Diapositiva 1

El transistor como resistencia controlada por tensión

llave de control
transistor bipolar NPN
colector

base corriente
de salida

emisor

2N2222
corriente de entrada
ebc

6.071 Transistores bipolares 1

Diapositiva 2

El diodo

I(A) 0.6V

V (voltios)

Como ya se ha descrito, pero se enciende a 0.6V (para un diodo Si).

6.071 Transistores bipolares 2

Diapositiva 3

toma Propiedades del transistor

base

emisor
IC = βI B
I E = IC + I B = (1 + β )I B
VBE = VB − VE = +0.6V
Normalmente apagado (toma/emisor
β ~ 100, pero cambia con
polarizado en inverso), una corriente la temperatura y con V
CE
de salida pequeña y tensión relativa
al emisor lo activan, conmutando y
amplificando
6.071 Transistores bipolares 3
Diapositiva 4

Transistor conmutador
VCC

La corriente del colector depende

de la caída de tensión a través de
R la bombilla.

on IC ≅ βI B

off
Dado que el estado del transistor
depende de la corriente de la base,
10 kΩ
V − V si se la deja en circuito abierto, el
IB = CC BE transistor podría acabar desconec-
R tándose, pero esto sería un descuido.

6.071 Transistores bipolares 4

Diapositiva 5

Transistor conmutador

VCC = IR + VBE
R
IB VCC −VBE
IB =
VCC R
VBE VCC − VBE 
IC = β
 R 

VBE = 0.6V

6.071 Transistores bipolares 5

Diapositiva 6

Seguidor de emisor como fuente de corriente n.º 1

+10V
+10V
Vin
Vin carga -10V
1kΩ
1kΩ
-10V ¿Qué es Vout?

Vout = Vin - 0.6V

Si la polarización de la base/emisor es directa

6.071 Transistores bipolares 6

Diapositiva 7

Seguidor de emisor como fuente de corriente n.º 2

¿Qué es Vout con el transistor apagado?

+10V +10V alta

impedancia
-5V
Vin
⇒ ⇒
1kΩ 1kΩ 1kΩ 1kΩ
1kΩ 1kΩ -10V
-10V -10V

6.071 Transistoresbipolares 7
Diapositiva 8

Seguidor de emisor como fuente de corriente n.º 3

¿A qué tensión de la base se desconecta?

+10V
VBE = 0.6V
Vin ∴Vin = −4.4V

1kΩ
1kΩ
-10V

6.071 Transistores bipolares 8

Diapositiva 9

Seguidor de emisor como fuente de corriente n.º 4

+10V
+10V
Vin
Vin
-10V Vout
1kΩ
1kΩ Vin
-10V

 V − 0.6V; Vin ≥ −4.4V

Vout =  in
 −5V; Vin < −4.4V

6.071 Transistores bipolares 9

Diapositiva 10

Polarización 1
A menudo las señales se acoplan entre fases del amplificador como se-
ñ ales AC (o sin componente continua, utilizando un condensador). Nó -
tese que una tensiónn unipolar no puede amplificar las entradas negativas.

+VCC Vin

Vin
Vout
R

VB Vout
6.071 Transistores bipolares 10
Diapositiva 11

Polarización 2
Soluciónese añadiendo un CC a la base para desplazar la señal de
modo que no haya recorte ni CA acoplando la salida.
VCC
R1 determinar VCC = 15V

Vin se quiere R1 || R2 << βRE

R2 Vout R || R es la impedancia del generador

RE
Regla: que la impedancia de
la fuente sea pequeña
en comparación con la
carga que conduce.
6.071 Transistores bipolares
1 2
de corriente utilizado para conducir
el transistor, βRE es la impedancia
efectiva de la base del transistor.
11
Diapositiva 12

Polarización 3

V CC=15V, R1|| R2<<βRE

VCC • la salida debe oscilar ±7.5V
• determinar RE. RE = 7.5kΩ.
R1 ∴corriente de reposo a base = 1mA.
• V E @ (= 0) = 7.5V (permite Vout
Vin ±7.5V) por tanto VB = VE + 0.6V = 8.1V
R2 Vout R2 8.1V R1 1
RE = or =
R1 + R2 15V R2 1.17
• R1|| R2<<βRE<<100 × 7.5kΩ.
R1 = 130kΩ, R2 = 150kΩ.

6.071 Transistores bipolares 12

Diapositiva 13

Demo: seguidor de emisor BJT n.º 1

generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de 12V
frecuencia
Vin 33kΩ

Vout
1kΩ

Entrada n.º 1 Entrada n.º 2

Vin Vout

tiempo
disparador tiempo
visualización base de tiempo
del osciloscopio
6.071 Transistores bipolares 13
Diapositiva 14

Demo: seguidor de emisor BJT n.º 2

generador para dos diferencias de potencial
oscilador
Amplitud de 12V
frecuencia
Vin 33kΩ

Vout
1kΩ

Entrada n. 1 Entrada n. 2
Vout

Vin
visualización x, y
del osciloscopio
6.071 Transistores bipolares 14
Diapositiva 15

Seguidor de emisor

VCC La tensión de salida es casi igual a la

tensión de la base, con un corte de 0.6 V.
Nótese el cambio en la impedancia.
VB
Vout = VB − 0.6V
Rin = βRcarga
Rcarga

6.071 Transistores bipolares 15

Diapositiva 16

El seguidor de emisor tiene ganancia de tensión unitaria.

