sido
adoptada en el pasado para la medición de alta frecuencia de dispositivos y sigue
siendo ampliamente utilizada. Por otro lado, la línea de microcinta tiene una
estructura plana que facilita la construcción de circuitos integrados de microondas
más pequeños. A continuación presentamos una breve explicación de las dos líneas:
coaxial y microcinta.
3.3.1 Línea coaxial
La figura 3.8 muestra la estructura de una línea coaxial y sus líneas de campo
eléctrico y magnético en sección. La impedancia característica Zo y la velocidad de
fase vp de la línea coaxial con radios interiores y exteriores de a y b se convierten en
ecuaciones (3.24) y (3.25).

Figura 3.8 Estructura de una línea coaxial y los patrones de campo de la sección transversal
(las líneas sólidas representan el campo eléctrico y las líneas punteadas representan el campo
magnético).

Así, al construir una línea coaxial, las características deseadas de impedancia

pueden obtenerse ajustando adecuadamente el radio interior a y el radio exterior b.
 La línea coaxial real se construye en forma de un cable y un conector. Como
se muestra en la Figura 3.9, el cable tiene la forma de la línea coaxial mostrada en la
Figura 3.8 y el conector aparece al final del cable para una conexión conveniente a
otros dispositivos.

Figura 3.9 Fotografía de varias líneas coaxiales y conectores

Dependiendo del material del conductor exterior del cable, los cables coaxiales se clasifican
como flexibles, semirrígidos y fáciles de reformar. El cable flexible se refiere a un cable que se dobla
fácilmente, y el conductor externo generalmente consiste en trenzas para mayor flexibilidad. Los
cables semirrígidos están revestidos con cobre para proporcionar un cierto grado de flexibilidad,
pero el cable semirrígido no se deforma fácilmente. Este tipo de cable se utiliza a menudo para
conectar componentes de microondas en equipos. El cable que se puede reformar a mano también
tiene una cubierta de metal, pero el conductor exterior tiene una cubierta de fuelle para facilitar la
flexión. El grado de reformabilidad se sitúa entre el de los cables flexibles y el de los semirrígidos.
Estas líneas coaxiales generalmente soportan la onda electromagnética caracterizada por el
modo electromagnético transversal (TEM). Sin embargo, los modos más altos pueden propagarse
dentro de la línea coaxial a medida que la frecuencia aumenta. Para evitar modos más altos, la línea
coaxial debe tener un diámetro exterior más pequeño. Para una línea aérea coaxial de 7 mm de
diámetro exterior, el modo TEM puede propagarse por sí solo sin modos superiores de hasta 18 GHz;
para 3,5 mm hasta 26,5 GHz; para 2,9 mm hasta 40 GHz; para 2,4 mm hasta 50 GHz; y para 1 mm
hasta 110 GHz. Así, como el diámetro exterior disminuye, la línea coaxial puede ser utilizada en
frecuencias más altas, pero hay una desventaja que se debe a la dificultad en la fabricación de líneas
coaxiales con diámetros tan pequeños. Al igual que los cables, los conectores que facilitan la conexión
en los extremos de los cables también se clasifican según el tamaño de su diámetro exterior. Los
conectores de línea de aire de precisión utilizados para la medición están disponibles para diámetros
de 7 mm y 3,5 mm (para uso hasta 18 GHz y 26,5 GHz, respectivamente); 2,9 mm (llamado conector
K, para uso hasta 40 GHz); 2,4 mm (para uso hasta 50 GHz); y 1 mm (para uso hasta 110 GHz).
Además, en las frecuencias de microondas, uno de los conectores más utilizados es el conector SMA
(small miniature assembly). El material dieléctrico interior suele ser de teflón y puede acoplarse con
un conector coaxial de 3,5 mm. Además, el conector K o de 2,9 mm puede acoplarse a un conector
coaxial de 3,5 mm.
 En general, los diferentes tipos de conectores son incompatibles. Para resolver este
problema de incompatibilidad, se utilizan adaptadores coaxiales (como se muestra en la Figura 3.10)
para conectar dos conectores incompatibles. Su rango de frecuencia de operación está limitado por
el conector utilizado en la frecuencia más baja. Además de estos conectores coaxiales, existen otros
tipos de conectores clasificados como BNC, TNC, tipo N, etc. El lector puede referirse a los numerosos
materiales disponibles sobre el tema para el rango de frecuencia de operación de estos conectores.

Figura 3.10 Fotografía de varios adaptadores1

1. Agilent, Agilent 83059 Adaptadores coaxiales de precisión de 3,5 mm, 5952-2836E,
disponible en http://www.agilent.com/ 2006.

Ejemplo 3.4
Un cable coaxial tiene un radio interno de a pulgada y un radio externo de
b pulgada, como se muestra en la Figura 3E.3. Mediante el uso de ADS,
determinar la impedancia característica del cable coaxial en términos de la
relación a/b.

Figura 3E.3 Sección de un cable coaxial

Soluciones
 La figura 3E.4 es un esquema de simulación para la determinación de la
impedancia característica utilizando ADS. El radio de b se fija a 0,116 pulgadas y el
de a se modifica para cambiar el valor de la impedancia característica.

Figura 3E.4 Configuración del circuito para calcular la impedancia característica. La

longitud y permitividad de la línea coaxial están fijadas en 1 pulgada y 2,2 pulgadas,
respectivamente. El radio exterior está fijado a 0,116 pulgadas, mientras que el radio interior a es
variado por la ecuación a = b*ratio. Para evitar la discontinuidad numérica, el extremo abierto se
implementa utilizando una resistencia de 1 MΩ Las tensiones Z_OPEN y Z_SHORT corresponden a
las impedancias porque la fuente de corriente tiene 1 A. La impedancia característica dada por la
ecuación (3.21) se implementa en Meas1 en la figura 3E.4. Así, la salida Z_O aparece en el conjunto
de datos de salida.

El radio a es variado para hacer que la relación a/b varíe entre 0.001-1. Ahora
bien, dado que los valores de Z_OPEN y Z_SHORT calculados en la figura 3E.4
corresponden a los valores de ZOPEN y ZSHORT de la ecuación (3.21), se puede
obtener el gráfico de la impedancia característica con respecto a a/b. Esto se puede
hacer ingresando la Ecuación (3.21) en la ventana de visualización de ADS.
Alternativamente, insertando la utilidad MeasEqn que se muestra en la Figura 3E.5,
se puede obtener directamente la impedancia característica.
 Figura 3E.5 Impedancias características teóricas y simuladas de un cable coaxial con
respecto a b/a. La impedancia z es la impedancia calculada utilizando la Expresión de Medida 3E.1,
mientras que la impedancia Z_O se calcula utilizando el método de apertura corta.

Teóricamente, la impedancia característica de un cable coaxial puede

obtenerse a partir de la ecuación dada por

Por lo tanto, a efectos de la comparación, la ecuación para la impedancia

característica teórica se introduce en la ventana de visualización como se muestra
en la Expresión de Medición 3E.1.

z=60*sqrt(1/2.2)ln(1/ratio)
Expresión de medición 3E.1 Impedancia teórica de un cable coaxial
La Figura 3E.5 muestra el gráfico de estas dos impedancias características,
que muestran una buena concordancia.

3.3.2 Línea de microfilmado

Las líneas de transmisión planas pueden ser líneas de microcinta, líneas de
banda y CPWs. Entre las líneas de transmisión planas mencionadas, el tipo más
utilizado para diseños de circuitos integrados de microondas es la línea de
microcinta. La figura 3.11 muestra la geometría de la sección transversal y los
patrones de campo electromagnético de una línea de microcinta.
 Figura 3.11 Sección transversal y patrón de campo de una línea de microcinta (las líneas
sólidas representan el campo eléctrico y las líneas punteadas representan el campo magnético; el
modo de propagación fundamental es cuasi-TEM).

El modo de propagación fundamental en una línea de microcinta, a diferencia

de una línea coaxial, no es un modo TEM, pero debido a que su modo de propagación
está cerca de un modo TEM, se le llama un modo cuasi-TEM. La impedancia
característica y la velocidad de fase de una línea de microcinta dependen de su
dieléctrica de llenado y de su geometría de sección transversal. En este caso,
examinaremos cualitativamente cómo la impedancia característica y la velocidad de
fase de una línea de microcinta dependen de la constante dieléctrica y de la
geometría de la sección transversal. Los valores exactos para una determinada
constante dieléctrica y geometría de la sección transversal se pueden calcular
utilizando software como ADS. La velocidad de fase y la impedancia característica
pueden representarse de forma similar utilizando la capacitancia por unidad de
longitud y la inductancia por unidad de longitud, como se explica en la sección 3.2.1.
Así,

En vez de Zo y vp en las ecuaciones anteriores, los más significativos

físicamente Zo y vp pueden obtenerse comparando la línea de microcinta con una
línea de microcinta llena de aire. Cuando el material dieléctrico es reemplazado por
aire, la estructura de la línea de la microbanda es homogénea y la capacitancia por
unidad de longitud Ca puede ser obtenida analíticamente. En el caso de la línea de
microcinta llena de aire, la velocidad de fase es

Aquí, c es la velocidad de la luz. Obsérvese que la inductancia por unidad de

longitud L obtenida a partir de la ecuación (3.26) es la misma que la de la
microbanda llena de dieléctrico de la figura 3.11. Usando Ca, Zo y vp se puede
expresar como se muestra en Ecuaciones (3.27) y (3.28).

En la ecuación (3.27), la constante dieléctrica εeff se define como la relación

de C a Ca y viene dada por la ecuación (3.29).

La constante dieléctrica εeff puede interpretarse como la constante

dieléctrica de un material dieléctrico equivalente que llena homogéneamente la
línea de microcinta en la Figura 3.11. Nótese que la geometría de la microcinta
equivalente es la misma que la de la microcinta de la Figura 3.11 y la única diferencia
es el relleno dieléctrico. La línea de microfilm llena homogéneamente con un
material dieléctrico equivalente puede dar la misma velocidad de fase que la línea
de microfilm llena de forma no homogénea en la Figura 3.11. La constante dieléctrica
equivalente para la microbanda llena homogéneamente se denomina permitividad
efectiva o constante dieléctrica efectiva.
La permitividad efectiva está en función de una constante dieléctrica εr y de
los parámetros geométricos como la anchura de la banda W y el espesor dieléctrico
h que se muestran en la figura 3.11. El patrón de campo se distribuirá
uniformemente entre el aire y el material dieléctrico cuando el ancho W es
extremadamente estrecho; cuando el ancho es muy grande, el campo
electromagnético se concentra principalmente en el material dieléctrico, por lo que
la permitividad efectiva viene dada por la ecuación (3.30).

For εeff, the phase velocity is

 Así, la velocidad de fase aumenta a medida que la anchura de la línea de
microcinta se hace más estrecha, y a medida que la anchura se ensancha, la velocidad
de fase disminuye. Para Zo, a medida que el ancho se estrecha, la capacitancia
seccional se hace más pequeña y consecuentemente Zo se vuelve más alta. En
contraste, a medida que el ancho se ensancha, la capacitancia se hace más grande, lo
que lleva a un Zo más bajo.
A continuación, observaremos la capacitancia por unidad de longitud de la
línea de microcinta que es igual a la capacitancia de la sección transversal. Se puede
encontrar que la capacitancia consiste en dos componentes: la capacitancia formada
bajo el ancho de la línea de transmisión, llamada capacitancia de placa, Cp, y la
capacitancia formada en el borde de la línea de transmisión llamada capacitancia de
fring, Cf. así, la capacitancia de una línea de microcinta puede ser expresada usando
la Ecuación (3.31)

y la capacitancia de la placa puede ser expresada usando la Ecuación (3.32).

Aquí, εo representa la constante dieléctrica del espacio libre.

Ejemplo 3.5
Sobre un sustrato de alúmina de 25 milésimas de pulgada con una constante
dieléctrica de 9,8 se aplica una microcintaa. Encuentre la constante dieléctrica
efectiva εeff y la impedancia característica Zo de la línea de microcinta usando el
método de circuito abierto y de cortocircuito anteriormente discutido.
Soluciones
La figura 3E.6 muestra la estructura de la línea de microcinta con un ancho
w, una constante dieléctrica εr y un espesor h.

Figura 3E.6 Vista en sección de una microbanda

 La Figura 3E.7 es una configuración esquemática de ADS para determinar la
impedancia característica y la permitividad efectiva de dos líneas de microcinta. H y
er en MSUB se fijan en 25 mil y 9.8, que corresponden a h y εr, respectivamente. La
variable w en MLIN, que corresponde a w, está configurada para variar. Aquí, w es
variado de 0.001 a 100 mil. Las impedancias de la TL1 en cortocircuito y de la TL2
en circuito abierto se utilizan para calcular el Zo de la línea de microcinta a partir de
la ecuación Zo = (ZOPEN ZSHORT)½. Aquí, una resistencia 1-MΩ se utiliza para
lograr una condición abierta. La permitividad efectiva se calcula comparando las
impedancias de TL2 con εr = 9,8 y de TL3 con εr = 1 (aire) como

Figura 3E.7 Configuración del circuito para la simulación ADS. Las longitudes de todas las
líneas de microcinta están fijadas en 50 mil y los anchos son variados por el controlador de barrido
de parámetros de 0.001 a 100 mil. Las dos líneas de microcinta de la figura comparten el sustrato
común Msub1, mientras que la línea de microcinta inferior tiene el sustrato Msub2; la única
diferencia entre ellas está en la permitividad establecida en 1. Así, la impedancia característica de la
microcinta puede ser calculada por Z_SHORT y Z_OPEN, mientras que la permitividad efectiva
puede ser calculada usando Z_OPEN y Z_OPEN_air. Las ecuaciones necesarias para la impedancia
característica y la permitividad efectiva están en Meas1 en la figura.

La Figura 3E.8 muestra los valores de Zo con respecto a w. A medida que

aumenta la anchura, Zo disminuye como se esperaba.
 Figura 3E.8 Impedancia característica de una línea de microcinta con respecto al ancho (h =
25mil, εr = 9.8)

Para comparar el εeff calculado del ADS con el εeff en la ecuación anterior, se
introducen las siguientes ecuaciones en la ventana de visualización:

er=9.8

h=25

e_eff=(er+1)/2 + (er-1)/2/sqrt(1+12*h/w)

Expresión de medición 3E.2 Cálculo de la permitividad efectiva de una

línea de microcintas
Ahora, la exactitud en términos del acuerdo se puede encontrar comparando
la calculada εeff de ADS con la dada por la ecuación aproximada. La Figura 3E.9
muestra la comparación de los dos resultados. El εeff calculado a partir de ADS
muestra una buena concordancia con la ecuación aproximada de la permitividad
efectiva.
 Figura 3E.9 Permisividad efectiva simulada de una línea de microcinta con respecto a la
anchura. La permitividad efectiva dada por la fórmula empírica en la Expresión de Medición 3E.2
también se representa gráficamente para fines de comparación.

3.4 Respuestas sinusoidales

3.4.1 Análisis de Fasores
La respuesta a una fuente sinusoidal vs(t) = Vmcos(ωt + φ) aparece
frecuentemente en el análisis de circuitos eléctricos. En lugar de calcular la
respuesta directamente a la fuente sinusoidal, se prefiere una fuente de forma de
onda compleja de Vejωt debido a su conveniencia matemática. Aquí, el número
complejo V = Vmejφ, que representa la fase y la amplitud de la fuente sinusoidal, se
llama un fasor. Por el contrario, para un phasor dado, la forma de onda
correspondiente en el dominio del tiempo puede obtenerse multiplicando el phasor
por ejωt y tomando la parte real del resultado. Eso es,
vs (t) = Re(Vejωt) = Re(Vmejωt + j φ) = Vm cos(ωt + φ)

Ejemplo 3.6
1. ¿Cuál es el fasor que corresponde a la forma de onda sinusoidal v(t) = 2cos(ωt +
30°)?
2. Un phasor para la función de los Verdes de espacio libre es dado por e-jkr/4πr.
¿Cuál es la forma de onda correspondiente en el dominio del tiempo?
 Soluciones
(1) El fasor es V = 2∠30° y la onda correspondiente en el dominio del tiempo
es
vs(t) = Re(Vejωt) = Re(2ej30° ejωt) = 2 cos(ωt + 30°)

2
A partir de las soluciones de las ecuaciones de onda dadas por las
ecuaciones (3.15) y (3.16), el voltaje y la corriente en una posición arbitraria z en
una línea de transmisión para una entrada sinusoidal

puede expresarse como la suma de dos ondas viajeras dadas por

La forma de onda compleja correspondiente puede escribirse como

Ecuaciones (3.33a) y (3.33b).

Aquí:

Por lo tanto, las formas de onda de tensión sinusoidales anteriores, que se

propagan en las direcciones +z y -z, pueden expresarse utilizando fáseres complejos.
El fasor de tensión V+ e-jβz representa una onda de tensión sinusoidal que viaja en
la dirección z, mientras que el fasor de tensión V- ejβz representa una onda de
tensión sinusoidal que viaja en la dirección -z. A z = 0, la tensión y la corriente en las
ecuaciones (3.33a) y (3.33b) se convierten en ecuaciones (3.35a) y (3.35b).
 Esto significa que el fasor de tensión V+ en la ecuación (3.34a) es el fasor para
la forma de onda de tensión sinusoidal en z = 0, que se desplaza en la dirección z.
Por otro lado, la ecuación de V- in (3.34b) es el fasor a z = 0 para la forma de onda
de desplazamiento en la dirección -z. Así, el fasor de tensión en z en las ecuaciones
(3.34a) y (3.34b) puede ser interpretado físicamente usando las dos ondas viajeras.
El fasor a z = 0 dado por V+ se desplaza en la dirección +z hasta la posición z y el
fasor de tensión a z tiene un retardo de fase de e-jβz comparado con el de z = 0. Como
resultado, el fasor de tensión a z es dado por V+ e-jβz. Por el contrario, en el caso de
la onda de tensión que se desplaza en la dirección -z, la tensión de fase en z viene
dada por V- ejβz. Como la onda de tensión se transmite en la posición z y llega a z =
0, la fase en z = 0 se retrasa por una cantidad de e-jβz Por lo tanto, resulta en el fasor
V- ejβz e-jβz = V- a z = 0. Esto se muestra en la Figura 3.12. Por lo tanto, la fase de la
onda de tensión que viaja en la dirección correcta se retrasa mientras que la fase de
la onda de tensión en la posición z muestra el avance de fase para la tensión que
viaja en la dirección izquierda. Además, en el caso de la onda de corriente, cabe
señalar que la onda de corriente que viaja en la dirección +z se denomina + mientras
que la que viaja en la dirección -z se denomina -, pero la relación de fase es la misma
que la de la onda de tensión.

Figura 3.12 Expresiones de fasor de las ondas de tensión en una línea de transmisión.
Tenga en cuenta que el retardo de fase de e-jβz se produce a lo largo de la dirección de propagación,
independientemente de la dirección de propagación de las ondas.

Cabe señalar que ambas ondas tienen retardo de fase en su dirección de

propagación. La interpretación del fasor anterior se utiliza frecuentemente en el
análisis de las reflexiones en las líneas de transmisión, así como en el análisis de la
impedancia basado en la reflexión. Por lo tanto, es necesario un conocimiento
profundo del fasor.
3.4.2 Reflexión y pérdida de retorno
Cuando una línea de transmisión es terminada por una carga, la onda
incidente es reflejada por la carga. En contraste con el caso de una línea de
transmisión de longitud infinita, las ondas de corriente y tensión que viajan en
ambas direcciones aparecen en la línea de transmisión terminada por la carga. La
onda que viaja hacia la carga se denomina onda incidente, mientras que la onda que
viaja en la dirección opuesta a la onda incidente se denomina onda reflejada. En esta
sección, aprenderemos sobre la reflexión y las pérdidas de retorno relacionadas en
una línea de transmisión.
La figura 3.13 muestra una línea de transmisión cuya longitud es z, terminada
por una carga ZL. Con la coordenada mostrada en la figura 3.13, la tensión incidente
a z = 0 hacia la carga se denomina fasor V+ y la onda reflejada de la carga se
denomina fasor V-. Con estas anotaciones de fasor, las tensiones incidente y
reflejada en z pueden expresarse como se muestra en la figura 3.13.

Figura 3.13 Una línea de transmisión terminada por una carga. V+ y V- se definen como las
ondas de tensión incidente y reflejada a z = 0. Las tensiones incidente y reflejada a z se representan
como se muestra en la figura.

El coeficiente de reflexión ΓL se define en la Ecuación (3.36).

Así, se puede ver que el coeficiente de reflexión es un número complejo. La

caída de tensión VL por la carga viene dada por VL = ZLIL. Al mismo tiempo, VL es la
tensión de la línea de transmisión a 0. Así, VL se convierte en

y de manera similar IL se convierte en

Substituting Equations (3.37) and (3.38) into VL = ZLIL, Equation (3.39) is

 Resolviendo para V-/V+, el coeficiente de reflexión entonces se convierte en
Ecuación (3.40).

