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El transistor de efecto de campo de nanotubos
de carbón
J. N. Ramos-Silva, F. Espíndola-Palestino, L. I. García-Reyes y E. Ramírez-García
Instituto Politécnico Nacional, Sección de Estudios de Posgrado e Investigación, Escuela Superior de
Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Unidad Profesional Adolfo López Mateos.
e-mail: noeramossilva13@gmail.com
 dispositivos semiconductores, sino también para el desarrollo
Resumen— A continuación, se presenta una síntesis acerca de
las principales características del transistor de efecto de campo
de nanotubos de carbón (CNTFET), entre ellas su proceso de
fabricación y sus aplicaciones, presentes y futuras. Se hablará
también sobre los nanotubos de carbón, elementos fundamentales
para el desarrollo de los CNTFETs, tomando en cuanta sus
propiedades físicas y eléctricas. Por último, se hará mención del
proceso de diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA)
utilizando esta tecnología.
Palabras Clave—Carbón, CNTFET, Nanotubos de Carbón,
Low Noise Amplifier, Radiofrecuencia.
I. INTRODUCCIÓN
L A industria de la electrónica se encuentra en constante
cambio, atendiendo las necesidades emergentes de las
aplicaciones que hoy en día son requeridas en diversos
campos, y que sin duda alguna se encuentran presentes en la
vida cotidiana de las personas. Desde la invención del
transistor de contacto en 1947 por Walter Brattain, John
Barden y W. Shockley y el transistor de unión bipolar en
1950. Hasta las investigaciones recientes que se han centrado
en la búsqueda de nuevos materiales, que sean capaces de, en
un futuro, competir en el mercado con la industria del silicio.
Las nanoestructuras, en particular las derivadas del carbono
como el grafeno (G) o los nanotubos de carbón (CNTs),
utilizadas en la fabricación de transistores de efecto de campo,
prometen ser una solución con diversas ventajas sobre las
tecnologías basadas en silicio, no solo en aplicaciones
digitales, sino también en aplicaciones de carácter analógico
[1]. Las propiedades intrínsecas de los nanotubos de carbón y
el grafeno han sido estudiadas por las últimas dos décadas.
Primero con el descubrimiento de los nanotubos de carbón de
pared múltiple en el año de 1991 [2], y posteriormente con el
descubrimiento de los nanotubos de carbón de pared simple en
1993 [3] y la primera realización experimental del grafeno en
el año 2004 [4]. Algunas de las propiedades investigadas
como, por ejemplo, el hecho de que un nanotubo de carbón
puede tener características de un semiconductor o de un
conductor, dependiendo de su quiralidad abren la posibilidad a
la aplicación de esta tecnología no solo para el desarrollo de
de nuevas tecnologías de interconexión, que vendrían, en un
futuro, a jugar el papel que hoy en día juega el cobre [5].
Gracias a la investigación realizada, algunos de los
transistores de efecto de campo que han sido construidos
utilizando nanoestructuras a base de carbón muestran una
frecuencia de transición de ganancia en corriente (𝑓𝑇 )
alrededor de 10 GHz [6,7]. Sin embargo, el uso de los
nanotubos de carbón se pronostica más factible que el caso del
grafeno puesto que los CNTFETs han demostrado poseer un
mejor desempeño hablando de ganancia y frecuencia de
transición, con una baja disipación de potencia [8].
Dicho lo anterior, los CNTFETs han sido considerados
como un posible sucesor de la tecnología CMOS [9-12].
Además, se ha predicho una frecuencia de transito intrínseca
en el dominio de los THz, para CNTFETs con longitudes de
canal por debajo de los 100 nm, provocando que exista ya
investigación sobre las futuras aplicaciones en alta frecuencia
de esta tecnología [13-15]. A pesar de que ya existen algunos
CNTFETs, que trabajan en frecuencias de algunos GHz, en el
mercado, aún hace falta hacer investigación para proveer a
estos dispositivos de ciertas características para hacerlos
competitivos como lo son; presentar una alta movilidad de los
portradores de carga, y por lo tanto una alta capacidad de
corriente, tener una baja distorsión debido a su alta linealidad
y mostrar una alta estabilidad con respecto al aumento de la
temperatura [9].
