UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCUREȘTI

Facultatea de Inginerie Mecanică și Mecatronică

Departamentul de Mecatronică și Mecanică de Precizie

Prof.Dr.Ing.Grigore-Octavian DONȚU

TEHNOLOGII ȘI SISTEME INTEGRATE

DE FABRICAȚIE

Editura PRINTECH BUCUREȘTI 2015

1
`
 Tehnoredactare:
1. Teodor Vârgă
2. Răzvan-Claudiu Frumușanu

2
`
 Cuprins
1. CARACTERISTICI ALE PROCESELOR TEHNOLOGICE ȘI UTILAJELOR
SPECIFICE MECATRONICII ȘI MECANICII DE
PRECIZIE........................................................................................................................9
1.1. Contextul economico – industrial ..................................................................9
1.2. Condiții necesare realizării unui proces tehnologic optim de prelucrare........15
1.2.1 Structura unui proces tehnologic..............................................................15
1.3. Unele noțiuni de organizare tehnologică.........................................................18
1.4. Maşini de prelucrat şi subansambluri de bază ale acestora.............................19
1.5. Generarea tehnologică a suprafeţelor pieselor şi pe maşini.............................22
1.6. Unele probleme privind precizia de prelucrare pe maşini...............................23
2.TEHNOLOGII DE PRELUCRARE A SUPRAFEŢELOR PLANE.....................30
2.1. Consideraţii generale ........................................................................................... 30
2.2. Rabotarea suprafeţelor plane ............................................................................. 30
2.3. Prelucrarea prin mortezare..................................................................................33
2.4. Frezarea suprafeţelor plane................................................................................ .34
2.5. Strunjirea suprafeţelor plane................................................................................36
2.6. Broşarea suprafeţelor plane..................................................................................36
2.7. Tehnologii de finisare a suprafeţelor plane.........................................................37
2.7.1. Rectificarea suprafețelor plane.....................................................................37
2.7.2. Frezarea de finisare........................................................................................40
2.7.3. Răzuirea suprafețelor plane..........................................................................40
2.7.4. Lepuirea suprafețelor plane..........................................................................40
3. TEHNOLOGII DE PRELUCRARE A SUPRAFEŢELOR CILINDRICE ŞI CONICE
EXTERIOARE ŞI INTERIOARE ...............................................................................44
3.1. Consideraţii generale.............................................................................................44
3.2. Execuţia suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare..........................................44
3.2.1. Generarea suprafețelor cilindrice.................................................................45
3.2.2. Suprafețele conice exterioare........................................................................46
3.2.3. Prelucrarea suprafețelor cilindrice ale arborilor prin frezare..................47
3.2.4. Prelucrarea suprafețelor cilindrice excentrice............................................48
3.2.5. Finisarea suprafețelor cilindrice și conice exterioare.................................48
3.2.5.1. Rectificarea suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare.....................48
3.2.5.2. Alte procedee de finisare a suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare
................................................................................................................................51
3.3. Prelucrarea alezajelor......................................................................................... 52
3.3.1. Generarea suprafețelor cilindrice interioare............................................. 52
3.3.2. Prelucrarea alezajelor prin găurire-burghiere.......................................... 53
3.3.3. Lărgirea găurilor...........................................................................................59
3.3.4. Alezarea găurilor cilindrice..........................................................................59
3.3.5. Prelucrarea găurilor conice..........................................................................59
3.3.6. Finisarea alezajelor....................................................................................... 60
3.3.6.1. Rectificarea alezajelor.............................................................................60
4. TEHNOLOGII PENTRU EXECUŢIA FILETELOR.............................................65
4.1. Consideraţii generale............................................................................................65
4.2 Tehnologii de execuție a filetelor.........................................................................65
4.2.1. Execuția filetelor pe strung sau mașini de rectificat...................................65
4.2.2. Execuția filetelor prin copiere.......................................................................66

3
`
 4.3. Rectificarea filetelor..........................................................................................68
5. TEHNOLOGII PENTRU EXECUŢIA ŞI FINISAREA ROŢILOR
DINŢATE........................................................................................................................72
5.1. Generalităţi.........................................................................................................72
5.2. Frezarea danturii prin copiere cu freze-disc modul.......................................73
5.3. Frezarea danturii prin rulare cu freză-melc modul.......................................74
5.4. Execuția mașinii prin mortezare.....................................................................80
5.5. Mașini pentru prelucrarea roților dințate conice...........................................83
5.6. Finisarea roților dințate....................................................................................84
6. TEHNOLOGII PENTRU DIVIZAREA, GRAVAREA ŞI TRASAREA CODURILOR
DE BARE........................................................................................................................87
6.1. Tehnologii pentru trasarea diviziunilor.........................................................87
6.1.1. Generalități, scule utilizate........................................................................87
6.2. Tehnologii de divizat liniar..............................................................................88
6.3. Tehnologii de divizat circular..........................................................................90
6.4. Tehnologii pentru divizat şi gravat reticule şi reţele de difracţie.................91
6.5. Tehnologii pentru trasarea codurilor de bare................................................93
7. TEHNOLOGII PENTRU EXECUȚIA PIESELOR OPTICE ŞI PRELUCRAREA
PIETRELOR TEHNICE – CRISTALELOR ..............................................................94
7.1. Particularităţi ale acestor tehnologii...............................................................94
7.2. Tehnologii pentru debitat sticlă optică...........................................................95
7.3. Găurirea sticlei optice.......................................................................................97
7.4. Tehnologii de ”frezat” piese optice..................................................................98
7.5. Tehnologii de şlefuit şi polisat piese optice.....................................................100
7.6. Tehnologii pentru centrat şi debordat piese optice........................................107
7.7. Maşini pentru prelucrarea suprafeţelor asferice ale pieselor.......................108
7.8. Tehnologia de execuție a reticulelor ................................................................112
7.9. Tehnologii pentru prelucrarea cristalelor – pietrelor tehnice.......................112
8. TEHNOLOGII DE EXECUŢIE PE MAŞINI CU COMANDĂ DUPĂ PROGRAM –
SISTEME FLEXIBILE DE PRELUCRARE C.N.C.....................................................118
8.1. Generalităţi, clasificare....................................................................................118
8.2. Maşini de prelucrat cu comandă analogică....................................................120
8.2.1. Strunguri automate.....................................................................................120
8.2.2. Mașini și dispozitive pentru prelucrarea suprafețelor profilate complex
.................................................................................................................................127
8.2.3. Mașini de copiat cu mecanism pantograf..................................................128
8.2.4. Strunguri de copiat......................................................................................130
8.2.5. Mașini de frezat prin copiere......................................................................130
8.3. Mașini și tehnologii de prelucrare cu sisteme de comandă numerică CNC
.....................................................................................................................................131
8.4. Conducerea cu calculatorul a maşinilor cu comandă numerică....................137
8.4.1. Sistemele CNC..............................................................................................138
8.4.2. Sisteme DNC.................................................................................................142
8.5. Maşini de prelucrat cu comandă adaptivă.......................................................144
8.6. Celule flexibile de prelucrare, sisteme flexibile de prelucrare şi linii de
transfer................................................................................................................147
8.6.1 Celule flexibile...............................................................................................147
8.6.2. Sisteme flexibile de prelucrare...................................................................148
8.6.3. Liniile de transfer........................................................................................153

4
`
 8.7. Sisteme integrate de fabricație.........................................................................154
8.7.1. Concepție și fabricație integrate cu calculatorul.....................................154
8.7.2. Structura unui sistem integrat de fabricație...........................................159
9. TENOLOGII SI SISTEME DE PRELUCRARE PRIN PROCEDEE
NECONVENŢIONALE - ELECTROTEHNOLOGII........................................... ....165
9.1. Consideraţii generale, locul acestor tehnologii în mecatronică.....................165
9.2. Instalaţii şi tehnologii de prelucrare prin electroeroziune.............................167
9.2.1. Bazele fizice și tehnologice ale prelucrării prin electroeroziune..............167
9.2.2. La instalațiile de prelucrare cu electrod profilat......................................173
9.2.3. Instalațiile de prelucrat prin eroziune cu electrod filiform.....................174
9.3. Tehnologii de prelucrare prin procedee electrochimice.................................177
9.3.1. Bazele fizico-chimice și tehnologice ale prelucrării...................................177
9.3.2. Tehnologii de prelucrare electrochimică....................................................178
9.4. Tehnologii de prelucrare bazate pe schimbarea locală a stării termice a
materialului de prelucrat...................................................................................................188
9.4.1. Considerații generale..................................................................................188
9.4.2. Tehnologii de prelucrare cu laser..............................................................188
9.4.2.1. Bazele fizice ale generării radiațiilor laser .......................................188
9.4.2.2. Tipuri de generatoare
laser..........................................................189
9.4.2.3. Generatoare laser cu mediu activ solid..............................................190
9.4.2.4. Laser cu mediu activ solid Nd:YAG……………………………........197
9.4.2.5. Laser cu mediu activ solid pompați cudiode………………………...201
9.4.2.6. Laser cu mediu active soliddisc………………………………………204
9.5. Generatoare laser cu mediu active gazos………………………………………210
9.5.1. Laserul CO2…………………………………………………………………211
9.5.2. Aplicații ale laserului cu CO2……………………………………………..214
9.6. Instalatii laserspecializate………………………………………………………217
9.7. Tehnologii de prelucare cu fascicul de electroni.............................................221
9.7.1.Bazele fizice ale prelucrării.........................................................................221
9.7.2. Instalaţii cu fascicul de electroni................................................................221
9.8. Tehnologii de prelucrare cu plasmă..................................................................227
9.8.1. Bazele fizice ale prelucrării........................................................................227
9.8.2. Instalaţii de producere a plasmei................................................................227
9.9. Tehnologii de prelucrare cu ultrasunete............................................................232
9.9.1. Particularități, subansambluri specifice acestor instalații........................232
9.9.2. Tehnologii pentru găurire și tăiere cu ultrasunete....................................237
9.9.3. Tehnologii pentru sudare cu ultrasunete....................................................242
9.9.4. Tehnologii pentru curățare în băi cu lichid în câmp ultrasonor..............245
9.9.5. Alte procedee de prelucrare cu ultrasunete...............................................248
9.10. Tehnologii de prelucrare prin eroziune chimică............................................250
9.10.1. Bazele fizico-chimice ale prelucrării.........................................................250
9.10.2. Tehnologii de prelucrare............................................................................251
9.10.3. Frezarea chimică.........................................................................................256
9.11. Tehnologii de prelucrare cu jet de lichid și abraziv........................................256
9.11.1. Bazele fizice ale prelucrării..........................................................................256
9.11.2. Tehnologii și instalații de prelucrare...........................................................257
10. TEHNOLOGII DE REALIZARE A CIRCUITELOR ELECTRICE INTEGRATE
.................................................................................................................................................259
10.1. Consideratii generale ..........................................................................................259

5
`
 10.2. Instalatii si dispozitive pentru realizarea componentelor electronice discrete
pasive .................................................................................................................................260
10.2.1. Utilaje si tehnologii pentru obtinerea rezistoarelor...............................261
10.2.1.1. Clasificare, tipuri constructive de rezistoare.................................261
10.2.1.2.Utilaje si tehnologii pentru realizarea rezistoarelor peliculare.....263
10.2.1.3. Particularitati privind utilajele si tehnologia de obtinere a
rezistoarelor microminiaturizate.....................................................................................270
10.2.2. Utilaje si tehnologii de executie a condensatoarelor .............................272
10.3. Utilaje si tehnologii de realizare a sistemelor cu unda elastica de volum
...................................................................................................................................274
10.3.1. Dispozitive cu unda elastica de volum ....................................................274
10.3.2. Rezonatoare piezoelectrice ......................................................................275
10.3.3. Rezonatoare piezoceramice .....................................................................282
10.3.4. Rezonatoare piezomagnetice ...................................................................286
10.3.5. Traductoarele (transformatoarele) electroacustice ...............................289
10.4. Instalatii si procedee de obtinere si purificare a monocristalelor
semiconductoare utilizate in microelectronica ...............................................................290
10.4.1. Consideratii generale, caracteristici ale materialelor utilizate .............290
10.4.1.1. Metalele.............................................................................................291
10.4.1.2. Materiale dielectrice.........................................................................293
10.4.1.3. Materiale semiconductoare.............................................................293
10.4.1.3.1. Conductivitatea materialelor semiconductoare...................293
10.4.1.3.2. Semiconductoare pure............................................................296
10.4.1.3.3. Semiconductoare de tip – n....................................................296
10.4.1.3.4 Semiconductoare de tip – p.....................................................297
10.4.2. Instalatii pentru cresterea monocristalelor semiconductoare ..............298
10.4.2.1. Procedee de obtinere a monocristalelor.........................................298
10.4.2.2 Instalatii pentru cresterea monocristalelor semiconductoare
din topitura........................................................................................................................299
10.4.2.2.1 Procedeul Czochralski............................................................299
10.4.2.2.2 Procedeul cresterii din topitura prin solidificare controlata
intr-un gradient de temperatura – Bridgman.................................................................303
10.4.2.2.3. Procedeul topirii zonare – PHANN......................................305
10.4.2.2.4. Un alt procedeu de crestere a monocristalelor fara
creuzet este topirea in flacara (metoda Verneuil)...........................................................310
10.4.2.3. Instalatii pentru cresterea monocristalelor
semiconductoare din faza gazoasa...................................................................................311
10.4.2.4. Procedee si instalatii de purificare a monocristalelor
semiconductoare................................................................................................................314
10.4.2.5. Sisteme de control ale compozitiei si caracteristicilor
monocristalelor semiconductoare....................................................................................318
10.5. Masini si dispozitive pentru prelucrarea monocristalelor semiconductoare
(debitarea) si procesarea plachetelor ..............................................................................319
10.5.1. Masini pentru debitarea monocristalelor ...............................................319
10.5.2. Elemente caracteristice ale plachetelor ...................................................323
10.5.3. Etape de procesare de pregatire a plachetelor ........................................324
10.5.3.1. Curatirea chimica.............................................................................324
10.5.3.2. Indepartarea rezidurilor organice..................................................325
10.5.3.3. Procedee de oxidare termica............................................................326
10.5.3.4. Detensionarea plachetelor................................................................328

6
`
 10.5.4. Instalatii si procedee de oxidare termica .................................................329
10.5.5. Masurarea grosimii stratului de oxid .......................................................331
10.6. Instalatii pentru realizarea straturilor subtiri utilizate in microelectronica
...............................................................................................................................................335
10.6.1. Domenii de utilizare si procedee de realizare a straturilor subtiri ........335
10.6.2. Instalatii si procedee de obtinere a straturilor dielectrice pe cale chimica
...............................................................................................................................................336
10.6.3. Instalatii pentru realizarea straturilor subtiri prin procedee fizice........338
10.6.3.1. Evaporarea termica si condensarea in vid.......................................339
10.6.3.2. Realizarea straturilor subtiri prin pulverizare catodica................346
10.6.3.3. Pulverizarea catodica in plasma de inalta frecventa.......................348
10.6.4. Instalatii pentru obtinerea straturilor subtiri monocristaline prin crestere
epitaxiala ...............................................................................................................................349
10.6.4.1. Procedee de realizare a straturilor subtiri epitaxiale......................349
10.6.4.1.1.Procedeul chemoepitaxiei......................................................350
10.6.4.1.2.Crestere din faza lichida(E.F.L.)..........................................351
10.6.4.1.3. Instalatie de crestere a straturilor subtiri cristaline
semiconductoare, din topitura.............................................................................................353
10.7. Instalatii si dispozitive pentru difuzia si impurificarea controlata a
materialelor semiconductoare .............................................................................................354
10.7.1. Impuritati in materiale semiconductoare ..................................................354
10.7.2. Procedee de difuzie si impurificare controlata a materialelor
semiconductoare ...................................................................................................................358
10.7.2.1. Caracteristici ale procesului dedifuzie.............................................358
10.7.2.2. Factori ce conditioneaza procesul difuziei.......................................359
10.7.2.3. Instalaţii de impurificare controlată prin implantare ionică.........362
10.7.3. Efectele implantarii si tratamente de activare si refacere a ordinii
cristalografice........................................................................................................................367
10.7.3.1. Defecte produse de implantare........................................................367
10.7.3.2. Tratamente de activare şi refacere a reţelei...................................368
10.8. Instalatii si tehnologii de realizare a componentelor electronice active.........370
10.8.1. Fenomene de contact in structurile seminconductoare si microelectronice
.................................................................................................................................................370
10.8.2. Dispozitive semiconductoare cu jonctiuni p-n ...........................................373
10.8.2.1. Diode semiconductoare.....................................................................373
10.8.2.2. Tranzistoare.......................................................................................379
10.8.2.2.1. Tranzistorul cu joncţiuniplane...........................................379
10.8.2.2.2. Tranzistorul MESA.............................................................380
10.8.2.2.3. Tranzistorul planar.............................................................381
10.8.2.2.4. Tranzistorul planaro-epitaxial...........................................383
10.8.2.2.5. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor-MOS.................384
10.8.2.2.6. Tranzistorul cu straturi subţiri..........................................385
10.8.3. Circuitele hibride .........................................................................................387
10.8.4. Instalatii si tehnologii de realizare a circuitelor integrate monolitice
.....................................................................................................................................389
10.8.5. Unele consideratii privind materialele utilizate si conditiile tehnologice
care trebuie respectate in procesele de realizare ale circuitelor integrate......................398
10.9. Instalatii pentru obtinerea fibrelor optice .......................................................401
10.9.1. Caracteristici generale ale fibrelor optice .................................................401
10.9.2. Tipuri de fibre optice ..................................................................................402

7
`
 10.9.3. Instalatii si tehnologii de obtinere a fibrelor optice ................................404
10.9.3.1. Procedeul dublului creuzet............................................................404
10.9.3.2. Procedeul depunerii chimice prin oxidare din fază de
vapori C.V.D. ......................................................................................................................406
10.9.4. Tragerea – obtinerea fibrelor optice .........................................................410

11. MICROTEHNOLOGII ŞI NANOTEHNOLOGII PENTRU PROCESAREA

MATERIALELOR ....................................................................................................... .....412
11.1. Definire, domeniul, materiale utilizate ...................................... ......412
11.2. Tehnologii de procesare în domeniul micro .............................. ......415
11.3. Nanotehnologii ....................................................................................418

BIBLIOGRAFIE ..............................................................................................................422

8
`
 Mecatronica fiind un profil foarte complex şi cu un pronunţat caracter
interdisciplinar solicită pentru tehnologiile de mecatronică realizarea unei
diversităţi foarte mari de componente şi sisteme specifice: mecanice, electrice,
microelectronice, optice, magnetice, pneumatice sau de cele mai multe ori
combinaţii ale acestora. De aceea tehnologiile specifice mecatronicii cuprind o
varietate mare de procedee de prelucrare clasice şi neconveţionale care
asamblează o multitudine de cunoştinţe, având la bază în principal acumulările
realizate la alte discipline.
Structura, nivelul şi selectarea noţiunilor care vor fi prezentate au fost astfel
concepute încât să ţină cont de nivelul şi bagajul de cunoştinţe ale studenţilor la
acest stadiu, insistându-se asupra laturii formative. Am ţinut cont de faptul că
acest curs este destinat cunoaşterii tehnologiilor şi utilajelor specifice
mecatronicii, viitorii specialişti trebuind să ştie să aleagă corespunzător,
utilizeze şi exploateze în mod optim aceste maşini şi instalaţii de prelucrat.
Plecând de la noua structură a cursului, şi de la reducerea volumului de ore
alocat cu aproximativ 30%, am regândit modulul de prezentare al cursului si a
unor procedee si tehnologii de fabricatie faţă de ediţia din 2003, adoptând
varianta de prezentare pe tipuri de suprafeţe care trebuie prelucrate şi finisate,
modalitate mult mai potrivită pentru inginerii mecatronişti.
Au fost restructurate şi actualizate tehnologiile şi sistemele de fabricaţie
care utilizează comenzile dupa program de tip digital-numerice,sistemele inte-
grate de fabricatie cat şi unele tehnologii de prelucrare neconvenţională(laser,
electroeroziune, plasmă, introductand si unele mai noi ,respectiv prelucrarea cu
jet de lichid şi abrazivi, s. a.) .
Au fost introduse noi variante de procesare a siliciului utilizate la obtinerea
circuitelor integrate s.a.

9
`
 1.CARACTERISTICI ALE PROCESELOR TEHNOLOGICE ŞI
UTLAJELOR SPECIFICE MECATRONICII SI MECANICII DE
PRECIZIE

1.1 Contextul economico – industrial actual

La ora actuala producţia de bunuri materiale suferă un proces continuu de
modificări profunde în condiţiile unei concurenţe tot mai acerbe datorată
deschiderii frontierelor implicit a pieţelor şi mondializării producţiei şi
consumului care implică atât modernizarea continuă a mijloacelor de producţie
cât şi regândirea activităţilor de proiectare, planificare a fabricaţiei, control al
produselor realizate şi de certificarea calităţii.
Cerinţele de baza pe care trebuie să le respecte la ora actuală orice
producător sunt: să produci de buna calitate, la costuri reduse, în timp scurt,
la momentul oportun şi fără a agresa mediul ambiant.
Toate aceste cerinţe trebuie satisfăcute în condiţiile în care durata de
folosire-utilizare (ciclu de înnoire) a unui produs scade continuu (de exemplu la
automobile a scăzut de la 5-6 ani la 3 ani), la calculatoare a ajuns la aprox. 1,5
ani, la telefoanele mobile la 1,5-1 an s.a., iar specificul tradiţional pentru
producerea anumitor bunuri suferă modificări dramatice. De exemplu înlocuirea
caroseriilor din tabla de otel la automobile, cu cele din materiale compozite şi
materiale plastice a impus un transfer de competenţe de la industria metalurgica
(prelucrarea otelului) spre alte domenii ale ştiinţei materialelor (materiale
compozite, materiale plastice s.a.). Un alt exemplu edificator este schimbarea în
anii 90 a carcaselor TV din prefabricate din lemn cu cele din materiale plastice
injectate, ş.a.).
Concomitent are loc la nivel mondial un accentuat proces de delocalizare
a producţiei pentru anumite subansamble sau chiar produse complete, fiind
căutate ţările cu o forţa de munca bine calificata, dar retribuita modest, şi care au
o buna logistică în materie de infrastructura şi de sisteme de comunicaţie. Un

10
`
exemplu cunoscut este relocarea în 2009 din Germania, Bochum a fabricaţiei
anumitor modele de telefoane mobile, de către firma Nokia, în România la Cluj
şi ulterior, în 2011, relocarea în China.
Măsurile luate de unele guverne (Franţa, Germania) pentru a atenua
efectele crizei economico-financiare declanşate la finele anului 2008, de
micşorare a şomajului şi stimulare a creşterii economice au condus la apariţia
unui fenomen de neconceput până acum în teoria şi practica economică,
relocalizarea firmelor în ţara mamă, de unde se delocalizaseră anterior crizei.
Exemplele cele mai numeroase de relocalizare le întâlnim în Franţa , unde şi
guvernul a fost foarte prompt şi eficient prin măsurile întreprinse, iar rezultatele
nu s-au lăsat aşteptate (începând cu anul 2010, Franța a inregistrat o creştere
economica anuală de peste 2%).
La începutul noului secol mentalitatea şi cerinţele tot mai sofisticate ale
clienţilor, concurenţa tot mai acerba au creat o noua lume a afacerilor în care
firmele proiectate şi construite a lucra în condiţiile producţiei de masa, sunt
sortite falimentului daca nu operează din mers schimbări devenind mult mai
flexibile şi având o capacitate de reacţie foarte rapida la cerinţele pieţii, în
condiţiile în care durata de viaţă a tuturor produselor se reduce continuu,
trebuind acţionat rapid şi modernizate procesele care creează noi produse pentru
că acestea aduc firmelor succes pe termen lung. După Hammer “nu produsele
creează învingătorii ci aceştia creează produse de succes” [7].
Inflexibilitatea, lipsa de receptivitate şi de preocupare fată de cerinţele
clienţilor, concentrarea numai asupra activităţii productive în locul focalizării
atenţiei asupra rezultatelor, lipsa de spirit inovator întârzierea integrării
activităţilor de producţie cu calculatorul, administraţia supradimensionată şi
nedescentralizată sunt numai câteva din problemele pe care trebuie sa le rezolve
rapid managerii firmelor productive. În plus, impactul şi consecinţele crizei
financiare care s-a propagat din S.U.A. şi în Europa și care influenţează întreaga
comunitate, nu pot fi încă anticipate ca intensitate, durată şi consecinţe.

11
`
 Indiferent de mărime, complexitate, gradul de precizie, orice produs
materializează o anumita cantitate de informaţii. Informaţia fiind prezenta încă
din faza de concepţie a produsului, îl va defini şi însoţi în toate fazele de
fabricaţie ale acestuia. Odată vândut, informaţia va însoţi produsul, asigurându-i
o buna utilizare şi mentenanţă funcţionala până la sfârşitul utilizării sale.
Informaţia fiind o componenta esenţiala pentru însăşi existenta unui anumit
produs, trebuind să existe întotdeauna un echilibru între produs şi informaţie. O
cantitate de informaţii prea bogate poate conduce la frânarea creşterii produsului
care se poate îneca intr-un flux de informaţii inutile, uneori chiar fără legătura cu
produsul respectiv, în timp ce informaţii insuficiente, neclare, imprecise pot
conduce la un blocaj în dezvoltarea produsului şi la scăderea eficienţei
economice a activităţii de producţie. Caracteristica definitorie a economiei
contemporane atât la nivel naţional cât şi planetar este un ritm accentuat de
înnoire şi diversificare a ofertei de mărfuri care este condiţionata de o serie de
factori şi anume:
- diversificarea necesitaţilor, gusturilor şi preferinţelor consumatorilor care au
devenit mai exigenţi, mai bine informaţi şi mai selectivi în motivarea cererii,
având drept consecinţa o accentuata segmentare a pieţii;
- creşterea gradului de solvabilitate a unui important segment de potenţiali
consumatori a căror exigenta a crescut şi s-a nuanţat;
- accentuarea dinamicii introducerii inovaţiilor tehnologice în producţie
impuse şi de cerinţa gestionarii eficiente a resurselor planetei, în special a
celor energetice şi protejarea mediului înconjurător;
- globalizarea economiei mondiale, proces complex care favorizează o
difuzare rapida a noilor produse şi servicii la nivel planetar.
In aceste noi condiţii, succesul unei activităţi economice productive este
mult influenţat şi de modul în care produsul realizat corespunde din punct de
vedere calitativ cerinţelor pieţii şi foarte important pe ce perioada de timp.

12
`
 Ciclul de viata al unui produs reprezintă intervalul de timp cuprins intre
momentul apariţiei pe piaţa (naşterea produsului) la întâlnirea dintre cerere şi
oferta şi momentul dispariţiei reale definitive din piaţa schimburilor (moartea
produsului). Acest interval de timp, jalonat de cele doua extreme, se împarte în
mai multe etape diferite ca mărime şi intensitate diferenţiate pentru fiecare
produs, şi alcătuiesc fazele ciclului de viata, care nu trebuie confundat cu durata
de utilizare a produsului.
Fazele ciclului de viaţă la un produs tehnic sunt dependente de nivelul
profitului, volumul producţiei, costurile aferente, şi alţi factori, fiind prezentate
în fig. 1.1 în care:
- faza I, definirea produsului cuprinde etapele studiilor de fezabilitate Ia,
de definire a produsului Ib, proiectarea generala şi de detaliu Ic;
- faza II, realizarea-fabricaţia produsului;
- faza III, lansarea pe piaţa;

Fig. 1.1

13
`
 - faza IV, zona de creştere şi maturizare a produsului;
- faza V, de saturaţie a pieţei;
- faza VI, declinul produsului şi faza VII, dispariţia produsului respectiv.
Se poate observa, similitudinea care exista între ciclul de viaţa al unui
produs cu ciclul de viaţa biologic. Dacă analizăm ciclul de viaţă al unui produs
tehnic din punctul de vedere al costurilor şi profitului, se poate vedea, fig. 1.1,
că în fazele I şi II costurile sunt foarte mari, iar profitul este inexistent, acesta
începând să apară şi să crească cu a doua parte a fazei de lansare, atingând o
valoare maxima în faza de maturitate, când are loc generalizarea produsului pe
piaţa. Aprecierea eronata a perioadei de maturitate a unui produs poate conduce
la pierderi datorate fie nesincronizării volumului producţiei cu nivelul cererii
specifice acestei perioade, fie menţinerii unui nivel prea mare al producţiei la
trecerea produsului în faza de saturaţie şi apoi în cea de declin.
Declinul şi dispariţia unui produs sunt faze inevitabile, cauzate fie de
apariţia unui nou produs mult mai competitiv, fie de modificarea necesitaţilor
sau preferinţelor consumatorilor.
Este necesar, să se realizeze în permanenta o sincronizare cat mai buna
între volumul producţiei pentru un produs cu nivelul cererii specifice fiecărei
perioade, şi în special trebuie acordată o atenţie speciala perioadei de maturitate
şi apoi fazelor de saturaţie şi de declin.
Contextul economico industrial actual cu o ofertă de produse foarte mare,
de o diversitate largă de tipuri şi modele ale aceluiaşi produs, a condus la
reducerea loturilor şi seriilor de fabricaţie pentru produse identice, fabricate
continuu. O firmă productivă se află astăzi, sub presiunea tripletei:
termene/costuri/performante, trebuind pe lângă cerinţele de calitate şi preţ
competitiv să realizeze şi o flexibilitate deosebită în fabricaţie la costuri cât mai
reduse la schimbarea configuraţiei şi structurii produsului care trebuie fabricat.
Ingineria concurentă, paralelă sau simultană au apărut în principal sub presiunea
factorului timp, pentru că performantele unei unităţi productive sunt determinate

14
`
în mod hotărâtor de acest parametru de eficienta reliefat cu mai multa pregnanţa
în domenii ca: industria auto, aeronautica, electronica – comunicaţii,
calculatoare, mecatronică ş.a. [9].
Învingatorii în competiţia industrială, vor fi cei care de la emiterea ideii
produsului până la lansarea acestuia pe piaţă, trecând prin fazele de proiectare,
pregătirea fabricaţiei, execuţie, control de calitate, certificarea calităţii, livrare
vor realiza toate acestea în minimum de timp. Tehnologiile de fabricaţie
flexibile integrate cu calculatorul răspund tocmai îndeplinirii acestui deziderat.
Din punctul de vedere al obiectului cursului predat vom discuta
corespunzător fazei II, fig. 1.1, diverse tehnologii şi sisteme de fabricaţie
utilizate la execuţia produselor specifice ingineriei mecatronice, de precizie
ridicată.

1.2 Condiţii necesare realizării unui proces tehnologic optim de

prelucrare

1.2.1. Structura unui proces tehnologic

Tehnologia poate fi definită ca ansamblul proceselor, procedeelor şi
mijloacelor utilizate în scopul realizării unui anumit produs.
Execuţia unei piese, plecând de la un anumit semifabricat până la stadiul de
piesă finită (conform prescripţiilor din desenul de execuţie ) implică parcurgerea
unei succesiuni logice de etape – prelucrări diferite, pe diverse maşini sau
instalaţii care formează procesul tehnologic.
Procesul tehnologic este o parte componenta a procesului de producţie în
decursul căruia se efectuează, logic si treptat, modificări si transformări asupra
materialelor semifabricate utilizate la obţinerea produsului. In cadrul procesului
tehnologic, materia primă este supusa unui sir de transformări fizice, chimice şi
mecanice în vederea obţinerii unui produs cu proprietăţi şi funcţii bine stabilite,
în conformitate cu desenul de execuţie al piesei respective.

15
`
 In funcţie de scopul urmărit, procesele tehnologice utilizate în construcţia
de maşini şi aparate au ca rezultat fie modificarea proprietăţilor fizico – chimice
ale materialelor, fie modificarea formei, a dimensiunilor, a poziţiei reciproce si a
calităţii suprafeţelor semifabricatelor şi pieselor care au fost prelucrate.
Se deosebesc, astfel, următoarele tipuri de procese tehnologice:
- de prelucrare prin care materiile prime se modifică treptat, transformându-se
în semifabricate şi apoi în piese finite;
- de control şi certificarea calităţii;
- de asamblare (montaj), prin care piesele sunt grupate ordonat în
subansambluri şi apoi în ansambluri, reprezentând produse finite;
- de reparare şi recondiţionare, prin care piesele sau subansamblurile care s-au
degradat în timp ca urmare a funcţionarii li se restabilesc caracteristicile
iniţiale.
Prin procesul tehnologic de prelucrare se modifica forma şi dimensiunile
piesei, rugozitatea suprafeţelor prelucrate şi uneori proprietăţile materialului din
care este executata piesa. Realizarea unui proces tehnologic presupune
cunoştinţe variate privind toate elementele care contribuie la finalizarea
prelucrării unei piese, fiind necesare noţiuni privind:
- interpretarea tehnologica a tolerantelor şi condiţiilor tehnice impuse prin
desenul de execuţie al piesei de prelucrat;
- parametrii tehnici în care trebuie să se încadreze semifabricatele în funcţie
de procedeul utilizat pentru obţinerea acestora;
- posibilităţi de prelucrare şi performantele maşinilor prelucrătoare, inclusiv
ca precizie şi productivitate;
- regimurile optime de prelucrare în funcţie de materialul semifabricatului,
dimensiunile piesei, tipul prelucrării s.a.;
- criteriile în funcţie de care se stabileşte succesiunea operaţiilor, fazelor şi
numărul trecerilor;

16
`
- bazarea, prinderea şi fixarea corecta a pieselor în funcţie de forma,
dimensiuni, precizie de prelucrare şi alţi factori;
- organizarea competenta a producţiei pentru a se obţine o productivitate
maxima în condiţii de securitate privind protecţia muncii si mediului ambiant
şi la costuri cât mai reduse.
Orice proces tehnologic trebuie să fie eficient, în limbaj curent acesta
înseamnă a produce mai bine, mai repede, mai ieftin şi la momentul potrivit.
Eficienta unui proces tehnologic se apreciază prin indicatorii de eficientă, dintre
care mai importanţi sunt: costul, calitatea şi siguranţa în exploatare a produselor,
productivitatea şi consumul de material.
Calitatea este o noţiune mai larga, incluzând totalitatea însuşirilor fizice,
tehnice şi estetice ale piesei sau produsului. Pornind de la faptul că în procesul
de proiectare, a piesei sau produsului i se impun o serie de condiţii legate de
aceste însuşiri, se poate stabili nivelul calităţii prin precizia piesei sau, în
general, a produsului, definite ca fiind gradul de apropiere dintre însuşirile
realizate in procesul de fabricaţie şi cele impuse in procesul de proiectare prin
desenul de execuţie.
Datorita varietăţii deosebite a însuşirilor impuse produselor, calitatea
trebuie înţeleasa în sensul larg al noţiunii, legând-o de totalitatea acestor însuşiri.
O importantă deosebita revine preciziei de execuţie a pieselor, care se apreciază
prin precizia dimensiunilor, a formei suprafeţelor, a poziţiei reciproce a
suprafeţelor prelucrate şi a calităţii – rugozității acestora.
Siguranţa in funcţionare sau fiabilitatea unui produs depinde în mod direct
de calitatea lui; un produs este cu atât mai fiabil cu cât calitatea lui este mai
buna. Pe de alta parte, o tehnologie este cu atât mai eficienta cu cât fiabilitatea
produselor fabricate este mai ridicată.

17
`
 1.3.Unele noţiuni de organizare tehnologică

In funcţie de complexitatea produsului carte trebuie executat şi de volumul

producţiei acestuia este necesara o anumita organizare tehnologica care cuprinde
de obicei etapele:
a) alegerea procedeului tehnologic optim de prelucrare(care este dependent
de materialul şi forma piesei, volumul producţiei, precizia dimensionala şi
calitatea suprafeţelor care trebuie prelucrate, mijloacele materiale şi dotarea pe
care le avem la dispoziţie);
b) stabilirea necesarului de scule, dispozitive şi verificatoare (S.D.V.)
necesare derulării procesului tehnologic respectiv;
c) realizarea unei normări tehnice corespunzătoare.
In acelaşi timp pregătirea tehnologica trebuie să satisfacă doua importante
cerinţe, care se intercondiţionează reciproc:
realizarea calităţii produsului impusa prin proiectul-desenul de execuţie pentru a
se garanta funcţionarea produsului pe toata perioada de utilizare, concomitent cu
îndeplinirea cerinţelor calitative în cele mai favorabile condiţii economice
respectiv preţ de cost cât mai scăzut (pentru a fi cât mai competitiv).
In funcţie de volumul producţiei (unicat, serie sau masa) se alege varianta
optima din punct de vedere economic. Astfel daca volumul producţiei este foarte
mic (producţie de tip unicat sau de serie mica) pregătirea tehnologica şi
cheltuielile legate de aceasta etapa trebuie reduse la strictul necesar pentru
asigurarea criteriului calitativ. In schimb, când volumul producţiei este suficient
de mare (producţie de tip serie mare sau masa) se justifica economic (datorita
amortizării cheltuielilor prin numărul mare de produse) sa se facă o pregătire
tehnologica completa cât şi investiţiile impuse de aceasta (respectiv maşini şi
utilaje specializate cu un înalt grad de automatizare).
In ultimul timp tot mai multe firme implicate în execuţia produselor de
mare complexitate şi calitate înalta, după încheierea etapei de proiectare a unui

18
`
nou produs, realizează testarea corectitudinii viabilităţii şi fezabilităţii
proiectului definitivat, prin realizarea fizica rapida a prototipului produsului
respectiv rapid prototyping. Deja multe firme produc [18] maşini în sistem
C.N.C. care executa de obicei prin prelucrare cu laser în 3D, prototipul din
materiale plastice speciale la o anumita scara sau (1:1) a piesei proiectate,
putându-se interveni rapid şi la costuri mult mai mici,atât de către tehnolog cât
și de către beneficiar cu unele modificări asupra viitorului produs înainte de a
începe fabricaţia de serie a acestuia [14].

1.4. Maşini de prelucrat şi subansambluri de bază ale acestora

În general o maşină prelucrătoare se compune din următoarele

subansambluri:
-sisteme de acţionare şi transmitere a mişcării care realizează transmiterea
energiei mecanice de la elementul motor la elementul acţionat-organul de lucru
pentru a asigura mişcările necesare procesului de prelucrare. Aceste
subansambluri sunt realizate cu sisteme mecanice, hidraulice, electrice,
pneumatice sau combinaţii ale acestora (electrohidraulice, electromagnetice,
ş.a.);
-părţile portante, includ batiuri, sănii, ghidaje, mese şi alte elemente;
-sisteme de comandă, prin care se stabilesc parametrii de lucru-funcţionare ai
maşinii, asigurându-se conducerea totală sau parţială a ciclului de prelucrare. Pot
cuprinde şi sisteme pentru calcul, programare, realizare cote, reglare regimuri de
lucru, controlul dimensiunilor, dirijare, ş.a.;
-sistemele auxiliare cuprind dispozitivele şi echipamentele de ungere ale
maşinii, răcire-ungere ale sculelor, termostatarea mediilor de lucru, îndepărtarea
adaosului de prelucrare dislocat (şpan, particule de material abraziv) ş.a.;
sisteme de alimentare cu semifabricate şi de evacuare a pieselor la finele ciclului
de lucru.

19
`
 Orice maşină de prelucrat se compune în esenţă din unul sau mai multe
organe de execuţie şi unul sau mai multe organe motoare. Ansamblul şirului de
mecanisme de orice fel care primesc mişcarea de la organul motor, o transmite,
transformă şi o livrează organului de execuţie poartă numele de lanţ cinematic.
Pentru generarea unei suprafeţe pe maşini este necesar ca între sculă-
electrod-sculă şi piesa de prelucrat să existe o mişcare relativă, rezultată din
compunerea mişcărilor în lungul curbelor directoare şi generatoare. Pentru
realizarea acestor mişcări o maşină de prelucrat se caracterizează printr-o
anumită schemă cinematică. Cinematica maşinii constând dintr-un anumit
număr de mecanisme şi cuple cinematice de tip fus-lagăr, sanie-ghidaj ş.a., se
poate reprezenta grafic cu ajutorul unor semne-simboluri grafice convenţionale
standardizate (fig. 1.2) rezultând schema cinematică a maşinii respective (STAS
1543-86), care este formată din unul sau mai multe lanţuri cinematice.

Lanţurile cinematice ale unei maşini de prelucrat se pot împărţi în două

clase:
- Lanţuri cinematice generatoare, prin care se realizează antrenarea
organelor de execuţie ce participă nemijlocit la generarea suprafeţelor
şi comportă mai multe mişcări dintre care una principală (necesară
pentru îndepărtarea adaosului de prelucrat) şi una sau mai multe mişcări
de avans (pentru repetarea mişcării principale şi pentru realizarea
formei piesei). Aceste lanţuri se subdivid în lanţuri cinematice
generatoare principale şi lanţuri cinematice generatoare de avans.
- Lanţuri cinematice auxiliare, cuprind lanţurile cu rol de deservire, de
control, de protecţie sau pentru darea unor comenzi care nu
influenţează procesul de generare a suprafeţelor.

20
`
 Fig. 1.2

a. roată dinţată cilindrică mobilă pe arbore;

b. roată dinţată cilindrică fixă pe arbore;
c. roată dinţată cilindrică baladoare;
d. roată dinţată conică;
e. sector dinţat;
f. angrenaj melc-roată melcată;
g. angrenaj încrucişat cilindric;
h. angrenaj pinion cremalieră;
i. cuplă de rotaţie plană;
j. cuplă şurub;
k. articulaţie sferică;
l. cuplaj compresor axial (telescopic);
m. cuplaj mobil;
n. ambreiaj cu fricţiune conic;
o. transmisie cu curea rotundă;
p. transmisie cu lanţ;
r. transmisie directă cu curea lată.

Studiul funcţionării mecanismelor componente ale unei maşini pe lanţuri

cinematice componente poartă numele de analiză cinematică.
Varietatea constructivă şi dimensională a mecanismelor destinate obţinerii
anumitor mişcări poate fi mare, opţiunea pentru o anumită variantă depinde de
mai mulţi factori, funcţionali sau tehnologici, de numărul şi tipul lanţurilor
cinematice cât şi de modul cum sunt combinate între ele. Astfel, din combinarea

21
`
diferită a aceluiaşi număr şi tip de lanţuri cinematice pot rezulta structuri
cinematice diferite care să conducă la obţinerea anumitor mişcări şi parametri
tehnico-funcţionali pentru sculă şi piesă.
În cadrul lucrărilor de laborator se vor ridica schemele cinematice pentru
strungul TOS MN 80, maşina de frezat roţi dinţate de modul mic prin rulare,
maşina de lepuit şi maşina de divizat liniar.[6]

1.5 Generarea tehnologică a suprafeţelor pieselor pe maşini

Întrucât forma şi configuraţia pieselor care trebuie executate prin prelucrare

pe maşini este foarte variată (cilindrice, conice, elicoidale, sferice, evolventice,
ş.a.) realizarea acestor suprafeţe este dependentă de procesul de generare al
suprafeţei adoptat, respectiv generare prin copiere, utilizând scule profilate
corespunzător sau generare pe cale cinematică pentru suprafeţele profilate
complex (impunându-se prin comenzi adecvate anumite mişcări pentru scule şi
semifabricat). În funcţie de procesul de generare al suprafeţei de prelucrat
adoptat şi de mişcările relative necesare între sculă şi piesă, se alege cinematica
maşinii prelucrătoare.
Deci, o anumită formă a suprafeţei piesei care trebuie prelucrată impune o
anumită construcţie a maşinii de prelucrat şi o cinematică adecvată acesteia. În
general, modul de obţinere al suprafeţelor pieselor pe maşini este condiţionat de
principiile teoretice de generare ale suprafeţelor respective, procesul tehnologic
de execuţie al suprafeţelor prin diferite procedee de prelucrare clasice sau
neconvenţionale, reproducând, în principiu, generarea geometrică a acestora.
De exemplu, considerând că o suprafaţă a unei piese este prelucrată de un
singur punct al tăişului sculei, este necesar ca traiectoria pe care acesta se
deplasează să treacă cel puţin odată prin fiecare punct al suprafeţei ce urmează a
fi prelucrată.

22
`
 Cele mai multe suprafeţe prelucrate se obţin prin deplasarea părţii active a
sculei pe o curbă “generatoare cinematică” care la rândul ei se deplasează pe o
curbă “directoare”, cele două deplasări având loc concomitent sau alternativ.
Curbele generatoare (G) şi
curba directoare (D) putând fi
curbe plane sau curbe în spaţiu,
cum se poate vedea în (fig.1.3), în
care sunt prezentate trei procedee
de prelucrare (strunjirea unei
suprafeţe plane, strunjirea unei
suprafeţe conice şi respectiv Fig. 1.3

rectificare plană).

1.5 Unele probleme privind precizia de prelucrare

Precizia de execuţie impusă unei piese se specifică în desenul de execuţie

al acesteia şi se poate exprima prin mai multe elemente:
- precizia dimensională;
- calitatea-rugozitatea suprafeţelor prelucrate;
- abaterile de formă geometrică;
- abaterile de la poziţia reciprocă a suprafeţelor importante.
După procesul de prelucrare, piesele nu pot rezulta absolut exacte, întrucât
ar creşte, de cele mai multe ori inutil, costul execuţiei. De aceea, în desenul de
execuţie se indică abaterile admisibile de forma, ale dimensiunilor, pentru
rugozitate, ş.a.
Ordinul de mărime al abaterilor admisibile indică gradul de precizie
impus pentru operaţiile de prelucrare, astfel încât să se asigure o funcţionare
corespunzătoare a produsului în timp şi un anumit grad de interschmbabilitate
între piese.

23
`
 Gradul de precizie ce se prescrie pentru execuţia unei piese este
dependent de rolul funcţional al acesteia, indicându-se întotdeauna toleranţele,
rugozitatea şi abaterile de formă cele mai largi, pentru a nu creşte foarte mult
costurile de fabricaţie.
Precizia dimensională se evidenţiază prin toleranţele în care este permisă
execuţia unei cote şi se exprimă prin 18 trepte de precizie notate: 01; 0.1; 1; 2;
… 16. Treptele 01 … 7 sunt proprii pentru piesele de mare precizie şi calibre.
Treptele 5 … 11 cuprind piesele care formează ajustaje, iar treptele 11 …
16 cuprind toleranţele specifice pieselor cu dimensiuni libere şi pentru
semifabricate.
Abaterile de formă geometrică se indică pe desenele de execuţie cu
următoarele notaţii simbolice:

abaterea de la forma circulară abaterea de la forma cilindrică

abaterea de la rectilinialitate abaterea de la planitate

abaterea de la forma dată a profilului abateri de la poziţia normală

abateri de la coaxialitate abaterea de la forma dată a sup

abateri de la intersecţii abateri de la paralelism

abateri de la înclinarere
bătaia radială

abateri de la perpendicularitare abateri de la simetrie

24
`
 Factorii care influenţează precizia de prelucrare se pot grupa în două grupe:
a) Independenţi de solicitări (forţele ce apar la prelucrare) cuprind:
- Erori din construcţia maşinii prelucrătoare, dispozitivelor de lucru,
proprii sculei sau produse de uzură acesteia;
- Erori provocate de reglajul incorect al maşinii de prelucrat,
dispozitivelor sau sculelor utilizate;
- Erori datorate bazării incorecte a piesei;
- Erori produse în timpul măsurării şi din cauza impreciziei aparatului
de măsură utilizat.
b) Dependenţi de solicitări, respectiv:
Rigiditatea limitată a sistemului tehnologic format din: maşini prelucrătoare,
dispozitive de prindere piesă-sculă;
Deformaţiile termice ale sistemului tehnologic;
Alterări ale reglajelor maşinii prelucrătoare în timpul prelucrării;
Neomogenităţi ale materialului de prelucrat.
Având în vedere importanţa deosebită a preciziei de prelucrare pentru
anumite sisteme, aceste probleme vor fi particularizate pentru fiecare tip de
prelucrare şi utilaj specific.
Maşinile de prelucrat pot transmite integral sau parţial erorile lor de
execuţie pieselor ce se prelucrează pe aceste maşini, impunându-se de aceea
cunoaşterea limitelor de precizie economică şi maximă posibilă de obţinut pe
maşini, valori ce trebuie comparate cu toleranţele de execuţie ce se impun piesei.
Erorile admise ale unei maşini sunt prevăzute în standarde şi norme, fiind
indicate, de asemenea, şi verificările ce trebuie efectuate unei maşini de
prelucrat, momentul când se fac şi cum se execută aceste verificări (tabelul 1.1).
O altă caracteristică a maşinilor de lucru care influenţează precizia de
prelucrare şi rugozitatea piesei este rigiditatea maşinii privită atât ca întreg cât şi
ca rigiditatea diferitelor subansamble ale maşinii.

25
`
 În timpul proceselor de prelucrare a pieselor pe maşini pot apărea forţe
care să producă deformaţii în sistemul elastic de prelucrat – dispozitiv – piesă –
sculă, care pot duce la apariţia erorilor de prelucrare. Pentru a se reduce aceste
deformaţii elastice este necesar ca întregul sistem să aibă rigiditate, din cauza
lipsei de rigiditate pot apărea vibraţii. De exemplu, la aşchiere, ca efect negativ
al apariţiei vibraţiilor are loc înrăutăţirea calităţii suprafeţelor prelucrate.
Cu cât rigiditatea unei maşini este mai mare cu atât se va putea prelucra cu
regimuri de lucru mai intense, deci se poate obţine o productivitate mai mare.
Rigiditatea tehnologică se apreciază cu relaţia:
F(x,y,z)
R(x,y,z) = ———— (daN/mm) unde:
f(x,y,z)
F - forţa de prelucrare (aşchiere) care provoacă deformaţia (daN);
f - deformaţia – săgeata (mm);
x,y,z – direcţiile după care se măsoară forţele de aşchiere, săgeata şi rigiditatea
maşinii.
În locul rigidităţii maşinii sau sistemului tehnologic se poate lua în discuţie
elasticitatea (gradul de deformare) al acestuia:

W = 1/R

În domeniul mecatronicii și mecanicii de precizie datorită forţelor mici de

prelucrare care se dezvoltă, rigiditatea maşinilor este în general satisfăcătoare,
problema punându-

se în mod deosebit la maşinile de rectificat, maşinile de lepuit, maşinile de

honuit, ş.a., la care este necesară o rigiditate mai mare a maşinii unelte pentru a
elimina sau micşora vibraţiile ce pot apărea în timpul procesului de prelucrare.

26
`
 Tabelul 1.1

Rugozitatea suprafeţei posibilă de obţinut prin diferite procedee de prelucrare

Degroşar
Grupa Foarte netedă Netedă Seminetedă
e
Felul Clasa de
prelucrării 13 14 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
calitate
Ra,
0.012 0.025 0.05 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 3.2 6.3 12.5 25 50 100
în μm
Lepuire manuală ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Lepuire mecanică ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Vibronetezire
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Polisare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Calibrarea găurilor cu
bilă ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬

Rularea pivoţilor ▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬

▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Strunjire cu diamant
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Rectificarea filetului
exterior
▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Rectificare exterioară
▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Rectificare interioară
▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Broşare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Alezare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Strunjire de finisare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Frezare de finisare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Rabotare de finisare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
Strunjire, frezare

Rabotare de degroşare
▬▬▬▬▬▬▬▬▬

27
`
 O altă problemă, care are importanţă mare pentru maşinile de mare precizie
o reprezintă jocurile din lagărele maşinii care trebuie să fie realizate în toleranţe
cât mai mici, deoarece turaţiile de lucru şi precizia de prelucrare sunt ridicate în
mecanica fină.
Probleme deosebite se ridică la maşinile de precizie şi din punctul de
vedere al modificării regimului de temperatură datorat frecărilor din cutiile de
viteze, cutiile de avansuri, din lagăre, cât şi al modificării temperaturii din băile
de ulei ale cutiilor de viteze sau avansuri cât şi a modificării temperaturii din
zona de prelucrare.
De exemplu, o creştere cu aproximativ 20 - 25ºC a temperaturii uleiului în
baia cutii de viteze a unui strung normal are ca efect deplasări ale arborelui
principal al maşinii de 10 – 20 μm.
Se impun, de aceea măsuri de termostatare a agentului de ungere, la
maşinile de mare precizie[ ].
Un alt factor care influenţează precizia de prelucrare este uzura maşinilor
care trebuie luată în considerare atunci când se impune o precizie de prelucrare
ridicată, uzura fiind funcţie de timpul de utilizare ale maşinii prelucrătoare
respective.
Ca elemente şi subansambluri ale maşinilor de prelucrat care suferă o uzură
mai mare în timp sunt: ghidajele batiului, şuruburile conducătoare, lagărele,
angrenajele, rulmenţii, ş.a. La instalaţiile la prelucrare prin electroziune se pot
uza mai rapid sistemele de ghidare ale suportului port – electrod – sculă şi de
menţinere a interstiţiului de lucru, iar la instalaţiile de prelucrat cu laser, lămpile
flash, bastoanele de mediu activ laser, oglinzile cavităţii rezonante.
Dispozitivele de lucru pot influenţa precizia de prelucrare prin sistemele de
bazare, respectiv elementele de reazem, prin forţele de strângere care, asigurând
prinderea şi fixarea, nu trebuie să deplaseze sau deformeze piesele. Se impune
ca piesele importante din construcţia dispozitivelor să se execute cu 1-2 trepte de
precizie superioare cotelor pieselor la a căror prelucrare sunt folosite.

28
`
 Sculele şi electrozii sculă utilizaţi la prelucrare pot influenţa precizia de
execuţie prin transmiterea directă a erorilor dimensionale şi ale elementelor
geometrice de profil.
Erorile provenite din reglajul maşinii pot avea drept cauză abaterile care
intervin când sculele nu sunt poziţionate corect faţă de piesă. Reglajul sculelor
(electrozilor sculă) la cotă, fiind diferenţiat în funcţie de tipul şi gradul de
precizie al maşinii prelucrătoare. [2,3,6].
Alţi factori specifici vor fi discutaţi pentru fiecare tip de sistem de
prelucrare în capitolele următoare.[1,3,4]

2. TEHNOLOGII DE PRELUCRARE A SUPRAFEŢELOR PLANE

2.1. Consideraţii generale

În structura sistemelor mecatronice sunt multe piese care au una sau mai
multe suprafeţe plane, cum ar fi, de exemplu, carcasele, batiurile, coloanele,
mesele maşinilor – uneltelor ş.a. Unele dintre aceste suprafeţe ale pieselor care
trebuie prelucrate îndeplinesc funcţii de bază, fiind prevăzute cu alezaje, altele
cu rol de ghidare, de reazem sau de fixare.
Condiţiile tehnice care se impun la execuţia acestor suprafeţe plane se
referă la: planitatea suprafeţelor, paralelismul sau perpendicularitatea axelor faţă
de suprafaţa plană principală a piesei, rectilinitatea suprafeţelor, poziţii
reciproce, ş.a.
Suprafeţele plane pot fi prelucrate prin aşchiere, utilizând diferite procedee:
rabotare, mortezare, frezare, broşare, strunjire plană, rectificare. Dintre
procedeele de finisare a suprafeţelor plane se menţionează: frezarea fină,
rectificarea, lepuirea sau răzuirea.
Alegerea procedeului de prelucrare optim se face în funcţie de forma şi
dimensiunile piesei, de natura şi starea materialului, de precizia de prelucrare

29
`
impusă, de volumul de fabricaţie
cerut, de utilajele de prelucrare pe
care le avem la dispoziţie şi de
mijloacele financiare de care
dispunem.

2.2. Rabotarea suprafeţelor

plane

Rabotarea este o prelucrare prin aşchiere care se realizează prin combinarea

mişcării principale, totdeauna rectilinie alternativă executată de piesa –
semifabricat cu mişcarea secundară de avans intermitent executată de către
scula maşinii de rabotat longitudinal, fig. 2.1, sau în cazul maşinilor de rabotat
transversal (shepinguri) scula execută mişcarea principală rectilinie alternativă,
iar piesa mişcarea de avans intermitent, fig. 2.2, după fiecare cursă dublă a
cuţitului de rabotat.[ ]

Prin rabotare se pot prelucra

suprafeţe plane şi profilate,
Fig. 2.1
orizontale, verticale şi înclinate, iar
cu dispozitive speciale pot fi
generate şi alte suprafeţe [1,3].
Maşinile de rabotat şi shepingurile se
utilizează la producţia de tip piese
unicat sau serie mică, datorită
productivităţii scăzute, gradului mare
de universabilitate al maşinilor,
preciziei satisfăcătoare de prelucrare
Fig. 2.2
şi costului prelucrării mai mic în

30
`
comparaţie cu prelucrarea pe maşini
de frezat.
Precizia de prelucrare obţinută la rabotare în cazul aşezării şi fixării corecte
a pieselor este de:
- pe maşini de rabotat longitudinal, rectilinitatea în limite de 0,02 mm pe
lungimea de 1000 mm, cu abatere totală de la rectilinitate de 0,05 mm pe
întreaga lungime a piesei;
- pe shepinguri, rectilinitatea în limite de 0,02 mm pe 300 mm lungime.
Pe maşinile de rabotat longitudinal se pot executa următoarele categorii de
prelucrări de suprafeţe plane: rabotarea suprafeţelor plane orizontale, verticale,
înclinate sau în trepte.
Suprafeţele orizontale se prelucrează, de obicei, cu cuţite fixate pe
suporturile centrale de pe traversa maşinii, iar suprafeţele verticale se rabotează
cu cuţite fixate pe suporturile laterale sau pe suporturile centrale. Suprafeţele cu
înclinaţie mică şi lăţime mare, fig. 2.3, a, folosind rigla 1 a cărei înclinare poate
fi variată după necesitate. Scula portcuţit se cuplează prin intermediul rolei 2,
astfel încât atunci când se imprimă saniei suportului avansul intermitent
orizontal, cuţitul se deplasează pe verticală, corespunzător înclinării riglei.
În figura 2.3 şi figura 2.4 sunt
prezentate câteva tipuri de suprafeţe
care pot fi obţinute prin rabotare.
Astfel în figura 2.3 se prezintă
execuţie cremalierelor dinţate, cuţitul de
rabotat materializând forma golului
dintre doi dinţi ai cremalierei.

Fig. 2.3 În figura 2.4, a, se prezintă

execuţia suprafeţelor înclinate cu

31
`
ajutorul unui dispozitiv cu riglă înclinată, iar în figura 2.4, b, rabotarea
simultană cu trei cuţite 1, 2, 3 procedeu utilizat la rabotarea ghidajelor
maşinilor-
unelte. Reglarea poziţiei cuţitelor
se face cu ajutorul unui şablon care are profilul identic cu secţiunea transversală
a ghidajului sau batiului de prelucrat.
Pentru a mări productivitatea pe maşinile de rabotat se utilizează:
- prelucrarea simultană cu mai multe cuţite;
- folosirea unor dispozitive de prindere rapidă a semifabricatelor, acţionate
pneumatic sau hidraulic;
- prelucrarea simultană a mai multor semifabricate fixate în „pachet” pe
masa maşinii.

2.3. Prelucrarea prin mortezare

Mortezarea este procedeul de prelucrare realizat prin combinarea mişcării

principale totdeauna rectilinie alternativă executată de sculă pe direcţie verticală,
cu mişcarea de avans intermitent executată de piesa – semifabricat.
În figura 2.5 sunt prezentate mai multe operaţii tipice de mortezare, astfel
a – canal de pană interior;

32
`
 b – canal înclinat pentru pană;
c şi d – caneluri interioare;
f şi g – suprafeţe prismatice;
g – suprafaţă profilată;
i – cremalieră.

Fig. 2.5

2.4. Frezarea suprafeţelor plane

Frezarea este procedeul de prelucrare prin aşchiere realizat prin combinarea
mişcării principale, totdeauna, de rotaţie executată de către scula-freză, cu
mişcări de avans rectiliniu, circular sau combinate executate de piesă şi/sau
freză.
Frezarea suprafeţelor plane este larg utilizată la fabricaţia de serie sau de
tip masă, înlocuind rabotarea.
Frezele fac parte din categoria sculelor aşchietoare cu mai mulţi dinţi,
dispuşi pe un corp cilindric sau conic, ficşi (monobloc) sau dinţi demontabili.
La frezarea suprafeţelor plane, opţiunea pentru o anumită metodă de
frezare, maşină de frezat şi scule aşchietoare utilizate (freze) este în funcţie de
configuraţia, dimensiunile şi poziţia reciprocă a suprafeţelor de prelucrat şi a
celor de aşezare – bazare.
Pentru suprafeţele plane orizontale se pot folosi frezele cilindrice, respectiv
frezele frontale, fig. 2.6, a sau cilindro-frontale, fig. 2.6, b.
Frezarea cu freze frontale este mai productivă decât frezarea cu freze
cilindrice sau elicoidale, deoarece la aşchiere participă simultan un număr

33
`
 mai mare de dinţi ai
sculei şi forţele de
aşchiere se echilibrează,
astfel că freza aşchiază
fără vibraţii.
Diametrul frezelor
frontale poate fi de
60  500 mm, astfel că
suprafeţele mari pot fi
Fig. 2.6
prelucrate dintr-o singură
trecere.
Dacă suprafaţa plană de
prelucrat este orizontală, sau două
suprafeţe paralele sau suprafaţa
de aşezare a piesei, frezarea se
poate executa pe o maşină de
frezat vertical sau pe o maşină de
frezat orizontal utilizând freze
cilindrice elicoidale, fig. 2.7, b
(vezi laborator [6]). În aceste
situaţii, diametrul frezei frontale,
respectiv lăţimea frezei cilindrice
trebuie să fie mai mare decât
Fig. 2.7
lăţimea suprafeţei orizontale
frontale de prelucrat.
Frezarea suprafeţelor plane verticale (perpendiculare pe suprafaţa de
aşezare a piesei) se execută cu freze frontale pe maşini de frezat orizontal, fig.
2.7, a, cu freza cilindro-frontală (deget), fig. 2.7, b, sau cu două freze frontale,
fig. 2.7, c, pe maşini universale de frezat.

34
`
 2.5. Strunjirea suprafeţelor plane
Suprafeţele plane frontale ale pieselor de revoluţie se pot prelucra prin
strunjire pe strunguri universale, fig. 2.8, strunguri revolver sau strunguri
automate. La piesele de mari dimensiuni (sau grele) unele suprafeţe plane pot fi
prelucrate pe strungul carusel.Strunjirea suprafeţelor plane se execută utilizând
acelaşi sistem de aşezare şi fixare a piesei folosit şi la prelucrarea suprafeţelor
cilindrice exterioare sau interioare pentru a asigura condiţia de poziţie reciprocă,
respectiv perpendicularitatea suprafeţelor.

Fig. 2.8

2.6. Broşarea suprafeţelor plane

Broşarea, cu toate că nu este procedeu tipic de prelucrare pentru suprafeţe

plane, ci mai mult pentru suprafeţe profilate, se utilizează datorită preciziei
ridicate şi calităţii bune a suprafeţei prelucrate.
Sculele utilizate, broşele, au
o construcţie complexă cu mai
mulţi dinţi, fiecare aşchiază un
strat de metal care constituie o
parte din adaosul de
prelucrare, figura 2.9,

Fig. 2.9

35
`
ultimii dinţi utilizaţi fiind pentru
finisarea suprafeţei prelucrate.
Broşa 1, execută mişcarea
principală de aşchiere, nefiind
necesară o mişcare de avans.
În figura 2.10 sunt prezentate unele posibilităţi de prelucrare
prin broşare a unor suprafeţe interioare sau exterioare.
Precizia de prelucrare prin broşare se încadrează la calităţile 2  5150 ,
Fig. 2.10
iar rugozitatea suprafeţelor prelucrate Ra  0,2  1,6 μm .

2.7. Tehnologii de finisare a suprafeţelor plane

Pentru finisarea suprafeţelor plane se pot utiliza următoarele procedee:

frezarea fină, rectificarea, răzuirea şi lepuirea.

2.7.1. Rectificarea suprafeţelor plane

Rectificarea este procedeul de finisare prin aşchiere rezultat din combinarea

mişcării principale, totdeauna de rotaţie, executată de scula abrazivă cu mişcări
de avans rectiliniu executate de piesă şi/sau sculă.
În urma procesului de rectificare sunt corectate toate cele patru categorii de
erori posibile de prelucrare (dimensionale, de formă geometrică, de poziţie
reciprocă a suprafeţelor prelucrate şi rugozitatea acestora).

36
`
 Fig. 2.11

Schema de principiu la rectificarea plană este asemănătoare cu frezarea, cu

deosebirea că scula abrazivă, 1, figura 2.11 este o sculă cu o infinitate de tăişuri,
formate de granule abrazive dispuse arbitrar în masa de liant a discului, deci şi la
periferia sculei abrazive, aşchierea făcându-se cu unghiuri de degajare - γ ,
foarte diferite iar vitezele de aşchiere sunt mult mai mari comparativ cu operaţia
de

frezare [3, 4].

Rectificarea se aplică acelor suprafeţe a căror precizie de prelucrare şi
rugozitate a suprafeţelor nu poate fi asigurată prin frezare sau rabotare.[ ]

37
`
 De asemenea se mai rectifică suprafeţele pieselor tratate termic sau
semifabricatele turnate pentru îndepărtarea stratului superficial dur de la
suprafaţa piesei.
Se utilizează următoarele metode de rectificare plană:
- rectificare cu suprafaţa periferică a discului abraziv, fig. 2.12 ;
- rectificare cu suprafaţa frontală a piesei de rectificat, fig. 2.13.
Rectificarea cu periferia discului abraziv se poate executa pe maşini de
rectificat plan cu masa dreptunghiulară, figura 2.12 sau cu masa rotativă [6].
Discul abraziv cilindric execută mişcarea principală de rotaţie I, avansul de
pătrundere IV şi avansul transversal III pe lăţimea piesei. Masa pe care este
fixată piesa, de obicei electromagnetic, efectuează mişcarea rectilinie alternativă
de avans longitudinal II. La maşinile de

rectificat cu masa rotundă, în afară de

rotaţia I a discului abraziv 2, în timpul
12 rectificării, se mai execută rotaţia continuă
II a mesei 1 pe care sunt fixate piesele,
avansul radial rectiliniu alternativ III al
discului abraziv şi avansul vertical de
pătrundere IV care se execută periodic

după fiecare trecere.

Rectificarea cu partea frontală
a sculei abrazive (Fig. 2.13) se
efectuează pe maşini de rectificat cu
masa dreptunghiulară sau rotundă,

38
`
diametrul sculei nefiind în acest caz mai mare decât lăţimea pieselor.
Rectificarea cu partea frontală a sculei abrazive este mai productivă decât
cea cu partea periferică, deoarece în timpul procesului de aşchiere se află în
contact cu suprafaţa de rectificat o suprafaţă mai mare a sculei, deci lucrează
simultan un număr mai mare de granule pe suprafaţa piesei.
Deşi rectificarea plană cu partea periferică este mai puţin productivă,
aceasta asigură în schimb suprafeţe plane foarte netede, cu o precizie mai mare
decât la rectificarea cu partea frontală. Operaţia de rectificare cu periferia
discului are şi avantajul unei încălziri mai mici atat a piesei cat si a sculei faţă de
rectificarea cu suprafaţă frontală a discului.
La rectificare, foarte important este să se aleagă în mod corespunzător,
liantul discului abraziv, în funcţie de materialul de rectificat, metoda de
rectificare şi regimul de lucru adoptat. Astfel pentru rectificarea materialelor
metalice moi se aleg pietre abrazive cu duritate ridicată, iar pentru rectificarea
materialelor metalice dure se aleg pietre abrazive moi.[vezi laborator].
În acelaşi timp trebuie ţinut cont şi de stadiu prelucrării, astfel la
rectificarea la degroşare trebuie să se utilizeze discuri abrazive dure (liant
ceramic) cu granulaţie mare, iar pentru rectificarea de finisare să se folosească
pietre abrazive moi (liant organic) cu granulaţie mică.
La rectificarea plană se poate obţine o precizie în parametrii economici
favorabilă în treptele 5-6 şi o rugozitate a suprafeţelor prelucrate Ra  0,4  1,6 μm
2.7.2. Frezarea de finisare

Frezarea de finisare se utilizează ca procedeu de prelucrare finală a

suprafeţelor plane şi se realizează cu freze frontale cu dinţi demontabili armaţi
cu plăcuţe din carburi metalice, cu unghiul de degajare - γ de  4,...,15 .
Pentru obţinerea unei bune rugozităţi, se recomandă regimuri de aşchiere care să
se încadreze în valorile de aşchiere t  0,1...0,2  mm, avansul “s” 0,03...0,2 
mm/dinte, viteza de aşchiere „va” 200...300  m/min, la frezarea oţelului şi la

39
`
300...600  m/min la frezarea aliajelor neferoase. Se pot obţine rugozităţi ale
suprafeţelor Ra  0,8  0,4  μm şi abateri de la planitate de cel mult
0,02...0,04 mm/1000 mm lungime.

2.7.3. Răzuirea suprafeţelor plane

Răzuirea este o operaţie se netezire efectuată cu o sculă numită răzuitor,

fiind specifică de obicei ghidajelor de la batiurile maşinilor-unelte. Se realizează
manual sau mecanic. Răzuirea manuală este puţin productivă şi obositoare,
poate dura de la câteva ore până la zeci de ore în funcţie de lungimea suprafeţei
răzuite, însă asigură o precizie ridicată. La răzuirea mecanică, răzuitorul este
ataşat la un mecanism care îi imprimă mişcarea de aşchiere.
Pentru a stabili cu precizie locurile care trebuie răzuite, se folosesc plăci
sau rigle de tuşat, pe care se aplică un strat subţire de vopsea; aceasta se
deplasează pe suprafaţa plană, astfel că proeminenţele suprafeţei se vor acoperi
cu vopsea şi vor fi supuse răzuirii. Operaţia aceasta se repetă de câteva ori, până
când petele de vopsea sunt uniform distribuite pe suprafaţa prelucrată.

2.7.4. Lepuirea suprafeţelor plane

Lepuirea este o operaţie de finisare mecanică, sau mecano-chimică în

urma căreia se obţine o îmbunătăţire substanţială, a calităţii – rugozităţii
suprafeţelor prelucrate (se ajunge la 0,01  0,2 μm ), celelalte erori
existente,conservându-se.

Lepuirea se realizează prin rodarea suprafeţei de prelucrat cu pulberi

abrazive (electrocorund, carbură de siliciu, oxid de crom, carbură de bor), foarte
fine, aflate în suspensie într-o anumită soluţie. Drept suport pentru scule –
granulele abrazive se utilizează, discuri metalice (din cupru, plumb, oţel moale,

40
`
fontă cenuşie, materiale plastice) la lepuirea exterioară, plană sau cilindrică şi
dornuri pentru lepuirea alezajelor.
Întrucât soluţia în care se găsesc granulele abrazive, conţine şi anumite
substanţe chimic active pentru materialul de prelucrat, ca efect al reacţiilor
chimice care au loc, se formează la suprafaţa materialului de prelucrat pelicule
de oxizi metalici, uşor de îndepărtat prin abraziune, suprafaţa lepuită rezultată
având un aspect deosebit.
Maşinile de lepuit trebuie să asigure o mişcare cât mai complexă pentru
granule abrazive (condiţia cinematică care se impune este ca o granulă abrazivă
să nu parcurgă de două ori aceeaşi traiectorie), în anumite condiţii de viteză,
15  200 m/min , presiune 0,1  3 daN/cm 2  şi temperatură 20  50 C  [3].
Mărimea granulelor abrazive este de 100  200 μm în prima fază şi de 1  20 μm
pentru lepuirea de finisare.
Sunt disponibile mai multe variante constructive de maşini de lepuit, pentru
suprafeţe plane, pentru suprafeţe de revoluţie şi maşini de lepuit speciale.
Lepuirea suprafeţelor plane are loc între două discuri de lepuit, unul
superior – 1 şi un disc inferior – 2, prin intermediul cărora în prezenţa granulelor
sau a pastei abrazive – 3, are loc lepuirea pieselor – 4, fixate în colivia – 5 care
este antrenată într-o mişcare complexă prin intermediul excentricului – 6, figura
2.14.
Fixarea discului superior în arborele maşinii – 7 se face printr-un cuplaj
sferic – 8, care permite autocentrarea discului – 1 în raport cu discul inferior – 2.

41
`
 Pentru a avea loc
lepuirea, este necesar să aibă
loc o alunecare relativă între
discurile 1 şi 2 şi
semifabricat-piese, condiţie
care se realizează atunci când:

n1  n2  n3
unde n1 este mişcarea de
rotaţie a discului – 1, n2
mişcarea de rotaţie a discului Fig. 2.14
– 2, n3 este mişcarea de rotaţie a coliviei – 5.
Pentru lepuirea pieselor pe o singură suprafaţă există maşini de lepuit cu un
singur disc de lepuit [4].
În funcţie de varianta constructivă a maşinii de lepuit traiectoriile descrise de
piesele montate în colivie sunt foarte diferite, câteva fiind date în figura 2.15.
Prin lepuire se prelucrează suprafeţele active ale calibrelor, calelor plan –
Fig. 2.15

paralele, instrumentelor de măsurare şi control, inele şi role pentru rulmenţi,

42
`
elemente de etanşare pentru sisteme hidraulice şi pneumatice, piese din ferită,
cuarţ, germaniu, siliciu ş.a.
Adaosul de prelucrare la lepuire este de 0,005  0,012 mm la lepuirea de
degroşare şi de 0,002  0,008 mm pentru operaţiile de finisare.
Lepuirea permite obţinerea unui înalt grad de precizie dimensională
 0,005  0,001 mm şi realizarea unei rugozităţi deosebite,
Ra  0,2  0,0125 μm [3,4], celelate erori ale piesei de prelucrat conservându-se.

43
`
 3. TEHNOLOGII DE PRELUCRARE A SUPRAFEŢELOR CILINDRICE
ŞI CONICE EXTERIOARE ŞI INTERIOARE

3.1. Consideraţii generale

Prelucrarea suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare se poate face prin
mai multe procedee: strunjire, frezare, electroeroziune ş.a., opţiunea pentru un
anumit procedeu fiind în funcţie de materialul şi gradul de complexitate al
piesei, volumul producţiei, mijloacele de fabricaţie şi financiare avute la
dispoziţie.

3.2. Execuţia suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare

Strunjirea este procedeul de prelucrare prin aşchiere cu ponderea cea mai

mare comparativ cu celelalte
prelucrări utilizate la execuţia
suprafeţelor cilindrice şi conice(peste
50%).
La strunjire mişcarea principală
este de rotaţie, n p , fiind executată de

către piesa-semifabricat - 1, scula-

cuţitul de strunjit – 2, execută
mişcarea de avans longitudinal, sl şi
mişcarea de avans transversal, st , fig.
3.1.
În urma combinării celor trei mişcări, prin strunjire se pot genera în afară
de suprafeţele cilindrice şi conice şi suprafeţe sferice, spirale, elicoidale,
excentrice, complexe ş.a.

44
`
 3.2.1. Generarea suprafeţelor cilindrice

Generarea suprafeţelor cilindrice prin strunjire se poate face prin copiere

(se utilizează cuţite profilate late având negativul profilului piesei), cu
generarea pe cale cinematică a profilului suprafeţei piesei de prelucrat sau cu
generatoarea programată (comenzi după program, cap. 8).
Sculele utilizate, cuţitele de strunjit sunt de o mare diversitate, fig. 3.2, în
care sunt prezentate şi prelucrările ce pot fi executate. Cuţitul pentru strunjit
cilindric exterior, fiind scula de referinţă, în funcţie de care sunt definite
elementele geometrice, muchiile, feţele, părţii active ale unei scule [1,3,4,6].
Cuţitele de strunjit se clasifică, după mai multe criterii: sensul avansului, forma
constructivă a corpului, tipul strunjirii, materialul din care sunt executate, tipul

Fig. 3.2

constructiv (monobloc sau cuţite armate cu plăcuţe dure din carburi metalice)
ş.a. [3,6].[vezi laborator]
Strungurile utilizate sunt realizate într-o mare diversitate de variante
constructive, în funcţie de forma şi dimensiunile suprafeţelor prelucrate, tipul
producţiei (universale, semiautomate, automate, cu cap revolver ş.a), după
poziţia axei de rotaţie a arborelui principal (orizontale, verticale), după tipul

45
`
pieselor prelucrate (strunguri pentru arbori cotiţi, pentru axe cu came, pentru
detalonat, pentru bandajele roţilor de cale ferată, ş.a.) [1,3,4,6].