A partir del coeficiente de reflexión dado por la Ecuación (3.40), se puede

encontrar que la magnitud de ΓL es menor que 1, por ejemplo, | ΓL |≤1 para una
carga pasiva ZL que tiene la parte real positiva. Además, el coeficiente de reflexión
puede ser definido en una posición arbitraria en la línea de transmisión. El
coeficiente de reflexión en z, mostrado en la Ecuación (3.41), se convierte en

Puede verse en la Ecuación (3.42) que el coeficiente de reflexión tiene la

misma magnitud que el del plano de carga. Eso es,

pero la fase se retrasa por una cantidad de 2βz. Dado que la magnitud del
coeficiente de reflexión es independiente de la posición, puede determinarse
mediante la medición escalar sin recurrir a la medición vectorial. La medición
escalar mide sólo la magnitud de una cantidad compleja, mientras que la medición
vectorial es la medición tanto de la magnitud como de la fase de la cantidad
compleja. Cuando el coeficiente de reflexión se expresa en decibelios, se denomina
pérdida de retorno y se define como se muestra en la Ecuación (3.43).

De la ecuación (3.40), cuando la impedancia de carga es igual a Zo,

ZL = Zo, ΓL = 0
y no hay reflexión; por otro lado, cuando la carga está en cortocircuito,

ZL = 0, ΓL = –1
lo que lleva a la reflexión total. Finalmente, cuando la carga está en circuito
abierto, se puede observar que

ZL = ∞, ΓL = 1
Utilizando el coeficiente de reflexión obtenido en la posición z, se puede
determinar la impedancia de entrada Zin mirando a la carga de la línea de
transmisión. Esto es, ya que el voltaje y la corriente en la posición z son como se
muestra en las ecuaciones (3.44) y (3.55),
 entonces la impedancia de entrada se calcula como

De la ecuación (3.46), cuando la carga está en cortocircuito (ZL = 0), la

impedancia de entrada

Se obtiene en la Ecuación (3.47). Cuando la carga está en circuito abierto (ZL

= ∞), la impedancia de entrada se muestra en la ecuación (3.48).

Además, cuando la impedancia de carga es igual a la impedancia

característica, es decir, ZL = Zo, Zin es independiente de la posición, y Zin = Zo.
Además, cuando la línea de transmisión es de un cuarto de longitud de onda, tan(βz)
se acerca al infinito y la impedancia de entrada viene dada por la Ecuación (3.49).

Esto implica la inversión de la impedancia de carga. Por lo tanto, una línea de

transmisión de cuarto de longitud de onda a menudo se denomina inversor de
impedancia. Finalmente, cuando la línea de transmisión es de media longitud de
onda, tan(βz) = 0 y la impedancia de entrada es igual a la impedancia de carga, como
se muestra en la Ecuación (3.50).

3.4.3 Relación de onda estacionaria de tensión (VSWR)

El coeficiente de reflexión descrito anteriormente puede medirse utilizando
una línea ranurada. La línea ranurada es una línea de aire coaxial que tiene una
ranura en el conductor exterior a lo largo de la dirección de propagación. Cuando se
inserta una sonda en la ranura, en la salida de la sonda aparece la tensión continua
proporcional al campo eléctrico interno de la línea de transmisión en el punto en el
que se inserta la sonda. De este modo, se puede medir la tensión de la línea de
transmisión en la posición arbitraria. Moviendo la sonda a lo largo de la dirección de
propagación, es posible observar el cambio de tensión con respecto a la posición. La
tensión a lo largo de la dirección de propagación muestra un patrón de onda
estacionaria debido a la reflexión, que se explicará más adelante en esta sección.
Utilizando el patrón de onda estacionaria, se puede determinar el coeficiente de
reflexión de la carga desconocida y también es posible determinar su impedancia. El
término relación de onda estacionaria de voltaje (VSWR) se origina por el método
de línea ranurada. Recientemente, a medida que los analizadores de red se han
vuelto populares, el método de línea ranurada no se utiliza con tanta frecuencia
como en el pasado. Sin embargo, debido a que se ha utilizado ampliamente para
determinar el coeficiente de reflexión para una impedancia de carga desconocida, el
término VSWR se sigue utilizando ampliamente para especificar el fenómeno de
reflexión junto con el coeficiente de pérdida de retorno o de reflexión.
Cuando la carga ZL está conectada al final de la línea de transmisión, como se
muestra en la figura 3.14, la tensión en la posición z se expresa como se muestra en
la ecuación (3.51).

Figura 3.14 Patrón de onda estacionaria. Cuando se produce la reflexión, la amplitud de la

tensión varía a lo largo de z.

y la forma de onda en el dominio del tiempo se convierte en

 Para examinar el significado de la Ecuación (3.52), sustituimos ΓL = -1 por la
Ecuación (3.51) y la reescribimos para obtener la Ecuación (3.53).

Por lo tanto, la forma de onda en el dominio temporal de la tensión de la línea

de transmisión es la siguiente

La forma de onda del dominio del tiempo en la Ecuación (3.54) es una simple
oscilación armónica con el tiempo, y su amplitud está dada por 2|V+|sin(βz). La
forma de onda no se propaga, sino que oscila hacia arriba y hacia abajo con el tiempo.
Además, las posiciones de pico y nulas permanecen fijas y no se mueven. Por lo
tanto, la forma de onda se denomina onda estacionaria. En contraste, para una onda
viajera dada por cos(ωt-βz) en el Ejemplo 3.1, el valor de pico se mueve en el tiempo
con la velocidad de fase.
Moviendo el palpador a lo largo del eje de propagación, el valor medido por
el palpador es proporcional a |V(z)|, que se representa en la figura 3.14. Si ΓL está
denotado en la Ecuación (3.55)

Luego

Aquí, el 1 + ρej (θ - 2βz) representa un círculo con el centro de (1, 0) y un

radio ρ, como se muestra en la Figura 3.15, ya que z varía. Por lo tanto, cuando la
sonda se desplaza a lo largo de la distancia z de la línea de transmisión, el valor
mínimo de la amplitud es 1 - ρ y el valor máximo es 1 + ρ, como se muestra en la
Figura 3.15.
 Figura 3.15 Trayectoria de 1 + ρ ej(θ - 2βz) en el plano complejo. El lugar es
el círculo: el centro está en (1, 0) y el radio es ρ
La relación entre este valor máximo y el valor mínimo se denomina relación
de onda estacionaria de tensión (VSWR) y se define como se muestra en la ecuación
(3.57).

Como 0 ≤ ρ ≤ ≤ 1 en esta ecuación, el valor mínimo del VSWR es 1 y, en la

mayoría de los casos, es mayor que 1. Cuando el VSWR = 1, indica que ρ = 0. Esto
significa que la impedancia de carga es igual a la impedancia característica ZL = Zo
de la ecuación del coeficiente de reflexión. A partir de las mediciones VSWR, se
puede obtener la magnitud del coeficiente de reflexión ρ Sin embargo, aunque no se
discuta aquí, ρ y la fase del coeficiente de reflexión θ pueden determinarse usando
la primera posición mínima de |V(z)| de la carga.

Ejemplo 3.7
Determine la magnitud del coeficiente de reflexión y la pérdida de retorno
para una carga con VSWR = 2.
Soluciones

La pérdida de retorno es
 3.4.4 Carta de Smith y Carta Polar
El coeficiente de reflexión definido anteriormente es un número complejo
cuya magnitud se encuentra entre 0 y 1. Es decir, 0 ≤ |ΓL| ≤ 1 y se puede trazar en
un plano complejo. Dado que el coeficiente de reflexión puede expresarse como se
muestra en la Ecuación (3.58),

puede ser graficado en una carta polar en términos de su magnitud y ángulo,

como se muestra en la Figura 3.16(a). Sin embargo, cuando el coeficiente de
reflexión se representa en la carta polar, la impedancia de carga correspondiente no
se puede encontrar en la carta. En este caso, la impedancia de carga debe
determinarse de nuevo a partir del coeficiente de reflexión utilizando la ecuación
(3.59).

Figura 3.16 Gráficos de los coeficientes de reflexión: (a) Carta polar y (b)
Carta de Smith
Este engorroso cálculo puede evitarse cuando se traza la escala de ZL. El
coeficiente de reflexión se expresa en términos de esta impedancia de carga
normalizada, z = ZL/Zo = r + jx, como se muestra en la ecuación (3.60).

Las trayectorias de ΓL se pueden trazar en el mismo plano complejo para el

cambio de x con r mantenido constante, y también para el cambio de r con x
mantenido constante. El gráfico resultante se denomina gráfico de Smith. Por lo
tanto, cuando se traza ΓL en el plano complejo, la impedancia de carga normalizada
por Zo puede ser leída directamente del gráfico sin requerir ningún cálculo.
La Figura 3.16(b) muestra la impedancia comúnmente usada basada en una
tabla de Smith. También está disponible una tabla de Smith con escalas de
admitancia e impedancia representadas por diferentes colores. Debido al uso
frecuente de una regla y brújula al trabajar con una carta Smith, se suele
proporcionar una escala radial en la parte inferior de la carta, como se muestra en
la Figura 3.17. Las escalas para el coeficiente de reflexión, VSWR, y las pérdidas de
retorno se muestran en la parte inferior de la tabla. Utilizando estas escalas radiales,
el VSWR, la magnitud del coeficiente de reflexión y las pérdidas de retorno se
pueden leer fácilmente con una brújula, que no requiere ningún cálculo. Además, los
ángulos se proporcionan en la circunferencia de la carta de Smith, así como la escala
de circunferencia correspondiente a la longitud de onda.
 Figura 3.17 Carta de Smith. La escala para el coeficiente de reflexión, VSWR,
y las pérdidas de retorno se encuentran en la parte inferior de la tabla. La escala
puede utilizarse para fijar una brújula.

Ejemplo 3.8
Para un coeficiente de reflexión de carga ΓL = 0.6∠-30° con una impedancia
de referencia de Zo = 50 Ω, determine la impedancia de carga usando una tabla de
Smith.
Soluciones
Encuentra el punto correspondiente al ángulo -30° en la escala de
circunferencia de la carta Smith y dibuja una línea recta con una regla desde el
centro de la carta hasta este punto como se muestra en la Figura 3E.10. Mida un
radio de 0.6 usando la escala radial en la parte inferior de la carta con una brújula.
Con un extremo de la brújula fijado en el centro de la carta, dibuje el círculo |ΓL| =
0.6. El punto de intersección de la línea y el círculo |ΓL| = 0.6 aparecerán en A. La
impedancia normalizada en este punto se lee como z = 2 - j1.8. Entonces, si se
desnormaliza z por la impedancia de referencia 50-Ω, se obtiene como resultado ZL
= 100 - j90.

Figura 3E.10 Cálculo de la impedancia utilizando un gráfico de Smith. La

brújula se ajusta usando la escala radial de 0.6 que se muestra en la Figura 3.17
debajo de la carta de Smith. Localiza una pata de la brújula en el origen de la carta
de Smith y dibuja un círculo r = 0.6. Dibuje la línea recta correspondiente a -30°
usando la escala de ángulos circunferenciales a lo largo del círculo de la carta de
Smith. El punto de intersección del círculo r = 0.6 y la línea recta A se muestra
arriba. La lectura del valor de la impedancia normalizada es de aproximadamente z
= 2 - j1.8.

3.5 Aplicaciones
 La aplicación de las líneas de transmisión a un circuito es un tema vasto y por
eso, en este libro, limitaremos la discusión a algunas de las muchas aplicaciones
prácticas. Las aplicaciones para estas líneas se pueden clasificar ampliamente en la
de una línea de transmisión de corta longitud y la de una línea de transmisión de
cuarto y medio de longitud de onda. Otra aplicación importante es el uso de una línea
de transmisión de cuarto de longitud de onda como inversor de impedancia. En una
situación donde la línea de transmisión en un circuito requiere un área muy grande
en la frecuencia de operación, esto se implementa a menudo como elementos
agrupados para ahorrar espacio. En este caso, se utiliza el circuito de dos puertos
equivalente a un solo bloque de la línea de transmisión. Esto se discutirá brevemente
en esta sección.
3.5.1 Línea de transmisión de longitud corta
Los inductores o condensadores descritos en el Capítulo 2 pueden ser
implementados en un rango de frecuencia limitado utilizando líneas de transmisión.
En la ecuación (3.61) se muestra una línea de transmisión de longitud eléctrica θ

La impedancia de una línea de transmisión en cortocircuito es jZo tan (θ).

Como la longitud θ es pequeña, da una reactancia positiva proporcional a ω, por lo
que puede utilizarse como inductor. La inductancia equivalente puede entonces
calcularse usando la Ecuación (3.62).

Cuando Zo es grande y θ es pequeño, la línea de transmisión en corto funciona

más como un inductor.
En contraste, cuando el extremo de una línea de transmisión de corta
longitud está abierto, da una reactancia negativa, por lo que puede ser considerado
como un condensador y la capacitancia equivalente puede ser determinada a partir
de la ecuación (3.63).

En este caso, cuando Zo y θ se hacen más pequeñas, la línea de transmisión

de longitud corta de extremo abierto funciona más como un condensador.
3.5.2 Línea de transmisión resonante
Un resonador actúa como el componente principal en el diseño del filtro. La
figura 3.18 muestra los circuitos LC resonantes en serie y en paralelo. A la frecuencia
de resonancia,
 Figura 3.18 Circuitos resonantes: (a) Circuito resonante serie LC y (b)
Circuito resonante paralelo LC
los circuitos LC resonantes en serie y en paralelo se cortocircuitan y se abren,
respectivamente. Es decir, en ωo, la impedancia en el caso del circuito resonante en
serie se convierte en 0, lo que significa un cortocircuito, mientras que en el caso del
circuito resonante paralelo, la admitancia se convierte en 0 y la impedancia se
aproxima al infinito, lo que significa un circuito abierto.
Estos circuitos resonantes en serie y en paralelo pueden construirse
utilizando líneas de transmisión con un extremo en cortocircuito o abierto. En esta
sección examinaremos las resonancias en serie o paralelas de la línea de transmisión
con un extremo en cortocircuito o abierto. Cuando la línea de transmisión con un
extremo cortocircuitado o abierto funciona como circuito resonante en serie y
paralelo, también podemos determinar los valores de LC para ambos circuitos. La
resonancia en serie o en paralelo se puede encontrar utilizando los patrones de
tensión y corriente de las ondas estacionarias. A través de los patrones de onda
estacionaria, podemos determinar fácilmente si la línea de transmisión funciona
como circuitos resonantes de la serie LC o paralelos LC.
La tensión en z de la línea de transmisión en cortocircuito de un extremo,
como se muestra en la figura 3.19, es
 Figura 3.19 Formas de onda estacionaria en una línea de transmisión en
cortocircuito de un cuarto de longitud de onda. V(z) e I(z) representan las formas
de onda estacionaria de tensión y corriente.
Desde que

V(z) resulta en

Tenga en cuenta que la tensión es 0 en z = 0, que está en cortocircuito. Dado

que la línea tiene un cuarto de longitud de onda, βz = π/2, sabemos que la tensión
máxima se produce en la entrada. Del mismo modo, para la corriente,

Esto significa que la corriente máxima fluye en el plano de z = 0, pero la

corriente en la entrada de la línea de transmisión puede encontrarse en 0.
Intuitivamente, debido a que la línea de transmisión está en cortocircuito a z = 0, la
corriente máxima fluye mientras que el voltaje, por otro lado, es 0. Además, debido
a que la entrada de la línea de transmisión corresponde al cuarto de ciclo de la forma
de onda sinusoidal, puede determinarse fácilmente que la corriente será 0 y el pico
de voltaje estará en el plano de entrada. Por lo tanto, la impedancia en el terminal
de entrada de una línea de transmisión de cuarto de longitud de onda en
cortocircuito es ∞ y por lo tanto su comportamiento es similar al del circuito
resonante paralelo. Por el contrario, cuando un extremo de la línea está en circuito
abierto, la tensión es máxima y la corriente es 0 a z = 0. Cuando la onda estacionaria
alcanza la posición de un cuarto de ciclo, ocurre lo contrario. La tensión es ahora 0
y la corriente es máxima en la posición de un cuarto de ciclo. Esto significa que la
impedancia se convierte en 0. La línea de transmisión de cuarto de longitud de onda
abierta se comporta de forma similar a un circuito resonante en serie.
Ahora intentaremos calcular los valores equivalentes de LC de la línea de
transmisión en cortocircuito. Dividiendo la Ecuación (3.65) entre la Ecuación (3.64),
la admitancia de entrada del circuito en la Figura 3.19 se muestra en la Ecuación
(3.66).

Aquí, Δω representa la desviación de la frecuencia resonante ωo Alrededor

de la frecuencia de resonancia ωo, Yin,D puede expresarse aproximadamente como
se muestra en la Ecuación (3.67)

que se puede ver que aumenta linealmente con la frecuencia. Por otro lado,
la admitancia de entrada del circuito LC resonante paralelo, mostrada en la Figura
3.20, viene dada por la Ecuación (3.68).

Figura 3.20 Circuito resonante paralelo concentrado

Alrededor de ωo = 1/(LC)½, Yin,L puede ser aproximado como
 Comparando la Ecuación (3.69) con la Ecuación (3.67), obtenemos la
Ecuación (3.70).

Ahora, el valor de la inductancia L, que está relacionada con la frecuencia de

resonancia, se determina como se muestra en la Ecuación (3.71).

Los valores equivalentes de L y C para estas líneas de transmisión de cuarta

y media longitud de onda cortocircuitadas pueden determinarse de manera similar
y cada una de ellas se muestra en la Figura 3.21. Nótese que la línea de transmisión
de media longitud de onda muestra una resonancia en serie y el valor de L se
determina primero de forma similar al procedimiento anterior. Además, debido a
que la longitud es el doble de la de la línea de transmisión de cuarto de longitud de
onda, aparece el factor 4 en lugar de 8. En la Figura 3.22 se muestra el resumen de
las líneas de transmisión de cuarta y media longitud de onda de circuito abierto. En
el caso de circuito abierto, la resonancia en serie aparece en el cuarto de longitud de
onda y la resonancia paralela aparece en la mitad de la longitud de onda.
 Figura 3.21 Circuitos equivalentes para a) líneas de transmisión de cuarto
de onda en cortocircuito y b) líneas de transmisión de media longitud de onda

Figura 3.22 Circuito equivalente para (a) líneas de transmisión de cuarto de

onda de extremo abierto y (b) líneas de transmisión de media longitud de onda
 Ejemplo 3.9
Para la línea de transmisión de cuarto de onda en corto con Zo = 50 Ω que se
muestra en la Figura 3.19, calcule los valores del circuito equivalente a la LC a una
frecuencia de 1 GHz.
Soluciones
De la Figura 3.21(a), el valor de C

y el valor correspondiente de L es

Con el fin de examinar el rango de frecuencia en el que el circuito equivalente

a la CL puede aproximarse a la línea de transmisión, instalamos el circuito mostrado
en la Figura 3E.11 en ADS y comparamos las impedancias.

Figura 3E.11 Cálculo de la impedancia para un circuito resonante paralelo y

la línea de transmisión de cuarto de onda en cortocircuito. Los valores de LC para
el circuito resonante paralelo se calculan en VAR1 a una frecuencia de 1 GHz. Dado
que se utilizan fuentes de corriente unitarias, las tensiones Z_1 y Z_2 se convierten
en las impedancias.
La figura 3E.12 también muestra las admisiones simuladas. La admitancia del
circuito resonante paralelo LC agrupado, 1/Z_2, se compara con la del resonador de
línea de transmisión de cuarto de onda en cortocircuito 1/Z_1. Las dos admitancias
muestran un acuerdo relativamente estrecho cerca de la frecuencia de resonancia,
pero se pueden encontrar diferencias a medida que la frecuencia se aleja de la
frecuencia de resonancia.

Figura 3E.12 Comparación de las admitancias de una línea de transmisión

de un cuarto de longitud de onda y un circuito resonante en paralelo. Las
admitancias de la línea de transmisión de cuarto de longitud de onda y del circuito
resonante paralelo son calculadas por imag(1/Z_1) e imag(1/Z_2),
respectivamente.

Ejemplo 3.10
La figura 3E.13 muestra un circuito de RF conectado a una línea de
transmisión de cuarto de longitud de onda, cuyo extremo está en cortocircuito con
un condensador de derivación. Explique por qué la línea de transmisión no afecta al
circuito de RF en la frecuencia central.
 Figura 3E.13 Circuito de estrangulamiento de RF. El condensador C al final de la línea de
transmisión de cuarto de onda es suficientemente grande y funciona como condensador de
derivación. La impedancia observada en la línea de transmisión de cuarto de longitud de onda
cargada con condensador es un circuito resonante paralelo y se acerca al infinito a la frecuencia
resonante. Por lo tanto, la línea de transmisión de cuarto de onda cargada con condensador no
afecta el circuito de RF en la frecuencia de resonancia. Se denomina inductancia de RF (RFC).
Soluciones
Dado que el condensador de derivación C actúa como un cortocircuito, la línea de
transmisión vista desde el circuito de RF actúa como una línea de transmisión de cuarto de onda en
cortocircuito. Como resultado, un circuito resonante paralelo aparece en la entrada del circuito de
RF, que se convierte en un circuito abierto a la frecuencia de resonancia. Por lo tanto, el circuito de
línea de transmisión no tiene ningún efecto en el circuito de RF y actúa como una bobina de RF (RFC).
Notablemente, el voltaje DC puede ser suministrado al circuito RF aplicando el voltaje DC a la parte
superior del condensador de derivación. El circuito de línea de transmisión puede operar como un
RFC para un ancho de banda más amplio a medida que la impedancia característica de la línea de
transmisión se hace más alta.