Así pues, a pesar de ser una tecnología relativamente nueva,
el desarrollo de los CNTFETs resulta prometedor. Por lo tanto,
en este trabajo se repasará brevemente la tecnología detrás de
estos, partiendo de los nanotubos de carbón, el proceso de
fabricación de los CNTFETs, los fenómenos de transporte que
se presentan en este tipo de estructuras y finalmente se
presentará la implementación de un amplificador de bajo ruido
utilizando un CNTFET, operando a una frecuencia de 2.4
GHz.
II. NANOTUBOS DE CARBÓN
Los nanotubos de carbón son formados a partir del grafeno,
este es una capa simple de átomos de carbón, el grafeno por si
mismo se comporta como un conductor, es decir, carece de
una banda prohibida [4]. Sin embargo, se puede crecer su

banda prohibida si se corta el ancho de la capa de grafeno
hasta llegar a valores de unos cuantos nanómetros, creando así
lo que se conoce como una nanocinta de grafeno (GNR). A
pesar de que con esto el grafeno se comportaría como un
semiconductor, también se afecta la movilidad de los
portadores de carga y se presenta una alta variabilidad en los
voltajes de umbral, principalmente por la estructura atómica
de la capa y los enlaces que se forman con materiales
adyacentes [6,17,18]. Una manera de superar estos
inconvenientes es la utilización de nanotubos de carbón.
Podemos imaginar un nanotubo de pared simple como una
capa de grafeno enrollada, que presenta un diámetro pequeño,
de alrededor de unos cuantos nanómetros. En la figura 1
podemos observar esta aproximación.
Fig. 1.- Representación de una capa de grafeno (arriba) y un nanotubo de
carbón (abajo) [5].
Es claro pues que, al producirse este fenómeno, que cabe
resaltar ocurre naturalmente bajo ciertas condiciones, los
nanotubos pueden enrollarse con distinto ángulo, con respecto
a un vector de posición, lo que se conoce como quiralidad. De
la quiralidad y el diámetro del nanotubo dependerán sus
características mecánicas, pero también su comportamiento
eléctrico, es decir si el nanotubo presente un comportamiento
semiconductor o metálico. Los valores típicos de la banda
prohibida en un CNT se encuentran entre los 0 y 1.2 eV.
Mientras que su diámetro por lo general toma valores de entre
0.5 a 3 nm.
Por lo general se busca que el diámetro de los nanotubos sea
de apenas unos cuantos nanómetros pues de esa manera el
transporte de los portadores de carga es cuasi-balístico, es
decir, no presenta dispersión debida al mallado del material y
el transporte ocurre en una sola dimensión sobre la superficie
del CNT, reduciendo así la probabilidad de dispersión de los
portadores de carga [1,6].
Los CNTs pueden ser fabricados utilizando diversos
procesos como son; descargar por arco eléctrico, ablación
láser o crecimiento CVD [19-21]. Además, se ha pronosticado
2
que la capacidad de conducción de los CNTs se encuentra por
encima de 104 𝑚𝐴/𝜇𝑚2 haciéndolos fuertes candidatos para
la interconexión en dispositivos de alta escala de integración
[22].
III. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE NANOTUBOS DE
CARBÓN
Como es ya bien sabido la electrónica tiene una tendencia
hacia la miniaturización, doblando el número de transistores
en un circuito integrado cada dos años aproximadamente [23].
Sin embargo, este desarrollo tecnológico ha estado marcado
por la utilización del silicio en los dispositivos, limitando así,
en los transistores de efecto de campo, las dimensiones
mínimas del canal sin que se presenten efectos como tunneling
entre la fuente y el drenador [24]. Esto ha propiciado la
investigación de nuevos materiales para la fabricación de
transistores, entre ellos los CNTFETs.
