01 - Dispozitive Electronice I

Învăţământul profesional şi tehnic În domeniul TIC
Proiect cofinanţat din Fondul Social European în cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar-Centrul Naţional de Dezvoltare a Învăţământului Profesional şi Tehnic
Str.Spiru Haret nr.10-12, sector 1, Bucureşti-010176, tel 021-3111162, fax. 021- 3125498, vet@tvet.ro
Dispozitive electronice
Material de predare – partea I
Domeniul: Electronică şi Automatizări
Calificarea: Electronist reţele de Telecomunicaţii
Nivel 2
2009
AUTOR:
AURELIA PITIC – profesor grad didactic I Grup Şcolar de Poştă şi Telecomunicaţii-

Timişoara
COORDONATOR:
REMUS CAZACU - profesor grad didactic I colegiul Tehnic de Telecomunicaţii “Nicolae

Vasilescu Karpen”-Bacău
CONSULTANŢĂ:
IOANA CÎRSTEA – expert CNDIPT
ZOICA VLĂDUŢ – expert CNDIPT
ANGELA POPESCU – expert CNDIPT
DANA STROIE – expert CNDIPT
Acest material a fost elaborate în cadrul proiectului Învăţământul profesional şi tehnic în domeniul TIC,
proiect cofinanţat din Fondul Social European în cadrul POS DRU 2007-2013
2
Cuprins
II.Documente necesare pentru activitatea de predare.......................6

III.Resurse..........................................................................................7
Tema 1. Tranzistoare bipolare.....................................................................7
Fişa suport 1.1. Structura şi simbolul tranzistorului bipolar............................................7
Fişa suport 1.2. Funcţionarea tranzistorului bipolar.......................................................11
Fişa suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare.......................................................14
Fişa suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare.............................17
Fişa suport 1.5. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor bipolare........................20
Fişa suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului...............................................22
Fişa suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare.............................27
Fişa suport 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului în conexiune emitor comun..29
Fişa suport 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului în conexiune bază comună. 33
Fişa suport 1.10. Punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar........................37
Fişa suport 1. 11. Dreapta de sarcinǎ staticǎ................................................................40
Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de măsură....................43
Tema 2: Tiristorul.......................................................................................45
Fisa suport 2.1. Structura şi funcţionarea tiristorului.....................................................45
Fişa suport 2.2 Caracteristica statică a tiristorului........................................................49
Fişa suport 2.3. Parametrii tiristorului............................................................................52
IV. Fişa rezumat...............................................................................54

V. Bibliografie...................................................................................56
3
I.Introducere
Materialul de predare este resursă-suport pentru activitatea de predare, conţine

instrumente auxiliare care includ un mesaj/ o informaţie didactică şi care pot fi utilizate in
contexte diferite.
Prezentul material de predare se adresează cadrelor didactice care predau la clasele din
domeniul Electronică şi automatizări, calificarea: Electronist reţele de Telecomunicaţii, nivel
de calificare 2. Acesta a fost întocmit pentru modulul Dispozitive electronice şi acoperă
două teme din conţinutul modulului. Întreg modulul este dezvoltat pe 116 ore din care 29
ore laborator tehnologic şi 58 ore instruire practică
Competenţe/
Tema Fişe suport
rezultate ale învăţării
1 2 3
Tema1. C1.Identifică Fişa 1.1. Structura şi simbolul tranzistorului bipolar
Tranzistoare dispozitivele
Fişa 1.2. Funcţionarea tranzistorului bipolar
bipolare electronice discrete
C2.Selectează dispo- Fişa 1.3. Parametrii tranzistorului bipolar
zitivele electronice
discrete
C3. Determină Fişa 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistorului
funcţionalitatea bipolar
dispozitivelor Fişa 1.5. Regimurile de funcţionare ale tranzis-
electronice discrete torului bipolar
C4. Verifică Fişa 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului

funcţionalitatea bipolar
Fişa 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistorului
dispozitivelor
bipolar
electronice discrete
Fişa 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului în
conexiunea emitor comun
Fişa 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului în
conexiunile bază comună
Fişa 1.10. Punctul static de funcţionare al
tranzistorului
4
C3. Determină funcţio- Fişa 1.11. Dreapta de sarcină statică
nalitatea dispozitivelor
C4. Verifică funcţio-
nalitatea dispozitivelor
C4. Verifică funcţio- Fişa 1.12. Testarea tranzistoarelor bipolare cu
nalitatea dispozitivelor aparate de măsura
Tema 2 C1. Identifică Fişa 2.1. Structura internă şi funcţionarea

dispozitivele tiristorului
Tiristorul
C3. Determină
funcţionalitatea
dispozitivelor
C2. Selectează Fişa 2.3. Parametrii tiristorului

dispozitivele
C4. Verifică Fişa 2.2. Caracteristica statică a tiristorului

funcţionalitatea
dispozitivelor electro-
nice discrete
5
II.Documente necesare pentru activitatea de predare
Pentru predarea la clasă a conţinuturilor abordate în materialul de predare, cadrul didactic

are obligaţia de a studia următoarele documente:
Standardul de Pregătire Profesională pentru calificarea Electronist reţele de telecomunicaţii

nivel 2 – www.tvet.ro , secţiunea SPP sau www.edu.ro secţiunea învăţământ preuniversitar.
Curriculum pentru calificarea Electronist reţele de Telecomunicaţii; nivel 2- www.tvet.ro

secţiunea Curriculum sau www.edu.ro secţiunea învăţământ preuniversitar.
SPP este un document structurat pe unităţi de competenţe care descrie în termeni de

rezultate ale învăţării ceea ce un participant la un program de pregătire trebuie să
demonstreze la nivelul acestuia.
Curriculum constă în proiectarea parcursului de educaţie şi formare profesională pe baza

unităţilor de competenţe precizate în SPP.
6
III.Resurse
Tema 1. Tranzistoare bipolare
Fişa suport 1.1. Structura şi simbolul tranzistorului bipolar

Competenţa C1.Identifică dispozitivele electronice discrete
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv implantat într-un monocristal de material

semiconductor (Ge sau Si) în care se creează prin impurificare trei regiuni alternativ
dopate, despărţite prin suprafeţe de separaţie.
Regiunile de la extremităţi au acelaşi tip de conductibilitate (de tip p sau de tip n ) şi se

numesc EMITOR (E) şi COLECTOR (C). Regiunea centrală are conductibilitate opusă şi
se numeşte BAZĂ (B).
p n p n p n
E C E C
B B
Fig. 1.1 Tranzistor tip pnp şi npn
În jurul suprafeţelor de separaţie se formează două joncţiuni:

- joncţiunea emitor-bază EB
- joncţiunea colector-bază CB
C C
B B
E E
Fig. 1.2 Simbolul tranzistorului pnp şi npn
7
Se observă că săgeata marchează întotdeauna emitorul şi indică sensul curentului prin
tranzistor.
Gradul de dopare al regiunilor se referă la procentajul alocat purtătorilor majoritari în raport

cu purtătorii minoritari.
Din analiza comparativă a dimensiunilor şi a gradului de dopare a regiunilor tranzistorului,

rezultă următoarele concluzii:
 Emitorul este de dimensiune relativ mare şi este puternic dopat

 Baza este foarte subţire ( 1µm , ceea ce reprezintă 1% din suprafaţa emitorului) şi
este slab dopată
 Colectorul are dimensiunea cea mai mare şi este dopat moderat
Din cauza deosebirilor structurale, emitorul şi colectorul nu îşi pot inversa rolurile deşi
au acelaşi tip de conductibilitate.
Pentru a-l feri de agenţi externi, monocristalul în care s-a implantat tranzistorul va fi
introdus într-o capsulă ermetică, terminalele E,B,C fiind accesibile prin electrozi sudaţi pe
regiunea respectivă.
Aspectul fizic al tranzistoarelor şi marcajul înscris pe capsulă va fi analizat pentru diferite

tipuri de tranzistoare, clasificate în funcţie de materialul semiconductor, puterea maximă
disipată sau factorul de amplificare.
Elevii vor fi capabili, la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic, să:

- explice deosebirile structurale între tranzistoarele pnp şi npn
- identifice simbolurile tranzistoarelor pnp şi npn
- numească cele trei regiuni ale tranzistorului
- stabilească gradul de dopare al regiunilor
-identifice capsula tranzistorului bipolar
- identifice configuraţia terminalelor tranzistorului
8
9
Fig. 1.3. Tranzistoare încapsulate
Sugestii metodologice
Pentru a fixa cunoştinţele noi în ce priveşte structura, elevii pot rezolva probleme cu teme
ca gradul de dopare şi identificarea regiunilor tranzistorului.
Identificarea tranzistoarelor după aspect fizic şi marcaj poate fi dezvoltată pe parcursul

orelor de instruire practică ale modulului.
10
CU CE ? - Dispozitive electronice discrete
- Fişe de lucru
CUM ? - Metode de învăţământ: - expunerea
- explicaţia
- problematizarea
- Demonstraţia – prin efectuarea operaţiei de identificare a unui
tranzistor de către cadrul didactic.
- Observaţia dirijată – urmăreşte identificarea capsulelor şi
terminalelor tranzistorului de către elevi.
- Exerciţiu – repetarea operaţiunilor de identificare pentru diversele
capsule de către elevi.
- organizarea clasei - frontal/ pe grupe
UNDE ? - Laboratorul de electronică
PENTRU CE? - Metode de evaluare – conversaţie dirijată
- probă practică identificare tranzistoare
- test
- Mijloace de evaluare – fişe de lucru
- chestionare
Fişa suport 1.2. Funcţionarea tranzistorului bipolar.
Competenţa C1. Identifică dispozitivele electronice discrete.
Se analizează funcţionarea tranzistorului în situaţia în care joncţiunea emitor-bază EB este

direct polarizată, iar joncţiunea colector-bază CB invers polarizată.
În figura de mai jos este îndeplinită această condiţie pentru tranzistorul de tip pnp.
11
Fig 1.4 Reprezentarea curenţilor tranzistorului pnp
Emitorul de tip p puternic dopat are un număr foarte mare de sarcini pozitive majoritare,
care se deplasează în bază datorită polarizării directe a joncţiunii emitor-bază; în acest fel
apare un curent de difuzie mare dinspre emitor spre bază notat cu .
Baza este foarte îngustă şi slab dopată şi ca urmare are un număr mai mic de purtători,
respectiv un număr mic de sarcini negative disponibile pentru recombinarea cu numărul
mare de sarcini pozitive venite din emitor. Sarcinile relativ puţine care s-au recombinat
părăsesc baza prin terminalul B formând curentul de bază de valoare mică.
Majoritatea sarcinilor pozitive care circulă dinspre emitor către bază nu se recombină şi
sunt atraşi prin joncţiunea BC invers polarizată, de tensiunea de alimentare a colectorului.
Astfel se formează curentul de colector . Curenţii sunt formaţi de purtători de
sarcină minoritari din fiecare joncţiune şi au valoare foarte mică, deci 0.
Relaţia între curenţii tranzistorului este exprimată prin Ecuaţia I a fundamentală a

tranzistorului.
12
= + (1)
Cea mai mare parte a purtătorilor de sarcină din emitor ajung in colector, de aceea curentul
de colector are valoare mult mai mare decât curentul din bază ceea ce este exprimat prin
Ecuaţia a –II-a a tranzistorului.
=α* (2)
Cu α = ( 0.95 ÷ 0.998 )
Din ( 1 ) şi ( 2 ) rezultă =β* şi cu β =
Toate ecuaţiile sunt valabile pentru tranzistoarele pnp şi npn
Deşi joncţiunea colector-bază este invers polarizată favorizează trecerea unui curent
de valoare mare, acest fenomen fiind denumit “ Efect de tranzistor “
Prin lăţimea şi doparea bazei este controlată valoarea curenţilor Acest aspect
este exprimat prin valorile coeficienţilor α şi β.

- descrie modul de polarizare al joncţiunilor tranzistorului
- explice principiul de funcţionare al tranzistorului
- enunţe formulele ce stabilesc relaţii între curenţii tranzistorului
Explicaţiile privind funcţionarea pot fi reluate pentru tranzistorul de tip npn
13
Pe simbolurile tranzistoarelor de tip pnp şi npn pot fi marcate sensurile curenţilor
Relaţiile de calcul între curenţii tranzistorului pot fi utilizate în aplicaţii numerice
CU CE ? - Folii transparente
- Fişă de lucru
- Prezentare multimedia
- Expunerea
CUM ? - Metode de învăţământ - Explicaţia
- Problematizarea
- Organizarea clasei: frontal pe grupe
UNDE ? - Sală de clasă
- Laborator tehnologic
- test
- teme în clasă/pentru acasă
- chestionare
- referate privind funcţionarea tranzistoru-
lui de tip npn
14
Fişa suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare
Competenţa C2.Selectează dispozitivele electronice discrete.
Parametrii tranzistoarelor bipolare sunt mărimi care definesc condiţiile de funcţionare a

tranzistorului şi stabilesc limitele în care acesta poate să funcţioneze fără a se deteriora.
a) Factorul de amplificare al tranzistorului
Raportul dintre curentul continuu din colector Ic şi curentul continuu din bază I B
este factorul de amplificare în curent din bază în colector. ß=I C/IB (1)
In fapt, ß este câştigul in c.c al tranzistorului şi indică de câte ori este mai mare curentul
de colector IC faţă de curentul de bază IB.
ß este o mărime statică de c.c, iar valoarea acesteia pentru un tranzistor anume este
precizată în cataloagele de componente, fiind stabilită de producător (între 10 şi 1000)
Raportul dintre curentul din colector Ic şi curentul continuu din emitor I E se

numeşte factor de amplificare in curentul din emitor in colector. α =IC/IE (2)
De regulă, α are valori între 0,95 si 0,99 deci întotdeauna este subunitar pentru că I C
este puţin mai mic decât I E. Valoarea parametrului α pentru un tranzistor anume este
dată în cataloagele de componente.
Valorile precizate în catalogul de componente pentru parametrii α şi ß pentru un

tranzistor, se consideră că nu se vor modifica pe durata utilizării acestuia.
Relaţia matematică dintre α si ß este:
ß= α/1- α (3) sau α= ß/1+ ß (4)
Cu cât α este mai aproape de 1. cu atât ß are valoare mai mare.
b) Valori limită ale parametrilor funcţionali ai tranzistorului
15
Depăşirea valorilor limită ale unor parametri poate provoca distrugerea tranzistorului,
acestea fiind:
- temperatura maximă a joncţiunilor T0C
- puterea disipată maximă PDmax
- curentul de colector maxim ICmax
- tensiunea maxima UBemax , UCEmax
Temperatura maximă a joncţiunilor este, pentru tranzistoarele de Ge de 85 °C, iar
pentru tranzistoarele cu Si între 175-200 °C
Nu se referă la temperatura mediului ambiant.

Puterea disipată maximă este determinată de condiţia ca temperatura joncţiunii
colector-bază să nu depaşească temperatura maximă admisă. De aceea se utilizează
radiatoare metalice montate pe colector pentru a mări suprafaţa de radiaţie a căldurii.
Curentul de colector maxim este valoarea maximă pe care o poate avea curentul de
colector fără a distruge tranzistorul prin efect termic.
Tensiunea maximă este valoarea limită pe care o poate avea tensiunea colector-
emitor, UCEmax, pentru care tranzistorul nu este distrus, respectiv valoarea maximă a
tensiunii emitor bază UBEmax pentru care tranzistorul nu este distrus.
Valorile numerice ale parametrilor sunt precizate în cataloagele de componente

electronice pentru fiecare tranzistor.
Parametrii nu vor atinge simultan valorile limită deci este necesar să ne asigurăm
că puterea disipată de tranzistor PD=IC*UCE este mai mică decât PDmax.
c) Dependenţa cu temperatura a parametrilor tranzistorului