Ejemplo 3.11
La figura 3E.14 es una fotografía de un oscilador que emplea un resonador
oscilador dieléctrico.

Figura 3E.14 Choke de RF utilizado en un resonador oscilador dieléctrico. El

área circundada es el Choke de RF que se utiliza para polarizar el transistor.
En el circuito oscilador también se utiliza un circuito RFC similar al circuito
RFC explicado en el ejemplo anterior. Explique la función del área marcada con un
círculo en la Figura 3E.14.
 Soluciones
La Figura 3E.15 muestra un circuito equivalente para el oscilador de
resonador dieléctrico en la Figura 3E.14. Las líneas de transmisión A, B y C
representan el circuito equivalente del área circundada en la Figura 3E14. La
impedancia característica de las líneas de microcinta estrechas se denomina ZH,
mientras que la de las microcinta anchas se denomina ZL. Aquí, la impedancia de la
línea de transmisión C vista desde el punto de conexión se comporta como un
circuito resonante en serie, como se muestra en la Figura 3.22(a). En consecuencia,
el punto donde las líneas de transmisión A, B y C están conectadas está en
cortocircuito con la tierra. Dado que el punto de conexión está puesto a tierra, la
línea de transmisión A presenta una impedancia Zin = ∞ cuando se ve desde el
circuito RF, y el circuito circulado actúa como un circuito abierto al circuito RF a la
frecuencia de resonancia.

Figura 3E.15 Circuito equivalente del área circundada que se muestra en la

Figura 3E.14
Nótese que la línea de transmisión de un extremo abierto, de un cuarto de
longitud de onda, como la línea de transmisión C en la figura, presenta una
impedancia de cortocircuito cuando se ve desde el otro extremo de la línea. Por el
contrario, la línea de transmisión de un extremo corto de cuarto de longitud de onda
proporciona una impedancia de circuito abierto cuando se ve desde el otro extremo
de la línea. A través de un razonamiento similar, la línea de transmisión B
proporciona una impedancia de circuito abierto en el punto de conexión porque su
extremo está cortocircuitado a tierra por el condensador de derivación CB. Sin
embargo, su efecto no aparece porque el punto de conexión está en cortocircuito a
tierra. La función de la línea de transmisión B es ampliar el ancho de banda del RFC.
A una frecuencia más baja, las líneas de transmisión A y B funcionan como
inductores, y la línea de transmisión C como condensador, y juntas funcionan como
un filtro de paso bajo. El circuito de la Figura 3E.15 se comporta como un RFC de
banda más ancha que el circuito RFC del Ejemplo 3.10.

Ejemplo 3.12
La figura 3E.16 es un oscilador que emplea un resonador coaxial de cuarto de
longitud de onda. Explicar el principio de funcionamiento del oscilador
.
Figura 3E.16 Oscilador que utiliza una línea coaxial. El dispositivo activo es un dispositivo
de un puerto con resistencia negativa. El lazo de acoplamiento se utiliza para acoplar la potencia
dentro del oscilador. Como el campo magnético es fuerte en el extremo corto de la línea coaxial, se
inserta la sonda de bucle. El tornillo de sintonía se utiliza para sintonizar la frecuencia de oscilación.
Soluciones
El dispositivo activo en la Figura 3E.16 ve la impedancia de una línea coaxial de cuarto de
longitud de onda en cortocircuito que aparece como un circuito resonante paralelo. Por lo tanto, el
circuito equivalente se configura como se muestra en la Figura 3E.17.
 Figura 3E.17 Circuito equivalente del oscilador en la figura 3E.16. La línea coaxial de cuarto
de longitud de onda en corto en la Figura 3E.16 puede modelarse como un circuito resonante
paralelo con una frecuencia de resonancia de fo.
Dado que el dispositivo activo está sesgado para tener resistencia negativa, la resistencia
total del circuito resonante paralelo resultante es negativa. En consecuencia, una tensión que
aumenta exponencialmente aparece a través del dispositivo activo, que en equilibrio se convierte en
una onda sinusoidal de amplitud constante. Consiguientemente, la frecuencia de oscilación llega a ser
aproximadamente la misma que la frecuencia resonante de la línea coaxial de cuarto de longitud de
onda. Generalmente, la frecuencia de oscilación difiere ligeramente de la frecuencia de resonancia de
cuarto de longitud de onda debido a los elementos parasitarios que surgen del dispositivo activo. El
tornillo de la figura 3E.16 se inserta para obtener la frecuencia de oscilación deseada mediante su
ajuste.
La sonda de bucle se inserta para la detección de campos magnéticos. La razón de la
colocación de la sonda de bucle es que la corriente está al máximo en el extremo cortocircuitado.
Como la corriente es proporcional al campo magnético, el campo magnético es más fuerte cerca del
extremo cortocircuitado. Por lo tanto, para acoplar la potencia de oscilación desde el punto donde el
campo magnético es más fuerte, se inserta la sonda de bucle como se ilustra. Si se insertara una sonda
dipolo en lugar de la sonda de bucle, el campo eléctrico cerca del extremo cortocircuitado sería casi
inexistente y casi no habría potencia de salida acoplada. Teniendo en cuenta la propiedad de
resonancia de la línea coaxial de cuarto de longitud de onda en corto, la sonda dipolo debe insertarse
cerca del dispositivo activo.

3.5.3 Aplicación de circuitos de dos puertos

Hemos visto anteriormente la aplicación de un circuito de un puerto de una línea de
transmisión de corta longitud a un condensador o a un inductor. También hemos visto cómo las líneas
de transmisión de cuarta o media longitud de onda pueden ser usadas para reemplazar los circuitos
de resonancia LC. Además de estas aplicaciones, las líneas de transmisión se utilizan frecuentemente
como componentes de circuitos de dos puertos. La aplicación de una línea de transmisión de cuarto
de longitud de onda como inversor de impedancia es un ejemplo típico. En esta sección,
aprenderemos la representación de circuito de dos puertos ampliamente usada de una línea de
transmisión.
3.5.3.1 Inversores de impedancia
 Cuando se conecta una carga ZL a un extremo de una línea de transmisión de cuarto de
longitud de onda con la impedancia característica Zo, la impedancia de entrada Zin se muestra en la
ecuación (3.72).

que se comporta como un inversor de impedancia. Esta es una aplicación típica de los
divisores de potencia, cuya estructura se muestra en la figura 3.23. El propósito del divisor de
potencia es dividir una potencia de entrada en dos puertos de salida sin reflexión. Cuando los dos
puertos de salida están conectados directamente al puerto de entrada sin líneas de transmisión, la
impedancia de entrada Zin se convierte en Zo/2 y habrá reflexión en la entrada debido al desajuste.
Por lo tanto, se requiere la adaptación de la impedancia. Para que coincida con la entrada, la
impedancia Z1 mostrada en la Figura 3.23 debe ser de 2Zo para que la potencia pueda ser entregada
a los dos puertos de salida sin reflexión. Cuando se inserta una línea de transmisión de un cuarto de
longitud de onda de Zx con el fin de hacer coincidir la impedancia, la impedancia Z1 vista desde la
potencia de entrada a la línea de transmisión se convierte en

Figura 3.23 Esquema de un divisor de potencia. La línea de transmisión de cuarto de

longitud de onda coincide con la 50 Ω a la 100 Ω. Como resultado, Zin se convierte en 50

La impedancia de la línea de transmisión Zx se determina como se muestra

en la ecuación (3.73).

y la potencia de entrada se dividirá por igual en los dos puertos de salida sin
reflexión

Ejemplo 3.13
 Para satisfacer la condición Z1 = 2Zo, puede lograrse con una resistencia en
lugar de con la línea de transmisión, como se muestra en la Figura 3E.18(a). Cuando
Zo = 50 Ω, Z1 será 100 Ω. Entonces, la potencia del puerto de entrada puede ser
dividida por igual y entregada a los dos puertos de salida. Este tipo de divisor se
muestra en la Figura 3E.18(b) y se denomina divisor de potencia resistiva.
Determine la diferencia en la potencia entregada a los dos puertos cuando se usa el
divisor de potencia resistiva en lugar del divisor de potencia mostrado en la Figura
3.23.

Figura 3E.18 (a) Un divisor de potencia resistiva y (b) una foto de un divisor de potencia
resistiva.2 Observe que la potencia entregada a la carga se convierte en la mitad del divisor de
potencia de la figura 3.23. Sin embargo, el divisor de potencia resistiva proporciona una operación
de banda ancha.
3. Agilent Technologies, Differences in Application Between Power Dividers and Power Splitters,
Nota de aplicación 5989-6699EN, 2007.

Soluciones
En el divisor de potencia mostrado en la Figura 3.23, toda la potencia de
entrada se entrega a la carga sin consumirla, mientras que en el caso del divisor de
potencia resistiva, como la potencia se entrega sólo a Zo fuera de la resistencia
total 2Zo, la potencia entregada es la mitad cuando se compara con el divisor en la
Figura 3.23. Así, la potencia de salida se reduce en 6 dB en comparación con la
potencia de entrada. El divisor de potencia resistiva es ampliamente utilizado en
instrumentos debido a su operación de banda ancha a pesar de la pérdida de
potencia entregada.

3.5.3.2 Circuito equivalente a un elemento agrupado de dos puertos

Una línea de transmisión es un circuito pasivo de dos puertos y puede ser
representada por un circuito equivalente de dos puertos con elementos agrupados
dentro de un rango de frecuencias limitado. La representación de circuito de dos
puertos de una línea de transmisión permite la implementación de circuitos como
línea de retardo, acoplador de línea de derivación, anillo de carreras de ratas o
divisores de potencia, que se implementan fácilmente usando líneas de
transmisión. En esta sección, aprenderemos cómo construir estos circuitos
equivalentes de dos puertos de línea de transmisión, así como cómo se utilizan.
 A partir de la teoría de circuitos, un circuito general pasivo de dos puertos
puede ser representado por circuitos equivalentes en forma de T o pi, como se
muestra en la Figura 3.24. En el caso de la simetría, el circuito de la figura 3.24
satisface (a) Za = Zc y (b) Y1 = Y3. Dado que la línea de transmisión de longitud
eléctrica θ, mostrada en la Figura 3.25(a), es un circuito de dos puertos simétrico y
pasivo, puede ser representada por los casos simétricos de los circuitos T- y π-
equivalentes mostrados en la Figura 3.24(a) y Figura 3.24(b). Los valores de los
circuitos simétricos T- y π-equivalente pueden obtenerse haciendo que sus
parámetros de dos puertos sean iguales. Se puede utilizar un método de bisección
para determinar los valores de los circuitos simétricos T- y π-equivalente.

Figura 3.24 (a) T- y (b) Circuitos equivalentes en forma de π para una red pasiva general de
dos puertos. La derivación de un circuito equivalente se explica en el Capítulo 5. Para una red
simétrica de dos puertos Za = Zc en (a) e Y1 = Y3 en (b).

Figura 3.25 Circuito equivalente de elementos agrupados de (a) una línea de transmisión
larga de θ; (b) un circuito equivalente en forma de T; y (c) un circuito equivalente en forma de π Los
valores de los circuitos equivalentes en forma de T y π se pueden obtener por bisección a lo largo
de la línea de simetría. Za = jZotan(θ/2) y Zb = -jZocsc(θ) en (a) mientras que Y1 = jYotan(θ/2) e Y2
= -jYocsc(θ) en (b).

Cuando los circuitos equivalentes en forma de T y en forma de π en las

Figuras 3.25(b) y (c) se abren a lo largo de la línea de simetría, las impedancias de
circuito abierto de los circuitos en forma de T y π deben coincidir con la impedancia
de la línea de transmisión dividida, y esto se puede escribir como Ecuación (3.74).
 Además, cuando los circuitos en forma de T y π están en cortocircuito a lo
largo de la línea de simetría, las impedancias de cortocircuito de los circuitos en
forma de T y π deben coincidir con las de la línea de transmisión dividida, y esto
resulta en

Por lo tanto, Za en Ecuación (3.75) para el circuito en forma de T puede ser

determinado, y cuando es sustituido en Ecuación (3.74), se obtendrá el valor de Zb.
Así, los valores para el circuito equivalente en forma de T se muestran en Ecuaciones
(3.76a) y (3.76b).

Además, se puede determinar Y1 en la ecuación (3.74) para el circuito en

forma de pi, que cuando se sustituye en la ecuación (3.75), dará Y2. Los valores del
circuito para el circuito equivalente en forma de π se muestran en Ecuaciones
(3.77a) y (3.77b).

Para una línea de un cuarto de longitud de onda, tan(θ/2) = csc(θ) = 1 y se

puede obtener el circuito equivalente mostrado en la Figura 3.26. Tenga en cuenta
que toda la reactancia de los inductores y condensadores es igual a la impedancia
característica de la línea de transmisión Zo.
 Figura 3.26 (a) T- y (b) π-equivalent circuits for a quarter-wavelength
transmission line. Tenga en cuenta que los valores de los tres elementos tienen la
misma magnitud y están determinados por Zo o Yo.
Ejemplo 3.14
Utilizando el circuito equivalente de elementos agrupados de la figura
3.26(b), diseñe el divisor de potencia de la figura 3.23 y verifique su funcionamiento
mediante una simulación ADS.
Soluciones
El circuito equivalente a π de una línea de transmisión de un cuarto de
longitud de onda en la Figura 3.26(b) se utiliza para reemplazar las dos líneas de
transmisión de cuarto de onda en el divisor de potencia y el divisor de potencia
puede entonces configurarse como se muestra en la Figura 3E.19.

Figura 3E.19 Un divisor de potencia que emplea componentes agrupados.

Las dos líneas de transmisión de cuarto de onda de la figura 3.23 se sustituyen por
circuitos equivalentes en forma de π
El circuito mostrado en la Figura 3E.20 está configurado en ADS para
verificar su funcionamiento. En este circuito, tanto los puertos 2 como 3 están
terminados por resistencias 50-Ω y los voltajes que aparecen en los puertos están
representados por vout1 y vout2. La entrada está representada por un circuito
equivalente Norton con una fuente de corriente de 1 A y una resistencia 50-Ω en
paralelo. Tanto los valores de L como los de C se asignan para tener una impedancia
de Zx = (2)½-50 usando VAR (variables y componentes de ecuaciones). Los voltajes
calculados se muestran en la Tabla 3E.1.
 Figura 3E.20 Circuito simulado para un divisor de potencia utilizando componentes
agrupados a una frecuencia de 1 GHz. Primero, zx en VAR1 se define para que coincida con 50 Ω y
100 Ω. A continuación se calculan los valores de un inductor y un condensador que dan la
impedancia zx a una frecuencia de 1 GHz. La fuente está representada por el circuito equivalente de
Norton con la impedancia 50 Ω

Tabla 3E.1 Tensiones calculadas (tenga en cuenta que como la impedancia vista desde la
fuente de corriente es 25 Ω, vin1=25 V)
Primero, puesto que la impedancia al mirar en el circuito del divisor de potencia es 50 Ω, la
resistencia de entrada vista desde la fuente de corriente SRC2 será 25 Ω porque la resistencia de
entrada es una combinación paralela de R1 y la resistencia de entrada del divisor de potencia. Una
corriente de 1 A que fluye hacia la resistencia de entrada combinada en paralelo de 25 Ω desarrollará
una tensión de 25 V para vin1. En segundo lugar, para saber si la potencia disponible ha sido
entregada en los dos puertos de salida sin reflexión, se introducen las siguientes ecuaciones en la
ventana de visualización.

Expresión de medición 3E.3 Cálculo de la potencia disponible y suministrada en la ventana

de visualización

En este caso, la potencia pa significa la potencia máxima disponible de la

fuente Norton y p1 significa la potencia entregada a la carga de 50-Ω. Por lo tanto,
comparando los dos, la relación r debe ser la mitad si la potencia de entrada se divide
equitativamente y se entrega a la carga sin reflexión. Ahora podemos saber si la
potencia disponible se suministra sin reflexión a través de r. La Tabla 3E.2 muestra
el resultado del valor r mostrado usando el recuadro de listado. El resultado será
que la potencia disponible se entrega sin reflexión.
 Tabla 3E.2 Resultados del cálculo utilizando la Expresión de Medida 3E.3 (la variable r es la
relación entre la potencia disponible y la potencia entregada y la carga)

3.6 Discontinuidades
En la implementación práctica de un circuito de línea de transmisión,
múltiples líneas de transmisión no pueden conectarse a un solo punto y a menudo
requieren un área, lo que se denomina discontinuidad. Estas discontinuidades
almacenan una parte de la energía a su alrededor y la energía almacenada no puede
propagarse a través de las líneas de transmisión. En consecuencia, las
discontinuidades pueden modelarse como inductores o condensadores de
almacenamiento de energía. En esta sección se discutirán ejemplos típicos de tales
discontinuidades y se explicarán sus efectos cualitativamente. Los modelos de
circuitos aproximados de las discontinuidades ya están incorporados como
componentes en ADS, lo que permite simular sus efectos sin necesidad de tener un
conocimiento específico de los mismos. Por lo tanto, un entendimiento cualitativo
puede ser suficiente para ayudar a entender los resultados de la simulación de
circuitos. Además, también aprenderemos a evaluar tales discontinuidades con el
ejemplo.
3.6.1 Micropelícula abierta
La Figura 3.27(a) muestra una vista superior de una línea de microcinta
abierta, mientras que la Figura 3.27(b) muestra su circuito equivalente. Al final de
la microplaqueta de extremo abierto aparecen campos de franjas adicionales. El
efecto de la capacitancia de extremo abierto puede ser representado por una
capacitancia adicional Coc.

Figura 3.27 Microcinta de extremo abierto: (a) vista superior y (b) su circuito equivalente.
El condensador Coc refleja la capacitancia de la franja extra debido al extremo abierto.
La capacitancia Coc se suele llamar capacitancia de extremo abierto de microcinta, cuyo
efecto aproximado parece una extensión de la longitud de la línea de microcinta. La extensión de
longitud desde el plano de referencia definido en T-T' en la figura 3.27 viene dada por

La C en Ecuación (3.78) representa la capacitancia por unidad de longitud de la línea de

microcinta y la Coc representa la capacitancia de extremo abierto de la microcinta.
Ejemplo 3.15
 Para los componentes de microcinta en ADS, hay dos talones abiertos; un componente,
MLEF, tiene en cuenta una capacitancia de extremo abierto, mientras que el otro componente, MLOC,
no lo tiene. Para un sustrato de alúmina de 10 milésimas de pulgada de espesor, compare los
coeficientes de reflexión de estos dos muñones abiertos a una frecuencia de 10 GHz. Además, calcule
la extensión de longitud debido a la capacitancia de extremo abierto.
Soluciones
Configure el circuito como se muestra en la Figura 3E.21. El MLEF es un talón abierto de
microfilm con el efecto de extremo abierto y el MLOC es un talón abierto de microfilm sin el efecto de
extremo abierto. El ancho y la longitud de una línea de cuarto de onda 50-Ω se calculan usando
LINECALC. Los valores de ancho y largo son 9.719 mil y 115 mil, respectivamente. Con el fin de
encontrar la extensión de longitud de MLEF como consecuencia del efecto de extremo abierto, la
longitud l1 del MLOC se fija como una variable.

Figura 3E.21 Evaluación de un efecto de microcinta abierto mediante simulación. El

componente MLEF es el elemento de circuito de microcintas que tiene en cuenta el efecto de
extremo abierto, mientras que MLOC es sólo la línea de microcintas cuyo extremo está abierto.
Vopen1 y Vopen2 se convierten en las impedancias porque las fuentes de corriente alterna están
ajustadas a 1 A. Para encontrar la extensión de longitud de MLEF, la longitud l1 de MLOC es variada.

En la Figura 3E.21, Vopen1 y Vopen2 se convierten directamente en las

impedancias. Para convertir las impedancias en coeficientes de reflexión, en la
ventana de visualización se introducen las siguientes ecuaciones en la expresión de
medición 3E.4:

Expresión de medición 3E.4 Cálculo de los coeficientes de reflexión

A continuación, el resultado se muestra en la Figura 3E.22. Dado que la
longitud de MLOC está configurada para variar, el coeficiente de reflexión de MLOC
aumentará en el sentido de las agujas del reloj. Comparando el coeficiente de
reflexión de las dos líneas, cuando la longitud del MLOC aumenta en
aproximadamente 3 mil de 115 mil, el MLOC con la longitud aumentada da el mismo
coeficiente de reflexión que el MLEF. Por lo tanto, a través de este ejemplo se puede
ver que la capacitancia de extremo abierto corresponde a la extensión de longitud
de aproximadamente 3 mil a 10 GHz.

Figura 3E.22 Coeficientes de reflexión simulados de las dos líneas de microcintas de

extremo abierto de la figura 3E.21. El coeficiente de reflexión s1 es para MLEF y s2 para MLOC. La
longitud l1 del MLOC debe ser de 118 mil para dar el mismo coeficiente de reflexión que el de
MLEF, que es de aproximadamente 3 mil en comparación con la longitud de MLEF.
3.6.2 Discontinuidades de Paso y Esquina
La figura 3.28 muestra las discontinuidades de pasos y esquinas. El circuito equivalente de
las discontinuidades de pasos y esquinas se muestra en la Figura 3.28(c). Debido a las
discontinuidades actuales en el paso y la esquina, habrá energía almacenada alrededor de estas
discontinuidades, que puede ser representada como un inductor en el circuito equivalente. Dos
inductores aparecen en ambas líneas de conexión para formar una discontinuidad de paso y esquina.
Estos inductores suelen ser pequeños y sus efectos pueden ser representados aproximadamente por
una pequeña extensión de la longitud de ambas líneas de microcinta. Definiendo Lo1 y Lo2 como las
inductancias por unidad de longitud de las líneas en los lados izquierdo y derecho, y L1 y L2 como las
inductancias que surgen de la discontinuidad, la extensión de longitud l1 y l2, similar al caso de
extremo abierto, son aproximadamente dadas por la Ecuación (3.79).