3.2.2. Suprafeţele conice exterioare pot fi prelucrate prin

strunjire utilizând mai multe metode:

- cuţite late profilate (înclinate) pentru suprafeţele conice cu lungimea

generatoarei de max. 50-70 mm;
- înclinarea saniei portcuţit, fig. 3.3, a;
- prin deplasarea transversală a păpuşii mobile, fig. 3.3, b. Se utilizează la
prelucrarea suprafeţelor conice lungi cu conicităţi mici α  8 ,
deplasarea h a păpuşii mobile determinându-se cu relaţia:
α
h  L  sin ;
2

Fig. 3.3

- înclinarea tăişului principal al cuţitului, a cărui lăţime trebuie să fie mai

mare decât generatoarea suprafeţei conice de executat;
- prin combinarea avansului longitudinal, s L , cu avansul transversal, st ,
astfel incât tăişul principal al cuţitului să se deplaseze paralel cu
geratoarea suprafeţei conice de prelucrat [1,6];

46
`
 - prin copiere, pe strunguri de
copiat [3] sau utilizând rigle de
copiat, fig. 3.4, cuţitul fiind
obligat să se deplaseze paralel
cu rigla rigidă a dispozitivului,
1, rezultând astfel generatoarea
conică a suprafeţei de
prelucrat.[3,4,6]

Fig. 3.4

3.2.3. Prelucrarea suprafeţelor cilindrice ale arborilor prin

frezare se utilizează, de obicei, la execuţia arborilor în trepte. Semifabricatul-
piesă execută o mişcare de rotaţie în jurul axei proprii (uneori şi o mişcare de
avans axial) iar freza (profilată corespunzător) execută atât mişcarea de rotaţie,
pentru a aşchia, cât şi o mişcare de avans transversal sau longitudinal, fig. 3.5

Fig. 3.5
Fig. 3.5

47
`
 Operaţia de frezare se poate executa pe strunguri universale, strunguri
revolver sau pe maşini speciale în funcţie de: volumul producţiei, precizia de
execuţie, forma piesei şi materialul acestora.[3,4,6]

3.2.4. Prelucrarea suprafeţelor cilindrice excentrice

Piesa-semifabricat se prinde între vârfuri utilizând iniţial perechea de găuri de
centrare concentrice cu suprafaţa 1, fig. 3.6, respectiv axa I-I, iar pentru
suprafeţele excentrice 2, prinderea între vârfuri se face în găurile de centrare de
pe axa II-II, poziţionate corespunzător cu mărirea excentricităţii, e [1,3].

Fig. 3.5

Fig. 3.6

3.2.5. Finisarea suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare.

Finisarea acestor suprafeţe se poate face prin rectificare, lepuire, uneori
honuire, şeveruire şi rodare [1,2,3,4].

3.2.5.1. Rectificarea suprafeţelor cilindrice şi conice exterioare.

Şi pentru aceste suprafeţe, finisarea prin rectificare este singurul procedeu prin
care sunt corectate toate cele patru categorii de erori posibile de prelucrare
(subcap. 2.7.1).

48
`
 Rectificarea suprafeţelor cilindrice exterioare se poate face pe maşini
universale de rectificat rotund, fig. 3.7 (lucrarea de laborator 4, [6]) cu prinderea
piesei, 2 (acţionata de motorul electric, ME1), în mandrină sau între vârfuri - 3.
Scula, piatră abrazivă – 1 pentru rectificări exterioare este activată de
motorul electric ME2, iar piatra abrzivă – 4 acţionate de motorul electric ME3, se
utilizează pentru operaţii de rectificare interioară.[1,3,4]

Fig. 3.7

Acest procedeu de rectificare se utilizează, de obicei, la rectificarea

arborilor, tijelor de lungime mare ş.a.
Pe aceste maşini se pot rectifica şi suprafeţe conice exterioare cu ajutorul
discurilor abrazive conice unghiulare, fig. 3.8, a, sau prin înclinarea
mesei maşinii cu unghiul α i , fig. 3.8, b (pentru piese lungi de conicitate mică,
max. 10 ), prin înclinarea (rotirea) păpuşii mobile port-piesă, fig. 3.9, a (pentru
piese scurte de conicitate mare) sau prin înclinarea suportului port-sculă

49
`
abrazivă, pentru piese de lungime şi conicitate mare, prinse între vârfuri, fig. 3.9,
b.

Fig. 3.8

Fig. 3.9

Utilizând aceleaşi scheme se pot rectifica şi suprafeţele profilate de

revoluţie, cu folosirea unor scule abrazive adecvate [1,3].
Pentru piesele cilindrice care au acelaşi diametru pe toată lungimea (fără
salt de diametru) se poate utiliza un procedeu precis şi foarte productiv -
rectificarea fără centre (fără vârfuri). Piesa de prelucrat - 1 se dispune dezaxat
între două discuri abrazive, sprijinindu-se pe o riglă de reazem, 4, fig. 3.10.

50
`
 Discul abraziv, 2, de diametrul
mai mare şi viteză periferică 30-40 m/s,
are rol de sculă prelucrătoare, iar discul
abraziv, 3, de diametru mai mic şi
viteză periferică mai mică, 10-20m/s,
asigură antrenarea piesei, 1, în
mişcarea de rotaţie şi în acelaşi timp şi
avansul longitudinal, s L , pentru piesă,
datorită înclinării discului, 3, cu un
unghi α  2  6 [3,6]. Aceste maşini de
rectificat au o construcţie simplă,
realizează o bună precizie de prelucrare
la costuri reduse. Există şi varianta de
Fig. 3.10
maşini de rectificat fără vârfuri cu
avans transversal [1,3].

3.2.5.2. Alte procedee de finisare a suprafeţelor cilindrice şi

conice exterioare.

Lepuirea (vezi subcap. 2.7.4) aplicată pentru suprafeţe rotunde exterioare

are loc în aceleaşi condiţii ca şi lepuirea plană, în urma prelucrării
îmbunătăţindu-se numai rugozitatea suprafeţelor lepuite.[1,3,4]
La lepuirea pieselor cilindrice de multe ori se foloseşte şi o substanţă
chimică activă pentru materialul piesei, în care sunt înglobate particulele
abrazive, finisarea fiind în final un proces complex mecano-chimic [1,3,4].
Şeveruirea suprafeţelor cilindrice exterioare se aplică în cazul producţiei de
tip serie mare şi masă pentru finisarea unor arbori de acelaşi diametru pe toată
lungimea sau arbori în trepte. În urma şeveruirii se îmbunătăţeşte atât precizia de

51
`
execuţie cât şi rugozitatea suprafeţelor prelucrate, ajungând la o rugozitate
Ra  0,2  0,8 μm .

3.3. Prelucrarea alezajelor

3.3.1. Generarea suprafeţelor cilindrice interioare

Comparativ cu prelucrarea suprafeţelor cilindrice exterioare, alezajele

(găurile) se prelucrează în condiţii mai dificile deoarece nu întotdeauna se poate
asigura o rigiditate suficientă, ghidare şi răcire corespunzătoare pentru scula
aşchietoare, iar evacuarea aşchiilor rezultate este în cele mai multe cazuri
dificilă.[1,3,4]
Opţiunea pentru o anumită tehnologie de prelucrare a alezajelor este în
funcţie de forma constructivă, dimensiunile (în special adâncimea) şi materialul
piesei, condiţiile de precizie impuse şi rugozitatea suprafeţelor prelucrate
precum şi de costurile prelucrării.
Alezajele, în funcţie forma de constructivă, mărimea diametrului - d şi
adâncimea găurii - l g , se clasifică în următoarele grupe:

- alezaje scurte, pentru lg d  0,5 ;

- alezaje normale, când 0,5  lg d  3 ;

- alezaje lungi, dacă 3  lg d  10 ;

- alezaje adânci (foarte lungi), când lg d  10 .

În general, prelucrarea alezajelor, în funcţie de condiţiile impuse se face

prin: aşchiere (găurire cu burghie, strunjire, adâncire, broşare, rectificare,
honuire) sau electroeroziune, ultrasunete, laser, fascicul de electroni ş.a.[1, 3, 4]

52
`
 3.3.2. Prelucrarea alezajelor prin găurire-burghiere

Găurile se execută, în general, cu burghie (spirale) elicoidale având

diametrul de la 0,5 mm la 80 mm. Burghiele speciale se folosesc numai în

situaţii deosebite, ca de exemplu, la execuţia găurilor cu diametru sub 0,5 mm., a
găurilor adânci sau cu diametrul mai mare de 80 mm.[1,3]
La executarea găurilor cu diametru mai mare de 30 mm, pentru a utiliza
regimuri optime de aşchiere se recomandă execuţia găurilor în două etape, astfel
diametrul primului burghiu trebuie să fie egal cu 0,5  0,6d , unde d este
diametrul final al găurii.
Burghiele, ca scule pentru găurit prezintă unele avantaje şi anume că-şi
păstrează diametrul după reascuţire, asigură o bună ghidare pe feţele laterale şi
permite eliminarea facilă a aşchiilor rezultate în urma prelucrării.[vezi laborator]
În mod obişnuit, găurirea se execută pe maşini de găurit, dar se mai pot
utiliza şi strungurile normale, strungurile cu cap revolver, maşinile de alezat şi
frezat ş.a. [3,6].
Specific mecanicii de precizie şi mecatronicii este prelucrarea unui număr
mare de găuri, de diametre mici (având toleranţe strânse de 0,002 – 0,01 mm) cu
distanţe reduse între axele găurilor şi toleranţe reduse (0,005 – 0,15 mm), ce
formează aşa numite câmpuri de orificii. În aceste condiţii trebuie executate cu
precizie atât diametrele alezajelor cât şi paralelismul axelor alezajelor, cu
respectarea strictă a distanţelor dintre axe, condiţii ce trebuie realizate de
maşinile prelucrătoare. Pe maşinile de găurit de mecanică fină se pot executa
găuri cu diametre cuprinse între limitele 0,04 mm până la 6 mm (10 mm) pe
lungimi de maximum 15 mm, cu o precizie maximă de poziţionare a sculei în
raport cu piesa de ± 3 μm.

53
`
 3.3.2.1 Maşini normale de găurit

Pentru a îndeplini aceste condiţii severe, maşinile de găurit utilizate pentru

prelucrarea alezajelor sub 1 mm au următoarele particularităţii faţă d cele

utilizate pentru găuri de dimensiuni mai mari, şi anume:

- turaţia foarte mare a arborelui principal (care poate ajunge la 30 000
rot/min) caracteristică necesară pentru a putea lucra cu viteze de
aşchiere optime (15 – 80 m/min în condiţiile unor diametre sub 1 mm)
cât şi pentru a asigura o bună centrare a burghielor care au o rigiditate
scăzută; din aceste cerinţe rezultă necesitatea ca arborele principal să
fie foarte bine echilibrat; [1,3]
- sensibilitatea mare a mecanismului de
avans pentru a proteja burghiul prin
sesizarea creşterii rezistenţei la
găurire, asigurându-se o viteză de
avans continuă şi uniformă în limitele
0.005 – 0.05 mm/rot prin utilizarea în
locul mecanismelor clasice cu roţi
dinţate şi cremalieră a unor
mecanisme cu came, fig.3.11 sau cu pârghii; Fig. 3.11

- precizie mare de prelucrare, asigurată de modul cum se asigură

sistemul de lăgăruire pentru arborele principal, cu lagăre de alunecare,
de rostogolire cu rulmenţi de mare precizie sau lagăre hido- sau
gazostatice utilizate pentru turaţii foarte mari şi forţe de aşchiere
reduse;
- posibilitatea variaţiei continue a turaţiei de obicei prin utilizarea unui
motor electric de curent continuu pentru acţionare.
Întrucât există o mare diversitate de maşini de găurit pentru mici
dimensiuni, care în general au o construcţie simplă, se vor prezenta în continuare

54
`
două variante constructive. În fig.
3.12 este prezentată o maşină de
găurit pentru execuţia alezajelor cu
diametre cuprinse între 0.15 – 1.5
mm. Turaţia arborelui principal se
poate regla prin intermediul
motorului electric ME1 între 730 –
30 000 rot/min, iar avansul axial al
burghiului este realizat cu un
mecanism cu camă 6 (ce face corp
comun cu roata melcată Z4), Fig. 3.12

tachetul 7, pârghia 8, întregul sistem fiind acţionat de electric ME2 şi

angrenajele Z1/Z2 şi Z3/Z4.
Mişcarea de avans axial se poate face şi manual prin intermediul pârghiei 2
şi al angrenajului (comun ambelor acţionări) sector dinţat 11 şi cremalieră 12 ce
are dinţi înclinaţi pentru eliminarea jocurilor între flancuri. Burghiele, care au o
construcţie specială pentru aceste dimensiuni (vezi lucrarea de laborator) se
prind în penseta elastică 3, iar piesele se fixează pe masa 15, în pensete sau
dispozitive de construcţie specială.[1,3,4]
În fig. 3.13 este reprezentată o maşină de găurit şi alezat fin (model PEP
150 Posalux Elveţia) care poate prelucra găuri cu diametre între 0,04 – 4 mm.
Maşina, datorită sistemelor de lăgăruire mixtă (lagăre de alunecare şi
rostogolire) poate asigura arborelui principal 1 o mişcare de rotaţie ns fără
vibraţii, cu bătaie radială sub 1 μm şi cu o mişcare continuă şi uniformă.
Mişcarea de avans axială a burghiului sv este asigurată cu ajutorul unui
sistem pneumo-hidraulic ce are un ciclu de acţionare automată în trei faze:
- apropiere rapidă;
- mişcare lentă de avans în timpul prelucrării;
- retragere rapidă.

55
`
 Fig. 3.13

Poziţionarea corectă a sculei faţă de piesa de prelucrat se face cu ajutorul

unui sistem de copiere ce cuprinde masa 2, fig. 3.13, pe care se fixează piesa 3
împreună cu un model şablon 4 pe care sunt materializate poziţiile găurilor ce
trebuie executate în raport cu axa burghiului. Masa 2 se poate deplasa (pe cele
două direcţii Ox şi Oy) pe ghidajele cu bile, ce permit o precizie ridicată de
poziţionare şi frecare redusă.[15]
Pentru execuţia unei găuri în piesă, palpatorul 5 va fi introdus în orificiul
corespunzător de pe model, realizând în acest mod blocarea mesei, deci şi a
piesei în faţa sculei, care poate începe prelucrarea.

3.3.2.2 Maşini de găurit în coordonate

Aceste maşini se caracterizează printr-o precizie de prelucrare foarte

ridicată, realizând poziţionarea axelor găurilor cu toleranţe de ± (0.002 – 0.003)
mm. Se utilizează atât pentru execuţia găurilor de precizie ridicată cât şi la

56
`
lărgirea, adâncirea sau alezarea unor găuri deja executate. Maşinile de găurit în
coordonate sunt destinate prelucrării prototipurilor, dispozitivelor, sculelor sau
pieselor în serii mici, cărora li se impun condiţii de precizie deosebită, respectiv
toleranţe foarte strânse.[1,3,4]
De asemenea aceste maşini sunt folosite la măsurarea precisă a lungimilor
şi unghiurilor.
Caracteristic maşinilor de prelucrat în coordonate este faptul că
poziţionarea sculei în raport cu piesa se poate face în coordonate rectangulare (x,
y) sau polare (raza polară şi unghiul 0). Între coordonatele polare şi rectangulare
existând relaţiile:
X    cos X
respectiv: tg  şi   X 2  Y 2
Y    sin  Y
Alegerea axelor de coordonate pe maşină se face astfel:
- în cazul maselor rotative drept punct de bază şi origine a sistemului de
coordonate este luată proiecţia axei rotaţie a platoului folosind sistemul
de coordonate polare;
- în cazul meselor deplasabile pe direcţii rectangulare este folosit
sistemul cartezian, direcţia axelor Ox şi Oy aparţinând celor două
direcţii de deplasare a mesei, originea sistemului fiind fixă sau mobilă
(în funcţie de complexitatea piesei prelucrate).

Fig. 3.14

57
`
 În fig. 3.14 sunt prezentate trei variante de stabilire a originii sistemului de
materializare a mişcărilor de avans (de către scula s sau masa m).
Poziţia centrelor alezajelor ce urmează a fi prelucrate se precizează în
funcţie de axele maşinii de găurit în coordonate. În fig. 3.14 a axa de simetrie a
piesei coincide cu axa Oy, deplasarea pe axa Oz realizându-se de către mişcarea
de avans a sculei – svs .
În varianta 3.14, b, originea sistemului este exterioară piesei, iar în fig.
3.14, c este prezentat modul de reprezentare în coordonate polare.
Maşinile de găurit în coordonate
polare se construiesc în două variante:
- cu o singură coloană (montant);
- cu două coloane (montanţi).
La maşinile cu un montant, fig.3.15,
arborele principal 1 se deplasează pe
ghidajele montantului 2 numai pe direcţie
verticală (Oz) iar masa maşinii 3 se poate
deplasa pe cele două direcţii
Fig. 3.15
perpendiculare (Ox şi Oy).
Mişcarea de rotaţie a arborelui
principal (sculei) – ns se transmite de la
motorul electric 4, cu ajutorul unor curele
şi la unele construcţii, prin intermediul
unui variator mecanic şi al unei cutii de
viteze până la sculă.
Maşinile de găurit în coordonate cu
doi montanţi, fig. 3.16, au o rigiditate mai
mare deci şi precizie de prelucrare
superioară.
Fig. 3.16

58
`
 Masa de lucru 1 pe care se montează piesa 2 se poate deplasa numai pe
direcţie longitudinală IV; subansamblul capului de găurit 3 execută mişcarea de
avans transversal III, pe ghidajele traversei orizontale 4, care la rândul sau se
poate deplasa pe coloanele 6, 5, materializând mişcarea de avans pe verticală II.
În varianta prezentată în fig. 3.16 (firma Oerlikon), coloana 5 împreună cu
subansamblul 4 se poate roti (mişcarea V) în jurul unei coloane 6, corespunzător
unui sector unghiular, facilitate care măreşte posibilităţile de prelucrare pe
această maşină.
Sistemele de măsurare şi control ale deplasărilor organelor mobile la
maşinile de găurit în coordonate sunt realizate cu şuruburi micrometrice, cu cale
etalon şi ceasuri comparatoare sau cu aparate optice.
Pentru asigurarea preciziei ridicate la prelucrare se utilizează sisteme de
ghidare cu tanchete cu role, mecanisme şurub-piuliţă cu bile, lagăre gazo - şi
hidrostatice.[1,3,4,6]

3.3.3. Lărgirea găurilor

Pentru operaţiile de lărgire a găurilor se folosesc lărgitoare [1,6], care sunt
scule asemănătoare burghielor elicoidale, dar au trei, patru sau mai mulţe muchii
active pentru a realiza o mai bună ghidare. În urma operaţiei de lărgire se
asigură o precizie de prelucrare ISO-11 şi rugozitatea Ra  12,5  6,3 μm .
3.3.4. Alezarea găurilor cilindrice

Alezarea găurilor cilindrice este o operaţie finală de prelucrare în urma

căreia se corectează forma geometrică a găurii, rectilinitatea axei găurii şi se
îmbunătăţeşte rugozitatea Ra  3,2  0,8 μm dar nu se corectează înclinarea şi
deplasarea axei găurii faţă de poziţia nominală corectă.
3.3.5. Prelucrarea găurilor conice

Prelucrarea găurilor conice, are loc în mai multe etape, în funcţie de

mărirea conicităţii astfel:

59
`
 - pentru găuri având conicitatea de la 1:50 până la 1:30, după găurirea
cu burghiu cilindric la un diametru d b  d  0,2...0,3mm se alezează
cu un alezor conic cu diametru, d, care este diametrul mic al găurii
conice, apoi se alezează succesiv cu alezoare conice pentru finisare
(care sunt standardizate) [6];
- pentru găurile având conicitatea 1:20, iniţial se găureşte cu un burghiu
cu diametrul d b  d  0,3...0,5mm , apoi se alezează succesiv cu două
alezoare conice până la dimensiunea finală găurii conice:găurile având
conicitatea de la 1:15 până la 1:8 se găuresc la diametrul
d b  d  1,0...1,2 mm şi apoi se lărgesc cu lărgitorul conic la
diametrul, d [6].

3.3.6. Finisarea alezajelor se poate realiza prin mai multe

procedee utilizându-se de obicei rectificarea, honuirea, broşarea şi mai puţin
lepuirea.

3.3.6.1. Rectificarea alezajelor se poate face:

 pe maşina universală de rectificat cilindric, cu dispozitivul pentru

rectificat interior [6], fig. 3.17, scula abrazivă, 1, execută mişcarea
principală de rotaţie,
ns , iar piesa tubulară, 2,
execută mişcarea de
avans circular, np

(numai pentru piese de

mici dimensiuni);
pentru piese de
Fig. 3.17
dimensiuni mari şi
forme complexe Fig. 3.11

60
`
 (blocuri motor, carcase ş.a.) acestea rămân fixe în dispozitivul de
prindere, pe toată durata rectificării;
 pe maşina universală de
rectificat rotund interior fără
centre, fig. 3.18, numai pentru
piese care au suprafeţele
cilindrice interioare (de
prelucrat) şi exterioare
concentrice. Piesa, 1, trebuie în
prealabil rectificată la exterior,
se sprijină pe o rolă de reazem,
2, fiind apăsată de rola, 3 şi
antrenată în mişcarea de
rotaţie, n p , de către discul Fig. 3.18

abraziv, 5, care execută mişcarea principală, ns . Axele celor două role, a

sculei abrazive, 5, trebuie să fie paralele cu axa piesei de prelucrat, 1.
Acest procedeu se foloseşte şi la rectificarea pieselor cu pereţi subţiri, în
cazul producţiei de serie mare sau de masă.[1,3,4,6]

3.3.6.2. Broşarea alezajelor se utilizează pentru prelucrarea

diferitelor găuri cilindrice sau profilate, în cazul producţie de serie mare şi masă.
Broşarea se realizează dintr-o singură trecere a broşei (este o sculă scumpă şi
complexă [6]) care este deplasată în lungul găurii de prelucrat. Se pot broşa
găuri cu diametre de la 3 mm până la 300 mm, însă economic este până la
diametru de 80 mm. În fig. 3.19 sunt prezentate diverse suprafeţe interioare care
pot fi prelucrate prin broşare. Principalul avantaj al broşării comparativ cu alte
procedee de prelucrarea găurilor este productivitatea mare, care se datoreşte
faptului că se poate obţine o precizie ridicată, la o singură trecere fără a fi

61
`
necesare reglaje deosebite. Deşi broşa este o sculă scumpă, are însă o
durabilitate mare, permiţând prelucrarea am aproximativ 2000 găuri fără
reascuţire.[1,3,4]

Fig. 3.19

Pentru broşare se pot utiliza maşini de broşat orizontale sau verticale,

broşele fiind acţionate prin tragere sau prin împingere. Preciza de execuţie prin
broşare este clasa 7 ISO, cu rugozitatea suprafeţelor broşate, Ra  1,6  0,4 μm

3.3.6.3. Honuirea găurilor

Honuirea este un procedeu de finisare, aplicat de obicei alezajelor

cilindrice, executat cu ajutorul unor bare-batoane abrazive, cu granulaţie fină
care sunt montate pe o sculă
extensibilă – hon, care
execută o mişcare complexă,
compusă dintr-o mişcare de
rotaţie, n H şi o mişcare
rectilinie alternativă sv (au
loc concomitent), în prezenţa
unui lichid de răcire – Fig. 3.20
ungere, fig. 3.20.

62
`
 În urma operaţiei de honuire se îmbunătăţeşte rugozitatea suprafeţelor
prelucrate şi sunt corectate erorile de formă geometrică (conicitate, ovalitate,
curbură ş.a.), dar nu sunt eliminate erorile de direcţie ale alezajelor întrucât
honul se montează articulat pe arborele de acţionare al maşinii, autocentrându-se
în alezaj - gaura de prelucrat.[1,3,4,6]
Comparativ cu rectificarea la honuire, presiunea de apăsare a sculei
abrazive pe suprafaţa de prelucrat este de 6 ÷ 10 ori mai mică, viteza de aşchiere
este de 50 ÷ 100 ori mai redusă (nu sunt necesare turaţii ridicate), iar la
prelucrare participă de la 100 până la 1000 ori mai multe granule abrazive, fapt
ce are ca efect deformaţii mecanice şi fenomene termice minime, avantaj
deosebit la honuirea pieselor cu pereţi subţiri.
Traiectoria unei granule
abrazive pe suprafaţa alezajului
este complexă, fiind după o elice
spre dreapta la mişcarea honului
într-un sens şi o elice spre stânga
la deplasarea honului în sens
invers, suprafaţa prelucrată –
honuită, fiind formată dintr-o
reţea de linii elicoidale
caracteristice procesului de Fig. 3.21

honuire, fig. 3.21.

Honul, poate avea un baton abraziv, 1 (pentru găuri cu diametrul sub 10
mm), fig. 3.22, reglat prin intermediul penelor 2 şi 3, în corpul honului 4; honul
pentru a prelucra gura 5, execută concomitent cu mişcarea de rotaţie, n H şi
mişcarea rectilinie alternativă, sv . Pentru găuri cu diametrul mai mare de 10 mm
honul poate avea 3, 5, 7, 9 sau 12 batoane abrazive [3, 4].

63
`
 În fig. 3.22 se prezintă o piesă,
4, a cărei găuri este honuită la
interior cu ajutorul batoanelor
abrazive 1, 1 , ce sunt fixate pe
corpul honului, 2, care se poate mări
(pentru compensarea uzurii
batoanelor) prin elementul conic de
antrenare, 3 [3; 4].
Pe maşinile de honuit pot fi
prelucrate alezaje cu diametrul Fig. 3.22

cuprins între 2,5 mm până la 1000 mm, lungimea fiind limitată numai din
considerente constructive, iar precizia de prelucrare este ridicată
 0,003  0,015 mm cu rugozităţi ale suprafeţelor prelucrate de ordinul
Ra  0,025  0,20 μm [3, 4, 15].

64
`
 4. TEHNOLOGII PENTRU EXECUŢIA FILETELOR

4.1. Consideraţii generale

Filetele pot fi executate prin următoarele procedee:
a) prin aşchiere, utilizând procedeele:
- generare pe cale cinematică (pe strunguri sau maşini de rectificat);
- generare cu scule profilate, prin copiere (cu tarozi sau filiere).
- frezarea filetelor cu ajutorul frezelor pieptene pentru filete scurte
[3, 15] sau cu freze disc profilate pentru filete lungi [15].
b) prin deformare plastică, cu ajutorul rolelor cilindrice profilate sau al
pieptenilor prismatici profilaţi;
c) prin injecţie din materiale plastice [1,3].

4.2 Tehnologii de execuţie a filetelor

4.2.1 Execuţia filetelor pe strung sau maşini de rectificat implică

realizarea condiţiei cinematice ca la o rotaţie a piesei, scula de filetat (cuţit
profilat sau piatră abrazivă profilată) să
avanseze cu un pas, p f (al filetului de

executat), fig. 4.1.

p f  iT  ps

în care:
ns
iT 
np

este raportul de transmitere între

Fig. 4.1
mişcarea de rotaţie a şurubului
conducător, ns şi a arborelui principal de acţionare (piesei), n p .

Acceptând din execuţie şi montaj o abatere  ΔiT pentru raportul de

transmitere al mişcării produs de roţile de schimb (cutia de avansuri) respectiv

65
`
mecanismul şurub-piuliţă [3, ] cât şi o abatere de execuţie pentru pasul şurubului
conducător  Δps , va rezulta o abatere  Δp f pentru filetul ce se prelucrează:

 p f  Δp f   iT  ΔiT    ps  Δps 

sau
 Δp f   Δps   ΔiT 
      
 p   p   i 
 f   s  T

deci eroarea relativă de pas la filetare este dependentă de pasul şurubului

conducător şi de eroarea raportului de transmitere a mişcării de către lanţul
cinematic corespunzător [3, 4].
Pentru a mări precizia de execuţie pe maşini a filetelor se poate acţiona,
micşorând erorile lanţului cinematic de transmitere (roţi de schimb sau cutie de
avansuri) sau utilizând un dispozitiv de corecţie pentru erorile de pas ale
şurubului conducător al maşinii.
Sculele utilizate, cuţite de filetat ( la strunjire) sau scule abrazive profilate
(la rectificare) au forma părţii active în funcţie de tipul şi caracteristicile filetului
care trebuie prelucrat [3, 4, 15].

4.2.2 Execuţia filetelor prin copiere cu scule care materializează

ambele curbe ale profilului filetului (directoarea şi generatoarea) respectiv tarozi
(pentru filetele interioare) şi filiere (pentru filetele exterioare), părţile active ale
acestor scule având forma conjugată a filetului care se prelucrează. Practic prin

Fig. 4.2

66
`
simpla rotire a sculei, aceasta avansează în lungul axei, autofiletându-se în piesă,
generând astfel filetul de prelucrat.[3,4]
Tarodul, fig. 4.2, are un con de atac care permite acestuia intrarea în gaura
pregătită pentru filetare şi o parte de finisare.
Pentru execuţia filetelor
exterioare precise se utilizează
filierele, acestea se obţin prin
„aranjarea” unor cuţite pieptene în
interiorul unui cilindru, astfel încât
tăişurile să înfăşoare o suprafaţa
elicoidală, fig. 4.3.
Fig. 4.3
După formarea constructivă
exterioară filierele pot fi rotunde,
hexagonale, pătrate sau tubulare. Obişnuit, filierele au 3-5 canale pentru
evacuarea aşchiilor, numai filierele pentru executarea filetelor sub 1 cm nu au
canale de evacuare a aşchiilor.
Pentru execuţia filetelor de
dimensiuni mari, se utilizează capete de
filetat, care au părţile active detaşate şi cu
posibilitatea de reglare. Un avantaj
deosebit îl constituie posibilitatea
schimbării elementelor active (cuţite sau
piepteni de filetat), în funcţie de tipul
filetului de prelucrat, acest lucru
conferindu-le un mare grad de
Fig. 4.4
universalitate.
Capetele de filetat, în funcţie de tipul cuţitelor utilizate pot avea cuţite
prismatice radiale, cuţite prismatice tangenţiale sau cuţite disc.

67
`
 4.3 Rectificarea filetelor

În mecanica de precizie rectificarea filetelor se utilizează atât pentru

realizarea unor filete de mare precizie, ce au fost în prealabil executate prin
strunjire sau frezare (de exemplu şuruburi conducătoare, tarozi, filiere, calibre
pentru filete) sau pentru execuţia direct cu sculă abrazivă a filetelor cu pasul
p<1mm (de exemplu şuruburi micrometrice).[1,3,4]
Aceste maşini se pot grupa, după felul filetului: pentru rectificări la exterior
şi la interior sau, după gradul de complexitate:
cu mecanism de detalonare (pentru freze melc, tarozi, etc);
fără posibilitatea detalonării,
iar după gradul de universalitate, în maşini universale şi maşini specializate.
Tipul şi dimensiunile filetului cât şi precizia impusă condiţionează
utilizarea unei anumite metode de rectificare, deci maşina şi scula folosită (sculă
abrazivă disc cu un singur profil sau mai multe profiluri).

Fig. 4.5
Schema cinematică a unei maşini de rectificat filete este dată în figura 4.5,

68
`
la care condiţia cinematică de generare a filetului (la o rotaţie a piesei mărimea
avansului să fie egală cu pasul filetului) este realizată cu mecanism şurub-
piuliţă.[1,3,4]
Maşina realizează următoarele mişcări:
- mişcarea de rotaţie a sculei – pietrei abrazive – II ( ns )
nME 2  i1112  iCV2  i1314  ns , vsn  30  35 m/s

- mişcarea de rotaţie a piesei – I – n p ( vap  8  40 m/min)

nME1  i12  iCV1  i34  n p

- mişcarea longitudinală a mesei s L (pe care se găseşte piesa) şi lanţul

cinematic de filetare:
p f  i34  i35  i A1B1  i67 ;

dacă se notează i43  i35  i67  K raportul de transmitere are expresia:

pf
i A1B1  .
K  p sc
Maşinile moderne de rectificat sunt prevăzute obişnuit cu următoarele
dotări:
- instalaţie de răcire, eventual în condiţie de termostatare a lichidului;
- sistem de filtrare a lichidului de răcire
- instalaţie automată de control şi corectat profilul sculei abrazive.
Unele tipuri de maşini pentru rectificat filete au în dotare şi un ansamblu
suplimentar, care prin intermediul comenzilor primite de la o camă KD poate
realiza detalonarea individuală a dinţilor unei scule profilate (freze, tarozi, etc).
Mişcarea de detalonare se realizează prin comandă de la cama KD, al cărei
profil obişnuit este o spirală arhimedică, realizându-se o suprafaţă de aşezare a
fiecărui dinte al sculei care asigură păstrarea profilului   ct  şi după
operaţiile de reascuţire ale sculei. Pentru sculele profilate este esenţială această
condiţie întrucât modificarea profilului sculei după reascuţire s-ar repercuta

69
`
negativ asupra profilului prelucrat
iar modificarea unghiurilor ar
conduce la modificarea parametrilor
procesului de aşchiere.
Curba de detalonare trebuie să
asigure condiţia ca în orice punct
unghiul de aşezare să fie constant,
Fig. 4.6
condiţie ce este îndeplinită cel mi
bine de spirala logaritmică dar, cum o astfel de curbă se prelucrează greu se
foloseşte spirala arhimedică care induce o mică eroare acceptabilă (unghiul de
aşezare  variind în limite foarte mici).
În figura 4.6 este reprezentat modul cum se realizează detalonarea cu o
piatră de rectificat pentru freze profilate melc modul. Piatra abrazivă 1
realizează concomitent cu mişcarea circulară de rectificare ns şi o mişcare lentă
de rotire n p .

Ecuaţia lanţului cinematic are la bază are la bază că la o rotaţie a piesei

cama trebuie să facă un număr de rotaţii egal cu numărul de dinţi Z p al frezei ce

se detalonează, cama ce asigură un număr de curse duble radiale pietrei de

rectificat (SKD).
Raportul de reglaj al lanţului cinematic de detalonare iRD introdus de roţile
de schimb A2 şi B2 se calculează astfel:
1 rot piesa  iD  nzp

în care:
iD – este raportul de transmitere (freză) – camă pentru mişcarea de
detalonare;
nzp – numărul de rotaţii ale camei necesar pentru detalonarea frezei, egal

cu numărul de dinţi ai frezei.

70
`
 A2
iD  i48   i910  n zp ,
B2
de unde:
A2 nsp
irD   .
B2 i48  i910
Dacă se notează:
i48  i910  K
rezultă:
A2 nzp
irD   .
B2 K
Piatra de rectificat 1 trebuie să aibă un diametru astfel ales încât la finele
detalonării unui dinte să nu vină în contact cu următorul dinte.[3,15]

71
`
 5. TEHNOLOGII PENTRU EXECUŢIA ŞI FINISAREA ROŢILOR
DINŢATE

5.1. Generalităţi
Roţile dinţate sunt piese de revoluţie cu dantură exterioară sau interioară
utilizate la transmiterea mişcării de rotaţie între doi arbori.
În funcţie de precizia de execuţie a roţilor dinţate, gabaritul acestora şi alte
criterii există mai multe tehnologii de execuţie, dar care se pot grupa, în funcţie
de profilul de generare astfel:
A. Generarea profilului dinţilor prin copiere, putând fi utilizate pentru
execuţie procedeele:
- Ştanţare de precizie;
- Deformare plastică, la rece sau cald, prin copiere, folosind
scule profilate corespunzătoare [15];
- Frezarea danturii cu freză disc modul;
- Brasarea danturii.
Finisarea danţuri prin copiere se face prin:
- Rectificarea danturii prin copiere cu piatră profilată
corespunzător;[3]
- Şlefuirea danturii cu disc profilat. [3]
B. Generarea profilului dinţilor roţii pe cale cinematică se poate
realiza prin:
- Rulare cu freză melc modul (aşchiere); [3]
- Rulare, prin mortezare (aşchiere); [3]
- Rulare, prin deformare plastică, cu role.
Finisarea danţuri pe cale cinematică se poate face prin:
- Şeveruirea danturii, (numai pentru piese netratate termic) cu şever-
roată sau cu şever-cremalieră [15],
- Rectificarea danturii prin rulare cu disc abraziv, [3]

72
`
 - Rectificarea danturii prin rulare cu două discuri abrazive tip taler
(MAAG),
- Rectificarea danturii prin rulare cu un disc biconic (Nilles),
- Rectificarea danturii prin rulare cu piatră melc abrazivă.
Rectificarea roţilor dinţate prin procedeul Maag conduce la o precizie
foarte ridicată în timp în timp ce rectificarea cu piatră abrazivă sub formă de
melc (procedeul Reisshauer) realizează o foarte mare productivitate dar prezintă
şi unele dificultăţi legate de profilarea şi uzura pietrei abrazive.
Maşinile şi sculele utilizate pentru operaţiile de danturare se construiesc în
funcţie de metoda de danturare folosită şi ţinând seama de unele probleme
specifice mecatronicii ca: rigiditatea scăzută a acestora, dificultăţi legate de
îndepărtarea bavurii, ponderea mare a timpului de încărcare în cazul alimentării
manuale, asigurarea coaxialităţii dintre dantură şi pivoţii de lăgăruire ş.a.
căutându-se să se rezolve cât mai bine aspectele legate de precizie şi
productivitate.
Alte procedee de finisare a roţilor dinţate se pot realiza prin lepuire,
rodare sau lustruire electrochimică [315].
În continuare, vor fi prezentate câteva procedee mai utilizate pentru
execuţia danturii.

5.2. Frezarea danturii prin copiere cu freze-disc modul

Se poate face pe maşini de frezat orizontale sau pe maşini de frezat
universale utilizând capul divizor [4, 6, 15].
Pentru execuţia danturii sunt următoarele mişcări, fig. 5.1:
- mişcarea principală de aşchiere este de rotaţie, şi este efectuată de
sculă – ns (rot/min) – freua disc-modul 1;
- mişcarea de avans – sa, executată de piesa – 2, necesară pentru

73
`
 prelucrarea întregii lăţimi a roţii – 2;
- mişcarea de avans circular
intermitent (circular) pentru a
aduce în faţa tăişului frezei un nou
gol dintre doi dinţi pentru a fi
prelucrat.
Din considerente economice, se admite
utilizarea unei singure freze pentru
prelucrarea unei game de roţi, de acelaşi
modul, dar cu număr diferit dinţi,
construindu-se seturi de 8, 15 şi 26 de freze Fig. 5.1

disc-modul.

5.3. Frezarea danturii prin rulare cu freză-melc modul

Se bazează pe proprietatea melcului de a avea ca înfăşurătoarea a danturii atunci
când rulează pe un plan, o cremalieră cu flancuri rectilinii [4, 6, 15].
Execuţia danturii cu8 freze melc modul prin rulare este un procedeu foarte
precis (atât ca precizie de poziţie cât şi de profil al dinţilor) şi care asigură şi o
productivitate ridicată.
Pentru execuţia roţilor dinţate cu dinţi drepţi, fig. 5.2, freza melc-modul – 1 se
înclină cu unghiul γ care este unghiul de
înclinare al elicei melcului-sculei (practic
direcţia de frezare a direcţilor frezei melc-
modul să coincidă cu Pentru execuţia roţilor
dinţate cu dinţi înclinaţi, freza melc modul
se înclină cu unghiul (β ± γ) în funcţie de
sensul elicelor (stânga sau dreapta) pentru
Fig. 5.2 sculă şi roata dinţată care se execută [4, 15].

74
`
 Maşinile care prelucrează dantura cu generatoarea materializată pe cale
cinematică sunt cel mai mult utilizate, având o productivitate şi o precizie
ridicată. Prin generare cinematică se pot obţine atât danturi cicloidale cât şi
evolventice, metoda fiind cunoscută sub denumirea de prelucrare prin rulare,
rularea definindu-se ca o mişcare relativă între două curbe care au posibilitatea
de a fi tot timpul în contact, în caz contrar avem de a face cu o rostogolire.
În funcţie de sensul şi mărimea vitezelor celor două curbe în punctele de
contact pot fi două situaţii:
- rulare fără alunecare (viteze egale şi de acelaşi sens);
- rulare cu alunecare (viteze diferite ca mărime şi indiferente ca sens).
Maşinile de frezat bazate pe metoda generării cinematice folosesc rularea
fără alunecare, utilizând freze melc modul sau procedeul mortezării cu scule
cuţit roată de mortezat sau cuţit pieptene de mortezat.
În fig.5.3 este reprezentat schematic principiul care stă la baza construcţiei
acestor maşini, pentru cazul frezării prin generare a roţilor dinţate cilindrice cu
dinţi drepţi. Freza melc este o sculă la care dantura este dispusă după o elice
cilindrică de pas p f sau după un

număr de elice – Kf pentru sculele

cu mai multe începuturi.
În mecanica fină se folosesc
în special freze melc cu un singur
început şi mai rar cu 2-3
începuturi.
Vitezele de rulare pentru
scule şi piese pe cercul de divizare Fig.5.3 Principiul frezării prin
rulare a roţilor
trebuie să fie egale:
vrul  n f  p f    D p  n p

75
`
 În această ecuaţie dacă se înlocuieşte
p f  K f  p şi D p  Z p  m

rezultă:
vrul  n f  K f  p    Z p  m  n p .

Ţinând seamă că pasul şi modulul sunt aceleaşi pentru roată şi sculă,

respectiv că p    m , se obţine relaţia:

np Kf i2 AR
n f  K f  Z p  np sau iT    
nf Zp i1 BR

care trebuie asigurată prin lanţul cinematic de reglaj al maşinii cu ajutorul roţilor
de schimb (cutii de viteză):

AR i1 K f K
   Cm  f
BR i2 Z p Zp

S-au notat:
vrul – viteza de rulare,
n f – numărul de rotaţii pe minut executate de freza melc,

n p – numărul de rotaţii pe minut executat de către piesă

p f – pasul elicei melc, pf  K f  p ;

p – pasul roţii dinţate, respectiv pasul dintre două elice ale frezei, dacă
freza melc are mai multe începuturi.
m – modulul roţii dinţate şi respectiv al frezei melc
K f – numărul de începuturi ale frezei melc,

iT – raportul de transmitere a mişcării piesă – freză,

76
`
 i1 şi i2 rapoartele de transmitere constante pentru antrenarea piesei şi
frezei,
AR şi BR – roţile de schimb din care se reglează raportul transmitere Cm ,
i1
Cm  , constant.
i2
În fig. 5.4 este reprezentată schema de principiu a maşinii de frezat roţi
dinţate prin rulare, aflată în laborator [L].
Lanţul cinematic principal:
D1
ME   I - scula S
D2

Lanţul cinematic de rulare:

AR C R Z
SI   II  1  III  piesă
BR D R Z2

Raportul de transmitere a roţilor de reglaj:

AR C R Z 2 K f
iT    
BR D R Z 1 Z p

unde K f este numărul de începuturi al frezei melc, K f = 1…3 şi Zp – numărul

de dinţi al piesei.
Pentru a permite diferite turaţii ale arborelui principal, roata D1 se poate
schimba respectând relaţia:
n1  D2
D1 
nMe

Lanţul cinematic de avans:

77
`
 D1 A C Z Z A Z
ME   I  R  R  II  1  III  3  IV  RS  V  5 .
D2 BR DR Z2 Z4 BRS Z6

SC – şurubul conducător al saniei port – freză.

Raportul de transmitere al roţilor de reglaj ale mecanismului de avans:
RRS S S Z 4 Z 6
iTs    
BRS psc Z 3 Z 5
unde Ss este avansul saniei la o rotaţie a piesei; ps – pasul şurubului conducător
pentru avansul saniei port – sculă
Pentru a realiza adâncimea de aşchiere sania port-freză se poate deplasa
perpendicular pe planul mişcării de avans cu ajutorul unui mecanism
nereprezentat în schemă. Pentru frezarea roţilor dinţate cu dinţi înclinaţi, schema
cinematică a maşinii trebuie să şi un mecanism diferenţial care realizează o
mişcare suplimentară a piesei în funcţie de unghiul de înclinare al danturii,
conform relaţiei:
  D  mZp
pp  
sin  sin 

unde:
p p este pasul piesei;

β - unghiul de înclinare al danturii;

Z p – numărul de dinţi al piesei;

D – diametrul piesei.

78
`
 Fig. 5.4 Schema cinematică a maşinii de frezat prin rulare roţi dinţate cu dinţi

drepţi

În tabelul 5.4 sunt prezentate comparativ caracteristicile tehnice ale unor

maşini de frezat roţi dinţate de modul mic:
Tabelul 5.4

Wahli Micron Strausak Strausak

Caracteristicile tehnice principale
90 120 20 30

Diametrul piesei, [mm] < 36 < 40 0.5-25 0.5-25

Lungimea maximă de frezat [mm] 50 40 20 22

Modulul, [mm] 0.05-1 1 0.05-0.5 0.05-1

Număr de dinţi 6-200 6-260 4-120 5-390

Rotaţia frezei, [rot/min] 600-5300 250-1830 450-3500 850-5200

Diametrul frezei, [mm] 8-32 - 8-24 8-24

Greutatea utilajului, [Kg] 445 260 420 600

79
`
 În construcţia acestor maşini se remarcă următoarele tendinţe:
- automatizarea completă a procesului de prelucrare inclusiv a operaţiei
de încărcare;
- adaptarea maşinii la posibilitatea îndepărtării bavurii (cuţit de
debavurare, frezarea cu două freze, etc.);
- folosirea unor freze din carburi metalice care permit viteze mari de
aşchiere şi precizie ridicată de execuţie;
- creşterea turaţiei acestor maşini (în ultimii 10 – 15 ani de la 2000 la
peste 5000).

Îndepărtarea bavurei se poate

realiza cu o sculă de debavurat care
acţionează la finele operaţiei de frezare a
danturii, (fig. 5.5) sau printr-o construcţie
specială a maşinii de frezat dantura,
folosind pentru prelucrare două freze ce se
rotesc în sens invers şi acţionează pe rând.[1,3]
Fig. 5.5

5.4. Execuţia danturii prin mortezare

Se poate face pe maşini speciale de mortezat care sunt construite în doua

variante :
- pe principiul rulării (generării) folosind cuţite speciale roată de mortezat,
folosite mult în mecanică fină şi mecatronică;

80
`
 - pe principiul rulării discontinue, cu cuţit pieptene de mortezat, procedeu
folosit la prelucrarea unor roţi dinţate de modul şi diametru mare (cuţitul
roată ar ajunge la dimensiuni foarte mari pentru aceste situaţii);
În această variantă scula – cuţitul pieptene de mortezat materializează
cremaliera de referinţă şi după prelucrarea mai multor dinţi piesa se opreşte şi
cuţitul revine cu viteză mare în poziţia iniţială. În fig.5.6 se reprezintă numai
schema de principiu a acestei variante ce nu prezintă interes deosebit pentru
mecanica fină.[1,3,4]

Fig. 5.6

Mişcarea de mortezare a danturii, realizată de cuţitul pieptene are loc

perpendicular pe planul desenului, iar pentru a realiza înălţimea dintelui I se
asigură piesei un avans radial.
Maşinile de mortezat danturi realizează o precizie foarte ridicată, cu
productivitate destul de mare dar nu pot fi folosite decât la prelucrarea danturii
cu profil în evolventă. Maşinile de mortezat danturi folosind cuţite roată sunt
singurele maşini de danturat prin generare care pot tăia şi danturi interioare.
În continuare vom trata numai maşinile de mortezat folosind cuţite roată.
Maşina este compusă din două subansambluri principale reprezentate schematic
în fig. 5.7, care execută mişcările:

81
`
 - capul de mortezat-port sculă 3 realizează mişcarea axială rectilinie
alternativă de mortezare I, concomitent cu o mişcare lentă de rotaţie II,
(similară angrenării cu semifabricatul) şi o mişcare radială V de
pătrundere a sculei 4 (necesară înălţimii dintelui);
- suportul-masă 5 cu piesa 8 realizează atât mişcarea de rulare III
(angrenare) cu scula 4, cât şi mişcarea
radială IV, de cursă mică pentru a
îndepărta piesa de sculă în timpul
cursei de retragere a sculei, în scopul
evitării frecării şi uzurii inutile.
Mişcările realizate de cele două
subansambluri principale trebuiesc perfect
sincronizate prin cinematica maşinii, astfel
încât să rezulte o rulare fără alunecare între Fig. 5.7
piesă şi semifabricat.[1,3,4]
Prin această metodă se pot prelucra şi roţi
dinţate cu dinţi înclinaţi 4, în care caz scula de
mortezat 1 trebuie să aibă o mişcare elicoidală în
timpul deplasării pe verticală, fig. 5.8 realizată
principal cu ajutorul unui canal elicoidal 2 şi un
ştift 3, fix.
Maşinile de mortezat danturi de mecanică
fină pot tăia roţi dinţate cu dinţi drepţi sau
Fig. 5.8
înclinaţi în evolventă începând de la un modul de
minim 0,15 mm.
Acest procedeu asigură o precizie foarte ridicată cu productivitate mare, dar
nu poate fi utilizat decât la prelucrarea danturii cu profil în evolventă [4, 15].

82
`
 5.5. Maşini pentru prelucrarea roţilor dinţate conice
Dintre roţile dinţate conice, în mecanica fină cel mai mult folosite sunt cele
cu dinţi drepţi. Profilul dintelui unei astfel de roţi se modifică continuu de-a
lungul dintelui şi ca urmare modulul dintelui este variabil. Aceste roţi se pot
prelucra prin rulare folosind maşini de rabotat sau de frezat, care au în general o
cinematică foarte complexă.
Prima variantă de prelucrare prin rulare pe maşini de rabotat se foloseşte
pentru roţi de modul începând cu 0,2 mm pentru producţie de tip unicat şi serii
mici. Cinematica maşinii trebuie să reproducă rularea roţii dinţate conice (piesa
de prelucrat) cu o roată imaginară plană iar sculele (cuţite de rabotat) să
realizeze mişcări care să reproducă pe cele dintre piesă şi roata imaginară, fig.
5.10.
Această cinematică decurge din faptul că roata plană este un caz particular
al roţii conice unde unghiul conului de rulare este de 90º, iar roata plană o
cremalieră circulară cu dinţi conici (fig. 5.9). Maşinile moderne lucrează cu
două cuţite, câte unul pentru fiecare flanc al dintelui roţii conice.

Fig. 5.10. Principiul de funcţionare al

Fig. 5.9. Angrenarea roată dinţată unei maşini de rabotat roţi şi
conică-cremalieră circulară. pinioane conice cu dinţi drepţi.

83
`
 Ciclul de prelucrare al unui dinte necesită următoarele mişcări (fig. 5.10):
- mişcarea rectilinie alternativă a cuţitelor (C) realizată de un mecanism
bielă-manivelă (BM), pe ghidajele individuale (G).
- rotirea tamburului cu un angrenaj melc - roată melcată în jurul axei roţii
plane imaginare R p (desenată cu linii întrerupte), inclusiv a cuţitelor ce

realizează în acest timp mişcării rectilinii alternative rulare sculă;

- rotirea semifabricatului şi tamburului (cuţitelor) în poziţie iniţială după
prelucrarea fiecărui dinte.
După prelucrarea unui dinte urmează divizarea prin rotirea piesei cu pasul
corespunzător unui dinte şi ciclul continuă cu prelucrarea dintelui următor.
Ecuaţia lanţului cinematic de divizare este:
AR Z p1
 CR 
BR Zp

în care s-a notat:

CR – raportul de transmitere, constant pentru maşina respectivă;

Z p1 – numărul de dinţi ai roţii plane;

Zp – numărul de dinţi ai roţii prelucrate;

AR şi BR – roţi d schimb pentru reglaj.
Obişnuit, maşinile moderne folosesc două cuţite, care prelucrează fiecare
câte un flanc şi în mişcarea dute-vino acţionează succesiv.

5.6. Finisarea roţilor dinţate

Se poate face prin şeveruire sau rectificare.
Şeveruirea este o operaţie de finisare a danturii cu ajutorul şeverului (care
poate avea formă de cremalieră, melc sau roată dinţată cu dinţi drepţi sau
înclinaţi [4, 15]).

84
`
 B1 – cu un singur disc biconic B2 - cu un singur disc înclinat
(Procedeul Niles) (procedeulReinecker).

F. 5.5

Fig. 5.11
Flancurile dinţilor care au fost şeveruiţi, au o rugozitate de aproximativ
Ra = (0,2÷0,8)μm.
Şeveruirea se aplică numai roţilor dinţate care au fost tratate termic şi
pentru oţeluri a căror rezistenţă la rupere nu depăşeşte 90 daN/mm2.
Rectificarea se face numai roţilor dinţate executate din oţeluri dure, care
au fost tratate termic şi care necesită o precizie ridicată (cutii de viteze,

85
`
reductoare, ş.a.). Rectificarea este o operaţie costisitoare (necesită un număr
mare de treceri), iar maşinile de rectificat roţi dinţate sunt în general scumpe.
Se utilizează de obicei procedeul rectificării prin rulare, cu mai multe
variante de lucru, fig. 5.11
După cum se observă scula poate avea formă de disc, taler, melc-modul,
ş.a. [4, 15].
Nu se rectifică roţile dinţate cu modul mare de (15÷20)mm.
La toate variantele, discurile abrazive sunt corectate şi reascuţite cu
dispozitive cu vârf din diamant, accesorii aflate în dotarea maşinilor respective.
Finisarea roţilor dinţate se mai poate face şi prin honuire, lepuire, rodare
sau lustruire electrochimică [15].

86
`
 6. TEHNOLOGII PENTRU DIVIZARE, GRAVARE ŞI TRASAREA
CODURILOR DE BARE

6.1. Tehnologii pentru trasarea diviziunilor

6.1.1 Generalităţi, scule utilizate
Diviziunile sunt reţele de linii care respectă o anumită periodicitate şi care
sunt trasate pe rigle, cadrane, piese optice, ş.a.
În funcţie de modul în care se trasează diviziunile, maşinile de divizat se
împart în longitudinale, circulare şi de divizat speciale.[1,3,4]
Execuţia diviziunilor se face pe piese ale căror suprafeţe trebuie pregătite în
prealabil în funcţie de materialul piesei şi precizia de prelucrare astfel:
- pentru piese metalice, anterior trasării diviziunilor suprafeţele respective
trebuie prelucrate cu scule abrazive având granulaţia astfel aleasă încât
urmele lăsate să fie uniforme pe toată suprafaţa cu o lăţime şi adâncime
care să nu depăşească 1/100 din lăţimea diviziunilor ce urmează a fi
executate cu scule obişnuite;
- pentru piese din sticlă optică aceste urme nu trebuie văzute pe suprafaţă
de prelucrat cu o lupă ce poate să mărească de 6 ori.
Sculele utilizate pentru gravare pot fi din oţel aliat de scule sau cu vârf din
diamant (acestea permit trasarea unor diviziuni foarte precise şi pe piese
metalice tratate termic).
Se recomandă utilizarea sculelor metalice pentru lăţimi ale diviziunilor mai
mari de 0,01mm şi scule cu vârf de diamant pentru lăţimi ale diviziunilor sub
0,01mm (permit execuţia unor diviziuni de până la 0,3 m) .
Geometria sculelor de divizat prezintă unele particularităţi, fig. 6.1, astfel,
unghiul de aşezare,   30 , unghiul de vârf   15 , iar unghiul de degajare
  0 pentru bronz, alamă,   5 pentru aluminiu,   10 pentru materiale

87
`
plastice; vârful sculei poate fi triunghiular
sau trapezoidal ( b  0,02  0,3 mm iar
a  0,1  0,3 mm).
În funcţie de precizia realizării
divizării, maşinile de divizat liniar sau
circular se împart în patru clase. Astfel
maşinile de divizat liniar din clasa I pot
realiza până la 1700 de diviziuni pe un
Fig. 6.1.
milimetru de lungime cu o eroare maximă
de ±0,025m.

6.2. Tehnologii de divizat liniar

Toate maşinile de divizat de construcţie mecanică au acelaşi principiu de
lucru, având în structura cinematică două subansambluri principale;
- pentru acţionarea intermitentă a mesei maşinii, pe care se montează piesa
de divizat (existând şi un dispozitiv de reglare a pasului dintre doua
diviziuni);
- pentru realizarea mişcării principale de aşchiere (acţionarea sculei)
existând şi un mecanism de ridicare a sculei (cu came) în timpul cursei
pasive.
Mişcările maşinii sunt (figura 6.2);
I – execuţia – trasarea diviziunii;
II – ridicarea sculei de pe piesă;
III – revenirea sculei în poziţia de lucru;
IV – coborârea sculei pe piesă.
În timpul mişcării III (scula se ridică de pe
piesă) are loc avansul V al mesei maşinii deci al Fig. 6.2
piesei cu un pas = o diviziune ce trebuie trasată.

88
`
 În figura 6.3 se prezintă schema structurală de principiu a unei maşini de
divizat liniar în care 1 este motorul electric de acţionare, 2 angrenaj melc roată
melcată, 3 transmisie prin curele, 4 angrenaj de roţi dinţate cilindrice, 5
mecanism de reglare a pasului dintre două diviziuni, 6 mecanism bielă-manivelă
cuplat cu un sector dinţat, 7 mecanism cu clichet pentru realizarea intermitenţei
mişcării de avans a mesei 9, ce este acţionată de şurubul micrometric 8. Pentru a
exista coordonate cinematică precisă între mişcările mesei maşinii şi sculei,
lanţul cinematic pentru acţionarea sculei primeşte mişcarea tot de la acelaşi
motor electric1 (de pe schema prezentată în fig.6.3 de la roţile dinţate 4) prin
intermediul angrenajelor 10 şi 11, apoi articulaţiile conice şi arborele telescopic
12, angrenajul de roţi sferice 13, de unde lanţul cinematic se divide în alte două
lanţuri cinematice:
- pentru ridicarea – coborârea sculei mişcările II şi IV, fig. 6.2, compus din
cama tachet 14, sistem de pârghii 19, suport port-sculă 20, sculă 21.

Fig. 6.3

- subansamblul pentru reglarea curselor active de lucru I şi respectiv

mişcarea III, format din mecanism bielă - manivelă 15, camă plană -
tachet 16, clichet- roată de clichet 17, disc cu limitatori - ştifturi filetate

89
`
 reglabile 18, pentru controlul lungimi diviziunilor tasate, acelaşi suport
port - sculă 20, scula de divizat 21.
Pentru compensarea erorilor posibile, pe maşini se montează diverse
dispozitive de corecţie [9].

6.3 Tehnologii de divizat circular

Din punct de vedere cinematic

maşinile de divizat circular se aseamănă cu
cele de divizat liniar având acelaşi ciclu de
lucru, cu deosebirea că avansul intermitent
al mesei (piesei) este circular (mișcarea V
în fig.6.5) iar mişcarea I – trasarea
diviziunii. Fig. 6.4

Întrucât dispozitivul port-sculă al

maşinilor de divizat circular permite
diverse poziţii de reglaj VI, VII (fig. 6.5)
face posibilă trasarea unor diviziuni în
foarte multe poziţii pe piese, fig. 6.4, de
diverse configuraţii.
În figura 6.5 se prezintă schema de
principiu a unei maşini de divizat circular
în care s-au notat cu I, II, III, IV şi V
mişcările de lucru şi cu VI şi VII mişcările
de reglaj; 1 scula, 2 piesa pe care se
execută divizarea, 3 masa maşinii, 4-5
angrenaj melc-rată melcată prin care se
transmite la masa 3 mişcarea de avans circular intermitent V, 6 suport port-
sculă, Fig. 6.5

90
`
7 dispozitivul de acţionare şi reglare pentru scula 1.
Principalele tipuri de diviziuni care se pot trasa pe maşini de divizat liniar
sau circular sunt prezentate în figura 6.6.

Fig. 6.6

Aprecierea preciziei de execuţie a operaţiei de divizare se poate face prin

trei criterii:
- abaterea de divizare admisă între două repere succesive;
- abaterea de divizare admisă între două repere oarecare;
- abaterea de divizare admisă - pentru toată lungimea scării gradate de
executat [7,17].

6.4 Tehnologii pentru divizat şi gravat reticule şi reţele de difracţie

Realizarea reticulelor cu scări divizate şi gravate şi a reţelelor de difracţie,

se poate face prin mai multe procedee. Cele care folosesc aşchierea directă sau
indirectă (urmată de atac chimic) necesită aceleaşi tipuri de maşini pentru
divizat şi gravat, diferenţa constând în natura materialului prelucrat (sticlă,

Fig. 6.7

91
`
metal, lac), lucru care se răsfrânge asupra sculelor folosite. Sculele utilizate la
aşchierea directă prezintă o monogranulă din diamant ascuţit special, iar cele
destinate aşchierii indirecte sunt executate din oţel carbon de scule sau înalt aliat
cu crom. Sculele folosite pentru divizat sunt cuţite cu vârf (fig. 6.7, a) sau cu
muchie lată (fig. 6.7, b) pentru prelucrări de mare precizie (reţele de difracţie).
La gravare se pot folosi şi freze de gravat care au mişcare de rotaţie (fig. 6.7, c)
şi pot avea unghiul de degajare γ negativ sau zero, în funcţie de rezistenţa
mecanică necesară, iar mărimea unghiului la vârf ε influenţează direct adâcimea
şi grosimea reperului. De asemenea se mai utilizează vârfuri (fig. 6.7, d) şi cuţite
de gravat (fig. 6.7, e) care nu au mişcare de rotaţie şi au lăţimea tăişului Δ care
condiţionează grosimea reperului.
La realizarea scărilor gradate liniare cu
acelaşi pas între repere se utilizează maşini de
divizat liniar, pentru scările circulare cu distanţă
uniformă între repere sunt utilizate maşini de
Fig. 6.8
divizat circular, iar pentru reticule de altă formă şi
pentru inscripţii sunt utilizate maşini de gravat de
tip pantograf. Construcţia acestor maşini este
similară cu a celor utilizate la prelucrarea scărilor
gradate şi a inscripţiilor pe piesele metalice.
Probleme deosebite se pun la realizarea reţelelor de difracţie pe piese optice
care pot avea profiluri diferite, fig. 6.8, şi o foarte mare densitate de repere
paralele şi echidistantefapt ce amplifică dificultatea execuţiei (600 – 1000
linii/mm).
Maşinile de divizat utilizate la execuţia reţelelor de difracţie trebuie să
realizeze performanţe deosebite: erori cumulate de divizare pe întreaga lungime
a reţelei sub 0,025 μm şi erori periodice mai mici de 0,0005 μm.
Sculele utilizate trebuie să-şi păstreze profilul constant timp îndelungat,
minim cât durează execuţia unei reţele. Instalaţiile de divizat folosite se bazează

92
`
pe poziţionarea foarte precisă şi corectarea reciprocă a poziţiei sculă piesă
printr-un sistem de servocontrol.

6.5 Tehnologii pentru trasarea codurilor de bare

Un simbol de cod de bare este format dintr-o serie de bare şi spaţii

adiacente paralele, care materializează anumite informaţii, şi reprezintă o
tehnologie automată de identificare a unui produs.
Pentru trasarea pe produs sau pe eticheta produsului a codului de bare
corespunzător se utilizează mai multe tehnici de tipărire „off-site” sau „on-site”
sau tehnici de gravare-marcare cu laser sau alte tehnici [3].

93
`
 7. TEHNOLOGII PENTRU PRELUCRAREA PIESELOR OPTICE ŞI A
PIETRELOR TEHNICE – CRISTALELOR

7.1. Particularităţi ale acestor tehnologii

Tehnologiile pentru prelucrarea pieselor optice şi a pietrelor tehnice
prezintă anumite particularităţi datorate atât proprietăţilor cât şi a
caracteristicilor materialului din care sunt executate aceste componente, cât şi
condiţiilor tehnice severe impuse acestor componente.[1,3,4]
Construcţia utilajelor folosite la aceste prelucrări trebuie să tină cont de:
- duritatea ridicată a sticlei optice (6 – 7 pe scara Mohs) şi a pietrelor
tehnice (cuarţ – 7,rubin – 9, safir – 9, diamant – 10) concomitent cu
fragilitatea deosebită şi mica rezistenţă la şocuri mecanice şi termice;
- comportarea diferită a materialului în funcţie de direcţia prelucrării
faţă de orientarea axei reţelei cristaline la rubin, safir, diamant, spat de
Islanda, sare gemă, cuarţ, s.a.
- condiţiile tehnice impuse de funcţionalitatea pieselor, concretizate prin
toleranţe de execuţie foarte strânse (sutimi şi chiar miimi de
milimetru), rugozitatea foarte mică (Ra = 0.025 – 0.012 µm) necesară
asigurării transparenţei suprafeţei prelucrate a piesei optice şi toleranţe
unghiulare de ordinul secundelor.
Clasificarea utilajelor pentru prelucrarea pieselor optice şi a cristalelor se
face în special după felul operaţiei executate şi anume;
- maşini de debitat sticlă optică;
- maşini pentru găurit sticlă optică;
- maşini pentru frezat piese optice;
- maşini pentru şlefuit şi polisat piese optice;
- maşini pentru centrat şi debordat piese optice;
- maşini pentru execuţia componentelor optice asferice;
- maşini pentru divizat şi gravat reticule şi reţele de difracţie;

94
`
 - maşini pentru prelucrarea cristalelor-pietrelor tehnice;
Aceste utilaje sunt construite pe principiul maşinilor utilizate la prelucrarea
materialelor dure şi utilizează drept scule:
 scule abrazive cu diverse forme şi profiluri;
 scule diamantate;
 paste cu pulberi şi micropulberi abrazive în suspensie.
Utilajele folosite pentru prelucrarea pieselor optice si a cristalelor prezintă
o serie de particularităţi constructive şi anume:
- au mai multe posturi de lucru (de ex. capete de şlefuit, polisat)
putând fi prelucrate un număr mare de piese simultan;
- sculele utilizate sunt specifice fiecărui tip de prelucrare;
- prinderea şi fixarea pieselor ţine cont de materialul acestora,
sticlă optică şi cristale, şi natura operaţiei executate, putând fi
rigidă, elastică sau specială.
Particularităţile proceselor de prelucrare a sticlei optice şi a cristalelor se
regăsesc în parte şi la procesele de prelucrare prin rectificare sau lepuire (de ex.
traiectoria cât mai complexă a granulelor abrazive, presiunea şi viteza de
prelucrare, uneori şi temperatura de lucru).

7.2. Tehnologii pentru debitat sticlă optică

Debitarea este o operaţie preliminară care se execută cu ajutorul sculelor cu

vârf de diamant, rolelor din carburi metalice, discurilor abrazive sau diamantate
cu abrazivi în suspensie.
La debitarea din plăci cu grosime maximă de 8 – 10 mm se foloseşte un
vârf din diamant sau o rolă armată cu carburi metalice care lasă în urma trecerii
pe suprafaţa semifabricatului o adâncitură de 0,3 – 0.8mm.
Despicarea se face prin lovire cu ciocanul, după ce în prealabil piesa a fost
întoarsă şi aşezată cu crestătura pe un covor din cauciuc.

95
`
 Debitarea din bloc se poate face (fig.
7.1) cu disc diamantat 1, obţinut prin
sinterizare, cu o grosime de 0,5 – 2 mm,
care are mişcare de rotaţie – ns , în timp ce
blocul 2 are o mişcare de avans – s, ce se
acţionează manual prin mecanismul
manivelă - şurub-piuliţă (5, 4, 3)sau în
Fig. 7.1
regim automat.
Discul diamantat poate fi
înlocuit cu un disc sau cu un fir
metalic (fig. 7.2) care lucrează în
soluţie de abraziv cu apă.
Firul 1 bine tensionat între rolele
2 şi 3 are o mişcare de translaţie v
dată de acestea. În mişcarea sa firul,
antrenează particule de abraziv aflate
în suspensie în cuva 4, imprimând
acestora mişcarea necesară de
prelucrare, în timp ce piesa 5 execută
mişcarea de avans – s. Fig. 7.2

Pentru blocuri cu dimensiuni mai mari de 700 mm se utilizează o bandă

diamantată flexibilă (figura 7.3), alcătuită dintr-un cablu de oţel 1, pe care se
montează inele metalice 2 ce formează suportul sculelor de diamant sinterizat 3.
Distanţa dintre scule este asigurată de bucşele distanţiere 4.
O altă metodă de debitare (fig. 7.4) aplicată barelor de sticlă foloseşte o
rezistenţă electrică 1 încălzită puternic cu ajutorul curentului electric în timp ce
piesa 3 se roteşte şi este răcită abundent cu apă rece adusă prin ajustajul 2. Astfel
în zona de contact cu rezistenţa electrică, apar în piesă mici fisuri care conduc la
debitarea piesei.

96
`
 Debitarea cristalelor cu plan de clivaj se face prin despicarea (cu o lamă
lovită uşor cu un ciocan) după acel plan în care forţa de coeziune moleculară
este minimă (ex. cristale de cuarţ sau spat de Islanda).

Fig. 7.3 Fig. 7.4

7.3. Găurirea sticlei optice

Construcţia maşinilor de găurit sticlă optică
depinde de procedeul şi scula utilizată astfel:
A. Găurirea cu burghie tubulare diamantate
(fig. 7.5) poartă denumirea de carotare şi se aplică
la realizarea găurilor cu diametrul de 3 – 300 mm
în piese optice, cât şi pentru decuparea
semifabricatelor de diametru 2 – 200 mm din plăci
de sticlă (diametrul semifabricatului este egal cu
diametrul interior al sculei obţinută prin
sinterizarea de pulberi de diamant şi bronz, fie prin
depunere galvanică a pulberilor de diamant direct
pe corpul sculei realizat dintr-o ţeavă cu pereţi
subţiri. Se utilizează maşini verticale de găurit,
scula având o mişcare de rotaţie cu o viteză de 1 –
3 m/s şi un avans de 0.05 mm/rot. Fig. 7.5

97
`
 B. Găurire cu burghie monobloc din carburi metalice sau armate cu plăcuţe
din carburi metalice (fig 7.6) se utilizează mai rar pentru dimensiunile găurilor
cuprins între 3-12 mm, burghiul având viteza de 15 – 20 m/min şi un avans de
0.05 mm/rot.
C. Găurile străpunse sau înfundate cu profil necircular, oricât de complicat,
pot fi prelucrate pe instalaţii cu ultrasunete. Se utilizează uzual acest procedeu
pentru găuri de diametre 0.8 – 80 mm (cap. 9.5).
D. În cazul găurilor de precizie scăzută şi adâncime mică se pot utiliza
instalaţii cu jet de lichid abraziv sub presiune. Abrazivul este adus în zona de
lucru printr-o duză de safir de 0.1 – 0.5 mm. [cap. 9.7]
E. Instalaţiile laser cu mediu activ solid lucrând în impulsuri, se pot folosi
la execuţia unor găuri cu diametre foarte mici 0,01 – 0,005 mm şi pe adâncimi
reduse de până la 2,5 mm.[5]

7.4. Tehnologii de” frezat” piese optice

Operaţiunea de frezare a pieselor optice – impropriu denumită aşa – este o

şlefuire brută (eboşare) executată cu scule diamantate de construcţie specială.
Aceste scule, tubulare, au partea activă de forma unui inel continuu sau
întrerupt de canale radiale, (fig. 7.7), pot înlătura un adaos mare de material,

Fig. 7.7
între 0.6 şi 1.5 mm şi sunt utilizate in special la execuţia prismelor optice de
diverse forme şi a lentilelor sferice.

98
`
 Maşinile de frezat utilizate la realizarea prismelor optice (fig. 7.8) prezintă
sisteme independente pentru acţionarea semifabricatelor şi sculelor. Piesele de
prelucrat 1 se fixează pe platoul 2, a cărui mişcare de avans – s p – este dată de o

camă ce acţionează asupra saniei port-piesă 3 montate pe ghidajele 4.

Fig. 7.8

Capul port-sculă 5 se poate rotii în jurul punctului O cu un unghi ω pentru

asigurarea înclinării sculei, în acelaşi timp putându-se deplasa şi transversal
avansul s1 pe ghidajele 6.
Unele maşini de frezat sunt utilizate la operaţii de degroşare-profilare a
lentilelor cu suprafeţe convexe (fig. 7.9) sau concave (fig. 7.10) înainte de
operaţiile de şlefuire-polisare.

Fig. 7.9 Fig. 7.10

Poziţia unghiulară a axei sculei faţă de axa piesei se determină în funcţie de
raza de sfericitate R a dioptrului şi de diametrul d s al sculei, astfel încât curba

99
`
de contact dintre sculă şi piesă să acopere uniform întreaga suprafaţă a lentilei.
Se pot realiza diferite raze de sfericitate cu aceeaşi sculă, dar diametrul d s
trebuie să fie aproximativ 2/3 din diametrul sferei de referinţă.
Înclinarea sculei tubulare se determină cu relaţia:
ds
sin  
2R  r 
pentru suprafeţe convexe, şi:
ds
sin  
2R  r 
pentru suprafeţe concave, unde r este raza de racordare a sculei.
După înclinarea arborelui port-freză cu unghiul α, este necesară translatarea
acesteia, de obicei cu un mecanism şurub-piuliţă, până când muchia tăietoare a
sculei “a” (fig. 7.9 şi 73.10) este adusă pe axa de rotaţie a semifabricatului.

7.5. Tehnologii de şlefuit şi polisat piese optice

Şlefuirea este operaţia prin care se realizează forma şi precizia

dimensională a pieselor optice. În funcţie de performanţele obţinute se disting:
- şlefuirea brută – de degroşare (eboşare), cu realizarea unei
rugozităţi de 6,3 – 3,2 μm;
- şlefuirea medie, conduce la o rugozitate de 3,2 – 1,6 μm;
- şlefuirea fină (dusisare), în urma căreia rezultă o rugozitate de 1,6 –
0,8μm;
Polisarea este operaţia prin care se obţine transparenţa pieselor optice. Prin
polisare se realizează o rugozitate de 0,012 μm şi abateri dimensionale şi de
formă controlabile numai prin mijloace interferometrice.
La toate aceste operaţii, îndepărtarea adaosului de prelucrare are la bază
acţiunea mecanică a granulelor abrazive şi acţiunea chimică a apei (granulele
abrazive se găsesc în suspensie în apă). Apa reacţionează cu stratul superficial

100
`
de sticlă rezultând compuşi care lărgesc şi adâncesc fisurile şi accelerează
acţiunea mecanică a abrazivului asupra suprafeţelor prelucrate.[2,4]

7.5.1. Scule şi dispozitive pentru şlefuit şi polisat

Sculele utilizate la şlefuirea şi polisarea pieselor optice ţin cont de duritatea

ridicată a materialului de prelucrat – sticlă optică şi de condiţiile tehnice impuse
pieselor optice. Aceste scule au la bază materiale abrazive naturale sau sintetice
caracterizate prin granulaţie şi duritate.
Abrazivii se folosesc sub formă de pulberi (cu mărimea granulei de 40 –
160 μm) sau micropulberi (cu mărimea granulei de 5 - 40 μm).
Materialele abrazive utilizate la şlefuire au duritate mai mare decât a sticlei
optice, putând fi:
 naturali: diamant, coridon (constituit din trioxid de aluminiu
cristalizat – Al 2 O 3 – şi unele impurităţi care îl nuanţează de la alb la
cărămiziu), şmirghel (varietate de coridon cu oxid natural de fier –
magnetic);
 sintetici: carborund (SiC – cu două variante: carborund verde – Cv –
şi negru – Cn), electrocorindonul ( Al 2 O 3 cu variantele sale:
electrocorindon normal – E – şi nobil – En diferenţiate de conţinutul
de alumină), carbura de bor (B4C – folosit la şlefuirea cristalelor de
safir şi rubin) şi diamant.
Abrazivii folosiţi la polisare au o duritate apropiată de a sticlei optice,
prezentându-se sub formă de micropulberi. Se utilizează: oxidul de ceriu
(CeO2), oxidul de fier (Fe2O3), oxidul de crom (Cr2O3) şi polirit (format dintr-
un amestec de oxizi ai metalelor alcalino-pământoase: CeO2, TiO2, ZrO2).

101
`
 Fig. 7.11

Şlefuirea se poate realiza cu abrazivi liber sau cu scule abrazive, între care
o pondere ridicată o au sculele diamantate.
La şlefuirea cu abrazivi liber se impune mişcarea liberă a suportului sculei.
Abrazivul trebuie să prezinte cât mai multe colţuri ascuţite şi o granulaţie cât
mai uniformă, acesta lucrând în suspensie într-un liant. Liantul folosit este un
lichid cu mai multe funcţii: creează o legătură între granulele abrazive, răceşte
locul de contact port – sculă – sculă – piesă şi reacţionează chimic cu materialul
piesei optice. Se folosesc apa (pentru sticlă optică) şi glicerină, petrol, ulei de
transformator (pentru cristale).
Suportul sculei are formă conjugată suprafeţei ce se prelucrează, existând
platouri (fig. 7.11, a) pentru suprafeţe plane, ceşti (fig. 7.11, b) pentru suprafeţe
convexe şi capete (fig. 7.11, c) pentru suprafeţe concave.

