Mira Căldăraru Florin Căldăraru

INTRODUCERE
ÎN
MICROELECTRONICĂ
Curs universitar

Cavallioti
2009
 referent ştiinţific: conf. dr. ing. Alexandru VASILE

Cavallioti
recunoscută CNCSIS

Str. Polonă nr. 115, 010497 Bucureşti

Tel.: 0744 - 201568
www.cavallioti.ro

Descrierea CIP a Bibliotecii Naţionale a României

CĂLDĂRARU, MIRA
Introducere în microelectronică / Mira Cădăraru, Florin Căldăraru. - Bucureşti :
Cavallioti, 2009
Bibliogr.
ISBN 978-973-7622-78-5

I. Căldăraru, Florin

621.38

2
 PREFAŢĂ

De aproape 20 de ani microelectronica este prezentă din ce

în ce mai mult în viaţa noastră de zi cu zi. De la televizor la
computer şi telefonul mobil, de la automobil la procese industriale
complexe, totul este microelectronică. Practic, nu mai există nici o
aplicaţie care să nu înceapă cu un senzor, să se continue cu un
microprocesor şi o bază de date şi să se termine cu un actuator.
Situată la graniţa dintre ştiinţă şi tehnologie,
microelectronica este un domeniu complex şi complicat a cărui
înţelegere, chiar superficială, nu este posibilă fără cunoştinţe
temeinice de fizică, matematică şi electronică. Prin urmare, cartea
se adresează în primul rând studenţilor de la facultăţile tehnice din
domenii care utilizează sistemele microelectronice: mecatronică,
transporturi, metalurgie, chimie industrială, energetică, construcţii.
Pentru studenţii de la electronică şi telecomunicaţii şi pentru cei de
la automatizări şi calculatoare, cartea poate fi socotită ca o
introducere avansată în domeniul microelectronicii.
Aşa cum se menţionează şi în subtitlu, această carte este
structurată ca un curs universitar. În 13 lecţii sunt abordate noţiuni
fundamentale de fizica şi tehnologia dispozitivelor semiconductoare
(dioda, tranzistorul, circuitul integrat), principalele dispozitive
microelectronice (memorii, microprocesoare, senzori şi actuatori
MEMS, dispozitive CCD), împreună cu cele mai importante aplicaţii
(amplificatorul operaţional, sisteme de achiziţie şi prelucrare a
datelor, sisteme de detecţie şi monitorizare, analizoare de imagine).
Această carte a apărut din suportul cursului de
„Microelectronică” din programa de anul III a Facultăţii de
Inginerie Managerială a Universităţii Ecologice din Bucureşti.
Autorii ţin să exprime mulţumirile lor domnilor prof. dr. V.
Rojanschi, prorectorul Universităţii Ecologice, prof. dr. T.
Niculescu, decanul Facultăţii de Inginerie Managerială şi prof. dr. C.
Bigan, şef de catedră, care au făcut posibilă susţinerea acestui curs.
3
 Multe mulţumiri se cuvin, de asemenea, domnului ing. Radu
Cosăceanu, directorul editurii Cavallioti care a asigurat apariţia
cărţii în timp real şi in condiţii grafice excelente.
Cele mai calde mulţumiri se cuvin a fi adresate studenţilor
anilor III ai Facultăţii de Inginerie Managerială ai Universităţii
Ecologice din Bucureşti care, prin prestaţia lor la cursuri,
laboratoare şi la examene ne-au permis să elaborăm cartea în forma
actuală.
Nu ne rămâne decât să sperăm ca experienţa noastră de
aproape 30 de ani în domeniul cercetării, proiectării şi realizării de
dispozitive semiconductoare în tehnologia microelectronică a produs
o carte folositoare.

Bucureşti, Februarie 2009

Autorii

4
 CUPRINS
Pag.
PARTEA I-A DISPOZITIVE, MATERIALE ŞI
TENHOLOGII 7
1. Domeniul microelectronicii: evoluţia şi problemele sale 9

2. Dioda şi tranzistorul 15
2.1. Dioda semiconductoare 15
2.2. Tranzistoare bipolare cu joncţiuni 17

3. Circuite integrate 27
3.1. Circuite integrate analogice uzuale 28
3.2. Circuite integrate digitale 33

4. Tehnologia circuitelor integrate 37

4.1. Tehnologia planară de realizare a circuitelor integrate bipolare 37
4.2. Circuite integrate în tehnologia CMOS 49
4.3. Evoluţia tehnologiilor CMOS şi tehnologii experimentale 56
4.4 Tehnologia BiCMOS 61

PARTEA A II-A MICROSISTEME 63

5. Memorii 65
5.1. Memoriile DRAM 66
5.2. Memoriile SRAM 68
5.3. Memorii nevolatile 72

6. Microprocesoare 75
6.1. Concepte de bază ale microprocesoarelor 76
6.2. Arhitectura şi organizarea microprocesorului 77
6.3 Microcontroller 80

7. Senzori şi actuatori 83
7.1. Principii de funcţionare 83
7.2. MEMS-uri 84
7.3. Structuri de tip MOEMS 95
7.4 Alte tipuri de senzori integraţi 97

8. Dispozitive cu cuplaj de sarcină (CCD) 99

5
PARTEA A III-A APLICAŢII 103
9. Utilizarea amplificatoarelor operaţionale în circuitele
electronice 105
10. Sisteme de achiziţie şi gestionare a datelor 108
10.1. Sisteme realizate cu microprocesor 108
10.2 Sisteme de achiziţie de date realizate cu microcontroler 109

11. Aplicaţii ale dispozitivelor MEMS 111

12. Sistem de monitorizare în timp real a poluării aerului 118

13. Aplicaţii ale dispozitivelor CCD 122

Bibliografie 126

6
 PARTEA I-A

DISPOZITIVE, MATERIALE ŞI TENHOLOGII

7
8
1. DOMENIUL MICROELECTRONICII: EVOLUŢIA ŞI
PROBLEMELE SALE

Microelectronica este o parte a electronicii, dezvoltată la nivel

micro- şi nanotehnologic. Ea se bazează pe dezvoltarea tehnologiei
circuitelor integrate, ducând la apariţia circuitelor integrate VLSI (Very
Large Scale Integration) şi ULSI (Ultra Large Scale Integration), cât şi
la apariţia unor dispozitive care sunt traductoare mecano – electrice, opto -
electrice, chemo-opto-electrice, integrate la scară micro şi nanotehnologică
cu circuitele integrate deja realizate (senzori şi actuatori, în tehnologia
MEMS, MOEMS).
Apariţia microelectronicii a fost determinată de mai mulţi factori.
Unii dintre aceştia sunt de ordin tehnologic, alţii aparţinând domeniilor de
aplicaţie a dispozitivelor electronice, alţii sunt de ordin financiar. Cerinţele
pieţei sunt factorii care au determinat începutul erei microelectronice. Astfel
domenii cum este cel al comunicaţiilor şi aerospaţialului necesită dispozitive
de dimensiuni mici şi consum scăzut de putere, pentru a putea fi uşor
deplasate şi să fie autonome. Deoarece la un dispozitiv electronic
conexiunile (interconectarea dispozitivelor, conectarea la capsulă) sunt unii
din factorii ce determină mărimea dispozitivului, s-a impus realizarea unor
circuite ce includ pe acelaşi cip mai multe dispozitive. Aceasta a îndreptat
tehnologia dispozitivelor semiconductoare spre obţinerea unor dispozitive
de mici dimensiuni. De la primul tranzistor pe germaniu, s-a trecut la
tehnologia bipolară pe siliciu, tehnologie care a fost, şi este, cea mai larg
utilizată pentru dispozitive discrete, dar mai ales pentru circuitele integrate
analogice. Aceasta a fost optimizată ani de zile, prin scăderea toleranţelor
(dimensiunilor între diferite părţi ale dispozitivelor), creşterea numărului de
dispozitive pe cip, mărirea plachetelor de siliciu, creşterea randamentelor,
scăderea curenţilor de lucru. S-a trecut apoi la tehnologia MOS (NMOS,
PMOS, CMOS), pentru circuitele digitale. Aceasta a dus rapid la scăderea
dimensiunilor dispozitivelor şi a curenţilor (şi implicit a puterii electrice
consumate).
Tehnologia dispozitivelor electronice s-a dezvoltat astfel în trepte,
pornind de la tranzistorul aliat, circuite bipolare, circuite MOS, circuite
CCD, circuite LCD, circuite MEMS, circuite MOEMS şi continuă cu alte
tehnologii neconvenţionale, care duc atât la miniaturizări de domeniul nano,
cât şi în domenii conexe, ca microbiologie şi straturi chemo-adsorbante.
Electronica a apărut la sfârşitul secolului XIX ca urmare a
cercetărilor desfăşurate de fizicieni asupra conducţiei electrice în gaze şi în
vid, cercetări finalizate prin inventarea diodei, triodei şi a altor tuburi

9
electronice. Aceste dispozitive au fost folosite în dezvoltarea radioului
inventat de Marconi, această aplicaţie fiind singura care a ajuns la marele
public până la mijlocul secolului 20, fiind urmată de televiziune în anii
1960.
Inventarea tranzistorului cu germaniu în 1947 în laboratoarele
companiei Bell Telephone de către William Shockley John Bardeen şi
Walter H. Brattein, (premiul Nobel pentru fizică în 1956), a marcat
începutul utilizării materialelor semiconductoare (mai întâi germaniul, apoi
siliciul şi, mai târziu, materiale compozite de tipul GaAsP sau InSb) în
realizarea dispozitivelor electronice. Dezvoltarea acestui nou domeniu a
avut loc rapid şi într-o manieră spectaculoasă nemaiîntâlnită până atunci.
Iată care au fost principalele momente.
 1949 Werner Jacobi (Siemens AG) proiectează primul patent pentru un
circuit integrat cu 5 tranzistoare amplificatoare, dar nu a fost utilizat în
practică;
 1958 Jack Kilby proiectează primul circuit integrat recunoscut realizat în
tehnologia planară de Robert Noyce
 1959 Primul tranzistor realizat în tehnologie bipolară
Inventarea tehnologiei planare a permis dezvoltarea producţiei pe
scară largă, ceea ce a determinat scăderea costurilor şi dezvoltarea
aplicaţiilor, de la cele militare şi industriale până la cele domestice (radio,
TV, linii audio şi video). La Texas Instruments se realizează primele circuite
integrate pe germaniu, în această tehnologie.
 1961 Primul circuit integrat monolitic pe siliciu la Fairchild
Semiconductors Începe epoca miniaturizării cu consecinţe benefice pentru
conducerea proceselor industriale şi dezvoltarea tehnologiilor de procesare a
informaţiei. Apar calculatoarele de mare putere (IBM 360/70) şi
calculatoarele de proces pentru conducerea proceselor industriale. Aceste
circuite integrate conţineau doar câteva tranzistoare, circuite de tip SSI
(Small - Scale Integration). Deşi conţineau un număr de ordinul zecilor de
tranzistoare, au fost de o importanţă crucială pentru primele proiecte
aerospaţiale (programul Apollo şi Minuteman)
 1963 Wanlass inventează procesul CMOS (Complementary MOS) la
Fairchild Semiconductor; procesul asigură o scădere a puterii disipate cu 6
ordine de mărime;
 1965 Primul amplificator operaţional (op – amp)
Miniaturizarea merge mai departe. Practic nu mai există proces
industrial care să nu conţină dispozitive electronice de comandă şi control.
Circuitele MSI (Medium – Scale Integration) au apărut la sfârşitul anilor
1960, conţinând sute de tranzistoare pe un cip. În acelaşi an Moore dă legea

10
care îi poartă numele şi care stipulează că numărul de circuite integrate pe
cip (structură de material semiconductor) se va dubla în fiecare an.

Fig. 1.1 Legea lui Moore

 1969 Inventarea dispozitivului CCD de Willard Boyle şi George Smith la

AT&Bell Labs. CCD (Charge Coupled Devices) sunt registre de deplasare
(Shift register) care permit deplasarea semnalului de la un condensator MOS
la altul comandat de un ceas (clock). CCD-urile au fost utilizate ca memorii,
ca dispozitive de întârziere a semnalului, dar la ora actuală se utilizează ca
matrici optice pentru aparatele de fotografiat digitale, în astronomie, etc.
 1971 Primul microprocesor de 4 bit (Intel 4004), 1972 Primul
microprocesor de 8 bit (Intel 8008) O dată cu dezvoltarea tehnologiilor
CMOS începe epoca dispozitivelor electronice digitale care vor permite
dezvoltarea explozivă în următorii ani a domeniului IT (Information
Technology): prelucrarea digitală a imaginii, transmisia de date cu mare
viteză şi miniaturizarea şi mai pronunţată a dispozitivelor industriale şi
domestice. Începe epoca circuitelor LSI (Large – Scale Integration), în care
se realizau pe acelaşi cip zeci de mii de tranzistoare. În primii ani din 1970
s-au realizat primele memorii RAM de 1 Kbit si microcontrolerul cu aprox.
4000 tranzistoare. Circuite LSI adevărate au început să fie produse în anii
1974, conţinând cca. 10000 de tranzistoare. În această tehnologie s-au
realizat memoriile principale şi a doua generaţie de microprocesoare.

11
 1981 Primul computer de tip IBM PC Primul vârf al revoluţiei
informaticii. Din acest moment computerul nu mai este folosit numai în
aplicaţii industriale, militare, ştiinţifice sau economice, ci devine, în
următorii 15 ani, un obiect domestic. În anii noştri o configuraţie de tip
Pentium IV este accesibilă bugetului unui student sau elev de liceu.
Computerul de tip IBM PC sau Mc Intosh a permis apariţia internetului şi
dezvoltarea mediilor software Windows şi Apple care include procesarea de
documente complexe, imagini şi baze de date. Nivelul de miniaturizare atins
de tehnologiile CMOS a permis apariţia şi dezvoltarea telefoniei mobile şi a
televiziunii digitale accesibile acum pe scară largă din cauza scăderii
continue a preţurilor de producţie. În anii 1980 încep să se realizeze
circuitele VLSI (Very Large Scale Integration). Se integrează întâi sute de
mii de tranzistoare, ajungând la un bilion în 2007.
Ultra Large Scale Integration, ULSI este termenul propus pentru
structuri ce conţin mai mult de 1 milion de tranzistoare. Numărul de
tranzistoare pe structură depinde, în primul rând, dar nu numai, de
dimensiunea traseelor de interconectare şi a structurii active. În figura
următoare se poate vedea evoluţia uluitoare de la primul tranzistor la
circuitele ULSI.

Fig. 1.2 Evoluţia miniaturizării: a) Primul tranzistor cu Ge din 1947; b) 230 de

milioane de tranzistoare pe microprocesorul Intel Pentium Extreme Edition 840 dual –
core în 2005

Fig. 1.3 Procesorul Intel cu 1.72 bilioane de Fig. 1.4 O structură de circuit integrat
tranzistoare CMOS în tehnologia de 0,18 m

12
 Tabelul de mai jos dă o predicţie a ITRS (International Technology Roadmap
for Semiconductors) a evoluţiei principalilor parametrii ai circuitelor integrate
până în anul 2016.

Anul de fabricaţie 2004 2007 2010 2013 2016

“Nodul” tehnologic[nm] 90 65 45 32 22
Tensiunea nominală Vdd 1,2 1,1 1,0 0,9 0,8
Tensiunea de saturaţie 0,2 0,18 0,15 0,11 0,1
VT[V]
Curent rezidual pe poartă 4,5.102 9,3.102 1,9.103 7,7.103 1,9.104
[A/cm2]
Fracvenţa maximă fT [GHz] 120 200 280 400 700
NAND2 – timp de 23,9 16,2 9,9 6,5 3,7
întârziere[ps]
Numărul de nivele de 10 11 12 12 14
metalizare
Timp de întârziere RC [ps] 55 92 143 248 452
 efectiv 3,1…3,6 2.7…3 2.3… 2,6 2…2,4 <2

Multe alte proiecte de dezvoltare sunt elaborate pe plan mondial:

- WFI, ”Wafer Scale Integration”, este un sistem pe o întreagă
plachetă care contine un “super -cip”.
- SOC, “System-on a Chip” este un circuit integrat care conţine toate
elementele pentru un anumit sistem (de exemplu un computer).
Acestea sunt însă încă în faza de concepţie, deoarece randamentele
de producţie sunt foarte mici şi multe probleme tehnologice nu au
fost rezolvate încă.
- Circuitele integrate tridimensionale (3D-IC) au două sau mai multe
straturi de componente active care sunt conectate atât orizontal, cât
şi vertical.
- FPGA (Field Programmable Gate Arrays) fac parte din categoria
circuitelor integrate programabile. Aceste circuite pot fi programate
să aibă mai multe funcţiuni. FPGA au zeci de mii de circuite LSI în
paralel şi operează la 550 MHz.
Dispozitivele ASIC (Application-Specific Integrated Circuits) sunt
dispozitive care includ mai multe tipuri de circuite integrate destinate
special pentru o anumită aplicaţie. Ele includ procesoare, memorii şi
eventual circuite mecano-electrice.
O clasă separată de dispozitive integrate o formează MEMS. Acestea
sunt dispozitive micromecanice şi sunt utilizate în mod special ca senzori de
acceleraţie, masă şi presiune. Pentru a realiza MEMS–uri, tehnologia
circuitelor integrate a fost radical schimbată. Tehnologia de realizare a
MEMS-urilor include procese de depunere şi mulare, corodare umedă sau
13
uscată, depunere prin procese electro – mecanice, corodare umedă şi uscată
şi multe alte tehnologii neconvenţionale. Realizarea MEMS-urilor a permis
obţinerea unor dispozitive altfel foarte costisitoare şi voluminoase pentru
fabricarea automobilelor, dispozitive bio-medicale, etc.
O categorie specială de MEMS o reprezintă MOEMS-urile, care include
ghiduri de undă optice pe dispozitivele integrate. Se utilizează ca senzori de
substanţe chimice şi detectori de raze LASER.
La ora actuală, se poate spune că microelectronica a pătruns în toate
domeniile industriale şi ale vieţii cotidiene. Automatizările industriale,
calculatoarele şi internet-ul pentru întreaga populaţie, comunicaţiile pe fibră
optică, senzorii şi actuatorii pentru sisteme din cele mai diverse, pornind de
la automobile şi sfârşind cu tehnica de vârf din domeniile militare,
includerea dispozitivelor electronice în sistemele de obţinere a energiilor
neconvenţionale sunt aplicaţii cunoscute şi în continuă dezvoltare.

14
2. DIODA ŞI TRANZISTORUL

2.1 Dioda semiconductoare

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o
joncţiune pn, pe un material semiconductor, închise ermetic într-o capsulă
metalică sau din material plastic prevăzută cu două terminale. Terminalul
corespunzător regiunii de tip p se numeşte anod (A), iar cel corespunzător
regiunii de tip n se numeşte catod (K). Diodele se folosesc ca elemente
fizice de circuit asigurând o conducţie unidirecţională (diode redresoare).
Regimul de conducţie are loc doar atunci când dioda este polarizată
direct (+ pe anod şi – pe catod). Caracteristica diodei reale se deosebeşte de
caracteristica ideală a joncţiunii pn. Astfel, căderea de tensiune directă pe
diodă este mai mare decât tensiunea pe joncţiunea pn cu o valoare egală cu
căderea de tensiune pe straturile neutre p şi n ale semiconductorului.
Caracteristica unei diode semiconductoare este prezentată în fig. 2.1.

Fig. 2.1 Cele trei zone de funcţionare a unei diode cu joncţiuni

Se disting 3 zone de funcţionare ale diodei:

I – zona de conducţie directă
  qV  
IF  Idif , n  Idif , p  I rec  IS exp F   1
  nkT  

unde n este un coeficient cu valori între 1 şi 2, deoarece curenţii de difuzie

 qV 
au în expresia lor o dependenţă de tensiunea directă de tip exp F  , iar
 kT 
cei de recombinare au în expresia lor o dependenţă de tensiunea directă de
 qV 
tip exp F  . La tensiuni uzuale de lucru, peste tensiunea de deschidere,
 2kT 

15
considerată 0,6 V pentru o diodă cu siliciu, n1 (curenţii de difuzie fiind
preponderenţi).
II – zona de blocare corespunzătoare polarizării inverse a diodei
În această zonă prin diodă circulă un curent foarte mic, dat de
curentul de generare şi de curenţii de scurgere pe suprafaţa diodei – datorate
imperfecţiunilor de izolare sau impurităţilor în volum. O diodă de calitate
are acest curent foarte mic. În această zonă dioda se consideră un circuit
întrerupt.
III – zona de străpungere
Prin multiplicare în avalanşă curentul creşte foarte mult, iar
tensiunea rămâne practic constantă, fenomen care poate fi în anumite
condiţii reversibil, dar de multe ori duce la distrugerea diodei (apare şi o
multiplicare termică), deci dioda redresoare trebuie utilizată la o tensiune
mai mică de 0,7 din tensiunea de străpungere în avalanşă. O altă formă a
procesului de străpungere, întotdeauna reversibil, este efectul Zener (tunel),
fapt folosit la realizarea diodelor Zener, care au o tehnologie diferită de a
diodelor redresoare.
Simbolul, schema echivalentă de curent continuu şi caracteristica
statică a unei diode redresoare sunt prezentate în fig. 2.2 a,b,c.

Fig. 2.2 Simbolul, polarizarea şi caracteristicile diodei semiconductoare

Diodele sunt utilizate pe scară largă în scheme ca elemente ce lasă să

treacă doar curenţii direcţi (tensiune pozitivă pe anod faţă de catod). Aceste
diode se numesc redresoare. Datele de catalog cele mai importante pentru o
diodă redresoare sunt:
I0 – curentul mediu redresat maxim
VRM – tensiunea directă maximă admisă
VBR – tensiunea inversă de străpungere

Diodele Zener (stabilizatoare)

Sunt realizate dintr-o joncţiune pn cu proprietatea de control a
tensiunii de străpungere. În majoritatea aplicaţiilor sunt utilizate în

16
polarizare inversă, proprietatea principală a lor fiind aceea de a menţine
constantă căderea de tensiune la borne la variaţii mari ale curentului.
Simbolul, schema echivalentă de curent continuu şi caracteristica statică a
unei diode Zener sunt prezentate în fig. 2.3 a,b,c.

Fig. 2.3 Simbolul, polarizarea şi caracteristicile diodei Zener

Se observă că în polarizare directă dioda Zener se comportă ca o

diodă redresoare. Cele mai importante caracteristici ale diodei Zener (date şi
în catalog) sunt:
VZ – tensiunea stabilizată nominală;
IZmin – valoarea minimă a curentului la care dioda începe să stabilizeze;
IZmax – valoarea maximă a curentului prin diodă pentru care nu se depăşeşte
puterea maximă admisă;
PZmax=VZ IZmax – puterea maximă disipată.
Diodele Zener se folosesc în circuitele de stabilizare a tensiunilor continue,
în circuitele de limitare, etc.