Figura 3.28 Microcinta (a) paso, (b) esquina y (c) su circuito equivalente. En el caso de la
discontinuidad de pasos, la discontinuidad no tiene ninguna longitud. En el caso de la
discontinuidad de esquina, la región de discontinuidad se define por el triángulo con los planos de
referencia T y T'.
 En la figura 3.28 c), el cambio de longitud de las líneas de los planos de
referencia T y T' se indica como l1 y l2. En la figura, se muestra un condensador CB
que representa una capacitancia de borde adicional o una capacitancia causada por
el área de la discontinuidad.
3.6.3 Unión en T y unión en cruz
Como se muestra en las Figuras 3.29 y 3.30, cuando se conectan tres o cuatro
líneas de microcintas, la conexión requiere un área común que se aproxima a un
punto en el análisis del circuito. El efecto de tales discontinuidades no es
generalmente pequeño. Sin embargo, de forma similar a las discontinuidades de
paso y de esquina, se modelan como una extensión de longitud de las líneas y un
condensador de discontinuidad. Cabe destacar que el circuito equivalente parece
estar conectado en derivación porque el campo eléctrico en la zona de unión es
común a todas las líneas de conexión. Aproximando el área de unión común como
un punto, el voltaje en el punto de conexión puede ser aproximadamente igual y la
conexión en derivación es físicamente plausible. En el caso de las líneas de
transmisión planas, en el caso de una línea de ranura o CPW, se debe tener cuidado
al construir el circuito equivalente, ya que el campo eléctrico en T y la unión
transversal no son comunes a todas las líneas de conexión. Consulte la referencia 3
al final de este capítulo para obtener información detallada.

Figura 3.29 (a) Una unión en T y (b) su circuito equivalente. El circuito equivalente de la
unión en T en la Figura 3.29(b) describe la discontinuidad del rectángulo definido por los planos de
referencia T, T', y T". El condensador CB se interpreta físicamente como la capacitancia debida al
área del rectángulo de discontinuidad y las longitudes l1, l2 y l3 de las líneas de transmisión se
deben a la longitud que alcanza el punto central del rectángulo de discontinuidad.
 Figura 3.30 (a) Cruce y (b) su circuito equivalente. El circuito equivalente de enlace
cruzado describe el rectángulo de discontinuidad definido por los planos de referencia T1, T2, T3 y
T4. La interpretación física del circuito equivalente es similar a la discontinuidad de la unión en T.
3.7 Resumen

 La tensión y la corriente de una línea de transmisión son ondas que se propagan

a lo largo del eje de propagación z con una velocidad de fase vp y sus formas de
onda tienen la misma forma. La relación entre la tensión y la corriente se define
como la impedancia característica Zo.
 El retardo de tiempo aparece en la línea de transmisión debido a la vp y por lo
tanto la línea de transmisión de una longitud finita se especifica de varias
maneras tales como (vp, longitud), (fracción de longitud de onda, frecuencia), y
(longitud eléctrica, frecuencia).
 Los parámetros de la línea de transmisión Zo y vp se pueden medir utilizando
impedancias de circuito abierto y de cortocircuito.
 Las líneas coaxiales y de microcinta son las líneas de transmisión más utilizadas.
A medida que el diámetro exterior de una línea coaxial se hace más pequeño, la
línea puede ser utilizada como una línea de transmisión monomodo hasta
frecuencias más altas.
 Cuando se conecta una carga desigual al final de una línea de transmisión, se
produce una reflexión. Como resultado, se forma una onda estacionaria. La
reflexión puede ser descrita por el coeficiente de reflexión, VSWR, y la pérdida
de retorno. VSWR es el índice que representa la forma de onda estacionaria.
 Las resonancias en serie o paralelas se producen en una línea de transmisión con
una longitud de nλ/4. Se explica la aplicación del resonador de línea de
transmisión y la extracción de los valores de LC en resonancia.
 Una línea de transmisión puede ser representada por circuitos equivalentes en
forma de T, en forma de π, o una red de dos puertos porque la línea de
transmisión es un dispositivo pasivo. También se muestran las aplicaciones para
la representación de dos puertos.
 La implementación física de un circuito que utiliza una línea de transmisión
acompaña a las discontinuidades. Se explica el método para caracterizar las
discontinuidades utilizando los modelos de discontinuidad aproximados
incorporados a ADS.

 References
 1. R. G. Brown, R. A. Sharpe, W. L. Hughes, and R. E. Post, Lines, Waves, and
Antennas, 2nd ed. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1973.
 2. J. C. Freeman, Fundamentals of Microwave Transmission Lines, New York:
John Wiley & Sons, Inc., 1996.
 3. K. C. Gupta, R. Garg, I. Bahl, and P. Bhartia, Microcinta Lines and Slot Lines,
2nd ed. Dedham, MA: Artech House, Inc., 1995.

Problemas
3.1 En el ejemplo 3.1, una onda sinusoidal viajera que se propaga en dirección
z viene dada por cos(ωt-βz). Para una constante C, si se elige ωt-βz = C, ¿cuál es el
significado? También, cuando esta constante es tomada como el pico de la onda
sinusoidal, pruebe que su velocidad es vp.
3.2 En el caso especial de la línea de transmisión cuando θ es pequeña,
encuentre los valores de L y C usando los resultados de la Figura 3.25. Además,
muestre que los circuitos equivalentes en la Figura 3P.1 producen la misma ecuación
de onda que θ→0

Figura 3P.1 Circuito equivalente de una línea de transmisión de corta

longitud: (a) T- y (b) π
3.3 Considerando el circuito de dos puertos en la Figura 3P.2 como una línea
de transmisión, determinar su impedancia característica equivalente usando los
métodos de circuito abierto y cortocircuito presentados en la sección 3.2.4.

Figura 3P.2 Circuito LC

3.4 (1) Si la longitud eléctrica a una frecuencia de 1 GHz es de 90°, ¿cuál es la
longitud eléctrica a una frecuencia de 3 GHz?
(2) Además, si la velocidad de fase es igual a la velocidad de la luz, ¿cuál es su
longitud?
(3) Finalmente, ¿cuál es su constante de propagación?
3.5 En la definición del coeficiente de reflexión que se muestra a
continuación, cuando la parte real de ZL es positiva, probar que |ΓL| ≤ 1.
 3.6 La figura 3P.3 muestra una medición de la línea de la ranura. La ubicación
de los mínimos de onda estacionaria de voltaje se muestra mediante los números de
dos mediciones. Cuando la carga se sustituye por un cortocircuito, el primer mínimo
se produce a 90 cm. La distancia dmin desde el primer mínimo hasta el corto es de
15 cm (= 90 - 75 cm en la figura 3P.3) a una frecuencia de 375 MHz. Encuentra la
impedancia de carga.

Figura 3P.3 Mediciones con la línea de ranura

3.7 En la figura 3P.4, V+ y V- representan fasores de tensión incidente y
reflejada en el plano de carga. Escriba la tensión V1 con V+ y V-. Cuando el VSWR en
la entrada es 2, encuentre la magnitud de Γin y la pérdida de retorno
correspondiente. En la condición anterior, ajuste Zo = 50 Ω, encuentre el valor de la
resistencia ZL.
 Figura 3P.4 Línea de transmisión terminada con carga
3.8 Using the scale at the bottom of the Smith chart in Figure 3.17 and a
compass, find the VSWR and the return loss corresponding to Γ = 0.6.
3.9 For a transmission line with Zo and θ, derive the ABCD parameters
defined as

3.10 La figura 3P.5 muestra un circuito equivalente de un amplificador de

distribución similar al de la figura 3.1. Encuentra V1 y V2.

Figura 3P.5 Circuito equivalente de la salida de un amplificador de

distribución
3.11 Si una línea de transmisión 50-Ω tiene un cuarto de longitud de onda a
1 GHz y su extremo está cortocircuitado, ¿puede considerarse un circuito resonante
paralelo cerca de la frecuencia de 1 GHz? ¿Cuál es, entonces, la capacitancia del
circuito resonante paralelo?
3.12 En la figura 3P.6, encuentre la impedancia característica Zx para una
transferencia de potencia máxima para cargar 2Zo. Para ello, busque la forma de
onda de tensión del dominio temporal v1(t). Encuentra también la forma de onda de
tensión en el dominio temporal v2(t).
 Figura 3P.6 Problema 3.12 circuito

3.13 (Problema ADS) La impedancia característica de una línea de transmisión se

puede encontrar aplicando una señal de pulso a la línea. La figura 3P.7 muestra una
configuración de simulación para calcular la impedancia característica de la línea de
transmisión. Calculando los pulsos de corriente y tensión, y la relación del pulso, se puede
ver que la relación es la impedancia característica dada por 50 Ω

Figura 3P.7 Configuración de la simulación para calcular la impedancia

característica utilizando un impulso
3.14 (Problema ADS) La onda estacionaria puede simularse barriendo la longitud de
la línea de transmisión como se muestra en la figura 3P.8. Traza el mag(v1) vs. l1 resulta en
el patrón de onda estacionaria. Además, traza la forma de onda estacionaria con el tiempo
como parámetro. Será evidente que el punto mínimo no se mueve a pesar del cambio de
hora, por lo que se le llama "onda estacionaria".
 Figura 3P.8 Simulación de forma de onda estacionaria
3.15 (Problema de ADS) Usando ADS, extraiga el circuito equivalente de MCORN de
discontinuidad en esquina, que tiene un ancho de 50-Ω-line microcinta. Tenga en cuenta que
puede ser representado por un circuito equivalente en T porque la curva es un circuito
pasivo. En este caso, el sustrato es una alúmina de 10 milésimas de pulgada de espesor con
εr = 9,6.
 Capítulo 4. Parámetros S y parámetros de ruido

Esquema del capítulo

4.1 Parámetros S
4.2 Parámetros de ruido
4.3 Formatos de archivo
4.4 Resumen

4.1 Parámetros S
Una red de dos puertos es un circuito que tiene dos puertos accesibles. Un puerto es
un par de terminales que satisface una condición portuaria. La condición del puerto
requiere que la corriente que fluye hacia la terminal de un puerto sea igual a la que fluye
desde la terminal del otro puerto. Entre las redes multipuerto, una red de dos puertos puede
ser el componente básico de los circuitos funcionales compuestos. Las direcciones de
referencia para las variables de puerto, tales como corrientes y voltajes de puerto,
normalmente se definirán como se muestra en la Figura 4.1(a). Generalmente, este tipo de
red de dos puertos está representada por parámetros de dos puertos que utilizan la relación
entre las tensiones y corrientes de los puertos. La figura 4.1 muestra los parámetros Z e Y
definidos en términos de corrientes y tensiones de puerto. De las variables de puerto,
cuando las corrientes de puerto se eligen como variables o fuentes independientes, se
obtiene la definición de los parámetros Z como se muestra en la Ecuación (4.1).

Figura 4.1 Parámetros de dos puertos: (a) Parámetros Z y (b) Parámetros Y

Alternativamente, cuando los voltajes de los puertos son escogidos como variables
o fuentes independientes, se obtiene la definición de los parámetros Y como se muestra en
la Ecuación (4.2).

Sin embargo, la medición de los parámetros Z e Y requiere la apertura y cortocircuito

de los puertos, y la medición de la tensión o corriente del puerto para el puerto abierto o
cortocircuitado, respectivamente. La creación de un circuito abierto o cortocircuito en los
planos de puerto o planos de referencia del dispositivo bajo prueba (DUT) requiere ciertas
modificaciones del DUT, que pueden ser problemáticas. Además, suele ser difícil medir las
tensiones y corrientes de los puertos en los planos de los puertos. Además, estos puertos
abiertos o en cortocircuito pueden causar a veces una oscilación en el caso de un dispositivo
activo sensible, lo que podría causar problemas de medición.
Por otro lado, a diferencia de los parámetros Z e Y que se definen directamente por
las tensiones y corrientes de los puertos, los parámetros S se definen por la relación entre
la tensión incidente y la tensión reflejada. Esta definición no requiere ninguna modificación
significativa del DUT. La medición puede realizarse fácilmente empleando un acoplador
direccional. Por lo tanto, los parámetros S son obviamente más convenientes a la hora de
medir y, por lo tanto, se utilizan ampliamente. Además, también se pueden convertir a otros
parámetros. Los parámetros S se miden comúnmente utilizando el analizador de red, cuya
fotografía se muestra en la figura 4.2. En esa figura, el analizador de red se compone de una
fuente dedicada, un equipo de prueba de parámetros S y la trama principal. Aquí se
configura un equipo de prueba de parámetros S con un acoplador direccional y otros
componentes de microondas para medir las tensiones incidente y reflejada que se utilizan
para obtener los parámetros S. El marco principal proporciona una interfaz de usuario para
controlar el equipo de prueba y la fuente. Además, el marco principal muestra los resultados
del parámetro S medido a través del equipo de prueba.

Figura 4.2 Analizador de red 8510.1 Los parámetros S se miden con el equipo de
prueba del parámetro S y los datos medidos se envían al bastidor principal. El marco
principal proporciona la interfaz de usuario y muestra los datos medidos.
1 Agilent Technologies, HP 85106D Millimeter Wave Network Analyzer System, 1998.

En este capítulo, discutiremos los parámetros S definidos por tensiones

incidentes y reflejadas e introduciremos el concepto de normalización. También
consideraremos el concepto de un parámetro S convencional y su conversión a otros
parámetros, así como el problema del desplazamiento de los planos de referencia.

4.1.1 Definición del parámetro S de tensión

La figura 4.3 muestra la medición de los parámetros S para una red de dos
puertos. Dos fuentes de tensión sinusoidales, Eo1 y Eo2, con resistencias internas de
fuente Zo1 y Zo2, se aplican a los puertos 1 y 2, respectivamente. La resistencia
interna de la fuente se denomina impedancia de referencia. Para definir los
parámetros S, las líneas de transmisión se insertan en la entrada y salida de la red
de dos puertos, como se muestra en la figura 4.3. Se supone que tienen una longitud
de 0, y sus impedancias características son iguales a las impedancias de la fuente de
entrada y salida Zo1 y Zo2, respectivamente. Estas líneas de transmisión se insertan
para distinguir entre los voltajes incidente y reflejado en los puertos de entrada y
salida.

Figura 4.3 Una red de dos puertos. V1, V2, e I1, I2 son tensiones y corrientes de puerto; Zo1
y Zo2 son impedancias de referencia; V1+, V2+, y V1-, V2- son tensiones incidentes y reflejadas.

Nótese que, por el momento, se supone que estas impedancias características

son reales e iguales a las resistencias internas de la fuente de los puertos 1 y 2,
respectivamente. Denota cada uno de los voltajes incidente y reflejado de los
puertos 1 y 2 como V1+, V1-, V2+, y V2-, respectivamente, y el voltaje y la corriente
de los puertos 1 y 2 como V1, V2, I1, y I2, respectivamente, podemos expresar esto
como se muestra en las Ecuaciones (4.3)-(4.6).

Podemos ver que todas las tensiones y corrientes de los puertos pueden
expresarse en términos de las tensiones incidente y reflejada V1+, V1-, y V2+, V2-.
Por lo tanto, en lugar de representar una red de dos puertos mediante los
parámetros Z e Y definidos por las tensiones y corrientes de los puertos, la red de
dos puertos puede representarse mediante parámetros de dos puertos definidos
por las tensiones incidente y reflejada. Si las tensiones incidentes V1+, V2+ son
seleccionadas como variables independientes, y las tensiones reflejadas V1-, V2- son
seleccionadas como variables dependientes, los nuevos parámetros de dos puertos
definidos se muestran en la Ecuación (4.7).

Este tipo de SVij definido por la tensión se denomina parámetro S. Además, a

partir de las ecuaciones (4.3) y (4.5), aplicando KVL en los puertos de entrada y
salida, podemos obtener

Si sustituimos Ecuaciones (4.4) y (4.6) por Ecuaciones (4.8) y (4.9),

respectivamente, obtenemos

A partir de las ecuaciones (4.10) y (4.11), podemos ver que las ondas
incidentes V1+ y V2+ están dadas por, respectivamente

Esto significa que la tensión incidente en la red de dos puertos es

independiente de las condiciones de correspondencia de carga y está determinada
únicamente por la presencia de la fuente. En otras palabras, no hay tensión incidente
en el puerto de entrada si Eo1 = 0; es decir, la fuente está apagada. Cuando se
enciende la fuente, es decir, Eo1 ≠ 0, hay tensión incidente en el puerto de entrada
dada por la ecuación (4.12). Además, las tensiones incidentes pueden medirse
conectando directamente las cargas con el mismo valor que las impedancias de
referencia a las fuentes. Por lo tanto, podemos ver que la tensión incidente depende
únicamente de la presencia de la fuente y de su valor, independientemente del
estado del puerto.
La aplicación simultánea de las fuentes Eo1 y Eo2 también puede
descomponerse en dos casos separados utilizando el principio de superposición. Un
caso sería que Eo1 solo es activo y el otro caso sería que Eo2 solo es activo. Cuando
Eo2 = 0, entonces de la Ecuación (4.12), V2+ = 0 y el voltaje reflejado de la conexión
2, V2- se muestra en la Ecuación (4.13).

También, el voltaje reflejado del puerto 1, V1- se convierte en Ecuación

(4.14).
 De manera similar, haciendo Eo1 = 0 y determinando el voltaje reflejado para
este caso, obtenemos Ecuaciones (4.15) y (4.16).

Con estas tensiones determinadas, los parámetros S definidos por la tensión

pueden reescribirse como Ecuaciones (4.17a)-(4.17d).

SV11 y SV22 representan los coeficientes de reflexión en las conexiones 1 y 2,

respectivamente. Para confirmar este hecho, supongamos que la tensión de entrada
en el puerto 1 es Eo1 y en el puerto 2 se termina por la impedancia de carga Zo2.
Definiendo la impedancia de entrada desde el puerto 1 como Zin, el voltaje a través
del puerto 1 se convierte en

Sustituyendo la Ecuación (4.18) por la Ecuación (4.17a) y luego

reescribiendo, obtenemos la Ecuación (4.19).
 Por lo tanto, SV11 es el coeficiente de reflexión que mira al puerto 1 cuando el
puerto 2 es terminado por Zo2. De manera similar, SV22 es el coeficiente de reflexión
que mira al puerto 2 cuando el puerto 1 es terminado por Zo1.

Ejemplo 4.1
Determine el parámetro S definido por la tensión de las redes de dos puertos
cuando las impedancias de referencia de los puertos 1 y 2 sean Zo.
Solución
(1) Serie Impedancia
De la Figura 4E.1, cuando el puerto 2 es terminado por Zo, la impedancia que
mira al puerto 1 es Zs + Zo. El coeficiente de reflexión que mira en la conexión 1 es

Figura 4E.1 Un circuito de dos puertos (serie)

Además, como la red de dos puertos es simétrica,
S11 = S22
Además, el voltaje a través de la terminación del puerto 2 Zo es
Por lo tanto,

(2) Impedancia paralela

Del mismo modo, el coeficiente de reflexión de la figura 4E.2 es

Figura 4E.2 Un circuito de dos puertos (derivación)

También, desde el voltaje a través del puerto 2,

(3) Línea de transmisión (figura 4E.3)

 Figura 4E.3 Un circuito de dos puertos (línea de transmisión)

El coeficiente de reflexión cuando el puerto 2 es terminado por Zo es

Además, como la tensión en el puerto 1 es

La tensión V1 se retrasa por la longitud eléctrica θ y aparece en la conexión

2. Así,

Ejemplo 4.2
Verifique el cálculo del parámetro S de la línea de transmisión en el ejemplo
4.1(3) usando simulación CA.
Solución
Configure el esquema que se muestra en la Figura 4E.4 a continuación:
 Figura 4E.4 Circuito para la verificación de los parámetros S de la línea de transmisión. Los
valores de las dos fuentes de tensión alterna se ajustan a 2, S11 = v11 - 1, S21 = v21, S12 = v12, y S22 = v22
- 1.