Fig. 7.12

Aceste dispozitive se realizează din materiale uşor prelucrabile şi ieftine:

102
`
fontă cenuşie, alamă şi oţeluri cementare. Suprafaţa activă a suportului poate fi
netedă (fig. 7.12, a), cu canale inelare (fig. 7.12, b) sau rectangulare (fig. 7.12,
c), pentru reţinerea abrazivului.
La discurile abrazive utilizate pentru aceste operaţii, pulberea abrazivă
amestecată cu liant este fixată pe corpul sculei. Asemenea pietrelor de rectificat,
aceste discuri se realizează cu lianţi de bachelită sau ceramici, având aceleaşi
proprietăţi privind duritatea şi structura.[1,2,3]
Sculele diamantate folosite la şlefuire pot fi obţinute prin sinterizare sau
galvanostegie. Sculele obţinute prin sinterizare direct pe corpul sculei a unui
amestec de pulbere de diamant şi liant metalic sub formă de pulbere pot avea
partea activă pe suprafaţa frontală (fig. 7.13, a) sau cilindrică (fig. 7.13, b) a
sculei.[1,2]
Se foloseşte ca liant metalic: cuprul şi staniul sau fier, cupru staniu şi
nichel, grosimea stratului rezultat fiind de 3 – 5 mm.
Sculele diamantate pot fi obţinute din pastile diamantate sinterizate şi lipite
pe corpul sculei cu un adeziv (araldit). Diametrul pastilelor este de 5 – 10 mm
(fig. 7.14).

Fig.7.13. Fig.7.14.

103
`
 Operaţia executată cu scule având pastile de diamant se mai numeşte
impropriu şi lepuire.
Sculele obţinute prin galvanostegie pot avea orice formă (fig. 7.15) şi se
obţin prin acoperirea iniţială a corpului sculei 1 cu un strat de cupru 2, urmat de un
strat de nichel 3, în electrolitul căreia se află pulbere de diamant în suspensie 4 şi
acoperit în final cu un strat de crom dur 5 pentru protecţie.
Polisarea se face numai cu abraziv liber, cu duritate mai mică (pentru a nu
zgâria suprafaţa piesei) şi cu granulaţie foarte fină. Granulele de abraziv
lucrează în suspensie în apă, iniţial o parte din granule fiind înglobate sub forma
unui strat superficial în suportul port – abraziv.

Fig. 7.15

Suportul sculei – polisorul –

(fig.7.16) este format dintr-un corp
1 din oţel sau aliaje de aluminiu
(cu partea de fixare în arborele
maşinii din OLC) pe care se aplică
Fig. 7.16
suportul abrazivului.
Pe suprafaţa de lucru a corpului 1 se aplică suportul abrazivului care poate
fi: mastic de polisare 2 (fig. 7.16 a), suport textil sau material plastic (fig. 7.16 b)

104
`
aplicat prin lipire cu adezivul 3 pe suprafaţa polisorului, sau o combinaţie de
mastic şi fibre textile.
Suportul de mastic este un amestec de clofoniu (30 – 40 %), smoală (25 –
30 %), ceară de albine (5 – 10 %) şi răşini (20 – 25 %).
Uneori se adaugă şi rumeguş de lemn sau polirit pentru asigurarea
menţinerii formei în timpul lucrului.
Suportul textil este realizat din postav, pâslă sau fetru cu o grosime uzuală
de 3 – 10 mm.
Suportul din materiale plastice este obţinut din felii de poliuretan de 1,5 – 3
mm grosime.
Polisoarele din materiale plastice au la centru o adâncitură pentru
colectarea impurităţilor, iar cele care lucrează pe instalaţii de alimentare
continuă cu abraziv au un orificiu central (fig. 7.16, a).

7.5.2. Tehnologii de şlefuit şi polisat piese optice

Şlefuirea şi polisarea au la bază procedeul rodării libere şi permite

prelucrarea pieselor optice cu suprafeţe plane sau sferice de precizie medie sau
înaltă specifice producţiei de serie mică sau mare.

Fig. 7.17

105
`
 La şlefuirea suprafeţelor convexe (fig. 7.17, a), piesa 4 blocată elastic pe
suprafaţa dispozitivului 2 prin intermediul masticului de blocare 3 execută o
mişcare de rotaţie n2, în timp ce suportul sculei 1 antrenează granulele abrazive
5 într-o mişcare cât mai complexă prin rotaţia sa n1, mişcarea de basculare  şi
oscilaţia 1 .
În acelaşi timp suportul sculei realizează o presiune de lucru – p necesară
prelucrării. Granulele abrazive sunt aduse în zona de lucru prin pensulare
(şlefuire manuală) sau printr-un sistem de alimentare propriu maşinii.
În cazul polisării suprafeţelor concave, polisorul format din corpul 1 pe
care este aplicat un mastic de polisare 5 execută o mişcare de rotaţie n2 , în timp
ce piesele 4, blocate elastic prin intermediul unor perniţe de mastic 3 execută
mişcarea de rotaţie n1 , de basculare  şi de oscilaţie ω1 (fig. 7,17, b).
În construcţia tuturor tipurilor de maşini de şlefuit şi polisat intră 4
subansambluri de bază:
 Subansamblul articulaţiei sferice care realizează legătura părţii
superioare a maşinii cu braţul oscilant al capului de şlefuit (polisat) şi
care permite realizarea basculării  pentru urmărirea profilului.

 Mecanismul bielă-manivelă care imprimă mişcarea de deplasare a

părţii superioare 1 .

 Arborele principal vertical al părţii inferioare, prin care se realizează

mişcarea de rotaţie n2 .

 Capul de şlefuit (polisat) ce execută mişcarea complexă de (rotaţie

+oscilaţie + basculare) şi care constituie un element al cuplei
cinematice sculă (abraziv) – semifabricat.
Schema structurală a unei maşini de şlefuit şi polisat cu două posturi,
produsă de I.O.R., este disponibil în [3,6].

106
`
 7.6. Tehnologii pentru centrat şi debordat piese optice

Pentru ca o lentilă prelucrată, să poată să fie fixată într-o montură de aparat

optic este necesar să fie centrată şi debordată corect, adică să i se asigure
coincidenţa dintre axa optică-AO, formată de linia ce uneşte cele două focare ale
celor doi dioptrii şi axa geometrică AG de simetrie dată de diametrul său
exterior (fig. 7.18, a).
Centrarea (fig. 7.18 b) este operaţia şi prin care se asigură coincidenţa
dintre axa optică a lentilei şi care este dată de axa de referinţă axa maşinii AM a
arborelui principal, care are o mişcare de rotaţie şi axa de simetrie.

Fig. 7.18

Debordarea (fig. 7.18, c) este operaţia prin care se îndepărtează adaosul

de prelucrare aigurând coincidenţa dintre axa optică a lentilei, axa geometrică şi
axa maşinii AM.
Materializarea axei optice AO a lentilei se poate realiza prin mai multe
procedee: pe cale optică (prin transparenţă sau prin reflexie după spot luminos)
şi pe cale mecanică.

107
`
 La centrarea prin transparenţa se vizează printr-o lunetă de observare un
reticul simplu al unui colimator, aflat în faţa lentilei, corectând poziţia lentilei
până când imaginea reticulului se încadrează între braţele crucii reticulate duble
a lunetei de observare.
La centrarea prin reflexie se vizează printr-o
lunetă de observare imaginea unei surse de lumină
reflectată de suprafeţele dioptrilor, manevrând
atent lentila până la obţinerea unui punct luminos
central.
La centrarea mecanică (fig. 7.19) (auto-
centrare), piesa 3 este prinsă între două bucşe
Fig. 7.19 coaxiale cu muchii vii 1 şi 2, care au mişcare de
rotaţie în acelaşi sens şi cu aceeaşi viteză.
Datorită forţei F exercitată de bucşă, lentilă tinde să se deplaseze sub
acţiunea componentei Fn până când contactul între bucşe şi faţa dioptrului are
forma unui cerc complet, situaţie în care se consideră că axa optică a lentilei
coincide cu axa de rotaţie a arborelui principal al maşinii.
Maşinile de centrat şi debordat sunt realizate pe principiul maşinilor de
rectificat rotund exterior, debordarea-prelucrarea realizându-se cu discuri
abrazive diamantate.

7.7. Maşini pentru prelucrarea suprafeţelor asferice ale pieselor

optice

Suprafeţele asferice, în ciuda dificultăţilor de execuţie ce le ridică, sunt din

ce în ce mai mult folosite în sistemele optice pentru performanţele pe care le
realizează.
Suprafeţele asferice pot fi clasificate în două mari grupe:
a. suprafeţe de revoluţie cu o axă de simetrie;

108
`
 b. suprafeţe cu două plane de simetrie.
a. Suprafeţele asferice cu o axa de simetrie – se obţin prin secţionarea unui con
cu un plan AB (fig. 3.20). În funcţie de mărimea unghiului de înclinare β al
planului de secţiune faţă de normala la axa conului se obţin diverse tipuri de
secţiuni, deci de suprafeţe asferice:
   - elipsă - elipsoid
   – parabola - paraboloid
   – hiperbolă – hiperboloid
Suprafeţe asferice cu două plane de
simetrie – se obţin prin rotirea unui cerc
generator de rază Rg în jurul axei unui cerc
director de rază Rg. Funcţie de mărimea
razei generatoare se obţin următoarele
suprafeţe asferice:
Rg = α – cilindrice (fig. 7.21, a) Fig. 7.20.

Rg < α – torice (fig. 7.21, b)

Fig. 7.21

109
`
 Prelucrarea suprafeţelor asferice se face pe utilaje de mare complexitate
care folosesc scule ce nu reprezintă întotdeauna negativul suprafeţei – ca în
cazul suprafeţelor sferice – motiv pentru care cinematica maşinilor trebuie să
asigure o prelucrare cât mai uniformă. Utilajele folosite pentru obţinerea
suprafeţelor asferice pot funcţiona după mai multe metode de lucru:
a. cu contact punctiform între sculă şi piesă;
b. cu contact liniar între sculă şi piesă;
c. cu contact pe suprafaţă între sculă şi piesă;
Prelucrarea suprafeţelor asferice cu o axă de simetrie se face pe principiul
contactului punctiform între sculă şi piesă cu o maşină de frezat (fig. 7.22) care
foloseşte o sculă abrazivă diamantată 1 pusă în mişcare de rotaţie I de motorul
electric 2 prin intermediul transmisiei cu curea 3. Piesa 4 are o mişcare de rotaţie
II

Fig. 7.22.

110
`
primită de la motorul electric 5 prin transmisia cu curele 6 şi angrenajul melcat
7. Piesa 4 are şi o mişcare de translaţie alternativă III, odată cu păpuşa port-piesă
8, mişcare primită de la motorul electric 9 prin transmisia cu curele 10,
Z1
angrenajul de roţi dinţate , articulaţia telescopică 11, şurubul conducător
Z2
12 şi piuliţa 13. În acest timp freza diamantată urmăreşte profilul piesei prin
intermediul braţului articulat 15 în jurul articulaţiei 16.
Polisarea suprafeţelor asferice cu o axă de simetrie se face după metoda cu
contact pe suprafaţă între sculă şi piesă folosind scule flexibile, care să se
adapteze formei suprafeţei realizată anterior prin şlefuire.

Polisoarele flexibile (fig. 7.23) pot avea diferite suporturi:

a) un suport de postav 2 impregnat cu oxid de ceriu şi fixat de arcul lamelar 1
prin articulaţia sferică 3, scula fiind antrenată de arborele de antrenare 4 într-
o mişcare de translaţie alternativă I, în timp ce piesa optică se roteşte,
mişcarea II;
b) un suport din pâslă 1 presată la forma suprafeţei asferice şi lipită pe o bucată
de buret 2 ataşat la suportul de aluminiu 3, prin care se face legătura cu
elementul de antrenare al maşinii, de la care se primeşte mişcarea de rotaţie
I, în timp ce piesa optică execută o mişcare de rotaţie II şi o mişcare de
basculare III.

Fig. 7.23.

111
`
 Şlefuirea şi polisarea suprafeţelor asferice cilindrice se face pe maşini ce
funcţionează pe principiul contactului pe suprafaţă între sculă şi piesă.
Piesa 1 prinsă în dispozitivul 2 execută o mişcare de basculare I, în timp ce
printr-un sistem hidraulic este apăsat asupra suportului sculei 3 cu o presiune p.
Suportul sculei 3 este fixat pe sania mobilă 4 a maşinii care execută
mişcarea de translaţie alternativă II. Din combinaţia celor două mişcări rezultă
generarea suprafeţei.
Pentru obţinerea unei suprafeţe corespunzătoare trebuie respectată condiţia
de coaxialitate a celor două suprafeţe ce vin în contact: a suportului sculei şi a
piesei. În cazul polisării pe suportul sculei 3 se depune un strat de mastic pe bază
de smoală şi colofoniu, impregnat cu oxid de ceriu.

7.8 Tehnologia de execuție a reticulelor

Reticulele sunt piese optice care sunt plasate întotdeauna în planul imagine
al aparatelor optice, facând în planul imagine al aparatelor optice, facând ca ele
să fie văzute mărit de 5 până la 100 ori. De aceea, condițiile tehnice impuse
plăcuței plan-paralele pe care se va grava, ca și gravajul propriu zis sunt foarte
riguroase.
Procesul tehnologic de execuție al unui reticul ( similar și pentru lamele
plan-paralele) este prezentat în fig. 7.24

7.9. Tehnologii pentru prelucrarea cristalelor

Cristalele sau pietrele tehnice se utilizează mult în mecanica fină şi

mecatronică pentru lagăre de mici dimensiuni, elemente de ghidare, duze,
vârfuri de măsurare, filiere ş.a., datorită proprietăţilor mecanice deosebite,

112
`
omogenităţii structurale, durităţii foarte ridicate şi rezistenţei mari la uzură. Se
folosesc mai des următoarele cristale: safirul şi rubinul (pentru lagăre şi duze),
diamantul (pentru filiere şi scule de trefilare, vârfuri pentru scule), agatul (pentru
vârfuri de măsurare, elemente de reazem).

a b
Fig. 7.25 Fig. 7.25

Plecând de la tehnologia de prelucrare specifică acestorteriale (datorită durităţii

foarte mari, preciziei de execuţie şi rugozităţii deosebite impuse), a
configuraţiilor (fig. 7.25a) şi dimensiunilor reduse ale pieselor care trebuie
prelucrate, se construiesc maşini specializate pentru astfel de prelucrări, care

113
`
utilizează în exclusivitate scule abrazive (mai ales cu granule de diamant) sau se
folosesc procedee neconvenţionale de prelucrare cu ultrasunete sau laser. [ ]
Întrucât realizarea suprafeţelor plane, concave sau convexe la cristale este
asemănătoare cu prelucrarea pieselor optice similare, se vor aborda numai
utilajele folosite pentru execuţia găurilor cilindrice sau conice.
La prelucrarea cristalelor este obligatorie determinarea în prealabil a poziţiei
axei a fiecărui cristal şi poziţionarea corectă a acesteia faţă de direcţia
solicitărilor mecanice la care va fi supus cristalul de exploatare. De ex. pentru
lagărele străpunse, axa optică a cristalului trebuie să coincidă cu axa geometrică
a găurii prelucrate, iar la lagărele cu calotă sferică, cele două axe trebuie să fie
ortogonale (fig. 7.25b).
În funcţie de dimensiunile suprafeţelor
prelucrate, în special adâncimea găurilor,
prelucrarea se execută dintr-o singură
parte sau din ambele părţi (fig. 7.26 b2).
Maşinile utilizate la prelucrarea cristalelor
se aseamănă între ele indiferent Fig. 7.26

de producător, având următoarele caracteristici:

- au mai multe posturi (module) de lucru asemănătoare între ele, care sunt
montate pe aceeaşi masă;
- ciclul de prelucrare este complet automatizat şi comandat după program (de
obicei analogic-came);
- piesele – cristalele se prind în pensete elastice;
- fiecare modul – post de lucru are comandă separată şi poate realiza aceleaşi
operaţii sau operaţii de prelucrare diferite;
- sculele abrazive sunt montate în broşe port-sculă care lucrează la turaţii
ridicate (8.000 – 40.000 rot/min), şi după fiecare prelucrare sunt controlate
automat şi eventual se aplică corecţii asupra profilului şi repoziţionări ale
sculei faţă de semifabricat (pentru compensarea uzurii).

114
`
Schema de principiu pentru un modul – post de lucru este prezentată în fig. 7.27.
Alimentarea cu semifabricate se face cu o mână mecanică iar evacuarea pieselor
finite cu un jet de ulei.

Fig. 7.27

Principalele caracteristici tehnice ale unei maşini (M & B) sunt:

turaţia pensetei port-piesă 6000 – 8000 rot/min;
turaţia broşei port-sculă 40000 rot/min;
broşa port-sculă, înclinabilă cu un unghi maxim de 30º;
diametrul găurilor realizate Ø 0.2 – 2 mm şi grosimi minime pentru
cristale de 2.5 mm;
productivitatea: 60 – 150 piese/oră.
Pentru realizarea unei rugozităţi cât mai bune a suprafeţelor prelucrate la
pietrele tehnice, se face şi o operaţie finală de şlefuire cu paste diamantate pe un
alt utilaj care trebuie să asigure mişcări cât mai complexe ale sculei (mişcare de
rotaţie concomitent cu mişcare vibratorie pe direcţie verticală) sau se poate face
o finisare pe o instalaţie cu ultrasunete.

115
`
 Succesiunea principalelor operații de prelucrare a lagărelor sintetice este
prezentată în fig. 7.28.
Montarea pietrelor tehnice în plăcile de bază se face manual folosind
dispozitive speciale (fig. 7.28), sau folosind dispozitive speciale de dimensiuni
foarte mici cu acţionare lentă, hidraulică sau pneumatică. Presarea pietrelor
tehnice 2 (fig. 7.29) în plăcile de bază 3 se face folosind poansoane plate (fig.
7.29, a) sau concave (fig. 7.29, c). Unele variante au posibilitatea reglării cursei
prin forma poansonului (fig. 7.29, b).

Fig .7.28

116
`
 Fig. 7.29

În unele cazuri placa de bază (piesa suport) se sprijină în momentul presării

pietrei pe o placă de cauciuc dur, care permite o centrare mai bună între placă şi
piatră. În cazul unei acurateţi deosebite la montaj se foloseşte un dispozitiv
special (fig.7.29 c) prevăzut cu un contra-poanson 4 montat în interiorul
corpului dispozitivului 5 şi tensionat de un arc 6.[2,4]

117
`
 8. TEHNOLOGII DE EXECUŢIE PE MAŞINI CU COMANDĂ DUPĂ
PROGRAM – SISTEME INTEGRATE DE FABRICAŢIE C.N.C

8.1. Generalităţi, clasificare

Generarea suprafeţelor pieselor prin diferite procedee pe maşini de

prelucrat se realizează prin combinarea mişcărilor relative dintre sculă (electrod-
sculă) şi piesă pe traiectorii impuse şi cu anumite viteze, mişcări care sunt
realizate cu ajutorul lanţurilor cinematice generatoare ale maşinii prelucrătoare.
Celelalte mişcări (montarea, prinderea şi fixarea piesei, reglarea poziţiei
relative piesă-sculă, pornire-oprire, inversarea sensului de mişcare) fac parte din
categoria operaţiilor auxiliare fiind realizate cu ajutorul lanţurilor cinematice
auxiliare.
O maşină automată presupune atât automatizarea mişcărilor principale de
prelucrare cât şi a mişcărilor auxiliare, inclusiv alimentarea cu un nou
semifabricat.
Automatizarea unei maşini (totală sau parţială) se poate face cu ajutorul
unor sisteme care primesc comenzi pentru acţionarea organelor de execuţie –
prelucrare ale maşinii precum şi alte comenzi (pentru funcţii pregătitoare şi
auxiliare) grupate în succesiunea logică necesară prelucrării de la anumite
dispozitive care sunt comandate după un anumit program.
Înmagazinarea comenzilor pe port program se realizează cu unul din
sistemele:

A. Comenzi înregistrate sub formă analogică (informaţia necesară este

convertită într-o mărime geometrică materializată de came, opritori reglabili,
şabloane - modele) şi anume:
- comanda de la came profilate este foarte veche şi se utilizează pentru
producţia de serie mare sau masa, de obicei pentru piese care admit o

118
`
 axă de simetrie. Principalul dezavantaj rezidă din faptul ca
proiectarea, calculul şi execuţia camelor este o operaţie complexă şi
costisitoare, iar schimbarea programului (care se face pentru fiecare
tip de piesă) necesită timp îndelungat şi reglaje costisitoare;
- comanda secvenţială, se realizează cu ajutorul opritorilor reglabili
care acţionează limitatori de cursă mecanici, electrici, hidraulici sau
pneumatici, ce comanda secvenţă după secvenţă mişcările
programate. Principalul dezavantaj constă în timpul îndelungat
pentru reglaje şi manopera de reglare costisitoare. Se utilizează
pentru producţia de tip masă sau serie mare.
- comanda după şablon - model. În acest caz comenzile de lucru se
dau prin copiere după şablon - model care înmagazinează
informaţiile referitoare la geometria şi profilul piesei de prelucrat.
Aceste comenzi se folosesc numai pentru piese care au configuraţie
geometrică complexă, în cazul producţiei de serie mare sau masă.

B. Comenzi înregistrate sub formă numerică – digitală sunt acele

comenzi la care echipamentul de comandă primeşte în întregime sau parţial
informaţii sub formă numerică privind procesul tehnologic de prelucrare al
unei piese. Programul se memorează pe un purtător adecvat sub formă de
date numerice, iar echipamentul de comanda numerica (ECN) este capabil
să înţeleagă informaţiile numerice, să le prelucreze şi la unele tipuri de
maşini să le coreleze cu informaţiile care se primesc din zona de prelucrare
ale maşinii elaborând comenzile necesare pentru acţionarea sistemelor de
execuţie ale maşinii de prelucrat. [3,25]

119
`
 8.2. Maşini de prelucrat cu comandă analogică

8.2.1. Strunguri automate

Strungurile automate sunt strunguri la care întregul ciclu de prelucrare,

inclusiv prinderea şi desprinderea semifabricatului se face automat, comenzile
fiind primite de la came. Operatorul are sarcina numai să alimenteze periodic cu
semifabricate, care pot fi multiple din bară, sârmă sau semifabricate individuale
aflate în buncăre.
Spre deosebire de strungurile automate, cele semiautomate au automatizat
întregul ciclu de prelucrare cu excepţia prinderii şi desprinderii piesei, operaţii
care sunt executate de către operator.
Din punct de vedere constructiv strungurile automate se pot clasifica în
funcţie de următoarele criterii:
- grad de automatizare: în strunguri
automate şi semiautomate;
- numărul de axe: strunguri monoax şi
multiax (fig. 8.1);
- poziţia axelor principale: orizontală,
verticală sau înclinată;
- modul de acţionare: mecanică,
hidraulică sau electrică;
- forma materialului de prelucrat: bară,
sârmă sau semifabricate individuale; Fig. 8.1

modul cum se realizează prelucrarea.

strunjire longitudinală;
- profilare şi retezare cu avans
transversal (fig. 8.2.) - cu cap revolver.
Fig. 8.2

120
`
 Se utilizează, de obicei strungurile automate orizontale, monoax, acţionate
mecanic cu prelucrare din semifabricat-bară.
Pentru o utilizare economică a strungurilor automate este necesar:
- să existe un lot suficient de mare de piese care trebuie prelucrate pentru a se
amortiza şi justifica cheltuielile legate de calculul proiectării, execuţia şi
reglarea camelor;
- piesele să fie suficient de complexe pentru a exploata la maxim posibilităţile
multiple de prelucrare oferite de strungurile automate.

Fig. 8.3

În fig. 8.3 se dau câteva exemple de piese ce se pot prelucra pe strungurile

automate. Săgeţile îngroşate indică operaţiile de completare ce se execută pe
strunguri de repriză sau cu diapozitive auxiliare din dotarea strungurilor

121
`
automate (piesa este prinsă cu o mână mecanică şi adusă într-o poziţie
convenabilă pentru a putea fi prelucrată).

8.2.1.1 Strungul automat cu avans longitudinal al barei-

semifabricat utilizat frecvent în ingineria mecanică se caracterizează prin faptul
că atât mişcarea principală de rotaţie cât şi mişcarea de avans longitudinal o are
semifabricatul sub forma de bară. Întregul proces de prelucrare este automatizat,
comanda fiind primită de la camele montate pe arborele - 14 cu came al maşinii-
strungului (fig. 8.4).

Fig. 8.4

(1) Bara de semifabricat ghidata în bucşa (2), - (3) păpuşa mobilă (4) cama
pentru comanda păpuşii mobile, (5) bucşa pentru ghidarea barei de material (1),
6-7-8- cuţite cu avans radial - 6  7  8 - camele de comandă pentru cuţite, 9 –
cuţite dispuse pe un suport basculant şi 9 - cama de comandă, (10) – cap
basculant pentru scule cu avans axial, (11) cama de comandă pentru capul (10),
(12) – scule cu avans axial (burghie, tarozi, alezoare), (13) cama spaţială de
comandă pentru sculele axiale, (14) - arbore cu came.

122
`
 Schema cinematică a strungului automat orizontal de strunjit longitudinal
cu avans automat al barei (vezi lucrarea de laborator corespunzătoare - [9]) are 3
lanţuri cinematice:
- lanţul cinematic pentru realizarea mişcării principale de rotaţie a
semifabricatului - 1;
- lanţul cinematic pentru acţionarea - rotirea arborelui - 14 pe care sunt
montate camele de comandă;
- lanţul cinematic pentru acţionarea sculelor cu avans axial - 12, de tipul
burghie, alezoare, tarozi, lărgitoare, ş.a. Acţionarea celor 3 lanţuri
cinematice făcându-se coordonat şi sincronizat, întregul proces de
prelucrare este automatizat şi comandat prin intermediul camelor montate
pe arborele cu came - 14.
Construcţia arborelui principal are anumite particularităţi tipice strungurilor
automate şi anume:
- se poate roti şi deplasa axial în acelaşi timp;
- este izolat de vibraţiile produse de motor şi celelalte elemente de
acţionare, întrucât transmiterea mişcării se face printr-un element
elastic de obicei curele late;
- este descărcat de momentul încovoietor al curelei, prin montarea
acesteia la mijlocul arborelui principal.
Principalele faze de lucru automatizate ale maşinii sunt:
- alimentarea cu semifabricate;
- strângerea şi eliberarea materialului din bucşa elastică;
- avansul axial al materialului împreună cu păpuşa mobilă - 3 şi
ghidat în bucşa de ghidare - 5;
- deplasarea succesivă a celor 5 cuţite cu avans transversal, pentru
operaţii de strunjiri exterioare ale piesei-semifabricat;
- punerea în funcţiune a dispozitivului de găurit - alezat şi filetat - 10,
pentru prelucrări cu avans axial;

123
`
 - schimbarea sensului de rotaţie al arborelui principal, sau a sculelor
cu avans axial;
- punerea în funcţiune a dispozitivelor auxiliare ce lucrează în afara
axului principal al maşinii inclusiv a unei mâini mecanice pentru
transport.
Din punct de vedere al posibilităţilor de prelucrare pe strungurile automate
se pot realiza:
- prelucrări cu avans transversal utilizând cele 5 cuţite montate în
suporţii respectivi (vezi fig. 8.5, în care este prezentat un pion de
ceasornicărie);

Fig. 8.5

- prelucrări cu avans axial folosind dispozitivul de găurit, alezat şi

filetat, cu cap basculant, montat axial;
- prelucrări simple de frezare folosind dispozitivul de frezat montat
în afara axei principale a strungului.
În timpul prelucrării, materialul semifabricat este strâns într-o bucşa
elastică care în afară de mişcarea de rotaţie se poate şi deplasa axial primind
comandă de la cama care acţionează păpuşa mobilă a strungului în care este
montată această bucşă elastică.
Pentru semifabricatele cu diametru sub 1 mm (sârma) se foloseşte un
dispozitiv special de îndreptat, strâns şi încărcat, acţionat prin came şi

124
`
sincronizat cu deplasarea de înapoiere a păpuşii strungului la finele unui ciclu de
fabricaţie.[15]
Unele probleme în legătură cu calculul şi proiectarea camelor de comandă.
Comenzile pentru mişcările organelor de execuţie ca de altfel şi alte
comenzi, sunt executate cu ajutorul informaţiilor materializate pe came care
realizează transformarea mişcării circulare a arborelui cu came într-o mişcare
rectilinie sau circular-alternativa a organului comandat.
La o cama se disting următoarele părţi importante (fig. 8.6 şi 8.7)
- pauzele care sunt sectoare
concentrice în timpul cărora
cama nu transmite comenzi
(corespunzător razelor - R1);
- urcările sunt sectoarele unei
came care corespund unor raze
Fig. 8.6
crescătoare în sensul de rotaţie
şi au ca efect deplasarea
tachetului, deci se transmite o
comandă la organul de lucru
comandat;
- coborârile sunt sectoarele
unei came care corespund unor
raze descrescânde în sensul de
rotaţie şi provoacă o retragere Fig. 8.7

a organului condus (scule);

- liniile diviziunilor sunt linii radiale sau curbe, delimitând diferite sectoare ale
camei.
Urcările şi coborârile care provoacă deplasarea organelor conduse pot fi
împărţite în urcări şi coborâri rapide care corespund cu apropierea sau
îndepărtarea rapidă a sculelor faţă de poziţia de începere sau finalizare a

125
`
operaţiilor de prelucrare şi urcări şi coborâri lente corespunzătoare unui anumit
avans de lucru, respectiv operaţiilor de prelucrare.
Pentru operaţiile productive, diferenţa dintre raza de început R1 şi raza de
sfârşit R2 a sectorului de cama corespunzător - fig. 5.7., este proporţională cu
cursa - C pe care o face organul de lucru:
C  K  R2  R1  .
în care: C este cursa elementului condus; K- raportul de transmitere al mişcării
de la cama la organul de lucru (1:1; 2:1 sau 3:1).
Repartizarea cursei ce trebuie efectuată de elementul condus pe un număr
mai mare sau mai mic de diviziuni ale camei corespunde unui anumit avans de
lucru pentru scula comandată.
Camele circulare plane se caracterizează prin diametrul exterior (raza
maximă), raza minimă, diametrul alezajului de fixare pe arbore şi grosimea
discului. Aceste date sunt precizate pentru fiecare tip de camă în cartea maşinii
strungului automat. Camele sunt divizate în 360 diviziuni egale cu 10, iar în
unele cazuri în 100 diviziuni egale.
Curbele de urcare şi coborâre rapidă (operaţii neproductive) se pot trasa cu
ajutorul unor şabloane construite în funcţie de timpul în care se execută o piesă
sau pot fi calculate.
La strungurile automate de strunjit longitudinal, cama păpuşii mobile
reprezintă cama principală a ciclului de fabricaţie în funcţie de care sunt reglate
toate celelalte came (sau cama-K0).

8.2.1.2. Strunguri automate cu cap revolver

Aceste strunguri sunt utilizate pentru prelucrarea pieselor cu grad de
complexitate ridicat şi de dimensiuni mai mari (diametrul exterior peste 5 mm)
şi au în dotare un cap revolver cu 6 sau 8 locaşuri port-scule.[2,4]

126
`
 8.2.2. Maşini şi dispozitive pentru prelucrarea suprafeţelor profilate
complex
La cap. 1.3 s-a arătat că generarea suprafeţelor profilate de complexitate
ridicată nu se poate realiza nici prin procedeul copierii - cu generatoare
materializată de către muchia sculei aşchietoare şi nici prin generare
cinematica(prin combinarea traiectoriilor
rectilinii şi circulare). În cazul prelucrării
acestor suprafeţe, este necesară utilizarea
unor lanţuri cinematice,care să permită
variaţia mărimii de intrare după legea de
generare a curbelor respective, denumite
lanţuri cinematice de copiere.
De exemplu, pentru execuţia unei Fig. 8.8

suprafeţe profilate spaţial (fig.

8.8) este necesară deplasarea
sculei după trei coordonate în raport cu piesa P. Generatoarea G este
materializată de cele două deplasări, după direcţiile X şi Z, iar directoarea D,
este generată de deplasarea pe coordonata Y-Z Întrucât scula nu poate genera
decât mici porţiuni ale directoarei D – segmentele MM1; NN1;M1M2-N1N2 -
suficient de mici pentru asigurarea unei anumite calităţi a suprafeţei prelucrate,
sunt necesare repoziţionări succesive ale sculei după direcţia - OY, deci un
avans director care sa realizeze avansul periodic de alimentare. Mişcarea pe
coordonata Ox se face cu viteză constantă şi asigură avansul de transport, în
timp ce deplasarea după direcţia Oz, comandată de şablonul – port - program,
realizează avansul de copiere.
Rezultă ca generarea unei suprafeţe complexe este condiţionată de existenţa
unui port program, sub forma unui şablon (pentru copiere plană-2D) sau a unui
model (la copierea spaţială-3D), şi a unui lanţ cinematic de copiere, care asigură
sculei o lege de mişcare conform cu programul materializat pe port program.

127
`
 Pentru mărirea preciziei de prelucrare, de obicei aceste lanţuri cinematice
de copiere sunt prevăzute cu lanţuri de reacţie, formând astfel sisteme de reglare
automată cu circuit informaţional închis sau deschis, fig. 8.9.

Fig. 8.9

Prelucrarea suprafeţelor profilate prin copiere se poate realiza utilizând:

- maşini universale(strung, maşina de frezat) cu ajutorul unor dispozitive
mecanice folosind drept port - program un şablon sau un model;
- maşini de copiat cu mecanism pantograf;
- maşini speciale de copiat (strunguri, maşini de frezat)dotate cu sisteme de
copiere mecanice, hidraulice sau electrice, concepute şi construite special
pentru aceste tipuri de comenzi.

8.2.3. Maşini de copiat cu mecanism pantograf

Mecanismul pantograf reprezintă o soluţie constructivă frecvent utilizată

pentru copiere după şablon la maşinile de frezat, de gravat, de rectificat
suprafeţele unor scule, la prelucrarea matriţelor pentru monede, medalii,
bijuterii, şi altele.
Copierea pantografică se bazează pe proprietăţile paralelogramului
articulat, având una, două sau trei laturi prelungite şi un punct de oscilaţie situat
în exteriorul (Fig. 8.10) sau interiorul (fig. 8.11) patrulaterului.
Condiţia de funcţionare corectă a unui astfel de mecanism de copiere,
indiferent de tipul sau constructiv, impune coliniaritatea dintre punctul de

128
`
amplasare a sculei (S), a palpatorului (P) şi punctul de articulaţie (O) la masă al
mecanismului. Dacă palpatorului (P) i se imprimă o mişcare după o curbă
portprogram (Cpp - şablon), datorită mecanismului pantograf, scula (S) va
reproduce în mod sincron aceeaşi mişcare, curba generată fiind asemenea şi la
fel orientată cu cea portprogram - în cazul paralelogramului cu punct de oscilaţie
exterior - sau asemenea dar rotită cu 1800 (imaginea în oglinda) - pentru
paralelogramul cu punct de oscilaţie interior.

Fig. 8.10 Fig. 8.11

Curba trasata de către scula, reproduce la o anumita scară, de obicei de

reducere pentru a micşora şi erorile şablonului, curba portprogram .Raportul de
transmitere:
q
iT  ; pentru q  p .
p
La maşinile pantograf moderne braţele sunt divizate direct în valori ale
scării de lucru, care variază de obicei intre 1:1 şi 1:10 (si mai rar până la 1:100).
Reglarea scării se face prin intermediul a trei culise reglabile, ce modifică
geometria paralelogramului în condiţiile păstrării coliniarităţii celor trei puncte:
O,S,P. Pentru o scară de mărire, mecanismele pantograf permit inversarea
locului sculei şi palpatorului.

129
`
 Sculele utilizate la copierea pantografică sunt adecvate procedeului, formei
piesei şi rugozităţii dorite. Se utilizează freze cilindro - frontale sau conice –
frontale - cu cap sferic (pentru frezare); freze speciale cu un singur dinte pentru
gravare); vârf de diamant (pentru gravarea materialelor dure) - caz în care scula
nu se roteşte. [6] (vezi laborator)

8.2.4. Strunguri de copiat

Strungurile de copiat proiectate pentru prelucrarea arborilor în trepte şi

praguri şi a pieselor cu suprafeţe profilate complex, lucrează, în general, cu
viteze şi adâncimi mari de aşchiere, utilizând cuţite armate cu plăcuţe din
carburi metalice sau mineralo-ceramice.

8.2.5. Maşini de frezat prin copiere

Maşinile de frezat lucrând prin copiere sunt destinate prelucrării pieselor cu

o configuraţie complexa, ca: matriţe de forjare, forme metalice pentru turnare
sau injecţie, modele metalice, poansoane, palete de turbina, etc. Copierea poate
fi realizată cu sisteme electrice - cu sau fără contacte, electronice, hidraulice,
pneumatice sau combinate (electrohidraulice, pneumohidraulice, etc.). Maşinile
pot fi orizontale sau verticale. [4,6]
La copiere exista întotdeauna o diferenţă între profilul modelului şi cel
obţinut prin prelucrare. Aceasta reprezintă eroarea de copiere, şi de obicei
variază la astfel de maşini intre 0,02 şi 0,2 mm, fiind influenţată de sensibilitatea
sistemului de copiere (construcţie, precizie), şi de regimul de aşchiere (avans,
viteză şi adâncime de aşchiere).[4,6]

130
`
 8.3. Maşini şi tehnologii de prelucrare cu sisteme de comandă
numerică - digitală
Extinderea rapidă şi perfecţionarea continuă a sistemelor de comandă
numerică la maşinile de prelucrat a fost favorizată atât de progresele înregistrate
în domeniul calculatoarelor cât şi datorită următoarelor avantaje:
- maşinile dotate cu aceste sisteme de comandă se pot utiliza şi pentru
producţia de serie mica, prototipuri şi unicate (aprox. 90% din reperele
care trebuie prelucrate pe maşini se solicită a fi executate în serii mici
şi mijlocii);
- există posibilitatea schimbării rapide a reglajului după tipul şi
dimensiunile piesei de prelucrat (prin rularea programului adecvat) în
condiţiile reducerii timpilor auxiliari;
- se micşorează necesarul de S.D.V. (scule, dispozitive, aparate de
măsurare şi verificare);
- creşte precizia de prelucrare care nu mai este influenţata de condiţii
subiective (calificarea, gradul de oboseală al operatorului, ş.a.);
- la reluarea fabricaţiei unui reper după un anumit timp scade timpul
necesar reglării maşinii (comparativ cu maşinile care utilizează sisteme
de comanda analogică);
- se reduce timpul şi costul necesar proiectării şi execuţiei sistemelor
mecanice ale maşinii (partea de hard) prin eliminarea cutiilor de
avansuri şi uneori şi a cutiilor de viteză.
La aceste maşini echipamentele de comandă numerică (ECN) preiau
programul înmagazinat sub forma numerică pe bandă sau C.D., introdus manual
sau prin DNC (conducere directă cu calculatorul), prelucrează datele respective,
corelându-le eventual cu informaţiile primite din zona de prelucrare şi
elaborează comenzile necesare sistemelor de acţionare şi prelucrare ale maşinii.

131
`
 Ca suport pentru informaţiile sub forma numerică s-au utilizeat benzile (din
hârtie specială sau materiale plastice) perforate, benzile magnetice, dischete şi
C.D.-uri, care treptat au luat locul benzilor. [3,9]

Prelucrarea externă a datelor în vederea realizării programului se face

plecând de la desenul de execuţie al piesei, în concordanţă cu procesul
tehnologic de prelucrare al reperului respectiv prin metodele:

- programare numerică manuală;

- programare numerică asistată de calculator la care C.D. se obţine
prelucrând pe un calculator electronic programul - piesa cu ajutorul a
două programe speciale - procesor şi post - procesor. Procesorul dând
soluţia generală de programare pentru piesa, iar post - procesorul
adaptează această soluţie generală la caracteristicile tehnice şi
constructive ale echipamentului şi maşinii pe care se va efectua
prelucrarea piesei.
Particularităţi constructive ale maşinilor cu comandă numerică
Maşinile de prelucrat cu sisteme de comandă numerică în evoluţia lor au
cunoscut până acum patru generaţii din punctul de vedere al concepţiei
constructive şi gradului de integrare. Astfel prima generaţie de maşini au utilizat
mult subansamblurile de baza ale maşinilor convenţionale care au fost
completate cu şuruburi cu bile pentru transmiterea şi transformarea maşini,
tanchete cu role pentru sistemele de ghidare ş.a. Au avut o productivitate
scăzută, posibilităţi tehnologice limitate. A doua generaţie de maşini au format-o
cele special concepute pentru a fi echipate cu sisteme cu comandă numerică, şi
realizau o precizie de prelucrare ridicată şi o bună productivitate. A treia
generaţie de maşini CN, cuprinde maşini cu largi posibilităţi tehnologice ce pot
realiza prelucrări complexe, cu mai multe scule, dispuse într-un magazin
(magazie) de scule. La o singură prindere a piesei se pot executa mai multe
prelucrări în condiţiile unei precizii de execuţie ridicată (sunt eliminate erorile

132
`
de aşezare şi fixare succesivă a piesei). Echipamentele de comandă ale maşinilor
permit integrare într-un sistem DNC, creându-se condiţii pentru trecerea la
sistemele flexibile de fabricaţie.
Marile firme producătoare de sisteme de fabricaţie, deja au realizat sisteme
din generaţia patru care sunt capabile să execute toată gama de prelucrări pentru
piese complexe (prelucrări, tratamente termice, suduri ş.a.), tendinţa fiind
realizarea de centre de prelucrare complexă dotate şi cu alte sisteme de
prelucrare (laser, ultrasunete) pe lângă cele de prelucrare prin aşchiere[16,17].

Maşinile de frezat cu C.N. sunt de obicei dotate cu echipamente de

prelucrare liniară, pe două axe sau echipamente de conturare pe doua sau 21/2
axe. Acţionarea lanţului cinematic principal în mod frecvent se face cu motoare
de curent continuu, existând posibilitatea reglării directe a turaţiei şi inversării
sensului de rotire prin intermediul motorului de curent continuu-Mcc.

În fig. 8.12 este prezentat lanţul

cinematic principal de la maşina de
frezat TOS-FSRC 80. Cele patru game
de turaţii se pot obţine cu ajutorul
roţilor dinţate baladoare cuplate Z4 - Z12
- Z6 şi al roţilor dinţate baladoare Z7 -
Z9, roţile Z7 şi Z12 având posibilitatea de
a fi în angrenare indiferent de poziţia
celorlaltor roţi dinţate. Sistemele de
ghidare sunt de tipul tanchete cu role, Fig. 8.12
iar săniile maşinii sunt acţionate prin
şuruburi cu bile.[15,16]

Maşinile de alezat şi frezat cu CN permit execuţia unui număr mare de

prelucrări de precizie, ECN comandând în mod frecvent cinci axe de coordonate
(fig. 8.13) materializând următoarele mişcări:

133
`
 Fig. 8.13

I - mişcarea de translaţie a mesei v  M s ;

II. - mişcarea de translaţie a păpuşii mobile - PM
faţă de montantul Mn;
III. - deplasarea orizontală a montantului Mn;
IV. - deplasarea axială a pilei arborelui principal;
V. - mişcarea unghiulară a mesei rotative MR pentru realizarea avansului
circular sau poziţionării unghiulare a pieselor de prelucrat.
Maşinile de alezat şi frezat sunt realizate în foarte multe variante
constructive [3,16,17] cu un montant sau cu doi montanţi (ultima variantă având
fiecare montant echipat cu propria lui comandă numerică, fiind posibilă
prelucrarea simultană a mai multor suprafeţe ale unei piese sau prelucrarea
simultană a două piese identice sau diferite).

134
`
 Cu toate ca strungurile au o pondere mare în parcul de maşini
prelucrătoare, cele echipate cu sisteme CN specifice mecanicii fine nu sunt încă
produse în număr foarte mare, o tratare extinsă fiind realizată în [1,3,16].

Centre de prelucrare

Sunt sisteme complexe de prelucrat cu C.N., de obicei C.N.C. echipate cu

un magazin (magazie) în care sculele în număr de 12, 24 sau mai multe sunt
montate în dispozitive modulare port - scula şi sunt dispuse, în magazie într-o
ordine indiferentă faţă de succesiunea fazelor şi operaţiilor procesului
tehnologic. Spre deosebire de capul revolver care prelua reacţiunile forţelor de
aşchiere, (vezi cap. 4.1) şi în care sculele sunt montate în ordinea impusă de
procesul de prelucrare, magazinul de scule prin modul de amplasare nu preia
aceste reacţiuni, iar ordinea de dispunere a sculelor, codificată pe portprogram,
este dictată numai de necesitatea echilibrării judicioase pe considerente de
greutate - gabarit.[3,25]
În magazin, sculele montate în dispozitivele modulare port - scula sunt
riguros prereglate la cotă, anterior montării pe centru.
Magazinele de port - scule pot fi plane (disc sau transportor cu lanţ) sau
spaţiale (cilindrice cu dispunerea sculelor multietajat sau pe elice), ș.a.
Magazinul de tip disc
poate avea sculele dispuse
axial, pe unul sau mai multe
cercuri concentrice, radial sau
înclinat fig. 8.14.
Magazinul de scule tip
transportor (fig. 8.15) cu lanţ
poate fi drept, înclinat, în meandru
sau în L, ultimele variante având o
Fig. 8.14
capacitate mai mare de înmagazinare.

135
`
 Fig. 8.15

Principalul criteriu de clasificare al centrelor de prelucrare este după tipul

maşinii unelte din care provin, deosebindu-se:
- centre de prelucrare provenind din maşini de găurit (pot fi echipate cu
unul sau doua magazine de scule);
- centre de prelucrare provenind din strunguri (orizontale sau verticale);
- centre de prelucrare provenit din maşini de frezat (cu arborele
principal vertical sau orizontal);
- centre de prelucrare provenind din maşini de alezat şi frezat (este
varianta constructivă cel mai des întâlnită);
- centre de prelucrare combinate, fig. 8.16, pot realiza un număr mare de
operaţii de strunjire, găurire, frezare ş.a.

Fig. 8.16

136
`
 În acest scop centrele de prelucrare complexe sunt echipate cu:
- A.P.S. - arbore principal pentru operaţii de strunjire;
- A.P.G.- arbori principali pentru găurire (4 - 6) dispuşi pe o turelă ce se
poate roti în jurul unei axe orizontale x - x;
- A.P.F.- arbore principal pentru frezare ce are şi posibilitatea
poziţionării unghiulare (mişcarea VIII ). Piesele de prelucrat - P se
fixează pe mesele M ce sunt de tip palete în număr de 2 - 4. În timp ce o
piesă este prelucrată, pe celelalte mese - palete sunt pregătite piesele ce
urmează a fi prelucrate. În acest mod timpul afectat operaţiilor auxiliare
(aşezare, centrare, fixarea piesei pe masa maşinii, respectiv desprindere
piesă finită) este scurtat la maximum. Succesiunea în timp a tuturor
comenzilor de lucru şi a celor auxiliare este codificata pe port - program.

8.4.Conducerea cu calculatorul a maşinilor cu comanda numerică

Perfecţionările deosebite pe care le-au cunoscut calculatoarele au condus la
extinderea ariei de utilizare a acestora şi pentru conducerea proceselor
tehnologice respectiv comanda sistemelor de fabricaţie.
În funcţie de capacitatea calculatorului utilizat, exista două sisteme de
comandă a maşinilor de prelucrat:
- sisteme CNC (Computerized Numerical Control) care utilizează
minicalculatoarele pentru comanda unei singure maşini sau a mai multor
maşini identice pe care se execută aceleaşi operaţii, calculatorul preluând
o serie din funcţiile E.C.N.;
- sisteme DNC (Direct Numerical Control) care folosesc calculatoare de
capacitate mare pentru comanda centralizată a unui grup de maşini
dotate cu sisteme de comandă numerică. Sistemul DNC asigurând şi
distribuirea sculelor, materialelor, elaborarea programelor de prelucrare
a pieselor ş.a. [3,25]

137
`
 8.4.1. Sistemele CNC se folosesc la maşinile unde se solicită o
flexibilitate mărita de programare în condiţiile unui volum sporit de date care
condiţionează procesul de prelucrare. În cazul sistemelor NC (comenzi
numerice) funcţiile echipamentului se realizează printr-o logica cablată
(hardware), iar la sistemele CNC o parte din funcţii sunt realizate prin logica
cablată, iar restul funcţiilor prin sistemul programelor de calculator (software).

Structura de baza a unui sistem de comandă CNC conţine următoarele

elemente, fig. 8.17:
- minicalculatorul având o unitate centrală şi o unitate de legătură cu
sistemul periferic;
- interfaţa calculator - maşina de prelucrat;
- cititorul de banda;
- panoul de comanda pentru operator.

Fig. 8.17

138
`
 În această structură de bază mai pot fi incluse blocul de legătură cu
sistemul DNC, blocul de comandă adaptivă, blocul pentru măsurarea automată a
erorilor ş.a., în fig. 8.17 cu linii întrerupte.
În memoria internă a minicalculatorului se stochează o serie de programe
necesare realizării algoritmilor pentru interpolare liniară şi circulară, pentru
modul de poziţionare, corecţia sculelor, comanda organelor de execuţie ale
maşinii prelucrătoare, redactarea programului utilizatorului ş.a.
Sistemul de programe care asigură prelucrarea acestor algoritmi, realizarea
funcţiilor logice, conversia codurilor ş.a. reprezintă sistemul programelor de
baza (software-ul de bază) ce este oferit de constructorul sistemului. Acest
sistem permite minicalculatorului să prelucreze programele utilizatorului
sistemului (software-ul aplicativ).
Sistemele CNC pot fi extinse, permiţând introducerea unor funcţii noi prin
intermediul:
- blocului de cuplare a minicalculatorului la un sistem DNC;
- blocul de comanda adaptivă;
- blocul de măsurare automată a erorilor cinematice ale maşinii
prelucrătoare şi de compensare a acestora.
Extinderea sistemelor CNC se poate realiza şi prin dotarea cu alte programe
pentru diagnosticarea şi localizarea defecţiunilor maşinii şi a erorilor ce pot
interveni în timpul prelucrării.
Firmele care produc centre de prelucrare sunt într-o competiție continuă
privind creșterea preciziei de prelucrare, mărirea numărului de locașuri pentru
portscule din magazinele de scule (s-a depășit pragul de 150 poziții)
înbunătățirea sistemelor de exploatare a sculelor specializate utilizate.
În continuare va fi prenzentat un centru de prelucrare multiplă, pentru piese
de complexitate ridicată, INTEGREX-800H (fig. 8.18) produs de liderul
mondial în domeniu MAZAK-Japonia [19,20]. Centrul are mare varietate de
funcții inteligente putând fi executate în regimuri intense de prelucrare piese de

139
`
mare cu mare complexitate, cu realizarea concomitentă a mai multor operații de
frezare, strunjire, alezare, într-o singură prindere a piesei. Opțional se pot
efectua și operații de rectificare (turația maximă 13.000 rot/min) și durificare
superficială cu generatoare laser MAZAK [21].

fig. 8.18

Principalii beneficiari ai acestor centre complexe de prelucrare sunt

construcțiile aerospațiale, industria auto și firmele care produc sisteme integrate
de fabricație, respectiv centre de prelucrare complexe. [19,20]

140
`
 În figura 8.19 se prezintă pentru noul model Boeing 737 câteva
sisteme și componente din structura avionului ca sistem tren aterizare, turbinele
și paletele acestora de la motoare și alte componente. [19,20]

fig. 8.19

141
`
 8.4.2. Sisteme DNC sunt sisteme de conducere directă şi centralizată prin
calculator a unui grup de maşini de prelucrat cu comandă numerică. Similar cu
sistemele CNC, şi la sistemele DNC, comunicarea cu maşina se face direct, în
regim interactiv “on-line” în timp real în ambele sensuri.

Sistemele DNC utilizează calculatoare de mare capacitate, asigurându-se pe

lângă conducerea maşinilor şi funcţii de organizare, corelare şi planificare a
întregului proces de fabricaţie prin coordonarea şi automatizarea transferului de
informaţii între toate sectoarele productive. Eliminarea benzii perforate şi a
cititorului de banda (existente la ECN) a condus la creşterea vitezei de
introducere a informaţiilor şi la reducerea surselor de erori.
Sistemele DNC pot avea mai multe configuraţii care diferă atât prin
distribuirea funcţiilor de comandă între calculator şi echipamentul maşinii
prelucrătoare cât şi prin posibilităţile calculatorului de a asigura funcţiile de
organizare şi planificare a producţiei pe maşinile conduse, astfel:
- sistem DNC cu echipamente NC clasice, caracterizat prin faptul că
maşinile de prelucrat comandate de calculator îşi păstrează echipamentul NC
clasic, introducerea datelor făcându-se direct din calculatorul electronic.
Legătura dintre calculator şi echipamentele NC ale maşinilor (fig. 8.20) se
face prin intermediul unui cuplor adecvat, care poate fi cu transfer paralel sau în
serie a datelor. La un calculator putându-se adapta mai multe cuploare, iar
fiecare cuplor poate deservi mai multe maşini; [3,25]

142
`
 Fig. 8.20

- sistemul DNC redus (MCU). Calculatorul, la aceste sisteme preia mai

multe funcţii specifice ECN al maşinii care mai comandă acţionările
reglabile, funcţiile de măsurare ale deplasărilor, funcţii auxiliare şi logica
transmisiei de date. Se utilizează mai mult sistemul DNC redus modificat,
la care interpolarea se face în doua etape:
- interpolarea brută, efectuată în calculatorul electronic prin sistemul de
programare;
- interpolarea fină ce se efectuează de fiecare ECN care este prevăzut cu
sistem interpolator, fig. 8.21;

143
`
 - sistemele DNC ierarhice, sunt mult mai evoluate, permit conducerea şi
urmărirea fabricaţiei la nivelul unei întreprinderi, atelier sau linii de
fabricaţie. Au căpătat o extindere deosebită în industria constructoare de
automobile, domeniul aerospaţial şi producţia militară [3, 25].

8.5. Maşini de prelucrat cu comandă adaptivă

La maşinile de prelucrat cu comandă numerică comenzile (codificate şi

înregistrate anterior debutului prelucrării), pentru funcţii pregătitoare,

Fig. 8.19

fig. 8.21

traiectorii scule, viteze de avans, turaţii ş.a. ce se transmit organelor de

execuţie ale maşinii rămân constante până în momentul în care de pe program se
transmite o altă comandă de modificare a comenzii iniţiale. Când se întocmeşte
programul trebuie să fie luate în considerare particularităţile geometrice şi
tehnologice ale piesei de prelucrat pentru a stabili în limitele unor coeficienţi

144
`
acceptabili din punct de vedere tehnic şi economic, parametrii pentru tot regimul
de prelucrare.
Rezultă o serie de dezavantaje ale sistemului CN:
- pregătirea programului şi stabilirea parametrilor de comandă
implică un volum mare de muncă ce este efectuat de personal de înalta
calificare;
- parametrii programaţi se stabilesc pe baza unor tabele şi formule
empirice sau în urma unor teste de prelucrabilitate. Valorile acestor
parametrii au un caracter aproximativ, şi nu ţin cont de evoluţia în timp a
procesului de prelucrare, de eventuale perturbaţii care pot apare (uzura
practica a sculelor, modificarea regimului termic, deformaţii termice ş.a.)
fapt ce conduce la o creştere a timpilor de bază şi la riscul apariţiei
rebuturilor.
- reducerea timpilor de bază este foarte dificil de realizat întrucât
numeroşi factori nu pot fi luaţi în considerare în momentul proiectării
procesului tehnologic.
- din considerente de siguranţă se prevăd mai multe treceri succesive
(faţă de cele strict necesare) pentru a se putea obţine toleranţe de
execuţie strânse. Aceste dezavantaje, total sau parţial pot fi eliminate
introducând sistemele de comandă adaptivă, care au în structura
echipamentului de comandă o buclă suplimentară de reacţie, faţă de
sistemul de comandă numerică, fig. 8.22, prin intermediul căreia se
stabilesc şi menţin, în mod automat, parametrii regimului de prelucrare şi
ale comenzilor în funcţie de evoluţia condiţiilor din zona de prelucrare în
timp real. Informaţiile primite în mod continuu prin intermediul unor
senzori - traductoare 6 - 6’ sunt prelucrate de sistemul electronic - 7
elaborându-se comenzile de lucru în concordanţă cu strategiile şi
limitările impuse iniţial şi codificate pe portprogram.

145
`
 fig. 8.22

În acest fel sunt creionate condiţiile unei autoprogramări a maşinii de

prelucrat, în condiţiile reducerii rebuturilor, creşterii calitatii si productivităţii şi
reducerii costurilor aferente prelucrării.

146
`
 8.6. Celule flexibile de prelucrare, sisteme flexibile de prelucrare şi

linii de transfer

8.6.1. Celule flexibile

Automatizarea flexibilă a proceselor de prelucrare reprezintă în prezent

direcţia de evoluţie în construcţia sistemelor de prelucrat, pe baza tehnicii
computerizate. Aceasta se realizează prin asocierea unor dispozitive şi utilaje
complexe de prelucrare cu sisteme informatice evoluate integrând într-o viziune
unitară funcţiile de prelucrare, control, asamblare, testare, manipulare, transport
şi depozitare.
Realizarea centrelor de prelucrare a permis înlocuirea a 4 – 5 maşini clasice
de prelucrat. Dar timpii auxiliari necesari operaţiilor neproductive de aşezare,
centrare şi strângere a pieselor
pe masa maşinilor, continuă să
afecteze negativ
productivitatea.
Rezolvarea acestui
impediment a fost posibilă prin
apariţia celulelor flexibile de
prelucrare dotate cu sisteme de
paletizare. Celulele flexibile de
prelucrare (fig. 8.23) permit
operatorului să execute
operaţiile de aşezare, centrare şi
strângere a pieselor în timpul
funcţionarii utilajului pe o masă
de lucru separată, de rezervă
denumită paletă, preluată în Fig. 8.23

147
`
mod automat de către un sistem special şi oferită sistemului de prelucrare în
câteva secunde, după ce a fost finalizată prelucrarea piesei aflata pe masa
maşinii – 15, fig. 8.23.
În structura unei celule flexibile intră:
1 – centru de prelucrare; 2 – magazii de scule; 3 – manipulator de port scule
dotat cu mână mecanică; 4 – instalaţie de acţionare hidraulică; 5 – container
pentru aşchii; 6 – automat programabil al manipulatorului de scule; 7 –
microcalculator; 8 – aparate de control; 9 – comandă numerică în calculator; 10
– mecanism de paletare mobil multipoziţional; 11 – post de încărcare /
descărcare; 12 – paleta de rezervă; 13 – post de depozitare piese; 14 –
echipament de comandă numerică a paletelor; 15 – paleta cu piesa ce se
prelucrează.
Celulele flexibile elimină aproape în totalitate intervenţia operatorului
uman prin automatizarea, comandată de calculator a încărcării/descărcării,
transportului şi magazionării semifabricatelor şi sculelor controlului și măsurării
pieselor, a dirijării şi supravegherii procesului de aşchiere şi evacuării aşchiilor.
Celulele flexibile reprezintă o
verigă de bază a automatizării
flexibile (fig. 8.24), prezentându-se
ca unităţi automate de prelucrare
rezultate din dotarea centrelor de
prelucrare cu module de
manipulare şi înmagazinare a
pieselor. [3,25] Fig. 8.24

8.6.2. Sisteme flexibile de prelucrare

Se definesc ca ansambluri integrate de maşini – prelucrătoare deservite de

sisteme automate de transport, manipulare şi depozitare a semifabricatelor,

148
`
pieselor finite, sculelor şi sistemelor de control, prevăzute cu echipamente
automatizate de măsurare şi testare, capabile să realizeze, sub comanda
calculatorului electronic, prelucrarea simultană sau succesivă a unei piese
diferite, aparţinând unei anumite familii de produse, în condiţii de intervenţie
minimă a operatorului uman şi cu timpi de reglare reduşi.
Sistemele flexibile de prelucrare se caracterizează prin: flexibilitate
(capacitate ridicată de adaptare la dimensiunile pieselor şi la schimbarea
acestora în cadrul aceleiaşi familii de produse, cu modificări structurale
minime); capacitate de a accepta semifabricate într-o ordine aleatoare, capacitate
de prelucrare simultană sau succesivă a pieselor cu scule şi dispozitive utilizate
la timpul potrivit, utilizarea în cazul producţiei de serie mijlocie şi mare (vezi
fig. 8.24), utilizarea de maşini – unelte cu comandă numerică, roboţi industriali,
sisteme automate de transport, mini sau microcalculatoare şi realizarea
exploatării intensive și eficiente a sistemelor de prelucrat.
Clasificarea sistemelor flexibile de prelucrare se face ţinând cont de o serie
de criterii. În raport cu procedeul de obţinere a formei pieselor se disting sisteme
flexibile de prelucrare prin: aşchiere (strunjire, frezare, găurire, rectificare etc.)
turnare ; deformare plastică (matriţare, stanţare etc.) procedee neconvenţionale
(laser, plasma, electroeroziune, ultrasunete etc.)
În funcţie de tipul pieselor, sistemele flexibile permit prelucrarea
semifabricatelor prismatice, de rotaţie sau tip placă. Sistemele flexibile pot
realiza în întregime procesul de fabricaţie a unei piese sau numai o parte a
acestuia, putând fi concepute ca sisteme la temă sau ca sisteme modulare cu
posibilitate de extindere etapizată prin completarea sau multiplicarea unui modul
de bază (de regulă celula flexibilă). În conformitate cu traseul sistemului de
transfer, dispunerea unităţilor de lucru poate fi:
- liniară: în paralel (fig. 8.25, a), în serie (fig. 8.25, b), mixt (fig. 8.25, c)
sau în reţea (fig. 8.25, d);

149
`
 - circulară: în stea (fig.8.25, e.), în cerc (fig. 8.25, f) sau în sectoare
circulare (fig. 8.25, g);
- mixtă: liniară – stea (fig. 8.25, h), liniar, – circular, (fig. 8.25, i) sau
liniară – sector circular (fig. 8.25, j).
Din punct de vedere structural, sistemele flexibile de prelucrare sunt
alcătuite din trei subsisteme: subsistemul de prelucrare, subsistemul logistic al
materialelor semifabricatelor sculelor şi instrumentelor şi subsistemul
informaţional.

fig. 8.25

Subsistemul de prelucrare reuneşte maşini de prelucrat cu comandă

numerică, centre de prelucrare şi celule flexibile, dispuse intr-o configuraţie tip
serie, paralelă sau mixtă, care realizează în regim automat, sub conducerea
calculatorului electronic, prelucrarea semifabricatelor, schimbarea sculelor şi
pieselor, supravegherea procesului de prelucrare şi controlul prelucrării şi
calităţii pieselor executate. În cadrul subsistemului de prelucrare se pot utiliza:
centre de prelucrare, strunguri, maşini de frezat şi alezat, maşini de găurit cu sau
fără cap revolver maşini cu capete multiaxe, maşini de rectificat, instalaţii de

150
`
prelucrat prin electroeroziune, instalaţii de prelucrat cu ultrasunete, instalaţii de
spălat şi debavurat precum şi maşini de măsurat în coordonate.
Subsistemul de prelucrare al unui sistem flexibil (fig. 8.26) are în structura
sa: maşini de prelucrat (1), prevăzute cu manipulatoare pentru transferul sculelor
(2), magazii de scule (3), roboţi industriali de tip portal (4) şi schimbătoare
automate de palete (5). Semifabricatele sunt transportate de la depozitul central
(6) la un post special amenajat (T) unde operatorii umani, execută montarea
pieselor pe palete, aduse cu robocare cu ghidare magnetică sau optică (8) în
dreptul staţiei automate de încărcare descărcare a pieselor (9), de unde sunt
preluate automat de către robocarul cu ghidare pe şină (10), care efectuează
alimentarea schimbătoarelor automate de palete (5) şi a posturilor suplimentare
de depozitare (11). Operaţiile de verificare a poziţionării pieselor pe palete sunt
efectuate de către un operator uman în postul (12), în timpul funcţionarii
sistemului. Transportul sculelor se realizează, de asemenea, în mod

Fig. 8.26

151
`
automat, de la magazia centrală de scule (13), la magazia de scule (3) a maşinii
prin intermediul paletelor de transport (14) dispuse pe platforma robocarelor cu
ghidare magnetică (15). Operaţiile de prereglare, reascuţire, curăţare, încărcare
şi codificare a sculelor pe paletele de transport se execută de către operatori
umani cu dispozitive speciale în postul (16). Evacuarea aşchiilor rezultate în
urma prelucrării se efectuează în mod automat prin intermediul conveierului
orizontal (17), care le depozitează în containerul (18).
Subsistemul logistic al materialelor, sculelor şi instrumentelor cuprinde
ansamblul de mecanisme şi mijloace utilizate pentru transferul în spaţiu
(manipulare, transport) şi în timp (depozitare) a semifabricatelor, pieselor finite,
sculelor, dispozitivelor, verificatoarelor, aşchiilor şi deşeurilor, lichidelor de
răcire ungere, ş.a.
Transportul interoperaţional al
semifabricatelor şi pieselor finite în cadrul
sistemelor flexibile de prelucrare se face
cu acţionare continuă (transportoare cu
lanţ, cu bandă, cu role, ghidaje gazostatice,
hidrostatice, cărucior cu şurub sau cu lanţ)
sau cu acţionarea discontinuă (pod rulant, Fig. 8.27

electrostivuitor, electrocar, robocar pe ţine

sau pneuri (fig. 8.27) cu ghidare
magnetică, optică sau mixtă,
manipulatoare, robot industrial, masă
rotativă indexabilă, conveier).
Pentru transportul paletelor port –
piesă şi a casetelor de scule pe distanţa
scurtă în cadrul unui sistem flexibil cu
dispunere circulară a posturilor de lucru, se Fig. 8.28

152
`
utilizează manipulatoare şi roboţi industriali staţionari (fig. 8.28), iar în cazul
dispunerii liniare se folosesc roboţi industriali deplasabili (obţinuţi prin
amplasarea roboţilor pe robocare).
Paletele utilizate pentru transportul pieselor pe robocare sau cu roboţi pot fi
dreptunghiulare, circulare, plane sau spaţiale, în mai multe variante constructive:
palete individuale, ce nu pot fi stocate şi sunt transportate separat, palete
stocatoare, ce sunt depozitate supraetajat şi transportate colectiv şi palete tip
sertar ce sunt depozitate şi transportate în containere.
Sistemul informaţional realizează comanda şi controlul în regim automat al
celorlaltor două subsisteme, prin culegerea, prelucrarea, memorarea prelucrarea
şi transmiterea informaţiilor privind mişcările în spaţiu şi timp ale
semifabricatelor, pieselor finite, sculelor şi dispozitivelor, evoluţia de prelucrare
şi controlul comportării maşinilor prelucrătoare, ş.a.
Conducerea sistemelor flexibile de prelucrare şi asigurarea unei exploatări
optime a fiecărei maşini ce intră în structura acestora sunt simultan realizate pe
baza unor sisteme modulare de programe, depozitate în memoria calculatoarelor
electronice şi transmise maşinilor în funcţie de necesităţi.[3,25]

8.6.3. Liniile de transfer prezintă o flexibilitate mai scăzută, fiind

utilizate în cazul producţiei de masă. Sunt alcătuite dintr-un grup de maşini –
unelte universale sau speciale şi/sau diverse unităţi automate de lucru, dispuse,
în general, într-o configuraţie tip serie şi interconectate prin intermediul unui
sistem automat de transport al semifabricatelor după principiul de lucru al
liniilor automate. Liniile de transfer permit prelucrarea simultană sau secvenţială
a unui număr redus de tipuri de piese, reglarea liniei realizându-se în momentul
trecerii de la un tip de piesa la altul. În funcţie de gradul de automatizare, liniile
de transfer pot fi rigide sau flexibile.
Evoluţia automatizării flexibile a fabricaţiei s-a înscris în următorul ciclu:
maşina – unealtă cu comandă numerică – centru de prelucrare – celula flexibilă

153
`
– sistem flexibil de prelucrare – atelier flexibil, vizând în continuare “fabricile
fără operatori umani” având fabricaţia integrată cu calculatorul. Această
tehnologie de viitor presupune integrarea, prin intermediul calculatoarelor
electronice, într-o structura unitară, preponderent informatică a activităţilor de
proiectare constructivă şi tehnologică, de planificare, organizare, precum şi
interconectarea informaţională pe verticală şi pe orizontală a tuturor sectoarelor
de activitate ale întreprinderilor industriale, având o influenţă favorabilă asupra
productivităţii muncii şi a calităţii produselor realizate [3,9].

8.7 Sisteme integrate de fabricaţie

8.7.1 Concepţie şi fabricaţie integrate cu calculatorul
În cazul sistemelor flexibile de fabricaţie, calculatoarele au rolul de a
asigura legătura logică între proiectare CAD (Computer – Aided – Design),
pregătirea fabricaţiei – CAM (Computer – Aided – Manufacturing), simulare a
încercărilor – CAE (Computer – Aided Manufacturing), execuţie – CAP
(Computer – Aided – Production), controlul de calitate – CAQC (Computer –
Aided – Quality – Control) şi certificarea calităţii.
Calculatoarele sunt utilizate şi în procesul de fabricare, inclusiv pentru
activităţi de planificare a producţiei, proiectare şi procurare de noi scule,
comenzi de materiale, programe NC pentru sisteme de fabricaţie, control de
calitate şi ambalare, astfel încât tehnologiile computerizate pentru aceste
activităţi pot fi de asemenea încadrate drept CAM.
Aşa cum s-a acceptat deja şi la nivel mondial – CAD (Computer – Aided
Design) este tehnologia care se ocupă cu utilizarea calculatorului în asistarea
proiectării, analizei şi optimizării unui produs. Deci, orice program de calculator
care include grafică computerizată şi un program de aplicaţie care facilitează
funcţii inginereşti din procesul de proiectare este clasificat drept software CAD.
Cu alte cuvinte, instrumentele CAD variază de la instrumente geometrice pentru
manipularea formelor, pe de o parte, la programe de aplicaţie speciale, asa cum

154
`
sunt cele pentru analiza şi optimizare. Între aceste două extreme, instrumentele
tipice, disponibile actualmente includ: analiza toleranţelor, calculul
proprietăţilor de masă, modelarea cu element finit şi vizualizarea rezultatelor
analizei, pentru a numi doar câteva. Rolul cel mai des întâlnit al CAD este de a
defini geometria unui produs- piesă mecanică, structura arhitecturală, circuit
electronic etc. – deoarece geometria este esenţială pentru toate activităţile
următoare din cadrul ciclului de realizare a produsului. În acest scop sunt de
obicei folosite: desenarea şi modelarea geometrică asistate de calculator, de
aceea acestea sunt considerate softuri CAD.Mai mult decât atât, geometria
creată cu aceste sisteme poate fi utilizată ca bază pentru efectuarea altor functii
CAE şi CAM. Acesta este unul dintre beneficiile importante ale CAD deoarece
economiseşte timp considerabil şi reduce erorile cauzate de redefinirea de la
început a geometriei produsului de fiecare dată când este necesar. Astfel se
poate spune că sistemele de desenare asistata şi sistemele de modelare
geometrică sunt cele mai importante componente ale CAD.
CAM – (Computer – Aided Manufacturing) este tehnologia care se ocupă
cu utilizarea computerului pentru a planifica, a conduce şi a controla operaţiile
de fabricaţie, printr-o interfaţă directă sau indirectă a computerului cu resursele
de producţie ale întreprinderii. Una dintre cele mai importante arii ale CAM este
comanda numerica sau NC. Aceasta este tehnica utilizării instrucţiunilor
programate pentru controlul sistemelor de fabricaţie. Computerul poate să
furnizeze o cantitate considerabilă de instrucţiuni NC apelând la bazele de date
CAD plus informaţii adiţionale furnizate de operator, eforturile de cercetare din
domeniu fiind acum concentrate pe minimizarea interacţiunilor cu operatorul.
CAPP—(Computer Aided Process Planning) - se referă la planificarea
asistată de calculator a tuturor activităţilor legate de tehnologiile de prelucrare-
execuţie în vederea realizării unui produs. Acest sistem de fabricaţie înglobează
elaborarea procesului tehnologic de execuţie, succesiunea operaţiilor şi fazelor

155
`
de prelucrare, stabileşte echipamentele tehnologice de prelucrare, parametrii
regimului de lucru, normele de timp pe operaţii s.a.
CAE – (Computer – Aided Engineering) este o tehnologie care se ocupă cu
utilizarea computerelor în analiza geometriei CAD, permitând proiectantului să
simuleze şi să studieze modul în care se va comporta produsul astfel incât acesta
să poată fi perfecţionat şi optimizat.Programele de cinematică, de exemplu, pot
fi utilizate pentru a determina traseele de mişcare şi vitezele din
mecanisme.Programele de analiză a deplasărilor dinamice pot fi utilizate pentru
a determina încărcările şi deplasarile din ansambluri complexe, cum ar fi
automobilele.
CAQC – (Computer – Aided Quality Control) se ocupa cu implementrarea
şi utilizarea computerelor în cadrul sistemelor de control moderne. Desi ar putea
fi încadrat în cadrul CAM, anumite caracteristici şi legatura CAQC cu toate
elementele proiectării asistate de calculator (CAM, CAD, CAE) îl
individualizează. Această legatură se manifestă printr-un feed-back, astfel dacă
în timpul procesului de fabricaţie se constată anumite neconformităţi cu
proiectul original (imposibilitatea realizării unor toleranţe, suprafeţe), se poate
interveni asupra acestuia, în scopul optimizării acestuia (reproiectarea design-
ului, a procesului de fabricatie, etc).
Necesitatea de a realiza produse conforme cu specificaţiile şi într-un timp
cât mai scurt, a determinat introducerea calculatoarelor şi în domeniul asigurării
calităţii. Practic nici nu s-ar putea concepe un management al calităţii eficient în
ziua de azi fără existenţa calculatoarelor şi a soft-urilor specializate; informaţia
trebuie să circule rapid şi selectiv catre nivelele ierarhice dorite, de exemplu
dacă o maşină – unealtă automată începe să producă rebuturi, acest caz trebuie
descoperit şi transmis cât mai rapid și acționat promt.
Astfel CAD, CAM, CAE, CAQC se ocupă cu automatizarea funcţiilor
specifice ale ciclului de fabricaţie al unui produs şi eficientizarea acestora.
Deoarece aceste funcţii au fost dezvoltate separat, nu s-a realizat încă potenţialul

156
`
complet al integrării proiectării şi activităţilor de fabricare din ciclul
produsului.Pentru a rezolva această problemă, a fost introdusă o nouă tehnologie
denumită CIM – (Computer – Integrated Manufacturing) care se ocupă cu
utilizarea bazei de date computerizate ca modalitate de a conduce o întreprindere
mai eficient, în plus faţa de funcţiile de care se ocupă CAD/CAM/CAE/CAQC,
CIM este adesea considerată mai mult o filosofie de afaceri decât un sistem
computerizat.
SOLIDCAM – este un sistem CAD/CAM care permite generarea
programelor CNC pentru realizarea operaţiilor complexe de frezare-alezare 2,5D
şi 3D, găurire şi strunjire.Programul este foarte bine structurat şi uşor de folosit.
Comenzile intuitive ajută la selectarea geometriei ce urmeaza a fi
prelucrată.După definirea parametrilor sculelor aşchietoare şi a strategiilor de
prelucrare, SOLIDCAM calculează traseele sculelor. Odată finalizată
introducerea acestor parametri se pot simula grafic operaţiile de prelucrare şi
generarea codului G pentru controller-ul CNC ales.[3]Caracteristice pentru
SOLIDCAM sunt:
 Organizarea operaţiilor de prelucrare cu ajutorul Managerului de operaţii,
foarte bine structurat;
 Vizualizarea şi prelucrarea adaosului de material pe întreg parcursul
procesului de prelucrare;
 Simularea grafică virtuală înainte de prelucrarea reală;
 Fiabilitate şi eficienţă;
 Obţinerea programelor CNC fară a fi necesară editarea manuală ulterioară;
EdgeCAM este o soluţie desktop de programe pentru prelucrare prin
aşchiere oferita de compania Pathrace. Programul înglobează un sistem expert
destinat prelucrărilor mecanice, funcţia sa principală fiind de a crea şi actualiza
în manieră grafica şi interactivă – uzitând o bazâ de date completa 3 D şi dublă
precizie – programe CNC privind frezarea, strunjirea, rectificarea, alezarea şi
prelucrarea prin electroeroziune.
157
`
 Verificarea secvenţelor de comenzi generate pentru prelucrarea prin
aşchiere, respectiv a traseelor sculelor de prelucrare, asigură siguranţa şi
precizie, permitând detectarea timpurie a imperfecţiunilor de simulare a
prelucrărilor.Generatoarelor de cod din EdgeCAM pot produce secvenţe de
comenzi pentru orice masină de prelucrare mecanică dotată cu sisteme de
control digital complet.
Varianta “EdgeCAM for Mecahanical Desktop” se integrează în mediul
Autodesk Mechanical Desktop rezultând astfel un mediu în care se realizează
atât modelarea geometrică cât şi pregătirea comenzilor pentru maşinile automate
de prelucrare.Un alt avantaj direct al asocierii operaţiei CNC este reprezentat de
facilitatea de a actualiza automat traseele de prelucrare (traseele parcurse
succesiv de sculele de aşchiere prin materialul brut pentru a obţine profilul dorit)
imediat dupa modificarea modelului.
Ca posibilităţi ale lui ”EdgeCAM for MD” pot fi enumerate: frezare 2,5D
sau 3D; strunjire – 2D cu cicluri automate; electroeroziune 2D. În plus
variantele de EdgeCAM mai au în comun:
 Un bagaj de operaţii de prelucrare predefinite nemijlocit modificabile prin
anumiţi parametri;
 Compensarea razelor de parcurs de către sculele de aşchiere/electrozi sculă;
 Editare simpla şi rapidă a instrucţiunilor CNC;
MasterCAM simplifică modelarea solidelor şi permite lucrul cu orice fel
de fişiere CAD, acestea putând fi deschise şi editare în MasterCAM.
MasterCAM poate, deasemenea să scaneze găurile şi racordarile unui solid
transformându-le în entităţi complet editabile. MasterCAM include module de
frezare (Mill), strunjire (Lathe), electroeroziune cu fir (Wire).
Dintre facilităţile oferite de MasterCAM menţionăm:
 modificarea atributelor traiectoriei sculelor fără regenerarea ei;
 caracteristicile geometrice ale sculelor pot fi salvate împreună cu fişierul
solidului pentru o recuperare mai uşoară;
158
`
 vizualizarea traiectoriei sculei, în timpul simularii grafice a prelucrării,
conferă o mare flexibilitate la modificarea parametrilor de mişcare;
 determinarea corectă a avansului şi vitezei de aşchiere prin corelarea
automată a parametrilor sculei cu cei a materialului de prelucrat.[3]

8.7.2 Structura unui sistem integrat de fabricaţie

În ultimul timp sistemele moderne de fabricaţie au devenit foarte

complexe, calculatorul fiind integrat în toate activităţile de la cercetare-
dezvoltare-proiectare la producţie, oraganizarea, planificarea şi supravegherea
desfăşurării tuturor proceselor, în comanda şi controlul echipamentelor de
fabricaţie, în asigurarea controlului calităţii produselor realizate s.a.
O imagine macroscopică a unui sistem de fabricaţie integrat este prezentată în
fig. 8.29, în care se pot vedea toate activităţile dintr-o firmă modernă :
proiectare(analiză şi sinteză date), planificare, elaborare programe de fabricaţie,
execuţia propriu-zisă(care are 3 celule de fabricaţie CNC în fig. 8.29) şi
control(există o maşină de măsurat în coordonate, un robot pentru asamblare, un
sistem de manipulare a semifabricatelor şi un depozit de piese finite ).
Fluxul de fabricaţie se desfăşoară de la stânga la dreapta, planificarea şi
controlul activităţilor într-o astfel de structură se face printr-o reţea de
calculatoare fiind interconectate toate echipamentele de fabricaţie şi control.
Modelul de firmă prezentat are un grad înalt de automatizare, cu o bază de
date centrală, care înmagazinează informaţii despre modelul produsului de
executat, metode de proiectare(analiză şi sinteză inginerească), posibilităţi şi
procedee de fabricaţie, resurse materiale disponibile, obiective privind calitatea
produselor, nivelul producţiei, indicatori de productivitate s.a.