+VCC ¿Tiene utilidad?

∆Vin = ∆Vout
∆Vout ∆Vin
Vin Nota: ∆ I E = =
R R
Vout
∆I E ∆Vin
R y ∆I B = =
1 + β R(1 + β )
−VCC
Vin2 V2
P = IV ∴Pin = ;Pout = in
R(1 + β ) R
Hay ganancia en Potencia de β.
La resistencia efectiva de la base es βR.

6.071 Transistores bipolares 16

Diapositiva 17

No diseñar con β

VCC
Aquí el punto de reposo se ha elegido
βRE purgando una cantidad pequeña de
corriente a la base. Ahora, el punto
Vin de funcionamiento depende de manera
Vout crítica de β, que varía tremendamente
RE de un dispositivo a otro y con la
temperatura.

6.071 Transistores bipolares 17

Diapositiva 18

Problema: observe como varía β de 100 a

200 en el último circuito.

6.071 Transistores bipolares 18

Diapositiva 19

Generador de corriente
VCC
La tensión de la base controla la
corriente a través de la carga
Rcarga hasta el límite de VCC.

VE = VB − 0.6V
VB
V
IE = E
VE R
R VB − 0.6V
Icarga = IC =
R
IC ≅ I E , para β grande

6.071 Transistores bipolares 19

Diapositiva 20

Emisor común n.º 1

VCC La configuracióon del emisor comú n produce

una ganancia (negativa) de tensió n. (1)
Establezca una corriente estáatica tal que:
R1 RC
VC = VCC/2 → Necesite caí da de tensió n de
VC VC sobre RC.
Vin VC Vout
∴ IC = Iq = = ;
RC RC

RE Vin I
R2 IB = = C
βRE β
Vout −RC
∴ =
Vin RE
6.071 Transistores bipolares 20
Diapositiva 21

Emisor común

VCC
So RC = VCC/(2 Iq).

RC Ganancia = -RC/RE
R1
VC RE es necesario para la estabilidad, de lo
contrario hay una pequeñ a resistencia
Vin rtr ~ 0.026V/IE, pero es muy sensible a la
temperatura.

R2 RE

6.071 Transistores bipolares 21

Diapositiva 22

Regla para el control robusto

generador carga

Si la impedancia de salida del generador es mucho má s baj a que

la impedancia de entrada de la carga, el rendimiento del
circuito no dependerá de la variación de la carga.
Por lo tanto, en un dispositivo secuencial, si usamos un TEC
como bloques de construcció n de la carga, la impedancia de
entrada de la carga será alta y tendremos un circuito robusto.

6.071 Transistores bipolares 22

Diapositiva 23

Transferencia de diferencias de potencial

Rth RL
VL = Vth
RL + Rth
Vth RL so if VL~Vth
∴ Rth << RL

Para que la transferencia de voltaj e sea eficiente, la impedancia de la

carga se debe mantener por encima de la impedancia del generador.
Dos excepciones:
• Cicuitos de radiofrecuencia, Zfuente=Zcarga
(ofrece má xima transferencia de voltaj e)
• Corrientes acopladas, má s que voltaj es.

6.071 Transistores bipolares 23

Diapositiva 24

Transferencia de corriente

IL RN
IL = I
RL + RN N
IN RN RL so if IL~IN
∴ RN >> RL

Para lograr una transferencia de corriente eficiente, la impedancia de la

carga debe mantenerse pequeñ a en relació n con la del generador.

6.071 Transistores bipolares 24

Diapositiva 25

Transferencia de potencia n.º 1

Rth RL
VL = V
RL + Rth th
Vth RL Vth
I=
( RL + Rth )

RL Vth RL Vth2
∴ PL = VL I = Vth ⋅ =
(RL + Rth ) (RL + Rth ) (RL + Rth )2
PL

Rth RL
6.071 Transistores bipolares 25
Diapositiva 26

Transferencia de potencia n. º2

IL RN
IL = I
R L + RN N
IN RN RL
RN2 I N2 RL
PL = I L2 RL =
(RL + RN )2

PL

RN RL

6.071 Transistores bipolares 26

Diapositiva 27

Divisor de fase de ganancia unitaria

Obj etivo: a partir de una señ al CA, generar una copia y su inversa.
20V

4.7kΩ
150kΩ −
Vout = −Vin (+)
Vin (+)
+
Vout = Vin (+)
56kΩ
4.7kΩ +
Vout ≡ seguidor de emisor
∴ganancia unitaria
−
Vout ≡ emisor comú n
∴con R C=RE, ganancia=-1
6.071 Transistores bipolares 27
Diapositiva 28

Polarización de divisor de fase de ganancia unitaria

20V
• determinar VE = 5V
4.7kΩ ∴VB = 5.6V
150kΩ
15V
como I C ? IE, hay una caí da
5V de 5V en las dos resistencias
56kΩ 5.6V de 4.7k ?XX
4.7kΩ

6.071 Transistores bipolares 28

Diapositiva 29

Circuito Darlington

β 1 β2
β1

β2

Es ú til para aplicaciones de alta corriente

y elevada impedancia de entrada, pero es
lento. La caíida de tensió n base-emisor es
1.2 V.

