Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Informatica si Ingineria sistemelor

Lucrarea de Laborator Nr.2

La disciplina: Circuite Dispozitive Electronice
Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

Elaborat: st. Grupei C-171 F/R, Ogorodnic Nicolae

Verificat: Ababii Nicolae

Chișinău 2019
Scopul lucrarii: Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in
conexiune cu baza comuna(BC) si cu emitor comun(EC) si deterinarea
parametrilor si semnalelor mici ”h”.

Schema electrica:

Fig.1. Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar in conexiune BC.

Fig.2 Schema Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor

statice ale tranzistorului bipolar in conexiune EC.
Tabelul 1. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de intrare a
tranzistorului bipolar in conexiune BC.
UEB,mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250
IE, mA UCB=0 0 0 0 0 0 0.1 0.3 0.6 2.5 4.3 8.9
UCB=-5V 0 0 0 0 0 0.1 0.3 0.7 2.9 5.2 10.2
Tabelul 2. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de iesire a
tranzistorului bipolar in conexiune BC.
UCB,V 0 2 4 6 8 10 12 14
IC, mA IE=5mA 5 5.1 5.1 5.2 5.2 5.3 5.4 5.5
IE=10mA 9.7 9.8 10 10 10.1 10.1 10.3 10.4
Tabelul 3. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de intrare a
tranzistorului bipolar in conexiune EC.
UBE,mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250
IB, mA UCE=0 0 0 0 0 0 0 0.2 0.3 0.7 1.1 1.7
UCE=-5V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.1 0.2

Tabelul 4. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de iesire a

tranzistorului bipolar in conexiune EC.
UCE,mV 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12
IC, mA IB=200A 0.1 0.8 0.8 0.8 0.9 0.9 0.9 0.9 1 1 1.1
IB=300A 0.2 2.1 2.1 2.2 2.2 2.3 2.4 2.5 2.7 2.9 3.2