Valoarea curentului rezidual colector-bază I cb0 se dublează la fiecare creştere a
temperaturii cu 9 °C pentru tranzistoarele de Ge, respective la creşterea cu 6 °C pentru
tranzistoarele cu Si. Această mărire a curentului rezidual are drept consecinţă creşterea
semnificativă a curentului de colector care poate depăşi curentul maxim ceea ce are
drept consecinţă distrugerea tranzistorului. De aceea în circuitul de polarizare a
tranzistorului se introduc elemente de circuit care să asigure stabilizarea termică a
curenţilor tranzistorului astfel încât creşterea temperaturii să nu influenţeze regimul de
funcţionare al tranzistorului.
16
- definească factorii de amplificare în curent continuu α şi ß
- enunţe relaţiile matematice dintre α şi ß
- enumere valorile limită ale parametrilor tranzistorului
- utilizeze concret valorile limită enumerate
- interpreteze o foaie de catalog pentru tranzistoare
După expunerea noţiunilor teoretice pe parcursul a două ore de predare este indicat ca
activitatea să se finalizeze prin lucrare de laborator în care să fie studiată o foaie de
catalog pentru tranzistor unde să fie identificate valorile numerice ale parametrilor şi să fie
selectate tranzistoarele în funcţie de acestea.
CU CE ? – cataloage de componente
- fişe de lucru
- dispozitive electronice
CUM ? - metode de învăţământ - expunerea
- demonstraţia
- observaţia dirijată
- problematizarea
- comparaţia
- organizarea clasei frontal/pe grupe
UNDE ? – laborator electronică
- probă practică de selectare tranzistoare
- observare
- fişă tehnologică a tranzistorului
17
Fişa suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare
Competenţa C3. Verifică funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete .
Tranzistorul dispune de trei terminale care pot fi conectate în 3 moduri:
- modul de conexiune emitor comun, în care emitorul este conectat la masă; emitorul şi
baza sunt borne de intrare iar la emitor şi colector sunt borne de ieşire.
Fig 1.5 Conexiunea emitor comun
- modul de conexiune bază comună, în care baza este conectată la masă; baza si
emitorul sunt borne de intrare iar baza şi colectorul sunt borne de ieşire.
Fig 1.6 Conexiunea bază comună
- modul de conexiune colector comun, în care colectorul este conectat la masă;

colectorul şi baza sunt borne de intrare iar colectorul şi emitorul sunt borne de ieşire.
18
Fig 1.7 Conexiunea colector comun
Fiecare mod de conexiune este caracterizat de mărimile electrice de intrare şi de ieşire

respectiv
- curentul de intrare I in ; tensiunea de intrare U in
- curentul de ieşire I ies ; tensiunea de ieşire U ies
Schema electrică a modurilor de conexiune este identică pentru ambele tipuri de

tranzistoare pnp şi npn.
Se vor determina mărimile de intrare si ieşire pentru fiecare mod de conexiune.
Se va calcula raportul I ies / I in în funcţie de parametrii α şi ß pentru fiecare mod de

conexiune conform relaţiilor din fişa suport 1.2.
Se va aprecia în care mod de conexiune tranzistorul realizează funcţia de amplificare a

curentului.
Elevii vor fi capabili la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic să:

- identifice modul de conexiune al tranzistorului
după schema electrică
- precizeze mărimile electrice de intrare şi
ieşire ale conexiunii
19
- identifice modurile de conexiune în care tranzistorul
funcţionează ca amplificator
Sugestii metodologice.
Ulterior expunerii noţiunilor se vor reprezenta împreună cu elevii schemele electrice

corespunzătoare modurilor de conexiune pentru tranzistoarele complementare pnp apoi
se vor indentifica mărimile electrice de intrare/ ieşire pentru fiecare mod de conexiune în
parte. Activitatea poate să se desfăşoare pe grupe de elevi sau frontal .
CU CE ? - folii transparente
- prezentare multimedia
- fişă de lucru
CUM ? - metode de învăţământ: - expunere
- explicaţie
- exemplificare
- demonstraţie
- organizarea clasei – pe grupe / frontal
UNDE ? - laboratorul tehnologic.
- observare
- teste
- chestionare
20
Fişa suport 1.5. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor bipolare.
Competenţa C3. Determină funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
După felul în care sunt polarizate cele două joncţiuni, tranzistorul funcţionează în unul din
următoarele regimuri funcţionare:
a) regimul activ normal dacă: - joncţiunea emitor- bază este direct polarizată
- joncţiunea collector- bază este invers polarizată
b) regimul de saturaţie dacă: - joncţiunea emitor- bază este direct polarizată
- joncţiunea colector- bază este direct polarizată
c) regimul de blocare sau de tăiere dacă: - joncţiunea emitor- bază este invers polarizată
- joncţiunea colector- bază este direct polarizată
d) regimul activ invers dacă: - joncţiunea emitor- bază este invers polarizată
- joncţiunea collector- bază este direct polarizată
Regimul activ normal se bazează pe existenţa efectului de tranzistor, iar dispozitivul
funcţionează practic în regim de amplificare. Sunt valabile relaţiile între curenţii
tranzistorului stabilite prin ecuaţiile fundamentale ale acestuia. Factorul de amplificare în
curent are valoare de catalog când tranzistorul funcţionează în acest regim
Regimul de saturaţie. Tensiunea de colector - emitor U CE are valoare foarte mică, de
aproximativ 0,2- 0,3 V, deoarece este determinată ca diferenţa tensiunilor U CB si U EB care

au valori apropiate datorită polarizării directe ambelor joncţiuni. Ca urmare, rezistenţa de
ieşire a tranzistorului este foarte mică.
Regimul de blocare. Prin ambele joncţiuni invers polarizate trec doar curentii reziduali de
valoare foarte mică, rezistenţa echivalentă a tranzistorului este deci foarte mare.
Tranzistorul în acest regim întrerupe curentul.
Stabilirea regimului de funcţionare va fi realizată în următoarele etape:

- se va considera simbolul tranzistorului
pnp
- tranzistorul va fi polarizat pe simbol astfel
încât să funcţioneze în regim normal activ
21
- se va proceda similar pentru regimul de
saturaţie respectiv de blocare
- problema va fi reluată pentru tranzistorul
npn
Regimul activ invers. În această situaţie, emitorul are rolul colectorului iar colectorul pe
cel al emitorului. Din cauza deosebirilor tehnologice (suprafaţă, grad de dopare) al celor
două regiuni, factorul de amplificare în curent al tranzistorului este mult mai mic decât în
regim normal.
Se va consulta Fişa 1.1 şi Fişa 1.2
- Elevii vor fi capabili, la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic, să:

- identifice regimul de funcţionare al
tranzistorului în funcţie de polarizarea joncţiunilor
- descrie starea tranzistorului aflat într-un
anumit regim de funcţionare identificat
- reprezinte simbolul tranzistorului polarizat
pentru fiecare regim de funcţionare
Activităţile descrise în fişa suport pot să se desfăşoare şi pe grupe, eventual într-o oră de
laborator a modulului. La polarizarea joncţiunii tranzistorului pot fi date exemple numerice
pentru tensiunile de polarizare
- fişe de lucru
- demonstraţie
- problematizarea
- organizarea clasei – frontal / pe grupe.
UNDE ? - sală de clasă
- laboratorul tehnologic.
22
- teste
- Mijloace de evaluare – fişe de lucru, chestionare
Tema 1: Tranzistoare bipolare
Fişa suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului

Competenţa: C4. Verifică funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Circuitul de polarizare are rolul de a fixa valorile curenţilor şi tensiunilor

corespunzătoare tranzistorului în regimul de c.c. , fiind format din rezistoare şi surse de
alimentare.
Astfel, sunt polarizate joncţiunile tranzistorului şi este stabilit regimul de funcţionare al
acestuia.
a) Rezistenţa din colector
Fig 1.8. Modul de conectare al rezistenţei din colector R C

Tensiunile de alimentare de valoare constanta EB si EC polarizează joncţiunea EB şi
indirect joncţiunea CB. Pentru tranzistorul în conexiune emitor comun, ieşirea se află în
colector iar potenţialul colectorului în raport cu masa este:
UC = EC – IC · RC
23
Prezenţa rezistenţei RC în colectorul tranzistorului permite reglarea valorii U C , care altfel ar
fi constantă şi egală cu tensiunea de alimentare E C.
În situaţia in care se va conecta un semnal alternativ la intrarea circuitului, rezistenţa de
colector RC va avea si rol de rezistenţă, de sarcină, care va prelua variaţiile semnalului
alternativ format la ieşirea circuitului: uS = iC · RC
Valoarea uS este direct proporţională cu a rezistenţei RC, de aceea este indicat ca aceasta
sa fie mare.
Insă consumul de energie de la sursa de alimentare EC depinde şi de valoarea rezistenţei
RC direct proporţional deoarece puterea disipată la ieşire este :
PD = IC2 · RC
Pentru a limita consumul în c.c. este necesar ca valoarea rezistenţei RC să fie mică.
Aceste două considerente vor influenţa alegerea valorii rezistenţei din colectorul
tranzistorului.
b) Rezistenţa din emitor
Fig 1.9. Modul de conectare al rezistenţei din emitor R E

La variaţiile temperaturii mediului ambiant se consemnează o variaţie semnificativă a
curentului de colector, acesta depăşind valoarea maximă admisă şi provocând distrugerea
tranzistorului.
Se va consulta fişa 1.3

Rezistenţa RE introdusă între emitor şi masă are rolul de a stabiliza valoarea curentului prin
tranzistor la variaţii ale temperaturii.
Interdependenţa curenţilor tranzistorului IE, IB, IC este exprimată de ecuaţiile fundamentale
ale tranzistorului şi justifică afirmaţia ca variaţia unui curent va provoca variaţii ale celorlalţi
24
doi, respectiv stabilizarea termică a unui curent este echivalentă cu stabilizarea termică a
celor trei curenţi amintiţi.