2.2 Tranzistoare bipolare cu joncţiuni

Caracteristicile electrice
Tranzistorul bipolar este primul dispozitiv amplificator descoperit şi
reprezintă începutul erei revoluţiei semiconductoarelor. A fost inventat de
Bardeen, Brattain şi Shockley, la Bell Laboratories în 1948, iar autorii au
primit premiul Nobel pentru inventarea tranzistorului în anul 1956. Deşi se
încerca de mult timp înlocuirea dispozitivelor amplificatoare cu vid (mari
consumatoare de energie, cu dimensiuni extrem de mari şi fiabilitate redusă)
cu dispozitive semiconductoare, descoperirea efectului de tranzistor a fost
accidentală. Primul tranzistor descoperit a fost cel cu contact punctiform,
tranzistorul cu joncţiuni, bipolar fiind efectul a îndelungate cercetări.
Germaniul a fost materialul de bază pentru primele dispozitive, fiind folosit
ani de zile (fabrica românească de dispozitive electronice, IPRS, producea
dispozitive pe germaniu până prin anii 1980). Efectul de tranzistor se
bazează pe grosimea mică a bazei, în comparaţie cu lungimea de difuzie a
purtătorilor minoritari. În cazul germaniului, lungimea de difuzie este mult

17
mai mare decât în cazul siliciului, ceea ce a permis obţinerea de tranzistoare
şi în cadrul tehnologiei rudimentare de început, unde dimensiunile
structurilor semiconductoare erau mult mai mari decât în cadrul tehnologiei
moderne. De asemenea, se putea produce germaniu mult mai pur decât
siliciu.
Tranzistoarele se utilizează în aplicaţii analogice şi digitale. Ca
elemente active în circuitele analogice, tranzistoarele sunt destinate pentru
comanda prin curent şi amplificarea semnalelor. În circuitele digitale
tranzistoarele se utilizează ca dispozitive cu două stări: deschis - blocat.
Aceste utilizări se bazează pe funcţionarea diferenţiată a tranzistorului în
cele trei stări principale de funcţionare: regiunea activă normală, starea de
blocare şi starea de saturaţie.
Un tranzistor cu joncţiuni bipolar (termenul de bipolar se referă la
conducţia simultană de goluri şi electroni) constă din două regiuni
semiconductoare cu acelaşi tip de conductivitate numite emitor şi colector
separate de o zonă subţire de conductivitate de tip opus numită bază.
Criteriile fundamentale pe care le îndeplineşte un tranzistor sunt:
a) emitorul este mult mai puternic dopat decât baza (curentul prin joncţiunea
emitorului trebuie să fie determinat de purtătorii majoritari ai emitorului
injectaţi în bază, injecţia de purtători majoritari ai bazei în emitor trebuie să
fie neglijabilă);
b) regiunea bazei este fizic subţire, mai mică decât lungimea de difuzie
(purtătorii injectaţi în bază o traversează fără a suferi procese de
recombinare majore);
c) zona colectorului este fizic mai largă decât cea a emitorului (ajută la
colectarea curentului injectat de emitor);
d) colectorul este slab dopat faţă de bază.
Simbolurile tranzistoarelor de tipul pnp şi npn sunt date în fig. 2.4.

Fig. 2.4 Simbolul de reprezentare în scheme a tranzistorului bipolar pnp (a) şi npn (b)

Structura şi curenţii unui tranzistor sunt daţi în fig. 2.5.

18
 Fig. 2.5 Structura tranzistorului pnp şi curenţii principali ai tranzistorului

În funcţie de modul în care sunt polarizate cele două joncţiuni, un

tranzistor bipolar se poate afla în următoarele regimuri de funcţionare:
a) regimul normal, în care joncţiunea emitor-bază este polarizată direct, iar
joncţiunea colector-bază este polarizată invers,
b) regimul invers în care joncţiunile sunt polarizate invers faţă de cazul
anterior,
c) regimul de blocare în care ambele joncţiuni sunt polarizate invers. În
acest caz tranzistorul este blocat (prin el nu circulă curent),
d) regimul de saturaţie în care cele două joncţiuni sunt polarizate direct.
Efectul de tranzistor constă în obţinerea unui semnal în curent mare
în circuitul de emitor – colector, proporţional cu un semnal mic în circuitul
de bază, în regimul normal de funcţionare. Considerând tranzistorul pnp
prezentat schematic mai sus, în regim normal de funcţionare (deci cu sursele
ca în fig. 2.5) fenomenele din tranzistor au loc astfel: Polaritatea surselor
externe VBE şi VBC face ca joncţiunea E-B să fie polarizată direct, adică
minusul sursei EB se aplică pe bază, iar plusul pe emitor, iar joncţiunea C-B
să fie polarizată invers, adică minusul sursei BC se aplică pe colector, iar
plusul pe bază. Bariera de potenţial din joncţiunea E-B se micşorează, iar
bariera de potenţial la joncţiunea de colector se măreşte.

19
 Datorită aplicării pe joncţiunea E-B a unei tensiuni directe, se
produce difuzia puternică şi injecţia golurilor din emitor în bază. Deoarece
dopajul bazei este mai mic decât cel al emitorului, conform relaţiilor date la
joncţiunea pn, curentul de emitor este egal cu IE ≈ IEdif p (curentul de
electroni este mult mai mic decât cel de goluri). Raportul dintre curentul de
goluri şi curentul total de emitor se numeşte eficienţa emitorului şi se
notează cu .
Sub influenţa forţelor de difuzie, ca rezultat al scăderii concentraţiei
de-a lungul bazei, golurile se deplasează de la emitor la colector. Cea mai
mare parte a golurilor injectate de către emitor ajung la joncţiunea de
colector, fără să pătrundă în centrele de recombinare, datorită faptului că
baza tranzistorului este foarte subţire. Aceste goluri sunt captate de câmpul
joncţiunii C-B, polarizată invers, astfel încât acest câmp este accelerator
pentru purtătorii minoritari în bază, adică golurile în baza de tip n. Raportul
dintre curentul de goluri ce ajung în colector şi curentul de goluri injectat în
bază se numeşte coeficientul de transport prin bază şi se notează cu T.
În funcţie de terminalul comun intrării şi ieşirii, un tranzistor se
poate afla în următoarele conexiuni : emitor comun, colector comun, bază
comună. (vezi fig. 2.6).

Fig. 2.6 Tipuri de conexiuni ale tranzistoarelor

Factorii de amplificare în curent corespunzători acestor montaje se

numesc factorul de amplificare în curent în montaj bază comună, , egal cu
raportul dintre variaţia curentului de colector la variaţia curentului de emitor
şi factorul de amplificare în curent în montaj emitor comun, , egal cu
raportul dintre variaţia curentului de colector la variaţia curentului de bază.
Factorul de amplificare  in conexiunea bază comună este produsul
a doi factori: eficienţa emitorului şi coeficientul de transport prin bază:
I
  T  C
I E
şi reprezintă variaţia curentului de colector la o variaţie a curentului de
emitor.

20
 Pe lângă aceste componente ale curentului prin tranzistor, mai apare
un curent uzual în orice jonctiune polarizată invers, care este curentul care
apare în joncţiunea bază – colector când nu se injectează curent din emitor
(când joncţiunea emitor – bază nu este polarizată); se notează cu ICB0.
Curentul total de colector are formula generală:
IC = IE + ICB0
Deci, relaţiile dintre curenţii unui tranzistor bipolar sunt:
Curentul bazei este o mică fracţie din curentul de emitor:
IB = (1 – )IE – ICB0
Curentul de colector este proporţional cu curentul de emitor (dacă se
neglijează ICB0):
IC = IE + ICB0
rezultă
 
IC  IB  ICB0  ICB0
1  1 
Dacă se notează
I 
 C 
IB 1  
(numit factor de amplificare în curent în montaj emitor comun) şi
ICE0 = ICB0(1 + ),
atunci:
IC = IB + ICE0
Valorile tipice ale mărimii adimensionale  sunt mai mari ca 0,9, uzual
peste 0,99, iar  are valori cuprinse între 30 – 500 (ordin de mărime).

Pentru un tranzistor npn caracteristicile de intrare şi ieşire sunt date

în fig. 2.7.
Indiferent de tipul tranzistorului, în planul caracteristicilor de ieşire
se disting trei regiuni de lucru :
- regiunea de saturaţie care se află în extremitatea stângă a caracteristicilor
de ieşire (în această zonă tranzistorul nu amplifică), cel mai important
parametru fiind tensiunea de saturaţie colector – emitor, UCEsat sub 0,4 V la
tranzistoarele de mică putere pe siliciu;
- regiunea de blocare care se află sub caracteristica IB = 0;
- regiunea activă normală de lucru care se află între cele două regiuni, de
blocare şi saturaţie.

21
 Fig. 2.7 Caracteristicile tranzistoarelor npn şi cele 3 regiuni de funcţionare

Ceea ce nu s-a prezentat în figurile anterioare sunt tensiunile de

străpungere, caracteristice oricărei joncţiuni. Cele trei tensiuni de
străpungere care se dau în cataloage sunt: tensiunea de străpungere colector
– emitor BVCE0, tensiunea de străpungere colector – bază BVCB0, tensiunea
de străpungere emitor - bază BVEB0. Primele două sunt de ordinul zecilor de
volţi (există tranzistoare special realizate să suporte peste 300 V, pentru
funcţionarea în circuitele de transport a energiei electrice şi posturi de
transformare), iar tensiunea de străpungere emitor – bază este în jurul a 10 –
20V, la circuitele integrate chiar mai mică, 6 – 8V.
Răspunsul în frecvenţă al tranzistoarelor bipolare
Factorii de amplificare în curent ai tranzistoarelor,  şi , depind de
frecvenţa de lucru a tranzistorului, pentru că procesele care au loc în
tranzistor prin trecerea purtătorilor de sarcină prin stratul bazei precum şi
schimbarea concentraţiei purtătorilor în bază prin difuzia purtătorilor
minoritari spre colector sunt caracterizate de inerţie. Astfel, variaţia
curentului de ieşire suferă o întârziere de fază în raport cu variaţia curentului
de intrare. La frecvenţă mare curentul de colector nu reuşeşte să ajungă la
valoarea sa maximă şi, prin creşterea frecvenţei, amplificarea scade.
Factorul  se exprimă în funcţie de frecvenţă sub forma:
0

f
1 i
f
unde 0 este valoarea coeficientului  în domeniul frecvenţelor joase şi
medii şi f este frecvenţa pentru care =0/ 2 .
În cataloage este indicată frecvenţa de tăiere a factorului de
amplificare în curent, fT pentru care =1. 
Datele de catalog principale ale tranzistoarelor bipolare sunt:
- tensiunea de străpungere colector – emitor BVCE0 (25 – 300 V)
- tensiunea de străpungere colector – bază BVCB0 (25 – 300 V)
- tensiunea de saturaţie colector – emitor VCEsat (0,4 – 0,7 V)
22
 - factorul de amplificare în curent în conexiunea emitor comun, hFE =
 (35 – 1000)
- frecvenţa de tăiere a factorului de amplificare în curent fT (100 –
700MHz)
- puterea totală disipată – depinde şi de structura tranzistorului, dar şi
de capsulă Ptot (150 mW – 150 W).
Tranzistoare cu efect de câmp
Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC sau FET – Field effect
transistor) sunt dispozitive unipolare, funcţionarea lor implicând doar
transportul purtătorilor majoritari. Au următoarele avantaje faţă de
tranzistoarele bipolare: au un curent de intrare în electrodul de comandă –
foarte mic (rezistenţă de intrare foarte mare) şi au amplificare de curent
foarte mare (de fapt se dă transconductanţa, adică raportul dintre curentul de
ieşire şi tensiunea de intrare).
Tranzistoarele cu efect de câmp se împart în două categorii:
- Cu poartă joncţiune JFET
- Cu poartă izolată MOSFET
La rândul lor tranzistoarele MOSFET pot fi:
- Cu canal iniţial
- Cu canal indus
Tranzistoarele cu efect de câmp pot avea un canal n sau p.
Tranzistorul cu efect de câmp are 3 terminale:
Sursa – electrodul de unde pleacă sarcinile electrice
Drena – electrodul către care se îndreaptă sarcinile electrice
Poarta – electrodul care comandă comportarea dispozitivului.

Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune pn (J-FET)

Acestea au structura constructivă prezentată în figura 2.8
(tranzistoare cu canal p). Stratul cu conducţie de tip p se numeşte canal şi
este prevăzut cu două borne pentru cuplare în circuitul extern şi anume:
drena (D) şi sursa (S). Straturile cu conducţie de tip n care mărginesc
canalul de ambele părţi sunt unite la o singură bornă denumită grilă sau
poartă (G). Există şi tranzistoare cu efect de câmp la care canalul este de tip
n; reprezentarea schematică a acestora se prezintă în figura 2.8 c. Principiul
de funcţionare la tipurile n şi p este acelaşi, deosebirea constând în aceea că
direcţia curenţilor şi polaritatea tensiunilor aplicate sunt opuse.

23
 Fig. 2.8 Structura unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiuni (a) şi simbolurile pentru
acest tranzistor (cu canal p, respectiv n)

Când tensiunea de comandă UGS = 0 şi se cuplează o sursă de

tensiune între drenă şi sursă, UDS, prin canal trece un curent a cărui valoare
este determinată de rezistenţa canalului. Când se aplică o tensiune pozitivă
pe grilă (UGS > 0), joncţiunile pn grilă – canal se polarizează negativ, ca
rezultat canalul conductor de curent se îngustează şi curentul de drenă ID se
micşorează în mod corespunzător (fig. 2.9). În acest fel, rezistenţa canalului
şi deci curentul de drenă pot fi comandate de tensiunea UGS aplicată pe
poartă (grilă). Pentru o anumită valoare a lui UGS, care se numeşte tensiune
de blocare, curentul de drenă practic se anulează, ca urmare a închiderii
complete a canalului.
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de
câmp sunt comandate în tensiune, iar în circuitul de grilă trece numai un mic
curent, de origine termică IG, al joncţiunii pn, care este polarizată invers.

Fig. 2.9 Caracteristicile unui tranzistor cu efect de câmp cu joncţiuni

Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Aceste tranzistoare se numesc astfel pentru că sunt constituite din
suprapunerea a trei straturi: metal, oxid (dielectric) şi semiconductor –
MOS.
La suprafaţa cristalului semiconductor care reprezintă suportul
(baza) cu conducţie de tip p (pentru exemplificare) sunt formate două zone
cu conductivitate de tip n, legate între ele printr-o difuzie subţire care
24
reprezintă canalul. Zonele de tipul n sunt prevăzute cu borne pentru cuplarea
în circuitul electric exterior (drena şi sursa). Cristalul semiconductor este
acoperit cu oxid, pe care se dispune grila metalică G, legată în circuitul
exterior. În acest fel grila este izolată din punct de vedere electric de
circuitul drenă – sursă (fig. 2.10). În lipsa tensiunii de comanda, când UGS =
0, prin canal trece curentul ID.

Fig. 2.10 Structura şi caracteristicile tranzistorului cu poartă izolată (MOS)

Când se aplică o tensiune pozitivă pe grilă, se produce o atragere a

electronilor din bază, care se acumulează în zona canalului, rezistenţa
acestuia se micşorează, iar curentul de drenă creşte (regimul de îmbogăţire,
pe caracteristica din fig. 2.10b). În cazul când pe grilă se aplică o tensiune
negativă, câmpul electric respinge electronii din canal în suport, rezistenţa
canalului creşte, iar curentul ID scade (regimul de sărăcire). În acest fel, prin
modificarea tensiunii de comanda UGS, se modifică curentul de ieşire al
tranzistorului, ID. Datorită faptului că grila este izolată de restul circuitului,
curentul acesteia, IG, este foarte mic, fiind determinat numai de rezistenţa
izolaţiei, motiv pentru care puterea necesară pentru comanda tranzistoarelor
MOS este practic nulă. În mod analog funcţionează şi tranzistoarele MOS cu
canal de tip p, la care suportul este de tip n, sensul curenţilor şi polaritatea
tensiunilor fiind însă inverse faţă de cazul analizat anterior (TEC-MOS de
tip p). Simbolurile folosite în scheme pentru TEC-MOS de tip n şi p sunt
prezentate în figura 2.11 (se utilzează mai ales la circuitele integrate, pentru
dispozitive discrete se utilizează simbolurile din fig. 2.8 b, c). Ambele tipuri
de tranzistoare au canalul încorporat. O variantă constructivă a
tranzistoarelor MOS este cea cu canal indus de tip n sau p. În construcţia
acestor dispozitive nu există un canal special între zonele de drenă şi sursă,

25
astfel că, pentru UGS = 0, curentul de drenă este nul. Acest tip de dispozitiv
poate funcţiona numai în regim de îmbogăţire, când câmpul grilei atrage
purtătorii de sarcină corespunzători, ce realizează canalul conductor dintre
zonele sursei şi drenei. Familia caracteristicilor de drenă ale tranzistoarelor
MOS cu canal indus de tipul n este prezentată în figura 2.10 c. În cazul când
tensiunea pe grilă este mai mică decât tensiunea de deschidere, curentul ID
este practic nul.

Fig. 2.11 Reprezentarea în schemă a tranzistoarelor MOS

Datele de catalog principale ale tranzistoarelor cu efect de câmp sunt:

Pentru un tranzistor JFET:
- VDG – tensiunea maximă drenă – poartă (zeci de volţi)
- VGS – tensiunea maximă sursă – poartă (zeci de volţi)
- IGF – curentul direct maxim (zeci de mA)
- IGSS – curent invers al porţii (sute de pA)
- VGS(off) – tensiunea de blocare poartă – sursă
- gfS – transconductanţa (sute de S)
Pentru un tranzistor MOSFET:
- VDG – tensiunea maximă drenă – poartă (zeci de volţi)
- VGS – tensiunea maximă sursă – poartă (zeci de volţi)
- ID – curent maxim de drenă (continuu şi în impuls)
- VGSth – tensiunea de prag de deschidere (în funcţie de tipul de
tranzistor MOS)
- IDon – curentul de drenă în stare de conducţie
- gFS – transconductanţa (10 – 20 S)

26
3. CIRCUITE INTEGRATE

Circuitul integrat reprezintă dispozitivul electronic ce poate realiza o

anume funcţie de transformare şi prelucrare a semnalelor şi care are o
densitate mare de cuprindere a elementelor de circuit, putând fi considerat
ca un tot unitar, fiind construit într-un singur proces tehnologic şi încorporat
într-o capsulă închisă ermetic. Aparatura electronică elaborată cu circuite
integrate are următoarele calităţi importante:
- siguranţă mare în funcţionare pentru că, datorită procesului tehnologic
automatizat, se reduce numărul conexiunilor între dispozitive discrete, care
reprezintă pentru aparatura electronică unul din elementele cele mai
nesigure; circuitele integrate sunt mai sigure decât schemele cu elemente
discrete pentru că se reduc de asemenea şi erorile de montaj;
- aparatura realizată cu circuite integrate are gabarit mic;
- la realizarea aparaturii cu circuite integrate se reduce substanţial timpul
necesar pentru elaborarea produselor, pentru că se folosesc subansamble şi
blocuri deja existente, care simplifică şi procesul de introducere în
fabricaţie. Datorită apariţiei circuitelor integrate cu aceste caracteristici, s-au
putut realiza sistemele mari de calcul.
Reducerea preţului de cost se referă nu numai la preţul unui circuit
integrat în comparaţie cu schema similară realizată cu circuite discrete, dar
şi la preţul produsului în ansamblul său, pentru că acesta se realizează cu o
tehnologie mai eficientă din punct de vedere productiv.
Realizarea aparaturii cu circuite integrate simplifică organizarea
producţiei prin micşorarea numărului de operaţii şi reducerea numărului de
subansamble de completare. Se poate considera că aparatura electronică
informaţională se realizează în prezent numai cu circuite integrate. De
asemenea, se evidenţiază tendinţa de introducere a microelectronicii tot mai
mult în industria energetică.
Circuitele integrate se clasifică în funcţie de:
a) Din punctul de vedere al modului de prelucrare a informaţiei,
circuitele integrate pot fi:
- Circuite integrate analogice, care prelucrează semnale continue sau
cu variaţie continuă în timp sau frecvenţă şi realizează funcţii de
amplificare, modulare, demodulare etc.;
- Circuite integrate digitale care prelucrează semnale discontinue ca
valoare, sub formă de nivele sau impulsuri şi realizează funcţii
logice de calcul aritmetic pe bază de cod şi / sau de memorare;
- Circuite integrate de interfaţă care prelucrează atât semnale
analogice cât şi numerice, conţin convertoare analog-digitale şi

27
 digital-analogice şi fac legătura dintre echipamentele analogice şi
cele digitale.
b) Din punct de vedere al tehnologiei de realizare, circuitele
integrate se împart în două clase de bază: circuite integrate monolitice şi
circuite integrate hibride. Circuitul integrat monolitic constă dintr-un cristal
semiconductor (cip), în grosimea căruia sunt realizate toate componentele
schemei, cum sunt diode, tranzistoare, rezistoare, etc. Circuitele integrate
monolitice se împart de asemenea în două clase: circuite integrate realizate
în tehnologia bipolară şi cele realizate în tehnologia de tip MOS.
Încă din 1980 numărul circuitelor integrate MOS depăşeşte numărul
circuitelor bipolare, iar raportul acestora e în continuă creştere
Circuitele integrate analogice se realizează de obicei în tehnologia
planară, iar circuitele integrate digitale în tehnologia MOS (există însă şi
circuite integrate digitale realizate în tehnologia planară). Dezvoltările de
ultimă oră ale tehnologiei microelectronicii permit realizarea circuitelor
analogice şi digitale pe aceeaşi structură.

3.1. Circuite integrate analogice uzuale

Circuitele integrate analogice pot fi: amplificatoare operaţionale,
comparatoare, arii termostatate de tranzistoare, timere, stabilizatoare de
tensiune, amplificatoare transconductanţă şi multe altele, de obicei variante
cu caracteristici superioare ale celor anterioare sau circuite incluse în aparate
larg utilizate (televizoare, de exemplu).
Schemele prezentate în continuare sunt caracteristice etajelor din
circuitele integrate analogice, în mod special amplificatoarelor operaţionale.
Amplificatorul operaţional (Op – Amp) este un amplificator
diferenţial (amplificator al unei tensiuni între două borne flotante) cu o
valoare mare a amplificării în tensiune, o impedanţă foarte ridicată de intrare
şi o impedanţă scăzută la ieşire. Amplificatorul operaţional (fig. 3.1) are
două borne de intrare: o intrare inversoare (-) şi una neinversoare (+) şi o
singură bornă de ieşire.

