SEMICONDUCTORES DE CARBURO DE SILICIO

INTEGRANTES :

-Alvarez Terrones Daniel

-Gonzales Gil miguel

-Gutierrrez Terrones juan

-Toledo Horna Luiggi

1.Tecnología del silicio

Los semiconductores de carburo de silicio son una nueva tecnología en desarrollo, la cual
ha logrado obtener grandes ventajas a comparación de la tecnología que está basada solo
en silicio, debido a las buenas propiedades que tiene, en un futuro se espera que sea
comerciable y accesible, lo cual harán que el silicio quede de lado, debido a las ventajas
superiores que presentan. El carburo de silicio presenta las siguientes características como:
mayor soporte a altas temperaturas, menor tiempo de conmutación, la resistencia a
descargas disruptivas contra los campos eléctricos (aproximadamente 10 veces más), los
transistores MOSFETs tienen pocas perdidas en estado de conducción, tienen componentes
bipolares para tensiones de mayores rupturas, etc.

En la actualidad el Silicio es el semiconductor más utilizado en los dispositivos de potencia, sin

embargo, con el pasar del tiempo este material se limitando sus características, como el sillico
siempre ha sido un buen material se buscó uno nuevo que esté basado en el mismo silicio pero
que tenga mejores características lo cual implica mayor rendimiento es así que se llegó a él
carburo de silicio (SiC) el cual tiene aplicaciones de alta eficacia y densidad de alta potencia. Es así
que el carburo de silicio se ha convertido en el material de lección para los dispositivos de
potencia de última generación para reemplazar a la tecnología existente del (Si).

Según (Linder, 2007) se estima que los costos de los componentes de carburo de silicio
mantendrán sus precios elevados en un largo plazo de tiempo, a comparación de los componentes
de silicio que son del mismo tamaño. En el rango de alta potencia, consiste que los componentes
funcionen a una densidad de corriente elevada, a comparación al de los componentes de silicio, ya
que estos componentes permiten una mayor temperatura de la junta, que supere los 400 grados
centígrados y también generan minúsculas perdidas. Se encontraron algunos impedimentos para
este objetivo:

 Se hace difícil crear una tecnología de encapsulado que produzcan temperaturas de junta
elevadas con el silicio, lo cual en los mayores dispositivos hechos con carburo de silicio las
pérdidas se permanecerán en los límites establecidos en los componentes de silicio.
  Otro problema que surgiría en los dispositivos de carburo de silicio, es la corta duración de
conmutación en comparación al componente de silicio, por consiguiente, las inductancias
parasitas permitidas en los encapsulados son menores que el de los componentes de
silicio.

El progreso de la tecnología del carburo de silicio se ve afectado debido a los altos costos del
material y a sus dificultades técnicas en los componentes y en la tecnología de encapsulado que
reducen las esperanzas de que en un futuro se produzca el progreso del carburo de silicio en el
rango de la alta potencia.

2.Diodo de Carburo de Silicio :

-Diodo Schottky de SiC:

El diodo Schottky de SiC es el primer dispositivo de potencia SiC comercializado con éxito. Los
diodos Schottky son dispositivos portadores mayoritarios y no tienen fenómenos de recuperación
inversa, una característica muy favorable para las aplicaciones de alto voltaje. La tecnología SiC
extendió el voltaje de ruptura de un diodo Schottky por encima de 1000 V, que había sido limitada
por debajo de 200 V con la tecnología Si .

La Tabla I resume las características clave del diodo Schottky de SiC (Infineon-IDW15S120).Debido
a la energía de banda ancha, la caída de tensión directa del diodo Schottky de SiC es de 1 ~ 2 V,
que es mayor que su contraparte de Si. Por lo tanto, la principal ventaja del diodo Schottky de SiC
se obtiene en aplicaciones de alto voltaje donde la mayor caída de voltaje tiene un impacto
insignificante en las pérdidas. Otra característica importante del diodo Schottky de SiC que es lo
opuesto a su contraparte de Si es que la caída de tensión directa tiene un coeficiente térmico
positivo, lo que permite la conexión paralela del diodo Schottky para manejar una corriente más
alta; debido a que la caída de tensión directa del diodo Schottky SiC a 150 ° C es casi el doble en
comparación con la temperatura ambiente, el disipador térmico para el diodo Schottky SiC debe
diseñarse con un margen suficiente para evitar el desbordamiento térmico.