În acest circuit, potenţialul bazei în raport cu masa este constant şi egal cu tensiunea de
alimentare EB .
EB=UBE + IE ·RE = constant
O eventuală creştere, a temperaturii va avea ca efect o tendinţă de creştere a curentului IE
ceea ce va determina scăderea tensiunii UBE, conform ecuaţiei prezentate.
Din analiza caracteristicilor de intrare ale conexiunii emitor comun (Fisa 1.8) rezultă că o
scădere a UBE implică o scădere a curentului IB, deci şi o scădere a curentului IC=β· IB şi a
curentului IE= IB + IC
Scăderea valorii curentului IE compensează tendinţa iniţială de creştere a aceluiaşi curent,
astfel ca valorile curenţilor prin tranzistor nu vor fi afectate de variaţiile temperaturii şi
aceasta datorită potenţialului constant al bazei în raport cu masa şi rezistenţei din emitor.
Valoarea acestei rezistenţe, RE , va fi stabilită astfel încât să facă posibilă stabilizarea
termică a curenţilor.
Daca, însă, la utilizarea circuitului în regim de curent alternativ ar fi benefica micşorarea
valorii rezistenţei RE , se va aplica o soluţie de compromis: conectarea unui condensator în
paralel cu rezistenţa RE.
Fig 1.10 Conectarea condensatorului CE

Astfel în regim de c.c. condensatorul CE nu are nici o funcţie şi valoarea rezistenţei RE nu
este afectată de prezenţa CE dar în regim de c.a. între emitor şi masă este conectată o
impedanţă echivalentă ZE = RE ll CE de valoare foarte mică, astfel încât emitorul poate fi
considerat a fi legat direct la masă.
De aceea, CE se numeşte “condensator de decuplare a rezistenţei RE în c.a.”
25
c) Rezistenţele de polarizare a bazei
Pentru polarizarea în c.c. a celor două joncţiuni ale tranzistorului sunt necesare două surse
de tensiune.

În practică se va utiliza o singură sursă de alimentare împreună cu rezistoare care să
realizeze indirect polarizarea joncţiunilor tranzistorului.
Fig 1.11 Modul de conectare al rezistenţei de polarizare a bazei R B

Din relaţia EC = IB · RB + UBE + IE · RE rezultă că potenţialul bazei în raport cu masa nu este
constant iar această condiţie trebuie îndeplinită pentru ca rezistenţa RE să realizeze
stabilizarea termică a curenţilor tranzistorului.
De aceea, în practică este preferat circuitul cu tensiune de bază constantă din figura de
mai jos.
Fig 1.12 Circuit de polarizare cu divizor de tensiune în bază
26
Rezistenţele de polarizare a bazei au rolul de a înlocui a doua sursă de alimentare ce ar fi
necesară pentru polarizarea celor două joncţiuni ale tranzistorului.

- enunţe rolul rezistenţelor din circuitul de
polarizare
- identifice rezistenţa de polarizare în schema
electrică a circuitului de polarizare
- definească rolul fiecărei rezistenţe conectate
în terminalele tranzistorului
-materialul din această fişă poate fi prezentat clasei pe parcursul a 3-4 ore de
predare
-pentru fiecare situaţie, elevii ar putea rezolva exemple de calcul numerice
utilizând formulele de calcul a potenţialelor relevante pentru circuitul de
polarizare în raport cu masa circuitului.
CU CE? -fişe de lucru

-folii transparente
CUM? -metode de învăţare-explicaţie
-problematizare
-organizarea clasei-frontal/pe grupe
UNDE? -sala de clasă/laborator de electronică
- teste
- teme
27
- chestionare
Fişa suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
Competenţa C4. Verifică funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Prin interpretarea caracteristicilor de intrare se vor obţine informaţii privind modul de

conexiune şi regimul de funcţionare ale tranzistorului.
a) Caracteristicile de ieşire sunt reprezentarea grafică a variaţiei curentului de ieşire

în funcţie de tensiunea de ieşire pentru valori date ale curentului / tensiunii de intrare.
I ies = f (U iesire ) pentru I int = constant sau I iesire = f (U iesire ) pentru U int = constant
b) Caracteristicile de intrare sunt reprezentarea grafică a variaţiei curentului de

intrare în funcţie de tensiunea de intrare pentru valori date ale tensiunii de ieşire a
tranzistorului.
I int = f (U int ) pentru U int = constant
c) Caracteristicile de transfer sunt reprezentarea grafică a variaţiei curentului de

ieşire în funcţie de tensiunea / curentul de intrare pentru valori date ale tensiunii de ieşire a
tranzistorului.
I iesire = f (U int ) pentru U iesire = constant sau I iesire = f ( I int ) pentru U iesire = constant
28
Corelaţia între curenţii / tensiunile de intrare / ieşire care definesc tranzistorul bipolar
şi mărimile I C , I E , I B ,U BE , U BC ,U CE se va face în funcţie de modul de conexiune al

tranzistorului astfel că se vor enunţa expresiile matematice ale celor trei categorii de
caracteristici pentru fiecare mod de conexiune în parte
Se va consulta Fişa 1.4.

- definească fiecare familie de caracteristici
- identifice familia de caracteristici a tranzistorului în funcţie de expresia
matematică
- enunţe expresia matematică a familiei de caracteristici pentru un mod de
conexiune al tranzistorului.
- se vor scrie expresiile caracteristicilor de intrare / ieşire / transfer pentru fiecare mod de
conexiune al tranzistorului
- fişe de lucru
- demonstraţie
- organizarea clasei - pe grupe / frontal
UNDE ? - sala de clasă
- laboratorul tehnologic
- teste
- chestionare
29
Fişa suport 1.8. Caracteristicile statice ale tranzistorului în conexiune emitor

comun.
Competenţa C4. Verifică funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete.
Caracteristicile vor fi reprezentante grafic pentru un tranzistor de tip npn.
a) Caracteristicile de intrare ale tranzistorului in conexiunea emitor comun.
IB=f(UBE) pentru UCE=constant
Fig 1.13 Caracteristici intrare emitor comun
Până când tensiunea UBE atinge valoarea de prag V p, (Vp≈0,2 pentru Ge/0,7 pentru Si),
joncţiunea BE este parcursă de curentul rezidual I r, invers ( Fişa 1.2), apoi curentul I B
creşte exponenţial cu creşterea tensiuni UBE.
30
Se obţine o familie de caracteristici, pentru diferite valori ale tensiunii U CE, constantă pe
durata ridicării unei caracteristici.
Se observă că valoarea tensiunii U CE influenţează valoarea curentului I B si forma

caracteristicii.
b) Caracteristicile de ieşire ale tranzistorului in conexiunea emitor comun.
IC=f(UCE) pentru IB=constant sau IC=f(UCE) pentru UBE=constant
Fig 1.14 Caracteristici ieşire emitor comun
Pentru valori ale mărimii IB/UBE foarte mici, tranzistorului funcţionează in regim de blocare.
Pentru valori ale tensiunii UCE foarte mici, tranzistorul se află in regim de saturaţie.
(UCE=0,2÷0,3V)
În zona centrală a caracteristicilor tranzistorul funcţionează în regim normal care

corespunde unui regim de amplificare şi unde se verifică relaţia I C=βIB, deci IC rămâne
constantă pentru o valoare dată a IB.
Se vor consulta Fişa 1.2 şi Fişa 1.5
31
c) Caracteristicile de transfer ale tranzistorului în conexiunea emitor comun.
Ic=f(IB) pentru UCE=constant sau IC=f(UBE) pentru UCE=constant
Dependenţa dintre iC şi iB este aproximativ liniară ceea ce confirma relaţia I C=βIB. Mărimea
ICE0 este curentul rezidual colector - emitor.
Fig. 1.15 Caracteristici transfer emitor comun
Fig. 1.16 Schemă de măsurare a caracteristicilor conexiunii emitor comun