Como su nombre lo indica un CNTFET es un transistor de
efecto de campo en cuyo canal se encuentran uno o varios
nanotubos de carbón en los cuales sucede el transporte de los
portadores de carga. Por lo general, los nanotubos que se
encuentran en el canal de transistor son de pared simple lo que
ocasiona que, debido al transporte cuasi-balístico, el transistor
presente una alta velocidad y un bajo consumo. Los primeros
CNTFETs utilizando nanotubos de pared simple fueron
fabricados en la Universidad de Delft en 1998 [25]. A partir de
entonces las técnicas de fabricación se ha mejorado
gradualmente. Un punto importante dentro de la fabricación de
este tipo de dispositivos es la capacidad de desarrollar
contactos óhmicos en la fuente y el drenador para evitar efecto
túnel o barreras Schottky.
A. Método de fabricación de un CNTFET
A pesar de que, como ya se he mencionado anteriormente, un
solo nanotubo de carbón es capaz de conducir una densidad de
corriente considerable. Por lo general, se utilizan múltiples
nanotubos en la estructura de un CNTFET. Idealmente los
CNTs debería formar un puente entre los contactos de la
fuente y el drenador, además de no tener cruces con los
nanotubos adyacentes, mismos que deberían encontrarse lo
más cerca posible los unos de los otros. Sin embargo, esto no
sucede, debido a la dificultad que represente depositar los
nanotubos en el canal. Además de la presencia de nanotubos
metálicos. En esencia, el desempeño de un CNTFET se puede
ver mermado por alguno de los siguientes motivos:
 Las propiedades intrínsecas del material
semiconductor, es decir, de los nanotubos.
 La morfología del canal.
 La arquitectura del dispositivo.
 Las propiedades de la interfaz de los nanotubos con
los contactos.

Fig. 2.- (De izquierda a derecha) Propiedades intrínsecas, morfología del
canal, arquitectura del dispositivo, deficiencias en las interfaces [26].
El transporte balístico, el nivel de energía de la banda
prohibida, la capacidad de corriente, la capacitancia del canal,
la velocidad de los portadores de carga y la linealidad del
dispositivo, se encuentran íntimamente ligadas con las
características de los CNTs utilizados.
En cuanto a la morfología del canal puede presentarse
principalmente de tres maneras distintas, mismas que se
observan en la figura 3; la primera de ellas en donde solo se
presenta un único nanotubo en el canal, utilizada
principalmente para aplicaciones digitales, la segunda de ellas
con múltiples nanotubos sirviendo cado uno de puente entre la
fuente y el drenador, utilizada para aplicaciones analógicas de
alta frecuencia, y por último una serie de nanotubos dispersos
conectados los unos con los otros formando puentes no
uniformes entre la fuente y el drenador, utilizada
principalmente para el desarrollo de sensores. Tres métodos
son los principales; CVD para el crecimiento dentro del
mismo dispositivo, DEP para el depósito de CNTs
previamente cortados y la transferencia de CNTs previamente
crecidos. Cada uno de estos métodos presenta retos
particulares que deben ser atendidos en la etapa de fabricación
(posicionamiento de los nanotubos, longitud de los nanotubos,
contaminación). Entonces la morfología del canal, además de
determinar la aplicación del CNTFET determina también la
resistencia del canal y la capacidad de corriente [26].
Fig. 3.- (De izquierda a derecha) Canal con un solo nanotubo, canal
multinanotubo y canal con nanotubos dispersos [26].
Hablando de la arquitectura del dispositivo en cuestión, está
limitada por el proceso de fabricación. Sin embargo, podemos
mencionar tres principales tipos de estructuras, ver figura 4; la
primera de ellas es aquella que utiliza una compuerta trasera,
utilizada principalmente en sensores, la segunda es aquella que
utiliza una compuerta encima, generalmente aislada con un
óxido de alta k, frecuentada para aplicaciones analógicas y
digitales, y por último una arquitectura que utiliza una
compuerta trasera local, utilizada para aplicaciones analógicas,
digitales y sensores de alto desempeño. El diseño de los
contactos es fundamental para determinar el control de la
compuerta y las capacitancias parásitas. Mientras que el
tamaño del canal está limitado por la técnica de litografía
utilizada.
3
Fig. 4.- (De izquierda a derecha) Arquitectura utilizando una compuerta
trasera, utilizando una compuerta superior y utilizando una compuerta trasera
local [26].