Tabla I. Características del diodo Schottky de SiC (Infineon-IDW15S120)

Los diodos Schottky son similares a los diodos pn pero en lugar de tener una unión entre un
material de n y el material p la unión se produce en la interfaz entre un semiconductor tipo n
ligeramente dopada y un metal . La diferencia en la concentración de portadores de los dos
materiales crea la barrera de potencial en la unión. Debido a que tanto el semiconductor y el
metal son de tipo n, la conducción de corriente sólo implica portadores mayoritarios (electrones)
sin inyección de portadores, almacenamiento o recombinación. Esto es porque los electrones del
semiconductor tipo n entran en el lateral del metal, donde hay un montón de electrones, y se
convierten en parte del metal, por lo tanto, no hay almacenamiento de carga en la unión. Puesto
que no hay conducción de portadores minoritarios en un diodo Schottky, que no tiene una
característica de recuperación inversa. Es decir, el tiempo de almacenamiento es casi cero.

- Las aplicaciones actuales de los diodos de silicio se limita a revertir , ya que bloquea tensiones
de 250 V CC. Esto se debe a diodos Schottky tiene mayor corriente de fuga inversa en
comparación con diodos pn.

- Rectificadores Schottky de silicio tienen una temperatura nominal máxima de unión en el

intervalo de 125 a 175 ºC.

- SiC permite la producción de diodos Schottky nominal de 300 y 600 V, principalmente porque
bajas corrientes de fuga son posibles porque la barrera de semiconductor metal es dos veces
mayor que el silicio, y también porque las temperaturas más altas no hacen que la corriente de
fuga SiC para aumentar a un ritmo empinada.

-El SiC tiene una cualidad importante que es su alta conductividad térmica que permite mayores
densidades de corriente, tamaños de matriz más pequeñas, paquetes más pequeños, y los
requisitos de disipador de calor más pequeños

3.Transistores de carburo de silicio:

3.1 JFET de carburo de silicio:

El JFET de (SiC) se vendió antes que los interruptores de (SiC), esto se debe a que fácil de
implementar y no existe un problema de confiabilidad del óxido de compuerta como se
observa en los MOSFET de (SiC). El JFET es por lo general un interruptor de tipo ON, como
se ilustra en la Figura 1, que puede implementarse con una estructura de zanja vertical u
horizontal. El JFET normalmente de tipo ON también se denomina modo de agotamiento
JFET y se apaga completamente cuando el voltaje de la compuerta está por debajo del
voltaje de pinch-off (aproximadamente -15 V). Cuando se enciende, exhibe una constante
resistencia ON que puede minimizarse cuando el voltaje de la compuerta es ligeramente
superior a cero, como se muestra en la Figura 3.1.1
 Figura 3.1.1. ID típica vs. VDS para diferentes tensiones de compuerta de tipo
normalmente encendido JFET

La característica normalmente activada suele ser un problema ya que la pérdida de control

puede causar una conducción no deseada delos interruptores, en consecuencia, pueden
conducir a descargar a través de la corriente dañando el sistema de energía. Una técnica
común para solucionar este problema es utilizar un controlador de código de cas, como se
muestra en la Figura 3.1.2, donde se conecta un MOSFET de Si de bajo voltaje y alta
corriente a la fuente de JFET de (SiC). Por lo general, se utilizan MOSFET de 30 V con varios
m ohmios de resistencia ON para la configuración de cascode. Durante la operación
normal, el MOSFET de bajo voltaje se realiza sin una contribución significativa a la
resistencia total del estado ON. En caso de arranque y mal funcionamiento, el MOSFET
normalmente apagado se apaga presionando la fuente del JFET a un potencial positivo en
relación con su compuerta y, por lo tanto, se convierte el JFET en un estado de apagado
seguro.

En el funcionamiento normal, el JFET es accionado por la puerta Si MOSFET. Cuando el

MOSFET de Si está encendido, la tensión de la puerta de JFET se convierte en cero permitir
en la conducción del JFET. Otro método de conducción para el circuito de cascode es
garantizar que el MOSFET esté siempre encendido mientras la fuente de alimentación del
conductor esté presente .Luego, el circuito actúa como un JFET autónomo en operación
normal, que evita la pérdida de conmutación relacionada con el MOSFET y las limitaciones
de un circuito de código de caja convencional causadas por el tiempo de conmutación.