- descrie modul de obţinere a graficului caracteristicii unui tranzistor polarizat
- interpreteze graficele aferente caracteristicilor
conexiunii emitor comun
32
- identifice zonele caracteristicii
corespunzătoare diferitelor regimuri de funcţionare
- realizeze practic schemele de măsurare a
caracteristicilor tranzistorului în conexiunea emitor comun
- reprezinte grafic caracteristicile pe baza
măsurărilor electrice efectuate
- simuleze pe calculator măsurarea tensiunilor
şi curenţilor în vederea reprezentării grafice a caracteristicilor
- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizată prin măsurări electrice efectuate pe

schema de măsurare prezentată în laboratorul de electronică la orele de laborator alocate
modulului, iar activitatea se poate desfăşura pe grupe de elevi; ridicarea caracteristicilor
poate fi realizată şi prin simularea pe calculator a schemei de măsurare, într-un proiect
CU CE? - fişe de lucru

- dispozitive electronice discrete, echipamente de laborator
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de învăţare – explicaţie
- demonstraţie
- observare dirijată
- simulare
- organizarea clasei –pe grupe
UNDE? - laboratorul de electronică
- observare
- probă practică de laborator
- proiect
- chestionare
- fişă evaluare proiect
33
Tema 1.Tranzistoare bipolare
Fişa suport 1.9. Caracteristicile statice ale tranzistorului în conexiune bază

comună
Caracteristicile vor fi reprezentate pentru un tranzistor de tip npn
a)Caracteristicile de intrare ale tranzistorului în conexiunea bază comună
=f( ) pentru =constant
Fig 1.17 Caracteristicile intrare bază comună
34
Curentul de emitor creşte aproximativ exponenţial cu creşterea tensiunii U BE după intrarea
în conducţia tranzistorului la depăşirea valorii de prag. Valoarea tensiunii U CB influenţează
forma caracteristicii şi valorile curentului de emitor
b) Caracteristcile de ieşire ale tranzistorului în conexiunea bază comună

=( ) cu =constant sau =f( ) pentru =constant
Fig. 1. 18 Caracteristici ieşire bază comună
În situaţia =0(respectiv =0,2V) tranzistorul se află în regim de blocare.
Dacă ambele joncţiuni sunt direct polarizate ceea ce presupune <0 şi >0, tranzistorul
funcţionează în regim de saturaţie.
Regimul activ normal se regăseşte pe caracteristici la valorile >0 şi >0.Se observă

că ,ceea ce corespunde ecuaţiilor tranzistorului.
c)Caracteristicile de transfer ale tranzistorului în conexiune bază comună.
=f( ) pentru =constant sau =f( ) pentru =constant
35
Întrucât Ic este practic egal cu I E prima caracteristică de transfer are aceeaşi formă cu
caracteristicile de intrare ale tranzistorului în această conexiune.
Şi cea de-a a doua caracteristică indică faptul că ,diferenţa fiind dată de curentul
rezidual bază-colector (verifică Fişa 1.2)
Pentru ridicarea caracteristicilor în practică este necesar să se realizeze un circuit de

măsurare a curenţilor şi tensiunilor pe circuitul de intrare respectiv de ieşire al tranzistorului
care să permită reglarea valorilor şi măsurarea acestora conform ecuaţiilor enunţate.
Fig 1.19.Caracteristica de transfer bază comună
Fig 1.20. Schema de măsurare a caracteristicilor conexiunii bază comună

- descrie modul de obţinere a graficului caracteristicii unui tranzistor polarizat
36
- interpreteze graficele aferente caracteristicilor
conexiunii bază comună
- identifice zonele caracteristicii
corespunzătoare diferitelor regimuri de funcţionare
- realizeze practic schemele de măsurare a
caracteristicilor tranzistorului în conexiunea bază comună
- reprezinte grafic caracteristicile pe baza
măsurărilor electrice efectuate
- ridicarea caracteristicilor statice poate fi realizată prin măsurări electrice efectuate pe

schema de măsurare prezentată în fişă în laboratorul de electronică
- ridicarea caracteristicilor poate fi realizată prin simularea pe calculator a schemei de

măsurare
- activitatea se poate desfăşura pe grupe de elevi
- aparate de măsură
- surse de alimentare
- dispozitive electronice discrete
- programe de simulare pe calculator a circuitelor electronice
CUM? - metode de învăţare - explicaţie
- lucrare practică
- demonstraţie
- observaţie dirijată
- simulare
- organizarea clasei - pe grupe
UNDE? –laboratorul de electronică

37
- observare
- proiect
- chestionare
Tema 1: Tranzistoare bipolare
Fişa suport 1.10. Punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar.

Competenţa C3.Determină funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Competenţa C4.Verifică funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Pentru a funcţiona ca amplificator, un tranzistor trebuie alimentat in curent continuu, deci
polarizat cu un circuit de polarizare format din surse de alimentare în c.c. si grupuri
rezistive, în care se stabilesc valorile de curent continuu ale mărimilor electrice specifice
tranzistorului, respectiv valorile următorilor curenţi si tensiuni: IE, IB, IC, UBE, UBC, UCE.
În planul caracteristicilor de ieşire a tranzistorului determinat în funcţie de modul de

conexiune al acestuia, un punct este determinat de trei mărimi:
- curentul de ieşire, tensiunea de ieşire, curentul de intrare (Iies, Uies, Iin), sau
- curentul de ieşire, tensiunea de ieşire, tensiunea de intrare (Iies, Uies, Uin).
Se va consulta fişa 1.7.
Etapele de parcurs în vederea stabilirii unui punct în planul caracteristicelor de

ieşire sunt: - se vor identifica mărimile Iies /Uies /Iin /Uin în funcţie de modul de conexiune
al tranzistorului polarizat.
38
- se vor identifica caracteristicile de ieşire ale tranzistorului în modul de conexiune
analizat
- se marchează un punct în planul caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului
Punctul static de funcţionare în curent continuu este un punct în planul

caracteristicilor de ieşire a tranzistorului, este determinat de trei mărimi electrice si
defineşte condiţiile de funcţionare ale tranzistorului: modul de conexiune si regimul de
funcţionare. Se foloseşte abrevierea PSF pentru punctul static de funcţionare
Se analizează dependenţa dintre poziţia PSF în planul caracteristicilor de ieşire

şi regimul de funcţionare al tranzistorului astfel:
- se indică modul de conexiunii al tranzistorului
- se identifică reprezentarea grafica a caracteristicelor de ieşire corespunzătoare
- se alege poziţia PSF în planul caracteristicilor de ieşire astfel încât tranzistorul să fie
în regim normal activ
- se alege un alt PSF corespunzător regimului de saturaţie
Pentru determinarea valorilor numerice ale mărimilor care definesc PSF se va
rezolva circuitul de polarizare al tranzistorului, pentru care se vor scrie ecuaţiile
corespunzătoare legilor lui Kirchhoff.
Să se calculeze valoarea PSF pentru circuitul de polarizare al tranzistorului in conexiune

emitor comun, redat în figura de mai jos, în care se va considera IC≈ IE si UBE= 0,6 V.
Marcaţi poziţia PSF în planul caracteristicilor de ieşire din Fişa 1.8.
Fig 1.21 Circuit de polarizare al tranzistorului
39
Elevii vor fi capabili la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic să:
- definească noţiunea de punct static de funcţionare
- enumere etapele de parcurs în vederea stabilirii PSF pentru un tranzistor în
modul de conexiune precizat
- determine valoarea numerică a mărimilor corespunzătoare PSF într-un circuit de
polarizare al tranzistorului
- activitatea poate să se desfăşoare şi pe parcursul orelor de laborator, unde pot

fi analizate mai multe exemple de circuite de polarizare în vederea determinării
PSF