Fig. 3.1 Amplificatorul operaţional diferenţial

28
 Se consideră că amplificarea unui Op-Amp este infinită. Ea are însă
o valoare finită, foarte mare, valoare ce este dată în foaia de catalog a acelui
Op-Amp.
Produsul amplificare x bandă de frecvenţă este alt parametru de
bază al amplificatoarelor operaţionale.
Plaja de tensiuni de alimentare, curentul absorbit de la sursă şi
puterea disipată maximă sunt de asemenea parametrii de bază ai fiecărui
amplificator operaţional.
Majoritatea aplicaţiilor în care se utilizează amplificatoarele
diferenţiale impun amplificarea tensiunilor diferenţiale în prezenţa unor
tensiuni de mod comun fluctuante. Semnalul diferenţial rezultat la ieşire şi
datorat semnalului de mod comun produce la ieşire un semnal de eroare care
nu poate fi deosebit de semnalul util.
Raportul de rejecţie al modului comun (CMRR - common mode
rejection ratio) este definit ca mărimea raportului dintre amplificarea pe mod
diferenţial şi amplificarea tensiunii pe mod comun. Raportul de rejecţie al
modului comun este utilizat ca factor de merit al amplificatorului diferenţial.
Un alt parametru important al amplificatoarelor diferenţiale îl
constituie valoarea minimă a tensiunii diferenţiale de curent continuu care
mai poate fi detectată. Neâmperecherea componentelor pe cele două ramuri
de amplificare (deşi aceasta este mult mai mică în cazul circuitelor integrate,
decât al celor discrete, datorită realizării rezistenţelor, tranzistoarelor, etc. în
acelaşi proces tehnologic) duce la apariţia unor semnale pe mod diferenţial
ce nu pot fi deosebite de cele utile. Aceste semnale reprezintă limitarea de
bază asupra rezoluţiei sistemului. Se definesc tensiunea de offset şi curentul
de offset la intrare ca fiind tensiunea, respectiv curentul ce trebuie adăugate
la intrare pentru ca să putem considera amplificatorul ideal (fără
neâmperecheri). Calculul acestor parametrii se efectuează introducând o
sursă de tensiune serie şi o sursă de curent paralel la intrare, în aşa fel încât
în absenţa semnalului diferenţial tensiunea diferenţială la ieşire să fie nulă.
Aceşti parametrii sunt daţi în foile de catalog ale circuitelor integrate
(amplificatoare diferenţiale).
Orice dispozitiv electronic are un zgomot electric propriu. Raportul
dintre semnalul util şi zgomot este alt parametru de bază al amplificatoarelor
operaţionale.
Datele de catalog ale circuitelor integrate analogice sunt multe şi depind de
schema circuitului integrat. Câţiva parametrii electrici mai importanţi,
specifici amplificatoarelor operaţionale, ca cele mai utilizate circuite
integrate analogice, sunt:
- Tensiunea de alimentare maximă VCC (de obicei 18 - 22 V)
- Tensiunea diferenţială la intrare VID (15 – 30 V)

29
- Curentul de alimentare ICC (se dă valoarea tipică şi maximă, variază foarte
mult de la o schemă la alta)
- Puterea disipată admisă PD (depinde de capsulă, 50–100 mW)
- Raportul de rejecţie al modului comun CMRR (minim 70 dB)
- Amplificarea diferenţială AVD (20 – 200 V/mV)
- Rezistenţa de intrare ri (diferă de la o schemă la alta şi chiar de la un
dispozitiv la altul, este de ordinul 1 M şi mai mare în cazul etajelor de
intrare cu tranzistoare cu efect de câmp)
- Rezistenţa de ieşire ro (zeci de ).
Unul din cele mai cunoscute amplificatoare operaţionale este LM 741, dat în
figura de mai jos. La ora actuală este rar utilizat datorită curenţilor mari de
intrare (are tranzistoare bipolare la intrare).

Fig. 3.2 Schema bloc a circuitului LM 741

Caracteristicile electrice ale circuitului LM741

Parametru Condiţii LM741A LM741 Unităţi
Min Tip Max Min Tip Max
Tensiunea de offset TA=25 oC
RS 10 k 1,0 5,0 mV
RS 50 k 0,8 3,0 mV
TAMIN =TA= TAMAX
RS 50 k 4,0 mV
RS 10 k 6,0 mV

30
 Driftul mediu al 15 V/ oC
tensiunii de offset
Domeniul de TA=25 oC,
ajustare al tensiunii VS=+/-20 V +/-10 +/-15 mV
de offset
Curentul de offset TA=25 oC 3,0 30 20 200 nA
TAMIN =TA= TAMAX 70 85 500 nA
Curentul de TA=25 oC 30 80 80 500 nA
polarizare TAMIN =TA= TAMAX 0,21 1,5 A
Rezistenţa de intrare TA=25 oC 1,0 6,0 0,3 2,0 M
VS=+/-20 V
TAMIN =TA= TAMAX 0,5 M
Domeniul TA=25 oC V
tensiunilor de intrare TAMIN =TA= TAMAX +/-12 +/-13 V
Amplificarea în TA=25 oC, RL2 k
tensiune VS=+/-20 V, VO=+/-15 V 50
VS=+/-15 V, VO=+/-10 V 50 200 V/mV
VS==+/-20 V
Domeniul RL10 k +/-16 V
tensiunilor de RL2 k +/-15 V
ieşire VS=+/-15 V
RL10 k +/-12 +/-14 V
RL2 k +/-10 +/-13 V
Curentul de TA=25 oC 10 25 35 25 mA
ieşire de TAMIN =TA= TAMAX 10 40 mA
scurtcircuit
Raportul de TAMIN =TA= TAMAX
rejecţie al RS=10 k, VCM=+/-12 V 70 90 dB
modului comun RS=50 k, VCM=+/-12 V 80 95 dB
Banda de TA=25 oC, 0,437 1,5 MHz
frecvenţe Amplificare unitară

Curentul de TA=25 oC 1,7 2,8 mA

alimentare
Puterea TA=25 oC
consumată VS=+/-20 V 80 150 mW
50 85 mW
VS=+/-15 V

Se dau în continuare schema bloc şi caracteristicile unui amplificator

operaţional cu tranzistoare cu efect de câmp la intrare, LPV 511.

31
 3.3 Schema bloc a circuitului LPV 511

Caracteristicile electrice ale circuitului LPV 511

În caz că nu este altfel specificat, valorile se referă la TA=25 oC, V+=5 V , V-=0 V,
RL=100k
Parametru Condiţii Min Tip Max Unităţi
Tensiunea de offset 0,2 3,0 mV
Driftul mediu al tensiunii de 0,3 16 V/ oC
offset
Curentul de polarizare VCM=0,5 V -1 -0,32 nA
VCM=4,5 V 0,11 0,8
TAMIN =TA= TAMAX 70 nA
Curentul de offset 10 pA

Amplificarea în tensiune
VO=4,5 V 75 110 dB
Domeniul tensiunilor de 4,8 V
ieşire
Produsul câştig - bandă RL=1 M, CL=50 pF 27 kHz
Curentul de ieşire de -0,55 -0,225 mA
scurtcircuit
Raportul de rejecţie al AV=1 5,25 7,5 V/ms
modului comun

Se observă diferenţele între curenţii absorbiţi de cele două circuite

integrate: curenţii de polarizare: IB(LM741) = 80...500 nA; IB(LPV511) =
110...800 pA; IS(LM741)=1,7...2,8 mA; IS(LPV511)=0,07...1,2 A. În
32
schimb frecvenţa de lucru este mult redusă la circuitul cu tranzistoare de
câmp la intrare (de ordinul kilohertzilor, faţă de 1 MHz în cazul circuitului
LM741.

3.2. Circuite integrate digitale

Până la realizarea pe scară largă a circuitelor CMOS s-au realizat o
gamă largă de circuite integrate digitale în tehnologia bipolară, în mod
special circuite logice (porţi AND. OR, etc.). Au existat mai multe
tehnologii şi scheme de bază pentru aceste circuite (de ex. clasa ECL), dar
circuitele de tip TTL (Tranzistor – Tranzistor – Logic) au fost cel mai larg
utilizate. O poartă TTL clasică este dată în figura următoare. Circuitele
funcţionează în regiunile blocat – saturat (spre deosebire de circuitele
liniare, care funcţionează de obicei în regiunea activă normală).

Fig. 3.4 Poartă TTL clasică

Caracteristicile circuitelor TTL sunt:

- tensiunea de alimentare 5 V (de obicei 4,75 ... 5,25 V)
- tensiunea de intrare maximă în stare „low”: 0,8 V;
- tensiunea de ieşire tipică în stare „low” 0,2 V;
- tensiunea de intrare „high” minimă: 2 V; tipic 4,5 - 5V
Astfel domeniile de funcţionare ale acestor circuite sunt cele date în
figura 3.5 (Vin este tensiunea de intrare, Vout este tensiunea de ieşire):

Fig. 3.5 Domeniile de funcţionare ale circuitelor digitale TTL

33
 - curenţii de intrare (mult mai mari decât cei ai circuitelor CMOS, aşa
cum se va vedea în continuare) sunt în domeniul 40A-1,60mA.
Asfel, un circuitul logic TTL funcţionează în următoarele domenii:

Fig. 3.6 Curentul de intrare în funcţie de tensiunea de intrare

- curenţii de ieşire (în scurtcircuit) pot atinge valori de 55 mA:

Fig. 3.7 Curentul de intrare în funcţie de tensiunea de ieşire

Circuitele de bază sunt NOT, AND (sau NAND) şi OR (sau exclusiv

OR, XOR). Porţile sunt caracterizate de un „tabel de adevăr”, care dă starea
de ieşire în funcţie de tensiunea (tensiunile de intrare). În continuare sunt
date principalele porţi logice şi tabelele lor de adevăr.
Poarta NOT şi tabelul ei de adevăr
A NOT A
0 1
: 1 0

34
 Poarta NAND şi circuitul ei de adevăr:

A B AB
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Poarta NOR şi tabelul ei de adevăr:

A B A NOR B
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

Poarta XOR şi tabelul ei de adevăr:

A B AB
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Porţile logice pot fi implementate atât în tehnologia planară, cât şi în cea

MOS, numai nivelele pentru „0” şi „1” sunt diferite

35
 Familia logică TTL CMOS
Nivelul logic
HIGH (1) 2 … 5V 3,5 … 5V
LOW (0) 0 … 0,8V 0 … 1,5V

Modul de funcţionare a tranzistoarelor MOS este următoarea:

“1” logic corespunde tensiunii de alimentare (VCC), 3,5 …5 V
“0” logic corespunde tensiunii nule sau GND
Tranzistorul de tip n conduce când pe grilă se aplică starea “1”, iar
tranzistorul de tip p conduce când pe grilă se aplică starea “0”.
La ora actuală porţile logice, aşa cum le-am dat mai sus, sunt mai
puţin utilizate, fiind înlocuite cu circuitele FPGA „field programmable gate
array”. FPGA sunt circuite care conţin componente programabile logic,
„blocuri logice” interconectate în funcţie de cerinţe. De obicei dispozitivele
FPGA includ şi memorii.
ASIC, „Application Specific Integrated Circuits” sunt circuite
asemănătoare cu FPGA, dar mai rapide, cu o proiectare mai complexă (se
pot obţine mai multe scheme) şi sunt proiectate pe baza testelor făcute iniţial
pe FPGA.
La ora actuală se realizează structuri complexe, incluzând FPGA şi
microprocesoare şi perifericele adecvate, formând un „sistem pe un cip
programabil”. Un astfel de dispozitiv este produs de firma ATMEL,
FPSLIC, incluzând un procesor şi dispozitive logice programabile.
Aplicaţiile dispozitivelor FPGA sunt:
- procesare digitală a semnalelor
- dispozitive pentru aplicaţii aerospaţiale
- dispozitive pentru apărare
- prototip pentru ASIC
- prelucrarea imaginilor (cu aplicaţii în medicină)
- recunoaşterea vorbirii
- bioinformatică
- dezvoltări evoluate pentru hardware-ul computerelor

36
4. TEHNOLOGIA CIRCUITELOR INTEGRATE

4.1. Tehnologia planară de realizare a circuitelor integrate bipolare

Tehnologia dispozitivelor bipolare planare are ca procese de bază
fotolitografia, difuzia, creşterea epitaxială şi implantarea ionică.
Substratul pe care se procesează dispozitivele electronice uzuale este
o plachetă de siliciu, de tip n (dacă a fost dopată cu fosfor rezultând un
număr mult mai mare de electroni, faţă de siliciul nedopat, numit siliciu
intrinsec) sau de tip p (dacă a fost dopată cu bor, rezultând un număr mai
mare de vacanţe, aşa zise goluri, faţă de materialul pur). Pe o plachetă de
siliciu se procesează sute – mii de dispozitive discrete, dar un număr mic de
dispozitive de putere (un tiristor de putere poate ocupa întreaga plachetă)
sau circuite complexe (microprocesoare, memorii, etc.)
Creşterea epitaxială constă din formarea pe suprafaţa plachetei a
unui strat monocristalin astfel încât structura cristalină a siliciului să fie
continuă la interfaţă. Grosimea stratului epitaxial este de obicei în domeniul
1 m – 50 m.
Fotolitografia este procesul prin care se efectuează difuzii în zone
special proiectate. Trebuie spus că bioxidul de siliciu este un strat prin care
nu pot trece (difuza) borul sau fosforul, deci reprezintă un strat de mascare
foarte eficient şi uşor de obţinut. Deci fotolitografia are următoarele etape:
- Creşterea unui strat de oxid la suprafaţa plachetei;
- Acoperirea întregii plachete cu un strat fotosensibil, denumit fotorezist.
- Expunerea fotorezistului la o radiaţie ultravioletă printr-o mască pe suport
de sticlă cu zone opace şi zone transparente; în fotorezist, la expunerea la
radiaţie ultravioletă se produc procese chimice, în aşa fel încât unele zone
devin solubile, iar altele insolubile la anumiţi solvenţi. Există două tipuri
de fotorezist, denumite fotorezist pozitiv sau negativ după zonele care
devin solubile – cele expuse la radiaţie sau cele care nu au fost expuse;
- Developarea – eliminarea zonelor solubile;
- Corodarea bioxidului de siliciu prin găurile create în fotorezist;
- Eliminarea fotorezistului.
La această fază placheta este pregătită pentru difuzie sau implantare ionică.
O metodă mai nouă înlocuieşte fotolitografia cu crearea de găuri în
fotorezist cu un fascicul de electroni (electron beam) comandat soft.
Difuzia se efectuează în stare solidă, în interiorul plachetei de siliciu,
de la suprafaţa sa, unde există o sursă de impurităţi (de bor, respectiv fosfor)
de concentraţie mare. Se creează straturi de o anumită rezistivitate şi o
anumită adâncime, funcţie de cerinţe. De obicei difuzia se efectuează într-un
strat de tip opus (p în n şi invers). Aşa cum se va arăta în continuare, se

37
formează o joncţiune pn. Aceste joncţiuni se utilizează la realizarea
diodelor, a tranzistoarelor şi a altor dispozitive incluse în circuitele integrate.
Stratul difuzat trebuie să aibă anumiţi parametrii, cei mai uzuali fiind
rezistivitatea şi grosimea stratului. Se foloseşte şi mărimea denumită
rezistenţă pe pătrat, egală cu raportul rezistivitate pe grosimea stratului. Ea
este foarte des folosită în tehnologia circuitelor integrate.
Implantarea ionică este o tehnică care permite inserarea directă a
atomilor de impuritate într-o plachetă de siliciu. Implantarea ionică se face
într-o incintă vidată, prin trimiterea cu viteză mare a ionilor în placheta de
siliciu. Implantarea ionică este urmată de o tratare termică pentru revenirea
atomilor bombardaţi ionic (deci eliminarea defectelor). Reproductibilitatea
implantării ionice este mai mare decât a difuziei convenţionale şi se pot
implanta cantităţi mici de impuritate (pentru obţinerea joncţiunilor
superficiale).

Tehnologii inovative de realizare a circuitelor integrate liniare

Litografia cu raze X – se utilizează pentru a obţine dimensiuni mici
ale geometriei dispozitivelor. Etapele litografiei cu raze X sunt
asemănătoare cu cele ale fotolitografiei cu radiaţie UV, dar, datorită
lungimii mici de undă, permite toleranţe nanometrice. Masca pentru raze X
are două componente: o membrană subţire şi un absorbant. Membrana este
din Si sau SiC. Membrana este susţinută pe o ramă de sticlă sau SiC
sinterizat. Stratul absorbant este compus dintr-un material cu număr atomic
mare (aur, tungsten, titan sau un aliaj al acestora). Acest strat are rolul atât
de a absorbi, cât şi de a schimba faza fluxului de raze X.

Fig. 4.1 Litografia cu raze X

După traversarea măştii, fluxul de raze X expune rezistul de pe placheta de

semiconductor, implicând întărirea zonelor expuse, în forma existentă pe
mască. Pentru corodarea rezistului expus se utilizează o varietate de
compuşi şi gaze la temperaturi ridicate. Prin găurile din rezist se corodează
siliciul, iar rezistul este apoi complet eliminat, exact ca în cazul
fotolitografiei clasice.

38
Avantajele şi dezavantajele litografiei cu raze X
Litografia cu raze X este perfect compatibilă cu structurile
nanometrice, deoarece razele X au o lungime de undă de aproximativ 4 nm.
Chiar din 1977, s-au obţinut geometrii în siliciu de 17 nm, adică de 175 de
ori mai mici decât cele care se obţineau la acea dată cu radiaţie UV. Un alt
avantaj este acela că radiaţia X are un indice de refracţie real aproximativ
egal cu 1, ceea ce elimină aşa zisa împrăştiere “spurius”, prezentă la
radiaţia UV şi care măreşte astfel linia minimă corodată pe mască.
Litografia cu radiaţie X are însă şi dezavantaje. Membrana pe care
este depus absorbantul este relativ subţire, apărând stresuri mecanice între
stratul de Si sau SiC şi stratul de tungsten sau alt aliaj. S-au realizat aliaje (de
exemplu tungsten - titan sau tantal – bor) la care stresurile mecanice să fie
minime. De asemenea măştile pentru radiaţia X sunt dificil de făcut.
Deoarece nu există lentile pentru radiaţia X, măştile trebuie realizate chiar la
dimensiunea de pe geometria ce trebuie obţinută. Se utilizează un fascicul de
electroni pentru scanarea măştilor, dar care scanează un timp îndelungat
fiecare mască.
EBL (Electron beam lithography) – litografia pe bază de flux de
electroni este utilizată pentru a crea geometrii submicronice. Acest fapt este
posibil datorită rezoluţiilor foarte ridicate ale fluxurilor de electroni, în
comparaţie cu litografia optică.
EBL are aplicaţii în următoarele domenii:
1. Producerea de măşti de fotomascare. Acestea se realizează prin
acoperirea unei bucăţi de sticlă acoperită cu crom cu un strat senzitiv
de rezist, care este apoi expus şi developat pentru a obţine geometria
dorită. Controlul fluxului de electroni (care corodează rezistul) se
efectuează prin controlul unui soft de tip CAD, astfel încât pe lângă
posibilitatea obţinerii de linii de aproximativ 50 nm, geometria este
perfect controlată.
2. Realizarea de circuite integrate în fază de prototip, prin corodări
direct pe placheta de semiconductor. Se foloseşte în mod special
pentru dispozitive care nu necesită un volum mare de dispozitive (de
exemplu circuite integrate pe GaAs, dispozitive cu ghiduri de undă).
3. Dispozitive în fază de cercetare, nu neapărat circuite integrate, dar
care necesită structuri cu geometrii foarte mici (de exemplu
dispozitive bazate pe efecte cuantice).
Sistemele EBL pot fi folosite în mai multe modalităţi (vezi fig. 4.2.):
1. Prin proiecţie (prin proximitate, prin reducere, sau elipsometric);
2. Prin scanare (cu o rază Gaussiană sau de formă dată)

39
 Fig. 4.2 Sisteme EBL

Sistemele de scriere directă sunt sistemele cele mai des întâlnite ca sisteme
EBL. Acestea utilizează un flux de electroni care se mişcă faţă de placheta
de semiconductor astfel încât să expună câte un pixel. Sistemele pot fi cu
scanare de tip “raster” sau vectorial, cu geometrie fixă sau variabilă.

(a) (b)
Fig. 4.3 Raster scan (a) şi vector scan (b)

Un sistem de scanare cu flux de electroni are 4 sisteme de bază (1)

gun – sursa de electroni; (2) sistemul de formare a fluxului – electron optical
column; (3) sistem mecanic; (4) computer de comandă

40
 Fig. 4.4 Sistem de scanare EBL

S-au realizat mai multe versiuni pentru utilizarea EBL prin proiecţie sau
proximitate. Datorită lungimii mici de penetrare a electronilor trebuie
utilizate măşti de cuarţ sau altă membrană subţire şi rezistentă. Din această
cauză această tehnologie nu este prea des utilizată pentru realizarea de
circuite integrate.
Electrono - rezistul este un polimer dizolvat într-un solvent şi reprezintă
mediul de transfer şi înregistrare pentru litografia cu flux de electroni.
Fluxul de electroni are rolul de a extrage solventul, modificând astfel
rezistul. Ca şi în cazul fotolitografiei,
există rezist pozitiv şi negativ, adică
rezistul dispare după developare în locul în
care este expus la fluxul de electroni (în
cazul rezistului pozitiv), sau devine mai
rezistent în locurile în care este expus
fluxului de electroni (în cazul rezistului
negativ).