A partir de la ecuación (4.17), los parámetros S se convierten en S11 = v11 -

1, S21 = v21, S12 = v12, y S22 = v22 - 1. Estas ecuaciones se introducen en la ventana
de visualización como se muestra en la Expresión de Medición 4E.1:

n11=v11–1 n12=v12

n21=v21 n22=v22–1
Expresión de medición 4E.1 Ecuaciones escritas en la ventana de
visualización
Los n11 y n22 calculados se grafican en una carta Smith y n21 se grafica en
una carta polar. Las trazas aparecen como se muestra en la figura 4E.5. Así, podemos
ver que, S11 = S22 = 0, y S12 = S21 gira el círculo de la unidad en el sentido de las
agujas del reloj con respecto a la frecuencia como se explica en el Ejemplo 4.1(3).
 Figura 4E.5 Diagramas de la herrería y de la carta polar para (a) n11, n22, y (b) n21

4.1.2 Definiciones y propiedades de los parámetros S

Como vimos en el apartado anterior, los parámetros S de tensión se han
definido en términos de tensiones incidentes y reflejadas, pero también podemos
definir parámetros S basados en la corriente en términos de corrientes incidentes y
reflejadas. Para evitar una variedad de definiciones que dependen de la elección de
tensiones o corrientes, los parámetros S se definen en términos de tensiones de
incidente normalizadas o normalizadas y tensiones reflejadas que, al cuadrar
directamente, dan la potencia de la siguiente manera:

En la ecuación (4.20), la división por (2)½ convierte el valor de pico al valor

de la media cuadrática (RMS). En caso de que los fasores Vi+, Vi- ya estén definidos
como valores RMS, no se requiere (2)½ Ahora, para la tensión incidente
normalizada y la tensión reflejada a, b, respectivamente, se definen los parámetros
S normalizados o simplemente los parámetros S como se muestra en la Ecuación
(4.21).

La relación entre los parámetros S y los parámetros S de tensión derivados

anteriormente se convierte en ecuaciones (4.22a)-(4.22d).

Por lo tanto, cuando las impedancias de referencia de entrada y salida

seleccionadas son iguales, los parámetros S definidos por la tensión son iguales a los
parámetros S. En este caso, la definición de los parámetros S se basó en las
impedancias de referencia reales. Sin embargo, el parámetro S también puede
definirse para las impedancias de referencia de valor complejo. Los detalles se
encuentran en la referencia 2 al final de este capítulo.
Para ver el significado de los voltajes de incidente estandarizados y reflejados
a, b definidos anteriormente, primero considere |a1|2

La ecuación (4.23) representa la potencia entregada a la carga cuando la

resistencia de carga se ajusta a la impedancia de referencia Zo1. La potencia dada por
la Ecuación (4.23) es la potencia máxima que puede derivarse de la fuente, la cual se
explicará más adelante en el Capítulo 6, y se denomina potencia máxima disponible
o potencia disponible en breve. Por lo tanto, |a1|2 es la máxima potencia disponible
que puede derivarse de la fuente conectada al puerto 1, y |a2|2 representa de manera
similar la máxima potencia disponible de la fuente conectada al puerto 2.
Además, |b2|2 para Eo2 = 0 es

La potencia dada por la Ecuación (4.24) representa la potencia entregada a

la carga de Zo2 conectada al puerto 2 desde la fuente en el puerto 1. Además, la
potencia entregada al puerto de entrada, o puerto 1, se muestra en la Ecuación
(4.25).

Donde |a1|2 es la potencia incidente y |b1|2 es la potencia reflejada. Esto

significa que la energía disponible es incidente en el puerto de entrada y una parte
de la energía disponible que corresponde a |b1|2 se refleja de vuelta a la fuente. Así,
la potencia neta entregada a la entrada es igual a la potencia incidente menos la
potencia reflejada.

4.1.3. Puertos y simulación de parámetros S

Como vimos en el ejemplo 4.2, los parámetros S se pueden obtener mediante
simulación de CA. Sin embargo, surgen algunos problemas al intentar obtener los
parámetros S a través de la simulación de CA. Primero, se deben dibujar dos circuitos
idénticos para obtener los parámetros S. Esto es significativo cuando el número de
puerto aumenta a n. Se deben dibujar n circuitos idénticos para obtener los
parámetros S del puerto n. Otro problema es que las etiquetas de voltaje son
necesarias para distinguir una red de dos puertos de sus fuentes. Los puertos en ADS
eliminan los problemas, aunque en principio el cálculo puede ser el mismo que en
una simulación de CA. Estos puertos proporcionan principalmente una clara
distinción entre una red de dos puertos y sus fuentes. En la Figura 4.4 se muestra un
ejemplo del circuito utilizado para determinar los parámetros S para una red de dos
puertos.

Figura 4.4 Una red de dos puertos con cargas conectadas a los puertos

Para entender los puertos en el circuito mostrado en la Figura 4.4, cuando el

puerto 1 está activo, se convierte en la conexión en serie de la fuente y la resistencia
interna, como se muestra en la Figura 4.5(a); de lo contrario, los puertos
desactivados actúan sólo como resistencias de carga simples, como se muestra en la
Figura 4.5(b). En este caso, se puede calcular la tensión que aparece en todos los
puertos, y también se pueden calcular los parámetros S para la excitación en el
puerto 1, como se explica en el Ejemplo 4.2. Después del cálculo, se guardan los
resultados calculados. Al repetir esto n veces para todos los puertos activando un
puerto en el orden del número de puerto, los voltajes que aparecen en todos los
puertos pueden ser calculados y guardados. Con este método se pueden obtener los
parámetros S de n-port.
 Figura 4.5 Circuito equivalente para (a) puertos activados y (b) desactivados

Los parámetros necesarios para especificar el puerto son el número de

puerto y la impedancia de referencia. El número de puerto corresponde al número
de la figura 4.4. La impedancia de referencia se especifica introduciendo el número
en el parámetro Z, que puede ser un número complejo.
Además, los puertos pueden utilizarse en el análisis de circuitos no lineales.
La figura 4.6 muestra un gran puerto de señal. El número de puerto y la impedancia
de referencia son los mismos que en el caso de los puertos lineales. Sin embargo, el
puerto de señal grande requiere el nivel de potencia de la señal, que se especifica en
términos de potencia. En la Figura 4.6, el nivel de potencia es especificado por P y
representa la potencia entregada a la carga cuando la impedancia de carga es
conjugada con la impedancia de la fuente.

Figura 4.6 Puerto de señal grande en ADS. P representa el poder. Cuando el puerto se
conjuga con la carga, la potencia P se entrega a la carga. Los demás parámetros pueden
interpretarse de forma similar a como se hace en el puerto del parámetro S.

Ejemplo 4.3
Utilice la simulación de parámetros S en ADS para determinar los parámetros
S de la línea de transmisión en el ejemplo 4.2.
Solución
Configure el circuito como se muestra en la Figura 4E.6 y realice la simulación
del parámetro S.

Figura 4E.6 Un circuito de simulación de parámetros S. Los puertos del parámetro S y el

controlador de simulación del parámetro S especifican la simulación del parámetro S.

A continuación se obtienen los resultados de la simulación del parámetro S.

Para fines de comparación con los resultados anteriores, ambos resultados se
grafican simultáneamente, como se muestra en la Figura 4E.7. De esta figura,
podemos ver que la simulación del parámetro S da los mismos parámetros S que los
del Ejemplo 4.2. Debe tenerse en cuenta que los parámetros S de tensión del ejemplo
4.2 son iguales a los parámetros S. Aquí, n11, n22, y n21 son los resultados del Ejemplo
4.2.

Figura 4E.7 Comparación de los parámetros S obtenidos con el resultado del ejemplo 4.2(a)
S11 y (b) S21

4.1.4 Conversión de parámetros S

Los parámetros S definidos en términos de tensiones incidentes y reflejadas
son convenientes para propósitos de medición, pero comprender un circuito por
medio de parámetros S suele ser difícil. Por otro lado, los parámetros Y y Z definidos
en términos de tensiones y corrientes de puerto pueden presentar dificultades de
medición pero, debido a que evolucionan directamente de la teoría de circuitos,
ofrecen una forma fácil de entender un circuito desconocido. En esta sección
veremos cómo convertir los parámetros S a otros parámetros definidos por las
tensiones y corrientes de los puertos. También describiremos cómo se maneja esta
conversión en ADS. Además, estudiaremos lo que ocurre con los parámetros S en
una situación en la que las longitudes de la línea de transmisión no son 0. En la
definición anterior de los parámetros S, las longitudes de las líneas de transmisión
insertadas en la entrada y salida de una red de dos puertos se fijaron
intencionadamente en 0. También veremos cómo se pueden eliminar los efectos de
las líneas de transmisión de longitud no nula.
La figura 4.7 muestra una red de dos puertos. Para encontrar la relación de
conversión entre los parámetros S y otros parámetros, la relación entre las
tensiones incidente y reflejada y las tensiones y corrientes de puerto es la primera
que se encuentra. La relación se muestra en Ecuaciones (4.26a)-(4.26d).
 Figura 4.7 Voltajes y corrientes de los puertos, así como voltajes incidentes y reflejados. Los
voltajes incidente y reflejado pueden ser expresados usando voltajes y corrientes de puerto.

Usando las ecuaciones anteriores, los voltajes normalizados incidentes y

reflejados en términos de voltajes y corrientes de puerto pueden expresarse de la
siguiente manera:

Ahora, cuando la impedancia de referencia Zo1 = Zo2 = Zo, las ecuaciones (4.27)
y (4.28) pueden expresarse como

Expresando la ecuación (4.29) como vector y sustituyendo la relación del

parámetro Z V = ZI en la ecuación anterior, obtenemos
 Usando la ecuación (4.30), podemos obtener la siguiente relación entre los
parámetros Z y los parámetros S mostrados en la ecuación (4.31).

Además, sustituyendo la relación del parámetro Y I = YV, la relación entre los

parámetros Y y los parámetros S se obtiene como Ecuación (4.32).

Aquí, Yo = 1/Zo. Por el contrario, de la Ecuación (4.31), representando Z en

términos de S, obtenemos la Ecuación (4.33).

Similarmente, de la Ecuación (4.32), expresando Y en términos de S, obtenemos la Ecuación

(4.34).

Los resultados de las ecuaciones (4.33) y (4.34) se muestran en la Tabla 4.1.

Además, los parámetros S pueden expresarse de forma similar utilizando los
parámetros Y y Z, y esos resultados se muestran en la Tabla 4.2. También es posible
convertir los parámetros S a otros parámetros como los parámetros ABCD y H.
Utilizando la Ecuación (4.30), que muestra la relación entre las corrientes y
tensiones de puerto y las tensiones normalizadas incidentes y reflejadas, todas las
conversiones son posibles.

Tabla 4.1 Parámetros S convertidos en parámetros Z y parámetros Y

 Tabla 4.2 Parámetros S convertidos a partir de los parámetros Z y Y

Ejemplo 4.4
Utilizando los resultados de la Tabla 4.1, determine la impedancia de entrada
Zin de la red de dos puertos en la Figura 4E.8 con parámetros S para la impedancia
de carga ZL; (1) ZL = ∞, (2) ZL = 0, y (3) ZL = Zo.

Figura 4E.8 Una red de dos puertos terminada por una carga
Solución
Cuando ZL = ∞, a partir de la definición de los parámetros Z, la impedancia de entrada es Zin
= z11. Así, expresando z11 en términos de los parámetros S de la Tabla 4.1,
 Cuando ZL = 0, Zin = 1/y11 y expresándolo en términos de los parámetros S de la Tabla 4.1,

Cuando ZL = Zo, el coeficiente de reflexión en la entrada es S11 y por lo tanto

4.1.5 Desplazamiento de los planos de referencia

La Figura 4.8 muestra una red de dos puertos que incluye líneas de
transmisión distintas de cero en los puertos de entrada y salida. Ahora
examinaremos los parámetros S para esta situación. En la práctica, cuando se
realizan mediciones con parámetros S, es inevitable que se inserten líneas de
transmisión de longitud finita en la configuración. Estas líneas de transmisión
pueden considerarse como los dos cables insertados entre el equipo de prueba del
parámetro S en la Figura 4.2 y un DUT. Las líneas proporcionan una conexión fácil
al DUT. Debido a que queremos obtener sólo los parámetros S del DUT, necesitamos
eliminar los efectos de las líneas de transmisión insertadas durante la medición. Este
proceso se denomina calibración. En la práctica, la calibración es un procedimiento
complejo que implica más que simplemente eliminar los efectos de las líneas de
transmisión de los parámetros S. Sin embargo, la eliminación de los efectos de la
línea de transmisión de los parámetros S, que se describirán más adelante en este
capítulo, es muy cercana a la calibración práctica del analizador de red.

Figura 4.8 Mediciones de parámetros S con líneas de transmisión distintas de cero

incluidas

La longitud eléctrica de cada una de las líneas de transmisión insertadas en

los puertos de entrada y salida del DUT debe ser θ1 y θ2, respectivamente. Además,
la impedancia de referencia para los parámetros S debe ser igual a las impedancias
características de las líneas de transmisión. En este caso, no hay absolutamente
ninguna reflexión entre la fuente y las líneas de transmisión. Además, los voltajes
normalizados incidentes y reflejados en los puertos del DUT deben ser a'1, b'1 y a'2,
b'2, respectivamente. Finalmente, los voltajes de incidente normalizado y reflejado
en los puertos de la red de dos puertos definidos por el rectángulo de líneas
punteadas de la figura deben ser a1, b1 y a2, b2, respectivamente. Entonces, la
siguiente relación en la Ecuación (4.35) se mantiene:

Los parámetros S del DUT se muestran en la ecuación (4.36).

Ahora, si sustituimos Ecuación (4.35) por Ecuación (4.36), obtenemos

Ecuación (4.37).

Reescribiendo la ecuación (4.37), los parámetros S del DUT que incluye las
líneas de transmisión resultan en la ecuación (4.38).

Por lo tanto,

Podemos proporcionar una interpretación física del resultado de S11 de la

ecuación (4.39). El voltaje incidente a1 atraviesa la línea de transmisión de entrada
de longitud θ1, refleja desde el DUT, y regresa a través de la línea de transmisión de
entrada. En consecuencia, S11 tiene un retardo de fase igual a e-2jθ1 con respecto a
S'11 debido al retardo de fase del viaje de ida y vuelta, y S11 puede expresarse como
S'11. e-2jθ1 Del mismo modo, S21 también experimenta un retardo de fase igual a
atravesar las líneas de transmisión de entrada y salida y, en consecuencia, S21 se
retrasa por un retardo de fase igual a e-j (θ1 + θ2). Por lo tanto, si conocemos de
antemano las longitudes eléctricas de las líneas de transmisión de entrada y salida,
podemos determinar los parámetros S del DUT a partir de los parámetros S medidos
del DUT que incluyen las líneas de transmisión. Además, los parámetros S del DUT
que incluye las líneas de transmisión tienen las mismas magnitudes y |Sij| = |S'ij|.
Esto significa que las magnitudes de los parámetros S del DUT que incluyen las líneas
de transmisión no cambian; sólo cambia la fase. Por lo tanto, cuando la única
preocupación es medir las magnitudes, la propiedad de es útil. Por ejemplo, al medir
la ganancia |S21|2, las líneas de transmisión no tendrán ningún efecto en los
resultados medidos si no tienen pérdidas.
En la práctica, para eliminar el efecto de las líneas de transmisión insertadas,
necesitamos conocer las longitudes e impedancias eléctricas de esas líneas. Estos
pueden determinarse a partir del método de circuito abierto y de cortocircuito
discutido en el Capítulo 3. Sin embargo, las líneas de transmisión insertadas no son
las líneas de transmisión ideales descritas anteriormente. Por ejemplo, no tienen las
mismas impedancias que las impedancias de referencia (desajuste de la fuente),
también tienen algunas pérdidas que no se pueden descuidar (pérdida de la fuente
al puerto 1), y así sucesivamente. Por lo tanto, la eliminación de los efectos de las
líneas de transmisión puede no ser tan simple como se ha descrito, pero todavía se
puede hacer a través de un método similar llamado calibración. Los métodos de
calibración típicos incluyen OSL (open-short-load) así como el método de
calibración adecuado para las líneas de microcinta llamadas TRL (thru-reflect-line).
Por favor, consulte las referencias 3 al final de este capítulo para obtener una
descripción detallada de estos métodos de calibración.

Ejemplo 4.5
El circuito de la Figura 4E.9 es un circuito resonante en serie en el que las
líneas de transmisión de entrada y salida se insertan tanto en la entrada como en la
salida. Dado que las impedancias de referencia de entrada y salida para los
parámetros S del circuito en la Figura 4E.9 son iguales a las impedancias
características de las líneas de transmisión de entrada y salida, calcule los
parámetros S y dibuje |S11|. Utilizando el |S11| medido, se pueden determinar los
valores de los elementos del circuito de L y C. Este método se utiliza frecuentemente
para determinar los valores de los elementos del circuito. Explique cómo extraer los
valores de los elementos del circuito de los valores medidos |S11|.

Figura 4E.9 Circuito resonante en serie con dos líneas de transmisión de entrada y salida
 Solución
Los parámetros S del circuito resonante en serie se encuentran en la zona
sombreada sin las líneas de transmisión. A continuación, los parámetros S deseados
se encuentran desplazando los planos de referencia de entrada y salida por θ1 y θ2,
respectivamente. Los parámetros S del circuito sin las líneas de transmisión, del
ejemplo 4.1 (2), son los siguientes

Zp puede reescribirse de la siguiente manera:

Sustituyendo S11 y S21, y luego reordenando,

A continuación, aplicando el desplazamiento de los planos de referencia, los

parámetros S se convierten en

Tanto S11 como S22 dan los mismos resultados cuando se grafican sus
magnitudes. Las líneas de transmisión sólo producen retardos de fase simples por
el desplazamiento de los planos de referencia. El |S11| se esboza en la Figura 4E.10.
Cuando se miden S11 y S22, la Q puede determinarse a partir de la anchura de banda
de 3 dB, como se muestra en la figura 4E.10.
 Figura 4E.10 La medición de Q. BW es el ancho de banda de 3 dB y Q puede calcularse por
fo/BW.

Dado que el ancho de banda de 3-dB aquí se convierte en 2Q-δ = ±1, podemos
ver que Q es

Ahora, usando la Q medida y la frecuencia de resonancia, los valores de L y C

del circuito pueden ser determinados a partir de las siguientes ecuaciones:

Por lo tanto, los valores del circuito equivalente pueden obtenerse utilizando
sólo la medición escalar de |S11| sin recurrir a una medición vectorial.

4.1.6 Pérdida de inserción y pérdida de retorno

En esta sección, discutiremos la pérdida de inserción y la pérdida de retorno
de la red de dos puertos. Anteriormente, hemos encontrado que la máxima potencia
disponible puede ser entregada a la carga correspondiente. Cuando se inserta una
red de dos puertos, representada por parámetros S, entre una fuente coincidente y
una carga, como se muestra en la Figura 4.9, la potencia entregada a la carga PL es
inferior a la potencia máxima disponible PA. La relación de PL y PA se llama ganancia
de inserción y la inversa de la relación se llama pérdida de inserción. La ganancia de
inserción se define en la ecuación (4.40).
 Figura 4.9 Pérdidas de inserción y de retorno

Supongamos que los parámetros S de una red de dos puertos se miden en

base a las impedancias de referencia Zo y las impedancias de origen y de carga son
también Zo. Entonces, la ganancia de inserción se convierte en Ecuación (4.41).

Por lo tanto, |S21|2 es igual a la ganancia de inserción.

Por otro lado, para la entrega de potencia máxima a la carga, el voltaje
reflejado debe ser 0; es decir, b1 = 0, como se muestra en la Figura 4.9. Sin embargo,
cuando se inserta la red de dos puertos, la potencia máxima disponible de la fuente
generalmente no se entrega al puerto de entrada, y una parte de la potencia máxima
disponible se refleja debido al desajuste. Así, la potencia reflejada Pr dividida por la
potencia máxima disponible PA se define como la ganancia de retorno, cuya inversa
se denomina pérdida de retorno. Así, la ganancia de retorno se define en la Ecuación
(4.42).

Además, la ganancia de retorno utilizando los parámetros S se muestra en la

ecuación (4.43).
 Nótese que S11 representa el coeficiente de reflexión que aparece en la
Ecuación (4.19). La reflexión provoca una onda estacionaria y el VSWR puede
utilizarse como métrica para el fenómeno de reflexión en lugar de S11 o la pérdida
de retorno. Tal como se define en la línea de transmisión, el VSWR puede definirse

como
En resumen, la inserción de una red de dos puertos provoca la reflexión de
entrada y |S11|2 representa la pérdida de retorno. Del mismo modo, la inserción de
la red de dos puertos impide la entrega de potencia máxima y |S21|2 representa la
pérdida de inserción. Si se inserta una red de dos puertos pasiva sin pérdidas, no
habrá pérdidas en la red de dos puertos. Una parte de la potencia suministrada se
refleja y el resto se entrega a la carga desde la potencia suministrada. Como
resultado, la suma de las dos potencias debe ser igual a la potencia disponible debido
a la conservación de energía. Así, en la Ecuación (4.44), podemos ver que la siguiente
relación está satisfecha:

Ejemplo 4.6
Cuando una red de dos puertos pasiva, sin pérdidas, es terminada por Zo,
como se muestra en la Figura 4E.11, el VSWR = 2 se mide en el lado de entrada en la
frecuencia fo.

Figura 4E.11 Una red de dos puertos sin pérdidas terminada por una carga

¿Qué es el VSWR en el lado de salida cuando la entrada es terminada por Zo?

Además, ¿cuál es la pérdida por inserción? Los parámetros S de la red de dos puertos
se miden utilizando la impedancia de referencia Zo.
Solución
 De la relación entre el VSWR y el coeficiente de reflexión,

Puesto que es una red sin pérdidas, la Ecuación (4.44) debería ser satisfecha.
Por lo tanto, la ganancia de inserción es

Esto se expresa en decibelios como 0,5 dB. Además, cuando la fuente se

coloca en la salida, la siguiente relación se satisface en la salida:
|S22|2 + |S12|2 = |S11|2 + |S21|2 = 1
Debido a que la red de dos puertos es pasiva, la reciprocidad se mantiene,
S12 = S21, y obtenemos

Por lo tanto, la salida VSWR es 2, que es la misma que la entrada VSWR.