- folii transparente
- panouri didactice cu circuite de polarizare tranzistor
CUM? - metode de învăţământ – explicaţia
- demonstraţia
- comparaţia
- problematizarea
- organizarea clasei – frontal/pe grupe
UNDE? - laboratorul de electronică
- observare
- test
- teme în clasă/ pentru acasă
- Mijloace de evaluare – fişe de
lucru
- chestionare
40
Tema 1 Tranzistoare bipolare
Fişa suport 1. 11. Dreapta de sarcinǎ staticǎ

Competenţa C3. Determină funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Dreapta de sarcinǎ staticǎ este formatǎ din totalitatea punctelor statice de

funcţionare în c.c. posibile ale unui tranzistor conectat într-un circuit de polarizare
Se pot face următoarele observaţii:
- ecuaţia dreptei de sarcinǎ este ecuaţia circuitului de ieşire a tranzistorului

- ecuaţia dreptei de sarcinǎ este dependentǎ de structura circuitului de polarizare la
ieşirea tranzistorului.
- circuitul de ieşire al tranzistorului este stabilit în funcţie de modul de conexiune al
acestuia.
- dreapta de sarcinǎ se va reprezenta în planul caracteristicilor de ieşire a tranzistorului.
Reprezentarea grafică a dreptei de sarcină
Pentru a defini o dreaptă sunt suficiente două puncte. Se vor determina punctele de
intersecţie ale dreptei cu axele sistemului de coordonate din planul caracteristicilor de
ieşire al tranzistorului (I ieş , Uieş ), unde Iieş şi Uieş sunt curentul respectiv tensiunea de ieşire
ale tranzistorului.
Ecuaţia unei drepte este de forma Y = mx +n respectiv I ieş = m∙ Uieş + n
Pentru a determina punctele de intersecţie cu axele se consideră I ieş = 0 şi rezultă
41
Uieş = - n /m ; apoi se consideră Uieş =0 şi rezultă Iieş = n
Se marchează aceste două puncte pe axe iar prin unirea lor se obţine dreapta de sarcină
statică
Tranzistorului i se impun condiţiile de funcţionare I ieş > 0 şi Uieş > 0 deci punctul static de
funcţionare (PSF) se va situa pe dreapta de sarcină în primul cadran al sistemului de axe.
Fig 1.22 Dreapta de sarcină statică
Etapele de parcurs pentru ridicarea dreptei de sarcină sunt :
- identificarea circuitului de polarizare al tranzistorului

- identificarea modului de conexiune al tranzistorului
- identificarea circuitului de ieşire al tranzistorului
- scrierea ecuaţiei dreptei de sarcină
- identificarea planului caracteristicilor de ieşire a tranzistorului
- ridicarea dreptei prin determinarea tăieturilor cu axele
Concluzie: Punctul static de funcţionare PSF al tranzistorului se poate situa teoretic

oriunde în planul caracteristicilor de ieşire, însă conectarea tranzistorului într-un circuit de
polarizare îl limitează la dreapta de sarcină
Exemplu: Se va reprezenta dreapta de sarcină corespunzătoare următorului circuit de

polarizare, din figura 1.21,acelaşi din fişa 1.10
42
Fig 1.21 Circuit de polarizare al tranzistorului
- Poziţionaţi PSF pe care l-aţi calculat pentru acest circuit în fişa 1.10 pe dreapta de
sarcină reprezentată.
- Elevii vor fi capabili, la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic, să:
- enunţe ecuaţia dreptei de sarcină a unui circuit de polarizare a tranzistorului
- stabilească planul de axe de coordonate în care va fi reprezentată grafic dreapta de

sarcină
- reprezinte dreapta de sarcină în planul de axe stabilit
- se va ridica dreapta de sarcină şi pentru alte circuite de polarizare respectând etapele
menţionate , pe grupe. Această activitate poate sa se desfăşoare şi pe durata orelor
de laborator sau ca activitate de proiect.
CU CE ? - Fişe de lucru
CUM ? Metode de învăţământ - explicaţia
- demonstraţia
- comparaţia
Organizarea clasei – frontal / pe grupe
UNDE ? - laboratorul de electronică
- observare
43
- proiect
- chestionare
Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de măsură

Ca structură, tranzistorul bipolar corespunde la două diode montate în opoziţie, astfel că
circuitul echivalent al tranzistorului este:
Fig 1.23 Circuitul echivalent al tranzistorului.

De aceea, tranzistorul poate fi testat cu ohmetrul; se testează joncţiunea EB şi apoi
joncţiunea CB. Această testare va permite, în cazul unui tranzistor funcţional, fără defecte,
identificarea bazei (B) şi stabilirea tipului tranzistorului (pnp sau npn). Pentru identificarea
emitorului şi colectorului se va utiliza efectul de tranzistor (vezi fişa 1.2).
Se consideră că baza şi tipul componentei au fost deja identificate şi se utilizează
următoarea schemă de măsurare, pentru un tranzistor pnp:
Fig 1.24 Circuitul de testare al efectului de tranzistor

44
Dacă tranzistorul este conectat corect ( respectiv emitorul E la borna + a ohmetrului, iar C
la borna – ), se va produce efectul de tranzistor şi ohmetrul va înregistra o rezistenţă, de
valoare mică. Dacă tranzistorul nu este conectat corect ( E la borna - şi C la borna + ),
efectul de tranzistor nu se va produce şi ohmetrul indică o rezistenţă infinită.
Tranzistorul este polarizat cu tensiunea bateriei ohmetrului. Din cauza acesteia

semnificaţia bornelor ce indică polaritatea pe carcasa multimetrului se inversează.
Etapele activităţii de testare a tranzistorului bipolar sunt:
- Identificarea capsulei; identificarea terminalelor B, E şi C; testarea joncţiunii EB;

testarea joncţiunii CB; stabilirea tipului tranzistorului

- utilizeze multimetrul pentru a testa funcţionalitatea unui tranzistor
- identifice prin măsurare terminalele tranzistorului
45
Sugestii metodologice :
Materialul poate fi utilizat pentru pregătirea unei ore de instruire practică din cele
alocate modulului.
CU CE? - Dispozitive electronice discrete

- Fişe de lucru
- Aparate de măsură
CUM? - Metode de învăţământ
- demonstraţia : prin efectuarea unei testări de către cadrul didactic
- observaţia dirijată : cadrul didactic urmăreşte etapele testării
. tranzistoarelor de către elevi
- exerciţiu : se repetă operaţia de testare
- explicaţia : sintetizează rezultatele testărilor
- Organizarea clasei: Individual/pe grupe
UNDE? - Laboratorul de electronică / atelierul de practică
PENTRU CE? - Metode de evaluare – probă practică de laborator
- observare
- fişe tehnologice tranzistor
Tema 2: Tiristorul
Fisa suport 2.1. Structura şi funcţionarea tiristorului

Competenţa: C1. Identifică dispozitivele electronice discrete
Competenţa:C3. Determină funcţionalitatea dispozitivelor electronice discrete
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor format din patru regiuni complementare de

tip p şi n care formează trei joncţiuni. Tiristorul dispune de trei electrozi numiţi anod (A),
catod (C) şi poartă sau grilă (G)
46
a b
Fig 2.1 Structura tiristorului (a) simbolul tiristorului (b)
Pentru analiza funcţionării tiristorului este util circuitul echivalent al dispozitivului.
Fig 2.2 Circuitul echivalent cu tranzistoare al tiristorului
Acesta este format din două tranzistoare de tip pnp respectiv npn care au terminale în
comun.
Tiristorul prezintă două regimuri de funcţionare:
a) regimul de blocare care constă în întreruperea circuitului între anod si catod, situaţie
in care se constată practic existenţa unei rezistenţe de valoare foarte mare între
anod şi catod.
b) regimul de conducţie în care se constată o rezistenţă de valoare foarte mică între
anod si catod.
Regimul de funcţionare este dependent de polarizarea tranzistorului, în variantele:
1) tensiunea anod-catod este negativă (UA <0), ca urmare tiristorul este blocat, indiferent de
polarizarea porţii G. La polarizare inversă, tiristorul se comportă ca o diodă.
47
Fig 2.3 Tiristorul invers polarizat şi circuitul echivalent
Pe circuitul echivalent, se observa că această situaţie se datorează blocării tranzistoarelor
T1 si T2.
2) tensiunea anod-catod este pozitivă (UA>0) si poarta este nepolarizată – tiristorul este în
continuare blocat.
Fig 2.4 Tiristorul direct polarizat cu poarta nepolarizată