159
`
 Fig 8.29 Modelul unui sistem de fabricaţie integrat

160
`
 Principalele activităţi coordonate de sistemele computerizate sunt ilustrate
in figura 8.30[10,17]

Fig. 8.30

Activităţile prezentate sunt declanşate secvenţial în funcţie de unul sau

mai multe criterii, fiind activate cu ajutorul algoritmilor de control. Se poate
observa că în realitate, ieşirile caracteristice fiecarei activităţi constituie
elemente de feedback pentru nivelele superioare. Aceste informaţii de inchidere
a fluxului informaţional (in special cele privind calitatea produselor realizate)
sunt orientate către toate compartimentele putând fi utilizate in timp real şi
schimbate unele decizii. Astfel la apariţia unui defect, de exemplu din cauza
unei erori de proiectare se poate intervenii rapid şi reproiecta produsul. Sau dacă

161
`
din cauza opţiunii incorecte pentru un anumit proces tehnologic, este necesară
reconsiderarea activităţilor 2 sau 3 - fig. 8.30 sau daca nu am ales în mod
corespunzător parametrii de lucru sau de reglare al maşinilor prelucrătoare este
necesar să se intervină la activităţile 4 sau 5 fig. 8.30. În condiţiile actuale (vezi
cap. 1.1), competivitatea şi concurenţa foarte dură impun pentru sistemele de
fabricaţie un grad de adaptare foarte rapidă la cerinţele pieţei, care cunoaşte o
dinamică şi stratificare nemaiîntâlnită până acum. Aceste considerente au
condus la apariţia conceptului de flexibilitate de fabricaţie şi a facilitat
dezvoltarea sistemelor flexibile de fabricaţie(FMS - Flexible Manufacturing
System).[10,16,17]
În acelaşi timp creşterea deosebită a costurilor cu mâna de lucru, scurtarea

Fig. 8.31

ciclului de viaţă al produselor şi diversificarea accentuată a acestora au condus

la un nou mod de abordare a producţiei dezvoltându-se conceptul de fabricaţie

162
`
integrată, respectiv sisteme de fabricaţie integrate (fig.8.31).
Acest concept este foarte generos şi defineşte integrarea asistată de
calculator a tuturor activităţilor : cercetare+dezvoltare, proiectare, planificare,
fabricaţie, control, distribuţie şi management. Toate aceste activităţi sunt
interconectate într+un sistem computerizat foarte complex, cu scopul
identificării proceselor optime de obţinere a produselor de înaltă calitate, la
preţuri cât mai scăzute, într+un interval de timp cât mai scurt, pentru a ieşi pe
piaţă la momentul oportun.
Implementarea tehnicii de calcul la nivelul unei firme impune schimbări
majore în cadrul structurii organizatorice pentru toate departamentele şi
adoptarea unor strategii de conducere complet noi.
În acelaşi timp implementarea de către o firmă a informatizării totale
implică şi cheltuieli materiale ridicate pentru achiziţionarea tehnicii de calcul şi
software adecvat, recalificarea personalului, retehnologizare şi alte cheltuieli
conexe, însă adoptarea unui sistem de fabricaţie integrat oferă o serie de
avantaje şi anume :
-reducerea cheltuielilor de cercetare- proiectare cu aproximativ 15-30%;
-creşterea productivităţii cu 40-70%;
-îmbunătăţirea calităţii produselor şi creşterea competitivităţii;
-creşterea vitezei de reacţie, cicluri de fabricaţie mai scurte şi răspuns mai
promt la cererea pieţei care este în continuă schimbare.
Un sistem de fabricaţie integrat eficient impune existenţa unei baze de
date unice la care să aibă acces toate departamentele I sectoarele componente ale
firmei. Baza de date trebuie să reunească toate informaţiile relative la produse,
proiecte, sisteme de fabricaţie, procese tehnologice, semifabricate, resurse şi
activitate financiară, aprovizionare, vânzare, marketing, s. a.

163
`
 Aceste informaţii trebuie actualizate în mod continuu, să fie precise,
sistematizate şi accesibile în orice moment al desfăşurării procesului de
fabricaţie.
Întrucât baza de date este folosită de un mare număr de utilizatori, în
scopuri diverse, este necesar să aibă un grad mare de flexibilitate, să răspundă
cerinţelor tuturor utilizatorilor, dar în acelaşi timp, trebuie să fie protejată
împotriva accesării neautorizate.
Se impune precizarea că opţiunea pentru aceste sisteme moderne de
fabricaţie impune un effort financiar considerabil din partea companiei care
doreşte să achiziţioneze aceste sisteme , fiind necesar anterior un plan de afaceri
bine fundamentat si documentat, dar în permanenţă să se respecte principiul –
“productivitate cât mai mare – flexibilitate numai cât este necesar şi cât ne
putem permite”.[3]

164
`
 9. TENOLOGII ȘI SISTEME DE PRELUCRARE PRIN PROCEDEE

NECONVENŢIONALE (ELECTROTEHNOLOGII)

9.1. Consideraţii generale

Procedeele de prelucrare numite neconvenţionale (sau electrotehnologii)

dezvoltate mult în ultimul sfert de veac, au acoperit un gol în tehnologie resimţit
o data cu apariţia unor noi materiale (materiale compozite, carburile metalice,
pseudoaliajele, ş.a.), a perfecţionării tratamentelor de durificare, creşterii
exigentelor privind complexitatea, precizia şi productivitatea prelucrărilor cât şi
a tendinţelor de miniaturizare din mecanica de precizie, electronică,
mecatronică, construcţii aerospaţiale,s.a.
Principalele caracteristici ale procedeelor de prelucrare neconvenţionale
care vor fi tratate în acest capitol sunt date comparativ cu procedeul de aşchiere,
în tabelul 9.1.

Tabelul 9.1.
Caracteristici ale procedeelor de prelucrare prin electroeroziune, electrochimice,
ultrasunete, fascicul de electroni, laser şi plasma comparativ cu prelucrarea prin aşchiere.

Procedeul
Fascicul
Electroeroziu- Electro- Ultrasune-
Aşchiere de Laser Plasma
ne chimice te
electroni
Parametrul
Productivitatea
(mm3/min) 105…102 103…104 104…105 101…102 101…102 5…10 105

Precizia
maxima (mm) 0,01…0,001 0,005 0,01 0,001 0,01 0,01 0,5

Rugozitatea
R (μm) 6,3-0,08 0,32 0,32 0,32 0,63 0,63 12,5

Mediul de lucru Abraziv în

Aer Lichid dielectric Electrolit Vid Aer Argon
suspensie

165
`
 Motorul principal care a impulsionat dezvoltarea explozivă a acestor
tehnologii a fost industria şi cercetarea militară. Fondurile imense alocate pentru
dezvoltarea acestor tehnologii (în special domeniul laserelor) a redus mult
timpul scurs de le descoperirea bazelor fenomenologice până la aplicarea şi
dezvoltarea industrială a procedeelor respective.
Referitor la prelucrabilitatea unor materiale mai des utilizate în sistemele
mecatronice în tabelul 9.2 sunt, prezentate posibilităţile de prelucrare ale acestor
materiale prin procedeele discutate.
Tabelul 9.2.
Procedeul de
prelucrare Fascicul
Electroeroziu- Electro- Ultrasune-
Aşchiere de Laser Plasmă
ne chimice te
electroni
Parametru
Aluminiu A B B C B B A

Oţeluri
B B
A A A B A
A A
Superaliaje
A A
C A A C A
B B
Titan +
aliaje B A
B A B B B
A B
Aliaje
refractare B
C A B A A C
A
Materiale
ceramice D D D A A A D

Materiale
plastice B D D B B B C

Sticlă C D D A B B D

A- Prelucrabilitate bună; B- Prelucrabilitate acceptabilă; C- Prelucrabilitate

dificilă; D- Inacceptabil procedeul.

Din punctul de vedere al costurilor prelucrării în tabelul 9.3, sunt

prezentate, pentru aceleaşi procedee de prelucrare, costurile în raport cu unele
criterii de apreciere.

166
`
 Tabelul 9.3.
Procedeul de
prelucrare Fascicul
Electroeroziu- Electro- Ultrasune-
Aşchiere de Laser Plasmă
ne chimice te
Parametru electroni

Utilajul de
B D C
prelucrare B B D A
C E D
Consumul de
C
energie B B B B A A
D
Randament
de
îndepărtare a A D C D E E A
adaosului de
prelucrat
Uzură sculă
A
(electrod) B C C A A A
B

A- costuri foarte reduse; B- costuri reduse; C- costuri medii; D- costuri

ridicate; E – costuri foarte ridicate.
Se impune menţiunea ca aceste tehnici de prelucrare nu elimină procedeele
clasice ci le completează, justificându-se utilizarea lor (din cauza costului ridicat
al instalaţiilor) numai în situaţiile în care alte procedee de prelucrare nu dau
satisfacţie sau nu pot fi folosite.
În continuare vor fi prezentate, tehnologiile neconvenţionale de prelucrare
mai des utilizate.

9.2. Instalaţii şi tehnologii de prelucrare prin electroeroziune

9.2.1. Bazele fizice şi tehnologice ale prelucrării prin

electroeroziune

La baza prelucrărilor prin electroeroziune stă fenomenul descărcării

electroerozive prin impulsuri electrice între doi electrozi sculă şi piesă care sunt
imersaţi într-un lichid dielectric. Cei doi electrozi poziţionându-se reciproc la o
anumită distanţa optimă, care trebuie menţinută în tot timpul prelucrării.

167
`
 Schematic procesul de îndepărtare a metalului, fig. 9.1, constă din
următoarele fenomene: în spaţiul dintre electrodul-piesa şi electrodul-scula se
creează un câmp electric care are intensitatea maximă pe direcţia ce trece prin
proeminenţele a două asperităţi, cele mai apropiate, una a electrodului-scula,
cealaltă a electrodului-piesă.

Fig. 9.1

Când intensitatea câmpului electric atinge o anumită valoare, rezistenţa

electrică a lichidului de lucru, dielectric este străpunsă, formându-se un canal
conductor (datorită ionizării, concentraţia ionilor ajunge la 103-1012 ioni/cm3) în
care se concentrează o mare cantitate de energie electrică, care va conduce la
declanşarea unui impuls electric de descărcare .
Ca efect are loc dezvoltarea unei temperaturi ridicate (20.000-50.000 K)
practic formându-se o microzona cu plasma datorita căreia microneregularităţile
de pe suprafaţa electrodului - piesă şi mai puţin de pe electrodul - sculă se topesc
şi în parte se evapora producându-se bule de gaz. Materialul topit venind în
contact cu lichidul dielectric care este mai rece (termostatat), se va raci şi va fi
evacuat de circulaţia forţată a lichidului spre sistemul de filtrare.

168
`
 Procesul de descărcare are loc în doua etape:
- formarea canalelor de microdescărcare, în circa 10-9-10-7 secunde;
- descărcarea energiei prin canalul ionizat în 10-6-10-2 secunde (în
funcţie de forma impulsului de descărcare).
După un anumit timp de la descărcare se restabileşte rezistenţa electrică a
spaţiului dintre electrozi (producându-se deionizarea spaţiului). Noi descărcări
vor apare între alte asperităţi ale electrozilor-scula şi piesa, procesul continuând
în acelaşi mod până când distanţa dintre cei doi electrozi depăşeşte distanţa de
străpungere (distanţa la care tensiunea aplicată este încă capabilă să străpungă
spaţiul) caz în care electrozii trebuie apropiaţi în vederea continuării procesului
de prelucrare.
Mărimea cea mai importantă care caracterizează descărcarea este energia
impulsului de descărcare Wi :
ta
Wi   U a  I  dt
0

întrucât tensiunea de amorsare U a este practic constanta, relaţia se poate scrie:

ta
Wi  U a   I  dt .
0

Rezultă deci că parametrii care permit controlul cantităţii de material erodat

sunt intensitatea curentului de descărcare, durata şi forma impulsului (care se
recomanda a fi reglata între 3500-3800 μs pentru operaţii de degroşare şi 5-200
μs la finisare) cât şi perioada de repetiţie a impulsurilor electrice.
De asemenea, alţi factori care influenţează procesul de prelucrare cu o
pondere importanta sunt :
- lichidul dielectric utilizat, viteza de circulaţie şi temperatura acestuia;
- materialul electrodului scula şi dimensiunile acestuia;
- mărimea spaţiului dintre cei doi electrozi şi condiţiile de menţinere a
acestuia la valoarea optimă.

169
`
 Alegând în mod corespunzător durata impulsurilor electrice de descărcare
în corelaţie cu polaritatea electrozilor, se poate dirija procesul astfel încât
eroziunea să fie maximă la electrodul piesă. De exemplu, pentru impulsuri
electrice cu durate de ordinul microsecundelor şi conectarea normală, piesa la
anod şi electrodul scula la catod, asimetria poate ajunge la valori de 99,5%,
pentru eroziunea piesei şi 0,5% pentru uzura electrodului scula.
Pentru durate mari ale descărcării (milisecunde) electrodul scula-catod
suferă eroziuni mai mari decât anodul-piesa (datorita ionizării complete a
spaţiului dintre electrozi se formează un arc electric) şi se recomanda pentru
scurt timp schimbarea polarităţii de lucru, piesa cuplându-se la catod. O alta
modalitate de a obţine o eroziune maxima la electrodul piesa este alegerea unor
cupluri de materiale electrod-sculă-piesă de prelucrat adecvate; în tabelul 9.4.
sunt prezentate pentru diverse cupluri de materiale consumurile specifice de
electrozi la un anumit volum de material erodat.
Se utilizează de obicei pentru execuţia electrozilor scula cuprul electrolitic
şi aliajele sale (cu crom, telur ş.a.) sau sub forma sinterizată şi uneori grafitul.

Tabelul 9.4
Materialul Debitul de material Consum specific de
Curentul mediu
Electrodul Piesei de erodat electrozi
[A]
scula prelucrat [mm3/min] [valori relative]
Cupru 8 25,9 0,1
Cupru Otel 12 15,6 0,5
Titan 10 6,4 0,3
Cupru 12 14,4 1,6
Aluminiu Otel 8 8,7 1,7
Titan 10 2,6 8
Otel 15 47,5 1
Alama
Carburi 15 32,7 3
90 W- Otel 15 55,7 0,05
10AG Carburi 15 45,9 0,14
65WC – Otel 15 36,1 0,08
10Ag Carburi 15 27,8 0,21
50 Cu –
Otel 15 63,8 0,34
50C

170
`
 Calculul şi proiectarea electrozilor sculă se face ţinând cont că forma şi
dimensiunile acestora depind direct de forma şi dimensiunile pieselor ce trebuie
prelucrate, în corelaţie cu precizia şi rugozitatea care trebuie obţinută şi cuplul
de materiale electrod scula piesa de prelucrat. Din punct de vedere constructiv
electrozii scula pot fi de tip monobloc sau din mai multe elemente asamblate,
având o parte activa (care este supusa la uzura) ce are forma şi dimensiunile
negativului cavităţii de prelucrat şi o parte de prindere şi centrare în dispozitivul
port electrod scula al instalaţiei de prelucrat[16].
Proiectarea corectă trebuie să asigure dimensiunile finale ale piesei, ţinând
cont şi de adaosurile necesare pentru finisare, lustruire ş.a., cât şi de adaosurile
intermediare minime. Experimental [16] s-a stabilit ca tolerantele dimensiunilor
electrodului de finisare - T f , pot fi cel mult jumătate din toleranţa dimensiunilor

piesei - T p :

1
T f  Tp .
2

La stabilirea dimensiunilor laterale (diametrul) electrodului scula trebuie să

se ţină seama şi de mărimea interstiţiului lateral, care se dă de obicei în cartea
tehnică a maşinii şi este cuprins între 0,15-0,22 mm.
Randamentul prelucrării prin electroeroziune este influenţat şi de lichidul
dielectric, care trebuie sa umple complet spaţiul dintre electrozi şi să
îndeplinească următoarele condiţii :
- să aibă o conductivitate termică şi electrică redusă;
- să fie stabil în timp şi sa nu îşi modifice caracteristicile sub influenţa
descărcărilor electrice;
- să aibă punctul de inflamabilitate peste 40 C ;
- să fie neutru din punct de vedere chimic.

171
`
 Se utilizează ca lichide dielectrice de lucru uleiurile (siliconice şi cele
pentru transformatoare) petrolul lampant şi apa deionizată. Circulaţia lichidului
în zona de lucru (pentru a asigura evacuarea reziduurilor rezultate în urma
eroziunii şi răcirea electrozilor) se face prin injecţie (continuă sau intermitentă)
sau prin aspiraţie în funcţie de forma şi complexitatea prelucrării ce trebuie
realizată. În fig.9.2. sunt prezentate mai multe variante de corelare a construcţiei
electrozilor sculă cu modalităţile de circulaţie forţată a lichidului dielectric în
interstiţiu dintre electrodul scula şi piesa de prelucrat.

Fig. 9.2

Instalaţiile de prelucrat prin electroeroziune se diferenţiază după principiul

de generare al suprafeţelor piesei de prelucrat în doua grupe :
- instalaţii de prelucrat cu electrod scula profilat (lucrează prin copierea
profilului frontal al electrodului scula);

172
`
 - instalaţii de prelucrat cu electrod filiform care decupează profilul
suprafeţei piesei (generarea suprafeţelor având loc pe cale cinematica la
aceste utilaje).

9.2.2 La instalatiile de prelucrare cu electrod profilat(fig. 9.3)

electrodul scula -1, are forma negativului cavităţii ce trebuie prelucrata şi este
cuplat la catod (se lucrează în curent continuu). Electrodul piesa - 2, cuplat la
anod este imersat în lichidul dielectric - 3 aflat în cuva - 4 ce este montata pe
masa - 5 a maşinii, care se poate deplasa pe direcţiile Ox şi Oy, materializând
mişcările de avans s x şi s y .

Fig. 9.3

173
`
 Menţinerea interstiţiului optim de lucru dinte electrodul piesa şi electrodul
scula se realizează cu ajutorul sistemului de acţionare hidraulica 8-9 (mişcarea
sT), întregul subansamblu - 10 putând executa mişcarea de reglaj - apropiere de
piesa - sz, prin intermediul şurubului-piuliţă - 11, acţionat de motorul electric
ME. Parametrii procesului de prelucrare cât şi coordonarea celorlalte funcţii ale
maşinii sunt conduse şi reglate de către echipamentul electronic - 13, cuplat cu
un microprocesor. La acest procedeu de prelucrare prin copierea formei
electrodului scula, viteza de avans pe direcţia verticala sT = 0,2-1(5) mm/min,
iar rugozitatea suprafeţelor prelucrate (după finisare) poate fi Ra = 0,9..3,2 μm.
Principalul dezavantaj al procesului acesta este ca necesita mai multe
treceri (de degroşare, semifinisare , finisare) cu utilizarea unor electrozi scula
dimensionaţi corespunzător şi regimuri de prelucrare adecvate. în fig. 9.4, este
prezentat un electrod scula combinat,
ce cuprinde cele 3 porţiuni;
a - zona prelucrării de degroşare; Fig.9.4
b - porţiunea de semifinisare;
c - zona pentru finisarea orificiului prelucrat..

9.2.3 Instalaţiile de prelucrat prin eroziune cu electrod filiform

Aceste maşini au o cinematică simplă, având o larga răspândire varianta

constructivă de maşina la care firul 1 electrodul scula are o mişcare de deplasare
unidirecţională axială verticală - s z perpendiculara pe planul de avans (xOy) al
mesei maşinii - 8 pe care se montează piesa de prelucrat - 2, fig. 9.5.
Generarea suprafeţelor de prelucrat are loc pe cale cinematica, prin
poziţionarea corespunzătoare a piesei - 2, în fata electrodului filiform - 1 cu
ajutorul motoarelor electrice pas cu pas - 3 şi - 4 ce acţionează masa - 8 care se

174
`
poate deplasa pe ghidaje de mare precizie pe direcţiile s x şi s y pentru a fi create

condiţiile declanşării descărcărilor electroerozive în zona de lucru electrodul

filiform -1 este „îmbrăcat" într-un film continuu de lichid - 9 dielectric, ce este
adus prin injecţie cu ajutorul ajutajului - 6.

Fig. 9.5

Pe tot timpul prelucrării, electrodul filiform execută o mişcare axială

continuă s z , necesară eliminării influenţei uzurii firului sub acţiunea
descărcărilor electrice (dintre aceasta şi piesa de prelucrat) asupra preciziei de
prelucrare. În fig. 9.6 este prezentat schematic traseul firului - 1 ce se desfăşoară
pe rola - 2 şi se înfăşoară pe rola - 3, fiind ghidat şi tensionat în zona de
prelucrare a piesei 4 de către lagărele din safir - 5 şi - 6 şi rolele -7 - 7' şi - 8.
Electrodul filiform se execută de obicei din cupru (de puritate ridicată
elaborat prin procedee electrolitice) şi este perfect calibrat pe întreaga lungime
(având un diametru cuprins intre 0,02 - 0,2 mm)(vezi laborator). Este total
neindicată reutilizarea firului pentru o noua prelucrare, întrucât uzura acestuia se
manifesta

175
`
 Fig. 9.6

prin reducerea secţiunii transversale şi o rugozitate mai mare a suprafeţelor

prelucrate. Spre deosebire de prelucrarea prinelectroeroziune cu electrod profilat
unde se practica mai multe faze (treceri), la prelucrarea cu electrod filiform,
execuţia unui anumit profil se face dintr-o singura trecere. Rugozitatea
suprafeţelor prelucrate este de ordinul Ra=0,1 - 3,2 μm fiind dependenta de
energia impulsurilor de descărcare, în condiţiile unor adâncimi minime (0,02 -
0,04 mm) ale stratului influenţat termic aparţinând piesei, în urma prelucrării.

176
`
9.3. Tehnologii de prelucrare prin procedee electrochimice

9.3.1.Bazele fizico-chimice şi tehnologice ale prelucrării

La baza îndepărtării adaosului de prelucrare prin procedee electrochimice

stă un proces complex compus din acţiunea electrochimică, electroerozivă şi
mecanica, exercitate de către agentul chimic-electrolit, curentul electric şi
electrodul scula asupra materialului de prelucrat.
Prelucrarea electrochimică a metalelor cuprinde toate procesele fizico-
chimice care au loc la anod - piesa de prelucrat şi care sunt dirijate şi utilizate în
vederea prelucrării prin schimb de sarcini electrice între anod-piesa, catod-scula
şi electrolitul în care sunt imersaţi. Ca efect al acţiunii electrolitice, ionii metalici
proveniţi de la anod-piesa reacţionează cu ionii negativi din electrolit dând
naştere la hidroxizi metalici, mai mult sau mai puţin solubili. Cercetările
experimentale au evidenţiat ca toate reacţiile proceselor electrochimice au loc în
stratul superficial al piesei, la limita dintre metal şi electrolitul de lucru.
În mod obişnuit procesul electrochimic este însoţit de un fenomen de
pasivizare (polarizare anodică) a suprafeţei electrozilor - piesă care provoacă o
limitare a procesului de dizolvare anodica, având ca efect micşorarea vitezei de
prelucrare. Acest fenomen de polarizare anodică apare atunci când viteza de
trecere a ionilor în soluţie rămâne în urma procesului de evacuare a electronilor
din anod în circuitul exterior, acumulându-se în exces sarcini electrice pozitive
care conduc la modificarea potenţialului anodic şi deci a parametrilor electrici ai
prelucrării, având ca efect o încetinire a procesului de prelucrare.
Depasivizarea se poate realiza natural sau forţat pe cale chimică,
hidrodinamică, electrică sau mecanică şi are o influenţă hotărâtoare asupra
procesului de eroziune electrochimică.

177
`
 9.3.2 Tehnologii de prelucrare electrochimică

Criteriul de bază, în funcţie de care se clasifică instalaţiile de prelucrat

electrochimic este modul de realizare al procesului de depasivizare, astfel:
a. Maşini de prelucrat prin eroziune electrochimică naturală la care
depasivizare se realizează prin degajările de gaze şi prin dizolvare;
b. Instalaţii de prelucrat electrochimic cu depasivizare chimică realizată cu
agenţi chimici introduşi special în electrolit;
c. Instalaţii de prelucrare electrochimica hidrodinamica la care depasivizare
se obţine în urma circulaţiei forţate a electrolitului;
d. Instalaţii de prelucrat prin eroziune electrochimica cu depasivizare
mecanică, realizată de acţiunea unei scule abrazive asupra electrodului piesa;
e. Instalaţii de prelucrat prin eroziune electrochimica cu depasivizare
electrică obţinută prin schimbarea periodica a polarităţii electrozilor.
Dintre aceste variante cel mai mult se utilizează copierea prin eroziune
electrochimica cu electrod scula profilat şi circulaţia forţată a electrolitului,
rectificarea electrochimica (elizarea) şi polisarea - lustruirea electrochimica.
Pentru toate procedeele, cantitatea de metal dislocata la electrodul anod-piesa în
timpul procesului de prelucrare electrochimică se poate determina teoretic cu
ajutorul legilor lui Faraday:
m  K  I t

Masa de substanţă - m, fiind proporţională cu intensitatea curentului

electric - I şi cu timpul cât circula curentul electric prin electrolit - t.
CA
K , este echivalentul chimic al metalului prelucrat, în care: A este
n
1
masa atomică, n - valenţa metalului, iar C  , F fiind numărul lui Faraday.
F
Sau o altă expresie pentru masa de metal erodată:

178
`
 A
m  It .
nF
Întrucât practic procesul se realizează cu un anumit randament  ,
cantitatea de metal erodat se poate calcula cu relaţia:
A
m    I t .
nF
Intensitatea curentului electric - I este un parametru reglabil important al
procesului de prelucrare electrochimică, fiind variabil în timp şi dependent de
caracteristicile geometrice, fizice şi chimice ale interstiţiului de lucru.
Intensitatea curentului este determinată de diferenţa de potenţial dintre cei
doi electrozi - U, de tensiune de polarizare - U p şi de rezistenţă electrică a

electrolitului - Re :

U U p
I ,
Re

Re - depinde de grosimea interstiţiului de lucru - g, de conductivitatea electrica a

electrolitului  e şi de suprafaţa A care trebuie prelucrată. Rezistenţa electrică a
electrolitului se poate calcula cu relaţia:

1
Re  g.
e  A

Modul în care procesul de eroziune electrochimica este influenţat de

parametrii reglabili de lucru, pentru ambele procedee cu utilizare mai larga în
mecanica fina va fi prezentat în continuare.

9.3.2.1. Tehnologii de polisare-lustruire electrochimică

179
`
 Prelucrarea are loc în
urma formarii unei pelicule
din materialul dizolvat la
anod şi gazele degajate, ce se
acumulează cu precădere în
golurile asperităţilor
suprafeţei piesei-anod,
încetinind trecerea curentului
electric. Ca efect intensitatea
curentului pe vârfurile
microasperităţilor atinge
valori foarte ridicate conducând la dizolvarea acestora în electrolit. În urma
dizolvării microneregularităţilor suprafaţa piesei rămâne neteda cu un luciu
pronunţat.
În fig. 9.7 este prezentata o instalaţie de polisat electrochimic, unde piesa -
1 este cuplata la anod, electrodul-scula - 2 legat la catod, cele doua elemente
fiind imersate în electrolitul - 3. Întrucât cercetările experimentale [6] au
evidenţiat ca temperatura şi agitarea electrolitului influenţează procesul de
prelucrare, diminuând fenomenul de pasivizare anodica şi reducând timpul de
prelucrare (pentru anumite concentraţii optime ale electrolitului), instalaţia
cuprinde un sistem -4 de încălzire al băii şi un dispozitiv pentru agitarea
electrolitului - 5. Agitatorul - 5 poate fi înlocuit şi cu un generator cu ultrasunete
al cărui concentrator ultrasonic se cuplează în exteriorul cuvei - 6, varianta în
Fig.vedere
care se obţin rezultate mult mai bune din punctul de 9.7 al procesului de
depasivizare anodică.
Reglând în mod corespunzător valorile intensităţii curentului şi tensiunii în
funcţie de metalul piesei, natura şi concentraţia electrolitului, procesul de
lustruire electrochimica poate fi dirijat pentru a se obţine o calitate-rugozitate
foarte buna a suprafeţei prelucrate.

180
`
 Astfel, tensiunea de lucru se alege în funcţie de rezistenta electrica a
electrolitului, de exemplu pentru electroliţii pe baza de acid fosforic sau sulfuric
sunt necesare tensiuni scăzute, de 4 până la 25 V; electroliţii bazaţi pe acid
percloric în amestec cu substanţe organice, având rezistenta electrica ridicata
solicita tensiuni mai mari, de 50 până la 220 V.
La alegerea electrolitului trebuie să se verifice daca produşii de dizolvare
anodica sunt sau nu solubili în acesta, preferându-se o solubilitate medie pentru
a se uşura separarea produselor de dizolvare din electrolit. în tabelul 9.5 sunt
prezentate caracteristicile unor electroliţi, în funcţie de metalele care trebuie
lustruite.
Tabelul 9.5
Caracteristicile unor electroliţi în funcţie de metalele care se lustruiesc
Condiţii de lucru
Metalul
Componenţii Concentraţia Densitate de
de Temperatura
electrolitului % curent 0
prelucrat 2 C
A/mm
H3PO4 55
CrO3 1-15 (1,5…2)10-1 70
Otel H2O -
carbon H3PO4 30-60
CrO3 15-50 (5…70)10-2 65-100
H2O -
H3PO4 50
CrO3 12-15 (1,5…2)10-1 70
H2O -
Oteluri
H3PO4 40
aliate
H2SO4 40
CrO3
(4…7)10-1 70-80
3
H2O -
Oţel H3PO4 40
inoxida- Glicerină 50 (7,5…9)10-2 100
bil H2O -
H3PO4 50-60
Alamă H2O (15…40)10-2 15-20
-
H3PO4 86-88
Bronz CrO3 10-12 (8…15)10-2 20-25
H2O 4-10

181
`
 La lustruirea electrochimică ca de altfel pentru toate prelucrările
electrochimice este important să se aleagă pentru electrolizii scula-catod
materiale care sa nu fie atacate de electrolit şi sa nu se acopere în timpul
prelucrării cu o pelicula dielectrica. De obicei suprafaţa activa a catozilor se
recomandă a fi mai mare ca suprafaţa pieselor de prelucrat, pentru a micşora
rezistenţa chimică a băii şi a facilita reglarea procesului prin intermediul
tensiunii de alimentare. În cazul lustruirii pieselor de configuraţie complexă se
recomanda alegerea unor forme conjugate pentru catozii sculă.

9.3.2.2. Tehnologii de prelucrare electrochimica cu depasivizarea

hidrodinamica

La acest procedeu depasivizarea se face prin circulaţia forţată a

electrolitului, urmărindu-se erodarea unei cantităţi cât mai mari de material de la
anod - piesa.
Generarea suprafeţelor prelucrate se face de obicei prin copiere, electrodul
catod având o forma bine determinata în funcţie de suprafaţa de prelucrat,
electrolitul folosit şi parametrii regimului de lucru. Se utilizează densităţi mari
de curent între 0,5 şi 12 A/mm2 şi o curgere turbulenta cu viteza ridicata (6-60
m/s), a electrolitului pe întreaga suprafaţa de prelucrare. Electroliţii folosiţi sunt
de regula soluţii apoase ale unor compuşi anorganici puternic corozivi, putând fi
activi sau pasivizati, tabelul 9.5.
Instalaţiile de prelucrat electrochimic pot să lucreze cu un electrod-scula
sau cu mai mulţi electrozi-scula, variantă utilizată la execuţia pieselor profilate
complex.
În fig. 9.8 este prezentata schema de principiu unei instalaţii de prelucrare
electrochimica cu depasivizare hidrodinamică ce lucrează cu 4 electrozi scula
multipli ES1 - ES4 utilizata la prelucrarea paletelor de turbina - 5 . Mişcările de

182
`
avans - de profilare ale fiecărui electrod-scula sunt realizate cu ajutorul
motoarelor hidraulice liniare MHi care primesc comenzile de la sistemul de
acţionare hidraulică S.A.H. - 6, ce este comandat de sistemul electronic cuplat
cu un calculator C (3). Pentru alte variante constructive cuva -1 în care se aduce
electrolit sub presiune cu ajutorul pompei hidraulice PH - 7, poate fi poziţionată
în planul xOy cu ajutorul sistemelor 4-4', acţionate de obicei cu motoare
electrice pas cu pas.

Fig. 9.8

Întrucât lichidul de lucru - electrolitul este în general foarte coroziv se

impun masuri de protecţie a instalaţiilor şi conductelor prin placare cu materiale
plastice sau utilizarea materialelor necorodabile.

183
`
 În tabelul 9.6 se prezintă unele posibilităţi de prelucrare prin eroziune
electrochimică, cu precizarea parametrilor de lucru pentru fiecare tip de
prelucrare.

Tabelul 9.6.

184
`
Tipuri de prelucrări electrochimice cu depasivizare hidrodinamica şi parametrii de lucru.

În cazul operaţiilor de strunjire, frezare şi retezare prin eroziune

electrochimica hidrodinamica este necesar sa existe o mişcare relativa între
electrodul scula-catod şi piesa de prelucrat. Aceste procedee se aplica cu bune
rezultate la prelucrarea carburilor metalice şi a unor metale dure, pentru execuţia

185
`
paletelor de turbine, matriţelor pentru injectarea materialelor plastice şi a
matriţelor din industria de automobile.

9.3.2.3. Tehnologii de prelucrare electrochimică cu depasivizare

mecanică

Procedeul mai poartă denumirea şi de elizare sau rectificare electrochimică.

În acest caz
depasivizarea este
rezultatul acţiunii
mecanice al unei scule
abrazive de construcţie
specială, fig. 9.9 şi 9.10,
procedeul fiind cunoscut şi
sub denumirea de
rectificare electrochimica.
Granulele abrazive -1 au
dublu rol, de a realiza Fig 9.9

depasivizarea, respectiv
discul abraziv electrod-sculă de a aşchia şi de a menţine interstiţiul sculă-piesă.
Procedeul se utilizează la prelucrarea materialelor metalice dure, otelurilor de
scule, carburilor metalice ş.a.
Întrucât carburile de wolfram, de titan, tantal nu pot fi dizolvate anodic
obişnuit, mai întâi trebuie sa intre sub influenta curentului electric într-o reacţie
secundara cu electrolitul rezultând compuşi care pot fi dizolvaţi anodic. De
exemplu carbura de wolfram poate fi transformata în oxid wolframic care poate
fi dizolvat cu adaosuri alcaline în electrolit. Întrucât aceste adaosuri alcaline
conduc la micşorarea randamentului proceselor electrice, se recurge la
îndepărtarea mecanica a produşilor de reacţie (în exemplu oxidul wolframic) cu
ajutorul unor discuri abrazive de construcţie speciala, fig. 9.9. Discul abraziv 1,

186
`
se executa din otel carbon sau cupru utilizându-se grăunţi abrazivi 2 din
diamant, care au şi rolul de a menţine o anumita distanta optima - g între discul
de rectificat care este legat la catod şi piesa de prelucrat 3 cuplată la anod.
Electrolitul, care trebuie sa aibă o circulaţie turbulentă în zona de lucru
realizează atât dizolvarea anodica cât şi îndepărtarea gazelor, produşilor de
reacţie şi materialului dislocat.
Parametrii regimului de lucru sunt dependenţi de materialul prelucrat, tipul
operaţiei (degroşare, finisare) şi electrolitul folosit. Astfel la prelucrarea
carburilor metalice intensitatea curentului I = 10 - 40 A, iar tensiunea U = 12 -
20 V, în condiţiile unor suprafeţe de lucru de 90-100 mm2.
Schematic procesul de rectificare electrochimica se prezintă în fig.9.10.
Acest procedeu de
prelucrare utilizat cu
precădere la ascuţirea
sculelor aşchietoare, placate
cu carburi metalice sau
executate din oteluri având
caracteristici superioare,
realizează o productivitate
ridicata în condiţiile obţinerii
unor rugozităţi deosebite Ra Fig 9.10
= 0,08 - 0,01 μm şi a
inexistentei tensiunilor interne.
De asemenea are loc o mărire a duratei de utilizare a sculelor care au fost
rectificate electrochimic de aproximativ doua ori comparativ cu cele rectificate
clasic.

187
`
 9.4 Tehnologii de prelucrare bazate pe schimbarea locală a stării
termice a materialului de prelucrat

9.4.1 Consideraţii generale

Aceste tehnologii de prelucrare se bazează pe modificarea locală a stării

termice a materialului piesei cu ajutorul radiaţiilor laser, fasciculului de electroni
sau plasmei.

În funcţie de energia transmisă local materialului de prelucrat, prelucrarea

poate avea loc cu sau fară schimbare de fază, respectiv încălzire ( de obicei
operatii de tratamente termice locale ), topire ( pentru operatii de sudare sau
aliere locală ) sau vaporizare ( pentru operaţii de găurire – tăiere ).

9.4.2 Tehnologii de prelucrare cu laser

9.4.2.1. Bazele fizice ale generării radiaţiilor laser

Proprietăţile radiaţiilor laser de coerenţă spaţială şi temporală, putere mare

şi posibilitatea focalizării punctuale au permis utilizarea laserului în tehnologie
pentru diverse operaţii de prelucrare respectiv tratamente termice, sudare,
găurire – taiere. [5]
Pentru utilizări tehnologice se folosesc generatoare laser capabile să emită
radiaţii (sub forma de impulsuri sau undă continuă) de intensitate ridicata, de
obicei peste 5  10 3 W/cm2, impunându-se laserii cu mediu activ gazos (CO2 sau
CO2+He+N2) şi laserii cu mediul activ solid ( Nd : YAG s.a.).
Principiul fizic de baza al generatoarelor laser îl reprezintă amplificarea
luminii prin stimularea emisiei radiaţiei realizată pe baza inversiei de populaţie -
pompaj, adică atomii sunt propulsaţi din starea fundamentala stabilă într-o stare
excitată, metastabila.

188
`
 Procedeele de realizare a inversiei de populaţie, denumite şi de excitaţie
sau pompaj sunt specifice tipului de mediu activ-laser utilizat şi tranziţiei de
pompaj alese. După felul materialului laser activ folosit (în funcţie de care se
clasifica şi generatoarele laser) pompajul se poate realiza prin:
- pompaj optic - procedeu utilizat pentru medii active laser solide,
constând în iradierea cu lumina intensa a bastonului de mediu activ-
laser solid cu radiaţii a căror lungime de unda realizează o dezexcitare
maximă a mediului activ laser solid utilizat;[5]
- ciocniri electronice - la descărcări în gaze şi inducţie magnetică pentru
medii active gazoase;
- pompaj cu diode laser [5];
- în cazul laserelor cu semiconductori şi cei cu medii active lichide se
utilizează alte procedee specifice [8].

9.4.2.2. Tipuri de generatoare laser

Din punct de vedere ingineresc, principalele elemente care trebuie avute în

vedere la proiectarea şi construcţia generatoarelor laser din instalaţiile de
prelucrare privesc obţinerea inversiei de populaţie, controlul modurilor şi
ghidarea transferului de energie dintre mediul activ şi emisia electromagnetica
din cavitatea rezonata precum şi dirijarea şi focalizarea radiaţiilor laser
rezultante, în zona de lucru, pe piesa de prelucrat.[5]
Generatoarele laser utilizate pentru prelucrări au o serie de particularităţi şi
anume:
- realizează o putere de ieşire ridicată;
- au sisteme optice pentru dirijarea şi concentrarea (focalizarea)
radiaţiilor laser pe suprafaţa pieselor de prelucrat;
- mediile active laser sunt de obicei solide sau amestecuri de gaze [5].

189
`
 9.4.2.3.Generatoare laser cu mediu activ solid

La aceste generatoare, emisia laser se realizează în urma inversiei de

populaţie obţinută prin pompaj optic - iluminare foarte intensa cu ajutorul unor
tuburi cu descărcări în gaze (lămpi flash) a bastoului de mediu activ solid, care
este elementul central al generatorului laser sau pompaj cu diode laser.
Există mai multe materiale solide în care se poate realiza inversia de
populaţie şi anume, sticla, anumite cristale cu condiţia dopării cu unele elemente
adecvate (ioni ai unor elemente ca neodim, crom, pământuri rare sau actinide).
Din multitudinea de medii active solide care pot fi excitate [5] numai câteva sunt
în practica utilizate, deoarece un mediu activ laser trebuie să aibă o eficienta
ridicata, o divergenta mica a fasciculului emis, o buna stabilitate a emisiei în
timp şi capacitatea de a funcţiona la temperatura ambianta. Aceste cerinţe severe
au făcut ca numai câteva tipuri de laseri cu mediu activ-solid sa fie dezvoltaţi şi
perfecţionaţi. În tabelul 9.7 sunt prezentaţi laserul cu rubin şi laserii cu sticla şi
YAG (Y3 All5O12) - dopaţi cu ioni de neodim (simbolizare: sticla : Nd şi YAG :
Nd). Alte materiale sunt mai puţin competitive deoarece au performanţe scăzute,
eficienta redusa, instabilitate chimica, conductivitate termica mică, necesitatea
de răcire criogenică, sau preţuri foarte ridicate. Exigente deosebite se impun
pentru rigurozitatea dopajului, geometria şi calitatea suprafeţelor de capăt ale
bastoanelor de medii active laser solide. Astfel axa optica a bastonului trebuie sa
aibă o abatere sub 5 minute faţă de axa sa geometrică, iar suprafeţele de capăt
trebuie să fie plan paralele (abaterea maxima 2 secunde) şi perpendiculare pe
axa optică (abaterea admisă fiind sub un minut). Abaterea de planeitate a acestor
suprafeţe trebuie să fie de maxim 0,1 din lungimea de unda a radiaţiilor laser
emise.[5]

190
`
 Tabelul 9.7
Energia
Material Lungimea max. a Dimensiuni lungime x Preţul
Modul de
mediu de unda unui diametru ($/1mm
emisie
activ (μm) impuls (mm) lung.)
(J)
1. Impulsuri 80 (30÷200)x(5÷10) 120÷160
Rubin 0,6943
2Q-switched 20
1. Impulsuri 125 (100÷200)x(5÷12) 40÷75
Nd: Sticla 1,06
2Q-switched 30
1. Impulsuri 4 250
Nd: Yag 1,06 2 Continuu - (12,5÷150)x(5,5÷9,25)
3Q-switched 0,005

Pentru a obţine un bun randament al operaţiei de pompaj optic este

important ca sursele luminoase cu care se realizează dezexcitarea sa genereze
fluxuri maxime de radiaţii în acele benzi spectrale ale căror lungimi de undă
dezexcită fluorescenta în mediu activ laser şi să producă emisie minimă în toate
domeniile spectrale exterioare benzilor de absorbţie utile. O prezentare
comparativă a unor surse de pompaj optic mai des utilizate în generatoarele laser
cu mediu activ solid este data în tabelul 9.8. [5]
Pentru a realiza o eficienţă sporită a pompajului şi implicit a emisiei laser,
lampa de pompaj şi bastonul de mediu activ se montează cuplaţi într-o cavitate
de pompaj-excitaţie, care formează un sistem optic închis ce concentrează
energia luminoasă emisă de lampă/lămpi pe bastonul de mediu activ laser.
Configuraţia unei cavităţi de pompaj este determinată de tipul lămpii şi
bastonului de mediu activ, de poziţia relativa de montaj a celor doua elemente şi
de condiţiile impuse privind funcţionarea, randamentul transferului energetic şi
performantele care trebuie obţinute. Construcţia cavităţii trebuie să asigure, în
acelaşi timp o bună răcire pentru bastonul laser şi lampa de pompaj întrucât

191
`
condiţiile de răcire influenţează procesul de emisie, afectând frecvenţa şi puterea
impulsurilor laser şi distribuţia energiei în pata focală . [5]
Cercetările au arătat [5] că o eficienţă ridicată a pompajului se obţine în
cavităţi de excitaţie cilindrice cu secţiune transversală eliptică în care lampa de
pompaj - 2 se montează într-un focar al elipsei iar în celălalt focar, bastonul de
mediu activ-laser - 3, realizându-se astfel o distribuţie uniformă a energiei de
pompaj în secţiunea transversală a bastonului, fig. 9.11, în care corpul cavitaţii -
1, are la interior suprafaţa reflectantă .

Fig. 9.11

192
`
 Tabelul 9.8

Tipul sursei Modalităţi de realizare

lineare
Lămpi cu Lămpi flash
elicoidale
descărcare în gaze
cu perete constant
nobile Lămpi cu arc CW
cu turbion (vârtej)
Mercur
Lămpi cu arc cu vapori de mercur Iodura unui metal dopata cu Hg
Lămpi cu Metal dopat cu Hg
descărcare în Natriu
vapori de metal Lămpi cu vapori de metale Potasiu
alcaline Rubidiu
Potasiu –Rubidiu
Lămpi cu filament Wolfram-halogeni
Laser Ga As
Diode
Ga Al As
semiconductoare Necoerente
Ga As P
Sisteme de
Diverse sisteme de concentrare a luminii soarelui laser
pompare solare

Pentru mărirea fluxului luminos de pompaj la laserii de mare putere sunt

indicate cavităţile eliptice multiple fig. 9.11, în care bastonul laser (având uneori
diametrul mai mare decât lampa) este aşezat în axele focale comune ale
elipselor, lămpile fiind dispuse în axele focale conjugate. Numărul optim de
lămpi pentru o cavitate de pompaj este dat de relaţia:

rB
N optim  n  ,
rL

193
`
în care : rB - raza bastonului laser;
rL - raza lămpii de pompaj;
n - indicele de refracţie al mediului ce înconjoară bastonul laser.

Pentru obţinerea unei bune reflectivităţi a pereţilor interiori ai cavităţilor

este necesară alegerea unor tehnologii adecvate de lustruire a acestor suprafeţe şi
de realizare a depunerilor finale, fiind recomandate straturile reflectante obţinute
prin depuneri de straturi metalice subţiri în vid comparativ cu cele obţinute prin
procedee electrolitice.
Caracteristicile fasciculului laser (divergenţa, distribuţia spaţială, modul de
oscilaţie, banda spectrală) depind în mare măsură de elemente optice care
formează cavitatea de rezonanţă laser, compusă din două oglinzi din sticlă optică
cu straturi reflectante (cu grad de reflexie diferit) realizate prin depuneri în vid,
formând un rezonator cu oglinzi plan-paralele, de tipul rezonatorului Fabry-
Pérot [5].
În ultimii ani au apărut noi generatoare laser, mult mai performanţe şi cu
fiabilitate ridicată, astfel laserul matricial, laserul Nd:YAG Q-switched, cu
emisie în diverse moduri de oscilaţie (10W pentru modul TEMOO şi 50-100W
pentru multimod) şi în special laserii Nd:YAG pompaţi cu ajutorul diodelor
laser au marcat în rândul utilizatorilor din domeniul procesării materialelor
reorientări de neimaginat în anii ‘80. Astfel a crescut foarte mult calitatea
prelucrărilor executate, frecvenţa impulsurilor, puterea emisă şi lucrul cel mai
important s-a îmbunătăţit fiabilitatea instalaţiilor şi specializarea acestora pe
tipuri de prelucrări: marcare-gravare, tratamente termice, sudare, prelucrări
dimensionale. [5,6]
Partile principale ale unui laser cu mediu activ solid pompat cu lampi
flash sunt prezentate în figura urmatoare:.

194
`
 Toate mediile laser active folosite au benzile de absorbtie a energiei in
zona spectrului vizibil, în consecinta, lampile flash de pompaj optic trebuie sa
aiba emisia în spectrul vizibil pentru a putea fi folosite ca mecanism de excitare.
Laserii cu mediu activ solid pompati cu lămpi flash au în general un randament
scăzut întrucât o foarte mica regiune din spectrul vizibil este utilizată în procesul
de absorbţie, banda de absorbtie a ionilor activi fiind foarte îngusta, iar restul de
radiaţie rămâne neutilizată. Pompajul cu diode laser cu o emisie care sa se
potriveasca cu banda de absorbţie au îmbunătăţit randamentul total al laserilor
cu mediu activ solid in mod considerabil, uneori randamentul a inregistrat o
crestere de 100%, însă pentru că diodele laser au o putere de ieşire redusă
rezultă o putere de ieşire mică şi din laserul cu mediu activ solid. Pentru a
preveni acest dezavantaj se folosesc matrice de diode laser, permitând astfel
atingerea de puteri mari. Marele avantaj al laserilor pompati cu diode laser este
volumul mic, greutate redusa şi o durata de viata mult mai lungă.

Pompajul unui laser cu mediu activ solid

Pomparea unui mediu activ solid este realizată optic, fie de la o lampa
flash, fie de la diode laser în mod continuu sau pulsat. Pompajul optic poate fi
realizat cu lumina unor surse incoerente dar puternice, lumina incoerenta este
absorbita de mediul activ astfel incat atomii sunt excitati la un nivel energetic
195
`
superior. Aceasta metoda se aplica laserilor solizi si lichizi care au o banda de
absorbtie larga ce permite absorbtia energiei de pompaj in mod eficient de la
sursele incoerente ce emit pe o banda larga.
Pompajul optic este un proces rezonant, energia fotonului incident trebuie
sa fie egala cu diferenta de energie dintre starile excitate si de echilibru ale
atomilor.[5]
Lampile de descarcare utilizate pentru pompajul laser pot fi grupate in doua
categorii : lampi cu arc electric si
lampi flash.
De cele mai multe ori lampile
de pompaj si bastonul laser sunt
plasate într-o incinta de pompaj
eliptica cu pereti acoperiti cu un
strat puternic reflectant, pentru ca un
procent cat mai mare al energiei de
pompaj sa fie transferata si absorbita
de mediul laser. Un lichid de racire este circulat pentru a elimina caldura in
exces.
Fig. 9.12

Principalele dezavantaje asociate cu lampile flash folosite pentru pomparea

energetica a mediului laser sunt :
- durata de viata limitată a lămpii (câteva mii de ore de funcţionare);
- lampile flash au un spectru de emisie foarte larg (figura 9.13) în timp
ce spectrul de absorbtie al mediului activ are varfuri de absorbtie mai
mult sau mai putin discrete. Ca rezultat, mare parte din energia optica
episa de lampa flash este irosită.
- randamentul energetic este scăzut;

196
`
 Fig. 9.13

- funcţionarea lămpilor flash necesită tensiuni ridicate ceea ce ridică

problema unor sisteme adiţionale de protecţie.

9.4.2.4.Laser cu mediu activ solid Nd:YAG

Neodymul apartine grupei de pamanturi rare si este larg utilizat in
tehnologia laserilor sub forma unor ioni trivalenti Nd3+ , ca ion activ dopant in
medii laser bazate pe diferite
materiale gazda, incluzand
atat cristale cat si sticle laser.
Cea mai puternica
tranzitie este de la 4F3/2 la
4
I11/2c pentru 1064nm, dar si
alte tranzistii se pot produce
cu lungimi de unda mai mari
sau mai mici. Atomii de
neodym in stare de echilibru
absorb fotoni si sunt ridicati
la un nivel energtic al unei
Fig. 9.14
benzi de absorbtie. Durata de

197
`
viata a acestor stari este de ordinul 10-8 secunde, iar atomii cedeaza energia
rapid spre nivelul de emisie laser superior prin tranzitie fara radiatie. Nivelul
superior are o durata de viata a fluorscentei de aproximativ 0.3ms, o inversie de
populatie se dezvolta iar radiatia laser se produce prin coborarea atomilor spre
nivelele inferioare de excitare. Aceste nivele sunt foarte aproape de starea de
echilibru şi atomii excitaţi coboara rapid în starea de echilibru dupa o tranzitie
fara radiaţie. [5]
Populatia din nivelul 4I11/2 scade la zero rapid în timp ce speciile excitate
sar spre starea de echilibru 4I9/2 prin emisie multi-foton.
Intrucat durata de viata a starilor joase este mult mai mica decat cea a
starilor puternic excitate, populatia in aceste nivele poate fi neglijata asadar
mediul dopat cu neodim dezvolta o comportare pe patru stari.
Cea mai mare problemă la proiectarea unui laser cu mediu activ solid este
echivalarea spectrelor de emisie si absorbtie ale bastonului de mediu activ cu
spectrele de emisie ale lămpilor. Lampile flash cu xenon ofera cel mai bun
pompaj pentru laserul cu rubin. Lampile cu arc electric sau flash cu krypton sunt
preferate pentru laserii cu neodym. Lampile cu krypton emit in regiunea
infrarosu a benzilor de absorbtie a Nd:YAG si Nd:sticla, deci reprezintă cea mai
buna echilibrare spectrala a acestor materiale laser. Totusi lampile cu krypton nu
sunt larg utilizate datorita costurilor ridicate, iar lampile cu xenon au suficient de
multa putere de emisie in zona spectrala de interes, asadar randamentul lor
scazut este totusi acceptabil.[5]
Cele mai comune medii active laser dopate cu neodym sunt :
- Nd:YAG Nd:Y3Al5O12 (ytriu aluminu granat): alegerea clasica pentru
1064nm, dar de asemenea utilizabil pentru 946nm si 1320nm (prin
suprimarea emisiei la 1064nm); izotrop, inca foarte comun pentru
laserii de mare putere si laserii Q-switched.
- Nd:Cr:GSGG, ionul de Nd este ionul activ in acest mediu, gazda este
gadoliniu- scandiu- galiu granat, sensibilizat cu ioni de Cr. GSGG este

198
`
 un material cu limita de fracturare ridicata si sensibilizat cu ionul triplu
ionizat de crom ofera o eficienta mult mai mare comparativ cu
Nd:YAG, deoarece ionii de Cr absorb partea neutilizata a emisie
spectrale a lampilor flash si emite in banda corespunzatoare absorbtiei
ionilor de neodym. Lungimea de undă a emisiei este de 1064nm.
- Nd:YVO4 (vanadat de ytriu), emite în 1064nm, 914nm şi 1342nm, cu
o bandă de absorbţie mult mai mare comparativ cu Nd:YAG, atractiv
pentru praguri joase de functionare, bune proprietati in operarea cu
puteri ridicate cu o buna calitate a radiatiei.
- Nd: sticla ; atomii de neodym sunt de asemenea utilizati ca elemente
active. Nivelul de dopare este de aproximativ 1%. Spectrul de
absorbtie si diagrama de nivel de energie a laseriolr Nd:Sticla este
asemanatoare cu cea a Nd:YAG, dar varfurile de absorbtie ale sticle
sunt mult mai largi si mai putin distincte. Motivul acestei comportari
este ca sticla nu are o structura cristalina ca YAG, sticla este un fluid
supraracit cu o strucutra amorfa aleatoare. Ionii de neodym in cristalul
de YAG au cu totii acelasi spatiu fata de atomii vecini. In cazul sticlei,
distributia este aleatoare iar ionii au distante diferite fata de atomii
alaturati, ceea ce face ca nivelele energetice ale atomilor sa varieze
diferit, largind benzile de absorbtie si emisie considerabil. Aceasta
asezare rezulta de asemenea si intr-o durata de viata mult mai lunga a
nivelului superior de emisie. Aceasta se traduce printr-o eficienta mai
ridicata decat a Nd:YAG in mod pulsat. Conductivitatea termica
scazuta a sticlei face imposibila operarea in radiatie continua, de aceea
operarea in mod pulsat este recomandata pentru acest material.
In mediul Nd:YAG, YAG este gazda ionilor triplu ionizati de neodym,
ionul activ responsabil de producerea radiatiei laser la 1064nm. Este un laser
care are patru nivele energetice cu eficienta de fluorescenta ridicata,
conductibilitate termica buna , poate fi racit cu aer sau cu un lichid de racire

199
`
eficient si poate produce pulsuri de mare putere cu o rata de repetare de 400
pulsuri pe secunda sau mai mult. Eficienta sa este insa in jurul valorii de 1%
datorita benzii de absorbtie foarte reduse; asadar cea mai mare parte a energiei
lampii flash este neutilizata. Concentratiile de dopare cu Nd sunt in general de
1%. Dopajele ridicate pot fi avantajoase deorece reduc durata de absorbtie dar
concentratii prea mari duc la stingerea starii superioare energetice. Liniile de
absorbtie ale YAG formeaza varfuri ascutite in benzi apropiate. Cele doua benzi
importante de pompare a laserilor Nd:YAG sunt in regiunile 730-760nm si 790-
820nm. Pentru ca aceste benzi sunt in infrarosul apropiat, aceste lungimi de

unda sunt de preferat pentru pomparea laserilor YAG(fig. 9.15).

Racirea cu apa a bastonului combinata cu buna conductivitate termica a

YAG ofera un efect de racire suficient pentru bastoanele laser Nd:YAG de mici
diametre pentru a putea functiona in unda continua , YAG este singurul material
folosit in mod frecvent pentru operarea in unda continua (CW), desi si alte medii
laser solide sunt in dezvoltare.[5]

200
`
 9.4.2.5.Laseri cu mediu activ solid pompaţi cu diode
Laserii cu mediu activ solid pompati cu diode prezinta mai multe avantaje,
in special o construcție mult mai compacta, o durata de viata crescuta si de
multe ori o calitate foarte buna a radiatiei laser emise. Din aceste motive cota de
popularitate a acestor laseri este in crestere.
Pompajul cu diode laser se poate realiza in doua moduri, lateral şi frontal.
Pompajul lateral este o tehnica de pompare optica a mediului activ laser (in
general al laserilor cu mediu active solid), in care iradierea luminoasta se face pe
lateral, pe o directie aproximativ
perpendiculata pe directai radiatiei laser de
iesire. In figura 9.16 este prezentat un
baston laser pompat lateral, in care radiatia
de pompare de la matrici de diode laser este
injectata prin fante in suprafata exterioara a
bastonului, suprafata in mod normal
reflectanta, in bastonul de mediu active
Fig. 9.16
laser.

oglinda-fereastra de iesire
partial reflectanta (30-40%)

Fig. 9.17

Figura 9.17 prezinta o configuratie ce contine un baston de mediu activ

201
`
laser pompat lateral. O abordare alterantiva este pomparea in lungul radiatiei
laser (pompaj de capat-figura 9.18).

oglinda-fereastra de iesire
partial reflectanta (30-40%)

Fig. 9.18

Principalul avantaj al pompajului lateral este acela ca permite utilizarea

surselor de pompaj cu o coerenta spatiala scazuta, cum ar fi lampile cu arc
electric sau matrici de diode laser de mare putere. De asemenea pompajul lateral
face mai usoara combinarea a multiple surse de pompaj. Este posibila pomparea
mediului laser cu cateva matrici de diode, care au o doar o axa de colimare,
latimea totala a regiunii de emisie poate aproxima lungimea totala a bastonului.
Un alt avantaj este ca puterea de pompaj absorbita poate fi distribuita uniform in
directie longitudinala. Din aceste motive pomparea laterala este adesea folosita
pentru laserii cu mediu activ solid de mare putere.[5]
Provocarile provin din faptul ca in general este mai dificil de obtinut un
castig mare de energie, o calitate bună a radiației si o eficienta de putere ridicata
prin pomparea laterala comparative cu pompajul de capat. De asemenea racirea
unui baston laser pompat lateral este mai dificila decat in cazul pompajului laser
de capat, din moment ce fetele laterale ale bastonului trebuiesc folosite atat
pentru pompaj cat si pentru racire. Din aceste motive, cei mai multi laseri cu

202
`
mediu activ solid pompati cu diode laser ce sunt utilizati pentru puteri de emisie
moderate sau mici sunt laserii pompati in capat.
O geometrie speciala de pompaj lateral este aceea in care radiatia laser este
supusa unei reflectii interne totale pe paretea interioara capatului cristalului
laser, iar radiatia de pompaj este injectata in zona unui punct de reflectie. Pentru
un crystal laser cu o capacitate de absorbtie ridicata (Nd:YVO4), mare parte din
radiatia de pompaj poate fi absorbita in modul fundamental al rezonatorului
laser.
Intrucat pompajul optic este un proces rezonant, lungimile de unda ale
diodelor laser trebuie sa fie in banda de absorbite a mediului activ laser ce este
pompat, cu cat mai apropiata de maximul de absorbtie cu atat mai bine.

Fig. 9.19

Figura 9.19 prezinta spectrul de absorbite al mediului laser Nd:YAG care

prezinta un varf de absorbtie la valoare de 810nm. Diodele laser GaAs/ AlGaAs
emit o radiatie in functionare in jurul valorii de 800nm ce poate fi folosita pentru
pomparea acestui mediu laser. De asemenea, Nd:Sticla are un varf de absorbtie

203
`
la 802nm, asadar acelasi tip de dioda laser poate fi folosit pentru pomparea
acestui tip de mediu laser.

9.4.2.6.Laser cu mediu activ solid disc

Laserii cu mediu activ solid disc reprezinta una dintre cele mai recente
dezvoltari din tehnologia laserilor din ultimul timp. Este bazat pe un design
revolutionar al laserului cu mediu solid. In ultimii ani a fost imbunatatit pentru
productia de serie si este acum disponibil la diferite companii ca produs
commercial de la cativa wati pana la cativa kilowati, de la operare in pulsuri
pana la operare in mod continuu(cw).
Aceasta tehnologie permite obtinerea :
 Radiatii laser de mare putere (cw sau puls);
 Impulsuri laser ultrascurte;
 O calitate buna a radiatiei emise cu o eficienta ridicata.

Proprietatile laserului cu mediu activ solid disc

Mediul activ al laserului(fig. 9.20) este un disc cu o grosime tipica mai
mica de 200µm. Cristalul este pompat optic din partea frontala utilizand o dioda
laser intr-un mod cvasi-pompat(quasi-endpumped), racirea se face in planul din
spate cu ajutorul unui
radiator. Datorita grosimii
sale reduse, numai o parte
a radiatiei pompate este
absorbita. Intr-un sistem
optic constand dintr-o
oglinda parabolica si o
oglinda de redirectionare,
puterea Fig. 9.20

204
`
care nu este absorbita va fi retrimisa de cateva ori in cristal optimizand astfel
eficienta pomparii (se pot atinge 16 si 32 de parcurgeri ale mediului de
pompare).

Avantajele laserilor cu mediu activ solid disc

Datorita formei disc a mediului activ al laserului, profilului pomparii
omogene si cuplarea mediului activ cu un radiator evidentiaza in mod decisiv
avantajele laserului cu mediu activ solid disc comparativ cu laserii cu mediu
activ solid tip baston .
Eliminarea facila a caldurii si gradientul de temperatura aparand
predominant pe o singura axa, rezulta o distribuire aproape omogena a
temperaturii si distorsiune minima a frontului de unda. Datorita acestor
caracteristici este posibil sa se obtina o calitate excelenta si puteri mari ale
radiatiilor emise. De asemenea , depolarizarea cauzata de mediul activ este
foarte scazuta. Un alt avantaj este scalabilitatea puterii realizata intr-un mod
simplu prin varierea diametrului de pompare. Puterea de pompare trebuie sa fie
schimbata in functie de o putere constanta a intensitatii de pompare.[16]

Structura unui laser cu mediu activ solid disc

Conceptul de laser cu mediu active solid disc este bazat pe utilizarea unui
mediu activ solid disc, cu o suprafata mult mai mare decat volumul. Aceasta
caracteristica asigura o racire eficienta a mediului activ si permite atingerea de
puterii medii mari. Racirea eficienta asigura o curgere a caldurii axiala, astfel
incat efectul de formarea a lentilei termice nu apare la acest tip de laser.

205
`
 Fig. 9.21

In figura 9.21 se prezintă de asemenea si evolutia de la baston la disc.

Bastonul laser este racit prin suprafata laterala, iar in acest fel apare o eliminare
a caldurii bidimensionala din care rezulta o distributie parabolica a temperaturii.
Datorita dependentei de temperatura a indicelui de refractie, aceasta conduce la
un effect puternic de aparitie a lentilei termice care limiteaza calitatea radiatiei si
puterea ce poate fi emisa.
Discul pe de alta parte este racit prin partea puternic reflexiva din spatele
cristalului ceea ce genereaza o radiere a caldurii unidimensionala, rezultand
paralelismul gradientului termic cu propagarea radiatiei laser si astfel este
eliminat efectul de formare a lentilei termice interne .
In practica, in laserele cu disc performante, cristalul laser subtire este
conectat la un radiator sau racit direct. Cu ambele modele, efectul de lentila
termica nedorit poate fi eliminat utilizand un aranjament optim al componentelor
laserului cu mediu activ solid disc, fig. 9.21.

206
`
 Conductivitatea termica a radiatorului cristalului trebuie scalata in functie
de marimea ariei de pompaj a discului. Cu o temperatura constanta a cristalului
laser, puterea medie de emisie ce poate fi atinsa este proportionala cu suprafata
de pompaj si ulterior suprafata radiatiei laser de pe disc. Aceasta proprietate este
unica in conceptul de laser disc si face posibila scalarea puterii laserului la
intensitate constanta pe disc. Acest lucru este de o deosebita importanta in
laserele de inalta performanta deoarece face posibila scalarea puterii de iesire
fara modificarea parametrilor importanti, care altfel ar influenta fiabilitatea
laserului.
La prima privire, grosimea cristalului care este necesara pentru o extragere
a caldurii eficienta, pare a fi un dezavantaj deoarece se presupune o absorbtie
redusa a pompajului. Geometria cavitatii de pompaj a laserului disc rezolva intr-
un mod elegant aceasta problema. Pompajul se realizeaza intr-o configuratie cu
trecere multipla prin mediul activ utilizand o oglinda parabolica si un sistem de
deflectie.[16]

Cavitate de pompaj a laserului cu mediu activ disc

Fig. 9.22

207
`
 Figura 9.22 arata constructia optica a unei cavitati de pompaj tipice cu
mediu activ disc cu o putere medie de iesire mare.
Oglinda parabolica focalizeaza radiatia de pompaj colimata care intra in
cavitate spre mediul activ. Dupa absorbtia partiala, partea care ramane din
radiatie este reflectata de partea dorsala a discului acoperita cu un stat inalt-
reflectiv. Prin multiple deflectii la trecerea prin prisma si reflectii ale oglinzii
parabolice un total de 20 de treceri de absorbtie sunt realizate prin disc,
rezultand o pompare foarte eficienta a radiatiei de pompaj.[16]
Structura optica a acestor cavitati este conceputa sa accepte si radiatii de
pompaj de straluciri reduse . De regula, parametrul radiatiei de pompaj este de
500mm mrad fiind preferat pentru a pompa un laser de mare putere cu mediu
activ solid disc. De aceea atat diodele laser cuplate cu fibra optica cat si
matricile de diode laser omogenizate pot fi folosite pentru pompajul laserului.
Intr-o aplicatie reala, matricile de diode laser omogenizate sunt preferate
datorita costului pe watt mai scazut.[16]
Pulsurile lungi cu o mare energie si o rata de repetitie mare sunt
semnificative pentru procesarea materialelor. In special debitarile de mare
eficienta, gauririle, polisarile si eliminarea de straturi subtiri sunt posibile pentru
o mare varietate de materiale. Datorita duratei de viata a inversiei de populatie
marita in cristalele Yb:YAG si a relativului mic castig in mediu laser disc,
durata tipica a unui puls in comanda Q-switch este de ordinul unei
microsecunde. Intr-o aplicatie concreta, comanda Q-switch este obtinuta cu
ajutorul unui modulator acusto-optic (AOM). In functie de geometria
rezonatorului lungimi de pulsuri de la cateva sute de nanosecunde pana la
lungimi de puls de microsecunde pot fi generate.[16]

208
`
 Puterea medie de iesire a unui astfel de sistem este prezentata in figura
9.23. Lungimea pulsului este de aproximativ 300ns si laserul a lucrat la o rata de
repetitie de 10kHz. Energia maxima a pulsului a depasit 200kW. Iesirea
laserului este cuplata cu fibra optica,
de regula, la o fibra optica cu
diametrul de 400µm unde poate fi
obtinuta o ghidare flexibila a
radiatiei. In functie de geometria
rezonatorului, caliatatea radiatiei este
capabila sa fie cuplata cu o fibra
optica de 100µm diametru de
Fig. 9.23
miez(4mm mrad).

O instalaţie laser pentru uz tehnologic cuprinde generatorul laser cu mediu

Fig. 9.24

209
`
activ solid si o serie de componente pentru conducerea şi focalizarea fasciculului
laser rezultat pe piesa de prelucrat şi unele sisteme care integrează generatorul
laser -8, fig. 9.24 cu sisteme tehnologice , optice, electronice şi mecanice care
modulează - 12, focalizează - 15 deviază şi poziţionează radiaţiile laser - 18,
programând -3 şi sincronizând emisia - 2, în corelaţie cu poziţia pieselor - 16 şi
parametrii de lucru.
Celelalte elemente prezentate în schema de principiu din fig. 9.24 a unei
instalaţii de prelucrat, sunt bastonul laser - 6 ce este montat cuplat cu lampa de
pompaj - 5 în cavitatea de pompaj - 9. Cavitatea de rezonanţă laser este formată
din oglinzile - 7 (cu grad de reflexie 100%) şi -7' (cu reflexie 35-40%), ce se
dispun coaxial cu axa optică a bastonului laser. Fasciculul laser format după ce
trece prin oglinda -7' este „curăţat" de radiaţiile parazite de către diafragma -9.
Sistemul de alimentare cu energie electrică de înaltă tensiune -1 (7kV) este
cuplat cu dispozitivele electronice de comandă şi control 2 - 3 şi calculatorul de
proces 19 care comandă şi deplasările (sx, sy, sz şi rotaţia în jurul axei Oz)
sistemului de poziţionare - 17 pentru piesele de prelucrat -16. Instalaţia mai
cuprinde un dispozitiv - 20 de măsurare a parametrilor radiaţiilor laser emise şi
sistemul - 10 de răcire cu apă distilată pentru mediul activ - 6 şi sursa de pompaj
- 5.

9.5. Generatoare laser cu mediu activ gazos

La aceste generatoare laser datorită densităţii scăzute a mediului activ (gaz sau
vapori metalici) cât şi a nivelurilor energetice foarte înguste, realizarea inversiei
de populaţie - excitarea se face prin ciocniri electronice sau transfer rezonant de
energie şi mai rar prin pompaj optic sau reacţii chimice. Din cele trei tipuri de
generatoare laser cu gaz (atomici, ionici şi moleculari) cel mai mult utilizat în
scopuri tehnologice este laserul cu CO2+N2+He, ultimele două gaze (în proporţii

210
`
strict controlate) având un rol important în procesele de excitare şi dezexcitare
cât şi la mărirea puterii şi eficienţei radiaţiei emise.[5]

1.Laserul CO2
Laserul CO2 este un laser bazat pe un amestec de gaze folosite ca mediu
activ laser, amestec ce contine dioxid de carbon, heliu, azot si uneori cantitati
mici de hydrogen, vapori de apa sau xenon. Un astfel de laser este pompat
electric prin intermediul unei descarcari electrice in gaze, descarcare ce poate fi
operata in current continuu, in curent alternativ (20-50KHz) sau in domeniul
frecventelor radio. Moleculele de azot sunt excitate de descarcarea electrica
intr-o stare vibrationala metastabila si transfera energia de excitatie moleculelor
de dioxid de carbon prin ciocniri aleatoare. Heliul are rolul de a depopula
nivelele laser inferioare si pentru a disipa caldura. Alti constituenti cum ar fi
hidrogenul sau vaporii de apa pot avea rolul (in cazul laserilor cu tub inchis) de
a reoxida monoxidul de carbon produs in timpul descarcarii electrice din dioxid
de carbon.[5]

Fig. 9.25

211
`
Schema din figura 9.25 prezinta un laser CO2 racit cu apa ce permite
reimprospatarea mediului activ.
Laserii CO2 emit in general pe o lungime de unda de 10.6 μm, dar si alte
lungimi de unda in regiunea 9-11 μm, (in special 9.6μm). In cele mai multe
cazuri, puterea medie este intre zeci de watti si cativa kilowatti. Eficienta
conversiei energiei de pompaj in radiatie laser poate atinge 10% sau mai mult,
este mai eficient ca un laser cu mediu solid pompat cu lampi flash, dar sub
randamentul laserilor pompati cu diode laser.

Tipuri de laseri cu mediu activ gazos CO2:

- pentru puteri laser intre cativa watti si cateva sute de watti, este utilizat in
mod frecvent laserul cu tub inchis sau laserul fara curgere, in care mediul
activ laser si rezerva de gaz sunt continute in acelasi tub sigilat. Acest tip
de laser este compact si rezistent si poate avea o durata de functionare de
cateva mii de ore.
- laseri de mare putere raciti prin difuzie, au gazul intr-o incinta intre doi
electrozi de inalta frecventa planari raciti cu apa. Excesul de caldura este
eficient transferat electrozilor prin difuzie, daca distanta dintre electrozi
este mai mica comparativ cu latimea electrodului. Cateva sute de kilowatti
pot fi produsi de acest tip de laser.
- pentru aplicatii ce necesita puteri de ordinul kilowatiilor in unda continua
de emisie se folosesc laserii cu curgere rapida axiala sau transversala.
Excesul de caldura este eliminat de catre amestecul de gaze ce circula cu
viteza prin tubul laser. Amestecul este racit intr-un radiator si refolosit.
- laseri atmosferici excitati transversal (TEA) , sunt laseri cu presiunea
gazului apropiata de presiunea atmosferica cu electrozii plasati pe
lungimea tubului. Acestia sunt operati exclusiv in pulsuri, intrucat
descarcarea electrica nu este stabila la presiuni inalte si sunt potriviti
pentru aplicatii ce necestia puteri medii de ordinal zecilor de kilowatti.