Otro punto importante que tomar en cuenta durante el proceso
de fabricación son las propiedades de las interfaces que se
producen entre los distintos materiales de la estructura. Por lo
tanto, es importante hacer las consideraciones pertinentes
respecto a los materiales de contacto para considera el tipo de
barrera en las uniones con el canal. Para tratar de minimizar
las trampas para los portadores de carga se ha propuesto el uso
de óxido de alta k en la compuerta y la limpieza de la oblea de
silicio sobre la cual se fabrica el dispositivo. En la figura 5 se
puede observar la relación entre la longitud de contacto y la
resistencia de contacto para diferentes metales.
Fig. 5.- Resistencia de contacto en función de la longitud de contacto para
diferentes materiales [26].
En general pues, podemos decir que un CNTFET está
conformado por distintas capaz, como se muestra en la figura
6. La primera de ellas suele ser un sustrato, tomado a partir de
una oblea, por lo general se utilizan los siguientes materiales;
Silicio, Arseniuro de Galio, Germanio, cuarzo o algunos
polímeros. La segunda capa se encarga de servir como aislante
térmico y eléctrico, por lo general se utiliza un material
dieléctrico como el dióxido de silicio (SiO2), cuarzo o incluso
diamante, esa capa además de servir como aislante también
sirve como máscara para los grabados o como capa sacrificial.
Los contactos se depositan, por lo general, antes de depositar
los CNTs, estos son por lo general de un material conductor,
es decir un metal, para esto se utiliza comúnmente un proceso
de fotolitografía, algunos de los requerimientos de los
materiales utilizados en los contactos es que presenten una alta
conductividad, que puedan adherirse con la estructura de los
CNTs, que sean estables al entrar en contacto con otros
materiales, entre otros. En cuanto al canal este se forma con
los CNTs y se utiliza una separación de los mismos con la
compuerta utilizando un material dielectrico de alta k como es
el caso de dióxido de hafnio (HfO2). Como se puede observar
en la figura 6, al existir una heterounión, metal semiconductor,
entre los CNTs y los contactos de transistor se producirá una

barrera Schottky en la frontera entre estos materiales, situación
que deteriora el transporte en el dispositivo.
Fig. 6.- Diagrama esquemático de un CNTFET con canal de múltiples CNTs y
compuerta superior [9].
B. Características eléctricas
Como ya lo hemos mencionado anteriormente debido a las
características del transporte de los portadores de carga en los
CNTs, estos presentan una alta linealidad, es decir, la relación
entre la tensión en la compuerta y la corriente del drenador es
esencialmente proporcional, propiciando así que la
transconductancia del dispositivo se mantenga constante. Esta
característica es sin duda muy interesante para futuras
aplicaciones en donde la eficiencia espectral de los
dispositivos sea fundamental en el diseño. En la figura 7
podemos ver una representación gráfica de este
comportamiento.
Fig. 7.- Representación de las características de linealidad para dispositivos
MOSFET basados en silicio y para la tecnología CNTFET [9].
La linealidad del dispositivo se vuelve fundamental pues de
ella depende la distorsión que sufrirá la señal después de pasar
por el dispositivo en cuestión. Esta distorsión a su vez puede
afectar canales adyacentes, es decir, provocar interferencia,
requiriendo así de la elaboración de filtros para compensar
esta distorsión, aumentando las pérdidas del sistema y por
supuesto el consumo de potencia.
Actualmente existen CNTFETs que pueden ser utilizados para
aplicaciones de alta corriente utilizando arreglos de entre 1000
y 3000 CNTs paralelos en el canal. Con longitudes de canal de
800 nm. Y un porcentaje de nanotubos metálicos de alrededor
del 20% a 30% de la concentración total. Y con una frecuencia
4
de transición de ganancia en corriente (𝑓𝑇 ) alrededor de 10
GHz con una ganancia mayor a 10 dB [6,7,9].
En la figura 8 podemos observar el diagrama de bandas
correspondiente a un CNTFET multitubo, en la región de
polarización activa directa, es decir, en donde VDS>VGS>0. En
esta figura podemos observar las barreras Schottky que se
producen en los contactos. Además, se puede observar que
bajo estas condiciones el canal es apropiado para difundir y
posteriormente derivar los portadores de carga para así tener
una corriente que fluye desde la fuente al drenador, para el
caso de los electrones.