Pe circuitul echivalent se observă că tranzistorul T 2 este in continuare blocat.
3) tensiunea anod-catod este pozitivă (U A >0) şi se aplica un impuls pozitiv pe poartă –
tiristorul se află în stare de conducţie.
Pe circuitul echivalent se poate observa cum impulsul de scurtă durată, numit impuls de
amorsare e suficient pentru a deschide şi tranzistorul T 2 şi a închide circuitul între anod şi
catod.
Fig 2.5 Tiristorul direct polarizat cu impuls de amorsare pe poartă
48
Tensiunea anod-catod UA trebuie să fie pozitivă şi mai mare decât pragul. Numai peste
această valoare de prag a tensiunii U A, impulsul pozitiv aplicat pe poartă va debloca
tiristorul (daca T1 e blocat, în zadar este deblocat T2 ).
Tiristorul odată intrat în conducţie nu mai poate fi controlat prin poartă. Dacă, ulterior intrării
în conducţie polarizarea porţii este absenta (U G=0), tiristorul rămâne în conducţie.
4) blocarea unui tiristor aflat in stare de conducţie se poate realiza prin întreruperea
curentului de anod.
Fig 2.6 Întreruperea curentului anodic al tiristorului
Fig.2.7 Tiristoare încapsulate
Aspectul fizic al capsulei tiristorului este prezentat in figura 2.7
- identifice simbolul utilizat pentru tiristor
- interpreteze circuitul echivalent cu tranzistoare al tiristorului
- explice comutarea tranzistorului între regimurile de funcţionare
- identifice după aspect capsula tiristorului
49
- cadrul didactic poate să apeleze la comparaţia intre diodele redresoare si
tiristor pentru a face mai accesibile noile cunoştinţe
- materialul poate fi analizat pe durata a doua-trei ore
- aspectul fizic al tiristoarelor poate fi analizat in orele de instruire practică
ale modulului
-
- folii transparente
CUM? - metode de învăţare - explicaţia
- comparaţia
- problematizarea
- demonstraţia
- organizarea clasei – frontal / pe grupe
UNDE? - sala de clasa / atelier practica
- observare
lucru
- fişe tehnologice tiristor
Tema 2. Tiristorul
Fişa suport 2.2 Caracteristica statică a tiristorului
50
Caracteristica statică a tiristorului este reprezentarea grafică a dependenţei
curentului de anod de tensiunea anod – catod şi de tensiunea de polarizare a porţii.
Fig 2.8 Caracteristica statică a tiristorului cu poarta nepolarizată
Aceasta este caracteristica tiristorului cu poarta nepolarizată ( U 0=0 ).
Al treilea cadran ( UA < 0. IA < 0 ) corespunde stării de blocare prin polarizare inversă
(situaţia 1 din fişa 2.1). Se constată că pentru valori |U A| < |Ustr| tiristorul este practic
întrerupt, curentul invers fiind de valoare fiind de valoare foarte mică. Pentru U A = Ustr se
constată străpungerea tiristorului şi valoarea curentului invers creşte brusc.
În primul cadran ( UA > 0, IA > 0) se identifică mai multe zone :
- Pentru UA < UDmax tiristorul este în stare de blocare, la polarizarea directă.

- Pentru UA = UDmax , tiristorul va intra în conducţie chiar în absenţa unui impuls de
amortizare pe poartă. |UDmax| = |Ustr|
- Trecerea din starea de blocare în starea de conducţie este un proces tranzitoriu
foarte rapid (câteva µsec) şi este reprezentată punctat pe porţiunea MN a
51
caracteristicii, unde se observă valoarea minimă a curentului anodic I AO peste
care tiristorul este în conducţie. În acelaşi timp tensiunea anod – catod U A scade
brusc (tranzistorul T2 din circuitul echivalent se deschide la saturaţie).
- Din punctul N, tiristorul este în stare de conducţie efectivă, iar dependenţa curent
– tensiune este practic liniară.
Dacă poarta este polarizată cu un impuls pozitiv U G > 0, tiristorul nu se deschide numai
decât ce UA > 0 şi în acest caz este necesar ca UA să atingă o valoare de prag, dar
aceasta scade pe măsură ce creşte valoarea UG, după cum se observă în figura 2.9 unde
UG2>UG1>UG0=0 şi UD1<UD2<UDmax.
Fig 2.9 Familia de carateristici statice a tiristorului
Se remarcă aspecte noi :
- Posibilitatea trecerii din starea de blocare în starea de conducţie şi cu poarta

nepolarizată
- Existenţa unei valori de prag pentru tensiunea anod – catod

- interpreteze graficul caracteristicii tiristorului
- identifice zonele caracteristicii corespunzătoare regimurilor de funcţ ionare
52
Sugestii metodologice:
Cadrul didactic poate efectua lucrarea de laborator cu tema – ridicarea
caracteristicii statice fără a insista asupra interpretării teoretice a formei
caracteristicii
CU CE?
- Fişe de lucru
- Folii transparente
- Dispozitive electronice discrete
- Aparate de măsură
CUM?
- Metode de învăţământ
- explicaţia
- demonstraţia
- Organizarea clasei
- frontal/ pe grupe
UNDE?
- Sala de clasă
- Laboratorul de electronică
PENTRU CE? - Metode de evaluare – chestionare orală
- observare
lucru
- fişă tehnologică tiristor
Tema 2 : Tiristorul
Fişa suport 2.3. Parametrii tiristorului
Competenţa C2 : Selectează dispozitivele electronice discrete.
Parametrii tiristorului caracterizează regimurile de funcţionare ale acestuia şi au fost
menţionaţi în acest sens la analiza modului de funcţionare şi a caracteristicii statice.
Se va studia fişa 2.1. şi fişa 2.3.
Tensiunea directă de întoarcere UΔmax este tensiunea la care tiristorul intră în

conducţie în condiţiile în care poarta este nepolarizată.
Curentul de menţinere IAO este valoarea curentului anodic sub care tiristorul comută
din regiunea de conducţie directă în cea de blocare directă. Această exprimare se referă la
53
faptul că tensiunea anod - catod este pozitivă (U A > 0 ), deci tiristorul este direct polarizat
când are loc comutaţia.
Tensiunea inversă de străpungere Ustr reprezintă valoarea tensiunii inverse între

anod şi catod la care dispozitivul pătrunde în regiunea de străpungere şi începe să
conducă necontrolat (similar diodei cu joncţiune pn)
Curentul de poartă de amorsare IGO este valoarea curentului de poartă necesar

pentru ca tiristorul să comute din regiunea de blocare directă în cea de conducţie directă,
ceea ce presupune valori pozitive pentru tensiunea anod – catod, U A > 0.
Timpul de amorsare ta intervalul de timp necesar dispozitivului să treacă din starea

de blocare directă în starea de conducţie directă după aplicarea impulsului de amorsare pe
poartă.
Timp de dezamorsare td – intervalul de timp necesar dispozitivului să treacă din

starea de conducţie directă în starea de blocare directă după întreruperea curentului
anodic.
- definească parametrii tiristorului
- identifice parametrii tiristorului pe caracteristica statică
- interpreteze o foaie de catalog pentru tiristoare
- selecteze tiristoare în funcţie de valorile de catalog ale parametrilor
- se vor identifica valorile de catalog ale acestor parametrii în

cataloagele de componente, pentru diferite tiristoare
- această activitate se poate desfăşura pe parcursul orelor de
54
laborator
CU CE ? - fişe de lucru
- cataloage de componente
CUM ? - metode de învăţământ - explicaţia
- demonstraţia
- comparaţia
- organizarea clasei – pe grupe
UNDE ? – laboratorul de electronică