212
`
 Deorece laserii CO2 opereaza in infrarosu, materiale speciale sunt necesare
pentru constructia lor. In general oglinzile sunt argintate in timp ce ferestrele si
lentilele sunt confectionate din germanium sau selenat de zinc. Pentru aplicatii
ce necesita puteri ridicate, oglinzi aurite si ferestre din selenat de zinc si lentile
sunt preferate. De asemenea pot fi utilizate ferestre sau lentile din diamante.
Ferestrele de diamante sunt extreme de scumpe, dar buna lor conductivitate
termica si duritate le fac indicate pentru aplicatiile de mare putere. Primele
lentile si ferestre erau confectionate din sare (clorura de sodiu sau de potasiu),
desi materialul este ieftin, piesele optice confectionate se degradau in timp
datorita umezelii din aer.

Fig. 9.26

Un sistem laser CO2 complex (fig.9.26) contine tubul laser propriu zis racit
cu apa, un sistem de recirculare si racire a apei, un sistem de mentinere a

213
`
presiunii mediului activ. Mediul active poate fi prepreparat de catre unii
producatori sau poate fi preparat in timpul functionarii folosind tuburi
indivuduale de gaz si un dispozitiv de amestecare a gazelor. Pompajul se
realizeaza prin intermediul unor surse ridicatoare de tensiune reglabile, pentru a
scala puterea radiatiei de iesire, ce alimenteaza electrozii tubului laser.
Conceptiile de constructie a laserilor difera in special in modul de extragere
a caldurii dar si in presiunea gazului si geometria electrozilor utilizati. In laserii
de mica putere cu tub inchis (utilizati in gravarea laser), caldura este transporata
spre peretii tubului prin difuzie sau o curgere lenta a gazului. Calitatea radiatiei
poate fi foarte ridicata.[5,16]
Laserii CO2 de mare putere utlizeaza o convectie fortata a gazului ce poate
fi pe directie axiala (in lungul radiatiei laser) sau in directie transversala (pentru
cele mai mari puteri).

9.5.2.Aplicatii ale laserilor cu CO2

Laserii CO2 sunt utilizati pentru prelucrarea materialelor, in special pentru:
- taierea materialelor plastice, lemn, textile, materiale ce absorb bine
lungimea de unda de 10.6 μm, si necesita puteri moderate (20-200W)
- taierea si sudarea metalelor precum otelul inoxidabil, aluminiu sau cupru
prin aplicarea de puteri ridicate de ordinal kilowattilor
- gravarea laser a diverse materiale.
- alte aplicatii includ chirurgia laser (oftalmologie) si masurari de
distante(LADAR).

Laserii CO2 utilizati pentru procesarea materialelor (sudare sau taiere) sunt
in competitie cu laserii cu mediu activ solid ce opereaza in lungimea de unda de
1-μm. Aceste lungimi de unda mai mici prezinta vantajul unei absorbtii mult
mai eficiente in cazul metalelor si posibilitatea de ghidare a radiatiei laser prin
fibre optice. In cazul lungimii de unda de 10μm radiatia nu poate fi ghidata prin

214
`
fibra optica deoarece este absorbita de catre sticla din fibra. Totusi laserii cu
mediu active solid pompat cu lampi sau cu diode sunt mai scumpi decat laserii
cu CO2. Acesta este motivul pentru care laserii CO2 inca domina in operatiile
de debitare si sudare in special pentru piese ce au o grosime mai mare de cativa
milimetri.
Datorita puterilor ridicate si a tensiunilor ridicate, laserii CO2 ridica probleme
serioase de siguranta, totusi datorita lungimii de unda mai mari acestia sunt
relativ mai putin daunatori vederii la intensitati reduse.
La impactul fasciculului laser cu materialul de prelucrat indiferent de tipul
generatorului utilizat o parte din energia radiaţiilor laser (datorită fenomenelor
de absorbţie şi difuzie) se transformă instantaneu în energie calorică ce este

Fig. 9.27 [5]

215
`
transferată materialului piesei prin fenomenul termoconductibilităţii,
modificându-şi starea termică în zona afectată. Caracterul şi dinamica efectelor
produse de laser în material depind atât de proprietăţile şi caracteristicile optice,
termice şi mecanice ale materialului piesei, fig. 9.27 (în care se prezintă gradul
de reflexie pentru diferite materiale, uzual folosite, în funcţie de lungimea de
undă,  , a radiaţiilor laser incidente), cât şi de intensitatea - I (W/cm2) sau
energia E (J) lungimea de unda -  (μm), structura modală a radiaţiei şi regimul
de funcţionare al generatorului laser.[5]
O sinteza a fenomenelor şi prelucrărilor posibile de realizat cu laser în
funcţie de parametrii reglabili de bază ai radiaţiilor (densitatea puterii radiaţiilor,
durata de acţiune laserului ş.a.) se prezintă în fig.9.28 [5].

Fig. 9.28

216
`
 Cercetările experimentale au arătat că este eficientă utilizarea laserului la
prelucrarea materialelor dure şi extradure (metalice sau dielectrice), a sticlei,
cristalelor (inclusiv diamant) materialelor ceramice ş.a., pentru operaţii de
tratamente termice, suduri, tăieri-decupări, microgăurire, trimerizare, echilibrări
statice sau dinamice ş.a.
Întrucât fiecare operaţie de prelucrare impune anumite restricţii privind
parametrii radiaţiilor laser, modul de emisie (în undă continuă - cw sau în
impulsuri) condiţiile de focalizare în zona de lucru ş.a., se construiesc şi
utilizează instalaţii specifice pentru fiecare tip de prelucrare şi uneori
caracteristici fizice ale materialelor pieselor [5]. Astfel pentru tratamentele
termice, alieri de suprafaţa şi sudare, se folosesc instalaţii laser cu CO2+He+N2
cu emisie continuă (   10,6 μm ) sau cu YAG:Nd (   1,06 μm ).
Pentru operaţii de găurire şi sudare în puncte sunt indicate generatoarele
laser cu emisie în impulsuri (sticlă: Nd şi şi YAG: Nd -   1,06 μm ) care sunt
controlate ca durată, energie şi perioadă de repetiţie între două impulsuri
succesive de un calculator de proces .
Mecatronica, construcţiile aerospaţiale sunt principalii beneficiari ai
prelucrărilor cu laser pentru tratamente termice locale aplicate lagărelor de mici
dimensiuni, realizării unor microcontacte, conexiuni, senzori, traductoare,
execuţia filierelor şi gaurilor de mici dimensiuni (din carburi metalice, cristale
inclusiv diamant) cât şi pentru operaţii specializate: trimerizări, echilibrări
dinamice .

9.6. Instalaţii laser specializate

Instalaţiile pentru ajustarea componentelor electronice, trimerizare şi

structurarea straturilor subţiri pentru execuţia măştilor în microelectronica au în
componenţa lor generatoare laser cu medii active solide şi emisie în impulsuri.

217
`
 Ajustarea rezistoarelor (şi condensatoarelor) peliculare - trimerizarea se
bazează pe faptul ca rezistenţa electrică este dependentă atât de proprietăţile
materialului cât şi de dimensiunile acestuia, reglarea valorii putându-se face fie
prin modificarea proprietăţilor (oxidare termică cu laser) materialului rezistiv,
fie acţionând asupra mărimii suprafeţei stratului rezistiv depus (modificarea
formei geometrice - fasonare), fig. 9.29.

Fig. 9.29

Ambele procedee permit automatizarea completa a procesului de ajustare şi

controlul activ al valorii componentei ajustate, putându-se obţine toleranţe de
(  0,01-1)%. Schema de principiu a unei instalaţii de ajustare a componentelor
electronice pasive este prezentata în figura 9.30.
Iniţial, toate componentele de pe o placheta (aprox. 80 componente) sunt
depuse cu toleranţe pozitive, iar după ajustarea (prin evaporarea controlată cu
laser a materialului rezistiv în surplus) individuală a fiecărei componente se
întoarce placheta şi se decupează folosind un laser CO2 în componente
individuale. Poziţionarea plachetei în planul xOy se face cu motoare electrice
pas cu pas şi comenzi CN.

218
`
 Fig.9.30

Echilibrarea statică sau dinamică cu laser a microrotoarelor care lucrează la

turaţii ridicate prezintă avantaje deosebite faţă de procedeele clasice, întrucât nu
mai exista contact mecanic (deci deformaţii) cu microrotorul ce trebuie
echilibrat fiind posibilă şi execuţia echilibrărilor dinamice. Majoritatea
tehnicilor convenţionale de echilibrare a rotoarelor de mici dimensiuni utilizează
procedee clasice (găurire, frezare) pentru îndepărtarea maselor de dezechilibru,
în prealabil determinându-se pe o instalaţie de echilibrat poziţia maselor de
dezechilibru în doua plane A şi B (de obicei se lucrează în coordonate polare

Fig. 9.31

219
`
respectiv raza - r şi unghiul  , fig.9.31 şi calcularea masei care trebuie
îndepărtată. [5]
Schema de principiu a unei instalaţii complexe de echilibrat dinamic cu
laser este prezentata în fig. 9.32., pentru cazul unui giroscop -1, care lucrează la
turaţii ridicate.

Fig. 9.32

Sistemul de comandă, comutare şi emisie laser - 8 primind semnale care

conţin informaţii privind mărimea şi poziţia echilibrelor A şi B în cele două
plane de măsurare şi detecţie, va transmite atât comenzile necesare pentru emisia
fasciculului laser -10 cât şi comenzile de comutare a radiaţiilor laser pentru
corectarea (prin evaporarea materialului) dezechilibrului din poziţia A respectiv
fasciculul laser 12 şi apoi pentru dezechilibrul din poziţia B respectiv 13.
Rezultatele cercetărilor experimentale [5] şi a verificărilor efectuate asupra
giroscoapelor ce au fost echilibrate cu laser au evidenţiat precizia remarcabilă
obţinută (cu mult sub tolerantele admise) concomitent cu reducerea de aproape
15-20 a timpului afectat operaţiei prin procedeele clasice şi absenţa oricărei
deformaţii provocate rotorului în urma procesului de echilibrare.[5]
Utilizarea instalaţiilor laser în scopuri tehnologice în domeniul mecatronicii
trebuie apreciata prin prisma posibilităţilor largi şi a avantajelor acestui

220
`
procedeu, iar de cele mai multe ori a imposibilităţii utilizării altor procedee de
prelucrare.
9.7. Tehnologii de prelucrare cu fascicul de electroni

9.7.1.Bazele fizice ale prelucrării

Prelucrarea cu fascicul de electroni a materialelor metalice sau nemetalice

se bazează pe transformarea energiei cinetice de mare densitate în energie
termica, la impactul cu suprafaţa piesei, producând în zona de lucru încălzirea,
topirea sau vaporizarea materialului piesei.

9.7.2. Instalaţii cu fascicul de electroni

Emisia de electroni se realizează prin încălzirea unui filament 1, fig. 9.33
din wolfram sau tantal la o anumită temperatură (1800-2000oC) aflat într-o

Fig. 9.33

221
`
  
incintă vidată 5  105 torr . Aplicând un câmp electric, creat prin realizarea la
catodul – 2, a unui înalt potenţial negativ în raport cu anodul – 3, electronii
emişi – 4, vor fi puternic acceleraţi, cu viteze de până la 150 km/h, apoi
orientaţi-curăţaţi de dispozitivul electromagnetic de diafragmare – 5, focalizaţi
cu sistemul electromagnetic – 6 (diametrul fasciculului poate ajunge la 10-30
μm şi poziţionaţi cu dispozitivul – 7 pe piesa de prelucrat 8, rezultând densităţi
ale puterii de 103-109 W/cm2, care pot topi sau vaporiza materialul piesei. Piesa
– 8 se poate poziţiona în faţa fasciculului cu un sistem – 10 ce asigură patru
posibilităţi de reglare – trei translaţii sx, sy, sz şi rotaţii - poziţionări în jurul axei
Oz, toate componentele şi dispozitivele 2–9 aflându-se într-o incintă vidată – 16,
din oţel inoxidabil, nemagnetic. Sistemul de vidare – 11 asigură atât realizarea
vidului necesar (în incinta superioară – 12, în care se formează fasciculul de
electroni, cât şi în incinta – 16) de ordinul 10-4 - 10-5 torr, pentru evitarea
dispersiei şi micşorarea energiei fasciculului de electroni în incinta de lucru.
Realizarea vidului înaintat în incinta de lucru este necesar întrucât
fasciculul de electroni suferă o atenuare foarte puternică în aer.
La ciocnirea cu suprafaţa piesei de prelucrat, energia cinetică a electronilor
Ec este transformată în energie termică W,
m  v2
Ec   n  n U a  e  I U a  W
2
în care: m – masa electronului, v – viteza electronilor, n – numărul electronilor
emişi, Ua – tensiunea de accelerare, e – sarcina electrică a unui electron, I –
intensitatea curentului.
Adâncimea până la care electronii pătrund în materialul de prelucrat se
poate determinat cu relaţia:

14 U a2
h  2,25  10  [m]


în care  (kg/dm3) este densitatea materialului prelucrat.

222
`
 Emisia fluxului de electroni poate avea loc sub formă de impulsuri cu
durata (10-6-10-7 s), separate prin intervale (10-4-10-5 s), sau în regim de emisie
continuă. Se recomandă emisie în regim continuu pentru unele operaţii de
tratamente termice şi sudare, iar pentru prelucrarea găurilor, sudare în puncte şi
tratamente termice locale se utilizează funcţionarea în regim de impulsuri.
Din cauza fenomenelor care au loc la interacţiunea fasciculului de electroni
şi materialul de prelucrat, energia fasciculului de electroni nu este utilizata
integral pentru încălzirea materialului supus prelucrării. La impactul fasciculului
cu suprafaţa materialului apar pierderi de energie datorate, în special,
electronilor retrodifuzaţi şi vaporizării materialului (fig. 9.34).

Fig. 9.34

223
`
 În funcţie de densitatea de putere q realizata, fasciculul de electroni poate fi
utilizat pentru următoarele operaţii de prelucrare:

- q < 104 W/cm2 - tratamente termice;

- 104 < q < 106 W/cm2 - sudare şi aliere superficială;
- q < 106 W/cm2 - prelucrări dimensionale - găurire, taiere ş.a.

Întrucât numărul factorilor care condiţionează procesul de prelucrare este

mare, aceştia se pot grupa astfel:
- Parametrii reglabili de lucru sunt: tensiunea de accelerare a electronilor
(15 - 50 kV), durata impulsurilor (5 μs - 50 ms), frecvenţa de repetare
a acestora (50 - 10.000 Hz), puterea medie (100 W) şi maximă a
fasciculului (4 kW) viteza de baleiere şi focalizarea fasciculului pe
piesa, modul de realizare şi menţinere a vidului în instalaţie.
- Factorii independenţi de reglaj sunt: natura materialului piesei,
configuraţia şi starea suprafeţei de prelucrat, repartiţia căldurii în piesa
şi adâncimea de prelucrare.
Prelucrarea materialelor metalice sau dielectrice cu flux de electroni
depinde numai de caracteristicile termofizice ale materialului piesei şi nu este
influenţată de proprietăţile mecanice ale materialelor. Deoarece în punctul de
impact al fasciculului cu suprafaţa de contact temperatura poate ajunge până la
6.000oC, este posibilă încălzirea rapidă, topirea, fierberea sau evaporarea
materialelor greu fuzibile, aliajelor dure, materialelor mineralo-ceramice şi
compozite.
În funcţie de operaţia tehnologică ce trebuie executată (acţiune termică la
suprafaţă sau în adâncime) se reglează în mod corespunzător şi tensiunea de
accelerare a electronilor cât şi focalizarea fasciculului, în raport cu suprafaţa
piesei de prelucrat .

224
`
 În tabelul 9.9, se poate vedea că pentru o valoare constantă a densităţii de
 
putere q  10 6 W cm 2 , se obţin temperaturi diferite la suprafaţa materialului,

Tabelul 9.9.
Variaţia temperaturii în funcţie de tensiunea de accelerare, la unele metale, pentru o putere

specifică constantă q s  10 6 W/cm2

Temperatura în punctul z = 0, r = 0
Temperat pentru puterea specifică,
Densitatea 2
Material Topire q s  10 6 W/cm
(q)
(Tt) °C U  20 U  50 k U  100 k U  150 k
kW W W W

Alumini 600
2,7 2320 4700 2120 640
u 0

504
Titan 4,5 3500 3100 660 70
0
Otel 510
7,9 3050 3450 860 145
inox. 0

575
Cupru 8,9 2360 5650 5400 4800
0
684
Nichel 8,9 3000 6550 5700 3880
0
156
Wolfram 19,2 5300 15600 15600 14750
00

prin reglarea corespunzătoare a tensiunii de accelerare şi focalizării fasciculului.

Odată cu mărirea tensiunii de accelerare creşte adâncimea de penetrare a
electronilor, iar punctul de maxim al temperaturii coboară în interiorul

225
`
materialului prelucrat, făcând posibilă execuţia găurilor pe adâncimi mari, de
până la o sută de ori diametrul, imposibil de prelucrat prin alte metode, mai ales
pentru materiale de duritate ridicata.
La prelucrare, în funcţie de raportul dintre adâncimea de penetrare a
fasciculului de electroni în material - h şi grosimea materialului - g, se disting
trei situaţii :

- prelucrarea straturilor subţiri h  1 ;

g

- prelucrarea foliilor h  1 ;
g

- prelucrarea corpurilor masive h  1 .

g

În cazul prelucrării straturilor subţiri (de grosimi 0,01 - 1 μm) realizate prin
depuneri în vid pe suporturi ceramice, cristale sau sticlă, parametrii de lucru se
aleg în funcţie de rezistenţa termică a suportului, astfel tensiunea de accelerare a
electronilor este de 50 - 75 kV, iar densitatea de putere aproximativ 103 W/cm2
utilizându-se fascicule de electroni emise în continuu. Aceste prelucrări au largi
aplicaţii în microelectronică, la realizarea circuitelor integrate şi a unor
componente de mare precizie şi mici dimensiuni, industria aerospaţială, s.a.
Prelucrarea foliilor cuprinde operaţii de sudare, perforare, decupare, tăiere
profilată pentru materiale greu fuzibile (tantal, titan, superaliaje) utilizate în
aparatura de telecomunicaţii, microelectronică, tehnică nucleară ş.a. De
asemenea fasciculul de electroni se poate utiliza pentru execuţia reţelelor de
microgăuri cu diametre de 0,05-0,8 mm, în materiale dure, cu o productivitate
ridicată de până la 5.000 găuri/minut.
La sudarea cu fasciculul de electroni, datorită posibilităţii de concentrare,
comanda şi reglarea precisă a fasciculului există o posibilitate mai mare de
alegere a variantei de îmbinare (sudare cap la cap, prin suprapunere, în T,
circulară sau pentru elemente cu grosimi diferite), comparativ cu procedeele

226
`
clasice de sudare. Domeniile principale de aplicare ale sudurii cu fascicul de
electroni sunt: industria autovehiculelor, aeronautică (rotoare de turboreactoare,
structuri), tehnică nucleară (componente din aliaje de zirconiu, aliaje de
aluminiu, ş.a.), energetică, electronică şi micromecanică. Faptul ca prelucrarea
are loc aproape instantaneu şi zona influenţată termic este minimă, iar spaţiul de
lucru este vidat şi nu se exercită forţe de apăsare, sunt avantaje care măresc mult
domeniul de aplicare a prelucrării cu fascicul de electroni.
Datorită emisiei de radiaţii X, la prelucrarea cu fascicul de electroni se
impun măsuri deosebite de protecţie şi securitate pentru semnalul operativ.

9.8. Tehnologii de prelucrare cu plasma

9.8.1. Bazele fizice ale prelucrării

Plasma, considerată a patra stare de agregare a materiei, este un gaz sau un

amestec de gaze puternic ionizate (alcătuit din molecule, atomi neutri, electroni,
ioni şi fotoni) şi din punct de vedere electric, cvasineutru. Plasma se
caracterizează prin conductibilitate electrică mare, poate interacţiona cu
câmpurile electrice şi magnetice, fiind o sursă permanentă de radiaţii
electromagnetice cu spectru larg (infraroşu, vizibil şi ultraviolet).
Prelucrarea cu plasma face parte din grupa prelucrărilor termice şi are la
baza schimbarea locala a stării termice a materialului de prelucrat, produsă la
impactul cu jetul de plasma.

9.8.2. Instalaţii de producere a plasmei

Plasma, se obţine de obicei, în generatoare de plasmă (plasmatroane), prin

comprimarea radicală şi creşterea temperaturii, sub acţiunea unui jet de gaz, a

227
`
plasmei obţinută în coloana unui arc electric, care este obligată să treacă prin
orificiul unei duze cu pereţii puternic răciţi (fig. 9.35).

Fig. 9.35

Generatoarele de plasma pot funcţiona în doua variante:

- cu arc de plasma - AP, fig. 9.36, a (arc transferat, arcul arzând între
electrod - catod 1, şi piesa de prelucrat - anod 5, aceasta fiind varianta
cea mai des utilizată);
- cu jet de plasma - JP, fig. 9.36, b (arc suflat, când arcul arde între
electrod - catod 1, şi duza - anod 3, plasma fiind suflată sub forma de
jet 4, de presiunea gazului 2, această variantă utilizându-se la
amorsarea instalaţiei de prelucrat cu plasma).

Fig. 9.36

228
`
 Concentrarea puternică a energiei în zona axială a coloanei de plasmă
formate, este consecinţa următoarelor fenomene termice şi electromagnetice:
- răcirea puternică a periferiei arcului exercitată de peretele duzei
conduce la micşorarea gradului de ionizare a gazelor, cu reducerea
conductivităţii electrice în zona răcita şi mărirea densităţii de curent, în
centrul coloanei;
- creşterea forţelor electromagnetice exercitate asupra liniilor de curent,
ce sunt orientate spre centrul axei arcului, conduce la o concentrare
radială şi mai puternică.
Ca rezultat al celor două efecte interdependente se stabileşte starea de
echilibru, plasma ocupând partea centrală a orificiului duzei fiind izolată de
pereţii duzei de stratul tubular de gaz, mai rece, ce are rolul unui ecran termic şi
electric, asigurându-se astfel menţinerea temperaturii ridicate în zona centrală.
Concentrări şi mai puternice ale coloanei de plasma se pot obţine cu ajutorul
forţelor generate de câmpuri electromagnetice exterioare duzei de ieşire a
plasmei.
Temperatura plasmei (pentru utilizări tehnologice, între 6.000...30.000 K)
este determinată de gradul de ionizare şi recombinare, natura şi compoziţia
mediului gazos.
Gazul plasmogen (amestecul de gaze) se alege în funcţie de condiţiile
impuse privind funcţionarea stabilă a plasmatronului, prelucrarea executată şi
caracteristicile materialului piesei. Astfel condiţiile de amorsare a descărcării şi
durabilitatea sporită pentru duza impun utilizarea gazelor monoatomice, (argon,
heliu). Necesităţile tehnologice care solicită temperaturi ridicate în zona de
lucru, impun folosirea gazelor biatomice, mai ieftine (hidrogen, azot) care se
disociază în coloana arcului, recomandându-se în zona de prelucrare.
Cu plasma se poate prelucra orice material, procedeul utilizându-se în
special pentru operaţii de tăiere, strunjire exterioară şi filetare a materialelor
greu fuzibile.

229
`
 Schema de principiu a unei instalaţii de prelucrare cu plasma este
prezentată în fig. 9.37.

Fig 9.37

Generatorul de plasmă -7, poate lucra în sistemul cu jet de plasmă - sau cu

arc suflat (închis contactorul K1), utilizat de obicei la amorsarea funcţionării,
după care se deschide K1 şi se închide K2, cu arc de plasmă, varianta de
funcţionare de regim.
În prima variantă cuplarea se face prin sistemele de cuplare electrica 3 - 3'
cu oscilatorul de înaltă tensiune şi frecventă - 2 şi rezistenţa variabilă - 4.
Sistemul de alimentare cu gaz plasmogen - 5 este compus din butelii cu gaze la
presiune înaltă şi sisteme de reglare a presiunii şi realizare a amestecului în
proporţii riguros controlate.
Tăierea cu plasma este un procedeu care se poate aplica pentru orice
material. De obicei se încălzeşte materialul până la topirea unui strat limitat,

230
`
după care materialul topit este suflat din zona respectivă cu ajutorul jetului de
gaz.
Materialele metalice de grosime redusă se pot tăia atât cu jet de plasma cât
şi cu arc de plasma. Pentru grosimi ale materialului peste 8 mm se utilizează de
obicei arcul de plasmă, care poate realiza o densitate de energie mult mai
ridicată în zona de lucru.
Stabilirea regimului optim de tăiere cu plasmă implică realizarea corelării
parametrilor plasmei (tensiunea, intensitatea curentului, tipul şi debitul gazului
plasmogen) şi a vitezei de tăiere cu materialul piesei şi caracteristicile
prelucrării.
Viteza de taiere - vt se poate determina în funcţie de parametrii electrici şi
caracteristicile termofizice ale materialului tăiat, cu relaţia:
 U a  I
vt 
A  c    Tt

unde: Ua este tensiunea arcului (20 - 35 V), I - intensitatea curentului (200 A), A
- secţiunea transversală a tăieturii (m2), c - căldura specifică (J/kg grad),  -
masa specifică (kg m3), Tt - temperatura de topire (grade),  - randamentul total
al operaţiei de tăiere definit cu raportul dintre energia utilizată pentru topirea
materialului îndepărtat din tăietura şi energia introdusă în arcul de plasmă.
Acest procedeu se foloseşte la tăierea oţelurilor inoxidabile (grosime
maximă 100mm), a aluminiului aliajelor lor. La tăierea oţelurilor carbon se
poate utiliza în locul gazului inert, oxigen sau aer, creându-se astfel condiţii
pentru declanşarea unor reacţii exoterme ce au ca efect mărirea cantităţii de
căldura din zona de lucru. Se pot tăia cu plasma piese din oţel carbon cu grosimi
maxime de 50-60 mm. Cu jet de plasma se pot tăia şi materiale nemetalice
(sticla, materiale dielectrice, ş.a.)
Tăierea se poate face în regim normal sau automat cu viteze de tăiere de
0,009.....0,25 m/s, cu precizie de  1,5 mm şi zona influenţată termic adiacenta
tăieturii de aproximativ 1mm. Plasma se utilizează şi pentru operaţii de sudare,

231
`
topire a unor materiale greu fuzibile, depunerea prin pulverizare a aluminiului,
cuprului, zirconiului, beriliului şi platinei pe anumite suprafeţe ale unor piese
precum şi ca sursa termică în generatoarele termoionice, magnetohidrodinamice
ş.a. [20].
Se impun măsuri de protecţie speciale pentru operatorii care lucrează pe
aceste instalaţii.

9.9. Tehnologii de prelucrare cu ultrasunete

9.9.1. Particularităţi, subansambluri specifice acestor instalaţii

Utilizarea energiei ultrasonore în domeniul prelucrărilor specifice
mecatronicii, se datorează proprietăţilor deosebite ale undelor ultrasonice (cu
frecvenţa mai mare 19 kHz), lungime de undă mică, acceleraţii foarte mari (de
105 ori mai mari decât acceleraţia gravitaţională) ale particulelor aflate în câmp
ultrasonor, posibilităţii de concentrare şi focalizare a energiei acustice într-un
spaţiu limitat şi nu în ultimul rând dificultăţilor de prelucrare prin procedee
clasice a unor materiale, foarte dure, dar casante-sfărâmicioase.
La propagarea ultrasunetelor în medii solide şi lichide se produc o serie de
fenomene, care stau la baza aplicaţiilor tehnologice ale ultrasunetelor şi anume :
 Efectul de „înmuiere acustică”, care se manifestă prin reducerea tensiunii
statice necesare deformării plastice a metalelor, coborând mult limita de
curgere a acestor materiale;
 Efectul termic, se manifesta prin încălzirea în anumite zone - la limita de
separaţie a cristalelor - a unor materiale solide;
 Fenomenul de cavitaţie acustica se manifestă în lichide şi se datorează
undelor de presiune şi de depresie, care produc „ruperea” lichidului, în
care se propagă, acolo unde forţele de coeziune dintre moleculele sunt
mai mici având ca efect apariţia bulelor de cavitaţie ultrasonoră;

232
`
  Efectul de „durificare acustică”, constă în creşterea tensiunii statice
exterioare necesare deformării plastice cât şi în producerea unor
modificări structurale odată cu întreruperea acţiunii câmpului ultrasonor
asupra materialului afectat;
 Efectul de reducere a frecării de contact, apare în planul de separaţie
dintre scula şi piesa şi este rezultatul aplatizării microasperităţilor şi
scoaterii lubrefiantului existent în microfisurile celor doua suprafeţe.
Domeniile de utilizare a energiei ultrasonice în scopuri tehnologice sunt
foarte largi, realizându-se operaţii de găurire (perforare) - tăiere, sudare, curăţire
în băi de lichid în regim ultrasonor, îmbunătăţirea unor procedee clasice de
prelucrare ca: strunjire, alezare, laminare, stanţare şi ambutisare, turnare,
activarea sau amorsarea unor reacţii chimice, control nedistructiv cât şi multe
aplicaţii în medicină.
Instalaţiile de prelucrare cu ultrasunete (fig. 9.38) au în compunere o serie
de subansambluri specifice şi anume:

Fig. 9.38

Generatorul de frecvenţă ultrasonică (G) are rolul de a transforma curentul

alternativ (50 Hz) în curent de înaltă frecvenţa 19 - 40 kHz. În mod obişnuit
acestea au o putere de ieşire de 0,1 - 40 kW, dar se poate ajunge şi la valori de
10 kW.

233
`
 Transductorul (transformatorul electroacustic T) realizează transformarea
curentului electric de înaltă frecvenţă în energie mecanică oscilatoare cu
frecvenţă de 19 - 40 kHz şi amplitudinea vibraţiilor de 5 - 10 μm.
Pentru uz tehnologic sunt utilizate transductoare magnetostrictive
piezoelectrice şi mai recent din ferite.
Construcţia transductoarelor magnetostrictive se bazează pe proprietatea
unor materiale feromagnetice, ca fierul şi nichelul de a-si modifica dimensiunile
sub acţiunea unui câmp magnetic. Acest fenomen este însoţit de o degajare de
căldură, care afectează negativ procesul şi frecvenţa de rezonanţa, motiv pentru
care se iau măsuri speciale de răcire. Se folosesc ca materiale magnetostrictive
nichel (Ni 100%), permendur (Co 49% + Fe 49% + Va 2%), alfer (Al 14% + Fe
86%), invar (Ni 36% + Fe 64%), permalloy (Ni 40% + Fe 60%), supermalloy
(Ni 66%+ Fe 34%) şi feritele (F 38, F 41, F 42,F 21), care reprezintă combinaţii
între oxidul unui metal oarecare şi oxidul de fier.
Transductoarele magnetostrictive se realizează prin presare şi sintetizarea
pulberilor sub forma de bare (tuburi) (rar utilizate) sau din plăci plane (tole)
asamblate în pachete şi izolate între ele (fig. 9.39).

Fig. 9.39.

Funcţionarea transductoarelor piezoelectrice se bazează pe proprietatea

unor cristale (naturale sau artificiale) de cuarţ, titanat de bariu, zirconat de
plumb, tartratul de sodiu şi potasiu (sarea Rochelle), ş.a., de a-şi modifica
dimensiunile sub acţiunea unor câmpuri electrice. Transductoarele piezoelectrice
se realizează în construcţii tip sandwich (fig. 9.40, a), elementul piezoelectric (1)

234
`
fiind placat cu două piese marginale din materiale cu densităţi şi constante
elastice diferite, una constituind placa de radiaţie (2) şi cealaltă placa de reflexie
(3). În vederea măririi amplitudinii vibraţiilor se pot utiliza (fig. 9.40, b) şi două
elemente piezoelectrice (1) despărţite de o placa nodala (4). Asamblarea
acestora se face prin lipire, sudare sau cu şuruburi.

Fig. 9.40

Concentratorul ultrasonic (C) (fig.9.41) transmite energia ultrasonica (fig.

9.28, b) de la transductor (T) la scula (S) realizând în acelaşi timp concentrarea
şi focalizarea energiei ultrasonice în zona de lucru şi mărirea amplitudinii
vibraţiilor de la 5...10 μm până la 25...120 μm crescând astfel şi randamentul
prelucrării.
Concentratorul ultrasonic ca element de legătura între transductor şi scula
are şi rolul de a asigura un acord de impedanţa acustică între transductor şi
sarcina din spaţiul de lucru.
Opţiunea pentru o anumită formă a concentratorului trebuie să realizeze un
compromis între creşterea amplitudinii de oscilaţie şi evitarea valorii tensiunii
mecanice maxime variabile care poate provoca ruperea prin oboseală.
Cele mai uzuale forme de concentratoare sunt:
- cilindric în trepte (fig. 9.41, a) cu legea de variaţie a profilului
 l
 D0 , pentru 0  x 
Dx   2
l
 d , pentru  x  l
 2
235
`
 2
D 
şi cu un coeficient teoretic de amplificare a amplitudinii K A   0   N 2 ;
 d 
- conică (fig. 9.41, b) cu legea de variatie
D x  D0 1  x  , unde
D0  d
d şi K A  N ;
D0  l
- exponenţială (fig. 9.41,
c) cu Dx  D0  e  x şi
KA  N ;
- catenoidală (fig.9.41, d)
cu Dx  d  ch L  x  şi
KA  N ;
- în serie Fourier (fig.
9.41, e)
- combinată (fig.9.41, f)
- în trepte (fig.9.41, g)
- cu secţiune transversală
dreptunghiulară variabilă
axial după o lege
exponenţială (fig. 9.41
h);
- cu suprafaţă exterioară Fig. 9.41
cilindrică şi cea
interioară variabilă axial după
o lege exponenţială (fig. 9.41,
i).
Din punct de vedere constructiv se impune ca lungimea concentratorului să
fie egală cu un număr întreg de jumătăţi de lungime de undă ale vibraţiilor

236
`
produse de transductor. Deoarece acest calcul este aproximativ (neluând în
considerare zona de fixare a concentratorului în vibrator, cât şi natura
contactului dintre acestea), dimensiunile exacte ale concentratorului se stabilesc
în practică pe cale experimentală, punând condiţia ca aceasta să lucreze în regim
de rezonanţă.
Materialele utilizate pentru construcţia concentratoarelor sunt oţelurile
rezistente la oboseală OLC 45, OSC 8, ş.a.
Asamblarea concentratorului cu transductorul se face prin lipire sau prin
înşurubare (filet cu pas fin).

9.9.2. Tehnologii pentru găurire şi tăiere cu ultrasunete

Prelucrarea dimensională cu ultrasunete se bazează pe prelevarea de

material din piesa supusă prelucrării prin intermediul unor particule abrazive
activate - accelerate ultrasonic. Se pot astfel prelucra materiale dure, dar fragile,
casante, care nu suferă deformaţii plastice înainte de rupere: materiale ceramice,
sticlă, diamant, cuarţ, siliciu, germaniu, ferite, carburi metalice, bioxid de
uraniu, oteluri călite şi aliaje de titan.
Există două metode de prelucrare în funcţie de tipul sculei utilizate: scula
abrazivă sau sculă metalică cu abrazivi în suspensie, într-un lichid de lucru.
În primul caz, acţiunea abrazivă este realizată de o sculă impregnată cu
pulbere de diamant şi activată ultrasonic la frecvenţe de 20 - 30 kHz de un
transductor prin intermediul concentratorului. Amplitudinea vibraţiilor are valori
mici de 15 μm pentru a proteja scula împotriva şocurilor mecanice. Scula
abrazivă apasă asupra piesei de prelucrat cu o presiune de 200 - 300 N/cm2,
efectul de abraziune mecanică fiind realizat prin micşorarea relativă dintre sculă
şi piesă (de rotaţie sau translaţie în funcţie de forma profilului prelucrat).
Îndepărtarea materialului erodat şi răcirea lui se face prin intermediul lichidului
de răcire - spălare, adus în zona de lucru prin intermediul unui ajutaj. Datorită

237
`
dificultăţilor de realizare şi menţinere a profilului sculei, aceasta metodă este
mai puţin utilizată.
A doua metodă (fig. 9.42)
utilizează o sculă metalică (1) care
activează ultrasonic particulele
Fig. 9.42
abrazive aflate în suspensie în lichidul
de lucru (2) în spaţiul dintre suprafaţa
piesei de prelucrat (3) şi suprafaţa
activă a sculei.
Scula activată ultrasonic la o frecvenţă de 19-30 kHz şi o amplitudine de
până la 120 μm realizează o forţă de presiune de 4-45 N/cm2 asupra piesei.
Scula nu are mişcare de rotaţie, motiv pentru care profilul ei coincide cu
secţiunea cavităţii pe care o execută. Astfel perforarea (găurirea) nu este
limitată numai la găuri circulare, putând fi practicate orificii având secţiuni de
orice formă, oricât de complexe.
Se utilizează ca particule
abrazive carbura de siliciu
(SiC), carbura de bor (B4C) şi
pulbere de diamant, aflate în
suspensie în apă (sau ulei) sau
cu concentraţii în greutate de
aproximativ 50%. Fig. 9.43

Aducerea suspensiei
abrazive în zona de lucru se realizează prin stropire (fig. 9.43, a), prin injecţie
prin interiorul concentratorului şi a sculei (fig.9.43, b) sau prin aspiraţie prin
interiorul concentratorului şi a sculei (fig. 9.43, c).
Cercetările teoretice şi experimentale au pus în evidenţă că erodarea
materialului piesei se datorează unui complex de fenomene care au loc în spaţiul
dintre scula şi piesa şi anume:

238
`
 - granulele abrazive aflate în soluţie vor fi accelerate foarte puternic
(aprox. 105 g) de către scula ce vibrează în regim ultrasonor;
- granulele abrazive lovesc suprafaţa piesei (din dreptul sculei) cu o
forţă de impact ce depăşeşte de câteva mii de ori propria lor greutate,
producând măcinarea şi amorsarea unor fisuri în materialul prelucrat;
- bulele de cavitaţie ultrasonoră, apărute în lichidul de lucru, deci şi în
aceste fisuri ca urmare a fenomenului de cavitaţie ultrasonică au
tendinţa de dezvoltare până în momentul imploziei lor, care conduce la
erodarea materialului de prelucrat şi în bucăţi - particule mai mari;
- undele de presiune şi depresiune care apar în lichid „mătură” suprafaţa
piesei, eliminând prin intermediul lichidului de lucru fragmentele mai
mari deprinse din materialul piesei de prelucrat;
- lichidul de lucru, prin natura sa, realizează şi o coroziune chimică ce
concură la erodarea materialului de prelucrat.
Deşi, efectele cavitaţiei ultrasonice şi a coroziunii chimice nu sunt de
neglijat, în principal prelucrarea se datorează ciocnirii particulelor abrazive de
suprafaţa piesei cu o energie cinetică primită de la sculă, ciocniri în urma cărora
se produce măcinarea şi fisurarea materialului piesei. Din acest motiv
materialele moi, care comportă deformaţii plastice mari înainte de rupere cum
sunt: oţelurile moi, cuprul, aluminiul, ş.a., nu pot fi prelucrate, deoarece
granulele abrazive din suspensia utilizată se înfig cu uşurinţă în aceste materiale
neproducând fisurări şi dislocaţii de material.
Volumul de material prelevat în unitatea de timp este dependent de o serie
de factori, putându-se exprima analitic ca o funcţie:
 1 1 1 
Vu  F  k1 , k 2 , k3 , f , A, P, d p ,  p , , ,
 H  S 
 p m

unde: k1 - factor de corecţie dependent de concentraţia abrazivului în suspensie;

k2 - factor de corecţie ce ţine seama de fenomenele de cavitaţie acustică şi

239
`
coroziune chimică; k3 - factor de corecţie dependent de vâscozitatea lichidului
suport al abrazivului (în general ulei sau apa), f - frecvenţa oscilaţiilor, A -
amplitudinea vibraţiilor, P - presiunea de contact scula-piesa; d p - diametrul

Fig. 9.44

particulei abrazive considerată de formă sferică;  - greutatea specifică a

granulei abrazive, H p - duritatea particulei abrazive,  m - rezistenţa medie la

deformare a materialului piesei şi S - aria secţiunii găurii.

Schema constructivă de principiu a unei instalaţii pentru realizarea găurilor
de mici dimensiuni cu scule metalice activate ultrasonic este prezentata în fig.
9.44, în care: (1) este batiul; (2) şi (3) sanie longitudinală, respectiv transversală
pentru poziţionarea corespunzătoare a piesei (4) în raport cu axa sculei (5) care
lucrează în regim ultrasonic în interiorul cuvei de lucru (6) cu abraziv în

240
`
suspensie (7). Scula (5) primeşte energia ultrasonică de la transductorul
magnetorestrictiv (8), pe care se găseşte înfăşurarea (9), prin intermediul
concentratorului (11). Transductorul (18) de tip magnetorestrictiv împreuna cu
înfăşurarea (9) care este alimentat în curent de înaltă frecvenţă de generatorul
ultrasonic (12), se fixează prin concentratorul (11) şi izolaţia acustică (13) în
interiorul carcasei (14), care are un sistem de răcire cu apa (15). Poziţionarea
capului de lucru pe verticală, funcţie de înălţimea piesei se face cu sistemul (16),
iar realizarea avansului şi presiuni de contact scula-piesa prin sistemul (17).
Pompa (18) trimite suspensia abrazivă (7), prin circuitul de transfer (19), din
rezervorul (20) în zona de lucru (21) printr-un agitator pentru uniformizarea
suspensiei abrazive. Instalaţia este coordonată de un bloc de comandă şi control
(22) care asigura funcţionarea şi presiunea de contact (17), răcirea
transductorului prin sistemul (15), poziţionarea corespunzătoare a piesei prin
săniile (2) şi (3) şi circulaţia abrazivului în suspensie prin pompa (18) la o
anumită concentraţie menţinută de agitatorul (21).
Prinderea blocului ultrasonic se face prin intermediul concentratorului (11)
căruia îi corespunde la nivelul asamblării cu transductorul pe diagrama de
variaţie a oscilaţiilor ultrasonice (fig.9.44) un punct nodal.
În timpul procesului de prelucrare scula suferă o uzură puternică, motiv
pentru care se execută totdeauna ca o piesă separată asamblarea cu
concentratorul făcându-se prin lipire sau înşurubare într-un punct de maxim
(ventru) al oscilaţiilor ultrasonore (fig.9.44). Întrucât prelucrarea nu este afectată
de forma cavităţii realizate se utilizează o gamă variată de scule (fig. 9.45, a -
pentru găurire, b - pentru tăiere, c - pentru profilare, d - pentru gravare).

Fig. 9.45

241
`
 Sculele se execută din materiale metalice cu duritate mai mică decât a
pieselor de prelucrat, de obicei din oţeluri carbon sau inoxidabile, cupru şi
aliajele sale ş.a.

9.9.3. Tehnologii pentru sudare cu ultrasunete

Se pot suda cu ajutorul ultrasunetelor diferite materiale ca: aluminiu şi

aliajele sale, aur, argint, platina (sub forma de folii cu grosime de până la 4 μm
sau fire cu diametre de până la 60 μm nichel, sticlă metalizată, materiale
ceramice, oţeluri speciale, materiale plastice ş.a. Îmbinarea se face fără material
de adaos şi la temperaturi mai mici decât cele de topire ale materialului sudat,
fapt ce exclude posibilitatea apariţiei zonelor influenţate termic (fapt evidenţiat
şi de cercetările metalografice).[2,9,10]
Realizarea sudării cu ultrasunete este un proces complex, care are la baza
acţiunea cumulată a forţei de presare a elementelor de sudat şi a vibraţiilor
ultrasonore care se propagă în materialele de sudat. Ca urmare a oscilaţiilor
ultrasonice, la care sunt supuse materialele ce urmează a se suda, se produc o
serie de fenomene: „înmuiere acustică”, efectul termic (resimţit la nivelul
planului de separaţie al cristalelor şi în zona ventrelor) şi creşterea energiei
interne care conduce la distrugerea şi îndepărtarea peliculei de oxid (în cazul
aluminiului şi al unor aliaje ale acestuia se formează instantaneu la contactul cu
aerul şi are grosimea de câţiva microni împiedicând sudarea în condiţii
obişnuite). Datorita intensificării fenomenelor de difuzare şi absorbţie se
realizează o curgere plastică la rece a materialelor în zona de contact, şi prin
creşterea forţelor de coeziune intermoleculară la nivelul suprafeţelor celor două
piese se creează condiţii prielnice unei îmbinări compacte, stabile şi rezistente.
În funcţie de natura materialelor îmbinate se construiesc instalaţii pentru
sudarea materialelor metalice şi instalaţii pentru sudarea materialelor plastice,
realizate în variante fixe sau portabile (pistol).

242
`
 Schema de principiu a unei instalaţii
pentru sudarea materialelor metalice (fig.
9.46) are în componenţa sa un transductor
magnetorestrictiv (1) cu o înfăşurare (2)
prin care circulă un curent de înaltă
frecvenţă (furnizat de un generator
electronic) şi un sistem de răcire cu apă
Fig. 9.46
(3) a carcasei (4) în care este montat.
Vibraţiile cu o frecvenţă de ordinul 20...45 kHz sunt concentrate şi amplificate
de concentratorul (5) care le transmite sculei (6) sub forma de vârf sau disc.
Cele două piese (7) şi (8) de sudat sunt presate cu o forţă de 15...1000 N, între
scula (6) care vibrează în regim ultrasonic cu o amplitudine de 20...120 μm şi
masa maşinii (10). Pentru realizarea presiunii de contact se utilizează sisteme
(9) cu pârghii, pneumatice sau hidraulice. [2,9,10]
Se observă că la sudarea foliilor sau firelor metalice, direcţia deplasărilor
create de vibraţiile ultrasonice este paralelă cu suprafaţa pieselor de sudat şi
normală pe direcţia de aplicare a forţei de apăsare P.
Forma capului de sudură este condiţionată de tipul asamblării sudate, astfel
la sudarea în puncte scula este un ştift, iar pentru sudură în cusătură continuă se
utilizează doua role ce se rotesc (una este scula iar cealaltă este masa-suport).
Parametrii care influenţează procesul de sudare sunt: frecvenţa
ultrasunetelor, amplitudinea oscilaţiilor, forţa de apăsare, durata de aplicare a
ultrasunetelor, grosimea materialelor ce se sudează şi caracteristicile fizico-
mecanice ale acestora.
Sudarea cu ultrasunete se utilizează cu succes la realizarea componentelor
electronice semiconductoare, condensatoarelor, circuitelor integrate, releelor,
bimetalelor cât şi la încapsularea unor recipiente care conţin materiale
explozive, reactivi chimici inflamabili, s.a.

243
`
 În cazul instalaţiilor pentru sudarea
materialelor plastice (fig. 9.47) direcţia
deplasărilor create de vibraţiile ultrasonice este
normală pe suprafaţa pieselor (1) şi (2) de
sudat şi paralelă cu direcţia de aplicare a forţei
de apăsare P. Nu există o scula propriu-zisă,
capul concentratorului (3) se profilează în mod
adecvat (fig. 9.48) pentru crearea în filmul de
material plastic topit a unui profil care să
mărească rezistenţa îmbinării realizate. Fig. 9.47

Fig. 9.48

Sudarea ultrasonică a materialelor plastice se produce, în linii mari, în două

etape. Într-o primă etapă, în urma deplasărilor relative cu frecventa mare (18...40
kHz) a uneia dintre suprafeţele piesei în raport cu cealaltă, apar fenomene de
frecare şi implicit se dezvoltă căldură în zona de contact, care conduce la topirea
unui strat superficial de material. În a doua etapă sub efectul forţei de presiune
P, între cele două suprafeţe în contact, ajunse în stare plastică, apar legaturi
moleculare, care conduc implicit la obţinerea unor îmbinări rezistente.
Prin acest procedeu se pot realiza îmbinări de folii şi fire din materiale
termoplastice ca: polistiren, polipropilenă, polietilenă, policlorura de vinil,
policarbonat, nailon, acrilat, acetat ş.a.

244
`
 Pe astfel de instalaţii se pot
realiza şi nituiri ale materialelor
plastice cu ultrasunete (fig.
9.49). Energia ultrasonica
realizează plastifierea piesei (1)
în zona de acţiune a capului
concentratorului (2), profilat
sub forma capului de nit ce
trebuie obţinut. Practic se pot
Fig. 9.49
nitui astfel toate materialele
plastice ca: policarbonatul,
poliacetatul, polietena. s.a.

9.9.4. Tehnologii pentru curăţare în bai cu lichid în câmp ultrasonor

Curăţarea cu ultrasunete oferă posibilităţi largi de aplicare pentru piese de

mici dimensiuni şi complexitate ridicata, din industria de mecanică fină (arcuri,
membrane, lagăre, roti dinţate, duze), optică (lentile, prisme, monturi),
microelectronica (tranzistoare, circuite integrate), electronică (circuite
imprimate, potenţiometre, relee, contractoare), ş.a., procedeul prezentând o serie
de avantaje tehnico-economice: nu conduce la apariţia microfisurilor de
suprafaţă, productivitatea este mai mare decât la orice alt procedeu clasic de
curăţire, durata operaţiei este foarte redusă (nu depăşeşte de regula 1 minut),
costurile de fabricaţie sunt mici (mai ales în condiţiile unor loturi mari), este
posibilă şi curăţirea cavităţilor greu accesibile, desfundarea unor microorificii,
duze.
Din punct de vedere al naturii reziduurilor care se pot îndepărta, curăţirea
cu ultrasunete se utilizează pentru:

245
`
 - îndepărtarea diferitelor impurităţi mecanice, pulberi, microaşchii,
resturi de arsuri, fluxuri, etc., rezultate în urma proceselor anterioare
de prelucrare mecanică sau termică;
- îndepărtarea grăsimilor, uleiurilor, pastelor de şlefuire şi polisare ş.a.;
- îndepărtarea produselor de coroziune (oxizi, rugină etc.);
- îndepărtarea straturilor de protecţie, vaselina, emailuri, vopsele etc.;
- curăţirea şi desfundarea orificiilor şi canalelor greu accesibile şi de
foarte mici dimensiuni (sub 1mm).
Curăţirea ultrasonoră este un proces complex, care se bazează pe
fenomenele care apar la propagarea ultrasunetelor în medii lichide (cavitaţia
ultrasonoră, undele de presiune şi depresiune) pe acţiunea chimică a lichidului
de lucru (care este activ chimic pentru impurităţile care trebuie îndepărtate) şi pe
acţiunea mecanică a lichidului din baie care începe sa se agite. Etapele succesive
ale acestui proces sunt următoarele:
a. Într-o primă etapă, în lichidul din baie, în care se propagă energia
ultrasonică, apar bule de cavitaţie ultrasonoră ca urmare a schimbărilor de
presiune şi a „ruperii” lichidului în anumite locuri, atunci când presiunea
acustică are valori negative şi anulează forţa de coeziune dintre particulele
lichidului;
b. În continuare (fig. 9.50, a.), bulele de cavitaţie (1) pătrund în porii
materialului aderent (2), ce trebuie îndepărtat, şi în spatiile dintre acesta şi
suprafaţa piesei (3);

Fig. 9.50

246
`
 c. Ca urmare a dezvoltării şi imploziei bulelor de cavitaţie (fig.9.50, b), iau
naştere forţe mai mari decât cele de adeziune dintre stratul aderent - impurităţi şi
suprafaţa piesei, producând smulgerea succesivă de particule din acest strat
(fig.9.50, c) de impurităţi ;
d. Undele de presiune şi depresiune din lichidul de lucru „mătură”
suprafaţa piesei, înlăturând astfel particulele smulse din stratul aderent;
e. Sub aspectul acţiunii chimice a lichidului de lucru activ chimic, se
realizează spălarea finală a suprafeţei piesei.
Se utilizează ca lichide de lucru în funcţie de natura materialului aderent:
soluţii apoase de detergenţi, alcool, benzen, clormetilen, tricloretilen, acetona,
acid fosforic, pulbere de sodă calcinată în apă ş.a.
Parametrii care condiţionează gardul de erodare - curăţare sunt: frecvenţa
ultrasunetelor şi durata lor de aplicare, natura,
temperatura şi agresivitatea lichidului de
lucru; intensitatea undelor de şoc formate;
forma, dimensiunile şi modul de dispunere a
pieselor în baie de lucru.
Instalaţiile de curăţare ultrasonică (fig.
9.51) sunt alcătuite în principiu, din
următoarele elemente: 1 - carcasa instalaţiei;
Fig. 9.51
2 - cuva de spălare; 3 - serpentina de răcire -
încălzire a lichidului de spălare - 4; 5 - concentrator ce primeşte energia
ultrasonică de la transductorul ultrasonic - 6; 7 - piese.
Concentratoarele utilizate la aceste tipuri de instalaţii se montează în
general în afara cuvei de spălare (fig.9.52 a, b), vibraţiile ultrasonice fiind
transmise lichidului în partea inferioară a cuvei.

247
`
 Fig. 9.52

În varianta cu doua concentratoare ultrasonore (fig.9.52, b) se pune

problema de echilibrare şi reglare a acestora pentru a lucra în acelaşi regim de
frecvenţe.
Se pot utiliza şi concentratoare imersibile (fig.9.52, c, d), când aceştea sunt
scufundaţe în cuvă, vibraţiile fiind transmise direct lichidului de lucru. Pe astfel
de instalaţii se pot realiza şi debavurări ale pieselor de mare precizie. Procesul se
bazează pe fenomenul de cavitaţie creat într-un nămol acid, special preparat în
funcţie de materialul pieselor, tipul bravurii, precizia dimensională şi calitatea
suprafeţelor pieselor. Rezultă un finisaj uniform, procedeul este uşor de aplicat
şi reduce mult cheltuielile de prelucrare.
9.9.5. Alte procedee de prelucrare cu ultrasunete
Energia ultrasonică este utilizată şi în procedee convenţionale de prelucrare
prin aşchiere: strunjire, alezare, filetare, broşare, rectificare, honuire, lepuire,
ş.a., în vederea reducerii forţelor de aşchiere (de 0,5.....2,5 ori) şi a momentelor
de torsiune (de circa 4 ori) cu consecinţe directe asupra durabilităţii sculelor
(creşte de până la 6 ori) şi a rugozităţii suprafeţelor prelucrate (scade până la
Ra=0,2 μm la rectificare în câmp ultrasonor). Aceste avantaje se datorează
efectelor create de ultrasunete la propagarea lor în piesa sau (şi) sculă: înmuierea
acustică, reducerea frecării de contact şi îmbunătăţirea condiţiilor de răcire -
ungere.

248
`
 Operaţiile de prelucrare în câmp ultrasonic se pot executa atât pe instalaţii
specializate, prevăzute prin construcţie cu toate echipamentele specifice
instalaţiilor de prelucrare ultrasonică, cât şi pe maşini universale pe care sunt
adaptate aceste echipamente. În acest caz, sistemele specifice trebuie astfel
construite încât să permită montarea şi demontarea uşoară, fără modificări
esenţiale în construcţia maşinilor - unelte clasice, precum şi o schimbare rapidă
a concentratorului - scula şi reglarea uşoară a parametrilor de lucru. Vibraţiile
ultrasonice pot fi aduse în zona de prelucrare, fie prin piesă, (cu ajutorul unei
păpuşi mobile ultrasonice), fie prin sculă (cu un dispozitiv port-cuţit ultrasonic).
Utilizarea energiei ultrasonice în cazul laminarii (de regula transmisă prin
cilindrii laminorului) reduce presiunea de laminare necesară (cu 60-65%) şi care
duce la creşterea calităţii produselor finite, permiţând astfel obţinerea benzilor şi
ţevilor cu pereţi foarte subţiri din materiale greu deformabile (titan, niobiu,
aliaje cupru-beriliu, etc.). Oscilaţiile ultrasonice au de regulă frecvenţe de 18-
25kHz şi amplitudini de 6.....120 μm.
În cazul ştanţării şi ambutisării, utilizarea energiei ultrasonice are drept
efect reducerea forţelor statice de deformare cu consecinţe directe asupra puterii
utilajului şi a consumului energetic, eliminând necesitatea încălzirii matriţelor.
Totodată prin reducerea frecărilor se diminuează considerabil posibilitatea de
apariţie a defectelor (ruperi, încreţituri de material, zgârieturi, bavuri etc.).

Fig. 9.53

249
`
 La stanţarea asistată ultrasonic, introducerea vibraţiilor se poate face prin
poanson (fig.9.53, a), prin placa de tăiere (fig. 9.53, b) sau combinat (fig. 9.53,
c), 1 -reprezentând poansonul; 2 - placa de tăiere; 3 - piesa. Se pot astfel stanţa
materiale stratificate nemetalice ca: textolitul, sticlotextolitul, pertinaxul, ş.a.
Utilizarea ultrasunetelor în cadrul procedeelor de deformare plastică
permite prelucrarea, atât a unor materiale care altfel nu s-ar putea prelucra (plăci
de fontă), cât şi prelucrarea prin aceste procedee a unor materiale care nu mai
necesită încălzirea lor prealabilă (aliaje de titan, oteluri inoxidabile). Deformarea
în câmp ultrasonic permite obţinerea semifabricatelor cu pereţi subţiri cu
răsfrângeri, bordurări, gâtuiri şi îndoiri.

9.10. Tehnologii de prelucrare prin eroziune chimică

9.10.1. Bazele fizico-chimice ale prelucrării

Prelucrarea prin eroziune chimică se bazează pe fenomenul rezultat în urma

reacţiei dintre materialul piesei şi unele substanţe chimic active, corespunzător
alese.
Procedeul se poate aplica pentru orice metal în afara de: titan, wolfram,
molibden, niobiu, aur şi argint.
Realizarea eroziunii chimice se bazează pe teoria instabilităţii
termodinamice a metalelor şi aliajelor, conform căreia condiţia necesară şi
suficientă pentru ca metalul să fie corodat în anumite condiţii date este să se
realizeze concomitent cu reacţia de ionizare (de electronare) a metalului şi o
reacţie de reducere (electronare) a unui alt acceptor de electroni, în afara de
ionul metalului prelucrat.
Acţiunea corosiv-erozivă a substanţelor chimic active (care pot fi lichide
sau gazoase) se utilizează pentru operaţii de prelucrare dimensională la suprafaţa
sau în profunzime ca: decupare-stanţare chimică a pieselor din table subţiri,

250
`
frezare chimică pentru realizarea configuraţiilor complexe sau pentru operaţii de
gravare chimică.

9.10.2. Tehnologii de prelucrare

Instalaţiile de prelucrat prin eroziune chimică pot fi de laborator pentru

serii mici de piese sau unicate şi instalaţii (linii de prelucrare) de tip industrial,
specializate în funcţie de operaţiile de prelucrare pe care le poate executa şi
configuraţia pieselor prelucrate.
Se utilizează pentru obţinerea pieselor de configuraţie geometrică
complexă din folii metalice cu grosime maxima de 3 mm, realizându-se o
precizie de formă geometrică şi dimensională ridicată. În esenţă procedeul
constă în depunerea unor măşti protectoare care să permită erodarea selectivă,
numai a metalului situat în afara zonei de protecţie.
Procesul tehnologic la decuparea chimică cuprinde următoarele operaţii:
a. Pregătirea suprafeţei de prelucrat, care implică realizarea preciziei
dimensionale, de forma geometrică şi o calitate a suprafeţei, superioară
rugozităţii R=0,2...0,4 μm. Ca operaţii finale se execută lustruiri (cu perii de
sârma sau cu materiale abrazive), decapări cu soluţii acide slabe şi degresări cu
solvenţi organici (tricloretilena, tetracloretilenă, tetraclorură de carbon, la
50...80oC), după care este necesară o spălare intensivă cu apă. Se apreciază ca
dacă după imersare în apă rămâne un film continuu de lichid pe suprafaţa piesei,
aceasta este aptă pentru operaţia următoare de prelucrare.
b. Realizarea protecţiei în vederea atacului chimic selectiv. Această
operaţie se face diferenţiat în funcţie de precizia impusă şi numărul pieselor
prelucrate, prin procedee de depunere a unui strat fotosensibil. Acest strat
fotosensibil (fotorezistul) este sensibil la radiaţii cu o anumită compoziţie
spectrală (de obicei ultraviolete, (   300 - 500 nm), determinând modificări ale
proprietăţilor fizico-chimice în urma expunerii. Fotorezistul poate fi negativ sau

251
`
 pozitiv, fig. 9.54. Lacul fotorezistent se aplică pe semifabricatele încălzite, prin:
imersare, picurare sau pulverizare. Uniformizarea grosimii stratului de lac se

Fig. 9.54

face prin centrifugare (la turaţii de 7.000-10.000 rot/min), stratul depus având
grosimi de 0,5-15 μm. Urmează operaţia de uscare în cuptor (100-1500C) a
stratului depus şi apoi retuşarea dacă apar pori sau alte defecte.
Ca materiale fotosensibile se utilizează fotopolimeri, poliesteri, poliamide,
răşini epoxidice, ş.a.
Fotorezistul mai poate fi depus şi prin rulare (aşa-numitele lacuri solide),
dar calitatea depunerii este modestă. După depunerea stratului fotosensibil are
loc expunerea acestuia la acţiunea razelor ultraviolete, prin contact direct
(aşezând fotoşablonul - clişeu peste strat) sau prin proiectarea imaginii de pe
fotoşablon pe stratul fotorezistent.
Realizarea fotoşablonului este precedată de proiectarea desenului original
care trebuie să ţină cont de eroarea de erodare. Desenul original mărit faţă de
dimensiunea nominală a piesei de 10 până la 100 ori se realizează pe un suport

252
`
special (folie de polietilenă sau sticlă acoperită cu un lac opac) cu ajutorul unui
coordinatograf (fig. 9.55).

Fig. 9.55

Micşorarea dimensiunilor până la valoarea nominală a matricei fotoşablon

se face fotografic, pe o instalaţie de fotografiere ale cărei elemente se aliniază
precis cu dispozitive optice autocolimatoare.
Mai recent, pentru a elimina această operaţie laborioasă se utilizează
microcoordinatografe cu comandă numerică, care execută direct clişeul la scară
normală. Precizia de poziţionare realizată este de  0,5 μm, putându-se obţine
desene cu precizie de  1 μm.
Pentru realizarea profilurilor complexe se utilizează şi instalaţii cu fascicul
de electroni sau laser, cu emisie în continuu, cu comandă numerică sau C.N.C.
c. Urmează operaţia de proiectare a imaginii de pe fotoşablon pe stratul de
fotorezistent (expunerea) prin proiectarea tuturor desenelor de pe mască sau prin
transpunerea succesivă, desen după desen.
d. Developarea este faza finală a formării imaginii în stratul fotosensibil.
Operaţia se face prin imersare sau pulverizare cu reactivi corespunzători şi
îndepărtarea porţiunilor iradiate (pentru fotorezist pozitiv) sau neiradiat pentru
fotopolimerul negativ. După developare se încălzeşte la 200-2500C, realizându-
se întărirea polimerului stratului fotosensibil, semifabricatul fiind pregătit astfel
pentru atacul chimic. Prin alte procedee, realizarea protecţiei se face pe cale

253
`
serigrafică (ca material de protecţie se utilizează o cerneală sau pastă serigrafică)
sau prin metode offset cu şablon şi vopsea de protecţie.
e. Atacul chimic se poate realiza în mai multe moduri dintr-o parte sau în
ambele părţi (fig. 9.56) prin imersie într-o cuvă, prin barbotare sau cu jet de
lichid sub presiune. Este necesar, indiferent de procedeul utilizat, să se asigure
îndepărtarea eficientă a materialului de corodat.

Fig. 9.56

Tipul de atac depinde de felul agentului corosiv şi grosimea piesei. După

atac, se îndepărtează masca (demascarea) prin introducerea piesei cu masca într-
o soluţie chimică corespunzătoare, după care se fac mai multe spălări, ultima
fiind în apa deionizată, apoi având loc uscarea.
La prelucrarea pieselor subţiri şi de mici dimensiuni, acestea sunt unite
între ele prin puntiţe care se proiectează astfel încât separarea pieselor să se facă
uşor fără a afecta precizia de execuţie. În final, se execută operaţia de control a
pieselor realizate. Procedeul permite obţinerea unor piese fără bavuri, de
configuraţie complexă şi mare fineţe: grile, site cu orificii submicronice,
elemente elastice complexe, elemente fluidice, mărci tensiometrice, conexiuni
diferite, garnituri de formă complexă din domeniul mecanicii fine,
microelectronicii, ş.a.

254
`
 Tabelul 9.10
Soluţii de atac chimic şi principalele caracteristici ale acestora
Compoziţia
Concentraţi Viteza de
chimică a Temperatura Materialul
a coroziune
agentului de lucru 0C piesei
g/l μm/min
coroziv
FeCl3 50 20...25
340...380
HNO3 38 20...25 Oţel
250...300
HCl 38 20...25 carbon
250...300

FeCl3 39...38 40 15 Oţel

Amestec de HCl 460 38 10 inoxodabil
HNO3 46 - -
HPO4 23 - -

FeCl3 580 50 25...50

(NH4)2S2O8 200...300 32...50 13...25
CuCl2 200...250 26...38 13...20
NaCl 30...40 35...45 25...30 Cupru şi aliaje
ale cuprului
NaOH
150...180 70...80 18...25
FeCl3
120...180 50 25
HCl şi HNO3
2000...500 50 25...50

H2SO4 şi 200 18...27 5...12

Bronz
acid cromic 100 - -
fosforos
(NH4)2S2O8 240 18...20 3...7

255
`
 9.10.3 Frezarea chimică

Este un procedeu pentru prelucrarea pieselor forjate, extrudate sau a

plăcilor, cu îndepărtarea materialului la suprafaţa sau în profunzime, în vederea
reduceri grosimii pereţilor sub valorile minime realizabile prin prelucrări
mecanice şi cu toleranţe reduse.
Se pot realiza prelucrări numai pentru anumite zone, localizarea acestora
făcându-se prin acoperirea cu lacuri protectoare, a celorlalte suprafeţe.
Rugozitatea suprafeţelor prelucrate depinde de starea iniţială a suprafeţei
neprelucrate, compoziţia şi omogenitatea materialului de prelucrat şi alţi factori.
Gravarea chimică se foloseşte pentru realizarea unor configuraţii complexe
de adâncimi diferite, în relief sau adâncime. Procedeul poate înlocui cu succes
gravarea prin frezare, în special pentru piese de mici dimensiuni putându-se
realiza cifre, litere, embleme, circuite şi cablaje imprimate, scări, reticule optice,
obiecte de artă.
Prelucrarea prin eroziune chimică, întrucât implica utilizarea unor substanţe
chimice puternic corozive care sunt şi nocive, impune luarea unor măsuri de
protecţie a muncii şi a operatorilor deosebite.

9.11. Tehnologii de prelucrare cu jet de lichid şi abraziv

9.11.1. Bazele fizice ale prelucrării
În anii ‘60 s-a crezut că apariţia şi dezvolatrea tehnologiilor
neconvenţionale vor trimite acest procedeu de prelucrare la muzeul de istorie al
tehnicii, însă deceniul al 9-lea a consemnat o revenire spectaculoasă cu
îmbunătăţiri ţi perfecţionări notabile inclusiv realizarea sistemelor de prelucrare
cu jet de lichid şi abraziv cuplate C.N.C. Dar nu trebuie neglijat nici faptul că
perfecţionarea pompelor care pot realiza presiuni peste 5000 bari şi sistemele de
poziţionare performante au fost factori care au contribuit la reviriment notabil.

256
`
 9.11.2 Tehnologii şi instalaţii de prelucrare
Instalaţiile moderne, dotate cu pompe care lucrează în domeniul
6200÷6500 bari, pot realiua viteze de avans considerabile( 30 000÷ 60 000
mm/min) sunt prevăzute cu sisteme de control în timp real (bazate pe sisteme
soft CAD/CAM de control “online”) permit testarea respectiv resetarea
parametrilor de lucru direct de la departamentul tehnic al firmei, în funcţie de
diverse situaţii (materialul piesei, configuraţii de tăiere, dimensiuni).
În afară de sistemul de pompe al instalţiei, foarte importantă este duza(cu
diametrul interior între 0,12÷2,8 mm) în care se formeză şi calibrează jetul
coerent de lichid (la presiune ridicată) şi abraziv. Duzele se execută de obicei
din safir, materiale sinterizate sau materiale compozite.
Instalaţiile moderne, pot avea unul sau doua capete de lucru, care pot lucra
interconectate sau independent.
În figura 9.57 se prezintă un cap de lucru, cu principalele elemente
componente.

Fig. 9.57

257
`
Aceste instalaţii se folosesc la debitarea, taierea după anumite configuraţii a
oţelurilor tratate, materialelor compozite, sticlă (inclusiv sticla optică), marmură,
cristale, materiale plastice, cauciuc, s.a.
De remarcat, calitatea (rugozitatea) deosebit de bună a zonei prelucrate,
fără a fi influentată termic. Este un procedeu de prelucrare ecologic(fară fum,
gaze), dar datorită vitezei foarte ridicate a jetului de lichid în aer (de peste 2,5
ori viteza sunetului) va antrena în zona de lucru mase de aer care produc zgomot
mare, şi se impun măsuri de protecţie pentru operatori(respectiv, cască de
protecţie). Pentru mai multe informaţii consultaţi site-ul www.gibas.ro .

258
`
 10. TEHNOLOGII DE PROCESARE A COMPONENTELOR

ELECTRONICE ŞI OBŢINERE A CIRCUITELOR INTEGRATE

10.1 Consideratii generale

Cerintele foarte severe la care trebuie sa raspunda aparatura electronica

moderna ca:
- fiabilitate ridicata,
- grad de compactitate (integrare) sporit,
- cost redus al componentelor, dispozitivelor si sistemelor electronice,
- numar mare de componente interconectate s.a au avut ca efect
perfectionarea continua a tehnologiilor utilizate in electronica si
microelectronica. Insa, cresterea numarului de componente electronice discrete
(rezistoare, condensatoare, inductante, tranzistoare, s.a.) din cadrul aparaturii
electronice conduce inevitabil la marirea gabaritului, a numarului de conexiuni
si la cresterea consumului de energie concomitent cu micsorarea sigurantei de
functionare.
Miniaturizarea componentelor electronice, utilizarea circuitelor imprimate
si a procedeelor automatizate de asamblare si lipire nu a rezolvat problema
sigurantei in functionare si a maririi gradului de integrare.
Chiar si utilizarea tehnicii modulelor si micromodulelor nu a condus la
cresterea fiabilitatii datorita numarului mare de conexiuni – lipituri si densitatii
mari de montaj. Ponderea defectarii unui element sau sistem electronic crescand
direct proportional cu numarul conexiunilor si componentelor electronice
utilizate.
Daca de la inventarea tubului electronic in 1906 pana la aparitia
tranzistoarelor in 1947, progresele inregistrate in electronica nu au fost atat de
spectaculoase si rapide, odata cu realizarea primului circuit solid – integrat in
1959, s-a trecut la o noua generatie de circuite electronice, in care toate
elementele componente puteau fi realizate si interconectate simultan, sub forma

259
`
monolitica. Incepand cu anii 1970 a crescut densitatea circuitelor integrate pe
scara mare (in special digitale) perfectinandu-se continuu tehnologiile de
realizare, in special de tip MOS (Metal Oxid Semiconductor).
Avand in vedere avantajele privind miniaturizarea, energia consumata
redusa si randamentele de fabricatie mari se estimeaza ca circuitele integrate (in
special MOS) vor cunoaste dezvoltari si perfectionari deosebite, depasind in
urmatorii ani de peste 10 ori circuitele bipolare, in privinta productiei mondiale
anuale.
Pentru a justifica pertinenta acestor estimari se prezinta in continuare
dinamica cifrei de afaceri a pietei circuitelor integrate, astfel: 1983 – aprox. 17
miliarde dolari, 1988 – aprox. 31 miliarde dolari, in 1992 a depasit peste 70
miliarde dolari, iar in anul 2000 a depasit 200 miliarde dolari.
Principalele tipuri de componente electronice ale caror tehnologii de
obtinere vor fi studiate se pot impartii in :
- componente electronice discrete pasive (rezistoare, condensatoare,
inductante – bobine si transformatoare);
- componente electronice discrete active (diode, tranzistoare s.a )
- circuite integrate (semiconductoare, cu straturi subtiri si hibride);
- circuite optoelectronice, de microunde, elemente magnetice si
criogenice, sisteme biomicroelectronice, s.a.

10.2. Instalatii si dispozitive pentru realizarea componentelor

electronice discrete pasive

In acest capitol vor fi prezentate sistemele utilizate pentru realizarea

urmatoarelor componente discrete pasive: rezistoare, condensatoare, inductante,
transformatoare.

260
`
 10.2.1. Utilaje si tehnologii pentru obtinerea rezistoarelor

10.2.1.1. Clasificare, tipuri constructive de rezistoare

Rezistoarele sunt componente pasive de circuit intalnite cel mai des in

aparatura electronica, caracterizate printr-o anumita valoare a rezistentei
electrice, care poate fi fixa sau reglabila.
Dupa modul de realizare a elementului rezistiv, se deosebesc:
- rezistoare peliculare al caror element rezistiv il constituie o pelicula
conductoare cu o grosime sub 100 m care este depusa pe un suport
dintr-un material dielectric.
- rezistoare bobinate constituite dintr-un conductor metalic de mare
rezistivitate bobinat pe un suport izolator.
- rezistoare de volum, al caror element rezistiv este constituit din
intregul corp al rezistorului.Ultimele doua variante fiind deja de
domeniul istoriei tehnicii.
In functie de caracteristica tensiune-intensitatea curentului (U-I),
rezistoarele se impart in liniare (cel mai des utilizate) si rezistoare neliniare, a
caror rezistenta electrica poate fi dependenta de temperatura (termistoare),
tensiune (varistoare), sau de intensitatea fluxului luminos (fotorezistoare).
In figura 10.1 sunt prezentate simbolurile grafice utilizate pentru
reprezentarea schematica a rezistoarelor: a – fixe; b – variabile; c – varistor; d –

Fig. 10.1

261
`
termistori; e – fotorezistoare.
Din punct de vedere constructiv, un rezistor fix este constituit din
elementul rezistiv, care poate fi un conductor metalic cu rezistivitate mare
(constantan, manganin s.a.) sau o pelicula rezistiva (grosime 0,001– 100 m) din
carbon aglomerat, borcarbon, straturi metalice sau oxizi metalici, ultimele doua
fiind mai des utilizate.
Peliculele din oxizi metalici sunt realizate de obicei din bioxid de staniu
(SnO2) depus prin pulverizare sau hidroliza pe un suport dielectric, grosimea
peliculei fiind de 0,2 – 1 m.
Mult mai des utilizate sunt rezistoarele realizate prin tehnologia straturilor
subtiri TSS si a straturilor groase TSG, procedee folosite si pentru obtinerea
altor componente pasive sau a circuitelor hibride cu avantaje mai mari din
punctul de vedere al fiabilitatii si a miniaturizarii componentelor.
Caracteristicile unor material utilizate pentru realizarea peliculelor rezistive
sunt date in tabelul 10.1.

Tabelul 10.1.