También es posible permitir que el FET tenga una característica normalmente da ajustando
el grosor del canal vertical y el nivel de dopaje cuando se usa la estructura de zanja
vertical. El tipo normalmente apagado de JFET también se llama modo de mejora JFET y
permanece en el OFF estado cuando la tensión de la puerta es cero y está completamente
girado en cuando el voltaje de la puerta es alrededor de 2 ~ 3 V.
 Figura 3.1.2 Circuito de accionamiento de cascode convencional

3.2 MOSFET de carburo de silicio:

EL transistor MOSFET de carburo de sillico en comparación con uno MOSFET de Silicio(Si),

los MOSFET de (SiC) tienen características de operacion muy resaltantes que deben
considerarse al diseñar el circuito de control de puerta. Como puede verse en la Figura
3.2.1, la transición de las regiones lineales a las de saturación no están definidas
claramente como sus contrapartes de Si, que son causadas por la baja transconductancia
del MOSFET de (SiC). La Figura 3.2.2 muestra cómo la tensión de umbral nominal es de
alrededor de 2,5 V, y el dispositivo no está encendido por completo hasta que el VGS está
por encima de 16 V. Por lo tanto, el estado de encendido recomendado V GS es 20 V para
su rendimiento completo, mientras que el VGS de estado apagado recomendado es de -2 V
a -5 V desde la VGV El umbral GS tiene un margen de ruido bajo. La Tabla II muestra los
parámetros clave de un MOSFET de (SiC) (CREECMF20120D). Observe que el coeficiente
de temperatura de la resistencia ON del JFET de (SiC) es más pequeño que el del MOSFET
de Silicio. La resistencia ON del (SiC) MOSFETs aumenta en aproximadamente un 20 %
cuando la temperatura de la unión aumenta de 25 ° C a 135 ° C, mientras que la del
MOSFET de Si aumenta en un 250 %, una ventaja que resultó del ancho de banda
amplio. Otra característica importante relacionada con la temperatura es que la corriente
de fuga de la puerta cero del MOSFET de (SiC) no aumenta mucho con la temperatura,
mientras que la de su contraparte de Silicio aumenta cerca de 100 veces cuando la
temperatura de la unión aumenta de 25 ° C a 135 ° C.
Fig.3.2.1 ID vs VDS para diferentes voltajes de compuerta de SiC MOSFET

(CREE-CMF20120D).

Fig. 3.2.2. Características típicas de transferencia del MOSFET de SiC (CREE-CMF20120D)

 Tabla II. Características del MOSFET de SiC (CREE-CMF20120D)

3.3 Mosfet de Carburo de Silicio:

3.3.1Comparación entre el uso de MOSFETs de carburo de silicio (SiC) y de silicio (Si) en un

emulador fotovoltaico
 En esta comparación hecha por (Linder, 2007) se analiza el uso de MOSFETs de carburo de
silicio (SiC) frente a la tecnología convencional de silicio (Si) de un convertidor elevador CC-
CC que tiene la función de emular su puerto de salida las curvas características de un
conjunto de paneles fotovoltaicos, para así poder realizar la comparación del rendimiento
del SiC respecto a las del Si mientras estas se encuentren distintas condiciones de
funcionamiento, para lo cual se definirá dos agrupaciones de paneles.

La primera agrupación alcanza una tensión de circuito abierto (Voc) de 480V y una potencia
máxima (Pmp) de 1kW a 403V. La segunda agrupación se caracteriza por tener una tensión
Voc de 800V y Pmp de 3kW a 665V.

3.3.2. Descripción de la aplicación de potencia

Se eligió el convertidor elevador CC-CC para la aplicación de potencia de esta

comparación, la cual está diseñada para trabajos con paneles fotovoltaicos.

Figura 3.3.2.1 1. Diagrama de bloques del convertidor elevador CC-CC operando como
emulador de paneles fotovoltaicos.