6.071 Transistores bipolares 29

Diapositiva 30

Transistor puerta Y
6V
Transistores de la base
Ain de puertas ló gicas, y
circuitos integrados.

Bin Ain Bin salida

baj a baj a baj a
salida
baj a alta baja
alta baj a baj a
alta alta alta

6.071 Transistores bipolares 30

Diapositiva 31

Transistor puerta O

6V

Ain Ain Bin salida

baj a baj a baj a
baj a alta alta
alta baj a alta
alta alta alta
Bin

salida

6.071 Transistores bipolares 31

Diapositiva 32

Propiedades de los transistores bipolares

β (ganancia de corriente) no es un pará metro, varí a por
cualquier cosa.
IC,max - má ximo tensió n colector
BVCBO - má xima tensió n colector-emisor.
BVCEO - má xima tensió n colector-generador.
VEBO - tensió n ruptura emiso-base.
PD - má xima disipación de potencia.

6.071 Transistores bipolares 32

Diapositiva 33

Ficha técnica de 2N2222 (1 de 3)

6.071 Transistores bipolares 33

Diapositiva 34

Ficha técnica de 2N2222 (2 de 3)

6.071 Transistores bipolares 34

Diapositiva 35

Ficha técnica de 2N2222 (3 de 3)

6.071 Transistores bipolares 35

Diapositiva 36

Regulador de tensión
Los diodos Zener tienen resistencia
I variable. Concretamente, tienen
Zener
real una salida de corriente constante
en todo un rango de voltaj es
V de entrada. Así , al proporcionar
corriente constante a un circuito,
Zener se pueden usar como reguladores
ideal de tensió n.

Un regulador de tensió n sencillo. RE Vout = Vzener

Por su probre supresió n de Vin
fluctuaciones, necesita un zener
con una gran potencia de salida,
y variaciones con impedancia de carga.
6.071 Transistores bipolares 36
Diapositiva 37

Regulador de tensión

Vout = Vzener-0.6 V
Vin
R Rcarga

C Vzener

Configuració n de seguidor de emisor.

La corriente de la base es só lo 1/β
de la corriente de alimentació n.
El filtro RC reduce las fluctuaciones.

6.071 Transistores bipolares 37

Diapositiva 38

Conmutación de cargas inductivas

La punta repentina de tensió n producida

al interrumpir el fluj o de corriente en
una bobina de inductancia produce una
descarga disruptiva en el transistor.
El problema se soluciona con un diodo
inverso en la carga inductiva.

6.071 Transistores bipolares 38

Diapositiva 39

Amplificador colector común

VCC
Un amplificador con una ganancia de corriente
(sin ganancia de tensió n) y offset para evitar
R1
el recorte de entradas negativas.
VB
R1 y R2 proporcionan el
C2 offset CC y C 1 actú a como
C1
filtro de modo que las
entradas no perturben el
R2 RE Rcarga
punto de reposo).

6.071 Transistores bipolares 39

Diapositiva 40

Amplificador colector común

VCC
1. determinar una corriente de reposo, 1 mA
R1 2. VE = Vcc/2
(permite la mayor entrada simé trica posible)
VB
C2 VCC 2 VCC 2
C1 RE = =
IQ 1mA

R2 RE Rcarga

6.071 Transistores bipolares 40

Diapositiva 41

Amplificador colector común

VCC
3. Establecer corriente de reposo ví a R1 & R2.
R1 R1 VCC − VB VCC − VE − 0.6V
= =
R2 VB VE + 0.6V
C2 Recuerde: VE = VCC 2
C1
Luego, olvidar 0.6V y R1 = R2
R2 RE Rcarga Nó tese que R = β R ,
base E

luego R 1||R2<< β RE

Evita que el punto de reposo se desplace con la carga.

6.071 Transistores bipolares 41

Diapositiva 42

Amplificador colector común

VCC
4. Elegir condensadores de acoplamiento
La resistencia de entrada CA efectiva
R1
Rin = R1 R2 β (RE Rcarga)
VB
C1 y Rin forman un filtro de paso alto
C2
C1
1
C1 =
ω 3dB Rin
R2 RE RRcarga
carga

1
C 2 y Rcarga tambié n forman un filtro de paso alto C2 =
ω 3 dB Rload

6.071 Transistores bipolares 42

Diapositiva 43

Amplificador colector común

VCC

voltaj e de la base
R1

salida
VB C2
C1

R2 RE Rcarga respuesta en
frecuencia

6.071 Transistores bipolares 43