În fig. 4.5 este dată o fotografie la

microscopul electronic a unor gropi
submicronice săpate de un flux de
electroni.
Fig. 4.5 Profile realizate cu sisteme EBL

41
Structuri tehnologice clasice de circuite integrate analogice
Cunoaşterea detaliilor procesului de fabricaţie este importantă pentru
proiectantul şi utilizatorul de circuite integrate din două motive. O
cunoaştere a factorilor ce influenţează costul fabricaţiei de circuite integrate
este esenţială pentru selectarea de către proiectant, în cadrul unei probleme
de proiectare dată, a unei anumite abordări de circuit, iar pentru utilizatorul
unui circuit particular pentru a fi fabricat la comandă. De asemenea
realizarea circuitelor integrate monolitice prezintă proiectantului un set de
constrângeri complet diferit de acela al utilizării componentelor discrete sau
a circuitelor integrate hibride. De asemenea este important de ştiut că
dispozitivele incluse într-un circuit integrat au caracteristici diferite de cele
ale dispozitivelor discrete şi depind de tehnologia de fabricaţie a circuitului
integrat. Deoarece toate dispozitivele sunt realizate în acelaşi cip de siliciu,
nu se pot optimiza separat parametrii fiecărei componente, aşa cum se
procedează la dispozitivele discrete. Pentru circuitele integrate bipolare, de
exemplu, există câteva clase mari de tehnologii, în aşa fel încât să se obţină
câştig în curent mare, sau putere de ieşire mare, posibilitatea funcţionării la
frecvenţă sau tensiune înaltă sau recepţionarea unui semnal optic.
Tehnologia se optimizează astfel pentru un anumit parametru principal, iar
apoi fiecare proiectant de circuit îşi optimizează măştile de fotogravură în
sensul obţinerii unor parametrii cât mai performanţi şi pentru celelalte
dispozitive. În marile fabrici de dispozitive („silicon foundry”) cuptoarele de
difuzie, implantatoarele, instalaţiile de creştere epitaxială în fiecare secţie –
zonă a fabricii, sunt setate pe anumiţi parametrii şi aceştia sunt schimbaţi
doar dacă se schimbă întreaga tehnologie.
Numărul de procese de mascare pentru un circuit integrat bipolar
implică o succesiune de cinci până la opt procese de mascare şi difuzie,
respectiv implantare ionică. O structură de circuit integrat este dată în
fig. 4.6.

Fig. 4.6 Structura unui circuit integrat

La proiectarea unui circuit integrat (şi în final la realizarea sa) se

urmăresc următoarele obiective:
- obţinerea a cât mai multe din elementele schemei electrice care se va
utiliza în circuite dintr-o anumită familie, pe acelaşi cip, de arie minimă;

42
- obţinerea următorilor parametrii electrici (nu toţi se pot obţine la valori
maxime, trebuie făcută o optimizare, care va duce la proiectarea a mai
multor tehnologii, în funcţie de cerinţele domeniului în care se utilizează):
- tensiuni de străpungere bază – emitor şi colector - emitor cât mai mari;
- frecvenţe de tăiere cât mai ridicate;
- factori de amplificare în curent mari;
- rezistoare de valori mari.

Proiectarea urmăreşte obţinerea acestor parametrii prin anumite

tehnologii specifice circuitelor integrate şi proiectarea geometriilor tuturor
componentelor (lay-outul circuitului). Tehnologia de realizare şi lay-outuri
de bază sunt expuse în continuare.
Materialul de start este o plachetă de siliciu care are în mod obişnuit
o grosime de 250–300 m şi o concentraţie de impurităţi de 1016 atomi/cm3.
Trebuie subliniat că structura de bază, care defineşte o anumită clasă
de tehnologie de circuit integrat bipolar, este tranzistorul npn. Aşa cum se va
arăta în capitolul de lay-out, celelalte elemente – diode, tranzistoare pnp,
rezistoare, chiar capacităţi de valoare mică, se fac în paralel şi bazat pe
tehnologia tranzistorului npn. Izolarea dispozitivelor în tehnologia bipolară
se efectuează printr-o joncţiune obţinută printr-o difuzie lungă.
Prima mască şi prima difuzie (fig. 4.7) servesc pentru formarea unui
strat de tip n de rezistenţă mică, denumit strat îngropat, care în structura
finală, pentru tranzistoare de exemplu, va constitui o cale de mică rezistenţă
pentru curentul de colector.

Fig. 4.7 Difuzia de strat îngropat

După difuzia de strat îngropat, placheta este complet dezoxidată şi se creşte

un strat epitaxial (fig. 4.8) de tip n. Grosimea stratului şi concentraţia sa de
impurităţi determină tensiunea de străpungere colector – bază a
tranzistoarelor din circuit, deoarece regiunea de colector este formată din
stratul epitaxial. De exemplu, dacă funcţionarea circuitului trebuie să se
efectueze la 36 V, proiectarea tensiunii de străpungere trebuie să se facă la
90 V, deoarece, pe de o parte trebuie să existe o marjă de eroare, dar pe de
altă parte, străpungerea joncţiunii se face în zonele de curbură, unde
tensiunea de străpungere este mult mai mică decât în zona plană a joncţiunii.

43
 Fig. 4.8 Creşterea epitaxială

După creşterea epitaxială se creşte un oxid pentru fotolitografia

difuziei de izolare.

Fig. 4.9 Difuzia de izolare

Difuzia de izolare este o difuzie de tip p, adâncă (mai adâncă decât

stratul epitaxial) şi are rolul de a izola electric dispozitivele din circuitul
integrat monolitic.
După această fază toate etapele de difuzie cuprind trei paşi: mascarea
cu oxid (creşterea unui strat de SiO2), fotolitografiere prin mască şi difuzie.
Difuzia bazei - de tip p, este o difuzie de bor, cu adâncimea de
1- 3m şi rezistenţa pe pătrat de 100 – 300 / . Deoarece prin această
difuzie nu se formează numai regiunea de bază a tranzistoarelor npn ci şi
alte dispozitive (rezistoare), controlul rezistivităţii (respectiv a rezistenţei pe
pătrat) este foarte important.

Fig. 4.10 Difuzia de bază

După difuzia de bază, printr-o nouă fază de mascare, fotolitografie şi

difuzie de tip n se formează emitoarele tranzistoarelor. Adâncimea joncţiunii
de emitor este de 0,5 – 3 m, iar dopajul este cât mai mare. Acest lucru este
necesar atât pentru eficienţa tranzistoarelor, dar şi pentru obţinerea unui
contact ohmic la emitor (şi, aşa cum se vede în Fig. 4.11, şi la colector),

44
deoarece metalizarea la circuitele integrate bipolare uzuale se face cu
aluminiu, care formează o diodă Schottky cu straturile de tip n slab dopate.

Fig. 4.11 Difuzia de emitor

Următoarea etapă de mascare se efectuează pentru deschiderea

contactelor la cele trei terminale ale tranzistorului. Urmează depunerea în
vid a metalului (Al), care este apoi fotolitografiat şi corodat chimic pentru
definirea traseelor de metalizare. În această etapă se realizează şi contactele
la terminalele dispozitivelor (contacte ohmice la siliciu n sau p), cât şi
interconectarea dispozitivelor.

Fig. 4.12 Structura finală – incluzând contactele şi metalizarea

Definirea dispozitivelor circuitelor integrate bipolare (lay - out)

Tranzistorul npn
Tehnologia circuitelor integrate se realizează folosind măşti de
ecranare, în final rezultând o geometrie a difuziilor, contactelor metal –
siliciu şi trasee metalice, ce definesc dispozitivele componente ale
circuitului integrat. Tehnologii denumesc geometria în plan (cea care se şi
proiectează pentru fiecare circuit nou) lay–out. Vom prezenta în continuare
lay-outul fiecărei componente din circuit (tranzistoare npn, tranzistoare pnp,
diode, rezistoare).
Tranzistorul npn în tehnologia descrisă anterior este văzut în plan ca
în fig. 4.13. Structura în secţiune este cea dată anterior (fig. 4.12).

45
 Fig. 4.13 Tranzistorul npn (lay-out)

Diferenţa principală între tranzistoarele npn discrete şi cele integrate

o constituie rezistenţa serie a bazei. Deoarece între contactul la bază şi
regiunea activă a bazei există o zonă cu rezistivitate mare (zona slab dopată
p, de difuzie a bazei) rezistenţa serie a bazei este mult mai mare decât la
tranzistoarele discrete. La aceasta contribuie şi dimensiunile mici ale
tranzistoarelor integrate. Valoarea rezistenţei serie a bazei este de ordinul
zecilor de . Aceasta afectează performanţele tranzistorului npn şi ale
circuitului în care apare (scade frecvenţa de tăiere a factorului de
amplificare  şi creşte zgomotul).
Tranzistorul pnp
Există două tipuri de structuri de tranzistoare pnp: tranzistoare pnp
laterale şi tranzistoare pnp de substrat. Ele se folosesc în circuit în funcţie de
schemă şi de performanţele cerute. Tranzistorul pnp de substrat este mai
performant decât tranzistorul pnp lateral, dar nu poate fi utilizat decât dacă
este, în schemă, cu colectorul la masă (pentru o bună funcţionare, în sensul
eliminării curenţilor paraziţi, se conectează la masă substratul oricărui
circuit integrat).
Tranzistorul pnp lateral se prezintă în secţiune în fig. 4.14 şi are lay-
outul din fig. 4.15; emitorul şi colectorul sunt formate prin aceeaşi difuzie
prin care se realizează şi baza tranzistoarelor npn. Colectorul are forma unui
inel de tip p, în jurul emitorului, în scopul colectării unei părţi cât mai
importante din curentul emis prin bază. Contactul de bază se face la stratul
epitaxial, cu o difuzie de tip n+, în afara inelului de colector. Curentul emis
de emitor curge lateral spre colector, şi nu vertical, ca la tranzistoarele
discrete şi la cele de tip npn din circuitele integrate.

Fig. 4.14 Tranzistorul pnp lateral – secţiune

46
 Fig. 4.15 Tranzistorul pnp lateral (lay-out)

Aceasta implică o grosime mai mare a bazei, deci o amplificare în curent şi

o frecvenţă de tăiere mult diminuate faţă de ale tranzistoarelor npn.
Tranzistorul pnp de substrat are lay-outul din fig. 4.16 şi secţiunea
din fig. 4.17. Se utilizează în etajele de ieşire, unde este nevoie de puteri
mari (tranzistoarele pnp laterale necesită o arie foarte mare pe cip, dacă sunt
utilizate la curenţi mari). Colectorul tranzistorului pnp de substrat este la
masă, aşa cum am arătat, iar proiectantul trebuie să ia în considerare acest
fapt. De asemenea proiectantul trebuie să ţină seama că tensiunea de
străpungere a joncţiunii bază – emitor este de ordinul 7 V. Se pot proiecta şi
alte lay-outuri ale unui tranzistor pnp de substrat, la care câştigul în curent
este diminuat, dar tensiunea de străpungere este mai mare.

Fig. 4.16 Tranzistorul pnp de substrat (lay-out)

Fig. 4.17 Tranzistorul pnp de substrat (secţiune)

47
Rezistoare
Există mai multe tipuri de rezistoare în tehnologia de circuit integrat:
rezistoare realizate la difuzia bazei, la difuzia emitorului, epitaxiale.
Rezistoarele tipice realizate în difuzia de bază sunt date în fig. 4.18.
Rezistenţa apare între contactele A şi B. În general se face şi o difuzie de
emitor (n) astfel încât rezistorul devine “îngustat”, în sensul că trecerea
curentului prin rezistor se face printr-o zonă între difuzia p şi cea n, mărind
astfel valoarea rezistenţei. Stratul epitaxial în care este difuzat rezistorul
trebuie polarizat pozitiv în raport cu rezistorul de tip p, astfel încât dioda
formată între difuzia de bază şi stratul epitaxial să fie blocată. Din acest
motiv la stratul epitaxial se face un contact care se va conecta fie la capătul
cel mai pozitiv al rezistorului, fie la un potenţial mai mare decât oricare din
potenţialele pe rezistor. Rezistoarele din circuitele integrate au unele
dezavantaje: au variaţie mare cu temperatura, iar tensiunea care poate fi
aplicată pe un rezistor îngustat nu trebuie să depăşească 6 V (tensiunea de
străpungere a joncţiunii bază – emitor).

Fig. 4.18 Rezistor de bază îngustat

Analog se fac şi rezistoare în difuzia de emitor, de valoare foarte mică,

deoarece rezistivitatea stratului n de emitor este mică.
Rezistoarele realizate direct pe stratul epitaxial au avantajul unei
rezistivităţi mari a acestuia (o rezistenţă de valoare mare nu ocupă o arie
mare pe siliciu). Valoarea rezistenţei se poate creşte prin îngustarea stratului
epitaxial cu o difuzie de bază (p).

Fig. 4.19 Rezistor epitaxial îngustat

48
 Deşi relativ rar utilizate, în tehnologia de circuit integrat se fac şi
condensatoare. Diodele se fac utilizând oricare joncţiune a tranzistorului, iar
ca diode Zener se utilizează joncţiunea bază – emitor cu o valoare de 6 –
8V.

4.2. Circuite integrate în tehnologia CMOS

Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) este cea mai largă
clasă de circuite integrate, utilizată pentru realizarea de microprocesoare,
memorii statice RAM, etc. De asemenea unele circuite integrate analogice,
ca senzori de imagine, convertoare de date şi circuite integrate cu grad mare
de integrare pentru comunicaţii se realizează în tehnologia CMOS. Primele
tehnologii MOS erau tehnologia NMOS şi tehnologia PMOS.
În tehnologia CMOS se pot realiza atât tranzistoare cu canal de tip n, cât
şi cele cu canal de tip p. Pentru realizarea în acelaşi substrat a celor două
tipuri de tranzistoare MOS s-au studiat mai multe tipuri de tehnologii. Prima
implică depunerea a două straturi de metalizare cu două funcţiuni diferite.
Primul strat este depus după definirea ariei active, apoi corodat, urmând
depunerea şi definirea litografică a celui de al doilea. Deşi principial
tehnologia pare simplă, oxidul subţire este supus de multe ori la corodări,
ceea ce va duce la apariţia de defecte. O variaţie a acestei tehnologii este
aceea de a înlătura complet primul strat de oxid şi de a depune un alt oxid
după prima metalizare. O altă variantă este aceea de a depune două metale
diferite şi a le sinteriza (tratament termic de temperatură înaltă), astfel încât
să se obţină două bariere de valori diferite. S-a studiat şi depunerea
metalizării pe un dielectric ce a fost apoi îndepărtat, iar cel care reprezenta
poarta finală a fost depus ulterior. Această metodă este utilizată în prezent
pentru tehnologiile CMOS cu grad mare de împachetare (lungime de poartă
de numai 65 nm), deoarece la acestea grosimea dielectricului pentru poartă
este de numai 1,2 nm (grosime de SiO2) insuficientă pentru litografie.
Etapele de bază ale tehnologiei CMOS clasice sunt:
Materialul de start este o plachetă de siliciu, cu o concentraţie de 1014/1015
atomi/cm3.
- fotomascarea suplimentară în tehnologia CMOS permite formarea, la
primul pas al procesului tehnologic, a unei insule de tip opus de
conductibilitate faţă de substrat (de exemplu insulă de tip n dacă substratul
este de tip p), în care se va realiza dispozitivul complementar. Această
insulă se obţine printr-o operaţie de fotomascare urmată de o implantare de
ioni donori (tipic fosfor). După difuzia ionilor donori, concentraţia la
suprafaţa insulei este tipic cuprinsă între 1015 şi 1016 atomi/cm3 (fig.4.20,a).
- fotomascarea 1 defineşte deschideri în stratul izolator de nitrură de siliciu,
în zonele care vor deveni dispozitive active, numite regiuni de câmp. În

49
aceste regiuni se realizează o implantare suplimentară cu ioni prin care se
creşte concentraţia la suprafaţa regiunilor. Această creştere a concentraţiei
este necesară deoarece regiunile de câmp se comportă ca tranzistoare MOS
cu oxid de grilă foarte gros. Pentru a izola corect dispozitivele active între
ele, dispozitivele de câmp trebuie să aibă tensiunile de prag suficient de
mari, astfel încât să nu intre în conducţie niciodată. Acest lucru se poate
realiza numai prin creşterea concentraţiei la suprafaţă în regiunile de câmp.
Implantările sunt urmate de o oxidare locală (fig. 4.20, b).
- fotomascarea 2 defineşte deschideri în stratul izolator, tot în dreptul
zonelor active, pentru realizarea de paşi suplimentari de implantare ionică
prin care se ajustează concentraţia la suprafeţă în zona în care se va obţine
canalul tranzistoarelor MOS. Prin această operaţie de modificare a
concentraţiei, se schimbă tensiunile de prag ale tranzistoarelor MOS şi se
aduc în limita 0,7 V, valoare ce corespunde din punct de vedere al marginii
de zgomot cu cea din aplicaţiile cu circuite logice.
În circuitele analogice se păstrează aceleaşi valori ale tensiunilor de
prag ca în cazul circuitelor digitale, deoarece, pe acelaşi cip se
implementează tot mai des atât funcţii analogice cât şi funcţii digitale.
Această schimbare a tensiunilor de prag se poate realiza fie simultan pentru
ambele tipuri de tranzistoare MOS, fie separat, cu ajutorul a două măşti, câte
una pentru fiecare tip de dispozitiv.
- fotomascarea 3 permite depunerea de siliciu policristalin şi definirea
grilelor diferitelor dispozitive (fig. 4.20,c). Tehnologia MOS cu poartă de
siliciu furnizează trei straturi de interconexiune: metal, siliciu policristalin şi
strat difuzat. În afară de cazul când în proces se iau măsuri speciale,
conexiunile dintre stratul de siliciu policristalin şi cele de difuzie necesită o
punte de metalizare. Pentru a se realiza o conexiune directă între stratul de
siliciu policristalin şi cel difuzat se include un contact îngropat chiar înainte
de depunerea stratului de siliciu policristalin. Dispozitivul cu canal iniţial
din fig. 4.20 are un astfel de contact îngropat care leagă sursa cu grila
- fotomascările 4 şi 5 sunt identice şi definesc pe rând regiunile de drenă şi
de sursă, mai întâi pentru dispozitivele cu canal n iar după aceea pentru cele
cu canal p (fig.4.20,d). Urmează apoi o depunere a unui strat de bioxid de
siliciu cu rolul de a reduce capacitatea parazită a metalizărilor utilizate
pentru interconexiuni. Se foloseşte o depunere chimică din vapori a oxidului
şi nu o creştere termică, deoarece temperaturile ridicate determină
redistribuirea impurităţilor din interiorul dispozitivelor active.
- fotomascarea 6 defineşte ferestrele de contact în stratul metalic depus.
Structura care rezultă se prezintă în fig.4.20, e
.

50
 Fig.4.20 a) Fotomascarea suplimentară; b) Selecţia zonelor pentru dispozitive active
c) Selecţia zonelor de grilă: d). Selecţia zonelor de sursă şi drenă e). Selecţia zonelor de
metalizare

Trebuie observat că în tehnologia CMOS nu mai există difuzia de izolare,

difuzie lungă, care ocupa un spaţiu mare. Mărimea tranzistorului CMOS
este dat de lungimea canalului, L:

Fig. 4.21 Dimensiunea critică

51
 Deci tehnologiile CMOS se utilizează pe scară largă pentru că au
următoarele avantaje în raport cu tehnologia bipolară:
- numărul de difuzii / etape de procesare este mai mic, deci costul
întregului circuit este mai mic
- puterea consumată de tranzistoarele CMOS este mică (funcţionarea
tranzistoarelor CMOS se bazează pe stocarea de sarcină, iar curenţii
apar doar la trecerea dintr-o stare în alta)
- gradul de împachetare (numărul de tranzistoare pe unitatea de arie)
este mai mare şi creşte odată cu dezvoltarea tehnologică
- tranzistoarele CMOS pot avea mai multe funcţiuni (sunt considerate
ca stări logice, când canalul sursă – drenă este blocat sau în
conducţie, pot fi tranzistoare de intrare într-un amplificator
operaţional cu impedanţă de intrare mare, etc.)
Ca dezavantaj trebuie menţionat că tehnologia bipolară este mai rapidă,
deoarece sarcina stocată în tranzistoarele CMOS trece de la un tranzistor
la altul printr-un canal foarte îngust (un curent mic de sarcini).
Pentru o funcţionare corespunzătoare substratul circuitelor integrate se
polarizează, astfel încât joncţiunile pe care acesta le realizează cu
difuziile să fie invers polarizate. Rezultă că multe tranzistoare CMOS (la
care substratul are rol activ) au 4 terminale.

Definirea dispozitivelor în tehnologia CMOS

Tranzistoare cu canal n Structura tipică a unui tranzistor MOS cu canal
n se prezintă în fig. 4.22 Zona activă a dispozitivului este, din punct de
vedere electric, regiunea de sub grilă, partea rămasă din dispozitiv fiind
necesară pentru a asigura contactul electric la terminale. Este important de
remarcat faptul că în cazul tehnologiei MOS proiectantul de circuit are o
flexibilitate mai mare decât omologul său de la circuite integrate bipolare,
deoarece poate controla proprietăţile fiecărui dispozitiv în funcţie de rolul
jucat de componentă în aplicaţia particulară de circuit. Astfel el poate defini
atât lăţimea canalului (analog zonei de emitor de la tranzistoarele bipolare),
cât şi lungimea canalului (analog lăţimii bazei de la tranzistoarele bipolare).
În tehnologia bipolară lăţimea bazei nu poate fi controlată de proiectant
deoarece această lăţime este un parametru de proces şi nu unul de mască.
Spre deosebire de un tranzistor bipolar, la un dispozitiv MOS
transconductanţa canalului se poate modifica în limite mari, pentru o valoare
dată a curentului de drenă, prin simpla modificare a geometriei
dispozitivului. Acelaşi aspect este valabil şi pentru tensiunea de prag grilă-
sursă.

52
Fig.4.22 Tranzistorul MOS cu canal n, realizat în tehnologie CMOS a) Lay-out b) Secţiune
transversală

Tranzistoare cu canal p În majoritatea tehnologiilor CMOS

tranzistorul cu canal p prezintă proprietăţi de curent continuu şi curent
alternativ comparabile cu cele ale tranzistoarelor cu canal n. Principala
diferenţă constă în aceea că golurile au o mobilitate de aproximativ de două
ori mai mică decât cea a electronilor, frecvenţa limită fT a unui tranzistor cu
canal p reducându-se tot de aproximativ de două ori faţă de cea a unui
tranzistor cu canal n.
Dispozitive cu canal iniţial Proprietăţile dispozitivelor cu canal
iniţial sunt similare celor cu canal indus, prezentate anterior, cu deosebirea
că se efectuează o operaţie suplimentară de implantare cu ioni a canalului
conductor, pentru ca tensiunea de prag să fie negativă (la dispozitivele cu
canal n). Tranzistoarele cu canal iniţial se folosesc frecvent cu grila legată la
sursă, astfel că dispozitivul se comportă ca o sursă de curent constant
(denumit şi dispozitiv “sursă de curent”). Dispozitivul “sursă de curent”
prezintă, în saturaţie, o valoare finită a conductanţei, deoarece tensiunea de
prag se modifică odată cu polarizarea substratului. Acest lucru are un efect
puternic asupra performanţelor circuitelor analogice care utilizează astfel de
dispozitive ca elemente de sarcină de impedanţă mare. Un alt aspect
important în ceea ce priveşte performanţele acestui dispozitiv este acela că
valoarea curentului menţinut constant depinde de variaţiile procesului de
fabricaţie. Sunt frecvente abateri de 40 % faţă de valoarea nominală.
Mărimea acestei variaţii este un factor important, deoarece, în multe
aplicaţii în care tranzistoarele MOS cu canal iniţial se utilizează ca circuite
de sarcină, de valoarea acestui curent depinde valoarea curentului de
polarizare şi mărimea puterii disipate.