En esta estructura mostrada representada en la Figura 3.3.1.1, se basa en una etapa de

potencia elevadora CC-CC lo cual nos permite elevar la tensión de entrada mientras se
emula en el puerto de salida la curva característica del conjunto de paneles fotovoltaico
(iPV, vPV) al mismo tiempo.

Se describe la plataforma en que se realizó dicho trabajo:

 Fuente de potencia de entrada (VIN): Modelo Genesys 10kW, Lambda. Ofrece una salida
máxima en tensión de 600V y una corriente máxima de 17A.
 Carga de salida (Rout): A fin de variar el valor de la carga de salida y poder trabajar en
diferentes puntos de operación se ha utilizado una carga electrónica DCLoad 63804 de
 Chroma con características en CC de 4500W / 500V / 45A. En las pruebas realizadas con
una tensión de salida superior a 500V se ha sustituido esta carga por resistencias pasivas
del valor pertinente.
 Controlador: El sistema de control se implementa en una DSP TMS320F28335SPGF de
Texas Instruments y se adquieren las diferentes señales del circuito con una resolución de
12 bits. En el DSP se incluyen también los datos de las curvas características de las
agrupaciones fotovoltaicas a emular.
 Bobina de entrada (L1): tiene un valor de 1.5mH y está constituido por un núcleo de ferrita
tipo PM-114 PSH40 sobre el que se devanan 68 espiras de hilo de Litz (150 hilos de 0.2mm
de diámetro).
 Condensador de salida (C1): está formado por un conjunto de condensadores tipo MKP a
fin de alcanzar un valor de 800uF / 800V.
 Mosfet (M1): Este dispositivo variará en función del test a fin de realizar la comparativa
entre tecnologías de fabricación ya sea carburo de silicio (SiC) o silicio (Si).
 Diodo (D): Se elige un diodo schottky C4D20120A de CREE que soporta 1200V y está
fabricado en carburo de silicio.
 Disipador: los dos dispositivos de conmutación (diodo y MOSFET) van montados sobre
sendos disipadores tipo 47DN-01000-A-200 de H S MARSON con una resistencia térmica
de 1.7ºC/W. A cada disipador se le ha incorporado un ventilador del tipo EB60251B2-
0000-A99 de SUNON alimentado a 12V.
 Circuito de driver: es común en todas las pruebas y dispositivos utilizados. Está formado
por un integrado HPL-316J al que se le incluye en la salida una etapa de transistores
complementarios (MJD44H11 y MJD45H11) en configuración Push-Pull que aumenta la
capacidad de corriente de ataque en la puerta hasta 8A. La tensión de driver (Vdriver) se
ha fijado entre 18V y 0V y las resistencias externas de puerta 3.9Ω paso a ON y 2.2Ω para
paso a OFF.

Como se desea minimizar las perdidas en los elementos que formal el sistema (L1, C1 y D),
densadores del tipo MKP (con resistencia serie (ESR) muy baja) y también se hará una
implementación de la bobina con hilo litz y núcleo de ferrita. Se escogió el diodo de
carburo de silicio porque permitió una subida de tensión de trabajo hasta el mismo
margen de trabajo que los MOSFETs comerciales de SiC de 1200V.

Se modelo las curvas características de los paneles fotovoltaicos haciendo uso del software
Matlab/Simulink. Los datos obtenidos son almacenados en las tablas de 4096 puntos
internas al DSP. En la Figura. 3.3.2 se adjuntan las curvas fotovoltaicas que se eligieron
para la comparación.
 Figura 3.3.2.1. Curvas fotovoltaicas a emular: PMP 1kW-VMP 403V y PMP 3kW-VMP 666V.

Los valores que definen la curva fotovoltaica se representan en la tabla III:

TABLA III. VALORES CARACTERÍSTICOS DE LAS CURVAS FOTOVOLTAICAS.

La tensión de entrada (VIN) se fija para conseguir en ambos casos una anchura de pulso
máxima (D) alrededor del 75% cuando se alcanza la tensión de circuito abierto (VOC) y del
70% en el punto de máxima potencia (VMP), es decir:

VIN = (1-D) *VOC; VIN = (1-D) *VMP (1)

Se obtienen unos valores de VIN =120V para la curva 1 y de VIN=200V para la curva 2.

En las curvas se evaluaron inversores monofásicos conectados a red (curva 1) e inversores

trifásicos (curva 2).