Caracteristi Materialul
ci CrSiO Ta Cermet SnO2

Rezistenta
1000 50…500 1…104 25…1000
[]

Coeficient
de 200…50 -
+100 +500
temperatura 00 200…+500
[10-6/0C]

262
`
 Suporturile izolante utilizate la fabricarea rezistoarelor trebuie sa
indeplineasca o serie de conditii, si anume: rezistenta mecanica si electrica
ridicata, conductibilitate termica buna, sa fie nehigroscopice, stabile la actiunea
factorilor chimici si termici. De asemenea, pentru a nu fi afectata comportarea
rezistorului in frecventa, aceste material trebuie sa prezinte permeabilitate
magnetica, permitivitate dielectrica, pierderi dielectrice si magnetice cat mai
reduse.
Pentru rezistoarele bobinate, suporturile izolante sunt de obicei tubulare,
din sticla (pentru temperaturi de peste 1000C), mica, micanita (pentru rezistoare
speciale ce lucreaza la temperaturi de 200…3000C), ceramica (temperaturi de
350…3700C) sau fibre de sticla.
Suporturile ceramice ale rezistoarelor peliculare se executa din material
ceramice care trebuie sa aiba un coeficient de dilatare termica cat mai apropiat
de cel al peliculei rezistive.
Pentru rezistoarele realizate prin tehnologia straturilor groase, suporturile
se realizeaza din alumina, steatita s.a., iar pentru cele executate prin tehnica
straturilor subtiri [13] din materiale ceramice, sticla s.a.
Terminalele ce servesc la conectarea in circuitele electronice a
componentelor sunt executate din material cu o buna conductibilitate electrica
(cupru, aluminiu, alama, otel s.a.), utilizandu-se ca diametre preferentiale 0.4;
0.5; 0.6; 0.8 si 1 mm, modalitatile de conectare fiind specifice fiecarui tip de
rezistor (vezi laborator). Intrucat utilizarea rezistoarelor bobinate este in
continua descrestere, acestea vor fi studiate mai putin, detalii finnd prezentate in
[13].
10.2.1.2.Utilaje si tehnologii pentru realizarea rezistoarelor
peliculare
Dintre rezistoarele peliculare prezinta interes cele cu pelicula rezistiva pe
baza de oxizi metalici, de obicei SiO2 si RuO2 ce este depusa pe o singura parte
a suportului izolant, realizat din alumina. Acest suport initial, are dimensiuni

263
`
mai mari, cuprinzand aproximativ 100…120, suporturi individuale, impropiu
denumite si “cip”-uri rezistive.
Tehnologia de realizare cuprinde etapele:
- depunerea pe fiecare suport individual, a unei pelicule metalice cu o
anumita forma, fig. 10.2, din aliaj Ag – Pd pentru realizarea zonelor de
conectare – sudare cu terminalele ce se executa din sarma de cupru

Fig. 10.2

cositorita, cu diametru de 0,64 mm. Stratul metalic depus avand in final

grosimea de 10…12 m.
Depunerea peliculei groase (30…50 m) de inalta rezistivitate se face prin
serigrafiere. Pasta rezistiva formata dintr-un amestec de ruteniu (rezistivitate
redusa) si oxid de ruteniu (RuO2) cu o rezistivitate ridicata se depune la o
temperatura de 5000 C. Intrucat procesul tehnologic nu permite obtinerea exacta
a valorii nominale a rezistentei, pelicula rezistiva se depune la o valoare
totdeauna superioara celei nominale, urmand o operatie ulterioara de ajustare la
tolerante impuse, prin micsorarea dimensiunilor zonei rezistive depuse.
Plecand de la relatia care defineste valoarea rezistentei electrice a unui
rezistor:
L
R    []
A
unde:
 – rezistivitatea materialului (rezistenta unitatii de volum);
L – lungimea rezistorului, respectiv distanta dintre terminale pe directia
curentului (fig. 10.3);

264
`
 A – aria sectiunii transversale a rezistorului, calculata cu relatia:
A  t l
in care:
t – grosimea peliculei rezistive
l – latimea stratului rezistiv (rezistorului)
Inlocuind in relatie:
L  L
R   .
t l t l
Intrucat grosimea startului rezistiv este relativ constanta, valoarea
rezistentei depinde numai de dimensiunile L si l ale acesteia. Se poate defini, in
aceste conditii, rezistivitatea peliculara (sau superficiala) -  s - ca raportul dintre
rezistivitatea de volum a materialului  si grosimea – t a peliculei

s 
t
Rezistivitatea superficiala se exprima in ohm/patrat [  / ] indiferent de
marimea patratului. De mentionat ca la rezistoarele cu pelicula groasa (TSG)
stratul rezistiv are grosimi de 30…50 μm .

Fig. 10.3

O alta caracteristica a rezistoarelor peliculare este raportul de aspect – N,

definit de relatia:
L
N
l

265
`
egal cu numarul de patrate de latura – l din care se compune stratul rezistiv, fig.
10.3. Raportul de aspect al rezistoarelor peliculare (groase) nu poate fi mai mare
de 10:1 sau mai mic de 1:3. Raportul 1:1 defineste rezistorul patrat, a carui
rezistenta este numeric egala cu rezistivitatea peliculara a stratului depus. Daca l
este mai mare decat L, raportul de aspect este subunitar si este numit – raport
invers de aspect (fig. 10.4).
Materialele utilizate pentru realizarea straturilor rezistive groase numite de
obicei cerneluri pot fi:
- cerneluri, care sunt amestecuri de pulberi din metale rare sau oxizi ai
acestora, in suspensie intr-un liant organic, fiind cele mai des utilizate.
Ofera o gama larga de rezistivitati, sunt mai putin sensibile la asperitatile
substratului izolant (nu mai este necesara operatia de glazurare
inferioara), fig. 10.5. Glazura superioara fiind executata in scopul maririi
stabilitatii si rezistentei mecanice a rezistorului, cat si pentru protectie.

Fig. 10.5
Fig. 10.4

- cerneluri metalice – sunt pulberi ale unor metale nobile in suspensie

intr-un liant organic. Intrucat stratul rezistiv are in aceste cazuri o
grosime mai mica decat a rezistoarelor cermet, pentru asigurarea unor

266
`
 suprafete netede este necesara depunerea unei glazuri inferioare (fig.
10.5), care izoleaza pelicula rezistiva de substrat, atenuand influenta
acestuia asupra rezistivitatii si coeficientului de temperatura al
rezistorului. Deasupra stratului se realizeaza o protectie cu o glazura cu
punct de topire scazut.

Principalele caracteristici ale rezistoarelor cu pelicule groase sunt date in

tabelul 10.2.
Tabelul 10.2

Tipul peliculei rezistive

Caracteristici
metalica cermet

Rezistenta nominala [  ] 10…106 5 10…107

Rezistenta peliculara [  / ] 1…105 5…106

Raportul de aspect 10 :1 10 :1

Puterea disipata [W/cm2] 6…8 6…8

Precizia initiala [%]  10… 20  10… 20

Precizia de ajustare [%] 1 1

Dispersia valorilor rezistentei pentru aceste tipuri de rezistoare este afectata

de dimensiunile peliculei rezistive, de neuniformitatea substratului, conditiile de
imprimare – depunere, fluiditatea cernelii, alunecarea masinii de imprimat s.a.,
precum si de pozitia peliculei rezistive pe substrat. Reducerea dispersiei
valorilor se poate face prin proiectarea unei arii cat mai mari a peliculei
rezistive, dar care este limitata de suprafata disponibila a substratului, de
caracteristicile acestuia si de costul materialelor. Pentru lungimi ale rezistorului
de 5,5 mm, curbura substratului nu mai poate fi neglijata, fiind necesara operatia
de rectificare plana a suprafetei active a acestuia. Insa, dimensiunea minima a

267
`
rezistorului este limitata pe de o parte de
puterea nominala a rezistorului, iar pe de
alta de anumite limitari ale posibilitatilor
tehnologice de executie. In fig. 10.6 sunt
precizate dimensiunile minime ale
patratului (de obicei 0,76/0,76 mm),
Fig. 10.6
uneori fiind acceptate si patrate de
0,5/0,5 mm.
Precizia de realizare a rezistoarelor cu pelicula rezistiva groasa TSG este in
faza initiala, in tolerante largi (15…20%). De aceea, la proiectare, rezistoarele
se dimensioneaza cu arie mare si valoare scazuta a rezistentei, iar dupa ardere,
pelicula este ajustata in latime, pana la valoarea dorita cu tolerantele 1…2%
(maxim 5%).Ajustarea se face cu un fascicul laser emis in impulsuri de un
generator cu mediu activ laser solid, YAG; Nd sau sticla:Nd [15].
Schema de principiu a unei instalatii laser pentru ajustare trimerizare este
prezentata in fig. 10.7
Instalatia de trimerizare cuprinde pe langa generatorul laser – 1 cu mediu
activ solid si emisie in impulsuri, un sistem automat de pozitionare – 2, in planul
xOy (cu motoare electrice pas cu pas), al plachetelor – 3, cu rezistoarele – 4 care
urmeaza a fi trimerizate. In timpul operatiei de trimerizare – ajustare a fiecarei

Fig.10.7

268
`
componente realizata prin vaporizarea materialului rezistiv, valoarea rezistentei
electrice a componentei ajustate fiind in mod continuu si automat masurate de
sistemul – 5 care este cuplat cu dispozitivul de comanda – 6 al emisiei laser. In
momentul in care valoarea rezistentei electrice a componentei ajustate este adusa
in tolerantele impuse, in urma vaporizarii materialului rezistiv, se opreste emisia
laser – 7 si se da comanda de pozitionare a unei alte componente in fata
fasciculului laser. Intregul proces de ajustare – trimerizare are loc automat,
reglarea tuturor parametrilor de lucru si succesiunea fazelor in timp este
realizata de calculatorul de proces – 8.
Se mai utilizeaza pentru ajustare si procedeul de sablare cu nisip, sau pe o
instalatie cu ultrasunete in prezenta unui jet de lichid cu abraziv in suspensie
[14], dar rezultatele ce se obtin sunt modeste.
Forma peliculei rezistive este de obicei dreptunghiulara, utilizandu-se si
varianta sub forma de «palarie», fig. 10.8 b. Formele curbe, in zig – zag sau cu
geometrie complexa, fig. 10.8. c si d , nu sunt utilizate din cauza dificultatilor de
realizare a mastii de depunere in faza initiala si de ajustare precisa a rezistorului
dupa ardere.
Raportul de aspect pentru rezistoarele dreptunghiulare este de maxim 6:1,
cand acest raport trebuie depasit, se alege forma de «palarie», fig. 10.9,
preferandu-se varianta – a – cu colturi neracordate. Liniile punctate marcheaza
zonele in care este indicat a se realiza ajustarea peliculei rezistive.

Fig.10.9

Fig. 10.8

269
`
 La amplasarea si orientarea rezistorului pe substrat trebuie procedat astfel
ca mascarea substratului si ulterior ajustarea sa se faca cu dificultati minime, in
conditiile utilizarii cat mai eficiente a suprafetei substratului si a respectarii unor
distante minime, fig. 10.10, a. Orientarea rezistoarelor trebuie sa fie facuta in
linie (pentru a permite ajustarea simultana) cu mentinerea unor spatii
corespunzatoare intre componente, care trebuie sa fie paralele cu marginile
substratului, fig. 10.10, b.
Interfata rezistor – conductor se proiecteaza astfel incat sa se asigure zone
de suprapunere intre stratul rezistiv si insulele metalice de contact – lipire ale
terminalelor pe minim 0,5 mm, la fiecare capat, aria minima a zonei de contact
trebuie sa fie 1 mm2.

Fig. 10.10

10.2.1.3. Particularitati privind utilajele si tehnologia de obtinere

a rezistoarelor microminiaturizate

Pentru realizarea rezistoarelor microminiaturizate compatibile cu

dimensiunile componentelor active si microminiaturizarea sistemelor electronice

270
`
moderne se utilizeaza tehnologia straturilor subtiri (TSS) si mai putin tehnologia
straturilor groase (TSG).
Grosimea peliculelor rezistive realizate prin procedeul TSS este sub 5 μm
(de obicei 100…30000Å) iar prin TSG, este de obicei 10…50 μm .
Peliculele rezistive pentru TSS sunt executate din crom – nichel (Ni – Cr),
tantal (Ta), nitrura de tantal (TaN2), prin condensarea vaporilor materialului
depus de pe substratul solid, de obicei sticle speciale care nu contin sodiu si sulf,
dar au in compozitie plumb, in scopul reducerii mobilitatii ionilor alcalini.
Etapele tehnologice pentru realizarea rezistoarelor de precizie prin TSS
cuprind (fig. 10.11):
- depunerea contactelor si a stratului rezistiv se face utilizand evaporarea
in vid inalt (5 10-5 torr) pentru Ni – Cr si pulverizare catodica in plasma
unui gaz inert pentru Ta si TaN2 (nitrura de tantal);
- definirea formei geometrice consta in conturarea geometriei stratului
rezistiv prin mascare (se realizeaza o depunere cu o anumita
configuratie) sau prin gravare selectiva, cu un fascicul laser comandat de
un calculator;
- ajustarea valorii rezistentei, in limite precise (de obicei sub 1%),
operatia facandu-se individual sau in bloc;
- stabilizarea valorii rezistoarelor se face printr-o imbatrinire accelerata
incalzire a stratului rezistiv;

Fig. 10.11

271
`
 - incapsularea este operatia finala ce asigura protectia atat a partii active
a rezistorului, cat si a substratului impotriva agentilor fizici sau chimici.
Avantajele rezistoarelor si ale retelelor rezistive realizate prin TSS, de
precizie foarte ridicata, de obtinere a valorii nominale in tolerante stranse,
stabilitate mare in timp si la variatiile temperaturii, cat si posibilitatea utilizarii
la frecvente foarte inalte, fac ca aceste rezistoare sa fie utilizate si in aplicatiile
electronicii profesionale.

10.2.2 Utilaje si tehnologii de executie a condensatoarelor

Condensatoarele sunt componente electronice pasive caracterizate printr-o

anumita valoare a capacitatii electrice – C definita de relatia:
q
C [F]
U
in care:
q – sarcina electrica a unui condensator;
U – diferenta de potential
Unitatea de capacitate este faradul – F si reprezinta capacitatea pe care o
are un condensator ale carui armaturi se incarca cu o anumita sarcina de 1
coulomb daca la borne se aplica o diferenta de potential de 1 volt.
1 coulomb
1 farad 
1 volt
In practica sunt utilizati submultiplii faradului:
mF (milifarad) = 10 3 F
F (microfarad) = 10 6 F

nF (nanofarad) = 10 9 F
pF (picofarad) = 10 12 F

272
`
 Constructiv, un condensator este alcatuit din armaturi (executate din
material bune conductoare electric, cu rezistivitate  cat mai mica – cupru,
aluminiu, argint) si un material dielectric intre acestea.
In functie de tipul condensatorului materialele dielectrice pot fi gazoase,
solide sau lichide, de natura organica sau anorganica caracterizate prin
permitivitatea  [3], si rigiditatea dielectrica. Rigiditatea dielectrica reprezentand
valoarea intensitatii campului electric (Estr) pentru care se produce fenomenul de
strapungerea dielectricului (care poate avea loc prin ionizare, termic electric sau
electrochimic).
Condensatoarele pot fi clasificate in fixe, variabile, reglabile si speciale,
cea mai larga utilizare avand-o cele cu valoare nominala fixa, si anume:
- condensatoare ceramice pot fi plane (disc sau plachete) sau cilindrice.
Dielectricul este o ceramica formata dintr-un amestec de silicati de
magneziu, aluminiu, corindon, zirconiu s.a., la care se adauga in functie de
permitivitatea dorita unul sau mai multe din elementele: titan, bariu, calciu,
magneziu.
Armaturile condensatoarelor ceramice sunt rezultate prin depunerea pe
suprafata dielectricului a argintului pe cale termica dintr-o solutie coloidala de
Ag CO3, BiO3 si PbB4O7, dupa tratamentul termic (800-8500C) obtinindu-se un
strat de argint de 7-12 μm .
- condensatoarele cu mica, sunt de tip plan cu armaturi din folii de
staniu, cupru electrolitic, aluminiu s.a. si utilizeaza ca dielectric mica
(cel mai bun material dielectric).Aceste condensatoare au un coeficient
de temperatura al capacitatii mic, datorita aderarii perfecte a armaturilor
metalice pe folia de mica al carui coeficient de dilatare este foarte scazut
(2-3 105 / K).
Alte tipuri de condensatoare folosesc ca dielectric sticle de silicat sau o
pelicula subtire de oxid unipolar ca Al2O3 , Ta2O5, TiO2 s.a. la condensatoarele
electrolitice s.a [3].
273
`
 - condensatoarele peliculare au la baza tehnicile straturilor subtiri si sunt
constituite din doua armaturi metalice – conductoare peliculare intre care
se afla un strat subtire de material dielectric care trebuie sa indeplineasca
mai multe conditii restrictive: sa adere bine la suport si la metalele
folosite ca armaturi, sa nu prezinte porozitati, sa aiba rezistenta mecanica
si termica corespunzatoare, permitivitate dielectrica mare si tensiune de
strapungere ridicata. Materialul care satisface cel mai bine aceste cerinte
este SiO2, mai utilizandu-se si SiO, Sb2S3, ZnS, TiO2 [12].

10.3. Utilaje si tehnologii de realizare a sistemelor cu unda elastica

de volum

10.3.1. Dispozitive cu unda elastica de volum

Avand la baza analogia dintre comportarea electrica in domeniul liniar a

componentelor electrice clasice si comportarea mecanica in domeniul de
elasticitate a sistemelor mecanice, au fost create o serie de circuite electrice
selective si dispozitive electronice corespunzatoare.
Aceasta analogie are la baza trei proprietati:
- ecuatiile diferentiale care descriu functionarea celor doua sisteme au
aceiasi forma;
- structurile topologice descrise de ace leasi ecuatii diferentiale sunt
identice;
- produsul scalar dintre doua marimi electrice are aceeasi dimensiune si
valoare ca si produsul scalar al marimilor mecanice corespunzatoare.
Elementele caracteristice acestei analogii sunt prezentate in tabelul 10.3

274
`
 Tabelul 10.3.

Electric Mecanic

- curent electric – I (A) - forta mecanica – F (N)

Marimi fizice
- tensiune electrica – U (V) - viteza mecanica – v (m/s)

- conductanta electrica G(S) - coeficient de amortizare D (kg

/ s)

- inductanta L (H) -constanta de complianta

-inductanta l / L ( l / H ) l/km (m2/N)

- capacitate c (F) Const. de elasticitate km

- impedanta z (N /m2)
Parametri de
retea - admitanta Y (S) - masa m (kg)

- impedanta (mobilitate )
mecanica – zm (kg/s)

- mobilitatea mecanica Y m (kg /

s)

- nod de retea -nod de retea

- ochi de retea - ochi de retea

- conectare serie - conectare serie

Topologie
- conectare derivatie - conectare derivatie

- scurtcircuit (Z = 0) - punct fix mecanic (Zm = 0)

- circuit deschis (Y = 0) - punct liber (YM = 0)

10.3.2 Rezonatoare piezoelectrice

Sunt dispozitive electronice ce au la baza fenomenul de rezonanta elastica

caracterizat printr-o puternica dependenta a impedantei electrice de intrare in
functie de frecventa de oscilatie.

275
`
 Un rezonator piezoelectric este constituit dintr-o placa piezoelectrica, din
cuartz, fig. 10.12 care are realizate depuneri metalice pe doua fete opuse ( in
figura 2 si 3); aplicand o tensiune electrica de comanda la electrozii (depunerile
metalice) placii, aceasta va oscila elastic cu o frecventa dependenta de marimea
excitatiei electrice.

Fig. 10.12

Daca dimensiunile placii se ajusteaza astfel incat permite stabilirea unui

regim de unda stationara, are loc rezonanta elastica, caracterizata prin oscilatii
intretinute ale punctelor materiale ale placii ceea ce are ca efect modificarea
impedantei electrice de intrare.
Cuartul, datorita structuri sale anizotrope permite utilizarea pentru unele
aplicatii in care i se poate impune sa lucreze la anumite frecvente in functie de
orientarea planului de debitare fata de axele cristalului si directia de solicitare.
Modul de variatie al frecventei de oscilatie in raport cu temperatura fiind
conditionat de precizia de realizare a taierii cristalului. Se impune mentiunea ca
variatiile bruste ale temperaturii pot conduce la fisurarea cristalelor de cuart.
In afara de cuartul monocristalin obtinut pe cale artificiala (de obicei prin
cresterea din solutie) pentru realizarea rezonatoarelor piezoelectrice se mai
utilizeaza si ceramica policristalina de tip PZT.

276
`
 Semifabricatul de cuart se obtine plecand de la un graunte amorsa – 1, fig.
10.13 (prins pe o tija din otel inoxidabil – 2) prin cresterea cristalului dintr-o
solutie saturata – 3 formata din pulbere de cuart (obtinuta prin macinare)
dizolvata intr-o solutie de alcalii in apa, ce se afla intr-un cilindru rotitor - 4, la o
temperatura de 4000C, mentinuta cu sistemul 5 in limite strict controlate, de 
0,10C si o presiune de 9,8 x 107 N/m2.

Fig. 10.13

Procesul de formare a unui cristal in aceste conditii dureaza intre 2 si 3

saptamani. Dupa ce a fost obtinut, semifabricatul parcurge un proces tehnologic
ce este alcatuit din o serie de operatiicare au loc in urmatoarea succesiune:
A. Slefuirea bruta a semifabricatului din cuartz pentru obtinerea unei
suprafete de asezare de referinta in vederea determinarii orientarii retelei
cristaline a cristalului. Aceasta operatie se executa pe o masina de slefuit plan cu
un disc diamantat.
B. Controlul orientarii retelei
cristalografice se face pe
utilaje speciale cu raze X.
C. Slefuirea bruta a suprafete-
lor laterale si a capetelor
barei trebuie sa asigure
Fig. 10.14

277
`
 plan – paralelismul suprafetelor cristalului. Aceasta restrictie impunand
executia acestei operatii pe o masina care permite prelucrarea simultana a
doua suprafete paralele ale cristalului cu ajutorul a doua discuri
diamantate tip oala 1 si 2 (fig. 10.14) cu partile
abrazive 5 si 6 care la centru au fire de capron 7 si 8 pentru uniformizarea
peliculei de lichide de racire. Cristalul – 3, este blocat rigid de masa – 4
ce se poate deplasa pe ghidajele – 9 executand miscarea rectilinie
alternativa – sx. Operatiile de slefuire a diferitelor suprafete paralele sunt
interrcalate cu operatii interfazice pentru controlul pozitiei suprafetelor
prelucrate fata de reteaua cristalina corecta in raport cu directia de
prelucrare.

D. Debitarea in placi se face cu ajutorul unui disc diamantat (Ø = 180 mm)

de grosime = 1,8 mm cu blocarea cristalului (cu parafina) in timpul
debitarii.
E. Debitarea plachetelor se executa cu ajutorul unor scule speciale dotate cu
lamele – 1 din otel (grosimea de 0,1 – 0,2 mm) separate prin distantiere –
2 a caror grosime este aproximativ egala cu a plachetelor de cuart, fig.
10.15
Lamelele de otel, tensionate de un sistem hidraulic –3 sunt astfel aliniate
incit directia lor sa corespunda directiei vitezei rectilinii alternative de
prelucrare – v L . In zona de lucru se aduce dintr-un rezervor exterior – 5,
lichid cu abraziv (Si C) in suspensie – 6. Placile de cuart – 4 sunt fixate
prin lipire cu un adeziv – 7 pe o placa de sticla – 8 care este fixata pe
masa 9 ce are o miscare de avans de patrundere sz realizat de un sistem de
actionare hidraulica – 10.

F. Rotunjirea plachetelor se face in pachet dupa ce in prealabil au fost

orientate si marcata pozitia suprafetei de referinta,ce va fi frezata ulterior
operatiei de rotunjire, fig. 10.16.

278
`
 Fig. 10.15

G. Slefuirea medie si fina se face pentru aducerea plachetei la o anumita

grosime, deci implicit la frecventa de rezonanta necesara. In acest scop
dispozitivele de slefuit sunt echipate cu senzori – traductori care
convertesc variatia de grosime in variatia frecventei de oscilatie proprie,
stopand procesul de prelucrare cand s-a atins frecventa impusa.

Fig. 10.16

Operatia de slefuire fina se executa pe principiul slefuirii cu abraziv liber in

trei faze succesive, cu schimbarea granulatiei si tipului abrazivului: 25 m –

279
`
carbura de siliciu respectiv 12 m si 9 m, trioxid de aluminiu. Utilajul de
slefuit lucreaza pe principul slefuirii concomitente a doua suprafete paralele,
utilizand un dispozitiv planetar de antrenare, fig. 10.17 compus dintr-o colivie -
caseta – 1 in care sunt montate plachetele de cuart – 2) ce are la exterior dantura
de acelasi pas cu dantura rotii dintate – 3, cu care angreneaza; simultan colivia –
1 intra in angrenare si cu roata – 4 ce are dantura interioara la acelasi pas.

Fig. 10.17

Rezulta pentru plachetele din cuart o miscare complexa (similar cu

lepuirea) care asigura o buna calitate pentru suprafetele prelucrate, ce sunt
slefuite intre discurile din fonta 5 si 6 ce au rolul de suport pentru abrazivi.
Presiunea de lucru se realizeaza prin masa discului superior – 5.
Planeitatea discurilor este controlata si corectata periodic. Coliviile –
caseta au grosimi inferioare grosimii plachetelor si forme diferite pentru

280
`
orificiile in care se introduc plachetele, respectiv pentagonala cu dantura – L
pentru operatia de slefuire bruta a plachetelor patrate si rotunda pentru operatiile
de slefuire medie si fina.
H. Polisarea se executa dupa sortarea plachetelor pe diferite domenii de
frecventa si reprezinta de fapt o ajustare fina a frecventei de oscilatie
proprie fiecarei plachete. Operatiile se executa pe masini de slefuit plan,
cu excentric, intre doua discuri din otel a caror planeitate si plan –
paralelism sunt riguros asigurate, utilizandu-se ca abraziv oxid de ceriu cu
granulatie (0.8 – 1) m in suspensie in apa deionizata. Plachetele de cuart
sunt antrenate prin intermediul unor casete – colivii din poliester sau din
otel de grosimi foarte mici (inferioare grosimii plachetelor), care pentru a
fi suficient de rigide se fixeaza intre doua saibe de otel, care insa lasa
libera zona orificiilor pentru plachetele de slefuit.
I. Corodarea are scopul de a indeparta stratul ecruisat de la suprafata
plachetelor rezultat in urma prelucrarilor mecanice anterioare si pentru a
acorda plachetele la frecventa finala impusa. Inaintea corodarii se fac o
serie de spalari in solutii specifice dupa care plachetele se introduc in baia
de corodare cu solutia de biflorura de amoniu si apa deionizata la o
temperatura de 450C  50 C. Timpul de corodare fiind dependent de
granulatia abrazivilor utilizati la ultima operatie de prelucrare mecanica.

Depunerea electrozilor metalici pe cele doua fete opuse ale plachetei se

realizeaza prin evaporarea in vid de obicei a argintului. In functie de profilul
impus electrozilor se poate utiliza si o masca adecvata de profilare a stratului
depus.
In tabelul 10.4 sunt prezentate configuratiile mai des utilizate de
rezonatoare piezoelectrice si domeniul optim al frecventelor de lucru, in functie
de tipul solicitarilor la care sunt supuse.

281
`
 Tabelul 10.4

10.3.3. Rezonatoare piezoceramice

Din punctul de vedere al performantelor, rezonatoarele piezoceramice au o
serie de caracteristici deosebite si anume:

282
`
 Stabilitatea frecventei de rezonanta in timp este de ordinul 0.02 %/an,
coeficientii de temperatura de ordinul 10-5 K –1, iar factorul de calitate de ordinul
103.
Aceste rezonatoare piezoceramice pot fi utilizate si pe baza efectului
piezoelectric invers, care consta in aparitia unor sarcini electrice induse pe
suprafata unui corp supus unor presiuni – solicitari mecanice. Marimea sarcinii
electrice fiind proportionala cu tensiunea mecanica aplicata, iar semnul se
schimba in raport cu deformarea (daca este dilatare sau comprimare).Formele
geometrice mai larg utilizate pentru rezonatoarele piezoceramice sunt prezentate
in tabelul 6.5, fiind precizate sensul polarizarii si directia de vibratie. Aceste
ceramici piezoelectrice cristalizeaza de obicei in structura perovskitica (ce poate
fi descrisa in mod ideal ca o celula unitate cubica cu un cation mare in colturi,
un cation mic in centrul cubului si oxigenul in centrul fetelor fig. 6.20).
Structura perovskitica se regaseste cel mai bine la ceramicile piezoelectrice Ba
TiO3 si Pb(Zr, Ti)O3 (PZT).
In figura 10.18 sunt reprezentate cateva celule elementare alaturate ale
solutiilor solide de titanozirconat de plumb – PZT.

Fig. 10.18

Structura acestor solutii solide (PZT) poate fi considerata ca o retea de

octoedre de oxigen avind in centru cationii de titan (Ti) si zirconiu (Zr) si cu
cationii mari de plumb (Pb) in centrul dodecaedrelor.

283
`
 Datorita tehnologiei specifice de obtinere, elementele piezoceramice au
forme diferite si pot fi polarizate dupa orice directie in functie de modul de
vibratie dorit si de aplicatia pentru care sunt destinate.
Un rezonator piezoceramic poate fi constituit din unul sau mai multe
elemente active piezoceramice, dispuse astfel incat comportarea intregului
rezonator sa poata fi asimilata cu comportarea unui singur element
piezoceramic, fig. 10.19 Diferentierea in functionare se face dupa cum cuplajul
piezoelectric este longitudinal (vibratia se produce pe directia polarizarii si a
campului aplicat) sau transversal (vibratia se produce pe o directie
perpendiculara pe directia polarizarii si a campului aplicat).

Fig. 10.19

284
`
 Tabelul 10.5

Aplicatiile cele mai reprezentative ale rezonatoarelor piezoceramice

cuprind domeniul senzorilor – traductoarelor.
Parametrii cei mai importanti ce caracterizeaza functionarea unui traductor
piezoceramic (in regim de radiatie si de receptie) sunt: frecventele de rezonanta
mecanica si electromagnetica, coeficientul transformarii electromagnetice,
285
`
puterea acustica emisa la rezonanta si in joasa frecventa, tensiunea electrica
efectiva necesara pentru emisia unei puteri acustice date, caractersitica de
frecventa a puterii acustice, factorul de calitate mecanic, impedanta electrica,
randamentul electroacustic, sensibilitatea de receptie la rezonanta si la frecvente
joase si caracteristica de frecventa a sensibilitatii de receptie [1].

10.3.4. Rezonatoare piezomagnetice

Rezonatoarele piezomagnetice formeaza o alta grupa de dispozitive

electronice cu impedanta electrica de intrare puternic dependenta de frecventa.
Aceste rezonatoare sunt realizate dintr-un corp – 1 (de obicei bara din ferita)
material semiconductor compus al unor metale bivalente cu oxizi de fier,
prezentand pe langa bune proprietati magnetice si conductibilitate electrica
redusa) sau din alte materiale feromagnetice (fier, nichel, cobalt, aliaje ale
acestora) si o bobina – 2, fig. 10.20 care excitata electric genereaza un camp
magnetic sub actiunea caruia prin efect piezomagnetic punctele materiale ale
barei vibreaza la o anumita frecventa, ce este dependenta de marimea excitatiei
magnetice (electrice). Efectul de sumare al acestor deformari microscopice
induse consta in modificarea dimensiunilor corpului pe directia de aplicare a
cimpului magnetic. Ca si in cazul efectului electrostrictiv, semnul deformarii
este independent de directia campului magnetic, deformarea fiind proportionala
cu patratul campului.

Fig. 10.20

286
`
 Dintre materialele metalice cel mai des utilizat este nichelul, aliajele de
nichel si aluminiu, de nichel si fier, sub forma de benzi laminate la rece sau sub
forma de tuburi. Pentru reducerea pierderilor prin curenti turbionari este indicat
ca aceste traductoare sa fie realizate din tole subtiri decupate din tabla laminata
subtire (g=0,05 – 0,1 mm) asamblate in pachet la dimensiunea impusa si izolate
electric fiecare tola una de cealalta. In urma operatiei de laminare, datorita
modului de curgere al metalului rezulta o anizotropie magnetica in ansamblul
tolei. De aceea, pentru obtinerea unei eficiente ridicate decuparea tolelor se face
astfel incat directia liniilor de forta magnetica sa coincida cu directia liniilor de
curgere la laminare sau sa faca un unghi de 450 cu directia de laminare.
Izolarea electrica a tolelor se face fie prin depunerea unor straturi izolatoare
intre ele sau printr-un tratament termic de recoacere, in urma caruia se formeaza
pe suprafata tolelor un strat de oxid care se comporta ca un izolant. In acelasi
timp, in urma tratamentului de recoacere, structura de echilibru obtinuta face ca
pierderile prin histerezis si prin curenti turbionari sa fie mai mici, iar inductia de
saturatie sa fie mare. De asemenea sunt atenuate tensiunile interne rezultate in
urma laminarii si decuparii dupa contur a tolelor, asigurandu-se o precizie
sporita de realizare a pachetelor.
Feritele fac parte din categoria
ceramicilor magnetostrictive, obtinandu-
se mangan, omogenizate prin presare in
forme la dimensiunile solicitate, procesul
tehnologic continuind cu sinterizarea la
temperaturi 1300 – 14000 C.
Rezonatoarele piezomagnetice se pot
utiliza si ca traductoare magnetostrictive Fig. 10.21
ce pot genera oscilatii mecanice intr-un
rezonator de tip disc – 3, fig. 10.21.
Deformatia barei – 1 de alungire –

287
`
contractie este transformata in discul – 3
in solictare la incovoiere.
Rezonatoare cuplate Cupland doua sau mai multe rezonatoare mecanice
care vor lucra ca un sistem de oscilatoare mecanice cuplate, oscilatia generata
intr-un rezonator se va propaga excitand direct celalalt rezonator. Varianta
piezoelectrica, numita si filtru monolitic are structura si schema echivalenta
prezentata in fig. 10.22
In fig. 10.23 este prezentata
varianta piezomagnetica in care 1 si 2
sunt barele de ferita, 3 element de
cuplare mecanica a celor doua bare, 4
este bobina de excitatie si 5 bobina Fig. 10.22
pentru captarea semnalului generat.
Bobinajul se executa cu sarma din
cupru cu diametru 1.5 – 2 mm, cu
izolatie din policlorura de vinil, utilizandu-se acelasi conductor la toate
coloanele pentru a se asigura insumarea campurilor magnetice si
neuniformitatea distributiei campului magnetic pe intreaga sectiune.

Fig. 10.23

Aceste dispozitive electronice avind la baza efectul piezoelectric sau

magnetostrictiv au largi aplicatii in domeniul senzorilor – traductoarelor cu
utilizari in cele mai diverse aplicatii [1,11,17].

288
`
 10.3.5. Un domeniu aparte de utilizare il reprezinta traductoarele
(transformatoarele) electroacustice folosite la instalatiile de prelucrare cu
ultrasunete.

In practica, s-au impus datorita performantelor obtinute traductoarele

magnetostrictive cu circuit magnetic inchis realizate din pachete de tole, stantate
din alfer, nichel, permendur, s.a. fig.10.24 si feritele magnetostrictive, fig. 10.25.

Fig. 10.24

Se observa ca in fig. 10.24, c si d, ca la traductorul cu trei si patru coloane,

latimea coloanelor din mijloc este dubla fata de latimea coloanelor exterioare.
Cunoscand puterea electrica de alimentare - Pe a traductorului si puterea
electrica specifica a materialului traductorului – Pes (pentru alfer – 55 W/cm2,
nichel – 80 W/cm2 si respectiv 100-110 W/cm2 pentru permendur) se poate
calcula suprafata radianta a traductorului s r .
Pe
sr  .
Pes
In practica se utilizeaza de obicei miezuri cu sectiune patrata (caz in care
latimea pachetului este egala cu grosimea lui)
b  q  Sr .
Cu observatia ca latimea pachetului de tole trebuie astfel aleasa incat
rezonanta transversala a miezului sa fie diferita de rezonanta longitudinala
(principala). Daca valoarea rezonantei transversale nu se modifica substantial pe

289
`
seama reglarii raportului a b0 , atunci este indicat a se utiliza un traductor cu
mai multe coloane (fig. 10.24, c sau d), insa pentru a se evita oscilatiile de
curbare ale pachetului, b si q nu trebuie sa fie mai mari decat o jumatate de
lungime de unda /2 [18]. Lungimea ferestrei b0 se alege cat mai mica, dar
suficienta totusi pentru realizarea unui numar corespunzator de spire pentru
infasurarea traductorului, iar inaltimea – h0 a ferestrei se determina din conditia
de rezonanta [1,8].

Traductoarele cu miezuri din

ferite, fig. 10.25 au o mai buna
Fig. 10.25
fiabilitate, sunt mai ieftine si se
utilizeaza pentru aplicatii
tehnologice in domeniu de
frecvente 19  100 KHz, cu un
factor de transformare
electroacustica de aprox. 80%
[1,17,18].

10.4. Instalatii si procedee de obtinere si purificare a

monocristalelor semiconductoare utilizate in microelectronica

10.4.1. Consideratii generale, caracteristici ale materialelor utilizate

Pentru realizarea circuitelor integrate si a altor componente si dispozitive

electronice esentiala este calitatea plachetei (CIP) din materialul semiconductor,
care trebuie sa respecte anumite cerinte foarte severe. De obicei se utilizeaza ca
material pentru plachete siliciul monocristalin, folosindu-se pentru alte aplicatii
si Ga As, Ga AsP, InSb, CdS sau alti compusi semiconductori. Aceste plachete

290
`
se obtin din blocuri monocristaline (crescute prin diferite procedee), sau din
benzi monocristaline obtinute prin crestere epitaxiala sau alte metode.
In procesul obtinerii plachetelor semiconductoare (crestere a cristalelor,
difuzie, dopare controlata s.a.) precum si pentru realizarea componentelor
electronice si a circuitelor integrate, o mare importanta prezinta caracterizarea
structurala a materialelor respective.In acest scop in continuare vor fi tratate pe
scurt unele aspecte legate de structura cristalina si conductia electrica in
corpurile solide.
Din punctul de vedere al conductiei electrice (realizata prin deplasarea unor
purtatori mobili de sarcina) corpurile solide se clasifica in trei categorii : metale,
semiconductoare si dielectric.

10.4.1.1. Metalele cristalizeaza in structuri deosebit de compacte, ca

de exemplu structura cubica si structura hexagonala si sunt caracterizate prin
energii de coeziune de ordinul 105 J/mol (de exemplu, cuprul are energia de
coeziune de 2.85 x 105 J/mol).

Un atom metalic, din punctul de vedere al interactiunii cu atomii vecini,

prezinta o simetrie centrala, datorita compactitatii structurii, in sensul ca energia
legaturii cu un atom vecin nu depinde de directia pe care se afla acesta.
Electronii de valenta (care detin rolul principal in interactiunea dintre atomii
unui carp solid) nu se localizeaza pe anumite directii de interactie, ci devin
comuni unui mare numar de atomi si in ultima instanta tuturor atomilor
metalului. Apare astfel asa numitul “gaz de electroni liberi” din interiorul unui
metal. Conform acestui model, electronii de valenta sunt liberi sa se deplaseze in
intregul volum al metalului, devenind purtatori mobili de sarcina electrica in
metal, purtand denumirea de “electroni de conductie”.
Modelul gazului electronic explica buna conductibilitate a metalelor prin
existenta electronilor de conductie in concentratii mari. In general, fiecare atom
metalic contribuind la conductie numai cu unul sau doi electroni, ceilalti

291
`
electroni nefiind liberi sa se deplaseze, ei sunt constransi sa ramana legati de
nucleele de care apartin.
Metalele, se caracterizeaza printr-o neutralitate locala de sarcina electrica,
conform careia densitatea de sarcina este aproximativ nula in orice punct din
interiorul metalului (nu insa la scara distantelor interatomice, de ordinul 10 -10
m), aceasta neutralitate locala determinand o neutralitate generala de sarcina
electrica care face ca dintr-un corp metalic sarcina negativa totala sa fie egala cu
sarcina pozitiva totala, indiferent de distributia acestor sarcini in interiorul
metalului.
Pe de alta parte, asezarea ordonata a atomilor metalici in interiorul unui
corp metalic determina o distributie uniforma a sarcinii electrice pozitive si ca
urmare, pentru respectarea conditiei de neutralitate, concentratia de electroni
liberi fiind egala cu concentratia de ioni pozitivi in orice punct din interiorul
unui metal.
Rezistivitatea electrica a metalelor este de ordinul 10-5 – 10-6 cm, si creste
proportional cu cresterea temperaturii. La temperaturi scazute (in apropiere de
0K) ionii metalici stau in pozitiile lor practic imobili, electronii putindu-se misca
liber printre sirurile de ioni. Astfel ca la temperaturi foarte joase rezistivitatea
electrica a metalelor este independenta de temperatura si constituie asa numita
“rezistivitate reziduala” care este proportionala cu concentratia impuritatilor.
In fig. 10.26 se prezinta
dependenta rezistivitatii metalelor in
raport cu temperatura facind
exceptie numai unele metale (in
special cele care au o
conductibilitate electrica scazuta la
temperatuta ambianta) care la o
anumita temperatura caracteristica
Fig. 10.26
(foarte scazuta) de ordinul fractiunii

292
`
de grad Kelvin, au rezistivitatea priactic nula, determinata de o
supraconductibilitate (  10-21  x m), cu largi aplicatii de viitor.

10.4.1.2. Materiale dielectrice

In contrast cu metalele, structura acestor materiale are intr-un domeniu larg

de temperatura practic toti electronii legati de atomii constituenti, deci
concentratia de purtatori mobili de sarcina este extrem de redusa (aprox. 107
electroni/m3).
Rezistivitatea electrica a materialelor dielectrice este foarte mare, de
exemplu a cristalelor izolatoare fiind de ordinul  10 18 Ω  cm .

10.4.1.3. Materiale semiconductoare

10.4.1.3.1. Conductivitatea materialelor semiconductoare

Aceste materiale formeaza o categorie intermediara intre metale si

izolatoare din punctul de vedere al conductivitatii electrice. La temperatura
ambianta semiconductoarele sunt slabe conductoare cat si dielectrici redusi,
rezistivitatea lor fiind in domeniul 10 3  10 7   cm .
În figura 10.27 se prezintă conductivitatea electrică pentru cele 3 categorii
de materiale: izolatoare, semiconductoare şi bune conductoare de curent.

Fig. 10.27

293
`
 Conductivitatea materialelor semiconductoare variaza insa puternic cu
temperatura, astfel la temperaturi scazute devin izolatoare, iar la temperaturi
inalte se comporta ca niste materiale destul de bune conductoare ceea ce
determina utilizarea lor la realizarea dispozitivelor electronice.
Materialele semiconductoare cele mai des utilizate in aceste scopuri sunt
elementele tetravalente Ge si Si, precum si unii compusi intermetalici ca de
exemplu GaAs, Cd S, ZnO, CdSe, AlGaAs s.a .
In cazul unui cristal
semiconductor perfect si pur aflat la
temperatura 0 K, toti electronii de
valenta sunt legati prin legaturi
covalente, fig. 10.28 deci sunt fixati
in reteaua cristalina, conductia
electrica nefiind posibila in acest caz
deoarece nu exista purtatori de
sarcina liberi care sa se deplaseze in
retea, materialul comportandu-se ca Fig. 10.28

un izolator.
Atunci cand semiconductorul se afla la temperatura T, diferita de zero
abolut, exista intotdeauna un numar de legaturi covalente rupte, care creeaza
conditii ca un numar de electroni de valenta sa paraseasca legatura covalenta,
devenind electroni liberi, care se pot deplasa in intregul volum al cristalului
semiconductor.
Acesti electroni sunt purtatori mobili de sarcina electrica negativa si
participa la conductia curentului electric, analog electronilor de valenta ai
materialelor.
Dupa cum se cunoaste, la baza formarii structurii cristaline (de tip diamant)
a unor materiale semiconductoare (siliciu, germaniu s.a.) se afla legatura

294
`
covalenta care consta in punerea in comun de catre doi atomi vecini a cate un
electron de valenta, fiecare legatura dintre un atom si unul din vecinii sai contine
doi electroni de valenta si are un caracter directional.
Numarul electronilor de valenta care se elibereaza din legaturile covalente
este foarte mic : un electron la 109 atomi de Ge si respectiv la 1012 atomi de Si,
la temperatura ambianta. Aceste legaturi rupte, care apar datorita vibratiei
termice aleatoare a electronilor de valenta, desi rare, au o influenta puternica
asupra proprietatilor electrice ale semiconductorului furnizand purtatori mobili
de sarcina care fac posibila conductia.
Un material poate fi considerat semiconductor in situatia in care numarul
de legaturi covalente distruse – rupte este de minimum 108 intr-un cm3, adica la
1015 legaturi exista o legatura rupta (de exemplu, la T = 300 K, in Ge exista
aproximativ 1013 legaturi rupte/cm3, iar la Si, cca. 1010 legaturi rupte/cm3.
Drept consecinta a ruperii
legaturilor covalente se poate
considera ca apar doua grupuri
distincte si independente de purtatori
mobili de sarcina electrica ce
determina curentul electric in
semiconductoare, fig. 10.29
electronii de conductie cu sarcina
negativa si respectiv golurile cu
sarcina pozitiva care sunt asociate
Fig. 10.29
legaturilor covalente rupte.
Aceasta miscare a lectronilor si a golurilor se datoreaza agitatiei termice,
haotice, care sub actiunea unui camp electric poate avea un caracter dirijat,
electronii deplasandu-se in sens opus campului electric, iar golurile se
deplaseaza in sensul campului electric aplicat.

295
`
 10.4.1.3.2. Semiconductoare pure

Pentru un semiconductor pur si cu o structura cristalina perfecta, golurile si

electronii de conductie sunt produsi in perechi, iar legaturile covalente sunt
distruse si dispar, de asemenea tot in perechi, cand electronii de conductie si
golurile se recombina refacand o legatura covalenta; proprietatile electrice sunt
deci intrinseci materialului, care se numeste semiconductor intrinsec.

10.4.1.3.3. Semiconductoare de tip – n

Intr-un semiconduc obisnuit, electronii nu sunt prezenti in numar egal cu

golurile, concentratiile purtatorilor mobili de sarcina putind fi influentate si
dirijate cu ajutorul unor cantitati infime de impuritati active electric introduse in
structura semiconductorului.
Atunci cand impuritatile sunt formate din atomi ai unor substante
pentavalente (fosfor, arseniu, antimoniu) acestia se integreaza, cu usurinta in
structura cristalina a semiconductorului gazda, substituind atomi tetravalenti.
Atomul substantei de
impurificare avind un electron de
valenta mai mult decit ii este
necesar pentru satisfacerea celor
patru legaturi tetraedrice si care este
mai slab legat de atom, fig. 10.30,
se va putea rupe relativ usor de
atom, miscandu-se in cristal ca un
electron liber sau electron de
conductie.
Donand electronul sau de
Fig. 10.30
valenta suplimentar la ansamblul
electronilor de conductie ai semifabricatului, atomul de impuritate se ionizeaza,
ionul pozitiv rezultat fiind fix in retea, neparticipind la conductia electrica.

296
`
Acesti atomi apartin impuritatii, cu un numar de electroni de valenta mai mare
decit cel al cristalului de baza se numesc donori intrucat furnizeaza electroni de
conductie.
Materialul semiconductor care contine un anumit numar de atomi donori
poseda mai multi electroni de conductie decit goluri, acestea rezultand numai
din procesul intrinsec de rupere a legaturilor covalente, semiconductorul fiind de
tip - n, deoarece purtatorul de sarcina dominant este negativ.

10.4.1.3.4 Semiconductoare de tip – p

Introducand in structura cristalului semiconductor in mod controlat

impuritati trivalente (bor, indiu, aluminiu, galiu) atomii impuritatilor se
integreaza in structura cristalina periodica a semiconductorului gazda, dar va
ramane cu un electron de valenta mai putin decit este necesar pentru a satisface
cele patru legaturi covalente. Rezulta astfel in vecinatatea atomului substantei de
impuritate o legatura nesatisfacuta, echivalenta cu un gol, fig. 6.31. La
temperaturi normale atomul de impuritate trivalent accepta un electron de
valenta provenit dintr-o legatura vecina pentru a completa structura sa de
legatura covalenta. Ionizandu-se, va deveni un ion negativ imobil, care nu
participa la procesul de conductie, acesti atomi de impuritate numindu-se
acceptori.
Astfel, un semiconductor
impurificat cu atomi acceptori
(trivalenti) are mai multe goluri decit
electroni de conductie, purtind
denumirea de semiconductor de tip – p,
intrucat purtatorul de sarcina dominant
este pozitiv.
La semiconductoarele dopate
(impurificate controlat) proprietatile
Fig. 10.31

297
`
electrice nu mai sunt determinate numai de caracteristicile lor intrinseci, ci sunt
puternic influentate de atomii de impurificare, semiconductorul se numeste
extrinsec de tip – n sau – p, dupa valenta subtantei de dopare.
Deoarece electronii si golurile sunt create in perechi, densitatea de electroni
in banda de conductie – n, este egala cu densitatea de goluri din banda de
valenta – p, adica:
n  p  ni

unde valoarea comuna ni este numita densitatea intrinseca de purtatori.

10.4.2. Instalatii pentru cresterea monocristalelor semiconductoare

10.4.2.1. Procedee de obtinere a monocristalelor

Materialele semiconductoare sub forma pura sau continand impuritatile

care in mod natural se afla in materialele respective au extrem de putine aplicatii
practice. Numai unele impuritati in anumite concentratii foarte strict controlate
sunt utile in materialul cristalin semiconductor, restul impuritatilor nedorite
trebuind indepartate. Practic toate procedeele tehnologice realizeaza mai intii o
purificare inalta a materialului semiconductor dupa care, pentru unele aplicatii,
se inroduc in materialul respectiv impuritatile necesare in anumite proportii, prin
procese de dopare foarte strict controlate, creandu-se nivelele acceptoare sau
donoare, care confera semiconductorului o conductie de tip – p (in care
predomina golurile) sau de tip- n (in care electronii sunt preponderenti.
Majoritatea procedeelor tehnologice utilizate la obtinerea monocristalelor
semiconductoare folosite in microelectronica au ca faza primara obtinerea
materialelor policristaline, cu o anumita compozitie si puritate impusa. De
exemplu, pentru siliciu monocristalin se pleaca de la cuartita, din care se obtin
succesiv siliciu metalurgic, apoi triclor silan (SiHCl3), dupa care prin depunere
din faza gazoasa (CVD) siliciu policristalin si in final monocristalul
semiconductor.

298
`
 Procedeele de obtinere a monocristalelor semiconductoare trebuie sa
asigure o retea cristalina cat mai perfecta cu un continut de defecte cat mai redus
si rata mica a dislocatiilor.
S-au impus trei procedee de crestere a monocristalelor semiconductoare :
- cresterea din topitura;
- cresterea din faza gazoasa;
- cresterea din solutii concentrate;
La fiecare din aceste procedee existand multe variante proprii diferitelor
firme producatoare si care poarta de obicei numele cercetatorilor care le-au
descoperit sau perfectionat.

10.4.2.2 Instalatii pentru cresterea monocristalelor

semiconductoare din topitura

10.4.2.2.1 Procedeul Czochralski

Este metoda cea mai mult folosita, permitand cresterea de monocristale

mari, perfecte, cu o rata scazuta a dislocatiilor in conditiile unui inalt grad de
automatizare si productivitate ridicata a instalatiilor utilizate.
Cresterea – formarea monocristalului are loc prin tragere dintr-o baie –
creuzet – 3, cu material policristalin topit – 1, fig. 10.32. Initial se pleaca de la
un graunte – amorsa monocristalin – 2, cu observatia ca materialul in stare
solida – cristalizat, are aceeasi compozitie cu a materialului in stare lichida –
topit, adica prezinta o topire congruenta. Este cazul materialelor
semiconductoare ca siliciu, germaniu, arsenura de galiu s.a.In faza initiala,
germenele – amorsa monocristalina este introdus in baia cu materialul topit,
temperatura in zona de contact este reglata astfel ca la interfata solid – lichid, sa
fie asigurata conditia ca numarul atomilor in stare cristalizata sa fie egal cu
numarul atomilor in stare topita. Viteza de tragere – vT a monocristalului din
topitura se regleaza intre 1 – 30 mm/ora, concomitent cu tragerea, pentru a

299
`
controla evolutia interfetei solid – lichid se suprapune si o miscare de rotatie –
n4, de 5 – 10 rot/min a suportului – mandrinei – 4, in care este prins grauntele –
amorsa – 2, iar suportul – 5 pe care se afla creuzetul se roteste lent in sens
contrar miscarea – n5.

Fig. 10.32

Pentru a asigura o geometrie corespunzatoare si constanta diametrului

monocristalului in formare, sistemul de tragere a acestuia din topitura este
prevazut cu un senzor – captor prin intermediul caruia este masurata in mod
continuu greutatea monocristalului in formare, aplicandu-se corectiile necesare
pentru regimul temperaturilor, vitezele de rotatie n4 si n5 cat si pentru viteza de
tragere a monocristalului – vT de catre un calculator de proces care asigura
reglarea continua a tuturor parametrilor de lucru.

300
`
 Intrucat o pondere ridicata a
defectelor care pot apare in
monocristalele obtinute prin procedeul
Cczochralski o reprezinta rata mare a
dislocatiilor, in ultimul timp au aparut o
serie de procedee ce asigura o
protectie – incapsulare lichida – 3 a
monocristalului – 2 in timpul procesului
de crestere cu ajutorul unei substante
adecvate, fig. 10.33.
De exemplu, pentru un monocristal
din fosfura de indiu (InP) dopat cu sulf,
in timpul tragerii se asigura o protectie de
incapsulare lichida cu B2O3, in Fig. 10.33

urmatoarele conditii:
- viteza de tragere a monocristalului 1 – 20 mm/ora;
- turatia arborelui cu amorsa monocristalina 4 – 10 rot/min;
- turatia creuzetului cu material topit (sens invers): 30 – 60 rot/min
Schema de principiu a unei instalatii de crestere a monocristalelor
semiconductoare din topitura (metoda Czocralski) este prezentata in fig. 10.34.
Masa de siliciu topit – 1 din care se va forma monocristalul se afla in
creuzetul din cuart – 2 care este dispus la randul sau intr-un creuzet de grafit – 3.
Sistemul de incalzire – 4 (inductor de inalta frecventa) asigura mentinerea
topiturii la o anumita temperatura. Germenele – amorsa cristalin – 5 este prins in
mandrina – 6 si sustinut de tija – 7 care este rotita de motorul electric de curent
continuu – 8 si trasa in sus de sistemul – 9 actionat de motorul electric – 10.
Procesul de crestere a monocristalului se poate urmari direct prin sistemul de
vizare 11 sau circuitul TV – 12. Intregul subansamblu 1-2-3 poate fi rotit (de
obicei in sens invers rotatiei monocristalului) de catre motorul electric – 13.

301
`
Instalatia este dotata si cu un sistem – 14 care poate asigura impurificarea
controlata – dopajul monocristalului – 15 (cu utilizari si la obtinerea mediilor
active solide laser).

Fig. 10.34

Coordonarea si reglarea parametrilor procesului tehnologic de formare al

monocristalului (temperatura creuzetului, gradientul de temperatura, presiunea
din incinta de lucru, vitezele de tragere si rotatie, s.a.) sunt realizate cu ajutorul
calculatorului de proces – 16.
Prin procedeul Czocralski se pot obtine monocristale de Si si Ge cu puritate
ridicata si un numar redus de dislocatii, sau monocristale de Te, In cit si unii

302
`
compusi semiconductori InSb, BiTe3, GaSb, AlSb s.a. Intrucat cresterea
monocristalului are loc in afara creuzetului se reduce mult posibilitatea aparitiei
tensiunilor mecanice, metoda fiind indicata mai ales pentru obtinerea
monocristalelor ce isi maresc volumul la solidificare (GaAs, InSb, Si, Ge, s.a.).

10.4.2.2.2 Procedeul cresterii din topitura prin solidificare controlata

intr-un gradient de temperatura – Bridgman

Un alt procedeu de crestere a monocristalelor din topitura este metoda

Bridgman de obtinere a monocristalelor semiconductoare prin solidificare
controlata intr-un gradient de temperatura. Materialul semiconductor aflat intr-
un creuzet, va traversa sau este traversat de un plan de solidificare, realizat fie
prin coborarea lenta a creuzetului intr-un cuptor cu gradient de temperatura strict
controlat fie prin deplasarea cuptorului in sus (creuzetul fiind fix), fie prin
reducerea treptata a temperaturii cuptorului (prin sistemul electric de incalzire al
acestuia), cuptorul si creuzetul ramanand fixe. Se urmareste ca diferitele
dispozitive de manevrare ale cuptorului sau creuzetului sa nu produca vibratii
mecanice sau alunecari care pot conduce la initierea de germeni suplimentari de
cristalizare sau la aparitia unor defecte in cristalul in formare.
Creuzetul este astfel conceput incat solidificarea sa inceapa de la capatul
inferior unde este plasat germenele cristalin – amorsa de cristalizare, in
conditiile respectarii foarte riguroase a regimului termic.
Utilizand acest procedeu este posibil sa se obtina monocristale de
dimensiuni mari cu buna omogenitate si cristalizare uniforma [26], de exemplu
pentru obtinerea monocristalelor de ferita folosite la realizarea capetelor de
inregistrare magnetica de la aparatura audio – video, aceasta tehnica permitand
obtinerea pe cale industriala a unor monocristale cu buna prelucrabilitate intr-o
gama larga de frecvente.

303
`
 Fig. 10.35

Intrucat amestecul format din FeO3, MnO si ZnO este dificil de controlat
din punctul de vedere al omogenitatii compozitiei si cristalizarii uniforme, se
procedeaza la crearea unui plan de solidificare in amestecul topit, fig. 10.35 de
jos in sus, prin coborirea lenta a creuzetului – 5 intr-un cuptor electric – 1 ce are
un dispozitiv – 2 cu care se controleaza foarte strict gradientul de temperatura.
Zona de material topit – 3 se formeaza prin topirea materialului
semifabricat – 7 sub forma de bara (sau pulbere) si care are compozitia
corespunzatoare monocristalului din ferita – 6 ce trebuie obtinut , 9 fiind amorsa
de la care se pleaca la elaborarea monocristalului din ferita.
In figura 10.36 sunt prezentate fazele evolutiei procesului de formare a
monocristalului de ferita.

Fig. 10.36

304
`
 Procedeul Bridgman se recomanda totusi a fi utilizat in cazul materialelor
care nu necesita o puritate foarte ridicata, intrucat materialul topit se afla in
contact cu peretii creuzetului. In schimb nu se recomanda la obtinerea
materialelor care sufera o dilatare mare dupa solidificare.

10.4.2.2.3. Procedeul topirii zonare – PHANN

Un procedeu eficace pentru obtinerea monocristalelor cat si pentru

purificarea inaintata a materialelor semiconductoare este topirea zonara (Pfann),
bazata pe proprietatea ca la temperatura de solidificare concentratia de echilibru
a unei impuritati oarecare in faza solida, difera de concentratia impuritatilor in
faza lichida.
Aceasta diferenta este determinata de valoarea coeficientului de segregatie
la echilibru:
Cs
K0 
Cl
in care C s este concentratia impuritatii date pentru faza solida; iar Cl -
concentratia impuritatii, in faza lichida. Situatia cel mai des intalnita este K 0  l ,
adica solubilitatea impuritatilor in faza lichida este superioara solubilitatii
corespunzatoare fazei solide. Valoarea coeficientului K 0 variaza in general cu
viteza de racire, compozitia materialului, temperatura amestecului s.a.
Pentru situatia, K 0  1 , purificarea materialului nu mai are loc.
Conform principiului procedeului topirii zonare, topind o cantitate de
material semiconductor (Si, Ge s.a.) si apoi racind treptat, impuritatile
caracterizate prin K 0  1 , tind sa ramana si sa se concentreze in faza lichida,
fiind astfel eliminate din zona ce se solidifica si care devine astfel mai pura,
procesul repetandu-se de mai multe ori pana se obtine puritatea dorita. Capatul
barei in care s-au acumulat impuritatile se taie si se indeparteaza. Pentru K 0  1
impuritatile se vor acumula in sens opus la celalalt capat al barei.

305
`
 Fig. 6.37

Schematic instalatia de topire zonara este prezentat in fig. 10.37, in care

inductorul de inalta frecventa – 1 este deplasat cu viteza – v in lungul tubului de
cuart – 2, in care se afla creuzetul – 3 cu materialul (Si) de purificat 4.
Prin procedeul topirii zonare au fost purificate, la un inalt grad de purificare
Ge, Si, Te, InSb, GaAs, Bi2Te3, CdTe s.a. precum si un numar mare de metale si
alte materiale.
Tot prin tehnica topirii zonare se pot obtine monocristale ale unor metale,
materiale semiconductoare simple sau compuse.
Astfel daca la capatul lingoului unde incepe topirea zonara se introduce un
germene cristalin de la care amorseaza cristalizarea materialului policristalin,
fig. 10.38. este posibila obtinerea unor monocristale de germaniu, aluminiu si
alte materiale de puritate ridicata.

Fig. 10.38

306
`
Inductorul de inalta frecventa (I.F.) cu ajutorul careia se realizeaza temperatura
de topire pentru lingou are o miscare de deplasare in lungul tubului de cuart -
vL .
Pentru materialele compuse care au una din componente cu punct de topire,
respectiv de volatizare foarte scazut fata de cealalta componenta se recomanada
ca prin anumite tehnici speciale sa se pastreze stoechiometria.
In aceste situatii topirea zonala se realizeaza prin topirea in fiole de cuart
vidate in care se afla o nacela cu elementul usor volatil sau se procedeaza la
umplerea cu un gaz inert sub presiune a recipientului. In cazul compusilor
semiconductori cu o componenta usor volatila se utilizeaza un tub-fiola – 1, de
o constructie speciala, fig. 10.39 ce este prevazut cu o nacela – 2 in care se afla
elementul usor volatil – 3, incalzit cu un cuptor de constructie specială – 4.

Fig.10.39

307
`
 Pentru a reduce volatizarea componentei usor volatile – 3, intregul lingou –
5 este incalzit la o temperatura putin mai mica decat temperatura de topire a
materialului lingoului prin intermediul cuptorului – 6, in timp ce presiunea de
vapori a elementului volatil este controlata prin intermediul cuptorului de reglaj
– 4. Inductorul de inalta feecvata – 7 cu ajutorul careia se realizeaza topirea
incepand din capatul tubului unde se afla germenele – amorsa – 8, are o miscare
lenta de deplasare de la stanga la dreapta – v L pana la topirea intregului lingou.
In partea de jos a figurii 10.39 este prezentat modul de variatie a temperaturii la
un moment dat, pentru a se putea realiza conditiile impuse.
Procedeul topirii zonale cu
creuzetul in pozitie orizontala nu
este aplicabil la obtinerea
monocristalelor din materiale care
interactioneaza puternic cu
materialul creuzetului (cuart,
grafit) cum este cazul siliciului. In
acest caz este indicata metoda
topirii zonale in pozitie verticala
fara creuzet, topitura fiind
mentinuta in pozitie verticala in
primul rand datorita tensiunii
superficiale a materialului in stare Fig. 10.40
topita, fig. 10.40.
Amorsa – germenele cristalin – 1 in faza initiala, este asezat in partea
inferioara cu varful in sus, in contact cu lingoul poicristalizat –2. Atat lingoul cat
si amorsa sunt bine fixate mecanic in mandrinele – 3 si – 4.
Topirea realizata cu inductorul – 5, incepe la capatul inferior al lingoului,
topindu-se partial in faza initiala si germenele-amorsa cristalin, dupa care

308
`
inductorul (deci si zona topita) se deplaseaza in partea superioara, solidificarea
deci si formarea monocristalului - 7 avand loc de jos in sus.
In fig. 10.40 este prezentata o faza intermediara a procesului de obtinere a
monocristalului-7.
În figura 10.41, se prezintă o altă variantă a aceluiaşi procedeu, având la
bază germenele amorsă monocristalin.

Fig. 10.41

309
`
 10.4.2.2.4. Un alt procedeu de crestere a monocristalelor
fara creuzet este topirea in flacara (metoda Verneuil).

Instalatia, fig. 10.42, initial conceputa pentru obtinerea monocristalelor de

oxid de aluminiu, se compune dintr-un buncar – 1, cu material policristalinsub
forma de pulbere fina, ce este lasat
sa cada in flacara oxihidrica – 2. In
ajutajul conic – 3, pulberea arzand,
se transforma in sfere mici de
material cara cazand pe suportul –
4 (pe care se afla prins un germene
monocristalin – 5 cu orientarea
cristalografica dorita) sub actiunea
flacarii –2 se transforma in
monocristalul – 6. Pentru a exista
un control exact al temperaturii in
camera de ardere – 8 si al cresterii
monocristalului, mai exista un
incalzitor extern cu curenti de
inalta frecventa – 7. Faptul ca
retopirea granulelor de material are
loc intr-o atmosfera inerta realizata
prin pompele de vid – 9, permite
obtinerea de monocristale ale unor
materiale cu inalt grad de
Fig. 10.42
reactivitate chimica. Astfel au fost
obtinute cristale mari de rutil, spineli mulit s.a., precum si o serie de
semiconductori oxidici, ferite, titanat de bariu s.a.

310
`
 10.4.2.3. Instalatii pentru cresterea monocristalelor
semiconductoare din faza gazoasa

Aceste metode se aplica de obicei pentru substantele care sublimeaza (trec

direct din starea solida in starea de vapori) sau se descompun inainte de topire.
Procedeele de crestere din starea de vapori pot fi statice atunci cand
monocristalele sunt crescute din starea de vapori puri, fara transport de substanta
si dinamice cand monocristalele sunt crescute din starea gazoasa prin transportul
vaporilor cu ajutorul unui gaz inert sau prin reactie in starea de vapori (pentru
compusi complecsi) cand transportul vaporilor componentelor este asigurat de
un flux de hidrogen sau de gaz inert (heliu, argon). Cresterea moonocristalelor
din faza de vapori puri se face in retorte sau tuburi vidate, de-a lungul carora se
realizeaza un gradient de temperatura corespunzator. Dupa evaporarea
(sublimarea) substantei – in zona cu temperatura mai ridicata – vaporii se
condenseaza pe suprafata de depunere sau pe germenii cristalini de amorsare.
Au fost astfel obtinute monocristale de cadmiu, zinc, fosfor s.a.
Obtinerea
monocristalelor de PbS,
ZnS etc. s-a facut prin
incalzirea substantei
complexe (sau
componentelor luate in
proportie stoechiometrica)
intr-o fiola vidata, ce are un
varf ascutit, fig. 10.43, Fig. 10.43
dispus in regiunea cu
temperatura mai scazuta a cuptorului unde se creeazagradientul de temperatura
(linia punctata in fig. 10.43).

311
`
 Existenta varfului ascutit al fiolei faciliteaza aparitia numai a unui singur
germene de cristalizare care va creste sub forma monocritalina.
Procedeul obtinerii monocristalelor din faza de vapori utilizand un gaz de
antrenare pentru vaporii componentelor a dat bune rezultate in cazul cristalelor
de ZnS (gazul de transport fiind heliul), CdS (gazul pentru antrenare este
hidrogenul). O schema de principiu pentru o instalatie in care vaporii sublimati
ai substantei 1 din creuzetul – 2 sunt transportati in regiunea de condensare – 3
(cu temperatura mai scazuta) este prezentat in fig. 10.44, rezultand in final
monocristalele 3 si 3 .

Fig. 10.44

Gazul de antrenare intra prin orificiul 4 si iese prin 5, incalzirea realizandu-se de

catre cuptorul – 6. In unele situatii, gazul de antrenare poate contine un compus
al componentei usor volatile (de obicei pentru materialele semiconductoare ce
au o compozitie complexa) fapt ce permite obtinerea unor monocristale fara
abateri de la compozitia stoechiometrica. De exemplu, in cazul compusilor cu
sulf sau seleniu (CdS, ZnS, CdSe s.a.) se foloseste drept gaz de antrenare un
amestec de hidrogen si hidrogen sulfurat sau hidrogen selenat.
O varianta foarte mult utilizata a acestui procedeu este folosita la obtinerea
monocristalelor in urma unor reactii chimice in faza de vapori (C.V.D.).
Instalatia (fig. 10.45) contine un creuzet – 1 in care se afla cadmiu – 2, incalzit
la 800-1000C (deci in stare de vapori) peste care este trecut un amestec gazos

312
`
 Fig. 10.45

format din hidrogen – 3 si hidrogen sulfurat – 4, rezultand in urma reactiilor

chimice CdS, care se va depune, cristalizand in zonele 6 - 6 mai reci ale
instalatiei. Incalzirea creuzetului – 1 se realizeaza cu un cuptor – 7 cuplat cu un
inductor de inalta frecventa – 8.
Prin inlocuirea hidrogenului – 1 suflat din ambele parti ca agent de
transport atat pentru vaporii de sulf – 2 cat si de cadmiu – 3, in zonea centrala
de reactie, fig 10.46, a recipientului – 4 incalzit pana la temperatura de 1000C
are loc formarea sulfurii de cadmiu ce va cristaliza in zona mai rece – 5 a
recipientului. Tot prin aceasta metoda au fost obtinute monocristale de buna
calitate de CdSe, CdTe s.a.

Fig. 10.46

313
`
 O alta varianta constructiva a instalatiei cu ajutorul careia s-au obtinut
cristale de oxid de zinc – 7 prin reactia directa dintre vaporii de Zn – 1 si
oxigenul din aer – 4, este prezentata in fig. 10.47.

Fig. 10.47

10.4.2.4. Procedee si instalatii de purificare a monocristalelor

semiconductoare

Intrucat in lungul unui monocristal (indiferent de procedeul de obtinere

utilizat) continutul de impuritati se schimba continuu face imposibila obtinerea
unei distributii uniforme a impuritatilor in cristal. De aceea se utilizeaza mai
multe procedee de purificare (tratamente termice, topiri zonare) care realizeaza
pe langa scaderea concentratiei impuritatilor si reducerea acestora si o
repartizare uniforma a defectelor microscopice concomitent cu impiedicarea
aparitiei fisurilor si dislocatiilor in cristal.
La folosirea procedeului topirii zonare pentru purificarea monocristalelor
se repeta mai multe cicluri de topire zonara pana cand concentratia impuritatilor
scade sub valoarea critica, astfel incat impuritatile ramase sa nu mai influenteze
proprietatile materialului semiconductor.

314
`
 O alta metoda, este aplicarea de tratamente termice de incalzire si de racire
controlata a monocristalului semiconductor. Conform acestui procedeu [29],
monocristalul – 2 aflat intr-un clopot de cuart – 1 ce are forma asemanatoare
conturul monocristalului, fig. 10.48 , este incalzit cu un sistem de lampi cu raze
iinfrarosii – 3 si oglinzi reflectante – 4, la o temperatura de 1200-1350C timp de
1-16 ore, in functie de caracetristicile monocristalului. In clopotul –1 se
realizeaza vid cu un sistem de pompe – 11, iar in timpul tratamentului termic se
aduce un gaz inert (argon) prin sistemul – 5 si conductele 5a si 5b.

Fig. 10.48

315
`
 Germenele amorsa monocristalin – 6 de la care a inceput formarea
monocristalului nu este decupat de acesta, intregul lingou fiind fixat intr-o
mandrina – 7 si rotit in timpul procesului cu o turatie de 1 – 30 rot/min de catre
sistemul –9 si motorul electric – 10, pentru a se realiza o incalzire uniforma a
lingoului.
Controlul exact al temperaturii se realizeaza prin plasarea in invelisul – 8 al
sistemului de incalzire a unor senzori – 15 ce sunt cuplati cu sursele de
alimentare – 12 ale lampilor – 3 si cu sistemul – 14 de control al regimului de
incalzire (sau racire). Se recomanda pentru un material semiconductor cu
temperatura de topire –T, ca incalzirea sa aiba loc in intervalul de temperatura
(0,85-0,95)T, urmata de racire in doua etape. De exemplu pentru siliciu, se
incalzeste la aproximativ 1300C, dupa care in prima etapa este racit cu viteza de
10-150C/min pana la 1100C, dupa care in etapa a doua (de la 11000 la 3000C)
viteza de racire este mai mare, 25-1000C/min.
Dupa aceasta etapa de purificare inalta, se introduc in mod controlat
impuritatile impuse pentru fiecare tip de semiconductor (cu exceptia procedeului
Czochtalski, cand dopajul se face in timpul cresterii monocristalului) prin
procedee specifice de difuzie, aliere, implantare ionica s.a.
Pentru imbunatatirea dispersiei radiale a compozitiei impuritatilor in
monocristale semiconductoare se pot aplica cu succes metoda “transferului
zonei unui solvent”. Utilizarea acestui procedeu este recomandabila in special
pentru materialele semiconductoare ternare de tipul CdHgTe sau cuaternare
CdHgTeSe, la care apar dificultati in procesul de elaborare datorita presiunii de
vapori ridicate a mercurului in zona temperaturii de topire a compusului
respectiv.
Metoda(fig. 10.49), consta in introducerea unui lingou policristalin – 2
(sau a mai multe lingouri corespunzatoare constituentilor) intr-o nacela
cilindrica – 1, in care initial s-a pus o anumita cantitate de solvent – 3. Nacela, in
faza initiala, este dispusa cu partea inferioara in care se afla solventul – 3, intr-

316
`
un cuptor inelar –4, cu ajutorul caruia se realizeaza temperatura impusa.
Imprimand o miscare lenta de deplasare in jos a nacelei, va avea loc o dizolvare
a lingoului policristalin in solventul –3 sub efectul caldurii produse de cuptorul
inelar –4. Ca rezultat al acestei disocieri a lingoului si a coborarii nacelei, zona
lichida se va deplasa in sus, iar in partea de jos a nacelei va incepe formarea
monocristalului – 6, fig. 6.46 c, II.
Existand un puternic gradient termic la interfetele solid-lichid se vor
produce in masa lichida miscari turbionare stabile (pozitia 9, fig. 10.49, II) care
vor fi cu atat mai intense cu cat gradientul termic la interfete va fi mai ridicat.
Ca efect al acestor miscari structura radiala a monocristalului rezultat – 6 va
prezenta variatii ale compozitiei pe directie radiala. Aplicand un camp magnetic
continuu (produs de sistemul 10) in zona cu material lichid va avea loc
reducerea miscarilor turbionare din lichid ce va conduce la o difuzie uniforma a
tuturor componentelor in masa lichida, deci si o structura omogena a
monocristalului in formare – 6.

Fig. 10.49

317
`
 Valoarea inductiei magnetice a campului electromagnetic este dependenta
de dimensiunile cristalului (in special diametru), compozitia acestuia si
temperatura zonei lichide.

10.4.2.5. Sisteme de control ale compozitiei si caracteristicilor

monocristalelor semiconductoare

Intrucat metodele clasic de crestere ale monocristalelor nu permit un

control continuu al compozitiei si caracetristicilor cristalului in formare,
analizele si determinarile respective facandu-se de obicei in faza finala, de cele
mai multe ori prin metode distructive, au ca rezultat un procent ridicat de
rebuturi si pierderi de material.
Au aparut unele procedee si dispozitive [29] care permit controlul continuu
al compozitiei cristalului in timpul procesului de crestere fara a fi afectat
procesul tehnologic de elaborare al acestuia.
Una dintre metode are la baza determinarea diferentei de potential intre
doua puncte ale masei de material situate de o parte si de alta a frontului de
solidificare, existand anumite particularitati ce sunt specifice fiecarui procedeu
de obtinere a cristalului semiconductor.
Astfel, schema de
principiu pentru masurarea
diferentei de potential in cazul
procedeului Czolchralski de
crestere a monocristalului din
topitura este data in fig. 10.50,
in care diferenta de potential
este masurata intre masa de
Fig. 10.50
material – 1 prin intermediul
electrodului de masurare – 6 si

318
`
amorsa monocristalina – 3 sau monocristalul in formare – 4.
Citirea se realizeaza la voltmetru – 5.

Fig. 10.51

In cazul procedeului de elaborare a monocristalului prin topire zonara,

schema de masurare este prezentata in fig. 10.51, in care – 2 este monocristalul in
formare, -1 masa de material topit, 4 si 5 locul de cuplare a electrozilor de
masurare si – 6 aparatul de citire – voltmetru.

10.5. Masini si dispozitive pentru prelucrarea monocristalelor

semiconductoare (debitarea) si procesarea plachetelor

10.5.1. Masini pentru debitarea monocristalelor

Dupa obtinerea lingoului monocristalin care are anumite caracteristici

mecanice (diametru, lungime), fizice (retea cristalina, rezistivitate) si chimice
(continut de impuritati, oxigen, carbon si metale grele) riguros controlate si
incadrtae in anumite limite, procesul tehnologic cuprinde o serie de prelucrari
mecanice executate la exteriorul lingoului cu scule abrazive in scopul obtinerii
unei forme cilindrice la parametri dimensionali strict controlati. Dupa aceasta
operatie se executa o serie de “taieturi secante” (fig. 10.16) care sa ajute la
orintarea cristalografica ulterioara a lingoului. Astfel o taietura – frezare

319
`
principala mai mare, cu rolul de a usura orintarea plachetelor pe sistemele
automate de pozitionare si fixare in timpul procesului de fabricatie ale
circuitelor si taieturi secundare ce servesc la identificarea vizuala rapida a
orientarii cristalografice si tipului de conductibilitate ale materialului
semiconductor.
Dupa aceste operatii pregatitoare se poate face debitarea – taierea lingoului
monocristalin in “felii - plachete” cu observatia ca in timpul acestei operatii se
face monitorizarea cu un sistem de raze X a orientarii cristalografice a
suprafetelor plachetelor.

10.5.1.1. Masini de debitat cu discuri inelare

Initial s-a utilizat procedeul taierii plachetelor din lingoul monocristalin cu

ajutorul unor discuri avand partea activa diamantata la periferia discului
(procedeul O.D.), metoda abandonata din cauza numeroaselor dezavantaje.
Ulterior s-a impus
procedeul (I.D.) de taiere a
plachetelor cu discuri inelare –
1, fig. 10.52 avand partea activa
diamantata la interior – 2, iar
prinderea si fixarea discului in
dispozitivul de antrenare se face
intre doua flanse – 3 situate de
Fig. 10.52
o parte si de alta a discului cu
suruburile – 4.
Lingoul monocristalin – 5 are si el o miscare de rotatie, cu turatia 10-30
rot/min, mult mai scazuta decat a discului, care este de 2000-3000 rot/min. In
zona de lucru se aduce un lichid de racire prinintermediul unui ajutaj plasat in
apropierea lingoului.