53
 Tranzistoare bipolare Tehnologia CMOS include etape de prelucrare
în urma cărora se poate forma un tranzistor bipolar parazit, al cărui colector
este legat la substrat. Insula în care în mod normal se formează tranzistorul
MOS complementar alcătuieşte baza tranzistorului bipolar, iar difuzia de
sursă sau de drenă a tranzistorului MOS din insulă formează emitorul.
Dispozitivul bipolar care rezultă este de tipul pnp, dacă substratul este de tip
p, respectiv npn, pentru substrat de tip n şi se utilizează în etaje de ieşire şi
în referinţe de tipul “band-gap”. Performanţele acestor tranzistoare sunt
direct proporţionale cu adâncimea insulei şi cu gradul de dopare a acesteia şi
sunt în general similare cu cele ale tranzistorului pnp vertical (numit şi de
substrat) realizat prin tehnologia bipolară.
Rezistoare Straturile difuzate, cele de siliciu policristalin sau chiar
tranzistoarele MOS în anumite condiţii, se pot utiliza pentru implementarea
de rezistoare. Se întâlnesc rezistoare difuzate, din siliciu policristalin,
rezistoare de volum şi rezistoare derivate din dispozitive MOS.
Rezistoarele difuzate se formează în straturile difuzate folosite la
realizarea sursei şi drenei unui dispozitiv cu canal n sau p. Structurile de
rezistoare realizate astfel sunt foarte asemănătoare cu cele ale rezistoarelor
difuzate obţinute cu ajutorul tehnologiei bipolare.
Rezistoare din siliciu policristalin. În tehnologia MOS cu grilă de
siliciu se realizează cel puţin un strat de siliciu policristalin, necesar
obţinerii grilei tranzistoarelor. Acest strat poate fi utilizat la formarea de
rezistoare. Geometria lor se aseamănă cu cea a rezistoarelor difuzate.
Valoarea rezistenţei pe pătrat este de 20 / 80/ la majoritatea straturilor de
siliciu policristalin şi prezintă variaţii relativ mari în funcţie de procesul de
fabricaţie. Aceste rezistoare au aceleaşi toleranţe ca şi rezistoarele difuzate.
In fig.4.23 se prezintă o structură tipică de rezistor din siliciu policristalin.

Fig. 4.23 Structură tipică de rezistor realizat în tehnologie CMOS, din siliciu policristalin

Rezistoare de volum În tehnologia CMOS, insula în care se formează

tranzistorul complementar, se poate folosi la realizarea unui rezistor, cu
rezistenţa pe pătrat de ordinul 10 k/ . Proprietăţile şi geometria acestor
rezistoare sunt identice cu cele ale rezistoarelor epitaxiale (de volum),
realizate în tehnologia bipolară. În comparaţie cu alte tipuri de rezistoare,
cele de volum prezintă valori mari ale toleranţei şi ale coeficientului de

54
tensiune şi de temperatură. Ca şi la tranzistoarele de volum realizate prin
tehnologia bipolară, pentru a se obţine o valoare mai mare a rezistenţei pe
pătrat se face o difuzie suplimentară, cu rol de micşorare a secţiunii active a
rezistorului.
Dispozitive MOS folosite ca rezistoare În multe circuite, tranzistorul
MOS polarizat în regiunea cvasiliniară poate juca rolul unui rezistor.
Valoarea efectivă a rezistenţei depinde de polarizarea grilei şi poate fi mai
mare decât la rezistoarele difuzate sau la cele din siliciu policristalin.
Avantajul constă într-o utilizare bună a ariei de siliciu, deoarece pe o
suprafaţă echivalentă cu cea a unui tranzistor se obţine o rezistenţă de
valoare mare. Principalul dezavantaj îl constituie gradul înalt de neliniaritate
a elementului de rezistenţă obţinut prin acest procedeu, motiv pentru care
acest tip de rezistor se utilizează în circuitele mai puţin pretenţioase.
Capacitoarele realizate în tehnolgia MOS joacă un rol mult mai
mare decât cele obţinute prin tehnologia bipolară. Din cauza impedanţei de
intrare foarte mari a tranzistoarelor MOS (teoretic de valoare infinită),
tensiunile pe capacitoare pot fi determinte continuu şi nedistructiv prin
utilizarea de amplificatoare MOS. Ca urmare capacitoarele MOS se pot
folosi la implementarea multor funcţii care în tehnologia bipolară necesită
utilizarea rezistoarelor.
Capacitoare cu armături din siliciu policristalin (capacitoare poli-
poli) În implementarea funcţiilor analogice, multe tehnologii MOS
utlilizează două straturi de siliciu policristalin (un strat în plus faţă de
tehnologia normală). Stratul adiţional permite obţinerea unui capacitor de
calitate bună. Totodată această peliculă suplimentară de siliciu policristalin
permite realizarea unui strat suplimentar de interconexiuni. În fig. 4.24 se
prezintă o structură tipică de capacitor poli-poli.

Fig. 4.24 Structură tipică de capacitor realizat în tehnologia CMOS

Dielectricul acestui capacitor este comparabil ca grosime cu cel al oxidului

de sub grila tranzistorului MOS. Structura prezintă câte o capacitate parazită
55
asociată fiecărei armături, ceea ce înrăutăţeşte comportarea la frecvenţă
înaltă a circuitului care conţine capacitorul poli-poli.
Alte structuri de capacitor În procesele tehnologice în care se
realizează un singur strat de siliciu policristalin, pentru realizarea unui
capacitor se introduce o etapă suplimentară de fotomascare pentru a se
realiza un strat izolator cu grosime controlată. Acest strat de oxid se află
deasupra stratului de siliciu policristalin care constituie armătura inferioară a
unui capacitor. Armătura superioară se obţine în urma operaţiei de
metalizare a suprafeţei cipului, operaţie prin care se realizează şi contactele
şi interconexiunile. Proprietăţile unui astfel de capacitor sunt identice cu
cele ale capacitorului poli-poli.
Capacitoare obţinute din tranzistoare MOS Un tranzistor MOS
poate deveni capacitor atunci când este polarizat în regiunea cvasiliniară a
caracteristicii statice, grila formând o armătură, iar sursa, drena şi canalul
cealaltă armătură.

4.3 Evoluţia tehnologiilor CMOS şi tehnologii experimentale

Aşa cum am mai arătat miniaturizarea tranzistoarelor CMOS este
dată de lungimea canalului dintre sursă şi drenă. Scurtarea acestuia are două
efecte benefice: a) măreşte numărul de tranzistoare pe unitatea de arie de
semiconductor şi b) scurtează timpul de comutare al tranzistorului CMOS,
prin scăderea timpului necesar ca electronii să treacă prin canal (de la sursă
la drenă). Distanţa dintre drenă şi sursă a devenit caracteristica fiecărei clase
de tehnologii CMOS. În fig. 4.25 se prezintă evoluţia din acest punct de
vedere a tehnologiei CMOS. Structurile CMOS comerciale au 65 nm. La ora
actuală IBM şi Intel au anunţat obţinerea unei lungimi de “nod” de 45 nm şi
există cercetări ce demonstrează că se pot obţine lungimi de 15 nm.

Fig. 4.25 Evoluţia tranzistoarelor CMOS, din punctul de vedere al lungimii sursă – drenă
LGATE (Intel)

Prin scăderea lungimilor în domeniul nanometric, apar probleme noi

în funcţionarea dispozitivelor. Conform ITRS (International Technology
56
Roadmap of Semiconductors) la o lungime drenă - sursă de 25 nm oxidul de
siliciu ce desparte metalul de poartă de canal scade sub 1 nm. Aceasta
corespunde la un număr mic de straturi atomice de SiO2, iar fenomenele
devin cuantice. De asemenea curenţii de scurgere printr-un izolator aşa de
subţire sunt relativ mari. Pentru a putea mări grosimea stratului de dielectric
dintre poartă şi canal se studiază materiale cu constantă dielectrică mare.
O altă problemă este doparea siliciului la astfel de dimensiuni.
Deoarece siliciul plachetei de bază este slab dopat, pot apărea diferenţe mari
între tranzistoarele de dimensiuni foarte mici (de exemplu pentru dopanţi cu
6 ordine de mărime mai mici decât dopajul intrinsec al semiconductorului,
la lungimi de 15 nm, apar doar câţiva atomi de dopant, număr ce poate diferi
mult de la un tranzistor la altul). Rezultă că unele tranzistoare pot fi blocate,
iar altele în scurtcircuit. Deci neuniformităţi mici în cantitatea de dopant vor
schimba radical caracteristicile tranzistoarelor de pe acelaşi cip. Ori unul din
avantajele circuitelor integrate este uniformitatea tranzistoarelor pe cip, ceea
ce la circuitele comercializate în prezent este asigurată de uniformitatea
dopajului pe lungimile tranzistoarelor de dimensiuni de peste 50 nm. De
asemenea erorile datoriate toleranţelor litografice pot deveni un factor
puternic de deviere în caracteristicile tranzistoarelor. Astfel legea lui Moore
nu mai poate acţiona la infinit. O limitare estimată a fost de ordinul 1 G
dispozitive (tranzistoare) pe cip. Plachetele au ajuns la 12 inch (300 mm).
Pentru a evita problemele care apar la dimensiuni foarte mici se
cercetează materiale noi, compuşi Si – Ge sau alte semiconductoare din mai
multe materiale (Ga – As – P- In sunt cele mai cunoscute).

Fig. 4.26 Structura schematică de tip FinFET şi o fotografie SEM (Microscop electronic) a
unei structuri FinFET

Acestea sunt utilizate mai ales pentru creşterea vitezei de comutare. Alte
tehnologii sunt de tip 3D, utilizând tehnologia Si pe dielectric şi canale de
57
tip “nanotuburi”. În fig. 4.26 se prezintă tehnologia FinFET. Stratul dintre
sursă şi drenă este vertical, putând atinge dimensiuni foarte mici. Această
tehnologie se aplică la tehnologia CNT (Carbon NanoTube) şi la tehnologia
de autoasamblare a firelor de semiconductor.
Chiar prin introducerea tehnologiilor inovative, dimensiunile tranzistoarelor
nu pot scădea oricât atunci când apar efecte cuantice (efecte tunel, efecte de
interferenţă, etc.). În cercetare s-au introdus dispozitive care se bazează
chiar pe efectele cuantice, dispozitive “uni-electron”, la care nu se mai
aplică teoriile de câmp, sarcină şi tensiune ca la tranzistoarele CMOS
clasice. S-au introdus în cercetare dispozitive în care se utilizează efectele
de undă ale electronilor, introducându-se lungimea de undă De Broglie. Se
pun în evidenţă la aceste dimensiuni difracţia, interferenţa şi tunelarea.
Lungimea pe care aceste efecte rămân vizibile reprezintă lungimea de
coerenţă, altfel spus, lungimea pe care unda de electroni rămâne coerentă. În
locul stărilor obişnuite ale unui tranzistor se introduc stările pe două faze ale
undei de electroni. Stările cuantice nu mai apar dacă reţeaua are o energie
mare de vibraţie, pe măsură ce temperatura creşte. Lungimea de coerenţă
scade astfel cu creşterea temperaturii. De obicei dispozitivele cuantice se
utilizează la temperaturi sub temperatura camerei (pentru siliciu, lungimea
de coerenţă la temperatura camerei este de câteva zeci de nanometri).
Efecte cuantice ca cele discutate anterior au fost prezentate de
fizicianul de la IBM Landauer. Pentru un “nano-fir” apar moduri de undă
asemănătoare cu cele de la ghidurile de undă, conductanţa egală sau mai
mică decât 2e2/h (e – sarcina electronului, h – constanta lui Planck).
Conductanţa nu mai variază continuu, ci este cuantificată. S-a demonstrat
acest efect prima oară la Universitatea din Delft în anii 1980. De atunci s-au
propus mai multe dispozitive bazate pe efect cuantic, prin analogie cu
structurile clasice de microunde. Dispozitive care funcţionează la
temperatura camerei au fost obţinute de cercetătorii din Lund, Suedia, care
au obţinut structuri balistice cu cuplaj în Y, funcţionând cu două stări stabile
şi care pot pune bazele unei noi clase de dispozitive logice. Majoritatea
cercetărilor au dus însă la obţinerea de dispozitive cu caracteristici
necontrolabile, datorită neuniformităţilor inerente, în actualele tehnologii, la
dimensiuni nanometrice.
S-a încercat realizarea dispozitivelor logice pe baza efectului de spin
(care are 2 stări, prin natura sa fizică). Astfel variaţiile care apar la
dispozitivele cu variaţie de fază discutate anterior dispar. Timpii de coerenţă
de spin în semiconductoare sunt de nanosecunde până la milisecunde, ceea
ce va permite realizarea unor dispozitive logice bazate pe acest fenomen.
Dispozitivele “uni-electron” au fost studiate intens în ultimii ani, o
schemă echivalentă a logicii “uni-electron” fiind dată în fig. 4.27.

58
Tranzistorul “uni-electron” este format din două joncţiuni “tunel”, care
despart o insulă de semiconductor de sursă şi drenă. Dacă se aplică o
tensiune pe poartă, joncţiunile se deschid (bariera scade) şi electronul poate
circula între sursă şi drenă.

Fig. 4.27 Reprezentarea schematică a tranzistorului unielectron (SingleElectronTransistor)

“Nanotuburi” şi “nanofire” (NW – nanowires) au fost de asemenea cercetate

în ultimii ani. S-a descoperit că NW se pot auto-asambla prin epitaxie. În
fig. 4.28 se dă o microfotografie SEM a unor structuri de nanofire de Si
obţinută prin epitaxia vapori – lichid - solid. cu dimensiuni sub 10 nm.

Fig. 4.28 Microfotografia SEM a nanofirelor de siliciu

Structurile NW pot fi realizate pe semiconductoare uzuale (Si, Ge),

semiconductoare III-V şi pot fi dopate controlabil în timpul creşterii. Se
formează astfel heterojoncţiuni abrupte. Dispozitive bipolare, tranzistoare cu

59
efect de câmp şi alte dispozitive au fost realizate prin această tehnologie la
Harvard (SUA) şi la Lund, în Suedia. S-au realizat şi dispozitive uni-
electron şi diode tunel rezonante. Probleme apar la orientarea şi direcţia
creşterii.
Nanotuburile de carbon sunt structuri regulate de atomi de carbon de
ordinul nanometrilor. În funcţie de modul de aranjare a atomilor în nanotub,
acestea pot fi bune conducătoare de electricitate, semiconductoare sau
izolatoare, astfel încât se pot forma dispozitive analoage cu cele clasice.
Firma IBM a realizat tranzistoare cu efect de câmp în această tehnologie. De
asemenea la capătul nanotubului se pot adsorbi substanţe din mediul
înconjurător, ceea ce face ca această tehnologie să poată fi folosită la
fabricarea senzorilor.

Fig.4.29 a) Diferitele stări ale carbonului

Fig. 4.29 b) Invertor din nanotuburi de carbon format din FET-uri cu canale n şi p

La ora actuală sunt în cercetare dispozitive în tehnologia

“moltronics” (molecular elelectronics), cuprinzând un număr mic de
molecule. Ele sunt cele mai mici dispozitive cunoscute. Astfel de
dispozitive sunt prezentate în figura 4.30. Dispozitivul este alcătuit
dintr-un lanţ de molecule organice, cu două contacte de Au la capete. Prin

60
alegerea corespunzătoare a materialului organic, prin acest “dispozitiv”
poate trece un curent electric. A fost studiat de Mark Reed (Yale) şi James
Tour (Rice). Firma Hewlett Packard a realizat tehnologic o arhitectură
logică în această tehnologie.

Fig. 4.30 Joncţiunea moleculară

Sunt în studiu şi sisteme biologice, care au posibilitatea de creştere şi de

auto-asamblare, auto-reparare. La toate dispozitivele anterioare apar
problemele foarte dificile de contactare (ataşarea de contacte metalice)
pentru includerea în circuite.

4.4. Tehnologia BiCMOS

Un pas important în fabricarea circuite integrate actuale îl constituie
combinarea pe acelaşi cip a dispozitivelor bipolare de înaltă performanţă cu
dispozitive CMOS, prin procesul denumit BiCMOS (Bipolar and CMOS
devices on one chip, adică dispozitive bipolare şi CMOS pe o singură
plachetă).
În structurile bipolare, pentru a se realiza un tranzistor cu tensiune de
străpungere colector-bază de valoare mare este nevoie să se utilizeze un strat
epitaxial gros (17 m dintr-un material semiconductor cu rezistivitatea de
5cm, pentru tensiune de lucru de 36 V). Acest fapt cere o difuzie de tip p
adâncă pentru a izola astfel tranzistoarele şi celelalte dispozitive. Pe de altă
parte, dacă se poate tolera o tensiune de străpungere mică (de exemplu 7 V,
ceea ce permite funcţionarea la o tensiune de alimentare de 5 V) atunci se
poate utiliza o regiune de colector mai puţin dopată (semiconductor cu
rezistivitatea de 0,5 cm) care astfel este mai subţire (de ordinul a 1 m).
Astfel devine posibil să se izoleze dispozitivele bipolare prin aceeaşi tehnică
de izolare locală care se utilizează şi la dispozitivele CMOS. Acest lucru are
avantajul că reduce substanţial capacitatea parazită colector-substrat,
61
deoarece regiunile de mare capacitate, puternic dopate de la suprafaţa cip-
ului, sunt acum înlocuite de izolaţie cu oxid, de capacitate mică. Astfel
dispozitivele pot fi ‘’îngrămădite’’ pe cip cu densitate mai mare. În plus,
tehnologiile de fabricaţie CMOS şi bipolare încep să devină într-o oarecare
măsură similare şi este posibil, cu costul unor paşi suplimentari de
prelucrare, să se combine prin tehnologia BiCMOS tranzistoare bipolare de
viteză mare, puţin adânci şi realizate cu implantare de ioni, cu dispozitive
CMOS.
O structură tipică de înaltă performanţă obţinută prin tehnologia BiCMOS
se prezintă în fig.4.31.

Fig. 4.31 Structură BiCMOS

62
PARTEA A II-A

MICROSISTEME

63
64
5. MEMORII

Orice computer trebuie să includă, pe lângă unitatea de prelucrare a

informaţiei (unitatea centrală) unităţi de stocare a informaţiei. Dacă la
început stocarea datelor şi a liniilor de program se efectua pe unităţi
magnetice, la ora actuală memoriile pe semiconductoare sunt circuitele
integrate cele mai cunoscute, cu un număr extrem de mare de dispozitive, în
tehnologia CMOS. Memoriile pot fi împărţite după durata în care îşi
păstrează informaţia: a) memorii nevolatile (dacă pot să-şi păstreze
informaţia şi după decuplarea la tensiune) şi b) memorii volatile (nu
păstrează informaţia dacă sunt decuplate de la tensiunea de alimentare) şi
după posibilitatea de a fi citite şi scrise sau numai citite. O clasificare ar fi
cea din fig. 5.1

Fig. 5.1 Clasificarea memoriilor

Memoriile RAM (Random Access Memory), pot fi accesate într-o

ordine aleatoare, în sensul că orice byte din memorie poate fi accesat fără a
fi nevoie să fie accesat byte-ul anterior. Memoria RAM există în toate
computerele (pentru date şi linii de program), în microprocesoare,
imprimante şi alte dispozitive utilizate în automatizări. De obicei se
consideră prin acceptul de memorie RAM o memorie volatilă. Dar şi
memoriile ROM sunt tot cu acces random.
Există două tipuri de memorii RAM: DRAM (Dynamic Random
Access Memory) şi SRAM (Static Random Access Memory). Cele două
tipuri de memorii diferă prin tehnologia utilizată pentru stocarea informaţiei.
Memoria DRAM este cea mai des utilizată, dar memoria SRAM este mai
rapidă. DRAM trebuie să fie rescrisă de 1000 de ori pe secundă, în timp ce
SRAM nu trebuie să fie rescrisă. DRAM suportă timpi de acces de
aproximativ 60 ns, în timp ce SRAM are timpi de acces de 10 ns. Cu toate

65
aceste calităţi, memoria DRAM se foloseşte mult mai des deoarece este mult
mai ieftină decât SRAM. Amândouă tipurile de memorii sunt volatile, adică
îşi pierd informaţia dacă se întrerupe alimentarea.

5.1 Memoriile DRAM

Memoriile DRAM (Dynamic Random Access Memory) este un tip
de memorie cu accesare aleatoare care stochează fiecare bit de informaţie
într-un capacitor separat integrat într-un circuit monolitic. Deoarece
indiferent de tipul de capacitor acesta îşi pierde sarcina în timp, aceasta
trebuie reîncărcată periodic. Prin această funcţionare memoriile DRAM
diferă de memoriile SRAM (statice). Avantajul memoriilor DRAM este
simplitatea lor. Pentru fiecare bit este necesar doar un tranzistor şi un
condensator, spre deosebire de SRAM unde sunt necesare (în general) 6
tranzistoare pentru fiecare bit. Astfel se pot obţine memorii DRAM cu un
grad mare de împachetare. Ca şi SRAM, DRAM sunt memorii volatile.
(care îşi pierd informaţia dacă sunt decuplate de la sursa de tensiune).
Primele memorii au fost realizate în 1964 de Arnold Farber şi
Eugene Schlig la IBM, cu dispozitive discrete. În 1965 Benjamin Agusta,
tot la IBM, a reuşit să obţină o memorie de 16-bit integrată pe siliciu, care
conţinea 80 tranzistoare, 64 rezistenţe şi 4 diode. În 1966 memoria DRAM a
fost inventată de Dr. Robert Dennard la IBM, brevetată în 1968.
În fig. 5.2 este dată o celulă DRAM.

Fig. 5.2 Celula DRAM

Memoriile actuale pot include mii de celule pe linii şi coloane, aşezate ca în

fig. 5.3.