PENTRU CE? - Metode de evaluare – probă practică de laborator
- observare
- Mijloace de evaluare –
fişe de lucru
- fişe tehnologice tiristor
IV. Fişa rezumat
Numele elevului: _________________________
Numele profesorului: _________________________
Evaluare
Competenţe
Activităţi efectuate şi
care trebuie Satis-
comentarii Data
dobândite Bine Refacere
activităţii făcător
55
Activitate1
Caracteristica de
intrare emitor comun
- se efectuează o
C3
lucrare de laborator
Determină prin simularea
funcţionalitatea circuitului pe
dispozitivelor calculator
electronice Activitate 2
discrete
Caracteristica de
ieşire emitor comun
- se efectuează o
lucrare de laborator
cu aparate de
măsură
Comentarii Priorităţi de dezvoltare
Competenţe care urmează să fie Resurse necesare
dobândite (pentru fişa următoare)
 Competenţe care trebuie dobândite

Această fişă de înregistrare este făcută pentru a evalua, în mod separat, evoluţia legată de
diferite competenţe. Acest lucru înseamnă specificarea competenţelor tehnice generale şi
competenţelor pentru abilităţi cheie, care trebuie dezvoltate şi evaluate. Profesorul poate
utiliza fişele de lucru prezentate în auxiliar şi/sau poate elabora alte lucrări în conformitate
cu criteriile de performanţă ale competenţei vizate şi de specializarea clasei.
 Activităţi efectuate şi comentarii

Aici ar trebui să se poată înregistra tipurile de activităţi efectuate de elev, materialele
utilizate şi orice alte comentarii suplimentare care ar putea fi relevante pentru planificare
sau feed-back.
56
 Priorităţi pentru dezvoltare
Partea inferioară a fişei este concepută pentru a menţiona activităţile pe care elevul trebuie
să le efectueze în perioada următoare ca parte a viitoarelor module. Aceste informaţii ar
trebui să permită profesorilor implicaţi să pregătească elevul pentru ceea ce va urma.
 Competenţele care urmează să fie dobândite

În această căsuţă, profesorii trebuie să înscrie competenţele care urmează a fi dobândite.
Acest lucru poate implica continuarea lucrului pentru aceleaşi competenţe sau identificarea
altora care trebuie avute in vedere.
 Resurse necesare
Aici se pot înscrie orice fel de resurse speciale solicitate:manuale tehnice, reţete, seturi de
instrucţiuni şi orice fel de fişe de lucru care ar putea reprezenta o sursă de informare
suplimentară pentru un elev care nu a dobândit competenţele cerute.
Notă: acest format de fişă este un instrument detaliat de înregistrare a progresului

elevilor. Pentru fiecare elev se pot realiza mai multe astfel de fişe pe durata
derulării modulului, aceasta permiţând evaluarea precisă a evoluţiei elevului, în
acelaşi timp furnizând informaţii relevante pentru analiză.
V. Bibliografie
Dănilă Theodor, Ionescu – Vaida Monica. (1990). Componente şi circuite electronice,
manual pentru clasa a XI a, Bucureşti, Editura didactică şi pedagogică
Sabin Ionel. (2008). Dispozitive şi circuite electronice, Timişoara, Editura Politehnica.
Floyd L. Thomas. (2003). Dispozitive electronice, Bucureşti, Editura Teora.
Păun Rusalin Lucian. (2005). Măsurări electrice şi electronice, manual auxiliar pentru clasa
a XI-a, Timişoara., Editura „Politehnica”
Drăgulănescu Nicolae. (1989). Agenda Radioelectronistului, ediţia a II-a, Bucureşti, Editura
Tehnică.
Jinga Ioan, Istrate Elena. (1998). Manual de pedagogie, Bucureşti, Editura All.
Niculescu Rodica Mariana.(1996). Pedagogie generală, Bucureşti, Editura Scorpion.
57
58

01 - Dispozitive Electronice I

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

01 - Dispozitive Electronice I

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Învăţământul profesional şi tehnic În domeniul TIC

Beneficiar-Centrul Naţional de Dezvoltare a Învăţământului Profesional şi Tehnic

Material de predare – partea I

Domeniul: Electronică şi Automatizări

Calificarea: Electronist reţele de Telecomunicaţii

AURELIA PITIC – profesor grad didactic I Grup Şcolar de Poştă şi Telecomunicaţii-

REMUS CAZACU - profesor grad didactic I colegiul Tehnic de Telecomunicaţii “Nicolae

IOANA CÎRSTEA – expert CNDIPT

ZOICA VLĂDUŢ – expert CNDIPT

ANGELA POPESCU – expert CNDIPT

DANA STROIE – expert CNDIPT

II.Documente necesare pentru activitatea de predare.......................6

Fişa suport 1.2. Funcţionarea tranzistorului bipolar.......................................................11

Fişa suport 1.3. Parametrii tranzistoarelor bipolare.......................................................14

Fişa suport 1.4. Modurile de conexiune ale tranzistoarelor bipolare.............................17

Fişa suport 1.5. Regimurile de funcţionare ale tranzistoarelor bipolare........................20

Fişa suport 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului...............................................22

Fişa suport 1.7. Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare.............................27

Fişa suport 1.10. Punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar........................37

Fişa suport 1. 11. Dreapta de sarcinǎ staticǎ................................................................40

Fisa suport 1.12 Testarea tranzistoarelor bipolare cu aparate de măsură....................43

Fişa suport 2.2 Caracteristica statică a tiristorului........................................................49

Fişa suport 2.3. Parametrii tiristorului............................................................................52

IV. Fişa rezumat...............................................................................54

Materialul de predare este resursă-suport pentru activitatea de predare, conţine

electronice discrete torului bipolar

C4. Verifică Fişa 1.6. Circuite de polarizare ale tranzistorului

Tema 2 C1. Identifică Fişa 2.1. Structura internă şi funcţionarea

C2. Selectează Fişa 2.3. Parametrii tiristorului

C4. Verifică Fişa 2.2. Caracteristica statică a tiristorului

Pentru predarea la clasă a conţinuturilor abordate în materialul de predare, cadrul didactic

Standardul de Pregătire Profesională pentru calificarea Electronist reţele de telecomunicaţii

Curriculum pentru calificarea Electronist reţele de Telecomunicaţii; nivel 2- www.tvet.ro

SPP este un document structurat pe unităţi de competenţe care descrie în termeni de

Curriculum constă în proiectarea parcursului de educaţie şi formare profesională pe baza

Fişa suport 1.1. Structura şi simbolul tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv implantat într-un monocristal de material

Regiunile de la extremităţi au acelaşi tip de conductibilitate (de tip p sau de tip n ) şi se

Fig. 1.1 Tranzistor tip pnp şi npn

În jurul suprafeţelor de separaţie se formează două joncţiuni:

Fig. 1.2 Simbolul tranzistorului pnp şi npn

Gradul de dopare al regiunilor se referă la procentajul alocat purtătorilor majoritari în raport

Din analiza comparativă a dimensiunilor şi a gradului de dopare a regiunilor tranzistorului,

 Emitorul este de dimensiune relativ mare şi este puternic dopat

Aspectul fizic al tranzistoarelor şi marcajul înscris pe capsulă va fi analizat pentru diferite

Elevii vor fi capabili, la finalizarea activităţilor propuse de cadrul didactic, să:

Identificarea tranzistoarelor după aspect fizic şi marcaj poate fi dezvoltată pe parcursul

UNDE ? - Laboratorul de electronică

PENTRU CE? - Metode de evaluare – conversaţie dirijată

- probă practică identificare tranzistoare

- Mijloace de evaluare – fişe de lucru

Tema 1. Tranzistoare bipolare

Fişa suport 1.2. Funcţionarea tranzistorului bipolar.

Competenţa C1. Identifică dispozitivele electronice discrete.

Se analizează funcţionarea tranzistorului în situaţia în care joncţiunea emitor-bază EB este

apare un curent de difuzie mare dinspre emitor spre bază notat cu .

părăsesc baza prin terminalul B formând curentul de bază de valoare mică.

Astfel se formează curentul de colector . Curenţii sunt formaţi de purtători de

sarcină minoritari din fiecare joncţiune şi au valoare foarte mică, deci 0.

Relaţia între curenţii tranzistorului este exprimată prin Ecuaţia I a fundamentală a

Din ( 1 ) şi ( 2 ) rezultă =β* şi cu β =

Toate ecuaţiile sunt valabile pentru tranzistoarele pnp şi npn

este exprimat prin valorile coeficienţilor α şi β.