4.1.7 Coeficiente de reflexión de entrada

La figura 4.10 muestra una red de dos puertos terminada por una carga
general. La impedancia de carga es diferente de la impedancia de referencia del
parámetro S de dos puertos. En este caso, el coeficiente de reflexión de entrada es
diferente de S11 debido a la presencia de a2 como consecuencia del desajuste de
carga en la salida. El coeficiente de reflexión de entrada depende de la impedancia
de carga, como se muestra en el ejemplo 4.4. En esta sección, a modo de
generalización, presentaremos el coeficiente de reflexión de entrada cuando una red
de dos puertos es terminada por una carga arbitraria ΓL.

Figura 4.10 Coeficiente de reflexión de entrada para una carga no coincidente en la

conexión 2

De la condición de carga se obtiene a2 = ΓLb2 A partir de la relación a la salida

dada por los parámetros S, a2 se convierte en
 Sustituyendo la ecuación (4.45) en la ecuación del parámetro S de entrada, el
coeficiente de reflexión mirando en la entrada, Γin se obtiene de la siguiente manera

Cuando ΓL = 0 (el caso de una carga emparejada), vemos que Γin en la

Ecuación (4.46) se vuelve igual a S11. Para interpretar la Ecuación (4.46) de otra
manera, podemos escribir esa ecuación en una serie infinita como

La interpretación de la ecuación (4.47) se muestra en la figura 4.11, donde

S11 representa la reflexión directa en la entrada. El término ΓLS12S21 es el resultado
de la multiplicación de una transmisión hacia adelante a la carga S21, seguida de una
reflexión de la carga ΓL, y una transmisión hacia atrás a la entrada S12. Los términos
en () representan las múltiples reflexiones entre el puerto 2 y la carga ΓL, y se filtran
a la entrada a través de múltiples reflexiones que ocurren como consecuencia del
desajuste en la salida.

Figura 4.11 Análisis del coeficiente de reflexión de entrada debido a reflexiones múltiples

De manera similar, cuando se conecta una impedancia de fuente no

coincidente a la entrada, el coeficiente de reflexión visto desde la salida viene dado
por la Ecuación (4.48).
4.2 Parámetros de ruido
4.2.1 Expresión de ruido interno
Una red de dos puertos generalmente tiene fuentes de ruido internas. Como
resultado, tanto las fuentes de señal aplicadas externamente como las fuentes de
ruido internas aparecen juntas en la entrada y salida de una red de dos puertos.
Debido a las fuentes de ruido internas, la señal aplicada externamente a veces queda
enterrada bajo el nivel de potencia de ruido si es débil, lo que dificulta la detección
de la señal aplicada externamente. Para la expresión de los ruidos internos, debemos
entender las características físicas de esas fuentes de ruido y modelar la red de dos
puertos que incluye las fuentes de ruido internas. El método de modelado de las
fuentes de ruido internas consiste en representar las fuentes de ruido internas
mediante dos fuentes externas equivalentes aplicadas a la red de dos puertos. En
esta sección, primero explicamos cómo representar las fuentes de ruido internas
como fuentes externas equivalentes. Para ello, las fuentes no necesitan ser fuentes
de ruido porque las fuentes de ruido son también una especie de fuente de tensión
o de corriente. Consideraremos una red general de dos puertos que tenga fuentes
internas.
La Figura 4.12(a) muestra una red de dos puertos con fuentes internas.
Supongamos que las fuentes de tensión externas V1 y V2 se aplican a la entrada y
salida de la red de dos puertos con fuentes internas. Deje que las corrientes que
fluyen en los puertos de entrada y salida sean I1 y I2. Entonces, las corrientes I1 y I2
son la superposición de las corrientes debidas tanto a las fuentes internas como a
las fuentes de tensión externas V1 y V2. Así,

Figura 4.12 Tratamiento de las fuentes internas de ruido de una red de dos puertos: a) red
de dos puertos con fuentes internas y b) fuentes internas extraídas al exterior de la red

El primer término a la derecha de la ecuación (4.49) representa la corriente

debida a las fuentes de tensión externas V1 y V2, mientras que el segundo término,
in1, in2, representa las corrientes debidas a las fuentes internas. Aunque está escrito
en minúsculas, debe tenerse en cuenta que el segundo término representa los
fasores.
La Figura 4.12(b) muestra el circuito equivalente de la Figura 4.12(a). Usando
la ecuación (4.49), podemos determinar las corrientes debidas a las fuentes internas
solas, eliminando las fuentes de voltaje externas. Esto se puede hacer haciendo un
cortocircuito en los puertos y luego midiendo las corrientes que fluyen hacia esos
puertos. Si las corrientes de cortocircuito se colocan fuera de la red de dos puertos,
como se muestra en la Figura 4.12(b), todas las fuentes internas de la red de dos
puertos deben ser eliminadas, lo que también se muestra en la Figura 4.12(b),
porque las corrientes de cortocircuito reflejan las contribuciones de todas las
fuentes internas. Como resultado, todas las fuentes internas pueden ser
representadas por las fuentes de corriente externas fuera de la red de dos puertos.
Por lo tanto, el circuito en la Figura 4.12(b) puede ser considerado como una red
general de dos puertos con las fuentes internas. De esta manera, aunque las dos
redes de las figuras 4.12(a) y 4.12(b) son diferentes, proporcionan las mismas
tensiones y corrientes al circuito externo conectado a la red de dos puertos. Además,
cabe señalar que una fuente interna puede contribuir tanto a in1 como a in2. En otras
palabras, algunas porciones de in1 y in2 provienen de la misma fuente interna.
Del mismo modo, si las fuentes aplicadas externamente son fuentes de
corriente I1 y I2, se puede utilizar la representación de la matriz Z en lugar de la
representación de la matriz Y. Entonces, las fuentes internas pueden ser
representadas por las dos fuentes de voltaje externas equivalentes vn1 y vn2
conectadas en serie a los puertos. Usando el mismo método, hay varias maneras de
representar las fuentes internas por las fuentes externas equivalentes ubicadas
fuera de la red de dos puertos, todas las cuales dependen de las expresiones de la
red de dos puertos. De estas expresiones, la representación de la matriz ABCD
(representada en la Figura 4.13, con fuentes internas extraídas a la entrada de la
red) es útil en el cálculo del ruido.

Imagen 4.13 Extracción interna de la fuente utilizando parámetros ABCD

La relación entre las fuentes externas extraídas puede obtenerse de forma

similar a la conversión de parámetros de dos puertos. Básicamente, las fuentes
externas extraídas deben tener el mismo efecto en el resto del circuito conectado,
independientemente de sus representaciones. Dado este hecho, se puede obtener la
relación entre las fuentes extraídas externamente dadas por los parámetros Y y las
dadas por los parámetros ABCD. Por lo tanto, cuando la entrada y la salida están en
cortocircuito, ambas representaciones deben producir en1 y en2 en los puertos 1 y
2, respectivamente, y se expresan como Ecuaciones (4.50) y (4.51).
 Como se ha mostrado anteriormente, la relación entre las otras fuentes
externas equivalentes que se expresa utilizando diferentes parámetros de dos
puertos puede derivarse de manera similar.

4.2.2 Representación de las señales de ruido

4.2.2.1 Concepto básico

Ahora consideremos una situación en la que las fuentes externas de tensión
y corriente extraídas son fuentes de ruido. Cuando se mide la tensión de una fuente
de ruido en el dominio del tiempo, se observa una forma de onda aleatoria como la
que se muestra en la figura 4.14(a). Cuando se vuelva a medir esta tensión, se
mostrará una forma de onda diferente de la anterior. Una forma de onda de ruido
obtenida de un ensayo de medición se denomina función de muestra y una colección
o conjunto de todas las funciones de muestra se denomina conjunto.

Figura 4.14 (a) Señal de ruido con respecto al tiempo y (b) Función de distribución de
probabilidad en t1

Deje que el valor de una función de muestra para una fuente de ruido en el
momento t1 sea v(t1), como se muestra en la Figura 4.14(a). La medición repetida
de v(t1) en t1 para otras funciones de la muestra dará un valor diferente. La
repetición de tal proceso conducirá a una distribución de probabilidad descrita
como una función de densidad de probabilidad (PDF), f(v). La función f(v) puede
interpretarse como la probabilidad de que se observe la tensión v(t1). En la Figura
4.14(b) se muestra un ejemplo de este tipo de PDF. Ahora, en el momento de la
medición t1, la tensión media y la potencia media pueden expresarse en ecuaciones
(4.52) y (4.53) utilizando una función de densidad de probabilidad como la
siguiente:

Tenga en cuenta que la tensión media y la potencia media se miden en la

condición de circuito abierto. La potencia media dada por la Ecuación (4.43) no
representa ni la potencia entregada a la carga ni la potencia disponible. Dado que la
tensión cuadrada es proporcional a la potencia, se denomina potencia media.
Cabe señalar que la tensión media y la potencia media se basan en la media
estadística de los valores de las funciones de la muestra en t1, denominada media
del conjunto. En general, las fuentes de ruido tienen un PDF de la función de
distribución gaussiana con una media 0 y una desviación estándar vs, y pueden
describirse como se muestra en la Ecuación (4.54).

En la mayoría de los casos, de los ruidos que tratamos, el PDF será el mismo
incluso si se cambia el tiempo de medición de t1 a t2. Además, las fuentes de ruido,
independientemente del tiempo de medición, tienen la misma desviación media y
estándar. Si el PDF se mide en dos momentos diferentes, t1 y t2 son iguales, y la
correlación entre los dos voltajes medidos depende sólo de t2 - t1, estos ruidos se
denominan proceso estacionario. Si consideramos las fuentes de ruido que
encontramos habitualmente, nos damos cuenta de que se trata en su mayoría de
procesos estacionarios.
La figura 4.15 muestra varios tipos de formas de onda de ruido. La figura
4.15(a) es un ruido de proceso estacionario cuya tensión media y potencia media no
varían en ningún momento en el tiempo, mientras que la figura 4.15(b) representa
una forma de onda de ruido en la que la tensión media varía con respecto al tiempo.
La figura 4.15(c) muestra una señal de ruido cuya tensión media no varía con el
tiempo, pero la potencia media varía con el tiempo. Por lo tanto, las letras b) y c) son
procesos no estacionarios porque su tensión media y su potencia media varían con
el tiempo.
 Figura 4.15 Señal de ruido con el tiempo: a) procesos estacionarios y no estacionarios, b)
cambios medios de tensión, y c) cambios medios de potencia con el tiempo

Entre los procesos estacionarios, el concepto de proceso ergódico es útil para

medir la tensión media y la potencia media de una señal de ruido. Para explicar el
proceso ergódico, supongamos que se observa un cierto valor de la tensión v en t2.
Si la ocurrencia de v en t2 no está influenciada por la tensión que ocurre en t1, la
probabilidad de observar una tensión de v en un momento arbitrario t será igual a
la probabilidad de observar la tensión v en t1. En este caso, el PDF de las pruebas
repetidas a lo largo del tiempo será el mismo que el PDF del conjunto y se mantiene
la siguiente relación en la Ecuación (4.55):

Aquí, T es el intervalo de tiempo total de medición y (Δt)v es el intervalo de

tiempo en el que se observa el valor de tensión v. Este tipo de proceso se denomina
proceso ergódico.
En el caso de un proceso ergódico, los promedios de tiempo para una función
de muestreo pueden sustituir a los promedios estadísticos. La tensión media
estadística y la potencia media dadas en las ecuaciones (4.52) y (4.53) pueden por
lo tanto obtenerse calculando sus promedios de tiempo como se muestra en las
ecuaciones (4.56) y (4.57).

Aquí, <•> representa el promedio de tiempo. Generalmente, el proceso

ergódico se convierte en un proceso estacionario. Sin embargo, en muchos procesos
estacionarios, en muy poco tiempo la aparición del valor de tensión en t1 influye en
la aparición del valor de tensión en t2 y la mayoría de las señales de ruido no son
procesos ergódicos. En otras palabras, hay cierta correlación entre ellos. Sin
embargo, si las tensiones v(t1) y v(t1 + τ) se producen con una diferencia de tiempo
suficientemente grande τ = t2 - t1, no hay correlación entre ellas. Por lo tanto, los dos
voltajes ampliamente separados en el tiempo pueden ser vistos como
independientes, y esto ocurre frecuentemente en la medición. Considere dos
conjuntos de funciones de muestra: Una es una función de muestra de ruido que se
mide en un período largo T. La otra función de muestra se mide en el mismo período
de T, pero el tiempo de inicio del período está suficientemente separado del período
de medición anterior. De manera similar, se pueden construir múltiples conjuntos
de las formas de onda durante el período T. Estos conjuntos para el período T
pueden considerarse como independientes o como un proceso ergódico porque no
tienen correlación. En consecuencia, estos conjuntos son equivalentes a la colección
de funciones de muestra obtenidas de ensayos independientes y estos conjuntos
pueden utilizarse en lugar de un conjunto. Como resultado, los promedios
estadísticos necesarios para la tensión media y la potencia media pueden obtenerse
utilizando estos conjuntos. El promedio estadístico se calcula utilizando una función
de muestreo. Este es el caso de la mayoría de las señales de ruido y se utiliza para
medir los promedios del conjunto, como la tensión media y la potencia media.
4.2.2.2 Análisis Espectral de Señales de Ruido
En el análisis de circuitos, el análisis de espectro es preferible al análisis de
dominio temporal. Cuando la forma de onda de ruido del dominio temporal se
trunca entre[-T/2, T/2], como se muestra en la Figura 4.16(a), la forma de onda
truncada se puede expresar como se muestra en la Ecuación (4.58).
 Figura 4.16 (a) Señal de ruido truncada y (b) su serie de Fourier

El espectro para eT(t) puede obtenerse utilizando cualquiera de los dos

enfoques. Una es tomar la transformación de Fourier de eT(t) y la otra es hacer que
T se acerque al infinito; es decir, T→∞. La otra es de la serie de Fourier de eT(t), en
la que la forma de onda periódica se define usando eT(t) como se muestra en
Ecuaciones (4.59a) y (4.59b).

Esto puede expandirse en la serie de Fourier y el espectro de eT(t) puede

obtenerse haciendo que T se acerque al infinito.
Matemáticamente, la transformada de Fourier se considera un enfoque
riguroso; sin embargo, el segundo enfoque está mucho más cerca de la medición
real. Por lo tanto, el método de Fourier-series ha sido adoptado por el comité IRE.2
Ahora, la serie de Fourier de eT(t) puede ser dada por la Ecuación (4.60)
2. IRE Subcommittee on Noise, “IRE Standards on Methods of Measuring Noise in Linear Two
Ports, 1959,” Proceedings of the IRE 48, no. 1 (January 1960): 60–68.

donde las ecuaciones (4.61a)-(4.61c) son

La figura 4.16 muestra la ET (ω) de la serie de Fourier.

Así, 2ET(ω) puede ser interpretado como el fasor de la frecuencia mΔf. Puesto
que el período de eT(t) es T, tenga en cuenta que la resolución de frecuencia viene
dada por Δf en la Ecuación (4.61b). Por lo tanto, la frecuencia de resolución Δf está
determinada por el tiempo de medición T. Para que Δf sea pequeño, es necesario un
tiempo de medición largo.
Dado que el ruido se ha expandido en la serie de Fourier, tal como lo indica
la ecuación (4.60), tenga en cuenta que ET(ω) se convierte en una variable aleatoria.
Una forma de onda de muestra de eT(t) para un período T determinará una muestra
ET(ω). Otro eT(t) medido para otro período T producirá un valor diferente de ET(ω).
Por lo tanto, cada medición para T, ET(ω) obtenida de la serie de Fourier de eT(t)
produce valores diferentes. Por lo tanto, ET(ω) es el fasor aleatorio de un ruido en
una frecuencia ω = 2π(mΔf) y su voltaje medio y potencia media deben ser
determinados por el promedio estadístico de la serie Fourier de eT(t). Además, como
se ha explicado anteriormente, cada eT(t) muestreado después de que haya
transcurrido un tiempo suficientemente separado no tiene correlación. Todas las
formas de onda de eT(t) medidas a lo largo del período T pueden considerarse un
proceso ergódico y pueden considerarse como los conjuntos de las funciones de
muestra de eT(t) de ensayos independientes. Por lo tanto, ET(ω) puede determinarse
por el promedio de tiempo de la serie de Fourier de eT(t) para cada tiempo
ampliamente separado.
En la práctica, el hardware de medición basado en la serie Fourier es difícil
de implementar. Una forma práctica de medir ET(ω) es pasar una señal de ruido a
través del filtro pasabanda de ancho de banda Δf centrado en ω = 2πf, como se
muestra en la Figura 4.17. Nótese que la salida del filtro difiere de la ET(ω)
previamente definida por un factor de 2 porque la serie de Fourier en la ecuación
(4.60) es de dos lados, mientras que la medición del espectro en la figura 4.17 es de
un lado. Además, la salida del filtro es continua y se denomina E'(ω). El E'T(ω) es la
salida del filtro E'(ω) muestreada en el intervalo de tiempo T. El valor del E'T(ω)
puede determinarse a partir de la amplitud y fase de la salida del filtro muestreado.
Los promedios de tiempo de E'T(ω) pueden obtenerse a partir de las sucesivas
muestras definidas sobre T, que están suficientemente separadas y corresponden a
los valores medios estadísticos de E'T(ω). La dependencia de E'T (ω) en ω se puede
encontrar barriendo la frecuencia central del filtro. Sin embargo, la fase de E'T (ω)
es a menudo difícil de medir porque la salida del filtro suele estar conectada a un
detector de potencia que mide una amplitud de E'T (ω). Generalmente, el valor
medio de |E'T(ω)| puede ser medido. Ahora, debido a que el espectro se define como
la potencia por unidad de ancho de banda, la densidad espectral de potencia
unilateral We (ω) puede expresarse como Ecuación (4.62).

Figura 4.17 Medición del espectro de ruido

En conclusión, la señal de ruido puede ser descompuesta espectralmente y

podemos analizar un circuito con fuentes de ruido utilizando fáseres de ruido en un
dominio de frecuencia. La potencia espectral media de ruido puede medirse
utilizando un filtro paso de banda y su densidad espectral de potencia viene dada
por la ecuación (4.62). Esta medición se ilustra en la figura 4.17.
 4.2.2.3 Ruido térmico
El ruido térmico surge como resultado del movimiento aleatorio de
electrones en un dispositivo resistivo. Un ejemplo de una forma de onda de ruido
térmico sería la forma de onda mostrada en la Figura 4.15(a). El ruido térmico fue
descubierto por primera vez por Johnson a partir de experimentos que realizó en
1926 y luego fue explicado teóricamente por Nyquist en 1928.
El ruido térmico es un proceso estacionario y se sabe que tiene una tensión
media cero y una distribución Gauss. Además, para una diferencia de tiempo τ no
igual a 0, los voltajes v(t) y v(t + τ) del ruido térmico no están en absoluto
correlacionados y se pueden clasificar en un proceso ergórdico. Además, se sabe que
su densidad espectral de potencia media es constante independientemente de la
frecuencia. La potencia media de una resistencia de circuito abierto R se expresa en
la ecuación (4.63).

donde B es el ancho de banda del instrumento que mide el voltaje de ruido

térmico y To representa la temperatura de la resistencia en Kelvin. A medida que B
se acerca a ∞, la potencia de ruido térmico medida también se acerca a ∞.
Ahora consideremos la media de la potencia de ruido térmico. Después de
que el ruido térmico pasa a través del filtro pasabanda de ancho de banda Δf, la
potencia media de la salida filtrada es igual a

Tenga en cuenta que E' (ω) es el valor eficaz y que en la ecuación (4.64) sólo
se tiene en cuenta la potencia de frecuencia positiva. Por el contrario, utilizando la
potencia media del ruido espectral, en la ecuación (4.65) se puede definir la
resistencia equivalente al ruido térmico Rn.

Ahora, teniendo en cuenta la densidad espectral de frecuencia negativa, la

densidad espectral media puede expresarse como se muestra en la ecuación (4.66).

Dado que el ruido térmico tiene una densidad de potencia constante

independientemente de la frecuencia, se denomina ruido blanco. Además, la
potencia media disponible dentro de un ancho de banda B para una carga
coincidente se expresa en la ecuación (4.67).
 Ejemplo 4.7
La figura 4E.12 muestra un circuito en el que se conectan dos resistencias
ruidosas en paralelo. Las fuentes de tensión v1 y v2 representan las tensiones de
ruido que aparecen en las resistencias R1 y R2, respectivamente. Como resultado, las
dos resistencias en la Figura 4E.12 son resistencias silenciosas. El equipo del ancho
de banda B se conecta a la salida para medir la potencia de ruido media. ¿Cuál es la
potencia media de vo dentro de un ancho de banda B?