Luego se hace la presentación de MOSFETs elegidos, se tomó cuatro conceptos prioritarios

para la elección:
  El dispositivo de carburo de silicio soporta una tensión máxima entre drenador y surtidor
(VDSmax) de 1200V, baja resistencia de conducción (RDSon) y capacidades parásitas (Ciss, Crss,
Coss) pequeñas.
 Los dispositivos de silicio que se seleccionan para la comparativa deben aproximarse a
nivel de capacidades parásitas a las del carburo de silicio o bien a los márgenes de tensión
(VDS) y corriente (ID) máximos soportados.
 Considerando que se trabaja una curva fotovoltaica (curva 1) de posible aplicación en
inversores monofásicos y de tensión máxima 480V, se puede añadir en la comparativa un
MOSFET de 600V.
 El encapsulado del dispositivo sea el mismo para poder intercambiarlos con facilidad y
además, poder comparar el nivel de temperatura que alcanza el encapsulado en cada
caso.

En la tabla IV se presenta los dispositivos elegidos junto con las características más remarcables
que los caracterizan.

TABLA IV. PARÁMETROS DE LOS MOSFETs ELEGIDOS

Los datos obtenidos en la tabla II se han conseguido de los manuales del fabricante.

3.3.2. Ensayos y resultados experimentales

A partir de las curvas fotovoltaicas que se presentaron anteriormente, se definen los

puntos de operación que se pasara a evaluar la eficiencia y la temperatura de encapsulado
de los diferentes dispositivos.
Curva 1: estudio comparativo entre dispositivos SiC-Si.
Se determinan los puntos de operación del emulador fotovoltaico sobre la curva 1 (fig.
3.3) para poder evaluar la eficiencia del sistema y la temperatura en el encapsulado de
los MOSFETs.

Figura. 3.2.2.1 Curva 1: 1kW-403V. Definición de los puntos de operación.

En azul representa la curva característica de la agrupación de paneles y los puntos que

se han definido a 1KW, 750 KW, 500KW y 250KW para posicionar el punto de
operación (VOP) correspondiente se modifica el valor de la carga de salida (ROUT)
En color rojo se presenta la curva de valores de la resistencia de salida para que el
emulador pueda posicionarse en el punto de trabajo deseado.
En la tabla V se resumen los valores requeridos para el ensayo.

TABLA V. VALOR DE LA RESISTENCIA DE SALIDA (ROUT) EN FUNCIÓN DEL PUNTO DE

OPERACIÓN (VOP).

Luego de evaluar los distintos puntos de operación bajo frecuencias de conmutación

distintas (20KHz – 200KHz), se representan los resultados de eficiencia global del
emulador (figura. 3.2.2.2) y de temperatura en el encapsulado del MOSFETs
(Figura.3.2.2.3 ).
 Figura. 3.2.2.2. Eficiencia del emulador en función del punto de operación y del
MOSFET utilizado.

Figura 3.2.2.3 . Temperatura en el encapsulado del MOSFET en función del punto de

operación del emulador.
 En la (figura.3.2.2.2) se observar que el a medida que aumenta la frecuencia, la
diferencia de eficiencias entre los tres componentes, se van haciendo más
significativas. Siendo el MOSFETs de carburo de silicio (SiC) más eficiente que el
MOSFETs de silicio (Si) eso quiere decir que el trabajo empieza a caer de forma
abrupta.
En la (figura. 3.2.2.3) térmicamente se observa la misma tendencia hasta tal punto
que la medida de eficiencia a 1kW y 200kHz no se ha tomado ya que el encapsulado
del STW25N95K3 superaba los 95ºC y se ha considerado oportuno parar el test.
Las pruebas se han realizado a temperatura ambiente de 23.7ºC

3.3. CONCLUSIONES

Se presentó un estudio comparativo entre diferentes tecnologías de fabricación de

dispositivos de conmutación MOSFETs.

Se extrajo también resultados de eficiencia y temperatura sobre el encapsulado para tres

MOSFETs, el primero de carburo de silicio y VDSmax 1200V, el segundo de silicio de 600V y
el tercero de silicio a 950V.