320
`
 La debitarea plachetelor din lingourile monocristaline de siliciu un disc
diamantat poate fi utilizat la taierea a aproximativ 200 de plachete. Aceste
discuri diamantate se pot folosi si la debitarea materialelor magnetice de tipul
granat de galiu si gadolin (GGG) care au o duritate dubla decat a siliciului.
Pentru aceste materiale sculele respective se pot utiliza numai pentru debitarea a
maxim 25-50 plachete GGG.

10.5.1.2. Debitarea cu dispozitive cu fire-lamele echidistante

Alte procedee de taiere – debitare a plachetelor din lingoul monocristalin

semiconductor utilizeaza dispozitive cu mai multe lamele echidistante si solutie
cu abraziv (subcap. 10.3.2, fig. 10.15) sau dispozitive cu fire multiple
echidistante ce au oo deplasare continua, in prezenta unei solutii cu
micropulbere abraziva in suspensie.
Conform acestui procedeu, fig. 10.53 firul metalic – 6 ce se foloseste o
singura data este condus printr-o serie de canale echidistante (la un naumit pas
corepunzator grosimii plachetelor) executate transversal pe trei tamburi 3,4 si 5
care se rotesc, si ale caror axe de rotaie formeaza un triunghi echilateral.

Fig. 10.53

Monocristalul semiconductor – 1 din care se vor debita plachetele este

prins in dispozitivul – 2 si apasat pe reteaua de fire echidistante – 12, ce se

321
`
deplaseaza continuu, concomitent prin ajutajul – 13 aducandu-se lichid cu
micropulbere abraziva in zona de lucru.
Uneori pentru a elimina urmele lasate de catre grauntii abrazivi pe
suprafata plachetelor debitate (fiind necesara o operatie ulterioara de polisare)
cat si pentru a putea debita plachete din lingouri de diametre mai mari se
utilizeaza:

10.5.1.3. Procedeul decuparii termochimice

Schema de principiu a
acestei metode de decupare este
prezentata in fig. 10.54, in care
lingoul – 1 din care se
decupeaza plachetele – 2 este
fixat intr-un dispozitiv ce ii
asigura o miscare de avans pe
directie radiala – s T . Agentul
chimic – 3 care poate fi acid
azotic (HNO3), florhidric (HF)
sau acetic (C2H4O2-CH3COOH)
este adus in zona de decupare
prin intermediul sistemului – 4
si propulsat cu ajutorul discului Fig. 10.54

rotitor – 5 de-a lungul directiei

de decupare- taiere.
Incalzirea (la temperatura de 50-1000C) se face cu ajutorul unui fir –
rezistenta electrica – 6 (executat dintr-un material inatacabil de catrea gentul
chimic), plasat la periferia discului – 5 (discul este executat din tantal sau
materiale compozite).Dupa ce a fost decupata o placheta, lingoul are o miscare
de avans axial - s a pentru a permite taierea unei alte plachete.

322
`
 10.5.2. Elemente caracteristice ale plachetelor

In urma operatiilor de taiere ale plachetelor se stabilesc o serie de parametri

importanti ai acestora: grosimea, curbura, paralilismul, planeitatea. Astfel
grosimea plachetelor se stabileste proportional cu diametrul acestora, pentru a
rezista cat mai bine la deformarile elastice si plastice pe care le vor suferi in
timpul proceselor termice ulterioare. Valorile tipice ale grosimii plachetelor sunt
de 381 μm sau 508 μm pentru plachete cu diametru de 76,2 mm (3 toli) sau
respectiv 525 μm sau 625 μm pentru plachete cu diametrul de 100 mm,
rspectiv 150 mm.
Dupa taiere, plachetele sunt supuse operatiei de lepuire mecanica pe
ambele fete cu pulbere abraziva a carei granulatie se alege astfel incat sa se
asigure o rugozitate corespunzatoare, concomitent cu planeitatea suprafetelor
plachetelor in limitele 1-2 μm .
In continuarea procesului tehnologic are loc operatia de rotunjire a
marginilor plachetelor prin procedee mecano-chimice in scopul diminuarii
procesului de microspargere a marginilor plachetei si producerii de sparturi care
ar putea deteriora suprafata plachetelor, cat si pentru micsorarea numarului de
centri de formare a dislocatiilor sau de fracturare a plachetelor.
Dupa aceste operatii suprafetele si muchia plachetelor rezulta contaminate
si afectate pe o adancime de cativa microni. Acest strat contaminat si imperfect
se indeparteaza prin corodare chimica cu o solutie de hidroxid de potasiu sau o
solutie de acid azotic, fluorhidric si acetic in proportiile: 4 :1 :4, de HNO3
(70%), HF (49%) si CH3COOH (C2H4O2 – acid acetic).
Ultima operatie consta in lustruirea unei suprafete a plachetei pana la
obtinerea unei bune planeitati si reflectivitati, cu o solutie abraziva din SiO2, a
caror granulatie scade treptat 25 μm , 15 μm , 5 μm , 0,25 μm 0,1 μm
indepartandu-se aproximativ 25 μm material de pe suprafata plachetei. Dupa

323
`
lustruire plachetele sunt curatate chimic, controlate, acoperite cu un strat subtire
protector din SiO2, crescut prin oxidare termica si apoi ambalate in vid.

10.5.3. Etape de procesare de pregatire a plachetelor

10.5.3.1. Curatirea chimica a plachetelor este o operatie obligatorie

inaintea inceperii fluxului tehnologic de realizare a componentelor electronice si
are ca scop indepartarea agentilor organici sau anaorganici care au contaminat
suprafata plachetelor in timpul proceselor precedente sau pe parcursul
contaminarii.

In cazul contaminarii puternice cu substante organice (de exemplu acizi

grasi prin atingere manuala accidentala) este necesara inaintea curatirii standard,
sa se execute o degresare prin fierbere in tricloretilena si apoi acetona (grad
ridicat de pericol) sau spalari in bai cu aceleasi lichide si ultrasunete.
In fig. 10.55 este prezentata o instalatie cu doua generatoare de U.S. 1 si 2
cuplate la aceeasi cuva – 3 executata dintr-un material ce nu este atacat de
agentul chimic – 4. Plachetele – 5 sunt dispuse in suporturile speciale – 6 care
permit patrunderea lichidului aflat sub actiunea U.S.
Curatirea chimica standard se executa prin imersie in bai sau cu jet si
cuprinde mai multe faze succesive care debuteaza cu inlaturarea contaminantilor
organici, urmata de indepartarea ionilor de Na, K, Ca si atomilor anorganici Au,
Cu, Fe s.a.

Fig. 10.55

324
`
 De exemplu in tehnologia circuitelor integrate MOS trebuie parcurse
etapele:
- indepartarea reziduurilor organice;
- inlaturarea unui strat subtire (cateva zeci de Å) de oxid care include
impuritati;
- indepartarea ionilor si atomilor anorganici.
Intre aceste etape cat si in finalul procesului de curatire, plachetele de
siliciu se clatesc abundent in apa deionizata de inalta rezistivitate in bai
succesive (cascada). Ultima clatire se executa pe masini centrifuge de clatire-
usoare, cu apa avand rezistivitatea de 18 MΩ  cm , urmata de uscare cu azot
cald.
Eficienta clatirilor este mult imbunatatita daca apa deionizata este incalzita
la 30-500C, intrucat solubilitatea majoritatii contaminatilor creste de cateva ori
prin marirea temperaturii apei de clatire. Nu este indicat ca in timpul procesului
de curatire- spalare, plachetele sa fie lasate sa se usuce intrucat si apa de cea mai
inalta puritate contine particule submicronice care pot adera pe suprafata
plachetelor, ne mai fiind posibila indepartarea lor in etapele urmatoare de
curatire.

10.5.3.2. Indepartarea rezidurilor organice (urme de material

fotorezistent s.a.) se face utilizand doua solutii peroxidice (cu apa oxigenata),
amestecul “piranha” numit si “acid Caro” format din H2SO4 (acid sulfuric,
concentratie 98%) si apa oxigenata si hidroxid de amoniu (NH4OH) 29%, in
proportii variind de la 5:1:1 pana la 7:2:1. Un alt procedeu consta in imersarea in
acid azotic, clatire si din nou imersie in acid azotic de concentratie 70% la
fierbere. Sau o alta varianta de curatire in solutie H2O + H2O2 + NH4OH la o
temperatura de 75-800C, timp de 10 – 15 min se bazeaza pe actiunea puternic
oxidanta a apei oxigenate si cea dizolvanta a hidroxidului de amoniu. Alte

325
`
metode de curatire 2 utilizeaza solutii de H2SO4 + H2O2 sau atac cu acid
florhidric s.a.

10.5.3.3. Procedee de oxidare termica

Bioxidul de siliciu (SiO2) este utilizat in mai multe scopuri si etape ale
procesului tehnologic de realizare a circuitelor integrate si a altor componente
electronice. Astfel, la circuitele integrate, se foloseste pentru mascarea
plachetelor impotriva impuritatilor introduse prin difuzie sau implantare, pentru
impiedicarea exdifuziei acestor impuritati in timpul altor procese termice, ca
masca pentru corodarea selectiva a unor straturi, in scopul pasivarii si protectiei
straturilor, ca element constructiv al dispozitivelor MOS pentru izolarea
dielectrica a componentelor intre ele si pentru ionizarea mai multor nivele de
interconexiuni s.a. Formarea straturilor de bioxid de siliciu poate fi facuta prin
mai multe procede: oxidare termica, anodizarea si depunerea in faza de vapori.
Dintre aceste tehnici, oxidul obtinut prin oxidare termica are proprietatile cele
mai bune.
Cinetica cresterii stratului de bioxid de siliciu debuteaza prin expunerea la
un agent oxidant (O2 sau vapori de apa) a suprafetei plachetei de siliciu, care se
va acoperi cu un strat de SiO2, ca rezultat al formarii de legaturi covalente intre
oxigen si siliciu.
Reactia de oxidare este de tipul:
Si  O 2  SiO 2 pentru oxigen
sau
Si  2HO 2  SiO 2  2H 2
in cazul vaporilor de apa.
In timpul clatirii cu Si-SiO2 se deplaseaza in masa siliciului iar volumul
total al plachetei se va mari in urma cresterii stratului de bioxide de siliciu in
formare, fig. 10.56. Pe baza densitatilor si maselor moleculare ale siliciului si

326
`
SiO2 se poate arata ca la cresterea unui strat de SiO2 de grosime XOX, siliciul se
consuma pana la o adancime de circa 0,45XOX.

Fig. 10.56

Acest model [2] al cineticii oxidarii termice al siliciului este valabil pentru
temperaturi peste 7000C, presiune partiala cuprinsa intre 0,2-1 atm si grosimi
ale stratului de SiO2 de peste 300Å.
Cinetica procesului de oxidare este influentat de prezenta impuritatilor, atat
a celor cu care este dopat siliciul (bor, fosfor, arsen s.a) cat si celor din agentul
oxidant (de exemplu vaporii de apa pot modifica substantial viteza de oxidare).
In fig. 10.57 se prezinta modul
cum variaza grosimea stratului de
oxid crescut termic in functie de
timpul de oxidare, in oxigen umed
(950C – H2O) si oxigen uscat pe
siliciu de orientare [11]. Se observa
ca oxidarea umede este mult mai
rapida decat cea “uscata”
impunandu-se un control foarte
sever al continutului de vapori H2O Fig. 10.57

327
`
(sub 3 ppm) pentru agentul oxidant.
Dintre parametri SiO2 format prezinta importante pentru etapele urmatoare
ale procesului tehnologic indicele de refractie, densitatea, viteza de corodare (de
obicei in solutie de HF) si sarcinile electrice din stratul de SiO2.
O proprietate de baza a oxidului format pentru tehnologia de realizare a
circuitelor integrate o constituie efectul de bariera al acestuia in calea majoritatii
impuritatilor utilizate pentru depunerea siliciului. Prin corodarea unor “ferestre”
in stratul de oxid, impuritatile pot fi introduse selectiv in siliciu, oxidul (SiO2)
ramas pe restul suprafetei stratului avand rolul unei masti impotriva
impuritatilor. Pentru a impiedica ajungerea impuritatilor la substrat in zonele
mascate cu oxid, se utilizeaza substante avand coeficientul de difuzie in oxid
mult mai mic decat in siliciu, de exemplu, bor, fosfor, arsen si stibiu.

10.5.3.4. Detensionarea plachetelor

Un alt aspect foarte important care trebuie avut in vedere la utilizarea

strturilor de SiO2 (ca de altfel si a altor straturi) in tehnologia circuitelor
integrate este micsorarea tensiunilor mecanice asociate straturilor respective.
Cand aceste tensiuni ating valori mari poate avea loc deformarea palchetelor,
fisurarea straturilor de la suprafata si aparitia unor defecte in siliciu, care pot
compromite procesul de realizare a circuitelor integrate (in special MOS).
In timpul procesului de oxidare termica pot apare tensiuni mecanice de
compresiune in stratul de SiO2 si tensiuni de intindere la interfata Si – SiO2, fig.
10.57. tensiunile de compresiune apar in timpul cresterii stratului de SiO2 iar
tensiunile tangentiale de intindere, care conduc la deformarea plachetelor de
siliciu, apar mai ales in timpul racirii acestora de la temperatura de oxidare la
temperatura ambianta.
Tensiunile de intindere se datoresc diferentei dintre coeficientii de dilatare
   
termica ai siliciului 3,7  106 C 1 si ai oxidului 5,5  107 C1 . De asemenea, in

328
`
timpul procesului tehnologic de realizare a circuitelor integrate tensiunile
mecanice si deformarile corespunzataore ale plachetelor sunt amplificate si de
faptul ca in multe etape de oxidare termica, plachetele au oxid (SiO2) numai pe o
fata si in plus acest strat de SiO2 nu este uniform avand grosimi variabile si
ferestre practicate prin gravare, cea ce conduce la o distributie neuniforma si
complexa a tensiunilor mecanice.
Deformarea plachetelor, care depinde in primul rand de calitatea acestora
este cu atat mai pronuntata cu cat temperatura procesului termic este mai inalta,
grosimea stratului de oxid mai mare si plachetele sunt mai subtiri si au diametrul
mai mare. Pentru micsorarea tensiunilor si a deformarii plachetelor (care pot
evolua pana la spargerea acestora in timpul racirii sau al dezoxidarii)
introducerea si extragerea plachetelor in si din instalatia de oxidare trebuie sa se
faca foarte lent (viteza de rampare sa fie  10 cm/min).

10.5.4. Instalatii si procedee de oxidare termica

Procesele de oxidare, difuzie si tratamente termice aplicate plachetelor din

materiale semiconductoare se executa in cuptoare “de difuzie” similare cu cel
prezentat in fig. 10.58.

Fig. 10.58

329
`
 Fiecare tub de cuart 1 - 1 al sistemului se poate utiliza independent pentru
procese termice diferite. Incalzirea fiecarui tub se realizeaza cu ajutorul unor
rezistenete electrice – 2 a caror alimentare cu curent electric se regleaza automat
in scopul mentinerii constante a temperaturii (in tolerante stranse  0,10 C ) intr-
o zona mare a tubului numita – palier. In tuburile de cuart de inalta puritate 1 -
1 in care sunt plasate plachetele din siliciu – 3 pozitionate in nacelele – 4 se
aduc gazele de proces – 5. Profilul temperaturii in lungul tubului se controleaza
cu ajutorul unor senzori – termocuple introduse in teci de cuart.
Controlul temperaturii, compozitiei si debitul gazelor de proces introduse la
un anumit moment in tuburi, succesiunea si durata fiecarei faze, precum si
introducerea si extragerea nacelei cu plachete se programeaza si regleaza de un
calculator programabil care comanda si evolutia temperaturii palierului tubului
de cuart (ramparea cuptorului) si viteza de deplasare (la incarcare si descarcare)
a nacelei cu plachete. Partea laterala a tubului din cuart pe unde se introduce
nacela cu plachete in tub se gaseste sub o hota – 7 cu flux laminar. In timpul
proceselor de lucru aceasta gura a tubului este acoperita cu un capac de cuart – 8
(numit elefant alb) care serveste la incarcarea –descarcarea tubului si la
asigurarea racirii controlate a plachetelor, concomitent cu o protectie impotriva
riscului de contaminare (impiedica patrunderea aerului (O2, H2O, impuritati) in
tubul – 1, prin difuzie in sens invers curgerii gazelor de proces). Aceste gaze de
proces strabat tubul de cuart (curg pe langa plachete) la presiune atmosferica, cu
o viteza de 1 cm/s si sunt evacuate spre o coloana de aspiratie – 9 prevazuta cu
un neutralizator- recuperator pentru gazele toxice sau corozive (HCl s.a).
Dificultatea ce mai mare in timpul procesului de oxidare o constituie riscul
contaminarilor, in special cu sodiu. Impuritatile pot proveni din mediul ambiant,
din invelisul tubului de cuart, din fluidele utilizate sau din apa folosita la
barbotare (cand oxidarea se face in oxigen umed cu vapori de apa). Pentru a
reduce cat mai mult contaminarea se folosesc gaze de proces ultrapure, apa
deionizata de rezistivitate 18 MΩ , iar tuburile si celelalte accesorii din cuart se
330
`
spala periodic in acid fluorhidric. De asemenea, periodic se purjeaza tuburile de
cuart cu amestec de oxigen, vapori de apa si acid clorhidric, la o temperatutra cat
mai mare. Cu scopul de a evita deformarea plastica a tuburilor din cuart, acestea
se rotesc periodic cu 900.
Pentru a exista un control exact al procesului de oxidare al plachetelor, in
tuburile de cuart se introduc probe-martor monitorizate, prin intermediul carora
se pot detecta eventualele contaminari cu impuritati de dopare (bor, fosfor) care
pot exdifuza din plachete in timpul unor procese anterioare, cat si pentru a avea
un control exact al grosimii stratului de SiO2 format.
Alte tehnici de oxidare au la baza procedeele oxidarii anodice in plasma,
depuneri din faza gazoasa- vapori sau o oxidare umeda la presiune ridicata.

10.5.5. Masurarea grosimii stratului de oxid crescute pe plachetele

de siliciu sau din alte materiale semiconductoare cristaline prezinta o importanta
deosebita in tehnologia de fabricatie a circuitelor integrate si a celorlalte
componente electronice.
Grosimea stratului de oxid poate fi determinata prin masuratori de
capacitati MOS in acumulare [2], elipsometrie (pentru straturi subtiri),
interfrenta optica sau metoda culorilor, care este cea mai simpla si rapida.
Conform acestei metode, o placheta oxidata privita in lumina alba prezinta
o anumita culoare in functie de grosimea oxidului, datorita interferentei undelor
luminoase, culoriile repetandu-se in grupe aproximativ identice, corespunzatoare
la circa 2500 Å, numite ordine de multiplicitate. Cunoscand domeniul in care a
fost realizat startul de SiO2, grosimea acestuia se poate determina rapid
comparand culoarea plachetei (privita perpendicular) cu aceea dintr-un tabel de
conversie culoare-grosime sau dintr-o harta etalon a culorilor obtinuta prin
oxidarea plachetelor la diferite grosimi ale stratului de oxid si masurand
grosimile respective prin alta metoda, corespondenta culoare-grosime a stratului
de SiO2 fiind data in tabelul 10.6.

331
`
 Un alt procedeu rapid, mai ales pentru straturi mai groase de oxid, consta in
realizarea de trepte-ferestra in stratul de masurat, prin mascare cu fotorezistent si
corodare pana la substratul de siliciu, urmata de ridicarea grafica a profilului cu
ajutorul unui profilometru cu micropalpator special si sistem de amplificare.

Corespondenta intre grosimea SiO2 crescut termic si culoarea plachetelor oxidate

Tabelul 10.6
Grosimea
Culoarea
oxidului (Å)
500 “Tan” (culoarea pielii bronzate)
750 Maro inchis, cafeniu
1000 Violet inchis sper violet roscat
1250 Albastru regal
1500 Albastru deschis spre albastru metalic
1750 Auriu deschis sau galbencu nuante metalice
2250 Auriu cu nuanta galben-portocaliu
2500 Portocaliu spre culoarea pepenului galben
2750 Rosu-violet
3000 Albastru spre albastru-violet
3100 Albastru
3250 Albastru spre albastru-verzui
3450 Verde deschis
3500 Verde spre verde galbui
3750 Verde galbui
3900 Galben intens
4120 Portocaliu deschis
4250 Roz
4420 Rosu-violet

332
`
 Tabelul 10.6

Grosimea
Culoarea
oxidului (Å)
4650 Violet-rosu
4750 Violet
4800 Albastru violet (indigo)
4920 Albastru
5020 Albastru-verzui
5200 Verde
5400 Verde-galbui
Galben-verzui
5740 Galben spre cenusiu-galbui metalic
5850 Portocaliu deschis intre galben si roz
6000 Roz
6300 Rosu-violet
6800 Gri-albastrui (combinatie intre rosu-violet si albastru verzui)
7200 Verde albastru spre verse
7700 Galben spre cenusiu-galbui metalic
8000 Portocaliu
8200 Roz portocaliu
8500 Rosu-violet deschis (mat)
8700 Albastru-violet
8900 Albastru
9200 Verde-albastrui
9500 Verde-galbui
9700 Galben spre cenusiu-galbui
9900 Portocaliu
10.000 Roz

333
`
 Tabelul 10.6

Grosimea
Culoarea
oxidului (Å)
10.200 Rosu-violet
10.500 Violet-rosu
10.600 Violet
10.700 Albastru-violet
11.000 Verde
11.100 Verde-galbui
11.200 Verde
11.800 Violet
11.900 Violet-rosu
12.100 Rosu-violet
12.400 Roz spre roz portocaliu
12.500 Portocaliu
12.800 Galben spre cenusiu-galbui metalic
13.200 Albastru spre albastru-verzui
14.000 Portocaliu
14.500 Violet
14.600 Albastru violet
15.000 Albastru
15.400 Verde-galbui (mat)

A se vedea lucrarea de laborator corespunzatoare.

334
`
 10.6. Instalatii pentru realizarea straturilor subtiri utilizate in

microelectronica

10.6.1. Domenii de utilizare si procedee de realizare a straturilor

subtiri
Straturile subtiri metalice, semiconductoare, dielectrice, magnetice s.a. au
largi aplicatii in mecatronica si microelectronica, mai ales in tehnica circuitelor
hibride si a celor integrate, indeplinind functii de natura electrica sau pur
tehnologic. Astfel, se pot utiliza aceste straturi ca elemente pasive peliculare
(rezistoare, condensatoare, retele RC s.a.), pentru realizarea conexiunilor intre
diferite componente, pentru formarea contactelor, pasivarea circuitelor etc. Alte
straturi sunt folosite ca elemente de mascare (gravate-profilate dupa anumite
configuratii) pentru impurificarea selectiva a substratului prin difuzie,
implantare sau oxidare selectiva. De asemenea, straturile subtiri se mai
utilizeaza pentru acoperirea structurilor impotriva patrunderii impuritatilor, ca
mijloc de protectie mecanica sau fata de umiditate, s.a.
Procedeele de obtinere a straturilor subtiri pot fi: chimice (depunere
electrochimica, anodizarea, depunere chimica din faza de vapori – CVD sau
fizice – condensare din faza gazoasa – (evapoarare, pulverizare, crestere
epitaxiala) pentru straturile conductoare – metalice.
Indiferent de metoda de obtinere, straturile subtiri utilizate in
microelectronica trebuie sa aiba o grosime cat mai uniforma pe toate plachetele
procesate simultan si succesiv. De asemenea, straturile depuse trebuie sa
urmareasca cat mai bine relieful (denivelarile) de pe plachete si sa nu introduca
defecte, iar structura acestora sa poat fi controlata (impusa) si reproductibila.

335
`
 10.6.2. Instalatii si procedee de obtinere a straturilor dielectrice pe
cale chimica
Straturile dielectrice (SiO2 nedopat, SiO2 dopat, Si3N4, SiN s.a.) si de siliciu
policristalin (dopat sau nedopat) pot fi obtinute prin depunere chimica din
faza de vapori – CVD, ca efect a unor reactii chimice. Conditiile de depunere
sunt foarte diverse, procesele avand loc la temperaturi intre 100 si 10000 C si
presiuni intre 760 tor (1 atm) si 0,05 torr. Energia necesara declansarii si
intretinerii reactiilor chimice este furnizata prin incalzire, prin radiatie sau prin
descarcare in plasma.
Initial s-au utilizat procedeele de depunere la presiune atmosferica
(APCVD) in reactoare orizontale, fig. 10.59 in care plachetele – 1 sunt dispuse
pe un susceptor – 2, incalzit (rezistiv, prin radiatie sau inductie) de catre
sistemul – 5. Gazele de reactie intra prin orficiul – 3 si curg cu viteza mare peste
plachetele – 1, iesind prin orificiul – 4 al tubului reactor, din cuart – 6.

Fig. 10.59

O alta varianta constructiva este reprezentata in fig. 10.60 si este folosita la

depunerea de SiO2. Plachetele – 1 se dispun pe o banda tranzistoare – 2, fara
sfarsit, care are o deplasare continua v L , antrenarea fiind realizata de catre rolele
– 3 si 4, activate de catre motoare electrice.

Fig. 10.60

336
`
 Gazele de reactie ce intra prin orificiul – 5 plasat in centrul reactorului sunt
flancate la margini de doua perdele de gaz – azot (cu rol de protectie) care este
introdus prin orificiile – 6 si 7.
Un reactor APCVD larg
utilizat este prezentat in fig. 10.61.
Plachetele –1 sunt dispuse pe un
susceptor rotativ – 2, (miscarea
nr ), din grafit care este incalzit
rezistiv prin sistemul – 3. Gazele
de reactie – 5 patrund in reactor Fig. 10.61

prin orificiul - 4, al clopotului – 6

care formeaza incinta de reactie si
ies prin orificiile - 5 .
Uniformitatea straturilor depuse in reactoare care lucreaza la presiune
atmosferica este destul de modesta, deoarece este inflentata de neuniformitatea
temperaturii (care pentru suprafete mai mari este greu de realizat). In plus,
uniformitatea depunerilor este influentat si de forma reactorului (incintei de
reactie), de forma duzelor de injectie a gazelor de reactie si de debitele acestora.
Ca fenomene nedorite pot sa apara unele reactii in faza gazoasa, care au ca efect
formarea unor particule solide ce pot obtura traseele de introducere si evacuare a
gazelor, sau pot impurifica suprafetele plachetelor. In plus, sistemele APCVD
necesita multe manipulari ale plachetelor, fapt ce mareste riscul contaminarii
acestora.
Un alt procedeu, LPCVD, realizeaza la joasa presiune, si tine cont de faptul
ca este mai usor sa se incalzeasca uniform un numar mare de plachete intr-un
cuptor, decat pe o suprafata plana.
Un reactor LPCVD este prezentat in fig. 10.62, fiind compus dimtr-un tub
de cuart – 1 (sau din inox pentru depunerea de SiO2 de joasa presiune) ce este
incalzit intr-un cuptor de difuzie – 2, in tubul realizandu-se de fapt vid (de

337
`
 Fig. 10.62

ordinul 0,25-2 torr) cu sistemul – 3. Gazele de proces sunt introduse prin

orificiul – 4 si ies prin – 5. Temperatura este reglata in trei trepte intre 3000C si
9000C, iar debitele gazelor intre 100-1000 cm3/min. plachetele – 6 sunt asezate
perepndicular pe directia fluxului de gaze (similar ca la procesele de oxidare)
putand fi procesate simultan un numar ridicat de plachete, de diametre mari
(pana la 150 mm) cu o foarte buna uniformitate a straturilor depuse. Intrcat
majoritatea gazelor utilizate in procesele CVD au un grad ridicat de
periculozitate, fiind otravitoare (arsina, fosfina, diboranul), toxice (silanul,
acidul clorhidric, amoniacul), inflamabile (diclorsilanul, hidrogenul, fosfina,
arsina), corozive (amoniacul, acidul clorhidric, diclorsilanul) se impun masuri de
protectie si securitatea muncii deosebite.

10.6.3. Instalatii pentru realizarea straturilor subtiri prin procedee

fizice

Cele mai utilizate procedee fizice sunt prin> evaporarea termica in vid,
pulverizarea catodica, pulverizare in plasma de inalta frecventa, reactii in faza
de vapori (crestere epitaxiala).

338
`
 10.6.3.1. Evaporarea termica si condensarea in vid se poate folosi
pentru depunerea tuturor substantelor solide (metale, materiale semiconductoare,
dielectrice, feromagnetice s.a).

La baza depunerii straturilor subtiri prin evaporare in vid sta fenomenul

extragerii in faza gazoasa la o presiune foarte scazuta ( 5  10 4  10 7 torr), prin
activare termica a atomilor si moleculelor de pe suprafata materialului ce trebuie
depus aflat in starea lichida sau solida. Depunerea realizata in urma condensarii
materialului vaporizat pe suportul – substrat (mai rece) se poate face selectiv
(utilizand masti cu o anumita configuratie impusa) sau pe intreaga suprafata a
substratului – suport.
Pentru evapoararea termica, substanta ce urmeaza a fi depusa (in functie de
compozitia sa) se activeaza termic, cu ajutorul curentului electric prin efect
Joule, prin curenti de inalta frecventa, bombardament cu fascicul de electroni,
ioni sau radiatii laser [4,5], ultimele trei procedee in special pentru substante
complexe.
Ca efect al activarii termice are loc evapoararea inainte sau dupa ce a fost
atinsa temperatura de topire a materialului, cu exceptia unor substante ca Zn,
Cd, Mg s.a. care trec direct in starea de vapori – adica sublimeaza.
Structura cristalina, proprietatile fizice, compozitia si gradul de puritate al
stratului depus depind in mare masura de presiunea gazelor din incinta de
evaporare si gradul de puritate al mediului de lucru. De aceea, este necesar sa se
realizeze in incinta de lucru o presiune scazuta ( 10 5  10 7 torr), pentru a se
evita declansarea unor reactii chimice intre vaporii metalici rezultati si gazele
reactive din atmosfera incintei (CO2, H2O, N2) cat si pentru a se obtine straturi
depuse dense de inalta puritate cu structura uniforma. La presiuni mai ridicate
atomii materialului vaporizat s-ar ciocni cu moleculele de gaz, pierzand o parte
din energie, ceea ce ar determina obtinerea unor depuneri poroase. Schema de

339
`
principiu a unei instalatii pentru depunerea straturilor subtiri in vid este
prezentata in fig. 10.63.
Vidarea incintei – 2, se face (dupa ce in prealabil s-au montat plachetele
substrat - – si materialul de evaporat - 1) cu un sistem de pompe primare si
intermediare – 11 (vid preliminar, 10 2  103 torr) si apoi se continua cu pompe
de difuzie in ulei, turbomoleculare sau ionice – 10, pentru obtinerea vidului inalt
(10 5  10 7 torr).
Pentru a se realiza o buna uniformitate si aderenta a stratului depus pe
suportul – placheta – 4 este necesar ca inainte de inceperea procesului de
depunere sa se incalzeasca suportul – 4prin intermediul dispozitivului de
incalzire – 3- 3 . Protectia, in faza initiala a subansamblului 4-5, se face cu
obturatorul – 6 care se deschide numai cand intregul sistem ajunge la echilibru.

Fig. 10.63

340
`
 Tot pentru realizarea unui strat uniform pe plachetele – substrat este
necesar ca toate piesele pe care se va realiza depunerea sa aiba aceeasi pozitie
fata de sursa de evaporare – 1.
Pentru executarea depunerilor pe piese optice (acoperiri de protectie,
reflectorizante, filtre interferentiale sau in scopul modificarii unor caracteristici
optice) se utilizeaza dispozitive (in care se aseaza mai multe piese) sub forma de
cupola sferica sau piramidala care de obicei mai executa si o miscare lenta de
rotatie in jurul axei proprii.
Pot exista in incinta unul sau mai multe evaporatoare – 1, in forma de W,
U, spiralate, fig. 10.64. Aceste forme de evaporatoare utilizandu-se pentru
evaporarea metalelor si a materialelor semiconductoare care nu reactioneaza cu
materialul evaporatorului.

Fig. 10.64

Pentru evaporarea substantelor sub forma de pulberi sau care ar putea intra
in reactie cu materialul evaporatorului se folosesc creuzete din alumina (Al2O3),
oxid de thoriu (ThO2) sau de beriliu (BeO), cuart, grafit (nu pentru siliciu) s.a.
Vidul inaintat ( 10 4  10 7 torr) din incinta de lucru este necesar pentru ca
atomii substantei evaporate sa nu sufere un numar mare de ciocniri cu
moleculele gazelor reziduale din incinta. Controlul mentinerii vidului in limitele
impuse se face prin intermediul senzorului – 8 si al sistemului – 12, fig. 10.63.
Pentru ca stratul dorit sa aiba configuratia dorita, se folosesc ecrane – masti
speciale – 5 ce se deplaseaza in fata suportului – substrat – 4. Materialele din
care se executa mastile (care pot fi mobile sau de contact) trebuie sa aiba

341
`
presiune mica de vapori la temperatura de depunere astraturilor, un coeficientr
de dilatare redus si sa nu intre in reactie cu materialul evaporat sau cu materialul
suportului. De asemenea, materialul mastilor trebuie sa poata fi curatat –
indepartat usor chimic sau prin alte procedee (si eventual prelucrabil mecanic).
O deosebita importanta in tehnologia straturilor subtiri o prezinta suportul
de condensare sau substratul 4 pe care se va realiza depunerea. Calitatea si
proprietatile straturilor depuse depind in mod hotarator de natura si urmatoarele
caracteristici ale suportului: planeitatea si rugozitatea suprafetei, gradul de
impurificare, termoconductia, coeficientul de dilatare termica si factorul de
pierderi dielectrice, cat si temperatura din timpul condensarii.
Intrucat majoritatea straturilor subtiri se depun la temperaturi ridicate,
suportul – substrat trebuie sa reziste fara sa se deformeze termic sau sa emita
fractiuni volatile, sa aiba un coeficient termic cat mai apropiat de cel al stratului
depus, sa nu reactioneze cu substanta depusa (exceptand situatiile cand o
asemenea reactie este necesara). Avand in vedere numarul redus al materialelor
care pot indeplini aceste conditii severe, cercetarile au evidentiat ca se pot folosi
numai: sticla (pirex, cuart), ceramicile cristalizate (sticlo-ceramicile) cum sunt
sitalul si fotositalul (amestec de SiO (75%), LiO (11,5%), Al2O3 (10%) si P2O3
(3,5%)) sau materiale cristaline (safir, CaF2, Ge, GaAs, Si s.a.).
Prin procesul de evaporare termica si condensare in vid se pot obtine, in
principal straturi subtiri ale substantelor simple (metale, semiconductori) sau ale
materialelor care au o compozitie relativ simpla (compusi binari care nu
fractioneaza in domeniul temperaturilor de evaporare). Straturi subtiri ale
substantelor cu o compozitie complexa se pot obtine prin pulverizare catodica,
pulverizare in plasma de inalta frecventa, epitaxie in fascicul molecular,
evaporare cu fascicul laser sau cu fascicul de electroni.
Procesul de evaporare termica in vid este caracterizat de o serie de
parametri proprii substantei evaporate sau conditiilor de evaporare, si anume:

342
`
temperatura de evaporare (sau sublimare), energia atomilor evaporati si
presiunea de vapori caracteristica substantei respective.
Viteza de evaporare - w reprezinta cantitatea de material care se evapora in
unitatea de timp de pe unitatea de suprafata, fiind data de relatia analitica:

M
w  0,058 p v [g/cm2.s]
T

in care M este masa moleculara a substantei evaporate, iar p v - presiunea

vaporilor saturati ai materialului. De obicei se considera ca evaporarea are loc la
o temperatura pentru care se obtine o presiune de 10 2 torr, considerata ca
presiune a vaporilor saturati.
Inlocuind in relatie aceasta valoarea a lui p v se obtine:

M
w  6  10  4 [g/cm2.s]
T

Se observa ca viteza de evaporare depinde de natura substantei si de

temperatura - T la care are loc evaporare, ce poata sa diferee de temperatura de
topire sau de fierbere a substantei respective.
In mod conventional se admite ca temperatura de evaporare, temperatura
pentru care presiunea de vapori a substantei devine egala cu 10 2 torr.
In tabelul 10.7. sunt prezentate vitezele de evaporare (pentru p v =10 2 torr)
si presiunea de vapori pentru temperatura de topire a mai multor elemente
folosite in microelectronica [12] impreuna cu temperaturile de topire, fierbere si
respectiv evaporare:

343
`
 Tabelul 10.7
Temperatu- Presiunea de Temperatura de Viteza de
Temperatu-
ra de vapori la T de evaporare (la evaporare
Element ra de topire,
0
fierbere, topire, p  102 torr)  104
C 0
C torr 0
C g/cm.s
Aur 1063 2966 69.10-6 1463 1,95
Argint 961 2163 1,7.10-3 1047 1,67
-6
Aluminiu 660 2056 1,2.10 966 0,85
Bismut 271 1560 1,2.10-10 698 2,7
Cobalt 1493 3100 0,8.10-3 1649 1,02
Germaniu 959 2700 4,5.10-5 1251 1,27
-2
Siliciu 1423 2600 3,2.10 1342 0,77
-2
Fier 1539 2740 3,0.10 1447 1,02
Cupru 1083 2590 3,0.10-4 1273 1,18
Molibden 2622 4750 2,2.10-2 2533 1,05
Nichel 1455 3000 4,4.10-3 1510 1,06
Paladiu 1552 4000 8,7.10-3 1566 1,4
Platina 1769 4530 1,6.10-4 2090 1,68
Plumb 327,4 1725 5,4.10-8 718 2,67
Stibiu 630 1635 2,8.10-3 678 2,95
Tantal 2996 5300 5,6.10-2 5070 1,35
Titan 1668 3260 8,4.10-2 1546 0,95
Crom 1900 2469 6,4.10-7 1205 1,1
Zinc 419 913 1,6.10-5 343 1,9
wolfram 3410 5930 1,7.10-2 3309 1,45

A doua etapa in procesul obtinerii straturilor subtiri o constituie

condensarea substantei evaporate pe suprafata suportului – substrat care are o
temperatura inferioara temperaturii de evaporare. In urma ciocnirii atomilor (sau
moleculelor) substantei evaporate cu suprafata suportului, atomii pot fi reflectati

344
`
inapoi in urma ciocnirilor elastice, sau ca efect al cedarii energiei cinetice
suportului sa se produca condensarea pe suprafata acesteia.
Procesul de condensare si formare a straturilor subtiri, precum si
proprietatile fizico-chimice ale acestora depind de natura si temperatura
suportului – substratului, densitatea critica a fasciculului atomic (molecular),
viteza de condensare, presiunea si natura gazelor din incinta, materialul depus,
prezenta campurilor electrice sau magnetice, temperatura si procedeul de
evaporare, distanta si pozitia reciproca evaporator – suport de condensare etc.
Obtinerea straturilor subtiri ale substantelor compuse (binare, ternare etc.)
este un proces complex si greu de controlat in cazul procedeului evaporarii
termice si condensarii in vid.
In cazul compusilor constituiti din elemente ale caror viteze de evaporare
difera mult intre ele se aplica procedeul evaporarii din surse separate (metoda
celor trei temperaturi), metoda evaporarilor succesive sau procedeul evaporarii
instantanee (flash evaporation).
Procedeul evaporarii din surse separate (sau a celor trei temperaturi)
presupune evaporatoare separate pentru fiecare componenta A si B care vor
forma pe suprafata incalzita a suportului (aflat la temperatura TS ) compusul
binar AB. Presupunand ca una din componente, de exemplu A este mult mai
volatila decat componenta B, deci temperaturile critice se afla in raportul:
TA  TB
pentru a se condensa – depune pe suportul numai compusul AB este necesar sa
fie indeplinita conditia:
TA  TB  TS .
Cand temperaturile de incalzire se afla in aceasta relatie se pot obtine
straturi subtiri cu o compozitie apropiata de cea stoechiometrica sau de cea a
compusului initial.

345
`
 Utilizarea procedeului evaporarii instantanee (cu ajutorul fasciculelor de
electroni sau laser) permite obtinerea straturilor subtiri ale unor substante
compuse din elemente cu viteze de vaporizare mult diferite intre ele [5].

10.6.3.2. Realizarea straturilor subtiri prin pulverizare catodica

are la baza fenomenul ce apare la descarcarile electrice in gaze si care consta in
distrugerea catodului prin bombardarea acestuia cu moleculele de ionizare ale
gazului din incinta de descarcare.

Procesul fizic consta in

accelerarea, intr-o incinta vidata, fig.
10.65 a unor ioni, de obicei de argon
(in cazuri speciale azot sau heliu) cu
ajutorul diferentei de potential creata
intre anodul – 1si catodul – 2 si
bombardarea cu acesti ioni a unei
tinte – 3 (executata din materialul ce
trebuie depus) plasata in zona
catodului. Atomii de la suprafata
Fig. 10.65
tintei – 3 dislocati prin bombardare,
se depun pe substraul – 5 si pe peretii
incintei – 4.
Ionizarea gazului este asigurata de ciocnirile cu electronii secundari
proveniti din catod. Metalele greu fuzibile ca Ti, Pt, Mo, W, Au pot fi usor
depuse prin pulverizare catodica utilizand fie o descarcare in curent continuu
(DC) fie in curent de radiofrecventa (RF).
Pulverizarea catodica permite depunerea necontrolata a unor aliaje (uzual
Al-Si sau Al-Si-Cu) pastrandu-se compozitia materialului tintei, cu observatia ca

346
`
stratul depus incorporeaza impuritati de Ar (  2% ) si gaze reziduale, fapt ce
constituie un dezavantaj al procedeului de pulverizare catodica.
Pentru obtinerea unor straturi “curate” fara impuritati gazoase se foloseste
o varianta perfectionata a pulverizarii catodice – pulverizarea in plasma cu catod
incandescent, care in acest caz nu mai are rolul de surse de evaporare, fig. 10.66.
Sursa de evaporare o constituie
electrodul -1 (care are rolul unei
sonde Langmuir) dispus intr-o nisa
speciala ecranata cu ecranul – 7.
Suportul – 4 pe care se face
depunerea se aseaza pe electrodul – 8
prevazut cu incalzitorul – 5 pentru
suportul – 4. In momentul inceperii
procesului de depunere a substantei
pulverizate, ecranul obturator – 6 este Fig.10.66

indepartat din fata suportului – 4.

La aplicarea tensiunii intre anodul – 3 si catodul – 2, pentru producerea
unei plasme puternic ionizate, se foloseste un catod cald al carui curent de
emisie (de electroni) trebuie sa fie suficient de intens, iar in incinta de lucru – 9,
se face in prealabil vid cat mai inaintat si o buna degazare. Intrucat pentru
ionizarea plasmei se foloseste fascicul de electroni emisi de catod, in incinta se
aduce argon la o presiune de 10 3  10 4 torr, ceea ce conduce la o marire a
drumului liber mijlociu al moleculelor, deci la o reglare comoda a distantei
suport – sursa. Datorita faptului ca distanta suport – sursa este mai mica decat
drumul liber, atomii pulverizati nu mai sufera ciocniri cu gazele din incinta, pe
suport condensandu-se un strat fara incluziuni de gaze, ceea ce permite obtinerea
unor straturi subtiri de puritate inalta.

347
`
 10.6.3.3. Pentru realizarea straturilor subtiri din materiale cu
electroconductibilitate mica sau dielectrice, se utilizeaza procedeul pulverizarii
catodice in plasma de inalta frecventa, fig. 10.67. tensiunea de inalta
frecventa (10-20kW) obtinuta de la un generator – 6 de putere ridicata (5-10
kW) este aplicata electrodului – 1 care are placa metalica – 2 pe care se afla
materialul – substanta de evaporat – 7. Suporturile – 3 pe care are loc
condensarea sunt plasate la aproximativ 25 mm de placa -–2. Intrucat se
lucreaza cu tensiune de inalta frecventa materialul de evaporat de pe placa – 2
este initial bombardat cu ioni pozitivi si apoi cu electronii care apar la
descarcarea de inalta frecventa.

Fig. 10.67

Ionii, avand energie mare, vor produce pulverizarea materialului (ce poate
fi si dielectric), atomii acestuia depunandu-se pe suporturile – 3, iar electronii
vor impiedica formarea sarcinii spatiale pozitive deasupra suportului. Ca gaz de

348
`
lucru se foloseste de obicei argonul de inalta puritate. Pentru marirea
concentratiei ionilor de gaz (fara a mari presiunea gazului introdus) intreaga
incinta – 4 sau numai spatiul de descarcare se plaseaza intr-un camp longitudinal
(realizat de bobinele 5- 5 ). Aplicarea campului magnetic conduce la marirea
vitezei de depunere de 2-3 ori ca urmare a maririi concentratiei ionilor de gaz pe
seama cresterii numarului de ciocniri cu electronii obligati sa parcurga un drum
spiralat in jurul liniilor de camp magnetic.
Viteza de condensare se poate regla prin varierea puterii generatorului de
inalta frecventa, sau intensitatii campului magnetic sau prin intermediul
temperaturii suportului.
Prin pulverizarea in plasma de inalta frecventa, se pot obtine straturi subtiri
atat din materiale dielectrice, cat si din materiale semiconductoare sau metale
precum si pelicule de oxizi, nitruri (prin pulverizare reactiva) s.a.

10.6.4. Instalatii pentru obtinerea straturilor subtiri monocristaline

prin crestere epitaxiala

10.6.4.1. Procedee de realizare a straturilor subtiri epitaxiale

Cresterea epitaxiala a straturilor subtiri este un procedeu mult folosit in

tehnologiile de realizare ale circuitelor integrate monolitice, circuitelor hibride
compatibile, dispozitivelor si circuitelor optoelectronice si de microunde.
Prin epitaxie se intelege cresterea orientata a straturilor subtiri sau a
monocristalelor pe suporturi cristaline sau necristaline.
Initial, termenul de epitaxie s-a folosit pentru fenomenul de crestere a unui
strat cristalin pe suprafata unui suport cristalin de aceeasi natura (Si pe Si, Ge pe
Ge s.a), continuand astfel structura suportului, fenomenul numindu-se
autoepitaxie (sau homeoepitaxie). Atunci cand natura stratului epitaxial difera de
cea a suportului fenomenul se numeste heteroepitaxie (de exemplu Si pe Ge, Ge
pe NaCl, Si pe Cu s.a.).

349
`
 In unele conditii speciale (suporturi foarte curate si degazate termic in vid)
se pot obtine straturi subtiri epitaxiale (caracterizate prin orientarea ordonata a
cristalelor, sau prin asa numita textura) chiar pe suporturi amorfe (din sticla sau
alte substante necristaline).
S-au impus trei procedee de obtinere a strturilor subtiri epitaxiale:
- prin condensare din faza gazoasa in vid;
- prin reactii chimice si cristalizare din faza gazoasa (chemoepitaxie);
- epitaxie din faza lichida.
Ultimele doua procedee se aplica mai mult la realizarea circuitelor integrate
si a dispozitivelor semiconductoare mai ales pe baza de Si, Ge sau GaAs.

10.6.4.1.1. Prin procedeul chemoepitaxiei (homeoepitaxie -

autoepitaxie) straturile subtiri epitaxiale de Si, Ge se pot obtine prin cristalizare
din faza gazoasa sau prin reducerea clorurilor (sau a altor halogenuri) de siliciu,
germaniu s.a., fie prin disocierea termica a unor ioduri ale materialului
semiconductor folosit. In primul caz se utilizeaza de obicei SiCl4 (sau Ge Cl4)
transportata in faza gazoasa cu amestec de hidrogen deasupra suportului
(monocristal de Si sau Ge) incalzit la o temperatura ridicata (cu 10 pana la
1000C sub temperatura de topire). Procesul chimic de formare a stratului
epitaxial, pentru siliciu este:

SiCl 4  Si  2H 2  4HCl  Si
sau pentru germaniu
GeCl4  Ge  2H 2  4HCl  Ge .
In fig. 10.68 este prezentată schema de principiu a unei instalatii pentru
cresterea epitaxiala a straturilor de Si in sistem deschis, in flux de agent purtator
(H2 sau N).

350
`
 Fig. 10.68

Camera de reactie se compune dintr-un recipient de cuart – 1, in care se

afla placheta suport – 2 pe care se formeaza stratul de Si. Incalzirea se realizeaza
cu ajutorul cuptorului – 4. De obicei, tetraclorura de siliciu (SiCl4) se prezinta
sub forma unui lichid, care chiar si la temperatura camerei are o presiune de
vapori foarte ridicata. Pentru a mari in mod convenabil si a regla mai usor
aceasta presiune se incalzeste rezervorul care contine tetraclorura de siliciu -
SiCl4 (silan).
Se impune ca suportul monocristalin – 2 sa fie bine slefuit si decapat, dupa
care degazat in atmosfera de hidrogen la temperatura ridicata (  1250  1300 C
pentru siliciu). Viteza de crestere a stratului epitaxial poate fi reglata variind
temperatura suportului (deci temperatura la care are loc reactia), compozitia
SiCl4 :H2 (respectiv GeCl4 :H2), vitezele de curgere ale gazului inert si a
tetraclorurii, cat si durata de condensare.
Procedeul cresterii epitaxiale reactive din faza gazoasa este deosebit de
complex, avand particularitati specifice fiecarei substante in parte.

10.6.4.1.2. Obtinerea straturilor epitaxiale prin crestere din faza

lichida (E.F.L.) este un procedeu mult utilizat in tehnologia circuitelor
351
`
microelectronice speciale, optoelectronice si de microunde, mai ales din
materiale compuse semiconductoare binare.

Epitaxia din faza lichida consta din cresterea stratului epitaxial prin
precipitare pe un suport monocristalin, a materilului sub forma de solutie ce este
supusa unui proces rapid de racire. Pentru aceasta, solutia trebuie sa fie saturata
din materialul din care se va depune stratul.

Procesul tehnologic cuprinde trei faze si anume, fig. 10.69:

a. La o anumita temperatura, bine determinata, intr-un anumit dizolvant se

dizolva o cantitate din materialul din care va fi depus stratul epitaxial pana se
obtine saturarea solutiei in materialul respectiv.
b. Solutia obtinuta se
aduce in contact cu suportul
prin inclinarea
corespunzatoare a cuptorului
– 5 care contine un tub de
cuart – 4 in care s-a introdus
creuzetul –1 cu solutia
saturata –2 si suportul – 3 pe
Fig. 10.69
care va creste stratul epitaxial
– 6;
c. Printr-o anumita tehnica (micsorarea temperaturii, evaporarea
dizolvantului s.a.), in solutie se creaza suprasaturarea cu material ce trebuie
depus, avand ca rezultat, precipitarea din solutie, la contactul cu suprafata
suportului si formarea pe suprafata acestuia a unui strat subtire (epitaxial) din
materialul dizolvat.

352
`
 10.6.4.1.3. In continuare va fi prezentata o instalatie de crestere a
straturilor subtiri cristaline semiconductoare, din topitura.

Fig. 10.70

Instalatia curpinde, fig. 10.70, un buncar – 10 cuplat cu un sistem vibrator

cu ultrasunete – 1, pentru alimentarea cu granule de siliciu – 2, a unei cuve –
creuzet – 3, in care se realizeaza topirea materialului semiconductor. Prin
sistemul – 6 si senzorii – 4 si 5 se asigura mentinuerea unui anumit nivel minim
si maxim al materialului topit – 11 in cuva creuzet – 3, care este incalzita de
catre cuptorul – 7. Prin fanta (deschiderea) – 8, practicata in creuzetul – 3 se
face alimentarea cu material topit – 11 , a creuzetului – 9 ce este mentinut la o

353
`
anumita temperatura de catre cuptorul – 12, temperatura fiind controlata si
reglata prin sistemul – 18.
Depunerea de siliciu policristalin – 20 pe banda – 21 care este antrenata de
tamburul – 13 si prin sistemul – 14 si tamburul – 15 prin sistemul – 16, va
conduce la scaderea nivelului siliciului topit – 11 din creuzetul – 9, ce va
determina la semnalul transmis de detectorul de nivel – 22 marirea cantitatii de
granule de siliciu – 2 trimisa in creuzetul – 3 de catre sistemele – 1 si –10.
Coordonarea si reglarea tuturor parametrilor de lucru si succesiunea fazelor
pentru procesul tehnologic este realizata de catre caculatorul de proces – 19.
Instalatia poate fi utilizata si pentru cresterea monocristalelor din topitura,
cu adaptarile corespunzatoare, asigurand realizarea unor cristale de dimensiuni
mari, datorita sistemului de aprovizionare continua cu material – granule de
siliciu [28].

10.7. Instalatii si dispozitive pentru difuzia si impurificarea

controlata a materialelor semiconductoare

10.7.1. Impuritati in materiale semiconductoare

Prin impuritati in materiale semiconductoare se inteleg atat atomii straini,

in cazul semiconductoarelor elementare cat si defecte de ordin chimic,
materializate prin lipsa sau prezenta de atomi in surplus fata de compozitia
stoechiometrica, in cazul compusilor materialelor semiconductoare. Ca si alte
tipuri de defecte (de exemplu cele reticulare), impuritatile pot provoca o
modificare a distributiei sarcinilor electrice in corpul solid, numindu-se de aceea
uneori si defecte “electronice”. Pe langa aceasta actiune impuritatile introduse in
materialele semiconductoare influenteaza considerabil si proprietatile electrice,
optice, s.a. ale materialului respectiv.
Din punctul de vedere al actiunii electrice impuritatile pot fi electric active
sau neutre, intensitatea actiunii impuritatilor active electric fiind determinata de

354
`
concentratia acestora in materialul semiconductor. Limita inferioara sub care nu
se mai ia in considerare efectul impuritatilor este aceea sub care concentratia
purtatorilor de sarcina este egala cu concentratia intrinseca a purtatorilor la o
aceeasi temperatura. Aceasta concentratie limita este numita concentratie critica
si difera de la un material la altul. De exemplu, pentru germaniu la temperatura
de 200C aceasta concentratie critica este de 2,5  1013 atomi/cm3 .
Introducerea impuritatilor intr-un cristal se poate face in procesul de
obtinere a materialului (fig. 10.33) sau ulterior prin difuzie termica sau
implantare ionica. In cazul straturilor subtiri semiconductoare introducerea
impuritatilor in aceste straturi se poate face prin evaporarea impuritatilor
respective din surse independente, prin controlul temperaturilor suportului si
evaporatorului (metoda celor trei temperaturi) sau prin tratamente termice
ulterioare, in atmosfera controlata.
Un atom strain, patrunzand in reteaua cristalina a unui material
semiconductor se poate plasa fie printr-un interstitiu al retelei, fie intr-un nod
inlocuind acolo un atom al retelei de baza sau completand un loc vacant, putand
astfel satura sau nulegaturile cu care atomul inlocuit era legat in retea.
Daca atomul-impuritate are aceeasi valenta ca a materialului
semiconductor, atunci acest atom va satura legaturile retelei si configuratia
electronica locala nu se schimba, aceste impuritati fiind neutre.
Atunci cand prin introducerea
unui atom strain legaturile de
valenta ale atomului substituit din
reteaua materialului semiconductor
nu sunt saturate, aceasta poarta
numele deimpuritati ionizante
(active electric) intrucat ele
Fig. 10.71
modifica echilibru purtatorilor de
sarcina din materialul de baza.

355
`
 Asemenea impuritati electrice active introduse in reteaua materialului de
baza (in fig. 10.71 pentru monocristalul de siliciu) pot conduce la aparitia
semiconductoarelor de tip-n in cazul impuritatilor pentavalente – Sb, As, P, s.a.
Cand impuritatile introduse sunt acceptoare – trivalente (In, Ga, s.a.)
acestea conduc la aparitia semiconductoarelor de tip – p, fig.10.72.

Fig. 10.72

De obicei, cristalele semiconductoare pot contine atat centre de impuritati

donoare cat si de impuritati acceptoare. In majoritatea cazurilor reale
concentratia centrelor donoare – Nd difera de concentratia centrelor acceptoare –
Na , semiconductorul aparand in exterior a fi de tip-n sau tip-p cu rezistenta
electrica mai mare sau mai mica, in functie de modul in care se realizeaza
compensarea (partiala) a nivelelor donoare cu cele acceptoare.

356
`
 In tabelul 10.8. sunt date mai multe variante de impurificare pentru
semiconductoare cu legatura covalenta de tip siliciu si germaniu.
Tabelul 10.8
Caracterul electric
Grupa (din sistemul Distributia atomilor
Impuritatea al atomului
periodic) in retea
impuritate
Litiu
I In interstitiu Donor
Cupru 1
I In interstitiu Donor
Cupru 2
I In noduri Acceptor
Aur
I In interstitiu Donor
Aur
I In noduri Acceptor
Zinc
II In noduri Acceptor
Bor
III In noduri Acceptor
Aluminiu
III In noduri Acceptor
Galiu
III In noduri Acceptor
Indiu
III In noduri Acceptor

Taliu
III In noduri Acceptor

Staniu
IV In noduri Neutru
Azot
V In noduri Donor
Fosfor
V In noduri Donor
Arseniu
V In noduri Donor
Stibiu
V In noduri Donor
Bismut
V In noduri Donor
Oxigen
VI In interstitiu Donor
Sulf
VI In noduri Donor

357
`
 Se observa ca elementele grupelor a III-a si a V-a creaza in siliciu sau
germaniu nivele acceptoare si respectiv donoare in cazul plasarii atomilor
impurificatori in nodurile retelei de baza. Unele elemente ca de exemplu, atomii
de aur in germaniu sau siliciu pot da nastere atat la nivele donoare cat si la
nivele acceptoare in functie de pozitia lor in retea.
Concentratia si modul de distributie al impuritatilor introduse in mod
controlat in monocristalele semiconductoare prezinta o deosebita importanta
pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare si in special a sistemelor
electronice integrate, permitand crearea in interiorul monocristalului a diferitelor
componente pasive si active, a straturilor izolatoare intre acestea, s.a.

10.7.2. Procedee de difuzie si impurificare controlata a materialelor

semiconductoare.

10.7.2.1. Caracteristici ale procesului de difuzie.

Procesul difuziei si impurificarii controlate reprezinta unul din cele mai

importante procedee utilizate la obtinerea jonctiunilor p-n, ale rezistoarelor,
diodelor, tranzistoarelor, regiunilor si straturilor izolatoare in circuitele integrate.
Prin difuzia atomilor straini (de impuritate) intr-un corp solid se intelege
mecanismul prin care atomii de impuritate se deplaseaza in reteaua cristalina din
regiunea corpului in care concentratia impuritatilor este mai mare spre zonele in
care aceasta concentratie este mica, fiind un fenomen inevitabil care are loc in
timpul proceselor desfasurate la temperaturi inalte, si care modifica distributia
impuritatilor in semiconductor.
La temperaturi ridicate, in urma oscilatiilor termice, unii atomi capata
suficienta energie pentru a depasii bariera de potential care ii mentine in
echilibru in reteaua cristalului; parasind nodurile retelei, devin interstitiali lasand
in urma cate un nod vacant. Pozitiile vacante din noduri pot fi ocupate de alti

358
`
atomi care vin sub actiunea energiei termice si datorita gradientului de
concentratie.
- Cand un atom de impuritate migreaza spre nodul vacant mecanismul
se numeste difuzie prin vacante sau substitutionala.
- Daca atomul de impuritate se deplaseaza printre atomii (nodurile)
retelei fara sa ocupe un nod vacant, mecanismul poarta numele de
difuzie interstitiala.
In studiul procesului difuziei intr-un cristal trebuie sa se tina seama atat de
deplasarea atomilor impuritate cat si de deplasarea atomilor substantei de baza
(autodifuzie) care poate avea loc intr-un grad mai mare sau mai mic, in functie
de temperatura si durata procesului de difuzie, de natura substantei de baza,
gradul de perfectiune al retelei cristaline, presiunea si natura gazului – mediului
in care are loc procesul difuziei, s.a.
In procesul tehnologic de realizare a circuitelor integrate si a dispozitivelor
semiconductoare este necesar sa fie cunoscute o serie de caracteristici ale
procesului difuziei impuritatilor, fluxul particulelor difuzante printr-o suprafata
oarecare, grosimea stratului impurificat prin difuzie, cantitatea de atomi-
impuritate introdusi, s.a.[15].

De exemplu in cazul doparii siliciului, elementele folosite uzual in procesul

de dopare – impurificare fiind din grupele III si V acestea difuzeaza in retea
substitutional, prin vacante [12].

10.7.2.2. Factori ce conditioneaza procesul difuziei.

Procesul de difuzie este influentat de mai multi factori, dintre care

caracteristicile materialelor implicate si factorii energetici (in primul rand
temperatura) intervin cu o pondere foarte mare. Astfel, coeficientul de difuzie,
(caracteristic pentru fiecare material, tabelul 7.2) depinde in mare masura de
temperatura dupa o lege exponentiala. Astfel la temperaturi ridicate, o variatie

359
`
de cateva grade, poate sa dubleze valoarea coeficientului de difuzie, impunandu-
sede aceea un control foarte riguros al temperaturii de difuzie. De exemplu, la
realizarea circuitelor microelectronice din siliciu este necesar ca in timpul
procesului de difuzie al impuritatilor in intervalul de lucru 1000 – 1300oC,
temperatura (strict precizata pentru fiecare material) sa fie mentinuta constanta
cu o precizie de ± 0,5o.
In tabelul 10.9. sunt prezentati principalii parametri de difuzie a unor
elemente chimice in siliciu monocristalin.
Tabelul 10.9
Coeficient de Energia de Solubilita-
Tipul de
Element difuzie activatie H, tea limita
conductie
D.cm2/s eV cm-3
Aur 1,1.10-6 1,1 5.1016 amfoter
Aluminiu 1,5.10-11 3,3 7.1018 p
Arseniu 2,7.10-13 3,6 1020 n
Azot - - 1019 -
Bor 2,8.10-12 3,5-3,7 1021 p
Galiu (2,5-4,1) .10-12 3,5-4,1 1020 p

Indiu 8,3.10-13 3,9 1019 p

8,3.10-13 3,9 1017 p
Taliu
Fosfor 2,8.10-12 3,7 1022 n
Stibiu 2,2.10-12 3,9 1019 n
Bismut 2,0.10-13 4,6 1017 n
Litiu 1,3.10-5 0,66 1019 n
Mangan 2,0.10-7 - 1016 n
Fier 10-6 1,1 3.1016 -
Cupru 10-5 0,21 1018 p
Zinc 10-6 - 6.1016 p
Staniu - - 2.1019 -
Sulf - 2,1 -

360
`
 Se observa, ca elementele chimice apartinand grupelor I si VIII au valori
ridicate ale coeficientilor de difuzie spre deosebire de elementele din grupele III
si V care sunt cele mai utilizate pentru crearea nivelelor donoare si acceptoare,
ce au valori reduse ale coeficientilor de difuzie.
Practic toti difuzantii au o limita a solubilitatii, viteza de difuzie a
impuritatilor fiind invers proportionala cu solubilitatea lor in respectivele
materiale.
In tabelul 10.10. sunt date valorile solubilitatii maxime pentru dopantii
uzual folositi la impurificarea siliciului.
Tabelul 10.10

Solubilitatea maxima Temperatura de

Element
atomi/cm3 solubilitate maxima, oC

1017 1300
Aur

Aluminiu 1019-1020 1150

Arseniu 2.1021 1150
Bor 5.1020 1200
Fosfor 1,3.1021 1150
Galiu 4.1019 1250
Indiu 1019 1300
Stibiu 6.1019 1300

Pentru dimensiuni ale atomilor-impuritate apropiate de cele ale atomilor

retelei de baza este posibila difuzia pe noduri vacante sau schimburi cu atomii
retelei materialului dizolvant, ceea ce conduce la o limita de solubilitate ridicata.
Cand cele doua tipuri de atomi au dimensiuni foarte diferite si atomii de
impuritate nu pot ocupa nodurile vacante sau nu se pot mentine acolo din cauza

361
`
slabei lor legaturi chimice cu cristalul, difuzia are loc mai mult pe interstitii;
acesta fiind un mecanism de difuzie mult mai rapid, dar, intrucat in interstitii pot
fi plasati mai putini atomi straini, solubilitatea limita este mult mai mica decat in
cazul difuziei pe vacante. Deci, metalele pot sa difuzeze mai usor in materialele
semiconductoare (simple sau compuse) comparativ cu metaloizii sau ionii
negativi.
Adancimea de patrundere a impuritatilor si de formare a jonctiunilor p-n
este condiţionată şi de timpul – t al procesului ce influenţează şi distribuţia
impurităţilor difuzate in semiconductor. Cu toate că timpul se poate măsura
destul de precis, in condiţiile reale de lucru trebuie ţinut cont de caracteristicile
inerţiale (in special cea termică) ale proceselor şi utilajelor (cuptoarelor, surselor
de impurificare-dopare). Pentru a se obţine o bună reproductibilitate este necesar
să se aleagă in mod optim timpii de incalzire şi racire ale probelor, utilizându-se
aceleaşi echipamente şi acelaşi număr finit de plachete introduse in zone de
difuzie, in conditiile menţinerii constante a vitezelor de incărcare şi descărcare a
plachetelor in tuburile de difuzie [cap.5] .
Aşa cum s-a arătat, procesul de impurificare a unui cristal poate avea loc
fie in procesul de obtat, procesul de impurificare a unui cristal poate avea loc fie
in procesul de obţinere a materialului cristalin (subcap. 10.4.2.2.1), fie ulterior
prin difuzie termică (subcap. 10.5.3.3, fig. 10.56) sau prin implantare ionică.

10.7.2.3. Instalaţii de impurificare controlată prin implantare

ionică.

Implantarea ionică este un procedeu de impurificare controlată a

materialelor semiconductoare prin bombardare cu atomi ionizaţi ce au suficientă
energie pentru a patrunde in material, unde sunt neutralizaţi.
Procedeul s-a impus ca tehnică de impurificare in tehnologia circuitelor
integrate (in special MOS) existând posibilitatea unui control foarte exact al
concentraţiei, configuraţiei şi al adâncimii de penetrare a impuritaţilor. Procesul

362
`
de impurificare este foarte curat şi “uscat”, are loc in incinte vidate şi permite
utilizarea unei game largi de materiale pentru mascare (impurificare selectivă)
cum ar fi: SiO2, Si3N4, siliciu policristalin, fotorezist, ş.a. Controlând riguros
energia şi dimensiunile fasciculului ionic precum şi timpul de iradiere
impuritaţile sunt introduse liniar putându-se regla precis adâncimea de dopare şi
gradul de impurificare, existând posibilitatea executării şi a dopărilor succesive.
In acelaşi timp se poate stabili riguros traiectul şi configuratia regiunilor active
din circuitul integrat fără a se apela la măşti, fiind exclusă apariţia
impurificărilor laterale datorită penetrării liniare a fasciculului in material.
Implantatorul de ioni este de obicei un accelerator de ioni prevăzut cu
sisteme speciale de analiză de masă şi dozimetrie.

Fig. 10.73.

Schema de principiu a unui implantator ionic este prezentată in fig.10.73,

in care – 1 este generatorul de inalta tensiune, - 2 sursa de ioni, - 3 acceleratorul
ce asigură ionilor energii intre 30 KeV până la 200 KeV, - 4 separatorul
electromagnetic de masă destinat selecţiei ionilor doriţi, - 5 şi 5’ sisteme de

363
`
colimare şi deflexie a fasciculului de ioni şi – 6 camera ţintelor dotată cu un
sistem precis de măsurare a dozei implantate. Instalaţia este prevăzută cu
sistemele – 7 de realizare şi control a vidului inalt necesar in diferite zone ale
traiectului parcurs de fasciculul ionic. De saemenea există un sistem electronic
cuplat cu un calculator – 8, pentru reglarea si controlul parametrilor de lucru
(energia şi dimensiunile fasciculului ionic, direcţia de acţiune a acestuia ş.a.).
instalaţia are şi un sistem de post-separare (pre-accelerare) care realizează iniţial
accelerarea ionilor şi apoi selectarea acestora cu ajutorul unui separator
magnetic de masă al cărui principiu de lucru este prezentat in fig. 10.74.

Fig. 10.74

Această operaţie de separare fiind necesară intrucât fasciculul rezultat

conţine pe lângă ionii elementului impus şi alţi ioni, cum ar fi specii ionizate
diferit ale elementului dorit sau a altor elemente străine.
Separarea ionilor se bazează pe proprietatea că raza de curbură a
traiectoriei unui ion este proportională cu radicalul masei ionului. Creându-se cu
ajutorul unui electromagnet un câmp magnetic uniform, ionii vor fi obligaţi să
urmeze traiectorii curbe. Deci pentru un anumit potenţial de extracţie şi un câmp
magnetic impus, ionii de o anumită masă pot fi selectaţi prin poziţionarea
corespunzătoare a diafragmei – 1 (ce are fanta – 2) in faţa fasciculului ionic – 3
(fig.10.74) la ieşirea din separatorul de masă.
Separatorul de masă realizează simultan şi o selecţie a ionilor după energie,
lăsând să treacă numai ioni de masă şi energie bine stabilite.
Particulele neutre nefiind deflectate, traiectoria fasciculului se frânge cu 5-
10o de un deflector, pentru ca aceste particule să poată fi colectate.

364
`
 Alte variante constructive sunt dotate cu sisteme de “pre-separare” sau
“post-accelerare” care realizează mai intâi selecţia ionilor şi apoi accelerarea
acestora.
Sursa de ioni – 2, fig.10.73 este formată dintr-un sistem de ionizare a unor
compuşi ai elementelor necesare, de obicei fluoruri de exemplu : BF3 pentru
obţinerea de ioni 11B+, PF5 pentru ioni 31p+ sau AsF3 pentru ioni 75As+ . Ionizarea
gazului sursă – 9,se realizează prin descărcare cu catod cald sau rece, un câmp
magnetic dirijat corespunzător va mării eficienţa ionizării, obligând electronii să
urmeze traiectorii in spirală, ionii fiind extraşi din sursă printr-un orificiu care
imprimă o anumită formă fasciculului.
Este necesar ca fasciculul de ioni să poata baleia intreaga suprafaţă a
plachetelor-ţintă, baleiajul realizându-se fie prin deflexie electrostatică pe două
direcţii (OX, OY), fie mixt prin deflexia fasciculului pe o direcţie şi deplasarea
mecanică a suportului plachetelor caruselului – 6, fig. 10.73 pe cealaltă direcţie
prin rotire.
In prima variantă se baleiază complet câte o plachetă, iar in a doua variantă
se baleiază treptat toate plachetele poziţionate pe carusel.
Doza totală de implantare se măsoară cu ajutorul unui integrator al
curentului de fascicul, fig. 10.75 .

Fig. 10.75 a

365
`
 Fasciculul de ioni baleiat, este limitat de o apertură de arie – A. Placheta –1,
se poziţionează in interiorul proiecţiei acestei arii A, pe un suport metalic
inclinat cu aprox. 7, pentru evitarea “canalizării” ionilor. Suportul, aflat in
contact electric cu placheta este conectat şi la un integrator de curent – 2, fig.
10.75a. Pentru un curent de fascicul – IF şi un timp de implantare timp, doza
rezultantă este:
timp
1

q A  I F  dt .
0

Pentru simplificare, presupunând curentul de fascicul constant pe durata

implantării, doza va fi:

timp
  IF  .
q A
Intrucât măsurarea dozei poate fi afectată de electronii secundari emişi de
ţintă in urma bombardării cu ioni, ţinta se poziţionează intr-o cuşcă Faraday.
Prin polarizarea plăcii supresoare – 3, cu câteva sute de volţi faţă de ţinta - 1
(tipic – 600 V) majoritatea electronilor secundari sunt intorşi spre ţintă şi
respectiv integratorul de curent [2].
O altă variantă de implantator ionic este prezentată în figura 10.75b.

Fig. 10.75 b

366
`
 10.7.3. Efectele implantării şi tratamente de activare şi refacere a
ordinii cristalografice
Implantarea ionilor de impuritaţi, in special in siliciu monocristalin este
insoţită şi de producerea unor defecte in reţeaua acestuia. In acelaşi timp,
imediat după implantare numai o mică parte din atomii impurităţii ocupă poziţii
substituţionale care să le permită să fie activi electric, fiind necesară aplicarea
unor tratamente termice pentru activarea impurităţilor şi pentru refacerea ordinii
in cristalul impurificat.

10.7.3.1. Defecte produse de implantare.

La pătrunderea ionilor de impurităţi in cristalul de siliciu, aceştia se pot

ciocni de atomii reţelei deplasându-I din poziţia iniţială. Astfel in aproximativ
0,1 ps un anumit ion este frânat, iar in circa 1 ps vibraţiile termice ajung la
echilibru, după care in 1 ns dezordinea produsă in cristal se reduce prin procese
locale de difuzie.
Ionii uşori (de exemplu B11) sunt frânaţi mai ales prin interacţiune cu
electroni, inainte de a ciocnii un număr mare de nuclee, având ca efect creşterea
numărului de atomi dislocaţi in volumul materialului semiconductor.
In schimb ionii grei, cum sunt p31 sau As75, sunt frânaţi de nuclee imediat
ce au pătruns in cristal, dislocând un mare număr de atomi in apropierea
suprafeţei de impact. Dacă energia ionilor implantaţi este mare, atomii dislocaţi
pot primi suficientă energie pentru a disloca alţi atomi, rezultatul fiind un lanţ de
ciocniri succesive şi propagarea dezordinii in cristal. Ca rezultat zonele puternic
afectate pot deveni amorfe, in special in cazul implantării cu ioni grei.
Defectele induse in cristal pot fi vacanţe de diferite ordine, complexe
vacanţe-impuritate sau chiar dislocaţii dacă cristalul seincălzeşte excesiv in
urma implantării. Dezordineain cristal creşte proporţional cu doza de
impurificare până in momentul in care fiecare atom al cristalului este definitiv
dislocat. In acest moment cristalul suferă o schimbare de fază devenind amorf.

367
`
Doza critică de impurităţi necesară formării unui strat amorf, de exemplu in
siliciu, la temperatura de 20oC este de aprox. 8·1016cm-2 pentru bor, 6·1014cm-2
pentru fosfor şi 2·1014cm-2 pentru arsen. Procesul de amorfizare poate fi evitat
prin incălzirea cristalului in timpul implantării, la temperaturi cuprinse intre
50oC – 300oC, temperaturile mai mari fiind indicate pentru ioni de implantare
mai grei.
Procesul de implantare, in afara defectelor induse in zonele de siliciu
monocristalin impurificat afectează şi celelalte straturi existente pe plachete la
momentul respectiv. Astfel in cazul proceselor tehnologice pentru realizarea
circuitelor integrate MOS unele implantări se fac prin stratul de SiO2 care poate
fi afectat prin ruperea legăturilor siliciu-oxigen şi formarea de trape in oxid
(centri de captură la interfaţa Si-SiO2, care işi schimbă starea electrică după cum
sunt ocupaţi sau liberi). La utilizarea fotorezistului cu mască pentru implantare
acesta este afectat prin polimerizare accentuată şi evaporarea componentelor
volatile (N2, H2), stratul de fotorezist devenind bogat in carbon, se intăreşte,
crescând dificultăţile de inlăturare ulterioară a acestuia. In cazul implantărilor in
doză mare prin masca de fotorezist, acesta poate fi inlăturat complet ulterior,
numai cu jet de plasmă. De asemenea, la folosirea ca mască de implantare a
siliciului policristalin depus peste oxidul (SiO2) de poartă, trebuie luată in
condiderare posibilitatea contaminării stratului de SiO2 şi substratului cu ioni ai
elementului de dopare, datorită infiltrării acestora printre granulele siliciului
policristalin.

10.7.3.2. Tratamente de activare şi refacere a reţelei.

Scopul tratamentului termic de activare şi refacere este de a localiza atomii

de impuritate implantaţi in poziţii substituţionale şi a restabili ordinea in cristal
intr-o măsură cât mai mare fără a conduce la redistribuirea impurităţilor in
difuzie.