Figura 4E.12 Circuito de resistencia en paralelo

Solución
Como hay dos fuentes, podemos calcular la tensión de salida utilizando la
superposición. El voltaje de salida debido a cada fuente es

La tensión de salida pasa a ser vo = vo1 + vo2. Ya que las dos fuentes son
independientes,

Sustituyendo E(v12) = 4kToR1B y E(v22) = 4kToR2B,

se obtiene. Tenga en cuenta que el resultado puede obtenerse mediante

inspección. Dado que la resistencia que se busca en las dos resistencias es R1||R2,
vemos que la potencia anterior se convierte en la potencia media de ruido térmico
de R1|R2.
Ejemplo 4.8
Un atenuador es un dispositivo que reduce la potencia de entrada y la entrega
a la carga. El atenuador también proporciona la impedancia Zin = 50 Ω cuando la
entrada o salida del atenuador termina con una resistencia Ro = 50 Ω, como se
muestra en la Figura 4E.13. En esa figura, el voltaje de ruido de Ro se extrae como
fuente de voltaje de ruido v1. ¿Cuál es la máxima potencia de ruido disponible en la
salida?

Figura 4E.13 Atenuador conectado a la terminación Ro

Solución
Dado que la resistencia que mira a los terminales sigue siendo de 50 ohmios,
la potencia disponible se alcanza cuando se conecta una carga de 50-Ω. En el ejemplo
4.7, se puede observar que el atenuador genera el mismo ruido térmico que una
resistencia 50-Ω. Así, la potencia disponible dentro de un ancho de banda B se
convierte en
Po = kToB
Esto es igual a la potencia de ruido disponible de una resistencia de 50-Ω.
Como resultado, la potencia de ruido disponible kToB aplicada al atenuador de la
resistencia de terminación 50-Ω se reduce, pero debido a que el propio atenuador
está hecho de resistencias, el ruido interno contribuye a la potencia de salida
disponible. La potencia de ruido interna es exactamente igual a la cantidad de
potencia de ruido de entrada reducida por el atenuador, y la potencia disponible
resultante es la misma que la potencia de ruido disponible de entrada.

4.2.3 Figura de ruido

El factor de ruido es una cifra de mérito que representa el rendimiento de
ruido de una red de dos puertos. Como se mencionó anteriormente, una red de dos
puertos suele tener ruidos internos. Cuando se conecta una carga a la red de dos
puertos, tanto la fuente externa como las fuentes de ruido internas contribuyen a la
potencia entregada a la carga. Una definición de factor de ruido sería la relación
entre la potencia real suministrada a una carga y la potencia suministrada a la carga
procedente de una fuente externa únicamente. Como fuente externa se utiliza una
fuente de ruido térmico a temperatura ambiente, To = 290 °K. Tenga en cuenta que
si se aplica una fuente de ruido externo de alta temperatura, la relación se aproxima
a 1. Dado que la temperatura de la red de dos puertos es fija, las fuentes de ruido
internas proporcionan sólo una pequeña cantidad de la potencia real suministrada
a la carga en comparación con la fuente de ruido externa de alta temperatura, y la
relación es cercana a 1. Por lo tanto, una definición del factor de ruido sin especificar
la temperatura de la fuente de ruido externa depende de la temperatura. Como
resultado, el factor de ruido se define en la ecuación (4.68).

El factor de ruido definido depende obviamente de la frecuencia, ya que las

fuentes internas de ruido generalmente entregan una potencia de ruido
dependiente de la frecuencia a la carga. Para medir la respuesta de frecuencia del
factor de ruido, se inserta un filtro de banda estrecha que puede barrer la frecuencia
central, como se muestra en la Figura 4.18. De este modo, se puede obtener la
respuesta en frecuencia del factor de ruido. Cabe señalar que kToΔf en la Figura 4.18
representa la potencia disponible y no la magnitud de la fuente actual del ruido. Esta
expresión se utiliza a menudo porque mejora la comprensión intuitiva.

Figura 4.18 Medición del factor de ruido

La figura de ruido es el factor de ruido expresado en decibelios y se define

como se muestra en la ecuación (4.69).

Basado en la definición de la Ecuación (4.68), se pueden derivar expresiones

alternativas que son útiles en el cálculo de un factor de ruido. Debido a que la
ecuación (4.68) es la relación de potencias entregadas a la misma carga, se puede
derivar otra expresión representando el circuito con un circuito equivalente de
Norton. Cuando el circuito visto desde la carga se transforma en el circuito
equivalente de Norton, la impedancia de Norton no se ve afectada por las fuentes de
ruido internas ni por la fuente externa. La impedancia Norton representa sólo la
función de la impedancia de la fuente. El cambio debido a las fuentes internas sólo
aparece en la fuente de corriente Norton. Las fuentes de ruido externas e internas
contribuyen al valor de la fuente de corriente de Norton, pero no tienen ningún
efecto sobre la impedancia de Norton. Por lo tanto, la figura de ruido es
independiente de la impedancia de carga; depende sólo de la impedancia que mire
a la salida de una red de dos puertos, que a su vez es una función de la impedancia
de la fuente externa sola. Dado que es independiente de la impedancia de carga,
seleccionamos una carga que se ajusta a la impedancia Norton equivalente.
Entonces, el factor de ruido puede expresarse como Ecuación (4.70).

La ganancia de potencia disponible G se define como se muestra en la

Ecuación (4.71).

Puesto que la potencia disponible que puede obtenerse del ruido térmico es
kToΔf, el denominador de la ecuación (4.70) se convierte en (kToΔf)G. Por lo tanto,
el factor de ruido también se expresa como

Aquí, Pno es la potencia disponible en la salida. El kToΔf en la ecuación (4.72)

es la potencia de ruido térmico disponible en la entrada. Dado que Pno/G es la
potencia de ruido equivalente disponible en la entrada, el factor de ruido también
puede expresarse como Ecuación (4.73).

Por lo tanto, la potencia de ruido equivalente disponible en la entrada pasa a

ser FkToΔf Además, como la potencia disponible de la fuente de ruido térmico es
kToΔf, la potencia de ruido de entrada disponible debido al DUT puede expresarse
como (F - 1)kToΔf porque las dos fuentes son independientes o no están
correlacionadas. Esto se ilustra en la Figura 4.19, donde se muestran las dos fuentes
de corriente. Una es la fuente de corriente de la fuente de ruido térmico y la otra
proviene de los ruidos internos de la red de dos puertos. Este tipo de representación
es útil para el cálculo de la cifra de ruido de las redes de dos puertos en cascada.
 Figura 4.19 Representación del ruido en el DUT utilizando el ruido equivalente de entrada

Ahora consideraremos lo que sucede cuando se aplican dos señales, señal y

ruido, a la entrada de la red de dos puertos. Las dos señales en la entrada se
muestran en la Figura 4.20. La potencia disponible de la señal de entrada es Si y la
densidad del espectro de ruido disponible es Ni (= kTo). De manera similar, la
potencia de señal disponible en la salida es So y la densidad del espectro de ruido de
salida es No. De la definición de ganancia disponible en la ecuación (4.71), G = So/Si.
Entonces, el factor de ruido en la ecuación (4.72) puede ser visto como la relación
de la señal a la relación de ruido de la salida a la de la entrada como en la ecuación
(4.74).

Figura 4.20 Espectros de entrada y salida de una red de dos puertos

4.2.4 Expresión de los parámetros de ruido

La figura de ruido representa la contribución de ruido de una red de dos
puertos a una carga en comparación con una fuente de ruido externa en To. Sin
embargo, la figura de ruido cambia cuando la impedancia de la fuente cambia porque
el circuito equivalente de Norton a la carga depende de la impedancia de la fuente.
Necesitamos los parámetros de ruido para poder encontrar la dependencia de la
figura de ruido de la impedancia de la fuente. Para lograr esto, las fuentes de ruido
internas de la red de dos puertos se extraen al exterior de esa red, como se muestra
en la Figura 4.21(a), un procedimiento que se explicó previamente en la Figura 4.13.
De la Figura 4.21(a), dos fuentes de ruido, e e e i, aparecen junto con la fuente de
ruido externa iS. Las dos fuentes de ruido y la fuente de ruido externa pueden
combinarse en una sola fuente de corriente Norton, como se muestra en la Figura
4.21(b). Usando el circuito resultante en la Figura 4.21(b), se puede calcular la
potencia de ruido a la salida. Vale la pena notar que las direcciones de la tensión y la
corriente en la Figura 4.13 son cambiadas. Sin embargo, el resultado es el mismo.
 Figura 4.21 (a) Circuitos equivalentes en la entrada, incluidas las fuentes de ruido de la red
de dos puertos y (b) su circuito equivalente Norton.

Las fuentes de ruido e e i son fasores de ruido aleatorios y estas fuentes no

son completamente independientes. Algunas fuentes de ruido internas en la red de
dos puertos aparecen comúnmente tanto en e como en i, mientras que otras
aparecen sólo en e o i. Por lo tanto, estas dos fuentes de ruido tienen algunas
correlaciones. Para expresar las dos fuentes de ruido, necesitamos cuatro
parámetros en total. Se requieren dos parámetros para las potencias medias de e e i
y dos para la correlación entre e e i.
Cuando las tres fuentes de ruido de la entrada mostrada en la Figura 4.21 se
transforman en el circuito equivalente de Norton en la Figura 4.21(b), la admitancia
de Norton es igual a la admitancia de la fuente externa dada por Ys = Gs + jBs. La
fuente de corriente de Norton iT se convierte en Ecuación (4.75).

Supongamos que iu denota una parte de la corriente de ruido i, que no tiene

correlación alguna con el voltaje de ruido e. Entonces, la parte restante de la
corriente i se convierte en i - iu. Por lo tanto, la corriente i - iu está totalmente
correlacionada con e como resultado. La fuente de corriente de Norton puede
reescribirse como Ecuación (4.76).

Que la admitancia de la correlación entre i - iu y e sea Yγ = Gγ + jBγ; entonces

la ecuación anterior se convierte en Ecuación (4.77).

Puesto que las tres fuentes de ruido son independientes, su potencia media
se vuelve igual a la Ecuación (4.78).

La potencia de la fuente de ruido térmico en el ancho de banda Δf se expresa

en la ecuación (4.79).
 Si utilizamos el concepto de la resistencia equivalente al ruido térmico dado
en la Ecuación (4.67) para las dos fuentes de ruido restantes, éstas pueden
expresarse como Ecuaciones (4.80) y (4.81).

A partir de la definición del factor de ruido, F puede expresarse como

El factor de ruido en la ecuación (4.82) depende de la parte real de la

admitancia de la fuente Gs. A medida que Gs se acerca a cero, el factor de ruido se
hace más grande y se acerca al infinito. Además, a medida que Gs se acerca al infinito,
el factor de ruido también se acerca al infinito. El factor de ruido muestra un mínimo
para Ys apropiadas. Así, la admitancia que da este valor mínimo de F se define como
Yopt = Gopt + jBopt. La ecuación (4.82) puede ser reescrita usando la definición del
factor de ruido mínimo, Fmin. Luego puede expresarse como se muestra en
Ecuaciones (4.83a)-(4.83d).

Por lo tanto, los parámetros de ruido de dos puertos pueden definirse en

términos de Fmin, Rn e Yopt en lugar de sus potencias medias, y la correlación de las
dos fuentes e e e i, que se convierte en otra definición de los parámetros de ruido de
dos puertos.
Además, usando el coeficiente de reflexión, la ecuación anterior puede ser
reescrita como Ecuaciones (4.84a)-(4.84c).
 Aquí, rn es Rn/Zo. Generalmente, debido a que Fmin, rn y Γopt definidos en las
ecuaciones anteriores pueden ser medidos directamente con un medidor de figura
de ruido, son los parámetros de ruido de dos puertos más utilizados.

Ejemplo 4.9
Utilizando ADS, determine los parámetros de ruido Fmin, Rn y Γopt para el
circuito mostrado en la Figura 4E.14, para frecuencias de 1 GHz a 10 GHz.

Figura 4E.14 Un circuito de dos puertos con resistencias ruidosas

Solución
La figura 4E.15 muestra el circuito de simulación configurado para calcular
los parámetros de ruido. Como se mencionó anteriormente, el factor de ruido se
define a la temperatura de 290 °K. Sin embargo, la temperatura por defecto de ADS
es de 25 °C. Por lo tanto, el factor de ruido calculado por ADS es ligeramente
diferente del factor de ruido exacto. Por lo tanto, el controlador opcional mostrado
en la Figura 4E.15 se inserta para ajustar la temperatura a 16,85 °C. ADS no tiene un
controlador de simulación de ruido separado y la simulación de ruido se lleva a cabo
mediante la simulación de parámetros S. Sin embargo, el controlador de simulación
del parámetro S debe estar configurado para la simulación de ruido para obtener los
resultados de la simulación de ruido de la simulación del parámetro S. La figura
4E.16 muestra la ventana emergente del controlador de simulación de parámetros
S. La casilla junto a Calcular ruido debe estar marcada para la simulación de ruido.
En los campos de puerto, la entrada se asigna a 1 y la salida a 2. Esta asignación de
puertos refleja la numeración de los puertos en el diagrama esquemático que se
muestra en la figura 4E.15. Así, el puerto tiene Num=1 es el puerto de entrada y
Num=2 como puerto de salida. Después de la simulación, la figura de ruido y los
parámetros de ruido como Fmin, Rn y Γopt se almacenan en un conjunto de datos
como nf, NFmin, Rn y Sopt, respectivamente.
 Figura 4E.15 Esquema de simulación. La temperatura en la simulación ADS está ajustada
por defecto a 25 °C. Sin embargo, el factor de ruido se define en 290 °K. Por lo tanto, el controlador
opcional se incluye para establecer la temperatura de simulación en 290 °K, que es de 16,85 °C.

Figura 4E.16 Ventana emergente del controlador de simulación de parámetros S. Cuando la

casilla de verificación Calcular ruido no está activada, no se realiza la simulación de ruido. Los
puertos de entrada y salida de ruido son los números de puerto para las fuentes de ruido y
normalmente se ajustan para que sean iguales a los números de puerto del parámetro S. Usando
Mode, podemos encontrar las contribuciones de varias fuentes de ruido en una red de dos puertos a
partir del conjunto de datos después de la simulación.
Los resultados de la simulación se muestran en las figuras 4E.17 y 4E.18. En la figura 4E.17, la figura
de ruido aparece como nf(2). El nf(2) representa la figura de ruido en el puerto de salida (es decir, el puerto 2)
cuando una fuente de ruido está conectada a la entrada (es decir, el puerto 1). Por otro lado, nf(1) representa el
factor de ruido en el puerto de entrada (puerto 1) cuando una fuente de ruido está conectada a la salida, pero
nf(1) no se utiliza con frecuencia. En la figura 4E.17 se puede ver que el factor de ruido es 11,76 dB y Fmin es
11,439 dB. La figura 4E.18 muestra el coeficiente de reflexión que da el ruido mínimo, es decir, Γopt (Sopt). Se
puede ver que Sopt es independiente de la frecuencia y tiene un valor constante de 28,86 Ω
 Figura 4E.17 Resultados de la simulación de la figura de ruido y NFmin en forma de valores
de decibelios

Ilustración 4E.18 Diagrama de Sopt

Ejemplo 4.10
Los resultados de la simulación de ruido icor(1,1), icor(1,2) e icor(2,2) después
de la simulación de ruido del parámetro S representan las correlaciones de ruido
E(|in1|2), E(|in2|2|2) y E(in1* in2) en la Figura 4.12, que se encuentran en un conjunto
de datos ADS que aparece como resultado de la simulación realizada en el Ejemplo
4.9. Determínelos por cálculo y verifíquelos también utilizando ADS.
Solución
Los parámetros Y de la figura 4E.14 son los siguientes
 Los in1 y los in2 corresponden a las corrientes de ruido de cortocircuito que
aparecen en las conexiones 1 y 2 y se deben a las tres resistencias ruidosas. La
corriente de ruido de cortocircuito en la conexión 1 se debe a las resistencias R1 y
R2, y la de la conexión 2 se debe a las resistencias R2 y R3. La corriente de ruido en
paralelo con una resistencia 50-Ω por cada 1 Hz de ancho de banda es la siguiente
E(|in|2) = 4kTYo
Así, E(|in1|2) y E(|in2|2) que corresponden a icor(1,1) e icor(2,2) en el conjunto
de datos ADS se calculan de la siguiente manera
E(|in1|2) = 2E(|in|2) = 8kTYo = icor(1,1) = icor(2,2)
La corriente de ruido común debida a R2 aparece en los puertos 1 y 2. Al
aparecer esta corriente en sentido contrario, se obtiene

Las siguientes ecuaciones se introducen en la ventana de visualización para

calcular E(|in1|2), E(|in2|2) y E(in1*in2).

T=290

i1=4*boltzmann*T/50

i_port1_sq=2*i1

icor12=i1
Expresión de medición 4E.2 Ecuaciones
El boltzmann en Measurement Expression 4E.2 es una constante incorporada
que representa la constante de Boltzmann, mientras que i1 representa E(|in|2) de
una resistencia de 50-Ω. Además, i_port1_sq e icor12 representan los valores
calculados para icor(1,1) e icor(1,2), respectivamente. La Figura 4E.19 muestra la
comparación y podemos ver que los resultados calculados y simulados muestran
una coincidencia exacta.
 Figura 4E.19 Comparación de los resultados del cálculo. Las salidas simuladas icor(i,j)
después de la simulación de ruido representan las corrientes de ruido de cortocircuito que
aparecen en los puertos 1 y 2 y que se verifican comparándolas con los valores calculados
directamente.

Ejemplo 4.11
Calcular los parámetros de ruido del circuito en la Figura 4E.14 y comparar
los resultados con los resultados de ADS previamente simulados en el Ejemplo 4.9.
Solución
Las corrientes de ruido de cortocircuito en las conexiones 1 y 2 pueden
representarse mediante e e i como:
in1 = i + y11e
in2 = y12e
Usando las ecuaciones anteriores, e e i son

Sus promedios de conjunto son

 Además, la correlación entre i y e es

Teniendo en cuenta la correlación de i y e, los resultados del Ejemplo 4.10

pueden reescribirse como

Cuando se aplica una fuente de ruido térmico a la entrada, la corriente total

de ruido de la entrada se convierte en
iT = is + i – Gse
Por lo tanto, el promedio del ruido total de la corriente en la entrada es de

Por lo tanto, el factor de ruido es

Since Gs = Yo, the noise figure is

nf(2) = F = 7 + 6 + 2 = 15 = 11.76 dB
El valor mínimo de F se produce cuando
 Por lo tanto,

El factor de ruido mínimo es entonces

Al comparar estos resultados, podemos ver que el Fmin calculado y Γopt

concuerdan exactamente con los resultados previamente simulados en ADS.
Alternativamente, usando la definición del factor de ruido en la Ecuación (4.68),
podemos calcular directamente el factor de ruido, pero eso no se presenta aquí.

4.2.5 La fórmula de Frii

La figura 4.22 muestra un amplificador en cascada de n etapas. La ganancia
de potencia disponible y el factor de ruido de cada etapa se indican como GAi y Fi,
respectivamente. Entonces, la potencia de ruido de entrada equivalente disponible
en cada etapa será (Fi - 1)kToΔf, como se muestra en la Figura 4.22. También hay
que tener en cuenta que se supone que cada amplificador está adaptado.

Figura 4.22 Un amplificador en cascada de n etapas

Por lo tanto, la potencia de ruido de salida NT es

Supongamos que el factor de ruido global del amplificador en cascada es Ftot.

Entonces, la potencia de ruido de entrada equivalente disponible del amplificador
en cascada es FtotkToΔf La potencia de ruido de entrada equivalente FtotkToΔf será
amplificada por el amplificador en cascada y entregada a la carga. Así, la NT puede
expresarse como

Comparando la ecuación (4.85) con la ecuación (4.86), el factor de ruido

global Ftot puede expresarse como ecuación (4.87).
 Además, podemos ver que la ganancia general de potencia Gt es

La ecuación (4.87) se conoce como la fórmula de Frii, que puede utilizarse

para obtener la cifra global de ruido de las etapas en cascada cuando se conoce el
factor de ruido y la ganancia de potencia disponible de cada etapa. También, de la
fórmula de Frii, cuando la ganancia G1 de la primera etapa es lo suficientemente
grande, se puede encontrar que la figura de ruido global está determinada
principalmente por la figura de ruido del amplificador de la primera etapa.

Ejemplo 4.12
En el diagrama de bloques del amplificador de tres etapas en cascada
mostrado en la Figura 4E.20, calcule la figura de ruido total y la ganancia.

Figura 4E.20 Diagrama de bloques de un amplificador de tres etapas en cascada

Solución
Dado que las ecuaciones (4.87) y (4.88) no se expresan en la escala de
decibelios, los valores de decibelios en la segunda y tercera columnas de la Tabla
4E.1 se convierten primero en números de escala lineal en las columnas 4 y 5,
respectivamente. Los valores se calculan utilizando G y F son las cifras de ganancia
y ruido convertidas a partir de sus valores de decibelios. NFt (dB) es la figura de
ruido calculada a la entrada de la etapa correspondiente.