Con los resultados obtenidos se confirma que el uso de los dispositivos actuales de SiC
quedaría enfocado a aplicaciones que precisen de tensiones mayores de 600V y potencias
elevadas

Por las características del SiC se debe recalcar que a nivel térmico debería poder trabajar a
temperaturas superiores al silicio y que, debido al encapsulado, se queda limitado a un
rango de trabajo similar. En conclusión, es necesario seguir trabajando en mejorar los
encapsulados actuales y para aumentar el abanico de dispositivos comerciales diseñados y
optimizados a fin de cubrir todo el rango de tensiones y potencias de trabajo.

4.Tiristor de Carburo de Silicio :

El tiristor es un dispositivo semiconductor de potencia biestable que puede cambiarse de estado

apagado a estado activado, o viceversa. Los dispositivos semiconductores de potencia, tales como
tiristores, transistores de unión bipolar de alta potencia ("HPBJT"), o transistores de efecto de
campo de semiconductores de óxido de metal de potencia ("MOSFET"), son dispositivos
semiconductores capaces de controlar o pasar grandes cantidades de corriente y bloquear altas
tensiones. Los tiristores son generalmente conocidos y convencionalmente tienen tres terminales:
un ánodo, un cátodo y una compuerta. Un tiristor se enciende aplicando un breve impulso de
corriente a través de la puerta y el cátodo. Una vez que el tiristor se enciende, la puerta pierde su
control para apagar el dispositivo. El apagado se logra aplicando una tensión inversa a través del
ánodo y el cátodo.

La caída en los tiristores de silicio convencionales es de aproximadamente 1.5V a 2V, y para

algunos dispositivos de mayor potencia, aproximadamente 3V. Por lo tanto, el tiristor puede
controlar o pasar grandes cantidades de corriente y bloquear efectivamente altos voltajes (es
decir, un interruptor de voltaje). Aunque V F determina la pérdida de energía en el estado de
encendido del dispositivo a cualquier corriente dada, la pérdida de energía de conmutación se
convierte en un factor dominante que afecta la temperatura de la unión del dispositivo a altas
frecuencias de operación. Debido a esto, las frecuencias de conmutación máximas posibles
utilizando tiristores convencionales están limitadas en comparación con muchos otros dispositivos
de potencia.

Dos de los parámetros más críticos para un tiristor son el potencial incorporado (que es una
característica de cualquier intervalo de banda del material semiconductor dado) y la resistencia de
activación específica. La resistencia de encendido específica para un tiristor preferiblemente debe
ser lo más pequeña posible para maximizar la corriente por unidad de área para un voltaje dado
aplicado al tiristor.

Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs tienen
ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor de la
región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia específica
es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida que aumenta la
tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de deriva y disminuye
el dopaje de la región de deriva.

Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs tienen
ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor de la
región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia específica
es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida que aumenta la
tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de deriva y disminuye
el dopaje de la región de deriva. Por lo tanto, la resistencia de la región de deriva aumenta
dramáticamente. Por lo tanto, el grosor de la región de deriva debe minimizarse, y el nivel de
dopaje debe maximizarse, para cualquier voltaje nominal dado a fin de minimizar la resistencia
específica de encendido para el dispositivo.

4.1 Algunas Ventajas del Tiristor de Carburo de Silicio (SiC)

La presente invención es un tiristor SiC capaz de manejar voltajes más altos operables en
un amplio rango de temperatura, y que tiene una resistencia de activación baja. Debido a
las características físicas y electrónicas de SiC, un tiristor formado en SiC proporciona una
mejora en el rendimiento de resistencia y alta temperatura en comparación con los
tiristores convencionales formados en Si o GaAs. La baja resistencia específica de
encendido, a su vez, aumenta las capacidades de frecuencia de conmutación del tiristor a
altas temperaturas y altos voltajes.

-Las características de rendimiento mejoradas del tiristor SiC proporcionan mayores

capacidades de frecuencia de conmutación del tiristor a temperaturas y niveles de
potencia significativamente más altos que los de Si o GaAs.

-Los métodos para formarlo, proporcionan un tiristor de SiC que tiene una baja resistencia
específica en amplios rangos de temperatura, incluidas altas temperaturas a las que los
dispositivos basados en Si fallarían térmicamente ("saltos térmicos") o se degradarían.
- Estas realizaciones ilustran el tiristor como una estructura de cuatro capas generalmente
vertical, pero otras estructuras, como una configuración horizontal.