368
`
 Atât tratamentele de activare cât şi cele cu alte destinaţii (oxidări, difuzii,
ş.a.) se fac la temperaturi de peste 600oC timp de 15 – 30 min. in funcţie de
starea şi posibilitatea structurilor de a tolera procesul de incălzire in momentul
respectiv al fluxului tehnologic (etapei de procesare). Temperatura procesului de
activare fiind dependentă de doza de impuritate implantată şi de orientarea
cristalografică a substratului dopat.
Restabilirea ordinii in cristalul implantat incepe in jurul temperaturii de
400oC, la care activarea impurităţilor este realizată in proporţie de aprox. 20 - 30
%, crescând până la 50 – 90 % pentru temperaturi de 550 – 600oC, insă reţeaua
rămâne in continuare nerefăcută, timpul de viaţă şi mobilitatea purtătorilor fiind
incă degradate. Pentru doze mari de impurităţi, aceşti parametri nu ajung la
valorile normale decât după tratamente la temperaturi de peste 950 oC. procesul
de activare şi refacere este mai uşor in cazul ionilor uşori (bor), decât in cazul
ionilor grei (fosfor, arsen).
Atât in timpul tratamentului
de activare cât şi a altor procese
termice ulterioare, impurităţile
implantate se redistribuie
inevitabil prin difuzie, aşa cum
se poate vedea in fig. 10.76.
Spre deosebire de procesul
de impurificare prin depunere,
difuzia impurităţilor implantate Fig.10.76
este un proces complex, datorită
defectelor produse de implantare, in special la doze mari. De obicei, difuzia
atomilor implantaţi este mai rapidă decât a celor introduşi prin depunere,
coeficientul efectiv de difuzie putând creşte de câteva ori.
In unele situaţii din necesităţi tehnologice sau pentru un control exact al
parametrilor electrici al unor tipuri de tranzistoare se execută implantări

369
`
multiple. De exemplu, sunt cazuri când inaintea procesului de dopare cu ionii
impuşi se procedează la o dopare cu energie mare cu ioni inerţi (Ar, Ne, Si, Sn),
pentru amorfizarea ţintei-substanţei ce urmează a fi dopată. Acest procedeu
permite controlul profilului impurităţipor pe mai multe decade şi activarea
acestora la temperaturi joase  600oC, sau obţinerea după redistribuire a unui
profil adInc foarte plat prin superpoziţia unor profile implantate succesiv cu
doze şi energii diferite.
O tehnică de activare deosebit de eficientă utilizată in special in tehnologia
circuitelor MOS integrate pe scară mare este tratamentul rapid cu fascicule laser
emise in impulsuri. Datorită incălzirii locale şi pe durate foarte reduse, profilele
implantate pot fi activate fără o redistribuire apreciabilă (lungimea de difuzie
este de câţiva Å) putând fi realizată şi activarea sau difuzia selectivă a
impurităţilor, numai pe anumite zone [2, 5].

10.8. Instalaţii şi tehnologii de realizare a componentelor

electronice active

10.8.1. Fenomene de contact in structurile in structurile

semiconductoare şi microelectronice.
Fenomenele de contact prezintă o deosebită importanţă in electronica
componentelor semiconductoare şi in special in microelectronică. In cazul
structurilor electronice se pot intâlni contacte ohmice, neliniare şi injectoare:
- Contactele ohmice trebuie să posede o foarte mică rezistenţă electrică,
să nu deformeze forma semnalului transmis, să nu creeze zgomote
electronice, ş.a.
- Contactele neliniare destinate transformării neliniare a semnalelor
electrice, trebuie să posede o caracteristică neliniară cât mai abruptă şi să
satisfacă cerinţele specifice pentru fiecare categorie de aplicaţii practice

370
`
 (detecţie, amplificare, modulaţie, generare, multiplicare de frecvenţă,
ş.a.).
- Contactele injectoare care stau la baza funcţionării tranzistoarelor
bipolare, trebuie să permită injectarea purtătorilor minoritari, de
neechilibru, numai intr-o singură direcţie, in acest scop respectivul
contact trebuie să fie puternic asimetric. In plus, grosimea bazei
tranzistorului trebuie să fie suficient de mică, iar lungimea de difuzie a
purtătorilor minoritari să fie destul de mare pentru ca aceştia să nu sufere
recombinări in regiunea bazei.
In microelectronică se pot intâlni următoarele structuri care conţin diferite
tipuri de contacte (ohmice, neliniare sau injectoare): metal-metal, metal-
semiconductor, metal-dielectric, semiconductor-semiconductor (joncţiuni p-n) şi
semiconductor-dielectric.
Problema contactului electric intre două metale (diferite) prezintă o
importanţă specială, atât in circuitele integrate monolitice, cât şi in circuitele
reciproc integrate, hibride şi cu straturi subţiri in care se intâlnesc un mare
număr de contacte (metalizări) care unesc intre ele diferite elemente ale
circuitelor respective. De multe ori in circuitele microelectronice se utilizează
tensiuni de lucru mici, a căror valoare este apropiată de diferenţa de potenţial
care apare la contactul a două metale diferite. Mai mult, majoritatea contactelor
metalice in aceste circuite reprezintă de fapt structuri de tipul metal-dielectric-
metal (semiconductor), stratul dielectric (oxid) formându-se ca rezultat al
oxidării stratului metalic depus iniţial. In structurile de acest fel apar fenomene
de tunelare sau alte fenomene similare care schimbă caracterul (ohmic) al
contactului.
Contactul metal-semiconductor poate fi atât ohmic, cât şi redresor, in
ultimul caz fiind utilizat la fabricarea diodelor de tip Schottky, ş.a. după cum se
va vedea contactele metal-dielectric sunt folosite la fabricarea structurilor

371
`
peliculare care lucrează la curenţi limitaţi de sarcină spaţială, cu efect de câmp,
ş.a.
Funcţionarea diodelor peliculare cât şi a altor componente active
(tranzistoare, diode tunel,fotodiode ş.a.) este legată de fenomenele fizice şi
efectele care determină transportul sarcinilor prin straturile subţiri sau prin
structurile peliculare.
Din categoria acestor fenomene fac parte curenţii in straturi dielectrice sau
semiconductoare limitaţi de sarcina spaţială, emisie Schottky, curenţi
determinaţi de transportul electronilor fierbinţi in structurile peliculare, tranziţii
tunel ş.a. [15].
Regiunea de sarcină electrică
spaţială corespunde zonei de trecere
a planului unei joncţiuni, p-n sau n-
p, constituită din două straturi
vecine, fig.10.77. cu sarcini electrice
de semn contrar, in care se
evidenţiază formarea regiunii de
sarcină spaţială la o joncţiune p-n la
echilibru, care va determina apariţia
unui câmp electric intern Ú,indreptat
Fig. 10.77
de la regiunea de tip-n către regiunea
de tip-p. Acest câmp electric,
datorită sensului său are tendinţa să frăneze procesul de difuzie a purtătorilor de
sarcină majoritari, favorizând in acelaşi timp deplasarea purtătorilor de sarcină
minoritari (electronii in regiunea de tip-p, respectiv golurile in regiunea de tip-
n).
Efectul Schottky constă in emisia termoelectronică, peste bariera de
potenţial, la contactul metal-semiconductor (dielectric) această emisie

372
`
intensificându-se odata cu creşterea temperaturii, şi cu cât grosimea stratului
semiconductor (sau dielectric) este mai mică.

10.8.2. Dispozitive semiconductoare cu joncţiuni p-n.

10.8.2.1. Diode semiconductoare

Contactul a două regiuni semiconductoare, una de tip – p şi cealaltă de tip

– n va da naştere unei joncţiuni p-n in regiunea de contact, fig.10.78.

Fig. 10.78.

Există mai multe procedee de obţinere a joncţiunilor p-n pe baza cărora

sunt produse diferite dispozitive semiconductoare cu joncţiuni (diode,
tranzistoare, tiristoare ş.a.) sau circuite integrate. Se utilizează pentru realizarea
acestor joncţiuni procedeele tehnologice planare sau planar-epitaxiale, aliere,
difuzie şi implantare ionică.
Practic joncţiunea p-n se formează in interiorul unui mic bloc de material
semiconductor monocristalin prin introducerea impurităţilor donoare intr-un
capăt şi a impurităţilor acceptoare in capătul opus.
După caracterul structurii lor, joncţiunile p-n pot fi abrupte sau line (in
funcţie de modul de introducere a impurităţilor), simetrice sau nesimetrice
(acestea fiind cele mai răspândite). O joncţiune p-n nesimetrică se poate obţine
prin impurificarea unei regiuni delimitate dintr-un monocristal semiconductor
deja impurificat uniform (in timpul creşterii) cu impurităti de tip contrar, astfel
incât:
Na  Nd
unde: Na – concentraţia impurităţilor acceptoare;

373
`
 Nd – concentraţia impurităţilor donoare.

In cazul unei joncţiuni p-n concentraţia impurităţilor variază abrupt, insă

concentraţia purtătorilor va avea o veriaţie continuă, aproximativ liniară in
regiunea de contact, fig.10.79.
Datorită existenţei gradientului de
concentratii in regiunea invecinată
joncţiunii p-n, vor apare curenţi de
difuzie, electronii din domeniul – n
mergând spre regiunea – p, iar golurile
din zona – p spre regiunea – n. ca efect, in
scurt timp (cvasiinstantaneu)
concentraţiile de purtători in regiunile
invecinate planului de contact -¶ vor Fig. 10.79
scădea, fig.10.80. astfel incât rezistenţa
electrică va creşte.

Fig. 10.80

In urma difuziei purtătorilor din zonele adiacente planului de contact, in

aceste regiuni va apărea un srat dublu de sarcini spaţiale care vor da naştere unui
câmp electric sub acţiunea căruia apar curenţi ohmici şi goluri de electroni, care
la echilibru vor fi egali şi de sensuri contrare curenţilor de difuzie

374
`
(corespunzător purtătorilor majoritari) fig. 10.81. astfel incât curentul rezultat
care străbate joncţiunea p-n este nul.

Fig. 10.81.

La aplicarea unei
tensiuni electrice (UA), din
exterior, aceasta se regăseşte
in zona de sarcină spaţială a
joncţiunii conectând borna (+)
a tensiunii aplicate la zona de
tip-n şi borna (-) la zona de
tip-p, fig.10.82. atunci se va Fig. 10.82

realiza polarizarea inversă a

joncţiunii p-n.
In acest caz, câmpul electric creat de tensiunea UA, aplicată joncţiunii din
exterior, are acelaşi sens cu câmpul electric intern din regiunea de sarcină
spaţială, având ca efect creşterea barierei de potenţial electric peste valoarea de
echilibru. Aceasta va influenţa curentul de purtători majoritari (curentul de
difuzie) determinat de deplasarea golurilor majoritare de la regiunea-p spre
regiunea de tip-n şi de deplasarea electronilordin regiunea-n spre regiunea de
tip-p, conducând la diminuarea acestui curent datorită barierei de potenţial
crescut, astfel curgerea purtătorilor majoritari prin joncţiune fiind efectiv
blocată.

375
`
 In schimb, curentul de purtători minoritari (curentul de câmp) nu este
influenţat de mărimea barierei de potenţial, acest curent purtând denumirea de
curent de saturaţie a joncţiunii pn.
Deci la polarizarea inversă, curentul invers al joncţiunii pn este mic, fiind
limitat de viteza de generare a purtătorilor minoritari şi independent de tensiunea
inversă.
Dacă se aplică o tensiune electrică (+UA) de polarizare directă a joncţiunii
pn, adică se conectează borna (+) a tensiunii aplicate din exterior la regiunea de
tip-p şi borna (-) la regiunea de tip-n, fig. 10.83. atunci câmpul electric creat este
orientat in sens opus câmpului electric intern, fiind atenuată acţiunea de frânare
a difuziei purtătorilor majoritari.

Fig.10.83.

Ca efect, va scădea inălţimea

barierei de potenţial electric sub
valoarea de echilibru. Deci
polarizarea directă a joncţiunii
favorizează procesul de difuzie a
purtătorilor majoritari de sarcină,
curentul de difuzie crescând rapid,
proporţional cu tensiunea directă
aplicată joncţiunii, fiind mult mai
Fig. 10.84
mare decât curentul de câmp al
purtătorilor minoritari (care este
neglijabil), fig. 10.84.

376
`
 La polarizarea directă a joncţiunii “pn”, concentraţiile de purtători
minoritari in apropierea joncţiunii cresc in raport cu valorile corespunzătoare de
la echilibru, putându-se aprecia ca un proces de injecţie de purtători minoritari in
exces. Astfel, golurile (purtători majoritari in regiunea “p”) difuzează prin
regiunea de sarcină spaţială şi sunt injectate in exces in regiunea de tip “n” unde
fac să crească concentraţia de purtători minoritari. Dar, aceste goluri minoritare
injectate in regiunea “n” au un anumit timp de viaţă,  p , şi vor difuza spre

interiorul regiunii de tip “n” până la o anumită adâncime de pătrundere, numită

lungime de difuzie – Lp, până la completa lor recombinare cu electronii
majoritari.
Intre lungimea de difuzie – Lp şi timpul de viaţă –  p existând relaţia:

Lp  Dp   p

in care – Dp fiind constanta de difuzie a golurilor.

Valorile tipice ale lungimii de difuzie a purtătorilor minoritari sunt de
ordinul 10-4 – 10-2 mm.
O aplicaţie practică a
joncţiunii pn o constituie dioda
semiconductoare cu joncţiune
pn a cărei caracteristică curent-
tensiune este dată in fig. 10.85.
Din punct de vedere al
structurii fizice, o diodă
semiconductoare cu joncţiune
Fig. 10.85
pn asimetric dopată, fig. 10.86,
are următoarele caracteristici:
- Regiunea de tip-p este dopată mult mai puternic decât regiunea de tip-n,
adică concentraţia atomilor de imputităţi acceptoare Na in regiunea de tip-p este
mult mai mare decât concentraţia de impurităţi donoare din regiunea de tip-n,

377
`
rezultând o disproporţie mare intre
concentraţiile purtătorilor la
echilibru. La perturbarea
echilibrului, curentul de goluri
este mult mai mare decât curentul
de electroni care traversează
joncţiunea. Din această cauză in Fig. 10.86
regiunea de tip-n pot exista
concentraţii mari de goluri
minoritare injectate in exces.

- In zona de tip-n există două regiuni adiacente –n1 şi –n2, care au aceeaşi
concentraţie de impurităţi donoare Nd, dar cu timpi de viaţă diferiţi (  1 şi
respectiv  2 ). Regiunea-n1, adiacentă zonei-p are o lăţime-w mică, numită bază
subţire. Timpul de viaţă –  1 in această regiune este atât de mare incât
recombinarea ce apare aici este neglijabilă. Timpul de viaţă in regiunea –n2 este
atât de mic, incât se pot neglija concentraţiile corespunzătoare de la echilibru,
deci 1   2 .
In conducţie directă, dioda permite trecerea unui curent mare de conducţie
directă in domeniul a zeci sau sute de miliamperi, iar in conducţie inversă dioda
permite trecerea unui curent invers mic (domeniul nanoamperilor), raportul
dintre curentul direct şi curentul invers fiind de şase ordine de mărime. Deci, la
polarizare directă, dioda cu joncţiune p-n determină o cădere foarte mică de
tensiune la borne (tensiunea directă este de ordinul zecimii de volt) iar la
polarizarea inversă, dioda determină o cădere mare de tensiune la borne
(tensiunea inversă fiind de ordinul sutelor de volţi).

378
`
 10.8.2.2. Tranzistoare

10.8.2.2.1. Tranzistorul cu joncţiuni plane

După descoperirea efectului de tranzistor în 1947, în anul următor s-a

elaborat teoria tranzistorului cu joncţiuni plane. Acest tranzistor este alcătuit din
2 joncţiuni p-n plane realizate într-un mic monocristal semiconductor, rezult-nd,
o structură p-n-p în care purtătorii de lucru sunt golurile, fig. 10.87. sau n-p-n în
care purtătorii sunt electronii.
Prima joncţiune este a emiţătorului E
(emiţător-bază-B), iar joncţiunea a doua este a
colectorului – C (colector-bază). Pentru
funcţionarea corectă a tranzistorului,
joncţiunea emitorului este polarizată în sens
direct (prin aplicarea unei tensiuni externe) iar
Fig. 10.87
joncţiunea colectorului este polarizată în sens
invers.
O gamă largă de tranzistoare cu aplicaţii în domeniul frecvenţelor ridicate o
formează tranzistoarele cu câmp intern (drift). În acest tranzistor există o
distribuţie neuniformă a impurităţilor în bază
(care se obţine prin procese de difuzie) conducând la apariţia unui câmp electric
intern îndreptat de la emitor (concentraţia este maximă) spre colector. Ca efect,
acest câmp va produce accelerarea purtătorilor minoritari în drumul lor spre
colector, conducând la micşorarea timpului de parcurgere a bazei (de către
purtători), deci la obţinerea unei frecvenţe de cădere mai ridicată. Deci în baza
tranzistoarelor cu câmp intern, purtătorii minoritari injectaţi din amitor se
îndreaptă spre colector atât pe seama difuziei cât şi pe seama câmpului intern.
Procedeele de realizarea a tranzistoarelor cu câmp intern trebuie să permită
obţinerea unor structuri cu baza foarte subţire, utilizându-se de obicei procesele
difuziei termice simple sau duble. Dintre tranzistoarele cu câmp intern se vor

379
`
prezenta procedeele de fabricare pentru tranzistorul MESA, tranzistorul planar şi
planaro-epitaxial.

10.8.2.2.2. Tranzistorul MESA (denumirea provine de la forma

geometrică specifică de platou-masă) este prezentat în fig. 10.88., în procesul

Fig. 10.88

tehnologic de realizare utilizându-se procedeul difuziei duble. Pe o plachetă

semiconductoare de tip –p (sau –n în cazul tranzistoarelor n-p-n) care va
constitui colectorul dispozitivului, se creează prin difuzie un strat subţire (2-3
m) de tip –n, care va constitui baza tranzistorului.
Joncţiunile emitorilor (pe aceeaşi plachetă monocristalină se pot realiza mai
multe sute de mii de tranzistoare MESA)se obţin prin depunere-evaporare în vid
sau prin difuzie a unor impurităţi de acelaşi tip cu cele din colector, existând mai
multe modalităţi de realizare a acestor joncţiuni. Astfel, aceste impurităţi de tip –
p se pot introduce în stratul difuzat (de tip –n) numai în anumite sensuri (sub
forma unor benzi paralele) cu ajutorul unor măşti speciale rezultând structuri ca
cele prezentate în fig. 10.88, a. Peste aceste regiuni alternative (de tip –n şi –
p)se depune apoi un strat de fotorezist care este polarizat ulterior sub acţiunea
radiaţiilor ultraviolete numai în anumite zone, sub forma unor spoturi circulare
380
`
(utilizând măşti adecvate) fig. 10.88, b. Se observă că fiecare spot acoperă
parţial o bandă de tip –n şi una de tip –p. Întreaga plachetă cu aceste structuri
este supusă unui proces de corodare chimică, la suprafaţa acesteia rezultând
structurile tranzistoarelor. După metalizarea joncţiunilor bazelor şi emitorilor (în
vederea realizării contactelor) structurile sunt detaşate de pe placheta
semiconductoare. Fiecare tranzistor obţinut de fixează apoi prin sudarea
colectorului său pe o plăcuţă din molibden conţinând impurităţi de aur. Acest
procedeu tehnologic prezintă dezavantajul că în urma corodării zonei emitorului,
(şi bazei), fig. 10.88, c, joncţiunea colectorului intră în contact cu atmosfera
deschisă (înaintea pasivării şi corodării) având ca efect scăderea fiabilităţii
componentelor.

10.8.2.2.3. Tranzistorul planar se realizează tot prin procedeul difuziei

duble, astfel încât toate straturile corespunzătoare emitorului bazei şi
colectorului se află pe aceeaşi parte a plachetei semiconductoare, fig. 10.89.,
deci toate contactele la cele 3 zone se află de aceeaşi parte a dispozitivului.

Fig. 10.89

381
`
 Procesul tehnologic de realizare a tranzistorului planare este similar cu cel
pentru tranzistorul planaro-epitaxial şi constă în următoarele etape:
- iniţial placheta
semiconductoare de siliciu este
supusă unui tratament termic într-
oatmosferă oxidantă, având ca efect
formarea unui strat de SiO2 la
suprafaţă, fig. 10.90. a. Urmează
aplicarea unui strat de material
fotorezist deasupra oxidului, care va
fi expus la radiaţii ultraviolete
printr-o mască specială, ce este
reprezentată în fig. 10.90.b. Zonele
iradiate ale stratului fotorezistiv
polimerizează sub acţiunea
Fig. 10.90
radiaţiilor ultraviolete, rezultând o
combinaţie chimică foarte stabilă. Porţiunile neiradiate ale stratului fotorestiv
sunt îndepărtate uşor printr-o operaţie de spălare în anumite soluţii chimic active
fig. 10.90.c.
Placheta se introduce apoi într-o soluţie de acid clorhidric pentru a
îndepărta stratul de SiO2 din zonele neacoperite de fotorezist, fig. 10.90, d, după
care urmează un
proces de difuzie
pentru introducerea
impurităţilor necesare
formării bazei fig.
10.91.

Fig. 10.91

382
`
 Întrucât impurităţile acceptoare difuzează parţial şi sub stratul de oxid,
aceasta are ca efect o pasivizare a joncţiunilor viitorului tranzistor.
În mod similar la stratul de tip –p difuzat are loc impurificarea prin difuzie
cu impurităţi donoare de tip –n pentru crearea joncţiunii emitorului, fig. 10.91.
în prealabil repetându-se ciclul prezentat în fig. 10.90, a.d., de oxidare
selectivă şi de localizare, cu ajutorul măştilor, a regiunilor în care vor fi difuzate
impurităţile donoare (tip –n).
Tehnologia prezentată se utilizează atât pentru obţienerea tranzistoarelor
planare sau planaro-epitaxiale, cât şi pentru realizarea unor circuite integrate.

10.8.2.2.4. Tranzistorul planaro-epitaxial. Dacă pentru tranzistorul

planar se utilizează ca plachetă iniţială un material semiconductor impurificat
uniform, la realizarea tranzistorului planaro-epitaxial se pleacă de la o plachetă
iniţială având 2 straturi cu acelaşi tip de conducţie, dar cu rezistivităţi diferite.
Stratul superior în
care se va realiza difuzia
selectivă pentru crearea
joncţiunilor fig. 10.92, are
rezistivitate ridicată, fiind
obţinut prin creştere
epitaxială pe o plachetă
semiconductoare de
Fig. 10.92
rezistenţă mică.
Structurile planaro-epitaxiale prezintă avantajul pasivării de bună calitate a
dispozitivelor obţinute iar acoperirea cu SiO2 a întregii plachete permite
utilizarea procedeului şi la fabricarea circuitelor integrate.

383
`
 10.8.2.2.5. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor-MOS

Tranzistoarele MOS împreună cu rezistoarele şi capacităţile MOS au

aplicaţii largi în microelectronică la realizarea circuitelor integrate, memoriilor
ş.a.
Tranzistorul MOS este un tranzistor
cu efect de câmp cu poartă izolată, a cărui
structură este reprezentată în fig. 10.93
este realizat pe un suport semiconductor
(monocristalin) de obicei Si, de tip –p
(sau de tip –n) cu o rezistivitate de ordinul
 10 .cm. Pe acest suport, cu ajutorul Fig. 10.93

unor măşti speciale se introduc prin

difuzie sau prin implantare ionică impurităţi donoare (sau acceptoare) care
transformă local suportul într-o zonă de tip –n (respectiv –p) formând
joncţiunile p-n ale sursei şi drenei.
Un parametru de bază îl constituie distanţa – L dintre sursă şi drenă, care
este de circa 5 m la un tranzistor MOS ce va lucra ca amplificator de tensiune
şi L = 25-50 m pentru tranzistoarele folosite drept rezistenţe de sarcină. Pe
suprafaţa semiconductorului în regiune dintre sursă şi drenă se impune un strat
dielectric de SiO2 gros de 500-2500 Å, peste care se depune apoi electrodul
metalic al porţii. Prin potenţialul aplicat porţii –Vp se poate controla sarcina
spaţială dintre sursă şi drenă, influenţând astfel curentul prin tranzistor
(respectiv prin canal).
Dacă la suprafaţa regiunii semiconductoare de tip – n, cuprinsă între sursă
(S) şi drenă (D), fig. 10.94, se aplica pe poarta (P) un câmp electric de
intensitate ES, (determinat de diferenţa dintre tensiunea de poartă Vp şi tensiunea
VS existentă la suprafaţa semiconductorului datorită tensiunii de drenă), iar Wi

384
`
 Fig. 10.94

este grosimea stratului de SiO2, atunci dielectricul este străbătut de câmpul Ed,
dat de relaţia:
V p  Vs
Ed 
i
Atunci când tensiunea – Vs atinge lângă drenă o valoare egală cu – Vp,
datorită creşterii tensiunii de drenă – Vd, sarcina spaţială mobilă din stratul de
inversiune (de la interfaţa metal semiconductor) scade foarte mult şi devine
comparabilă cu sarcina din regiunea (apropiată) de sărăcire, ducând la
întreruperea curentului.
Tranzistoarele MOS se caracterizează printrâo rezistenţă de intrare foarte
mare (1010 – 1014) şi o rezistenţă mică de ieşire, caracteristici care fac posibilă
utilizarea acestor tranzistoare în circuite speciale şi în circuitele integrate logice
sau liniare.

10.8.2.2.6. Tranzistorul cu straturi subţiri

Procesul tehnologic de realizare a dispozitivelor active de amplificare-

tranzistoare cu straturi subţiri, comportă unele dificultăţi datorate slabei
reproductibilităţi a caracteristicilor electrice dat fiind structura policristalină a
straturilor semiconductoare subţiri. Rezultate bune s-au obţinut prin aceste

385
`
procedee la realizarea tranzistoarelor peliculare cu efect de camp – TFEC, care
pot fi executate în mai multe variante.
Indiferent de varianta constructivă, au un strat semiconductor – 1, (fig.
10.95) separat de electrodul de comandă – 2 printr-un strat izolator – 3,
electrozii de sursă – 4 şi drena – 5 fiind plasaţi în contact direct cu stratul
semiconductor, la o distanţă (L) mică între ei, de 5-50 m.

Fig. 10.95

Din aceeaşi familie face parte şi tranzistorul cu straturi subţiri cu electroni

fierbinţi. În construcţia acestor tranzistoare elemental principal îl constituie baza
sa, formată dintr-un strat metallic foarte subţire (care trebuie să fie de ordinul
lungimii de absorbţie a
electronilor fierbinţi în aceste
straturi, aproximativ 100 Å) ce
este dispus între 2 straturi
semiconductoare sau dielectrice.
Pe suprafeţele exterioare ale
acestor straturi semiconductoare
(dielectrice) se depun contacte
metalice (ohmice), rezultând
structura de transistor. fig. 10.96. Fig. 10.96

386
`
Unul dintre straturile externe joacă rolul de emitor, barierea de contact dintre
strat şi stratul metalic trebuind să permită injectarea unui flux intens de electroni
fierbinţi de neechilibru în domeniul bazei şi să frâneze curentul invers al
purtătorilor de echilibru din bază.
Celălalt strat alipit bazei metalice constituie selectorul tranzistorului. O
parte din fluxul electronilor fierbinţi injectaţi în bază vor fi împrăştiaţi în stratul
metalic, constituind curentul Ib, care se scurge prin electrodul bazei. Cea mai
mare parte a electronilor injectaţi va ajunge la contactul bază-selector şi trecând
peste bariere de potenţial (  C ) de la acest contact va crea curentul de colector I0.
Este necesar ca bariera de potenţial -  C să fie mai mică decât bariera de
potenţial -  e , de la contactul emitor-bază, adică:
e  C
Un asemena transistor lucrează similar cu un transistor n-p-n, cu baza la
masă, în care curentul Ib este mic, iar factorul de amplificare în current este
apropriat de unitate.

10.8.3. Circuitele hibride – sunt circuite passive cu structuri de obicei

subţiri, la care se ataşează ulterior elemente active (tranzistoare, diode
semiconductoare ş.a.). În mod current, se realizează şi circuite hibride cu
structuri groase, la care elementele pasive, inclusive conexiunile sunt realizate
pe suporturi dielectrice din ceramică, prin pulverizarea (mecanică) a materialelor
rezistive (cermeturi) sau materialelor conductoare.
Avantajele componentelor pasive peliculare (coeficient mic de temperatură,
rezistenţă mare la radiaţii, valori nominale exacte ş.a.) combinate cu cele ale
elementelor active permit prin realizarea circuitelor hibride obţinerea unor
performanţe speciale impuse de convertoarele analogic-digitale, circuitele de
înaltăţ frecvenţă ş.a.m.d.. Unele circuite hibride speciale (filter, circuite de
microunde) impun şi realizarea unor microinductanţe peliculare care se obţin

387
`
prin aceleaşi tehnici ca şi rezistoarele peliculare sau metalizările schemelor
peliculare, cu observaţia că materialul utilizat pentru microinductanţe trebuie să
posede o bună conductibilitate electrică astfel încât pierderile de înaltă frecvenţă
să fie cât mai mici.
La proiectarea şi realizarea circuitelor hibride trebuie să se ţină cont de o
serie de cerinţe impuse de dimensiunile şi configuraţia elementelor (rezistoare,
condensatoare, interconexiuni, microinductanţe ş.a.m.d.), de caracteristicile
materialelor folosite, tehnologia adoptată, posibilităţile de disipare a căldurii, de
alimentare, de pasivare, de interconectare şi testare a microschemelor ş.a.m.d.
Proiectarea schemei peliculare sau hibride cuprinde fazele proiectării
fiecărei componente sau serii de componente (rezistoare, condensatoare, reţele
RC, elemente active speciale), proiectarea topologiei circuitului şi
interconexiunilor, metodele de realizare a schemelor şi măştilor, procedeele de
pasivare, încapsulare şi testare a microcircuitelor. Datorită complexităţii
schemelor şi numărului mare de parametrii care trebuie luaţi în considerare,
proiectarea circuitelor hibride (ca şi a circuitelor integrate) se face numai cu
ajutorul calculatorului.
Procesul de realizare a circuitelor hibride cuprinde în general următoarele
etape:
- Proiectarea structurii topologice a schemei circuitului cu precizarea
formei şi dimensiunilor fiecărui element, a modului de amplasare şi a
interconexiunilor.
- Pregătirea suportului (formă, dimensiuni, starea suprafeţei active).
- Proiectarea şi execuţiei setului de măşti (pentru rezistenţe,
condensatoare, metalizări, straturi ş.a.m.d.).
- Depunerea elementelor componente, interconexiunilor, straturilor
izolatoare etc. Realizarea acestei etape se face prin mai multe depuneri,
putându-se ajunge până la 10-30 straturi depuse pentru cele multi-strat.

388
`
 - Ataşarea şi conectarea componentelor active (diode, tranzistoare) cu
sau fără capsula sau realizate special (sub formă microminiaturizată)
pentru circuitele hibride.
- Realizarea conexiunilor externe, pasivarea, încapsularea şi testarea
circuitului hibrid. Chiar dacă preţul de cost al circuitelor hibride este
mare (datorită procesului laborios de fabricaţie) este însă compensat de
precizia ridicată, fiabilitatea bună şi caracteristicile superioare ale acestor
circuite.

10.8.4. Instalaţii şi tehnologii de realizare a circuitelor integrate

monolitice

10.8.4.1. Într-un circuit integrat monolithic componentele sunt realizate

în interiorul sau pe suprafaţa CIP-ului din material semiconductor monocristalin
de obicei siliciu. Cip-ul unu circuit integrat monolithic poate conţine, de
exemplu, o mulţime de tranzistoare, dar celelalte componente care trebuie să fie
electric independente una cu alta nu sunt cuprinse în substratul-suport comun.
Aceste componente se izolează electric între ele intercalându-se cu joncţiuni p-n
suplimentare.
De exemplu, un transistor al
unui circuit integrat monolithic este
diferit de tranzistoarele clasice, prin
cele 4 stratuti semiconductoare
separate de 3 joncţiuni fig. 10.97.
Stratul suplimentar provine de
la distincţia care trebuie făcută între
Fig.10.97
colectorul unui transistor şi suportul
comun tuturor componentelor de
circuit.

389
`
 Joncţiunea p-n între regiunea colectorului şi suport formează o diodă care
izolează tranzistorul la polarizarea inversă. În fig. 10.98, a. este prezentată o
secţiune printr-un CIP din siliciu care ilustrează izolarea prin dioda pentru 2
tranzistoare cât şi schema echivalentă, fig. 10.98, b.

Fig. 10.98

Un alt procedeu de izolare între joncţiuni se bazează pe utilizarea straturilor

de SiO2 şi are ca efect reducerea considerabilă a capacităţii parazite de izolare şi
creştere a tensiunii de străpungere.
Circuitele integrate monolitice se pot realize prin următoarele procedee:
- creştere epitaxială şi difuzie;
- metoda colectorului difuzat;
- triplă difuzie.
Caracteristic celor 3 procedee este posibilitatea realizării structurilor cu 4
straturi, deci şi a tranzistoarelor integrate. Din cele 3 procedee, cel mai mult se
utilizează metoda creşterii epitaxiale şi difuzie. Circuitul se realizează pe o
plachetă de Si de tip – p pe care se creşte un strat epitaxial de Si de tip – n de o
grosime de aproximativ 25 m, fig. 10.99, b, care va forma colectorul
tranzistoarelor sau un element al diodelor şi condensatoarelor difuzate.

390
`
Rezistoarele şi celelalte elemente ale Fig, 10.99
tranzistoarelor, diodelor şi
condensatoarelor vor fi formate prin
difuziile ulterioare.
Urmează un proces de oxidare
termică a stratului epitaxial, la suprafaţa
plachetei formându-se un strat subţire de
SiO2 de o grosime de  5000 Å fig. 10.99,
c, prin încălzirea plachetei la aproximativ
1200C în atmosferă de oxigen. Acest strat
va servi ca suport pentru operaţiile de
mascare, fotolitografiere (impuse de fluxul
tehnologic) şi ulterior pentru pasivarea
joncţiunilor formate.
Înaintea procesului de difuzie (de izolare) care se face selectiv, numai pe
anumite zone, placheta se acoperă cu un strat uniform de fotorezist (emulsie
fotosensibilă).
Urmează polimerizarea selectivă a
fotorezistului, prin expunere la lumină
ultravioletă, folosind o mască fotografică
corespunzătoare, polimerizarea
fotorezistului având loc numai în zonele
Fig. 10.100
expuse la lumină. Stratul nepolimerizat
poate fi înlăturat uşor cu reactivi tipici
(HF), fig. 10.100.
Urmează procesul de difuzie realizat
cu materiale folosite curent, ca de exemplu Fig. 10.101

borul, care va difuza mult mai încet în

391
`
SiO2 decât în Si (adică în zonele unde a fost îndepărtat stratul de SiO2) fig.
10.101.
Practic suprafeţele acoperite cu SiO2, vor fi protejate (nu vor fi expuse la
difuzant), acest procedeu de difuzie selectivă cu măşti fiind esenţial în procesele
tehnologice de realizare a circuitelor integrate. Până când impurităţile pătrund în
siliciu prin zona unde SiO2 a fost înlăturat, placheta este supusă la o difuzie de
tip –p, de izolare.
Condiţiile de temperatură şi durată sunt astfel alese încât impurităţile de tip
–p difuzează în întregul strat epitaxial de tip n şi ating suportul de tip –p.
Izolarea se realizează prin joncţiuni p-n formate în jurul fiecărei regiuni –n,
astfel încât 2 insule –n sunt totdeauna separate prin 2 diode opuse în serie, a
căror polarizare este totdeauna inversă. În timpul operaţiei de difuzie se
formează un nou strat de SiO2 la suprafaţa regiunii de tip –p, stratul de SiO2
existent deja pe suprafaţa regiunii –n, devenind mai gros, fig. 10.101.
Procedeul de fotogravare prezentat
anterior este utilizat din nou pentru
utilizarea unei noi măşti de difuzie în
stratul SiO2 reconstituit.
Această mască, fig. 10.102,
Fig.10.102
permite formarea bazelor
tranzistoarelor, rezistoarelor şi catozilor
diodelor şi condensatoarelor cu
joncţiune.
Din nou o impuritate de tip –p
(bor) este difuzată prin ferestrele create
în stratul de SiO2 aflate deasupra

Fig. 10.103
insulelor de siliciu de tip –n. Reglarea
procesului de difuzie se face foarte
riguros, pentru a nu fi atins substratul.

392
`
Procesul se repetă, formându-se un nou strat de SiO2 deasupra regiunii difuzate
de tip –p, fig. 10.103.
Un al III-lea atac selectiv al stratutului de SiO2 are ca rezultat deschiderea
de ferestre în regiunile de bază pentru difuzia fosforului (pentavalent – tip n+)
care va conduce la formarea emitorilor tranzistoarelor şi a catozilor diodelor şi
condensatoarelor. Se mai pot deschide de asemenea ferestre în regiunile –n,
dacă concentraţia la suprafaţă este mică, zone unde trebuie prinse contacte
electrice pe stratul de tip –n.
Pentru a realiza interconectarea diferitelor componente ale circuitului
monolitic, se deschid în stratul de SiO2 pentru a IV-a oară ferestre în
microzonele unde vor trebui realizate contacte fig. 10.104. Apoi se va depune în
vid un strat subţire de aluminiu pe toată suprafaţa plachetei.

Fig. 10.104

Configuraţia interconexiunilor între componentele circuitului se face tot

prin fotogravură. Se înlătură prin atac chimic zonele cu strat de aluminiu inutil,
rămânând numai legăturile între tranzistoare, diode, rezistoare ş.a. Dacă circuitul
cuprinde condensatoare MOS se păstrează şi pelicula de aluminiu care formează
armătura superioară a acestuia.
Procesul tehnologic continuă cu tăierea plachetelor obţinându-se circuitele
individuale (CIP-uri) care se vor monta pe o plachetă din ceramică sau pe un alt
suport, la o anumită temperatură. Se realizează apoi conectarea firelor metalice
(diametru 25 m) cu terminalele – picioruşele circuitului integrat pentru
conectarea în montajul electronic general.

393
`
 Alte procedee tehnologice pleacă de la un substrat de tip –n, care va forma
regiunea colectorului [15].
Pentru a avea o imagine fizică mai sugestivă a unui circuit realizat prin
tehnologia prezentată, se dă în fig. 10.105 a, o vedere axonometrică, iar în fig.
10.105 b, o reprezentare la scară, cu cotele respective (1 mil = 25,4 m) pentru o
configuraţie tipică a unui tranzistor din structura unui circuit integrat. Se poate
observa că emitorul este realizat sub forma unui dreptunghi de 25,4 x 38,1 m
difuzat într-o bară de 63,5 x 101,6 m. Contactul chimic al bazei este realizat
prin 2 benzi metalice de o parte şi de alta a emitorului. Careul metalic care
înconjoară baza reprezintă contactul chimic al colectorului.

Fig. 10.105

Contactul emitorului este format dintr-un strat de aluminiu de 12,7 m

lăţime şi situat la 6,39 m faţă de extremitatea emitorului.
Încapsularea şi testarea circuitelor integrate se face în capsule, care trebuie
să satisfacă o serie de cerinţe şi anume: preţ scăzut, rezistenţă mecanică mare,
compactitate, ermeticitate, reactanţe parazite mici, comoditate la manipulare,
testare şi montaj.

394
`
 Prima fază a procesului de încapsulare constă în controlul CIP-urilor (pe
plachetă) şi marcarea acelor deefecte cu o cerneală magnetică, ce va facilita
ulterior sortarea automată a CIP-urilor rebutate. Urmează apoi operaţia de
decupare-separare în CIP-uri independente, executată cu discuri diamantate
speciale, sau fascicule laser emise în continuu [5,7].
Etapa următoare constă în fixarea-sudarea CIP-urilor pe un suport grilă
metalic şi sudarea firelor de interconectare între padurile circuitului şi
terminalele circuitului integrat. Fixarea CIP-urilor se face pe grile metalice
(decupate prin ştanţare de mare precizie) executate din aliaje de cupru sau Fe-Ni
sau pe un substrat ceramic cu 90-99,5% Al2O3. Sudarea autectică, se realizează
prin intermediul unor preforme din aur sau Au – 2% Si groase de aprox. 50 m
şi plasate între structură (CIP) şi substrat. Spatele structurii este metalizat (aurit)
încă de la procesarea plachetelor pentru ca sa fie ”udat” de preformă. Substratul
– grilă metalică este de asemenea metalizată (aurită). Sudarea se realizează
printr-o uşoară frecare mecanică la temperatura eutecticului de 370C. Preforma
dizolvă siliciul până când se depăşeşte compoziţia eutectică Au - 3,6% Si şi pe
măsură ce compusul se îmbogăţeşte în Si el se solidifică, sudarea fixarea
încheindu-se. O altă modalitate de fixare a CIP-urilor utilizează adezivi
epoxidici cu conţinut de argint. Aceştia sunt mai ieftini decât preformele de aur
şi se pretează mai bine la automatizare. Temperaturile la care se face lipirea
variază între 125 şi 175C.
După fixarea CIP-urilor urmează operaţia de sudare a firelor de
interconectare între padurile circuitului – capsulei. Operaţia se realizează cu fir
de aur (25-50 m) prin termocompresie, ultrasonic. Sudarea unui fir poate fi
făcută direct, sub formă de pană (formă rezultată la ruperea prin strivire a
firului), fig. 10.106. sau topind mai întâi capătul firului care formează astfel o
mică sferă. În general, firele de aur se sudează în sferă pe CIP şi în pană pe
capsulă. În cazul utilizării firelor de aur sudate pe padurile de aluminiu, poate

395
`
apărea o fază intermetalică Au5Al12 de culoare purpurie (numită plagă purpurie)
care poate diminua fiabilitatea contactului.
În fig. 10.106 este prezentată schema de principiu a sistemului de sudare
prin termocompresie cu fir de aur. Firul de aur – 1 aflat pe bobina – 2 este
ghidat-îndreptat prin dispozitivul - 3 după care este trecut peste întinzătorul – 4
( 5 gf) şi ghidat în dispozitivul de poziţionare – 5 (după cele trei direcţii Ox,
Oy, Oz). Sistemul de formare – sudare – 6, menţinut la o anumită temperatură
(de sistemul de încălzire – 7) realizează efectiv sudarea, iniţial în fereastra
deschisă în CIP-ul – 9 şi apoi sudarea sub formă de pană pe terminalele de
conectare – 12, ale circuitului integrat.

Fig. 10.106

În timpul operaţiei de sudare atât CIP-ul în care în prealabil s-au deschis

„ferestrele” (metalizate prin depuneri în vid) cât şi grila metalică cu terminalele
– 12 este menţinută la o anumită temperatură de “microvatra” – 11.
Evoluţia fazelor procesului de sudare prin termocompresie este prezentată
în fig. 6.107. În faza I, prin topirea vârfului firului – 1 se formează microsfera -
2 care în faza II va fi sudată şi deformată – 3 pe depunerea metalică – 4 de pe

396
`
CIP-ul – 5. În faza următoare dispozitivul – 6se deplasează asupra unui terminal
metalic – 7 realizând sudarea şi tăierea în pană. În faza IV este arătat
dispozitivul înainte de a executa o nouă operaţie de sudare.

Fig. 10.107

Ultima etapă constă în formarea şi închiderea capsulei. Capsulele clasice

tip (“dual-in-line-package”) se bazează fie pe materiale ceramice refractare, fie
pe materiale plastice turnate peste grilele metalice. Capsulele ceramice multistrat
se utilizează pentru circuite care impun o fiabilitate ridicată, iar circuitele care
necesită o închidere ermetică, dar care trebuie să aibă un preţ mai accesibil,
folosesc capsule Cerdip. Acest tip de capsule se realizează prin lipirea unei grile
între 2 porţiuni ceramice presate, cu ajutorul unei sticle de temperatură joasă
(PbO – ZnO – B2O3), la peste 400C. În cazul circuitelor cu utilizare obişnuită,
pentru care preţul este un element hotărâtor se utilizează capsule din plastic
mulat. Mularea se face în mod obişnuit după sudura CIP-urilor şi a firelor de
grile. Pentru a evita expunerea structurilor şi firelor la materialul de mulare
vâscos, se utilizează uneori şi capsule din plastic gata mulate (similare
capsulelor ceramice multistrat) în care se introduc ulterior şi interconexiunile.
Materialele cel mai larg utilizate pentru capsulele din plastic sunt răşini
epoxidice (numite “Epoxy-A”), răşini epoxidice novalac (“Epoxy-B”) şi răşini
siliconice. Trebuie ţinut cont de faptul că în costul final al unui circuit integrat,
ponderea capsulei este comparabilă cu cea a structurii, uneori chiar superioară.

397
`
 10.8.5. Unele consideraţii privind materialele utilizate şi condiţiile
tehnologice care trebuie respectate în procesele de realizare ale
circuitelor integrate.
Întrucât microelectronica, şi în special industria circuitelor integrate
reprezintă unul din vârfurile tehnicii actuale, tehnologiile şi materialele folosite
trebuie să îndeplinească o serie de rigori deosebite. Astfel materialele utilizate în
toate etapele de procesare trebuie să fie de o puritate chimică şi fizică cu totul
deosebită iar procesele tehnologice să se desfăşoare în condiţii de puritate,
curăţenie, atmosferă controlată şi disciplină tehnologică foarte stricte. Uneori
este mai uşor de fabricat un circuit integrat având condiţiile necesare decât să se
asigure şi să se menţină aceste condiţii în timp.
Materialele utilizate sunt foarte diverse, de la plachetele din siliciu şi plăci
fotosensibile de înaltă rezoluţie la o gamă largă de produse chimice şi gaze
ultrapure. Deşi multe din aceste materiaşle sunt folosite şi în alte ramuri ale
industriei semiconductoarelor, cele pentru circuitele integrate şi în special
CMOS au caracteristicile cele mai apropiate de perfecţiune. Orice rabat făcut
calităţii materialelor are consecinţe dezastruoase, deoarece durata buclei dintre
lansarea în fabricaţie şi răspuns – produsul final - este mare. Astfel, până la
sortarea electrică a CIP-urilor şi uneori chiar până la probele de fiabilitate sau
chiar utilizarea circuitelor, o modificare a calităţii materialelor (sau a unui
proces) poate trece nesesizată, între timp fiind procesate în pierdere foarte multe
alte circuite.
Puritatea materialelor chimice utilizate în tehnologiile MOS (acizi, baze,
solvenţi ş.a.) reprezintă un parametru de referinţă. De exemplu, puritatea
necesară industriei semiconductoarelor variază între nivelul PA (puritate pentru
analiză) şi nivelul EG (Electronic Grade). Substanţele de puritate chimică EG
filtrate de particule în suspensie peste 0,2 m sunt de puritate MOS.
Gazele de proces trebuie să prezinte şi ele un grad foarte înalt de puritate,
urmele de impurificare fiind măsurate ca şi în cazul materialelor chimice, în

398
`
părţi de miliard. Pentru păstra această puritate până la intrarea în proces, întrucât
multe gaze sau amestecuri de gaze necesită condiţii speciale de preparare (fiind
toxice şi inflamabile), gazele sunt menţinute în butelii până la utilizare sau sunt
trecute prin purificatoare speciale, când se prepară în staţii locale (azotul,
hidrogenul, oxigenul).
Apa deionizată este un fluid tehnologic mult utilizat în cantităţi mari pentru
frecventele clătiri, spălări ale plachetelor. Întrucât există riscul ca particulele
aflate în apă şi contaminanţii ca Na, Fe, Cu ş.a. să se fixeze pe plachete,
degradând circuitele, apa deionizată utilizată este ultrapură, principalele sale
caracteristici fiind controlate în mod continuu înainte de folosire (rezistivitate 18
M.cm la 25C).
Mediul – atmosfera de desfăşurare a proceselor tehnologice de fabricaţie
pentru circuitele integrate trebuie să corespundă unor parametrii riguroşi privind
curăţenia, temperatura şi umiditatea. Particulele din aer (praf sau particule
generate de anumite procese sau emise de om) nu trebuie să ajungă pe plachete
întrucât ar produce contaminări catastrofale pentru structurile acestora.
De aceea, toate procesările plachetelor au loc în camere albe prevăzute cu
sisteme speciale de purificare şi climatizare. Asigurarea clasei de desprăfuire (de
la clasa 10 la 100.000) impuse se realizează prin filtrarea şi recircularea
permanentă a aerului, prin menţinerea unei suprapresiuni faţă de incinta
următoare (sau exterior). Aceesul în aceste “camere albe” se face prin “duşuri”
de aer condiţionat, care curg laminar din tavan (cu aprox 25 m/min). Plachetele
de siliciu sau măştile se manipulează si transportă exclusiv sub hote cu flux
laminar de aer, cu sisteme proprii de filtrare şi recirculare (clasa de desprăfuire
100).
Un pericol deosebit pentru fabricaţia circuitelor integrate îl reprezintă
electricitatea statică, datorită efectelor directe asupra structurilor (străpungerea
dielectricilor foarte subţiri cum sunt oxizii de poartă, deteriorarea joncţiunilor,
metalizărilor prin topire sau arc electric, crearea unor diferenţe de potenţial

399
`
electrochimic între plachete şi soluţiile de procesare, având ca efect corodări
nedorite ş.a.) cât şi datorită efectelor indirecte legate de reţinerea particulelor de
praf care se pot elibera apoi necontrolat. De aceea trebuie luate măsuri speciale
de antistatizare, utilizând ionizatoare de aer, materiale antistatice pentru
pardoseli, costume antistatice pentru operatori (care pot constitui surse majore
de contaminare a mediului de lucru).
Disciplina tehnologică constituie un alt grup de factori esenţiali în
fabricaţia structurilor de circuite integrate. Respectarea strictă a regulilor de
acces, comportament, întreţinere a microclimatului tehnologic, a specificaţiilor
şi normelor tehnologice, a momemtelor şi procedurilor de control, a
instrucţiunilor de operare şi monitorizare a echipamentelor şi proceselor nefiind
permise abateri şi derogări, ca la alte procese de fabricaţie.
Strânsa interdependenţă între procesele succesive constituie prima
dificultate importantă a proiectării şi ulterior a menţinerii în stare operativă a
unei anumite tehnologii pentru circuitele integrate. Datorită interdependendeţei
dintre procese este posibil ca modificând o singură etapă în vederea optimizării
unui anumit parametru, să se modifice involuntar un alt parametru al structurii
cu rezultate catastrofale. De aceea, la proiectarea (reproiectarea) unei tehnologii
trebuie ţinut cont de întregul ansamblu secvenţial de procese, iar după stabilirea
şi verificarea unui flux tehnologic să fie studiate teoretic şi verificate
experimental toate implicaţiile modificărilor operate, inclusiv simularea pe
calculator a proceselor tehnologice respective.
Cuplat cu interdependenţa proceselor, fabricaţia structurilor de circuite
integrate este afectată şi de „efectul întârziat” al imperfecţiunilor de procesare,
care comparativ cu alte tehnologii (mecanică, electronică) este mai puţin
previzibil [22].

400
`
 10.9. Instalaţie pentru obţinerea fibrelor optice

În ultimul timp s-a extins foarte mult domeniul de utilizare al fibrelor

optice (telecomunicaţii, tehnică militară şi aerospaţială, optică, medicină ş.a.)
datorită caracteristicilor şi proprietăţilor deosebite pe care le au fibrele optice în
calitate pentru suport pentru transmiterea informaţiilor şi preţul de cost din ce în
ce mai scăzut.

10.9.1. Caracteristici generale ale fibrelor optice

Fibra optică este o fibră transparentă cu atenuare redusă la radiaţia
incidentă, realizată dintr-un material optic omogen şi înconjurată la exterior de
un înveliş dintr-un material dielectric cu indice de refracţie mai mic decât al
miezului. Mai multe fibre optice încojurate fiecare de o manta dielectrică
asamblate într-un mănunchi în interiorul unui înveliş de protecţie formează un
cablu optic sau ghid de undă optic, fiecare fibră optică din cablu constituind un
canal independent de transmisie optică a informaţiei, utilizându-se ca purtător,
cărăuş de informaţii, radiaţiile laser [21].
Parametrii fundamentali ai unei fibre optice sunt atenuarea şi dispersia
semnalului transmis. Unghiul maxim de incidenţă (unghiul critic) se determină
cu relaţia, fig. 10.108.

 C  arcsin n12  n22 ,

Fig. 10.108

401
`
în care n1 – indicele de refracţie al miezului, n2 – indicele de refracţie al
învelişului, cu condiţia n1>n2.
Randamentul de transmisie al fibrei optice (apertura numerică) este dat de
relaţia:

An  n12  n22
Primele fibre optice aveau o atenuare foarte mare a semnalului (aprox
1000dB/km) fiind nepracticată utilizarea lor. În prezent s-a ajuns la atenuări ale
semnalului transmis de ordinul 0,4-1 dB/km.

10.9.2. Tipuri de fibre optice

Fibrele optice se produc în prezent într-o gamă foarte largă de caracteristici
şi performanţe cu aplicaţii foarte diverse, dar mai ales în telecomunicaţii.
Condiţiile tehnice severe impuse fibrelor optice şi în special:
- transparenţă cât mai bună la lungimea de undă a radiaţiei utilizate;
- stabilitatea chimică în timp – ridicată;
- prelucrabilitate facilă în toate fazele procesului tehnologic, au făcut ca
3 grupe de materiale să aibă o utilizare mai largă:
- bioxidul de siliciu pur în amestec cu anumiţi oxizi-dopanţi;
- sticlele multicompozite;
- materialele plastice.
Cu toate că materialele plastice au prelucrabilitate facilă utilizarea acestora
şi pentru miezul fibrei optice (şi nu numai pentru înveliş) rîmâne o problemă
încă nerezolvată, caracteristicile optice net inferioare în raport cu cele ale sticlei,
le recomandă numai pentru transmisii la distanţe mici, unde atenuarea
semnalului de-a lungul fibrei are o importanţă secundară.
Atât bioxidul de siliciu pur cât şi sticla multicompozită au structura amorfă,
sunt anizotrope şi se pot trage în fire din stare topită la temperaturi înalte.
Răcirea rapidă a materialului topit are ca efect formarea unei sticle stabile şi

402
`
omogene, cu tot riscul tranziţiei printr-un domeniu termic unde este posibilă
apariţia cristalizării.
După capacitate ade transmitere a radiaţiilor luminoase fibrele optice se
împart în 2 categorii:
- Fibre optice monomod care permit propagarea unui singur mod de
oscilaţie, a unor fascicule laser coerente cu bandă optică îngustă. La
aceste fibre optice diametrul miezului este comparabil cu lungimea de
undă a radiaţiei laser incidente, care în aceste situaţii se propagă în
interiorul fibrei optice prin reflecţie internă totală.
- Fibre optice multimod, permit propagarea cu aceeaşi atenuare a unui
număr însemnat de moduri de oscilaţii electromagnetice.
În funcţie de caracteristicile indicelui de refracţie n1 al miezului fibrei
optice există 2 categorii de fibre optice multimod:
- fibre optice cu variaţie discontinuă în treaptă a indicelui de refracţie
F.O.D. (fig. 10.109.) – utilizarea acestora fiind în declin;

Fig. 10.109

- fibre optice cu variaţie continuă gradată simetric radială (F.O.G.) a

indiceluide refracţie n1(r) în interiorul miezului, fig. 10.110 şi indicele de
refracţie n2 constant pentru înveliş, acestea fiind fibrele cu domeniul cel
mai larg de utilizare.

403
`
 Fig. 10.110

10.9.3. Instalaţii şi tehnologii de obţinere a fibrelor optice

Dintre toate procedeele tehnologice de obţinere a fibrelor optice, depunerile
chimice din faza de vapori (C.V.D.) permite obţinerea unei game largi de
compoziţii chimice pentru miezul fibrei, în condiţii de înaltă puritate şi uşurinţă
în realizarea profilului impus a indicelui de refracţie şi a unui interfeţe miez-
înveliş optime, dar presupune instalaţii de complexitate ridicată şi costisitoare.
10.9.3.1. Privind din punct de vedere istoric, procedeul dublului
creuzet de obţinere a fibrelor optice, a fost folosit mult la realizarea fibrelor
optice cu gradient în treaptă al indicelui de refracţie (F.O.G) cât şi a fibrelor cu
variaţie cvasiparabolică a indicelui de refracţie a miezului. În ultima variantă
fiind necesar un control foarte riguros al regimurilor de încălzire concomitent cu
dimensionarea şi reglarea precisă a pozitiei relative a celor 2 creuzete, fig.
10.111.
Materialele (barele preformă) cu indice de refracţie diferit pentru miezul şi
respectiv învelişul optic al fibrei se introduc în cele 2 creuzete care sunt dispuse
concentric. Creuzetele menţinute la o anumită temperatură (strict controlată)
sunt prevăzută în partea inferioară – conică cu câte o duză circulară, prin care
are loc curgerea sticlei, centrele celor 2 duze fiind situate pe axa de tragere a

404
`
fibrei în formare. Diametrele duzelor
depind de vâscozitatea sticlei în stare
topită şi poate fi între 0,3-0,6 mm pentru
creuzetul interio (miez) – 1 şi aprox. 2,5-3
mm pentru creuzetul exterior (înveliş) – 2,
fig. 10.111. în condiţiile unei viteze de
tragere, vt = 0,5-1 m/s.
Încălzirea sticlei şi menţinerea la o
anumită temperatură (800-1000C) în
zona de tragere se face de obicei prin
curenţi de înaltă frecvenţă. Barele
“semifabricat” 3 respectiv 4 pentru înveliş,
se obţin în prealabil, la compoziţia Fig. 10.111

impusă, prin tragere dintrâo masă de sticlă topită, din alte creuzete, în condiţiile
păstrării unei compoziţii omogene, fără incluziuni şi bule de gaz. Creuzetul
dublu 1-2 se poate executa din platină sau aliajele sale (există riscul contaminării
sticlei), iridium, carbon în stare amorfă, grafit, alumină ş.a.

10.9.3.2. Procedeul depunerii chimice prin oxidare din fază de

vapori C.V.D. a permis obţinerea unor fibre optice cu atenuare mică a
semnalului transmis în condiţiile unei structuri omogene şi simetrice în
secţiunea radială, concomitant cu un control riguros al profilului indicelui de
refracţie al miezului fibrei optice realizate.
Cu toate că există mai multe variante [21] ale tehnologiei bazate pe
depunerea chimică din fază de vapori, elementul comun îl constituie existenţa a
2 etape distincte:
- realizarea baghetei de preformă din sticlă având compoziţia impusă,
aceasta constituind semifabricatul pentru miezul fibrei;

405
`
 - încălzirea la temperatura de 1800-2000 C a preformei şi tragerea-
obţinerea fibrei optice. Această ultimă etapă nu diferă de la o varinată la
alta a procedeului, utilajul folosit fiind foarte asemănător în toate
variantele.
Un avantaj deosebit al procedeului C.V.D. (Chemical Vapor Deposition) de
realizare a preformei este că se porneşte de la substanţele componente (reactanţi)
aflate în stare lichidă, ceea ce asigură prin procesul de vaporizare o puritate
corespunzătoare a componentelor utilizate. Concomitent se poate realiza şi un
control riguros al compoziţiei amestecului de gaze folosit şi reglarea precisă a
debitului de O2 pentru favorizarea reacţiilor chimice impuse.
Procesul depunerii chimice din fază de vapori poate avea loc mai multe
variante, diferenţiate atât prin faza – momentul sintezei oxizilor cât şi prin forma
geometrică a depunerii realizate.
S-au impus următoarele variante:
a) C.V.D. cu O2 gaz purtător; reprezentarea schematică a procesului
depunerii chimice este dată în fig. 10.112.

Fig. 10. 112

Vaporii de SiCl4 şi GeCl4 se obţin trecând în mod controlat oxigen prin

recipientul de tip Drechsel în care se află halogenurile respective în stare lichidă.
Întrucât BCl4 se evaporă instantaneu, nu mai este necesar aportul curentului de
oxigen. În funcţie de valoarea indicelui de refracţie impus pentru fiecare peliculă
– strat depus, se stabileşte proporţia gazelor reactive. Depunerea straturilor

406
`
subţiri (succesive) de sticlă, din care se va obţine miezul fibrei optice se face pe
pereţii interiori ai unui tub – suport din silică-SiO2 , ce va constitui învelişul
fibrei optice, fig. 10.112.
b) M.C.M.D. (Modified Chemical
Vapor Deposition) la această
variantă, fig. 10.113. în locul
oxigenului rolul gazului curgător
este îndeplinit de un gaz inert – 2
(de obigei argon), cantitatea de
oxigen necesară reacţiei,
determinată prin metode Fig. 10.113

stoichiometrice, adăugându-se
înainte ca amestecul de reactanţi să fie suflat în tubul de sticlă 1 fig.
10.113., ce va forma învelişul fibrei optice.

c) P.C.V.D. (Plasma Activated Chemical Vapor Deposition) este un

procedeu de obţinere a preformei la care reacţia de transformare a
clorurilor de oxizi este stimulată cu ajutorul plasmei neizoterme,
sistemul de încălzire fiind realizat cu ajutorul unui generator de
microunde şi o calitate de rezonanţă, fig. 10.114. Gazele reactive sunt
introduse în interiorul tubului suport pentru depunere – 1, presiunea în
interior fiind menţinută la 1-50 torr cu ajutorul unei pompe de vid – 2.
Simetria cavităţii de rezonanţă, deci şi a plasmei generate determină
depunerea unor straturi simetrice, cu grosime constantă, fără a mai fi
necesară rotirea tubului în jurul axei sale în timpul procesului de
depunere. Straturile depuse la fiecare trecere pot fi foarte subţiri, ceea ce
permite obţinerea unor valori foarte diferite ale indicelui de refracţie în
secţiune radială. Atât la acest procedeu cât şi la M.C.V.D. la sfârşitul
procesului de depunere urmează faza de închidere a preformei, prin

407
`
 încălzire la 1900C secţiunea tubului scade treptat, dispărând orificiul
central.

Fig. 10.114

d) O.V.D. (Outsider Vapor Deposition), variantă care împreună cu V.A.D.

(Vapor Axial Deposition) realizează depunerea straturilor de sticlă
produse în urma reacţiilor chimice asemănătoare procesului MCVD pe
suprafaţa exterioară a unei baghete de silice (sau grafit).
Vaporii substanţelor participante la reacţie sunt aduşi în zona de depunere
odată cu un gaz combustibil (metan, propan sau hidrogen) într-un arzător
direcţionat spre bagheta - 1 suport (care execută şi o mişcare de rotaţie
combinată cu o mişcare de translaţie axială) în varianta OVD, fig. 10.115, a. sau
alimentare mixtă în varianta VAD, fig. 10.115, b.

Fig. 10.115

408
`
 10.9.4. Tragerea – obţinerea fibrelor optice
După obţinerea preformei prin unul din procedeele prezentate, are loc faza
finală de tragere a fibrei optice. Această etapă tehnologică va determina
caracteristicile geometrice şi optice finale ale fibrei cu influenţă directă asupra
parametrului cel mai important – atenuarea semnalului transmis prin fibră
optică.
Instalaţiile utilizate pentru tragerea fibrei optice, fig. 10.116. din preformă
principial se aseamănă, diferenţe existând între sistemele de încălzire – 3 ale
preformei – 2, sau dispozitivelor – 1, de realizare al avansului axial al preformei.
Sistemele de încălzire – 3, fig.
10.116. pot fi arzătoare cu oxigen şi
hidrogen, cuptoare electrice, încălzire
cu rezistenţă sau prin inducţie cu un
laser cu CO2. Indiferent de tip, sistemul
de încălzire trebuie să asigure
înmuierea materialului şi menţinerea
constană a temperaturii întrâun
domeniu de variaţie de max.  1 C cât
şi prevenirea impurificării zonei de
încălzire în timpul tragerii fibrei optice.
Controlul temperaturii se realizează
prin senzorii traductoarelor – 4, iar Fig. 10.116

reglarea încălzirii prin sistemul – 5.

Diametrul fibrei optice rezultate se
măsoară cu dispozitivul – 6 aplicându-se corecţiile necesare de către calculatorul
de proces – 7 prin intermediul sistemului – 8 care reglează atât viteza de avans -
va a preformei cât şi viteza de înfăşurare a fibrei obţinute pe tambur – 0 Se
admite o variaţie a diametrului fibrei optice de max.  0,1%. Fibra optică
înaintea bobinării se protejează prin acoperire cu un strat subţire de material

409
`
plastic care în stare lichidă va polimeriza prin încălzire în cuptorul – 10.
Tamburul – 11 asigură atât tragerea fibrei optice cu o viteză de 0,5-1,5 m/s cât şi
bobinarea-înfăşurarea acesteia până la utilizarea finală.

410
`
 11. MICROTEHNOLOGII ŞI NANOTEHNOLOGII PENTRU
PROCESAREA MATERIALELOR

11.1. Definire, domeniul, materiale utilizate

Microtehnologia cuprinde în general toate procesele de structurare
tridimensională a materialelor, piesele obţinute la finalul procesării având cel
puţin o dimensiune în domeniul micrometrilor.
Materialele procesate şi utilizate în domeniul microtehnologiilor includ
siliciul monocristalin, polisiliciul (siliciul policristalin), unele metale şi aliaje
(nichel, aur, aluminiu, cupru ş.a.), anumite sorturi de sticlă şi unele materiale
plastice.
În general, când se discută materialele folosite la realizarea
microsistemelor, acestea sunt analizate în strânsă legătură cu efectele speciale
produse în aceste materiale, ca de exemplu:
- unele materiale speciale şi efectele biologice produse în acestea,
utilizate la realizarea unor biosenzori destinaţi măsurări selective a
concentraţiilor de substanţe în fluide biologice cum ar fi toxicitatea şi
efectul produs de factorii alergeni;
- efectul piezoelectric, ce ia naştere în unele materiale (cuarţ, titanat de
bariu) şi constă în schimbarea dimensiunilor unui piezocristal atunci
când i se aplică o tensiune electrică, efect folosit la realizarea unor
actuatori;
- efectele de magnetostricţiune (electrostricţiune) care constau în
deformarea unui material feromagnetic (feroelectric) sub influenţa unui
câmp magnetic (electric), utilizate la realizarea unor senzori şi
traductoare;
- efectul de memoria formei, întâlnit la unele din aliaje (de obicei
nichel-titan) care posedă proprietatea de a-şi recăpăta forma iniţială în

411
`
 anumite condiţii de temperatură [3,4], aceste materiale fiind utilizate în
construcţia unor senzori şi traductoare;
- materiale şi efectele chimice produse în acestea sunt folosite pentru
realizarea unor senzori chimici care pot detecta o componentă specifică
într-o substanţă străină precum şi concentraţia ei ş.a.
Din punctul de vedere al preciziei de prelucrare microtehnologia începe de
unde precizia tehnologiei mecanice obişnuite este depăşite, aşa cum se poate
vedea şi din tabelul 11.1.
Tabelul 11.1

Modul de
Posibilităţi de
îndepărtare a Tehnologia de
Domeniul urmărire a
adaosului de prelucrare
procesării
prelucrare
Părţi
Militehnologii - Aşchiere
Vizibil direct miniaturizate –
1mm – 10 mm -Electrotehnologii
aşchii

Microtehnologii Părţi Procesarea

Microscop optic
1 m – 1 mm microscopice siliciului şi LIGA

Microscop cu
Nanotehnologii Molecule sau Ingineria
scanare electronică,
1 nm – 1 m atomi proteinelor
scanare prin sondă

Aplicaţiile şi domeniile acoperite de microtehnologii sunt foarte diverse şi

în continuă dezvoltare, dintre acestea impunându-se a fi menţionate: sisteme
pentru controlul şi protecţia mediului, biotehnologiile, medicina, sistemele de
automatizare, roboţi, echipamente de birotică, sistemele şi tehnologiile de
fabricaţie, metrologie, telecomunicaţii, sistemele şi aparatura electronică de uz
casnic şi nu în ultimul rând tehnologia calculatoarelor.
Domeniul medical va profita din plin de noile posibilităţi de procesare
microtehnologică, tehnicile medicale tradiţionale vor cunoaşte transformări
radicale. Vor apare noi tehnici de diagnosticare (în special cele endoscopice),
412
`
noi sisteme de dozare implantabile, chirurgia minimal-invazivă se va dezvolta
(noi tehnici de telemicrochirurgie), procedee terapeutice noi ş.a. În fig. 11.1. se
prezintă unele domenii ce vor fi acoperite de chirurgia minimal invazivă în
viitor:

Fig. 11.1

Aceste tehnici chirurgicale sunt mai puţin dureroase, însănătoşirea este mai
rapidă, durata de spitalizare redusă deci mai economice, reducându-se costurile
pentru asigurările de sănătate ale companiilor şi ale angajaţilor.
Un alt domeniu cu mari posibilităţi de creştere este cel al microsenzorilor
care vor cunoaşte dezvoltări deosebite, în special cei specializaţi în măsurarea
temperaturii, acceleraţiei, presiunii sau concentraţiei anumitor substanţe. De

413
`
exemplu, în fig. 11.2. sunt prezentate unele posibilităţi de implementare a
microsenzorilor la un automobil modern.

Fig. 11.2

11.2. Tehnologii de procesare în domeniul micro

Majoritatea tehnicilor de procesare utilizate în domeniul microtehnologiilor
provin din tehnologia microelectronică bidimensională (în special tehnicile de
realizare a TSS şi TSG) şi din tehnologiile neconvenţionale (electrotehnologii)
axate în special pe procesarea siliciului.

414
`
 Pentru procesarea unor componente spaţiale (3D) cu un raport de formă
foarte maremaxim (adică raportul dintre înălţimea cea mai mare şi grosimea
cea mai mică care poate fi obţinută printr-o etapă de procesare), fig. 11.3.,

Fig. 11.3

se utilizează procedeele LIGA care apelează la litografia cu raze X ca proces de

bază pentru formarea structurilor tridimensionale din materiale plastice care sunt
utilizate la obţinerea unor structuri metalice prin aplicarea microdepunerilor
galvanice [ ].
Procedeul LIGA poate fi utilizat la obţinerea unei game largi de
componente pentru microsisteme, reprezentând o alternativă iar în multe situaţii
o completare la microtehnologiile bazate pe siliciu.
Tehnologiile LIGA permit obţinerea unor microstructuri mult mai
complexe, procesarea este tridimensională, fiind posibilă realizarea unor înălţimi
ale structurii de până la câteva sute de micronimetri, iar pe direcţiile laterale este
posibilă realizarea unor microstructuri în domeniul nanometrilor (aprox. 0,2
m).

Tehnologia de procesare LIGA la ora actuală este bine pusă la punct,

respectiv litografia cu radiaţii X, modelarea galvanică şi plastică, rămânând de
optimizat numai problema costurilor care sunt ridicate.

415
`
 Etapele procesării LIGA sunt prezentate în fig. 11.4.

Fig. 11.4

În faza 1 se aplică un strat de material plastic fotorezist sensibil la radiaţiile

X ce sunt generate de un sincotron, grosimea stratului de material fotorezist
fiind de câteva sute de micronimetri pe un substrat conductiv. Iradierea cu raze

416
`
X se face selectiv, printr-o mască corespunzătoare. Zonele expuse radiaţiilor
sunt apoi îndepărtate prin atac chimic, rămânând o anumită configuraţie a
rezistului, faza 2.
Golurile rămase în straturile de rezist sunt umplute cu metal prin procedee
galvanice (faza 3).
În faza 4, restul de fotorezist plastic neiradiat este îndepărtat, rămânând o
microstructură metalică, având forma din fig. 11.5.

Fig. 11.5.

Această structură din metal poate fi utilizată fie ca matriţă pentru

producţia în masă a micropieselor din materiale plastice prin tehnici de
micromodelare, fie ca şablon pentru matriţe din materiale plastice folosite la
reproducerea galvanică a micropieselor din metal. Acest al doilea proces este
prezentat în etapele 5, 6 şi 7, micropiesele metalice obţinîndu-se similar ca în
fazele 3 şi 4, utilizând tehnica matricei pierdute.

11.3. Nanotehnologii
Nanotehnologia cuprinde sisteme integrate de procesare care cuplează
tehnologii de măsurare, control al poziţiei şi procesare în domeniul
subnanometric.
Întrucât precizia de procesare impusă atinge nivelul extrem al ordinului de
mărime de 1 nm (0,001 m) şi ţinând cont că distanţa de 0,3 nm dintre atomii
unei reţele constituie limita de rezoluţie a lungimii măsurabile sau confirmabile

417
`
la materialele solide, o astfel de procesare atom cu atomimpune o acurateţe şi
rezoluţie a poziţionării şi măsurării de cel puţin ordinul submicronmetrilor.
La procesarea de tip atom cu atomapare o problemă greu de soluţionat şi
anume, densitatea de energie de prelucrare sau procesare pentru îndepărtarea
materialului excedentar (adaosului de prelucrare) trebuie să fie echivalentă cu
energia atomică de legătură, care este extrem de ridicată comparativ cu energia
necesară la procesele clasice de prelucrare.De aceea, în procesările de tip atom
cu atom sculele monobloc convenţionale nu mai pot fi utilizate datorită uzurii
considerabile care are loc într-un timp foarte scurt.
În nanotehnologie procesarea materialelor se face cu scule de diamant
(prezintă o uzură foarte mică), prin lepuire şi lustruire-polizare mecanică cu
microabrazivi; de asemenea se mai pot face procesări prin procedee fizice şi
chimice, prin utilizarea particulelor elementare de înaltă energie (fotoni,
electroni, ioni, atomi chimic activi precum şi atomi neutri) şi mai recent prin
evaporare în câmp electric.Valorile energiei specifice de prelucrare sau
densitatea de energie marginală  (J/cm3) pentru prelucrarea/procesarea la
dimensiuni atomice/moleculare sub 1 nm variază între 104-106 J/cm3, valori care
corespund energiei legăturii atomice.
Această separare-dislocare la nivel atomic se poate produce pe baza unor
procese chimice şi electrochimice, utilizând atomi reactivi, procese de
solubilizare, topirea şi difuzia pe baza energie termice a atomilor, sau a
fasciculelor de fotoni şi electroni ş.a.
Pentru unităţile de prelucrare a clusterilor atomici, pentru care defectele
punctuale în granule policristaline variază de la 1 la 100 nm, densitatea de
prelucrare pentru ruperea din material este de circa 103-104 J/cm3. Aşchierea
ductilă, lepuirea pe baza abrazivilor foarte fini aparţin acestei categorii.
Pentru unităţile de prelucrare între o,1 şi 10 m, separarea sau deformarea
apare ca rezultat al dislocaţiilor mobile sau microfisurilor. Densitatea de energie
de prelucrare  este aproape 103 J/cm3 pentru ruperile fragile datorate

418
`
microfisurilor şi de circa 101-103 J/cm3pentru ruperile ductile datorate
dislocaţiilor.
Pentru unităţile de procesare a granulelor cristaline multiple, densitatea de
energie de procesare bazată pe defectele le limitele de granule este mai mică de
102 J/cm3 pentru ruperea fragilă şi de 10 J/cm3 pentru iniţierea ruperii ductile.
Totuşi, pentru a îndepărta materialul în acest ultim proces este necesară
îndepărtarea unor “bucăţi” din materialul masiv prin depăşirea tensiunii de
rupere ductilă, ceea ce face necesară adăugarea unui surplus de energie
specifică,  = 0,1-1 J/cm3.
Pentru a ilustra mai bine locul nanotehnologiilor de procesare şi a avea la
finalul cursului o privire de ansamblu a tuturor procedeelor de prelucrare, în

Fig. 11.6

419
`
evoluţia istorică a acestora se prezintă în fig. 11.6. o sinteză a evoluţiei
posibilităţilor de prelucrare, în care s-a luat drept criteriu de bază precizia de
prelucrare.

420
`
 Bibliografie

1. Amza, Gh. – Așchierea și microașchierea materialelor, Ed.BREN,

București 1999;
2. Diaconescu, Gh. ș.a. – Tehnologia mecanicii fine și micromecanicii,
Ed.Tehnică, București 1985;
3. Besnea, D. Donțu, O. – Tehnologii de fabricație asistate de calculator
pentru execuția unor componente mecatronice, Ed.PRINTECH
București 2008;
4. Donțu, O. - Tehnologii și sisteme integrate de fabricație ultilizate în
mecatronică, Ed.PRINTECH București 2009;
5. Donțu, O. – Tehnologii de prelucrare cu laser, Ed.Tehnică, București
1985;
6. Donțu, O. – Construcția și exploatarea mașinilor de prelucrat pentru
M.F., Ed.U.P.B. 1994;
7. Donțu, O., Besnea, D. – Tehnologii și sisteme de fabricație îndrumar
laborator, Ed.U.P.B. 2000;
8. Donțu, O., Charalampides, G., ș.a. – Metode și mijloace pentru
evaluarea gradului de poluare a aerului și apei marine, Ed.Printech,
București 2009;
9. Donțu, O. – Utilaje și tehnologii pentru mecatronică, Ed.U.P.B. 1996;
10. Fatikow, S. – Tehnologia microsistemelor și microrobotica,
Ed.Tehnică, București 1999;
11. Gavrilaș, I. ș.a. – Prelucări neconvenționale în C.M. Ed. Tehnică,
București 1991;
12. Myer, K. Mechanical Engineer’s Handbook, John Wiley & Sans
1998;
13. Minciu, C.ș.a. – Proiectarea și tehnologia sculelor pentru M.F.,
Ed.Tehnică, București 1981;

421
`
 14. Pravot, F.Usinage des metaux E.P.F., Lausanne 1989;
15. Tanigachi, N. – Nanotechnologie, Ed.Tehnică, București 2000;
16. www.HighPowerLaser.com;
17. Rev. ”Laser Phonotics 2009”, www.rp-photonics.com;
18. Rev, „Le journal de la PRODUCTION” anii 2000-2008;
19. 12th NOLAMP Conference-Copenhagen, www.nolamp12.dk ;
20. MAZAK
21. MAZAK

422
`