Transistor Bipolar de Unión

(TBJ)
Objetivo: Analizar y diseñar circuitos amplificadores de una etapa con transistores TBJ

4.1 Estructura, funcionamiento y curvas características

El transistor BJT se conforma por tres regiones dopadas las cuales se llaman colector, base
y emisor. Dos regiones N separadas por una región P (NPN).
El colector

Esta región está dopada por un material tipo N, es decir, está dopada de electrones en su
mayoría

La base
La región P de la base, es muy estrecha y está dopada de huecos, por ser una región P

El emisor
Esta es una región N, al igual que el colector, por lo tanto está dopada de electrones, pero
podemos observar que está ligeramente más dopada

Base ligeramente dopada, emisor excesivamente dopado y colector moderadamente

dopado

Se tiene una unión PN formada por la región de la base y la del colector, por lo que se debe
suponer que ahí se encuentra una zona de deplexión y en consecuencia una barrera de
potencial
Si el material está construido de Silicio, la barrera de potencial será de 0.7 [V] y si fuese de
Germanio de 0.3 [V]

Lo mismo ocurre con la parte inferior, la región P de la base y la región N del emisor, se
forma una zona de deplexión y una barrera de potencial

Existe otro tipo de transistor BJT que está formado por dos regiones P separadas por una
región N (PNP). El tamaño del colector, de la base y del emisor son muy semejantes al
NPN, también cuenta con zonas de deplexión y barreras de potencial
En este caso, la región P del colector está dopada en su mayoría por huecos

La región N de la base, la cual es muy estrecha, está dopada por electrones

La región P, del emisor está dopada en su mayoría por huecos

Si en un transistor NPN existen dos uniones PN, entonces se forma un diodo entre la base y
el colector y un diodo entre la base y el emisor. Al estudiar los diodos sabemos que la
región P es el ánodo (+) del diodo y la región N es el cátodo (-)
Por esa razón, el diodo formado por la base y el colector tiene la forma que se ve en el
diagrama ósea hacia arriba y el de la base y el emisor va hacia abajo

En el caso de un transistor PNP, se observa cómo queda la configuración de los diodos

La región P que es la parte positiva va al ánodo del diodo y la parte N al cátodo

La simbología del transistor es la siguiente:

NPN PNP
No pincha la base Pincha la base

El emisor se conecta a los polos negativos de ambas fuentes

Polarización en alterna
Polarización en directa

Arreglos para polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como amplificador
Corrientes de los transistores

Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático se

muestran en la figura 4-5(a); las correspondientes a un transistor pnp se muestran en la
figura 4-5(b)

Estos diagramas muestran que la corriente de emisor (Ie) es la suma de la corriente de

colector (Ic) y la corriente de la base (Ib) expresada de la siguiente manera:
Ie= Ic + Ib

Funcionamiento del transistor

El transistor es un dispositivo electrónico formado por materiales semiconductores que

regula el flujo de corriente o tensión actuando como interruptor o amplificador

Modelo en cd de un transistor
Diodo base-emisor polarizado en directa
En este modelo se observa que la corriente de la base se está amplificando β veces y esta
es la corriente del colector
Circuito de entrada
Circuito de salida
Fuente de corriente dependiente

Curvas características del transistor

Gráfica del voltaje base-emisor vs la corriente de base
Recordar que la unión base-emisor es un diodo polarizado en directa, por lo tanto, aquí
tenemos la curva de dicho diodo

Tenemos que variar el voltaje colector-emisor para observar cómo afecta esto a nuestra
corriente de colector
Con una fuente de voltaje variable Vcc vamos a lograr también variar el voltaje colector-
emisor
Si variamos Vcc cuánto afectará a la corriente del colector?
La corriente del colector NO VARÍA aunque hayamos aumentado Vce

Esto era de esperarse, porque sabíamos que la corriente del colector está en función de la
ganancia y de la corriente de base
Siendo así, podemos hacer variar el voltaje colector emisor, al hacer variar la fuente Vcc y la
corriente de colector no sufrirá cambios.

Puedo seguir haciendo crecer el voltaje colector emisor y a la corriente no le pasará nada

Modificamos nuestros datos para obtener corrientes diferentes

¿Esto quiere decir que podemos hacer crecer el voltaje del colector- emisor hasta el infinito
y la corriente del colector no va a variar?
Matemáticamente esto es cierto, pero sabemos que físicamente eso no es posible y
además para un Vce = 0 sería increíble que hubiera de inmediato una corriente en el
colector de un cierto valor porque sabemos que con 0 V un diodo no está polarizado

4.2 Polarización
Para polarizar un transistor se aplica tensión en la Base y el Emisor o en la Base y el
Colector para que trabajen en polarización DIRECTA o en INVERSA.
Hay 4 tipos:
polarización fija
por divisor de tensión
por realimentación de colector
por realimentación de emisor

Polarización fija
La más sencilla y rápida de realizar pero también la más inestable ante las variaciones de β
, por tanto también la menos usada.
Sólo se usa en la configuración emisor común, ya que en la configuración base común
cortocircuita la entrada, y en la configuración colector común cortocircuita la salida.