Fig. 8.- Diagrama de bandas de un CNTFET operando en la región de
polarización activa directa [9].
Una aproximación general para calcular esta corriente está
dada por la ecuación de Landauer, ver ecuación 1, sin
embargo, esta considera un CNTFET de un solo nanotubo en
su canal [9].
4𝑞 ∞
𝐼𝐷 = ∫−∞ 𝑇𝑛 (𝜔)[𝑓𝑛 (𝑊, 𝑊𝐹𝑆 ) − 𝐹𝑛 (𝑊, 𝑊𝐹𝐷 )]𝑑𝑊 (1)
ℎ
En donde ID representa la corriente debida a los electrones que
fluyen desde la fuente al drenador, 𝑓𝑛 la función de Fermi para
los electrones, h la constante de Planck y 𝑇𝑛 el factor de
transmisión de electrones entre la fuente y el drenador.
IV. DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO
UTILIZANDO UN CNTFET
A partir de una tecnología de CNTFETs previamente
fabricada [28]. Se diseñó un amplificador de bajo ruido (LNA)
que fuera capaz de funcionar adecuadamente en la frecuencia
de 2.4 GHz, utilizando el CNTFET en una configuración de
fuente común. Teniendo cuidado de conservar una baja figura
de ruido (NF) con la máxima ganancia disponible. Este diseño
fue realizado en ADS implementando CCAM [29]. En las
figuras 9 y 10 podemos observar los resultados obtenidos. Un
reto durante la etapa de diseño fue estabilizar el dispositivo en
el mayor ancho de banda posible para lo cual fue necesario
colocar un par de inductores en la fuente y en la compuerta,
debido a que de elegir una red de realimentación con
elementos disipativos la contribución por ruido térmico
aumenta de manera considerable. Para poder adaptar la
entrada y la salida del amplificador a 50Ω se propuso utilizar
una red de acoplamiento a base de microcintas y stubs en corto
circuito. El acoplamiento del amplificador utilizando
microcintas y stubs representa una clara ventaja pues estos
pueden ser considerados desde una etapa temprana en el

proceso de fabricación para incorporar estos elementos dentro
de una misma oblea.
En la figura 9 podemos observar los parámetros S del
amplificador ya con las redes de adaptación, podemos
observar que se obtuvo una ganancia de 5 dB a la frecuencia
de interés y que tanto el parámetro S11 como el S22 se
encuentran por de bajo de -10 dB en la frecuencia de interés lo
que indica un buen acoplamiento del amplificador tanto a la
entrada como a la salida.
Fig. 9.- Parámetros S del amplificador de bajo ruido diseñado en función de la
frecuencia.
Para el caso de la figura de ruido, ver figura 10, podemos
observar que la figura de ruido obtenida con el diseño es muy
cercana a la figura de ruido mínima, siendo de
aproximadamente 1.9 dB a 2.4 GHz.
Fig. 10.- Figura de ruido como función de la frecuencia del amplificador de
bajo ruido diseñado [9].
5
V. CONCLUSIONES
Si bien es cierto que la tecnología referente a los CNTFETs es
relativamente joven y que aún falta seguir trabajando para
poder hacer más eficientes y competitivos estos dispositivos,
en un mercado dominado ampliamente por las tecnologías
basadas en el silicio. Los CNTFETs resultan bastante
prometedores para futuras aplicaciones debido a su transporte
balístico, bajo consumo, linealidad y su posible aplicación en
el rango de los THz. Uno de los retos actuales es referente a la
fabricación de estos dispositivos, desde lograr altas
concentraciones de CNTs semiconductores hasta hacer el
deposito de los mismo de una manera controlada. Aún así
existen ya algunos dispositivos en el mercado, con frecuencias
de operación de alrededor de 10 GHz, los cuales pueden ser
utilizados un aplicaciones de la ingeniería de microondas,
como se demostró en este caso con un amplificador de bajo
ruido.
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