Tabla 4E.1 Cifras de figuras ruido calculadas

La conversión de la escala de decibelios a la escala lineal debe realizarse antes
de aplicar la fórmula de Frii. En lugar de la aplicación directa de la ecuación (4.87),
la cifra de ruido global puede calcularse repitiendo el cálculo de la cifra de ruido de
dos etapas. Denota el factor de ruido de la segunda etapa como F2 y el factor de
ganancia y ruido de la primera etapa como G1 y F1, respectivamente, el factor de
ruido global Ft de las dos etapas pasa a ser

Aplicando la fórmula de forma iterativa y pasando de la última a la primera

etapa de las etapas en cascada, se puede calcular el factor de ruido. La figura de ruido
del amplificador de tercera etapa se convierte en su propia figura de ruido, como se
muestra en la cuarta fila y en la columna Ft. Luego, la figura de ruido en la entrada
del amplificador de la segunda etapa puede calcularse usando la fórmula anterior, y
el resultado se muestra en la tercera fila. El factor de ruido total visto desde el
amplificador de primera etapa puede calcularse de forma similar. Los valores de la
columna Ft se convierten a decibelios utilizando
NFt[dB] = 10logFt
Los resultados de la Tabla 4E.1 se calculan utilizando el programa de hoja de
cálculo Excel de Microsoft. Se puede ver que el factor de ruido global es de 0,51 dB.
Teniendo en cuenta que la cifra de ruido para la primera etapa es de 0,45 dB, la cifra
global de ruido parece haber aumentado ligeramente. Sin embargo, cuando la
ganancia de la primera etapa es lo suficientemente alta, la figura de ruido global se
acerca a la figura de ruido de la primera etapa.

Ejemplo 4.13
Para el diagrama de bloques del receptor en cascada que se muestra en la
figura 4E.21, calcule el valor global de ruido y la ganancia.

Figura 4E.21 Diagrama de bloques de un receptor en cascada

Solución
El factor de ruido global y la ganancia pueden resolverse de la misma manera
que en el ejemplo 4.12 y sus valores se muestran en la Tabla 4E.2. Cabe señalar que
si primero aparece un atenuador con una atenuación de L y su salida está conectada
a la siguiente etapa de un factor de ruido de F2, entonces el factor de ruido global se
convierte en aproximadamente
 Tabla 4E.2 Resultado de las cifras de ruido calculadas
La designación es la misma que la del cuadro 4E.1.
Así, la figura de ruido se convierte en

Ft[dB] = L[dB] + F2[dB]

Es decir, la cifra global de ruido se obtiene sumando las pérdidas del atenuador a la cifra de
ruido de la siguiente etapa en decibelios. Mirando la Tabla 4E.2, se puede ver que los resultados
reflejan este hecho. Por lo tanto, cuando se construye un amplificador de bajo ruido, la pérdida en la
red de adaptación de entrada se asocia directamente con el factor de ruido. Por lo tanto, la reducción
de la pérdida de la red de adaptación de entrada es crucial en el diseño del amplificador de bajo ruido.

4.2.6 Medición de la Figura de Ruido y Parámetros de Ruido

4.2.6.1 Medición de la figura de ruido
El factor de ruido de una red de dos puertos puede medirse utilizando la configuración
mostrada en la Figura 4.18. Generalmente, la figura de ruido depende de la frecuencia y la medición
de una figura de ruido puntual para una frecuencia dada requiere la medición de la potencia de ruido
espectral. La potencia de ruido espectral se puede medir utilizando un filtro pasabanda sintonizable
que mueve su frecuencia central dentro de un ancho de banda estrecho especificado. El equipo que
puede medir la potencia de ruido espectral es un medidor de la figura de ruido que se muestra en la
Figura 4.23. Un medidor de figura de ruido de etapa temprana puede medir la figura de ruido hasta
una frecuencia de 1.5 GHz debido a la dificultad de la implementación del hardware.

Figura 4.23 Sistema de medición de la figura de ruido.3 El medidor de la figura de ruido

mide la figura de ruido de un DUT, pero su rango de frecuencia está limitado a 1,5 GHz. El equipo de
prueba de ruido es el convertidor para el medidor de figura de ruido. En la conversión descendente,
se necesita una fuente LO. El generador de señal en la parte inferior actúa como fuente de CA para
la conversión descendente.

Recientemente, se ha desarrollado un nuevo equipo que parece funcionar

mejor que el anterior medidor de figura de ruido. Sin embargo, la explicación que
presentaremos se basa en ese antiguo medidor de figura de ruido. Aunque el
medidor puede medir directamente la potencia de ruido sólo hasta una frecuencia
de 1,5 GHz, es posible extenderla a frecuencias más altas a través de una conversión
descendente de frecuencia. El equipo necesario para la conversión descendente de
frecuencia incluye un equipo de prueba de la figura de ruido y una fuente de señal
de RF. El equipo de prueba de la figura de ruido puede ser visto como un mezclador.
La fuente de señal de RF desempeña el papel de una fuente de señal local. Esta
combinación de equipos se conoce como sistema de medición de la figura de ruido
y se muestra en la Figura 4.23.
Ahora nos centramos en una fuente de ruido, un ejemplo de la cual se muestra
en la Figura 4.24. Cuando se aplica un voltaje de CC de 0 V a la entrada de pulsos de
28 V mostrada en la Figura 4.24, la fuente de ruido se comporta como una fuente de
ruido térmico a temperatura ambiente, y se dice que la fuente de ruido está en
estado frío. Cuando se aplica un voltaje de CC de 28 V, aparece un ruido térmico
mayor que la temperatura ambiente en la salida del conector coaxial, y se dice que
la fuente de ruido está en estado caliente. La cifra de mérito para tales fuentes de
ruido es el índice de ruido excesivo. La relación de ruido excesivo (ENR) se define
como la relación entre la potencia de ruido excesivo en estado caliente y el ruido
térmico en estado frío. Definiendo el ruido térmico a temperatura ambiente o en
estado frío como kToΔf, entonces el ruido excesivo en estado caliente puede
expresarse como k(T1 - To) Δf, donde T1 es la temperatura de ruido equivalente en
estado caliente. Por lo tanto, ENR puede expresarse como Ecuación (4.89).

Figura 4.24 Fuente de la señal de ruido.4 En el conector BNC etiquetado como entrada de
pulsos de 28 V, se aplica la señal de pulsos del medidor de figura de ruido. La señal de pulso cambia
periódicamente de 0 a 28 V. En el conector etiquetado como salida de ruido, aparecen señales de
 ruido de banda ancha. La potencia de ruido a 0 V es cercana al nivel de potencia de ruido térmico,
mientras que a 28 V, aparece en la salida una potencia de ruido mayor procedente de la potencia de
ruido térmico.
4. Agilent technologies, 346A/B/C Noise sources 10 MHz to 26.5 GHz, 5953-6452.pdf, 2000.

La figura 4.25 muestra la configuración para la medición de la figura de ruido

de un DUT. En la Figura 4.25, el medidor de figura de ruido conduce la fuente de
ruido usando el voltaje de pulso periódico que cambia de 0 a 28 V. Para medir la
figura de ruido del DUT, la fuente de ruido frío se aplica primero al DUT, y se mide
la potencia de ruido de salida resultante del DUT. Esto corresponde a la potencia de
salida de ruido del DUT para la potencia de entrada de ruido térmico a temperatura
ambiente. Luego, el ruido caliente se aplica al DUT y se mide la potencia de ruido de
salida del DUT. A partir de estas dos mediciones, se puede determinar el factor de
ruido del DUT.

Figure 4.25 Noise figure measurement setup using noise figure meter and noise source

La figura 4.26 muestra el concepto de medición de la figura de ruido que

se muestra en la figura 4.25. En la figura 4.26, las potencias de ruido entregadas
a la carga en el medidor de la figura de ruido se indican con No y N1. Las potencias
de ruido No y N1 representan las potencias de ruido de salida del DUT para la
entrada de ruido térmico en los estados frío y caliente, respectivamente. Ahora,
denota la figura de ruido del DUT como F, la potencia de ruido equivalente (F-
1)kToΔf de DUT puede ser colocada en la entrada. En consecuencia, el DUT de
dos puertos se convierte en una red de dos puertos libre de ruido porque todos
los ruidos internos se colocan en la entrada. Las entradas de ruido en estado
caliente y en estado frío están representadas por interruptores. Así, en el estado
frío, el ruido térmico de kToΔf se aplica al DUT, mientras que el ruido caliente
kT1Δf se aplica al DUT en el estado caliente.
 Figura 4.26 Representación de la medición de la figura de ruido en la figura 4.25

Cuando la entrada es ruido térmico a temperatura ambiente, la salida es No

= FkToGΔf. Aquí, G representa la ganancia de potencia DUT. Cuando la entrada está
en estado caliente, debido a que no hay cambio en la temperatura de ruido del DUT,
N1 se convierte en Ecuación (4.90).

Si tomamos la relación de las dos potencias, que se llama factor Y, obtenemos

Utilizando la ecuación (4.91), el factor de ruido puede determinarse como

La ecuación (4.92) se reescribe usando la definición de ENR y la figura de

ruido se expresa en la ecuación (4.93).

A partir de la ecuación (4.92), la figura de ruido se puede determinar usando

ENR y el factor Y. Así, cambiando la frecuencia central del filtro pasobanda con ancho
de banda fijo Δf en el medidor de figura de ruido, se puede medir la figura de ruido
dependiente de la frecuencia. El ancho de banda Δf también puede controlarse
manipulando las teclas del panel frontal del medidor de ruido.

4.2.6.2 Medición de parámetros de ruido

En la Figura 4.27 se muestra la configuración para medir los parámetros de
ruido utilizando el medidor de figura de ruido. Con esta configuración, los
parámetros de ruido pueden ser medidos indirectamente. En la configuración
mostrada en la Figura 4.27, la impedancia de la fuente vista desde el DUT puede
ajustarse a través del sintonizador.
 Figura 4.27 Configuración de la medición de parámetros de ruido

Aquí, el sintonizador es el sintonizador de impedancia mecánica disponible

en el mercado. Por lo tanto, al ajustar el sintonizador, se puede encontrar el punto
que muestra la figura de ruido mínimo. El factor de ruido mínimo es Fmin. La
impedancia Γopt que produce el valor mínimo de ruido puede obtenerse midiendo la
impedancia del sintonizador mediante un analizador de red. Para medir Γopt, la
medición se puede realizar sustituyendo la fuente de ruido por una carga de 50-Γopt
Para el parámetro rn restante, se retira el sintonizador y se vuelve a medir el factor
de ruido del DUT. Esta es la cifra de ruido cuando las impedancias de entrada y salida
son 50 Ω Denota la figura de ruido medida como F50 y luego sustituye Γs = 0 en la
ecuación (4.84a), la resistencia al ruido normalizada rn se puede calcular como se
muestra en la ecuación (4.94).

Así, los parámetros de ruido pueden ser medidos usando un medidor de

figura de ruido y un sintonizador.
4.3 Formatos de archivo
Generalmente, los proveedores de dispositivos de alta frecuencia
proporcionan los parámetros S medidos. Si los parámetros S están ausentes, se
pueden obtener por medición directa. Estos parámetros S son necesarios para
diseñar circuitos o realizar simulaciones de circuitos. Por el contrario, el
rendimiento de un circuito diseñado también se evalúa en términos de los
parámetros S. Los parámetros S se escriben como un archivo de texto ASCII normal
y los datos se envían a un dispositivo de datos para su simulación en ADS. Este
archivo de texto existe en varios formatos y se describirá en esta sección. Los
formatos de archivo para grabar parámetros de dos puertos se pueden clasificar
generalmente en cuatro tipos: un archivo Touchstone, un archivo CITI, un archivo
IC-CAP y un archivo MDIF. Entre estos, los formatos más utilizados son los archivos
Touchstone y los archivos CITI, que describiremos en esta sección.
Un archivo Touchstone es un archivo de texto ASCII y un formato Touchstone
también se denomina comúnmente formato SnP. La letra S en SnP significa
parámetros S, mientras que n significa el número de puertos. Los parámetros de dos
puertos como los parámetros G-, H-, Y-, y Z en lugar de los parámetros S también se
pueden escribir en el formato de archivo Touchstone. Esto se resume en la Tabla 4.3.
Además de los parámetros S, también se pueden incluir parámetros de ruido de dos
puertos en el formato de archivo Touchstone.

Tabla 4.3 Abreviaturas de los parámetros en formato Touchstone

Los formatos de archivo Touchstone se componen de una línea de opción, una línea de datos
y líneas de comentario. La estructura de datos del formato de archivo Touchstone se muestra en la
Tabla 4.4. Aquí, # representa un carácter delimitador de la línea Opción que especifica el formato de
datos de las siguientes líneas de datos. La <unidad de frecuencia> en la Tabla 4.4 representa la unidad
de frecuencia y el <parámetro> representa el tipo de parámetros de dos puertos. El <formato> define
cómo se escribe el parámetro de dos puertos ya que es un número complejo. DB indica que el número
complejo se escribe en dB y en formato de ángulo, mientras que MA significa que el número complejo
se escribe en formato de magnitud y ángulo. Finalmente, el <Rn> representa la impedancia de
referencia. En la Tabla 4.5 se muestran ejemplos de la línea de opción.

Tabla 4.4 Estructura del archivo Touchstone

Tabla 4.5 Ejemplo de la línea de opción

El ejemplo del archivo S2P se muestra en la Tabla 4.6. Todos los datos están
dispuestos con frecuencia como parámetro y en orden desde la izquierda como S11
S21 S12 S22. Tenga en cuenta que el formato sigue la definición de la línea Opción.
 Tabla 4.6 Ejemplo de parámetros S

CITI significa Common Instrumentation Transfer and Interchange y es un

formato de archivo muy utilizado en los instrumentos de medición. Un fichero CITI
se compone de Cabecera y Datos. El encabezado consiste en información de palabras
clave y configuración, mientras que los datos consisten principalmente en una o
varias matrices de datos. La Tabla 4.7 proporciona un ejemplo de un archivo CITI
típico. El encabezado indica la información sobre los datos listados en el siguiente
encabezado, así como información sobre la configuración del equipo de medición.
CITIFILE A.01.00 es el número de versión y NOMBRE es el nombre de los datos, que
en este ejemplo se especifica como Memoria. VAR especifica la variable
independiente. En este ejemplo, el nombre de la variable es FREQ; tiene magnitud
(MAG) y el número de variables es 3. Los valores de las variables están listados en
DATA y se encuentran en 2, 3 y 4 GHz. A continuación, la línea DATA en Cabecera
especifica los datos. El nombre de DATA es S (que significa parámetros S) y se
presenta en forma de RI (la representación numérica compleja de las partes reales
e imaginarias). VAR_LIST_BEGIN indica el inicio de los datos VAR previamente
definidos y VAR_LIST_END indica el final de los datos VAR. Los DATOS se listan
comenzando con la palabra clave BEGIN y terminando con la palabra clave END.

Tabla 4.7 Ejemplo de archivo CITI

Este es un ejemplo de parámetros S de un puerto, que se enumeran como números complejos
en formato RI. En el caso de los parámetros S de dos puertos, Header debe incluir cuatro líneas de
datos como DATA S[1,1] RI, DATA S[2,1] RI, DATA S[1,2] RI, DATA S[2,2] RI, y las palabras clave
BEGIN y END correspondientes en el campo de datos también aparecerán cuatro veces.

4.4 Resumen
- Los parámetros S son los parámetros de red de dos puertos que se miden más
convenientemente y que se pueden convertir en otros parámetros de red de dos
puertos.
 - La variable independiente para los parámetros S de tensión son las tensiones
incidentes, y las tensiones reflejadas son las variables dependientes determinadas
por los parámetros S y las tensiones incidentes.
- Las ondas a y b se definen utilizando las tensiones incidentes y las tensiones
reflejadas, y sus cuadrados corresponden a potencias, especialmente las ondas a que
pueden ser interpretadas físicamente como la potencia disponible de las fuentes. Los
parámetros S convencionales se definen utilizando las ondas a y b.
- Los parámetros S pueden calcularse utilizando la simulación de parámetros S en ADS.
Los términos se utilizan para distinguir los puertos de la red de dos puertos en ADS.
- Cuando las líneas de transmisión están conectadas a una red de dos puertos en
cascada, los efectos de las líneas de transmisión aparecen como el desplazamiento de
fase en los parámetros S proporcional a las longitudes eléctricas de las líneas de
transmisión. Los efectos se pueden eliminar mediante calibración.
- La pérdida de retorno y la pérdida de inserción de una red de dos puertos se pueden
relacionar con los parámetros S de dos puertos.
- Las fuentes de ruido internas dentro de una red de dos puertos pueden colocarse
igualmente fuera de la entrada y salida de una red de dos puertos, lo que produce la
misma respuesta a las redes externas.
- Los espectros de ruido pueden medirse utilizando muestras de tiempo múltiples, que
se obtienen a partir de una función de muestra y se definen en un intervalo de tiempo
suficientemente largo.
- El valor del ruido se define como

y es la función de la impedancia de la fuente.

- La dependencia del factor de ruido se puede describir utilizando los parámetros de ruido NFmin,
Sopt y Rn.
- La simulación de ruido se puede realizar utilizando una simulación de parámetro S.
- Se introducen los formatos de archivo Touchstone y CITI que describen los parámetros S y los
parámetros de ruido a medida que se introducen los archivos de texto.

- Referencias
- 1. D. M. Pozar, Microwave Engineering, 2nd ed. New York: John Wiley & Sons,
Inc., 1998.
- 2. H. Fukui, ed., Low-Noise Microwave Transistor & Amplifiers, New York: IEEE
Press, 1981.
- 3. Agilent Technologies, Agilent Network Analyzer Basics, 5965-7917E, pdf,
2004.
- 4. R. E. Ziemer and W. H. Tranter, Principles of Communications, New York: John
Wiley & Sons, Inc., 2002.
- 5. H. W. Ott, Noise Reduction Techniques in Electric Systems, New York: John
Wiley & Sons, Inc., 1976.
- 6. H. Hildebrand and P. H. Russer, “An Efficient Method for Computer-Aided
Noise Analysis of Linear Amplifier Networks,” IEEE Transactions on Circuits and
Systems 23, no. 4 (April 1976): 235–238.
 Problemas
- 4.1 Para un circuito en la Figura 4P.1, calcule los parámetros S de dos puertos
normalizados por la impedancia de referencia Zo.

Figura 4P.1 Un circuito de dos puertos

Utilizando los resultados del cálculo anterior, calcule ahora los parámetros S
de dos puertos para el circuito en el que dos líneas de transmisión de longitudes
eléctricas θ1 y θ2 se añaden al circuito en la Figura 4P.1 como se muestra en la Figura
4P.2.

Figura 4P.2 Un circuito de dos puertos con líneas de transmisión

4.2 Calcule los parámetros S de los circuitos de resonancia en paralelo y en

serie en la Figura 4P.3.

Figura 4P.3 (a) Un resonador paralelo y (b) un resonador en serie

 4.3 Explique cómo obtener los valores del circuito de los circuitos resonantes
en paralelo o en serie en la Figura 4P.3 usando |S21| y |S11| (vea el Ejemplo 4.5).
4.4 Encuentre el valor máximo de |S21| para el circuito mostrado en la Figura
4P.4 y esboce la respuesta de frecuencia (ωo = 2πfo = 2π×10 GHz).

Figura 4P.4 Circuito resonante en serie

4.5 Encuentre el voltaje Vout para el circuito en la Figura 4P.5.

Figura 4P.5 Circuito para el problema 4.5

4.6 Dado que la pérdida de inserción en una red pasiva de dos puertos sin
pérdidas es de 3 dB, calcule la pérdida de retorno.
4.7 Calcule los parámetros S del circuito atenuador mostrado en la Figura
4P.6. Determine si |S21|2+ |S11|2 = 1 está satisfecho.
 Figura 4P.6 Atenuador de 3 dB tipo T

4.8 Derivar los resultados en la Ecuación (4.83).

4.9 Derivar los resultados en la Ecuación (4.84).
4.10 Para el circuito de la figura 4P.7, busque Fmin y Γopt Utilice la definición
de la Ecuación (4.68) después de transformar el circuito en un circuito equivalente
Norton en el puerto 2.

Figura 4P.7 Un circuito de resistencia de dos puertos

4.11 La temperatura de ruido Te se define en términos del factor de ruido

como Te = (F - 1)To. Utilizando esta relación, con la temperatura de ruido de cada
etapa conocida, derivamos la siguiente expresión expresando la temperatura de
ruido en términos de la fórmula de Frii.
 4.12 La atenuación con un atenuador es L (L no está en la escala de
decibelios); dado que su temperatura es To, determine el factor de ruido del
atenuador.
4.13 Cuando el atenuador en el problema 4.12 está conectado junto a una
fuente de ruido con ENR1, ¿cuál es la ENR2 resultante? Suponga que la temperatura
fría de la fuente de ruido es To.
4.14 (Problema ADS) Supongamos que los icor(1,1) e icor(2,2), que aparecen
después de un análisis de ruido del parámetro S, representan los cuadrados de
corriente de ruido de cortocircuito en los puertos 1 y 2, respectivamente. Las
corrientes de ruido de cortocircuito se pueden obtener mediante simulación de CA
en ADS. La figura 4P.8 muestra la simulación del ruido de CA para obtener las
corrientes de ruido de cortocircuito. Dado que las corrientes de ruido no pueden
obtenerse directamente, las corrientes de ruido de cortocircuito se calculan
utilizando las tensiones de los nodos a través de resistencias de pequeño valor.
Calcular las corrientes de ruido de cortocircuito a través de la simulación de ruido
de CA y mostrar que los resultados están de acuerdo con el icor(1,1) y el icor(2,2)
obtenidos a través de la simulación de ruido del parámetro S.

Figura 4P.8 Simulación del ruido de CA para calcular las corrientes de ruido de
cortocircuito