Por divisor de voltaje

Es la polarización más estable respecto al punto de trabajo Q. Se puede usar en todas las
configuraciones del transistor bjt, emisor común, base común, y colector común

Por realimentación de colector

Es un circuito sencillo y rápido, y presenta mejor estabilidad que la polarización fija y que la
polarización en emisor, pero menor que la polarización por divisor de voltaje.
Sólo se puede usar en la configuración emisor común, ya que en la configuración base
común cortocircuita la entrada, y en la configuración colector común cortocircuita la salida

Por realimentación de emisor

Presenta una mejor estabilidad que la polarización fija, pero no mejor que la polarización por
divisor de voltaje y que la polarización por realimentación de colector. Además se puede
usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor común, base común y colector
común.

4.2.1 Configuraciones de polarización

Corte (opera como interruptor)
Activo (opera como amplificador)
Saturación (opera como interruptor)

Corte
No circula corriente por sus terminales.
La corriente del emisor lleva sentido contrario al que llevaría en sentido normal. IE = 0 ó IE
<0
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor
del mismo.
VBE=0

Activa
Es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y
se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base
en inversa.
VBE = Vγ
IC = β⋅ IB
donde Vγ es la tensión de conducción de la unión base-emisor (en general 0.6 volts).
donde β es el parámetro IC /IB

Saturación
Se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se encuentran en directa.
Se verifica sólo lo siguiente:
VBE = VBE sat VCE = VCE sat
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores
determinados (0.8 y 0.2 volts).

El BJT como amplificador

Amplificación es el proceso de incrementar linealmente la amplitud de una señal eléctrica y
es una de las propiedades importantes de un transistor.

Amplificación de voltaje mediante un transistor

Como ya se aprendió, un transistor amplifica corriente porque la corriente al colector es

igual a la corriente en la base multiplicada por la ganancia de corriente, b. La corriente en la
base en un transistor es muy pequeña comparada con las corrientes en el colector y emisor.
Por eso, la co- rriente en el colector es aproximadamente igual a la corriente en el emisor.

Se superpone un voltaje de ca, Vs, sobre el voltaje de polarización de cd VBB mediante

acoplamiento capacitivo
El voltaje de entrada de ca produce una corriente alterna en la base, lo cual produce una
corriente alterna en el colector mucho más grande. La corriente alterna en el colector
produce un voltaje de ca a través de RC, produciéndose así una reproducción amplificada,
pero invertida, del voltaje de entrada de ca en la región activa de operación

4.3 Análisis del transistor bipolar de juntura en señal pequeña

Se escoge un único nodo de referencia por lo que se generan 3 modelos en pequeña señal:
emisor común, base común y colector común.
Quedando a considerar dos corrientes y dos tensiones que modelan el comportamiento en
CD.
Se opta por manejar el transistor como una red de dos puertas para su análisis.

Parámetros h
Este modelo considera una red de dos puertas tomando como variables independientes la
corriente de entrada y el voltaje de salida:

Modelo en Emisor Común

Modelo en Base Común
Modelo en Emisor Común

4.4 Análisis del transistor bipolar de juntura en señal grande

Un transistor debe ser apropiadamente polarizado con un voltaje de cd para que opere
como amplificador lineal. Se debe de ajustar el punto de operación en cd de modo que las
variaciones de la señal en la terminal de entrada se amplifiquen y se reproducen con
precisión en la terminal de salida.
Al realizar la polarización de un transistor se establecen el voltaje de cd y los valores de
corriente por lo que en el punto de operación en cd IC , VCE tendrán valores específicos.

Si un amplificador no se polariza con voltajes de cd correctos puede irse a saturación o a

corte cuando se aplique una señal de entrada.

La operación en cd de un circuito con un transistor se describe con una recta de carga en

cd. Es una recta sobre las curvas características desde el valor de saturación de IC sobre el
eje Y , hasta el valor de corte donde VCE = VCC sobre el eje x.
El punto donde la recta de carga corta una curva característica representa al punto Q con
un valor particular de IB.
La región a lo largo de la recta de carga que incluye todos los puntos entre los estados de
saturación y corte en general se conoce como región lineal de la operación del transistor.
(Mientras el transistor opere en esta región el voltaje de salida es idealmente una
reproducción lineal de la entrada)
4.5 Especificaciones del fabricante
Para cada transistor hay una región de operación en las características que garantizará que
no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de salida exhiba
distorsión mínima. Dicha región se definió para las características del transistor de la figura

4.6 Análisis y diseño de amplificadores con TBJ asistido por computadora