Figura4.1. 1 es una vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor pnpn

formado en carburo de silicio de acuerdo con una primera realización de la presente
invención.

Figura4.1.2.A :gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a
una temperatura de 300 ° Kelvin según una realización de tiristor SiC de la Figura4.1.1

Figura 4.1.2.B :gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a
623 ° Kelvin según una realización de tiristor de SiC de la Figura 4.1.1.
Figura 4.1.3 :vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor SiC pnpn de
acuerdo con una segunda realización de la presente invención.

Figura 4.1.4 : vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor SiC npnp según
una tercera realización de la presente invención
 Figura 4.1.5 :vista fotográfica de una máscara, con 200 aumentos, utilizada para formar un
tiristor de carburo de silicio según la primera realización de la presente invención

De acuerdo a los dibujos mostrados, se describirá algunos detalles:

El tiristor SiC de la presente invención tiene un sustrato, un ánodo, una región de deriva, una
puerta y un cátodo. El sustrato, el ánodo, la región de deriva, la compuerta y el cátodo están
formados preferiblemente de SiC que tiene un politipo seleccionado del grupo que consiste en
3C, 2H, 4H, 6H y 15R. En las realizaciones ilustradas, las regiones n + y n, así como las p + y p-,
se designan "+" y "-" para simbolizar diferentes niveles de dopaje respectivamente del mismo
material de una manera bien entendida por los expertos en la materia. en este art. El carburo
de silicio de tipo p se dopa preferiblemente con aluminio o boro y el carburo de silicio de tipo
n se dopa preferiblemente con nitrógeno o fósforo. En las Figuras 1, 3 y 4, todos los sustratos
se ilustran con una capa adicional sobre el mismo tipo de conductividad; por ejemplo, (11) y
(12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura 3, y (46) y (47) en la Figura 4. Estas capas adicionales
a menudo se agregan a un sustrato para ganar una región con un nivel de dopaje algo más
alto. En términos generales, tales niveles de dopaje más altos son más fáciles de producir en
capas epitaxiales que en sustratos tomados de cristales en masa. Sin embargo, se entenderá
que, en cada una de las realizaciones ilustradas y reivindicadas, una única capa que puede ser,
por supuesto, el sustrato, si se dopa satisfactoriamente, es todo lo que se requiere. Figura 3 y
4, todos los sustratos se ilustran como si tuvieran una capa adicional sobre el mismo tipo de
conductividad; por ejemplo, (11) y (12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura 3, y (46), (47) en
la Figura 4.

En las realizaciones ilustradas, el sustrato se forma de SiC que tiene un tipo de conductividad y
el ánodo o el cátodo, dependiendo de la realización, se forma adyacente al sustrato y tiene el
mismo tipo de conductividad que el sustrato. En las Figuras 1 y 4, se forma una región de
deriva de carburo de silicio adyacente al ánodo o cátodo y tiene el tipo de conductividad
opuesta del ánodo o cátodo. En la Figura 3, se forma una puerta entre la región de deriva y el
cátodo (que puede ser el sustrato) y tiene el tipo de conductividad opuesta a la región de
deriva y el cátodo.

*nota :los números (11,12,31,32 ,46 ,etc ) ,son los números que están señalados en las figuras
de los tiristores.
BIBLIOGRAFIA :

-Javier Chavarría, D. B. (2015). Evaluación Comparativa entre el uso de MOSFETs.Barcelona, España

-Linder, S. (2007). Semiconductores de potencia. ABB , 66.

-Bibliografia : Dr. Karl Bergman –ABB Forschungszentrum ,Suecia ,revista ABB(1996).

-Bibliografia : Ph.D Hanseok Choi ,System and application Engineer, Fairchild semiconductor.

-vol.24, núm.16, agosto 1988, ENAGE GB páginas 1031 – 1032

-Ciencia de semiconductores y tecnologia, vo1.7, núm.7, julio 1992, LONDRES GB

páginas 863 – 880.

-Dispositivos de electron internacional 1988, diciembre 1988, páginas 610-613.

-Transacciones de IEEE Encima dispositivos de electrones, vol.40, paginas 645-655.