66
 Fig. 5.3 Aranjarea memoriilor DRAM

Liniile verticale sunt “word lines”(WL), iar cele orizontale “bit lines”.
Liniile BL (Bit Lines) sunt de fapt compuse din două coloane de semne
diferite (BL şi BL ). Amplificatoarele de la începutul fiecărei linii BL sunt o
pereche de invertoare între BL şi BL (când BL este “1”, BL este “0” şi
invers).
Pentru a citi un bit de pe o linie, are loc următoarea secvenţă:
1. Amplificatorul corespunzător este blocat şi liniile BL sunt încărcate
la o tensiune între nivelele “high” şi “low”, astfel încât liniile BL şi
BL să fie perfect simetrice
2. Circuitul preîncărcat este blocat. Deoarece liniile BL sunt foarte
lungi ele vor menţine sarcina pentru un anumit interval de timp
3. Coloana aleasă este comutată. Aceasta va conecta un condensator la
una din liniile BL sau BL . Sarcina este împărţită între celula aleasă
şi linia BL conectată. Circuitul este astfel conceput încât sarcina (şi
respectiv tensiunea) care alterează starea iniţială pe linia BL să fie
cât mai mică
4. Amplificatorul este conectat, astfel încât BL şi BL sunt în sens opus
5. La sfârşitul citirii, valorile de pe coloană sunt refăcute la starea
iniţială; liniile BL sunt refăcute prin acţiunea amplificatoarelor;
datorită lungimii liniilor BL aceasta durează relativ mult. De
67
 asemenea trebuie specificat că sarcina care indică un anumit bit e
foarte mică (aproximativ 30 fF).
Pentru a scrie în memorie, o coloană este deschisă şi un amplificator este
pus pe starea dorită (corespunzătoare unui “1” sau “0”). Astfel un anumit
capacitor este încărcat sau descărcat, corespunzător cu starea
amplificatorului. După această operaţie trebuie rescrise cu valorile iniţiale
toate celulele la care a fost deschisă coloana. Tipic, producătorul specifică
un timp de 64 ms sau mai puţin (funcţie de tehnologia memoriei) în care să
se rescrie (“refresh”) memoria. Există circuite specifice de “refresh”. Deşi
acestea încarcă circuitul, dar nu atât încât să nu se folosească memorii
DRAM, care sunt mult mai ieftine şi au capacitate mult mai mare decât
SRAM.
Impulsurile secvenţiale de adresare pe rânduri şi coloane succesiv sunt
prezentate în fig. 5.4. (RAS- Row adress, CAS – Column adress) . Timpii de
răspuns pentru fiecare memorie depind de timpii de acces la aceste adrese.
Pentru o memorie de 60 ns, de exemplu, aceşti timpi sunt de 60ns şi 15 ns,
respectiv. Ciclul de refresh se dă ca număr de linii/timp (de exemplu 512
cycles per 8 ms înseamnă că sunt 512 linii şi fiecare linie este “refresh” la
fiecare 8 ms).

Fig. 5.4 Diagrama simplificată a unei memorii DRAM

5.2 Memoriile SRAM

Fiecare bit dintr-o memorie SRAM este depozitat într-o structură cu
4 tranzistoare MOS, ca în fig. 5.5, care formează două invertoare cuplate (o
structură de tip „flip – flop”, în care o pereche de tranzistoare sunt încărcate
cu sarcină şi celelalte nu). Această celulă are două stări stabile care sunt
considerate „0”, respectiv „1” logic. La cele 4 tranzistoare se adaugă 2

68
tranzistoare pentru controlul accesului datelor, la citire şi scriere
(tranzistoarele M5, M6, cu accesul datelor pe liniile BL (bit line). Linia WL
(Word Line) controlează liniile BL. Structura simetrică permite accesul
diferenţial, ceea ce permite accesul cu tensiuni mici. De asemenea se pot
accesa odată toate liniile BL pentru mai multe celule, ceea ce duce la
creşterea vitezei. Există şi celule cu mai multe tranzistoare (de ex. 8, 10) sau
mai puţine (3) în tehnologiile noi. De obicei mai multe celule formează un
registru de date. Este evident că o memorie va costa mai puţin cu cât o
celulă este formată din mai puţine tranzistoare, deoarece o plachetă de
siliciu procesată (pentru un anumit proces tehnologic) are un preţ fix, şi cu
cât o celulă ocupă o arie mai mică, cu atât există un număr mai mare de
structuri pe o plachetă.

Fig. 5.5 Celula de memorie SRAM cu 6 tranzistoare

Mărimea unei memorii SRAM cu m adrese şi n linii de date are 2m cuvinte

(adică 2m x n celule).
O memorie SRAM are trei stări diferite: standby, reading – când s-a cerut
accesul la date, writing – cănd se rescriu datele. Cele trei stări funcţionează
astfel:
- Standby – tranzistoarele M5 şi M6 deconectează celula de la BL.
- Reading - în caz că în memorie există un „1” logic (M1 încărcat),
ciclul porneşte prin încărcarea liniilor BL cu „1”, apoi accesând linia
WL, deschizând amândouă tranzistoarele de acces (M5 şi M6); în a
doua secvenţă se descarcă tranzistoarele M1 şi M5 prin BL, care,
ajungând în starea „0”, trag tranzistoarele M3 şi M6 în starea
„1”.Dacă în memorie există „0”, atunci M3 este încărcat şi se
descarcă la citire, când tranzistorul M6 este în conducţie. Astfel M1
ajunge încărcat, deci în starea „1”.
- Writing – ciclul începe prin aplicarea valorii pe care vrem să o
scriem pe BL. Dacă vrem să scriem „0”, pe BL se pune pe „1”, iar

69
 BL pe „0”. Dacă tranzistorul M1 era încărcat (în stare „1”) se
descarcă, iar în celula de memorie se scrie „0”. Dacă scriem „1”, pe
BL se pune pe „1”, iar BL pe „0”. În acest caz tranzistorul M3 se
descarcă, iar în celula de memorie se scrie „1”.
SRAM este mai scumpă, dar mult mai rapidă şi consumă mult mai
puţină putere decât DRAM. Este însă mai puţin compactă şi fiind şi mai
scumpă nu se foloseşte la memoriile de capacitate mare ale
computerelor.
SRAM se utilizează la:
a) produse de uz general, împreună cu:
- interfeţe asincrone, ca cipuri de 28 pini 32Kx8 (denumite XXC256),
sau cipuri echivalente, până la 16 Mbit pe cip;
- cu interfeţe sincrone, pentru transferurile de date, pînă 18 Mbit
(256Kx72) pe cip.
b) dispozitive integrate pe cip:
- memorii RAM în microcontrolere (de obicei de la 32 byte la
128 kbyte)
- în microprocesoare puternice, cum ar fi familia de microprocesoare
x86, ca memorii primare ( de la 8 kbyte, până la căţiva megabyte)
- în aplicaţii specifice, ca ASIC.
Memoriile SRAM pot fi embedded (realizate împreună cu alte
structuri pe acelaşi cip) în subsisteme industriale, ştiinţifice, aparate
fotografice digitale, telefoane celulare, etc.
În calculatoare memoriile SRAM se utilizează ca memorii „cache”
(unde se depozitează o parte din informaţie pentru creşterea vitezei de
lucru) ale unităţii centrale din calculator, ale hard-diskului, rutere, etc.
Informaţia conţinută de ecranele LCD (pentru afişarea imaginii) şi
imprimante este stocată tot într-o memorie RAM care face parte din
aceste componente. Buffere SRAM sunt conţinute şi de driverele
CDROM şi CDRW. Există buffere pentru datele transferate, astfel încât
informaţia să fie transferată în grupuri. Iniţial memoria cunoscută sub
numele de CMOS era un RAM alimentat de la o baterie. La ora actuală
se folosesc memorii EEPROM sau flash.
Memoria RAM din calculatoare este memoria principală, accesibilă
de programe. De exemplu, un calculator cu 8 MB RAM are aproximativ
8 milioane byte de memorie utilizabili. Majoritatea informaţiei din
calculator este stocată pe hard-disk, dar datele şi liniile de program cu
care se lucrează la un moment dat sunt mutate în memoria RAM.
Memoriile SRAM sunt şi ele de mai multe tipuri:

70
 - Async SRAM este un tip mai vechi de SRAM, care funcţionează
asincron, adică independent de ceasul (“clock”) computerului.
- Sync SRAM lucrează sincronizat cu ceasul sistemului şi este mult
mai rapidă.
- Pipeline Burst SRAM este la ora actuală cel mai utilizat tip de
memorie SRAM. Poate funcţiona la viteze de peste 66 MHz.
Memoriile DRAM se împart în următoarele categorii:
- RDRAM - Rambus DRAM a fost produsă de firma Rambus, Inc. şi
poate funcţiona la viteze de 800 MHz.
- DDR SDRAM - Double Data Rate (“Double Data Rate
Synchronous DRAM”) poate transfera informaţie pe impulsurile
crescătoare şi descrescătoare ale ciclului ceasului, dublând astfel
viteza de lucru.
Modele constructive ale modulelor de memorie

Fig. 5.6 Modul de memorie SIMM cu 72 de pini

După perioada de început, când cip-urile de memorie se înfigeau în placa de

bază, primul model răspândit a fost SIMM'-ul pe 30 de pini, urmat de cel pe
72 de pini. Modulul SIMM (Single Inline Memory Module) prezintă o
lăţime de bandă de 8 biţi pentru prima versiune şi de 32 pentru cea de-a
doua; dimensiunea fizică a SIMM-ului pe 30 de pini este de două ori mai
mică decât în cazul celeilalte variante. Diferenţele de viteză dintre ele
corespund perfect perioadei de glorie: dacă prima versiune era uzuală pe
timpul sistemelor Intel 286 şi 386, SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza
generaţiei 486, Pentium şi Pentium Pro. Cip-urile folosite au fost de tip
DRAM, FPM şi, mai târziu, EDO DRAM.
Urmaşul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory
Module). După cum îi spune şi numele, el oferă o lăţime de bandă de 64 de
biţi, dublă faţă de SIMM-urile pe 72 de pini, având la bază un gen de dual-
channel intern. Numărul de pini a fost de 168 sau de 184, în funcţie de tip:
SDRAM sau DDR SDRAM. A existat şi un număr limitat de modele de
DIMM bazate pe EDO DRAM, dar ele nu au avut succes pentru că trecerea
de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM.
RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv al
memoriilor RDRAM. Numărul de pini este de 184 (ca şi la DDR SDRAM),

71
dar asemănările se opresc aici, configuraţia pinilor şi modul de lucru fiind
total diferite. Mai sunt de amintit modulele SO-DIMM, destinate
calculatoarelor portabile, care deţin un număr diferit de pini: 184 pentru
SDRAM şi 200 pentru DDR SDRAM. Practic vorbind, montarea modulelor
SIMM era o operaţie greoaie şi necesită experienţă şi îndemânare. Odată cu
modulele DIMM (şi RIMM, care au acelaşi sistem de prindere) s-au uitat
dificultăţile, oricine putând acum monta o memorie, fiind necesară doar
puţină atenţie.
Alte două elemente care influenţează viteza, stabilitatea şi preţul
memoriilor sunt funcţiile ECC şi Registered, integrate în unele module de
memorie. Cele ECC (Error Correction Code) deţin o funcţie specială care
permite corectarea erorilor temporare ce apar pe parcursul utilizării, iar cele
Registered (numite şi Buffered) deţin un buffer (zonă de memorie
suplimentară) care depozitează informaţia înainte ca ea să fie transmisă
controller-ului, permiţând verificarea riguroasă a acesteia. Memoriile
Registered sunt mai lente decât cele normale sau ECC şi extrem de scumpe,
folosirea lor fiind justificată doar în cazuri speciale, când corectitudinea
informaţiilor prelucrate şi stabilitatea sistemului este vitală, de exemplu în
cazul server-elor.
În general, atât timp cât memoria nu este supusă unor situaţii anormale
de funcţionare (frecvenţă, tensiune sau temperatură în afara specificaţiilor)
ea oferă o stabilitate extrem de apropiată de perfecţiune, suficientă pentru un
calculator obişnuit.

5.3 Memorii nevolatile

Diferenţa între memoriile RAM şi ROM constă în faptul că memoria
RAM este o memorie de tip „read/write”, în timp ce memoria ROM („Read
Only Memory”) este o memorie de tip „read only”. Amândouă tipurile de
memorie permit acces aleator, deci ar fi mai corect să spunem că o memorie
ROM este o memorie RAM numai pentru citire. În calculatoare, memoriile
ROM sunt utilizate pentru stocarea programelor care încarcă sistemul de
operare şi alte programe de bază şi diagnostic ale calculatorului (programele
de boot). PC-urile au memorii mici de tip ROM (câteva mii de byte).

Memorii PROM
Au fost primele memorii nevolatile. Stocarea informaţiei se efectua
prin „arderea” unei siguranţe. Iniţial siguranţa era continuă, considerată „1”.
Dacă se ardea siguranţa, se considera că dispozitivul era în starea „0”.

72
Memorii EPROM
Memoriile EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
este o structură care reţine datele când se decuplează sursa de tensiune. Se
programează într-un circuit de tensiune mai înaltă decât cele utililizate în
computer. Odată programată, o memorie EPROM nu poate fi ştearsă decât
dacă este supusă unui flux puternic de radiaţie UV (lungime de undă de
235nm).

Fig. 5.7 Memorie EPROM. O fereastră de cuarţ permite ştergerea cu radiaţie UV

Deoarece sticla de cuarţ este scumpă, s-au introdus circuite OTP (One Time
Programmable), care sunt cipuri EPROM închise în capsule opace.

Fig. 5.8 Structură OTP

Memorii EEPROM
Memoriile EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only
Memory) sunt memorii nevolatile de capacitate redusă. Se folosesc la
computere, pentru programele de bază (de exemplu BIOS), care trebuie să
poată fi rescrise, dar să nu se şteargă odată cu decuplarea de la sursa de
tensiune.
Tehnologia de realizare este aceea de arii de tranzistoare cu poartă
flotantă. Tranzistoarele cu poartă flotantă sunt tranzistoare MOS cuplate cu
condensatoare pe care se aplică tensiunea. Stocarea informaţiei nu se pierde
deoarece poarta flotantă este înconjurată complet de oxid. Fenomenele de
comandă se bazează pe fenomene noi studiate ca tunelare şi injecţia

73
purtătorilor. Această memorie a fost inventată în 1967 şi folosită în primul
cip de memorie nevolatilă ETANN de firma Intel în 1989.

Memorii FLASH
Memoriile Flash au iniţiat un nou salt în evoluţia calculatoarelor,
deoarece sunt ne-volatile şi pot fi şterse electric şi reprogramate. Se folosesc
drept carduri de memorie sau memorii ce se pot ataşa la calculator în porţile
USB (ca stick-urile de memorie), pentru transferul informaţiilor de la un
calculator la altul. Face parte din clasa memoriilor EEPROM (Electrically
Erasable Programmable Read-Only Memory), care pot fi şterse şi
reprogramate cu capacităţi mari de memorie.
Memoriile “Flash” au fost inventate de Fujio Masuoka, la Toshiba, în
1984. La început, memoriile Flash nu puteau fi şterse şi rescrise decât în
întregime. Sunt mult mai ieftine decât memoriile EEPROM. Memoriile
“Flash” sunt incluse şi în PDA (Personal Digital Assistants), camere digitale
şi telefoane mobile.
În cazul calculatoarelor Pentium, BIOS-ul este scris tot pe o memorie
“Flash”, dar care are o structură mai complexă.

74
6. MICROPROCESOARE

Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare a informaţiei,

care coordonează un sistem structurat funcţional şi care, fizic, se prezintă
sub forma unui cip. El prelucrează datele şi controlează activităţile
întregului sistem. Este elementul de bază al unui sistem de calcul şi este un
cip deosebit de complex care este plasat pe placa de bază - motherboard.
Microprocesorul asigură procesarea datelor, adică interpretarea,
prelucrarea şi controlul acestora, vizează sau supervizează transferurile de
informaţii şi controlează activitatea generală a celorlalte componente care
alcătuiesc sistemul de calcul.

Fig. 6.1 Schema bloc funcţională a microprocesorului

Aproape în acelaşi timp firmele Intel, Texas Instruments şi Garret

AiResearch au obţinut dispozitive ce pot fi considerate primele
microprocesoare (Intel 4004, TMS 1000 şi respectiv CADC). Primul
proiect, început de Garret AiResearch în 1968 şi finalizat în 1970 a fost un
proiect militar (a fost utilizat în avioanele de luptă TOMCAT). Datorită
cercetării avansate pe care a presupus-o, datele despre acest dispozitiv nu au
fost făcute publice până în 1997.
Un „computer-on-a-chip” combină unitatea centrală (CPU) a
microprocesorului, memorii, unităţi de intrare ieşire, toate pe acelaşi cip.
Practic, primul microprocesor recunoscut a fost cel produs de Intel, în
aprilie 1972, pe 8 biţi. Microprocesorul 8008 şi succesorul său, 8080 (cel
mai cunoscut) deschid era microprocesoarelor. Au urmat microprocesoarele
Z80 (1976) şi Motorola 6800 (1974). Ceea ce este important este evoluţia
tehnologiei MOS, până în 1980. În 1982, Western Design Center, (WDC)
introduce tehnologia CMOS 65C02, care va fi perfecţionată în noua
companie Apple. S-au introdus astfel microprocesoare în primele computere
PC. S-au realizat microprocesoare cu siliciu pe safir, protejate la radiaţiile
75
cosmice şi utilizate de NASA pe Voyager şi Viking, cât şi pe naveta Galileo
care a fost lansată în 1989 spre Jupiter, unde ajunge în 1995.
Primul microprocesor de 16 bit a fost IMP-16 a fost realizat de National
Semiconductor, în 1973. Intel are o serie întreagă de microprocesoare, care
perfecţionează tehnologia microprocesorului 8080. Din 1976 Intel introduce
familia MCS-48, incluzând microprocesoarele 8048, 8748, 8035. Acestea au
fost primele sisteme complete de microprocesoare, incluzând o unitate
centrală (CPU) de 8 bit, 1024 cuvinte de 8 bit în memorii ROM, respectiv
EPROM, 64 cuvinte în altă memorie., porţi de I/O şi un numărător de 8 bit,
toate pe un singur cip. Acestea au fost aplicate în domenii variate, de la
comanda motoarelor, până la echipamente de procesare de date.
Caracteristicile generale ale structurilor lor mai evoluate (8051, 8751) sunt:
- Sursă unică de alimentare de 5 V
- Memorie de program pe cip de 4096 byte
- 128 byte memorie de date
- 4 registre
- 64 Kbytes pentru fiecare program şi memorie RAM adresabilă din
exterior
- 1 s pentru fiecare instrucţiune, cu oscilator de 12 MHz
- 32 linii bidirecţionale I/O organizate pe 8 bit
- port serial programabil, de frecvenţă înaltă
- 2 numărătoare de 16 bit
- aritmetică binară şi zecimală
- detectarea de “overflow”
- procesor boolean pentru controlul aplicaţiilor
- compatibilitate cu software-ul 8048.

6.1. Concepte de bază ale microprocesoarelor

Majoritatea microprocesoarelor utilizează sistemul binar. Toate
variabilele, constantele, caracterele alfanumarice, comenzile, etc. sunt
reprezentate printr-un grup de digiţi binari (bit), cu valorile “0” sau “1”.
Sunt clasificate după numărul de biţi pe care îi pot procesa în unitatea de
timp.
Structurile pe un singur cip, produse de Intel, desemnează o familie
de microprocesoare compatibile, ce include o unitate centrală (ce efectuează
majoritatea liniilor de program), memorii, generatoare “clock”
(numărătoare), unităţi I/O. Microcomputerele MCS-51, Intel, conţin o
unitate centrală (CPU – Central Processing Unit) de 8 bit. CPU este
“creierul” microprocesorului. Memoriile şi toate operaţiile sunt pe 8 bit.
Codul ASCI atribuie fiecărui caracter (numeric sau alfanumeric) o
valoare în baza 2. Codul ASCI conţine 128 caractere. Un program include o

76
secvenţă de paşi specifici executabili de CPU unul câte unul. Algoritmul
reprezintă secvenţa utilizată pentru rezolvarea aplicaţiei. Programul este
stocat în microprocesor ca o secvenţă de numere binare, fiecare număr
corespunzând la o operaţie de bază (“opcode”), pe care CPU poate să o
execute. “Limbajul maşină” reprezintă modul în care operaţiile din
“opcode” sunt interpretate de CPU. Scrierea unui program în limbaj maşină
este extrem de dificil. De aceea fiecărui “opcode” şi valoare numerică,
alfanumerică, etc. i se dă un nume şi o abreviere standard (“mnemonic”).
Microcomputerul traduce acest limbaj în limbajul maşină, utilizând
asemblerul. Acesta poate efectua şi operaţii matematice, dar numai cu
valori numerice, nu cu variabile.

6.2. Arhitectura şi organizarea microprocesorului

Fiecare microprocesor include o unitate centrală, două tipuri de
memorii (una RAM pentru date şi una pentru program, de tip ROM sau
EPROM), porţi I/O şi registre de date pentru funcţiile perifericelor. Aceste
elemente comunică printr-o cale de date (bus) de 8 bit, care străbate întreg
cipul. Această cale de comunicare are un port I/O pentru mărirea memoriei
sau a numărului de porţi I/O. (vezi fig. 6.2).

Fig. 6.2 Configuraţia microprocesorului 8051

Unitatea centrală (CPU), creierul microprocesorului, citeşte

programul utilizatorului şi execută instrucţiunile din acesta. Componenta
principală este o unitate aritmetică/logică (ALU), cuplată la registre şi la

77
numărător. ALU poate face operaţii de adunare, scădere, înmulţire,
împărţire, operaţiile logice AND, OR, XOR, de asemenea rotaţii, ştergeri de
memorie, decizii condiţionale, alocă căile de date şi registrele în timpul
rulării programului. Alte operaţii rezultă din combinarea celor enumerate
mai sus, rezultând operaţii complexe. Unitatea ALU a microprocesorului
8051 (şi a celor mai avansate) operează cu trei tipuri de date: Boolean (1
bit), byte (8 bit) şi adrese (16 bit). Adresarea se poate efectua în 11 moduri:
7 pentru date, 4 pentru secvenţa de program.
În concluzie, unitatea ALU efectuează următoarele operaţii:
- aritmetice
- logice
- instrucţiuni de transfer de date
- manipularea variabilelor Boolene
- setarea programului şi control.
Acumulatorul este un registru de 8 bit, care reţine operandul şi primeşte
rezultatul operaţiei aritmetice. Acumulatorul poate fi sursa sau destinaţia
operaţiilor logice şi pentru alte operaţii cum ar fi analizarea tabelelor.
Anumite operaţii se referă exclusiv la acumulator: rotaţii, testarea egalităţii
cu zero, etc. Există cazuri în care acumulatorul este ocolit (bypassed). De
exemplu trecerea datelor între registre, adrese, etc.
Alte registre au destinaţii specializate, de exemplu există un registru de 8
bit pentru instrucţiunile de înmulţire şi împărţire. Acest registru este utilizat
împreună cu acumulatorul pentru stocarea unui al doilea operand, oferind în
final rezultatul operaţiei. În SP – Stack Pointer se stochează ultimul byte pe
care-l rulează o subrutină. DPTR – un registru de 16 bit, Data Pointer, este
un registru de salvare a locaţiilor pentru salturi indirecte, căutarea în tabele,
etc.
Memoriile sunt separate pentru program şi date. Fiecare memorie are
tipuri de adresare, semnale şi funcţiuni diferite.
Memoria pentru program (ROM sau EPROM) este foarte mare şi nu
pierde informaţia nici la întreruperea alimentării. Pe lângă programul în
sine, această memorie se utilizează la iniţializarea valorilor, calibrarea
constantelor, tabele, etc. Bus-ul memoriei este de 16 bit.
Memoria de date este mai mică, dar mai rapidă. Nu păstrează datele
când se întrerupe alimentarea. Memoria RAM de pe cipul microprocesorului
se foloseşte pentru date care variază în timpul rulării. Această memorie este
RAM, de 8 bit, cu 128 de locaţii, iar registrul corespunzător are 1 byte.
Pentru o programare eficientă se utilizează memorii din afara cipului
microprocesorului. Acestea se adaugă independent, legându-se la bus-ul de
date, cu semnale de control specifice. Pentru memorii de program se

78
conectează memorii la ieşirea PSEN (Program Store Enable). Memoriile de
date sunt citite de la ieşirea RD (Read Data).
Porţile de I/O sunt în număr de 32 în cazul micrprocesoarelor
8051/8751, configurate ca 4 porţi paralele de 8-bit. Porţile au destinaţii
specifice, de exemplu P0 de multiplexare, P2 de date, P3 poate fi folosit
serial şi pentru timer.
Funcţii periferice speciale sunt necesare pentru controlul şi stabilitatea
sistemului:
- măsurarea perioadei de timp de la începutul rulării programului
- numărarea tranziţiilor
- măsurarea duratei pulsurilor de intrare
- comunicarea cu alte microprocesoare
- monitorizarea semnalelor asincrone.
Timerele sunt în număr de două, de tip multi-mod, denumite TH0, TH1,
TL0, TL1, în funcţie de starea “High” sau “Low”, “0” sau “1”. Se utilizează
la măsurarea intervalelor de timp, durata pulsurilor, sau iniţializarea
anumitor stări.
Interfaţa serială are viteză ridicată, programabilă soft în 4 moduri de
bază: shift register, expander I/O, 8-bit UART, sau link interprocesoare.
Modurile UART duc la interfaţarea cu alte I/O (de exemplu modemuri).
Comunicaţiile interprocesoare implică legături hardware pentru
recunoaşterea automată a adreselor / datelor. Modurile de operare ale
porturilor seriale sunt controlate de registrul SCON.
Prin perfecţionarea microprocesoarelor firma Intel produce în 1985
microprocesorul 80386, pe 32 bit.

Fig. 6.3 Microprocesorul Intel 80486 DX2

79
Din 1985 până în 2003 s-au dezvoltat tehnologiile şi arhitectura
microprocesoarelor pe 32 bit x86. Microprocesoarele pe 64 bit s-au folosit
din 1990, dar au fost introduse în PC din 2000. Pe baza microcontrolerele pe
64 bit, AMD64 introduse în 2003, s-au dezvoltat sistemele de operare
Windows XP x64, Windows Vista x64, Linux şi Mac OS X.

6.3 Microcontroler
Un microcontroler este un circuit care include un microprocesor dedicat
unor structuri cu un cost redus, proiectanţii urmărind:
- Reducerea numărului de componente necesare în afara circuitului
respectiv
- Includerea unui număr strict necesar de resurse
- Limitarea numărului de operaţii interne şi simplificarea lor
- Simplificarea interfeţei circuitului cu exteriorul
- Execuţia eficientă a operaţiilor frecvente (de ex. operaţii la nivel de
bit)
Avantajele şi dezavantajele folosirii unui microcontroler
- Sunt concepute pentru scopuri industriale (temperatură, vibraţii)
- Montajul are dimensiuni reduse şi cost mic
- Resursele incluse acoperă majoritatea aplicaţiilor industriale
- Structura resurselor nu mai este flexibilă
- Puterea de calcul nu este la fel de mare
- Consum redus, utilizate in sisteme EMBEDDED
- Gamă variată de optiuni în funcţie de resursele interne; diferenţiere
în funcţie de:
1) Viteza maximă de execuţie
2) Tipul memoriei de program: Flash, ROM, nici una
3) Numărul de pini de I/O: 4 – 64 conexiuni
4) Memorie de date: EEPROM, RAM
5) Convertor analog digital: 8 biţi, 10 biţi, nici unul
6) Timere, numărătoare
7) Interfaţa serială, I2C
8) Alte interfeţe incluse: CAN, USB, Ethernet, IrDA

80
 Fig. 6.4 Structura internă a microcontrollerului

Codificarea semnalelor
- Alimentarea este în general de 5V, dar poate avea şi valori mai mici la
frecvenţe reduse (minim 2V)
- Semnal logic 0: < 0,8 V (0,15 * VDD)
- Semnal logic 1: > 2V (0,25* VDD+0,8V)
- Orice resursa conectată la magistrala de date trebuie să poată trece din
starea de transmisie în starea pasivă sau de receptie în care nu comută ea
însăşi nivelul de tensiune pe magistrală.
Componentele microcontrollerului
- 15 pini de I/O controlabili individual
- Comparatoare analogice
- 3 timere (2 x 8 biţi şi 1 x 16 biţi)
- Modul de captură, comparare şi PWM
- Modul de transmisie serială USART
81
- Acceptă oscilator intern şi extern
- Timer “watch dog”
- Posibilitate de standby (SLEEP)
- Majoritatea resurselor au posibilitatea de a genera întreruperi.
Ce nu este inclus în microcontroller
Convertor analog digital
Interfeţe de putere
Interfeţe specializate pentru protocoale de comunicaţie avansate (Ethernet,
USB, etc.)
Memorii de mare capacitate (RAM, EEPROM)

82
7. SENZORI ŞI ACTUATORI

7.1. Principii de funcţionare

Senzorii sunt dispozitive care transformă un semnal ne-electric
(chimic, mecanic, optic, etc.) într-un semnal electric. Actuatorii sunt
dispozitive ce transformă semnalul electric într-un semnal ne-electric care
poate să determine o acţiune (poate fi recepţionat direct de simţurile omului
sau poate acţiona un motor, de exemplu).
Senzorii şi actuatorii se bazează pe diverse fenomene fizice şi nu toţi
senzorii şi actuatorii sunt microsisteme. Pentru miniaturizarea lor şi pentru
realizarea de funcţiuni complexe s-au proiectat şi realizat senzori şi actuatori
ce detectează semnalele, le amplifică şi le prelucrează, incluzând un număr
mare de dispozitive şi materiale diferite, integrate pe acelaşi cip, rezultând
un microsistem.
Senzorii sunt dispozitive utilizate ca element de intrare în
majoritatea sistemelor electronice. Semnalul furnizat de senzor este
prelucrat cu module electronice uzuale (amplificare, eliminarea zgomotului,
modulare, transmitere, demodulare, etc.), pentru a fi preluat în final de un
actuator, ce poate fi un ecran pentru vizualizare, un comutator electronic al
unui proces mecanic, sau alt traductor într-o mărime neelectrică (poziţie,
câmp magnetic, concentraţie chimică).
Mărimile detectate de senzor pot fi clasificate astfel:
- mărimi mecanice (viteze, acceleraţii, deplasări, frecvenţe de vibraţie);
- mărimi ale undelor electromagnetice (intensitate, lungime de undă,
polarizare, fază);
- mărimi termice (temperatură, curgere de căldură);
- mărimi magnetice (densitate de flux magnetic, permeabilitate);
- mărimi chimice (compoziţie chimică, toxicitate, potenţiale de oxidare -
reducere, pH).

Parametrii senzorilor
Sensibilitatea
Sensibilitatea se defineşte ca variaţia semnalului de ieşire în raport cu
cantitatea substanţei de măsurat. Pentru fiecare substanţă sensibilitatea este
diferită, în funcţie de sensibilitatea optică a detectorului sau de adsorbanţa
stratului traductor.
Stabilitatea
Stabilitatea este un parametru care trebuie studiat pentru majoritatea
senzorilor biologici, deoarece straturile traductoare sunt în general instabile
şi se refac dificil după măsurătorile în mediul cu concentraţie mare a

83
substanţei de detectat. Tehnologia sol-gel s-a demonstrat a fi una din cele
mai utilizate pentru stabilizarea indicatorilor. Depinde însă de indicatori:
s-au obţinut indicatori stabili pentru glucoză şi amoniac, dar nu şi pentru
metan.
Selectivitatea
Mulţi senzori detectează mai multe substanţe, creşterea selectivităţii se
efectuează tehnologic, prin schimbarea substanţelor numite „indicatori”.

7.2. MEMS-uri
MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) sunt dispozitive în
tehnologii noi, implicând componente mecanice şi electrice, cu posibilitatea
de a interacţiona cu mediul înconjurător. MEMS sunt microsenzori şi
microactuatori, integraţi pe acelaşi cip cu circuite electronice complexe
(pentru amplificare, transmisie, cuplare, alimentare, etc.). Tehnologia de
bază a acestor dispozitive este tehnologia pe siliciu (de obicei CMOS), la
care se adaugă depuneri de straturi pentru interacţiunea cu mediul
înconjurător şi corodări controlate pentru crearea unor profile în materialul
de bază ce se pot deplasa comandate de un semnal. Datorită aplicaţiilor în
domenii foarte variate şi a utilizării dedicate, se utilizează materiale foarte
variate. Practic, există o tehnologie pentru fiecare clasă de dispozitive
MEMS. S-a început realizarea acestor dispozitive odată cu caracterizarea
polisiliciului din punct de vedere mecanic. Au fost utilizate apoi materiale
din ce în ce mai variate, cu proprietăţi mecanice specifice.

Tehnologia de fabricare a MEMS-urilor

Există foarte multe tehnologii de realizare a MEMS-urilor, acestea
nefiind dispozitive standard. Prezentăm o tehnologie de realizare prin
corodări succesive pe siliciu a unei structuri de tip cantilever, care se poate
mişca la unul din capete, reprezentat schematic în figură.

Fig. 7.1 Schemă cantilever

84
 Pe substratul de siliciu dopat se depun contacte metalice, pentru
accesul la dispozitivele care se vor realiza pe plachetă. Apoi se depune pe
întreaga plachetă nitrură de siliciu, ca strat izolator, prin tehnologia LPCVD
(Liquid Phase Clean Vacuum Deposition).
Pentru a permite realizarea structurilor mobile carcteristice MEMS-
urilor se creează un strat ce va fi îndepărtat de sub zonele care pot fi mobile.
Acest strat susţine zonele mobile în părţile laterale. Stratul de susţinere este
de obicei SiO2 depus prin LPCVD. Acest strat este corodat selectiv, prin
litografie.
Se depune apoi un strat izolator de polisiliciu, tot prin tehnica LPCVD.

Fig. 7.2 SiO2 şi respectiv polisiliciul corodate selectiv

Prin litografie şi corodare uscată se înlătură polisiliciul din zonele în care nu

este necesar (selectiv). Se depune un al doilea strat structural, SU8, pe
polisiliciu, care are rol şi de fotorezist. Acesta este corodat selectiv.
Se depune aur cu rol de încălzitor prin evaporare cu flux de
electroni. Structurile se corodează prin tehnica “lift-off”. Pentru aceasta se
depune fotorezist sub stratul metalic. Când se îndepărtează selectiv
fotorezistul, aurul este de asemenea îndepărtat selectiv.

Fig. 7.3 Realizarea încălzitorului de aur prin lift-off şi structura finală de MEMS

85
 Ultima etapă tehnologică este cea a eliminării stratului de SiO2 în
zonele în care structura poate vibra. Partea care se poate mişca în raport cu
substratul este un “cantilever”.
Anterior am prezentat formarea unei singure structuri. În fapt, se
produc sute sau chiar mii de structuri pe acelaşi substrat.
Pentru mişcarea cantileverului se utilizează energia mecanică,
electrică, din reacţii chimice, radiaţie luminoasă, etc. De obicei MEMS-ul se
alimentează electric de la contactele depuse pe structură şi conectate la o
sursă de tensiune.
Principiile de măsură ale senzorilor MEMS
Măsurătorile în sistem MEMS pot fi de trei tipuri:
- măsurători optice
- măsurarea capacităţii formate din structurile care se pot deplasa (iar
capacitatea rezultată variază)
- măsurători în care există două structuri alternative interdigitate
cuplate, unul folosit ca senzor şi altul folosit ca actuator
Structurile MEMS care permit vibraţia au o structură pe bază de cuarţ cu
ajutorul căreia se măsoară forţa Coriolis. Rezonatorul care se roteşte
produce o vibraţie secundară pe o direcţie perpendiculară pe cea iniţială.
Această vibraţie secundară e cea care este măsurată. În figurile de mai jos se
prezintă principiul pe baza căruia se măsoară viteza de rotaţie, direcţia şi
sensul forţei într-un sistem MEMS interdigital.
Senzori de acceleraţie
Există două tipuri de senzori de acceleraţie: accelerometre şi
giroscoape. Primele măsoară variaţia vitezei de translaţie, cea de a doua
categorie variaţia vitezei de rotaţie.
Accelerometre cu MEMS
Accelerometrele sunt senzori sau instrumente de măsură a
acceleraţiei şi vibraţiilor. Se pot utiliza ca ansamble de sine stătătoare sau
împreună cu un sistem de achiziţie de date. Accelerometrele pot avea una,
două sau trei axe ortogonale de măsură. Principiul de măsură poate fi de tip
piezoelectric, capacitiv, rezonator sau prin inducţie magnetică.
Giroscoape cu MEMS
Giroscoapele sunt destinate să măsoare viteze de rotaţie sau
orientarea faţă de o axă dată. Există giroscoape ce măsoară orientarea pe 2
sau 3 direcţii ortogonale. Există două tipuri de giroscoape: unele măsoară
viteza, altele o integrare a acesteia. Primul tip are o singură direcţie de
deplasare. Semnalul de ieşire este produs prin precesie şi poate fi o tensiune
electrică, un curent electric sau poate comuta un releu. Există giroscoape ce
se bazează pe efecte optice, o rază laser se oglindeşte pe structuri conectate
la dispozitivul în mişcare (RLF – ring laser gyros).

86
Prin “gimbal” se înţelege o structură care se poate roti continuu în jurul unei
axe, dar care este fixată la un capăt. Când o masă se roteşte, efectul
giroscopic produce o mişcare de precesie – mişcare ortogonală pe sensul de
rotaţie, de-a lungul axei în jurul căreia s-a rotit, indicând unghiul de rotaţie.
Axa de care e fixată se conectează cu un sistem de resorturi sau tehnici
MEMS. Tensiunile apărute în resort sunt proporţionale cu viteza de rotaţie.
Un giroscop MEMS este cuplat la un circuit electronic care permite
modularea semnalului electric cu o frecvenţă şi amplitudine proporţionale
cu cele produse de forţa Coriolis. Acest semnal este apoi comparat cu un
semnal de referinţă.

Fig. 7.4 Principiul de funcţionare al giroscopului

Fig. 7.5 Giroscop MEMS pe axa Z

87
Comutatoare de frecvenţă înaltă
Comutatoarele de frecvenţă înaltă sunt în dezvoltare de mulţi ani, dar
aplicaţiile comerciale apar recent. Problemele sunt legate de combinarea
eficienţei, reproductibilităţii şi fiabilităţii. Sunt mult mai compacte, consumă
putere mai mică şi asigură integritatea sistemului, în comparaţie cu
comutatoarele / releele clasice.

Fig. 7.6 Comutator electromecanic

Multiplexoare optice
La ora actuală, după studii de mulţi ani, au fost comercializate de
firma Texas Instruments oglinzi pentru displayuri optice (DMD – Digital
Micromirror Device). Firma Texas Instruments produce proiectoare video
pentru televiziune.

Fig. 7.7 Matrici optice de tip DMD

Există mai multe tipuri de sisteme DLP. Unele folosesc trei matrici DMD,
câte una pentru fiecare culoare. Altele folosesc o singură matrice şi un filtru
optic pentru obţinerea celor trei culori necesare ecranului televizorului.
Oglinzile în tehnologia MEMS sunt foarte rapide, asigurând comutarea între
culori cu o viteză care asigură continuitate din punct de vedere al ochiului
88
uman. Avantajul utilizării sistemului DLP în comparaţie cu sistemele clasice
(plasmă, LCD, fluxuri de electroni de înaltă rezoluţie) sunt legate de
rezoluţie mai înaltă, raport ridicat între luminanţa ecranului şi puterea sursei
de radiaţie. Realizarea matricilor optice în microtehnologii asigură
productivitate ridicată şi cost scăzut. Matricile DMD sunt la începutul
vânzării pe piaţă. Este de presupus că vor fi utilizate şi în alte displayuri,
cum ar fi cele din telefoanele mobile.

Fig. 7.8 Schema unui proiector DLP

Actuatori termici pe bază de MEMS

O mişcare mecanică datorată încălzirii neuniforme se obţine prin
realizarea unei structuri ca în fig.7.9. Dacă prin cele două braţe trece acelaşi
curent, rezistenţa electrică a braţului mai îngust este mai mare, deci, pe baza
legii lui Joule, căldura disipată este mai mare. De obicei se utilizează o
latură îngustă între trei laturi mai late. Se obţine astfel o “amplificare
termică”. Deoarece toate laturile se dilată proporţional cu temperatura lor,
într-o structură MEMS compusă dintr-o latură îngustă şi trei laturi mai late
se obţine o deplasare mecanică (latura îngustă se dilată mai mult şi împinge
laturile mai late). Structura va fi un actuator (transformă energia electrică
într-o energie mecanică). Structurile au ca material de bază un polimer,
deoarece se pot fabrica polimeri cu coeficienţi de dilatare foarte diferiţi.

89
 Fig. 7.9 Două braţe nesimetrice într-o structură MEMS dintr-un actuator termic

Termocuple
În microtehnologie este dificil de obţinut o structură din două
materiale diferite în plan, dar se poate realiza acest lucru pe verticală. Se
realizează o structură asemănătoare cu termocuplele macroscopice prin
depunerea a două materiale cu coeficienţi de dilatare foarte diferiţi. Datorită
dilatării diferite structura se îndoaie. Dacă stratul de dedesubt are coeficient
de dilatare mai mare la încălzire structura se va îndoi înspre partea
superioară. În acest fel se formează un actuator termic (dispozitivul
transformă energia termică în energie mecanică, iar în cazul în care căldura
rezultă prin efect Joule, prin trecerea unui curent electric prin cele două
straturi sau dacă acestea sunt încălzite de o structură ce degajă căldură,
rezultă un transformator electric – mecanic).

Fig. 7.10 Un cantilever dintr-un actuator termic

Actuatori electro-mecanici
Actuatorii electro-mecanici au părţi mobile ce se mişcă într-un câmp
electric creat între doi electrozi. Deşi definiţia este simplă structurile sunt de
obicei destul de complicate. Există MEMS-uri ce se bazează pe un
condensator în care au loc fenomene de tunelare, microcomutatoare bazate
pe fenomene electrostatice, micro-oglinzi bazate pe forţa electrostatică, etc.

90
 Fig. 7.11 Microcomutator bazat pe fenomene electrostatice

În cazul acestor accelerometre apare efectul de histerezis “pull-in/pull-out”

Actuatori interdigitali
Actuatorii interdigitali prezintă o mişcare laterală. O parte a acestor
actuatori este fixă, iar alta se poate mişca, cu excepţia zonei care este fixată
pe substrat, acţionând ca un resort. Avantajele acestui tip de structură sunt:
lipsa histerezisului, deplasare lineară, posibilitatea de calcul exactă a forţei
care se exercită între cele două părţi ale actuatorului şi posibilitatea măririi
acestei forţe prin mărirea numărului de „dinţi” ai structurii. Dezavantajul
este necesitatea unei tensiuni electrice mai mari, deoarece deplasarea se face
perpendicular pe direcţia câmpului electric (dezavantaj ce este contracarat
de distanţa mică între „dinţii” structurii).

Fig. 7.12 Structură de MEMS interdigitală

Acest tip de structură se foloseşte în marea majoritate a

microaccelerometrelor. Proiectarea unei astfel de structuri trebuie să aibă în
vedere dispunerea electrozilor (dispunere pe sensuri opuse), simetria cât mai
exactă (altfel deplasarea nu se mai face pe direcţia dorită) şi distanţa dintre
partea fixă şi cea mobilă astfel ca în timpul deplasării acestea să nu intre în
contact.

Microrezonatori
Sunt structuri ce înlocuiesc rezonatorii electrici din sistemele cu
filtre electronice, utilizate în telecomunicaţii. De exemplu sunt utilizaţi în
91
telefoane mobile, fiecare telefon având o frecvenţă de rezonanţă specifică.
Ca la majoritatea semnalelor electrice, există o serie de frecvenţe care
corespund semnalului, iar microrezonatorii sunt utilizaţi pentru a filtra
semnalul pentru a reţine numai frecvenţa caracteristică. Semnalul electric
este transformat într-un semnal mecanic, trecut prin filtrul cu rezonatori
micromecanici, apoi transformat din nou în semnal electric. Sistemele cu
rezonatoare includ atât stimulatori electrici cât şi electrozi de măsură.
Aceste structuri sunt în curs de cercetare. În fig. 7.13 se prezintă o
microfotografie a unei structuri rezonante. Semnalul electric este un semnal
variabil, de obicei sinusoidal. Amplitudinea de vibraţie depinde de cât de
apropiate sunt frecvenţa semnalului electric de frecvenţa proprie de oscilaţie
a structurii mecanice. La ieşire se obţine o tensiune electrică proporţională
cu mărimea deplasării mecanice. Fiind o structură în coincidenţă, orice
frecvenţă diferită de cea proprie de oscilaţie este eliminată. Microfotografia
prezintă microrezonatori vibrând în domeniul zecilor de MHz, frecvenţe ce
se consideră un domeniu intermediar de frecvenţe (frecvenţe mici faţă de
cele din domeniul telecomunicaţiilor). Pentru a obţine astfel de frecvenţe
distanţa dintre partea mobilă şi cea fixă este de ordinul 50 nm.

Fig. 7.13 Microrezonator produs de firma IEMN Silicon Microsystem Group

Structurile MEMS devin de o complexitate deosebită, mai ales în structuri de

volum (3D), aşa cum se vede în fig. 7.14.

Fig. 7.14 Structuri MEMS 3D

92
Senzori pe bază de MEMS utilizaţi în biochimie
În medicină, în tehnologia alimentelor şi în studiul mediului
înconjurător sunt necesari senzori de dimensiuni mici, portabili şi care să
aibă sensibilitate ridicată la anumite substanţe specifice celulelor animale şi
vegetale, dar şi altor substanţe care pot fi dăunătoare corpului uman.
Cercetările în acest domeniu sunt în plină dezvoltare, în paralel cu
descoperirea a unor substanţe noi (sau descoperite în prezent) care au
influenţe asupra mediului înconjurător şi asupra metabolismului.
Măsurătorile clasice implică analize lungi şi scumpe (tehnici
cromatografice, microscopie). Structurile de tip MEMS permit realizarea de
senzori miniaturizaţi, cu viteze ridicate de răspuns şi posibilitatea de a fi
conectaţi la circuite electronice care simplifică măsurătorile. Ceea ce trebuie
optimizat la aceşti senzori este sensibilitatea şi selectivitatea la anumite
substanţe.
Senzorii MEMS utilizaţi pentru detectarea substanţelor chimice sau
biologice sunt formaţi dintr-un detector MEMS şi un circuit integrat în
tehnologia CMOS. Detectorul MEMS are un strat traducător care
interacţionează cu substanţa chimică printr-un fenomen de adsorbţie,
transfer de sarcini, reacţie chimică, etc. şi un sistem care detectează acest
fenomen prin variaţia masei, volumului, proprietăţilor optice, etc.
Fenomenele enumerate trebuie să fie reversibile şi să poată fi traduse într-un
semnal electric (variaţia frecvenţei, amplitudinea curentului sau tensiunii
electrice sau a rezistenţei). Stratul traductor folosit este de tip organic sau
anorganic, de exemplu SnO2 pentru detectarea gazelor reducătoare ca
hidrogen, monoxid de carbon, oxizi de azot. Straturi de ZrO2 sunt utilizate
pentru detectarea oxigenului, oxid de azot, amoniac. Straturile organice ca
polisiloxan, poliuretan, polianilina sunt utilizate pentru monitorizarea
hidrocarburilor, compuşi halogenaţi şi alţi compuşi volatili organici.

1) Senzori chemo-mecanici
Sistemul de detecţie se bazează pe acumularea substanţei de detectat
pe stratul senzitiv. Există şi senzori bazaţi în majoritate pe caracteristicile
polimerilor de a-şi modifica parametrii mecanici în contact cu substanţa de
detectat (modulul de elasticitate, densitatea, vâscozitatea). Variaţia masei
poate fi apoi monitorizată prin măsurători statice ale stresului mecanic sau
prin măsurarea frecvenţei de rezonanţă a unei structuri care poate vibra
(specific pentru MEMS). În această structură se transformă mişcarea
membranei de siliciu în variaţia unei capacităţi electrice.
Un alt tip de dispozitiv este senzorul FPW (Flexural-Plate-Wave). Acesta
este o structură interdigitală de tip MEMS, realizată pe siliciu al cărui
element vibrator este o membrană de grosime foarte mică (2…3 m).

93
Stratul senzitiv este depus pe această structură, care este un strat foarte
subţire (corodat) de siliciu. O astfel de structură permite obţinerea unor unde
de frecvenţă joasă (3…10 MHz). Viteza undei depinde de grosimea
membranei, deci este sensibilă la orice depunere suplimentară de substanţă.
Etapele tehnologice de realizare a dispozitivului sunt:
1) depunerea aluminiului şi a nitrurii de siliciului (prin tehnologia
LPCVD –Liquid Phase Chemical Vacuum Deposition)
2) corodarea siliciului la partea sa inferioară pentru obţinerea unui strat
subţire ce poate vibra
3) depunerea oxidului de zinc (strat piezoelectric, ce transformă stresul
mecanic în tensiune electrică)
4) depunerea aluminiului pentru contacte
5) depunerea stratului adsorbant (traducător) prin tehnologia sol-gel.

Fig. 7.15 Senzori chemo-mecanici

Structurile prezentate au avantajul de a fi realizate pe siliciu, pe care se pot

obţine matrici de astfel de dispozitive sau combinate cu alţi senzori, de
asemenea se realizează şi circuitul de condiţionare şi amplificare a
semnalului dat de senzor.

2) Senzori termici
Senzorii termici (sau calorimetrici) se bazează pe schimbarea entalpiei la
depunerea unei substanţe care se detectează. Orice reacţie chimică implică o
cedare sau absorbţie de căldură. Aceasta duce la o variaţie de temperatură,
cu atât mai pronunţată cu cât căldura este preluată de dispozitiv şi nu
disipată în mediul exterior. Rezultă că pentru mărirea sensibilităţii
dispozitivului este necesar ca dispozitivul să fie izolat termic. Variaţia
temperaturii se transformă în curent electric. Există două tipuri de senzori
termici: senzori catalitici – pelistoare şi senzori termici cu efect Seebeck.
Senzorul catalitic foloseşte un termometru rezistiv integrat pe
detector: în realizarea microtehnologică, se obţine pe o membrană de siliciu
un strat de paladiu sau platină care prin oxidare cedează căldură şi un
rezistor de platină prin care trece un curent electric. Acesta încălzeşte stratul
de platină pentru a permite oxidarea catalitică. Temperatura de oxidare

94
depinde de mediul oxidant (ce trebuie detectat). Aceasta este apoi măsurată
prin variaţia unui curent electric ce trece prin alt conductor de platină.

Fig. 7.16 Senzori termici MEMS

Senzorul termic cu efect Seebeck se bazează pe obţinerea unei

tensiuni electromotoare când două joncţiuni formate fiecare din două
semiconductoare / metale se pun una într-o zonă caldă (datorată în acest caz
fenomenelor electrochimice care au loc cu substanţa de măsurat) şi una
într-o zonă rece, ţinută la o temperatură constantă. Tensiunea electrică
rezultată este o măsură a căldurii rezultată prin fenomenul electrochimic. În
fig. 7.17 se prezintă integrarea unui dispozitiv de detecţie bazat pe efectul
Seebeck pe siliciu, pe care se pot integra apoi dispozitivele electrice de tip
CMOS, incluse într-un circuit electric de procesare a semnalului. Joncţiunea
rece se pune pe substratul de siliciu, care are temperatura ambientală, iar
joncţiunea caldă este pusă pe o membrană izolată peste care există un
polimer în care au loc fenomenele chemotermice. Aceste dispozitive se
utilizează la detectarea diferitelor substanţe organice volatile, determinarea
glucozei, ureeii, penicilinei în fază lichidă, folosind enzime corespunzătoare.

Fig. 7.17 Senzor termic MEMS bazat pe efect Seebeck

7.3 Structuri de tip MOEMS

Structurile MOEMS (Micro–Opto-Electro-Mechanical Systems)
sunt sisteme planare multistrat, monolitice, de dimensiuni mici, care pot
realiza funcţii optice, electrice şi mecanice cuplate. Structura multistrat

95
poate fi obţinută prin depuneri fizice sau chimice şi / sau difuzie, procese
fotolitografice şi metode de corodare pentru definirea lay-out. Pe lângă
structurile definite în tehnologia MEMS se utilizează şi ghiduri de undă,
obţinute prin depunerea straturilor dielectrice în care radiaţia optică poate fi
ghidată cu pierderi minime.
Prin utilizarea ghidurilor de undă, traseul luminii poate fi controlat
simplu, fără a fi necesare componente de volum (lentile, separatoare de
fascicole). În plus există posibilitatea influenţării caracteristicilor optice atât
pentru detecţie cât şi pentru procesarea semnalului. Ghidurile de undă sunt
formate din straturi de nitrură de siliciu (SiOxNy sau Si3N4) depuse între
două straturi de bioxid de siliciu, pe un substrat de siliciu. Prin ghidurile de
undă se propagă modurile TE (transversal electric) sau TM (transversal
magnetic) ale unei radiaţii optice care intră în ghid transversal pe placheta
de siliciu. Cuplarea sursei de radiaţie la ghidul de undă se poate face cu o
fibră optică. O fotodiodă poate fi cuplată la ghidul de undă prin îndepărtarea
bioxidului de siliciu pe zona de cuplaj. Fotodioda se realizează prin
tehnologia planară în siliciul de bază. Pentru realizarea senzorilor pe
structuri MOEMS se depune un strat de tip sol-gel pe o suprafaţă a ghidului
de undă unde a fost îndepărtat bioxidul de siliciu. Acest strat este un strat
traductor. Pentru obţinerea unui semnal etalon se realizează două ghiduri
cuplate la intrare: unul este utilizat ca referinţă (pentru determinarea puterii
optice incidente), iar pe celălalt ghid este depus stratul cu rol de traductor
chemo-optic. La fiecare ghid este cuplată o fotodiodă, pentru transformarea
semnalului optic în semnal electric.

Fig. 7.18 Ghid de undă pe siliciu cuplat la o fotodiodă planară

Tehnologia de realizare a structurilor MOEMS combină tehnologia de

realizare planară a fotodiodelor, tehnici din tehnologia LPCVD pentru
realizarea ghidurilor, tehnologie de tip “sol-gel” pentru realizarea straturilor
traductoare şi tehnologie CMOS pentru realizarea amplificatoarelor

96
transimpedanţă ale fotodiodelor. În fig. 7.18 se prezintă microfotografia
unui ghid de undă pe siliciu cuplat la o fotodiodă planară.

Fig. 7.19 Senzor de tip MOEMS absorptiv

Structurile MOEMS pentru senzori se realizează fie pe baza variaţiei

coeficientului de absorbţie cu concentraţia substanţei de detectat (senzor de
tip absorptiv), fig.7.19, fie pe baza variaţiei coeficientului de refracţie cu
concentraţia substanţei de detectat (senzor refractiv) – fig.7.20.
Avantajele acestui tip de senzori sunt: pot avea o largă aplicaţie în
determinări de concentraţii de gaze, poluanţi, surse industriale; senzorii
chemo - optici cu ghid de undă pe siliciu prezintă avantajele dispozitivelor
pe siliciu - funcţionare in timp real, cu timpi de întârziere relativ mici,
fiabilitate ridicată, dimensiuni mici, în comparaţie cu alţi senzori chimici
care sunt scumpi şi au o tehnologie nestandard, de fiabilitate redusă;
utilizarea plachetelor de siliciu ca substrat face posibilă integrarea
elementelor care îndeplinesc funcţii optice şi funcţii electrice, oferind
posibilitatea realizării sistemelor monolitice multisenzor.

Fig. 7.20 Senzor de tip MOEMS refractiv

7.4. Alte tipuri de senzori integraţi

Senzori electrochimici
Senzorii electrochimici sunt senzori de scară largă, utilizaţi industrial
de foarte mult timp. Schimbarea de ioni duce la schimbări în structura
dispozitivului. S-au realizat chemorezistoare cu polimeri pentru detecţia
substanţelor organice volatile, tranzistoare MOSFET cu metale de poartă de
paladiu, iridiu, platină, ce adsorb substanţele biochimice. Datorită
substanţelor adsorbite, tensiunea de deschidere a tranzistorului se modifică.
Există şi senzori cu tranzistoare cu efect de câmp care detectează substanţe

97
în fază lichidă – ISFET (Ion-Selective Fileld-Effect Transistor). Curentul
sursă – drenă este menţinut constant prin modularea potenţialului de poartă
Ug, care este mărimea măsurată ca mărime de ieşire a senzorului şi este o
măsură a substanţei biochimice. Structurile de tip ISFET pot încorpora
membrane selective ca poliuretan, polistiren, poliacrilaţi, care au ionofori
pentru a detecta ioni de potasiu, sodiu sau argint.

Fig. 7.21 Senzori electrochimici pe siliciu

Senzori capacitivi
Senzorii capacitivi, realizaţi de obicei ca structuri interdigitale pentru
mărirea suprafeţei de contact, a valorii capacităţii ce poate fi măsurată şi
deci a sensibilităţii, se măsoară la frecvenţe ce variază între câţiva kHz şi
câţiva MHz. Capacităţile utile sunt mici (1 pF) faţă de capacităţile parazite,
iar variaţia datorată substanţelor măsurate poate fi de sute de ori mai mică.
Cuplarea unor astfel de capacităţi prin fire este exclusă.

Fig. 7.22 Schema unui senzor bazat pe efecte capacitive integrat cu circuitul de măsură

De aceea se utilizează structuri integrate pe cip (acoperite cu polimer),

cu cipuri de referinţă (pasivate cu nitrură de siliciu), în punte, iar
preamplificatoarele şi sistemele de achiziţie de date sunt puse pe acelaşi cip.
S-au realizat în această tehnologie senzori pentru determinarea concentraţiei
de glucoză şi apă oxigenată la care mărimea electrică măsurată este un
curent proporţional cu concentraţia substanţei de măsurat.

98
8. DISPOZITIVE CU CUPLAJ PE SARCINĂ (CCD -
Charge Coupled Devices)

Dispozitivele CCD sunt registre de deplasare, la care semnalul este

stocat sub formă de sarcină în capacităţi MOS şi trece de la o unitate la alta
la semnalul dat de un ceas (clock). Acest tip de dispozitive pot fi utilizate ca
memorii sau pentru întârzierea unui semnal analogic. La ora actuală se
folosesc aproape în totalitate ca detectoare şi pentru stocarea imaginii
optice. Se consideră că un CCD este o arie de senzori optici, ceea ce este
adevărat doar prin aplicaţiile actuale. Aceste dispozitive sunt utilizate în
fotografia digitală, spectroscopie UV şi în astronomie.

Fig. 8.1 Un dispozitiv CCD ca detector de imagine

CCD-ul a fost descoperit în 1969 de Williard Boyle şi George E.

Smith la Bell Laboratories., pe când lucrau la telefonul cu imagine şi la
memoria pe bază de bule. Astfel au proiectat un dispozitiv la care sarcina
putea fi transferată de la un capacitor la altul. Sarcina provenea prin efect
fotoelectric. Astfel au apărut primele dispozitive pe care se pot crea imagini
electronice. La firma Fairchild Semiconductor s-a creat primul dispozitiv
comercial în 1974, care avea un dispozitiv linear de 500 de elemente şi un
dispozitiv 2 D cu 100 x 100 pixeli. Firma Sony crează o linie largă
comercială pentru realizarea de CCD-uri.
Principiul de funcţionare Un dispozitiv CCD are o zonă activă optic şi un
registru de deplasare CCD. Imaginea optică este proiectată pe aria de
capacitoare sensibile la lumină, astfel încât fiecare condensator se încarcă cu
o sarcină proporţională cu intensitatea luminii în zona respectivă. O matrice
lineară captează doar o linie din imagine (dispozitiv folosit în camerele de
scanare linie cu linie). O matrice bidimensională poate capta întreaga
imagine sau o porţiune a ei (dispozitiv utilizat în camerele video). O dată
captată imaginea, un circuit de control transferă sarcina din fiecare capacitor
99
la cel alăturat. Ultimul capacitor transferă sarcina într-un amplificator de
sarcină, care transformă sarcina într-o tensiune. Acest proces se repetă
pentru fiecare sarcină (captată pe fiecare pixel) rezultând o succesiune de
tensiuni, care sunt apoi digitalizate şi stocate într-o memorie. În fig. 8.2 se
prezintă o matrice bidimensională, în care sarcina pe coloane este transferată
sincron, până la registrul de deplasare, unde se deplasează serial până la
amplificatorul de sarcină.

Fig. 8.2 Principiul de funcţionare al CCD

Imaginile astfel prelucrate pot fi transferate la o imprimantă, dispozitiv de

stocare sau display video.

Fig. 8.3 O matrice CCD liniară dintr-un dispozitiv fax.

Avantajele dispozitivelor CCD:

- sensibilitate ridicată la semnalul optic, fără a scădea viteza de
prelucrare a datelor, astfel încât se pot determina nivele foarte
scăzute de radiaţie
- raport semnal/zgomot ridicat; aceasta permite un contrast ridicat
- uniformitate bună a matricii, pe toţi pixelii
- posibilitatea de control electronic al transformării semnalului optic
în cel electric.

Tehnologia dispozitivelor CCD Regiunea fotoactivă este un strat epitaxial

dopat p. Pentru transferul sarcinii între structurile dispozitivului se
implantează un strat îngropat de tip n+. Dielectricul capacitoarelor este

100
bioxid de siliciu, crescut peste stratul epitaxial. Porţile capacitoarelor sunt
din polisiliciu, depuse prin CVD (Chemical Vapour Deposition) şi sunt
corodate prin fotolitografie pe direcţii perpendiculare pe canalele de
transport de sarcină. Pe direcţia transportului de sarcină sunt crescute termic
straturi de oxid care izolează coloanele între ele. Pentru fiecare impuls
aplicat, diodele dintre stratul îngropat (de tip n) şi stratul epitaxial trec din
starea de blocare în starea de conducţie şi invers. Când diodele se deschid
sarcinile dintr-un pixel al CCD-ului trec în următorul.
Arhitectura dispozitivelor CCD Dispozitivele CCD pot fi de mai multe
tipuri, în funcţie de cerinţele utilizatorului: CCD de tip „full frame”, „frame
transfer” şi „interline”.
Dispozitivele de tip „full frame” sunt dispozitive la care întreaga
imagine este activă şi este necesar ca dispozitivul să fie acoperit mecanic (să
existe un obturator) în timp ce imaginea este citită, altfel apare o „mânjire” a
imaginii.
Dispozitivele de tip „frame transfer” au acoperită jumătate din aria
CCD cu o mască opacă, de obicei din aluminiu. Semnalul este trecut rapid
din aria activă optic în cea obturată (regiunea de stocare). În timp ce
semnalul din regiunea de stocare este citit mai lent, o nouă imagine poate fi
preluată de zona activă. Au fost utilizate pe scară largă ca primele aparate
fotografice şi camere video cu dispozitive fotoelectrice. Dezavantajul lor
constă în utilizarea unei arii duble de siliciu faţă de cea activă optic.
Dispozitivele de tip „interline” sunt concepute astfel încât fiecare
coloană activă este alăturată unei coloane opace. În acest fel nu este necesar
decât un pixel pentru deplasarea semnalului de la zona activă la cea de
stocare, deplasare ce se poate face rapid (sub 1 s) şi mânjirea imaginii este
aproape inexistentă. Există însă şi dezavantaje: datorită benzilor opace
factorul de umplere devine de 50 % şi scade eficienţa cuantică la jumătate.
În aparatele moderne acest inconvenient este eliminat prin adăugarea de
microlentile care aduc radiaţia ce ar cădea pe zonele opace pe zonele active.
Factorul de umplere poate ajunge astfel la 90 %.

101
102
PARTEA A III-A

APLICAŢII

103
104
9. UTILIZAREA AMPLIFICATOARELOR
OPERAŢIONALE ÎN CIRCUITELE ELECTRONICE

Alimentarea amplificatorului operaţional se face de obicei de la o

sursă dublă de tensiune de +/- 5 V (sau în domeniul 5 – 15 V, +/-12 V fiind
de asemenea o tensiune larg utilizată). Consumul de curent de la sursă este:
ICC are valori de 2 - 10 mA. Amplificarea unui amplificator operaţional (în
buclă deschisă, deci fără rezistenţe de reacţie) Au are valori cuprinse între
20000 şi 200000; rezistenţa de intrare rin>100 k şi cea de ieşire rout<200 ,
parametrii care caracterizează calităţile de amplificare. În aplicaţii se alege
amplificatorul operaţional în funcţie de cerinţele schemei în raport cu aceşti
parametrii (mai există un număr mare de parametrii, bandă de frecvenţă,
rejecţia pe mod comun, pe baza cărora se alege amplificatorul operaţional
din schemă).
Amplificatorul operaţional are intrare diferenţială şi tensiunea la
ieşire este:
vout = Au(v+ – v-)
când semnalul se aplică la intrarea neinversoare, tensiunea la ieşire este:
vout = Au vin,
iar când semnalul se aplică la intrarea inversoare, la ieşire:
vout = – Au vin.
Amplificarea diferenţială, AVD variază în limite mari de la un
amplificator operaţional la altul şi ea depinde de regimul de funcţionare, în
special de temperatura de lucru, datorită dependenţei puternice de
temperatură a factorului de amplificare în curent al tranzistoarelor care
compun amplificatorul operaţional. Pentru îmbunătăţirea stabilităţii
circuitelor de amplificare cu amplificator operaţional se foloseşte reacţia
negativă. În figura 9.1 este reprezentată schema amplificatorului neinversor
cu amplificator operaţional. De la ieşirea amplificatorului operaţional se
culege tensiunea pentru reacţia negativă, care se aplică la intrarea inversoare
a amplificatorului operaţional.

Fig. 9.1 Amplificator operaţional în schemă neinversoare cu reacţie negativă

105
 Amplificarea se determină pe baza schemei din fig. 9.1. În acest
scop, se consideră că rezistenţa de sarcină RS >> rout, rin >> R1 şi R2 >>rout,
condiţii care sunt îndeplinite de toate amplificatoarele operaţionale.
Tensiunea de reacţie este:
R1
u r  u out  u out 
R1  R 2
Tensiunea de ieşire se determină din diferenţa tensiunilor la intrarea
amplificatorului operaţional astfel:
u out  A u u int  u r   A u u int  u out 
Amplificarea schemei de amplificator neinversor cu reacţie negativă
rezultă:
u Au
A ur  out 
u in 1  A u 
Datorită faptului că la amplificatoarele operaţionale Au este foarte
mare, pentru Au se obţine:
1 R R 2 R
A ur   1  1 2
 R1 R1
Această relaţie se calculează în practică, presupunând că, pentru a
obţine o tensiune finită la ieşire pentru o amplificare infinită, tensiunea pe
cele două intrări (inversoare şi neinversoare) sunt egale, iar curentul care
intră în amplificatorul operaţional este nul. Deci tensiunea de ieşire este
tensiunea ce cade pe rezistenţele R1+R2, iar cea de intrare pe rezistenţa R1,
în condiţiile în care pe cele două rezistenţe trece acelaşi curent.
În cazul în care R1  şi R2=0, amplificatorul neinversor devine un
buffer, adică un element tampon între două etaje, având impedanţă de
intrare foarte mare, impedanţă de ieşire foarte scăzută şi amplificare unitară.

Fig. 9.2 Amplificator operaţional în schemă “buffer”

Amplificator în schemă inversoare

Pentru determinarea parametrilor de amplificare, se consideră, ca şi
în cazul amplificatorului neinversor, că sunt satisfăcute condiţiile: RS >> rout,
rin >> R1, rout << R2, condiţii care sunt realizate în mod obişnuit în cazul

106
amplificatorului operaţional. Calculând amplificarea ca şi în cazul
amplificatorului neinversor, rezultă:
v R
A ur  out   2
vin R1

Fig. 9.3 Amplificator în schemă inversoare

Semnul minus arată că polaritatea semnalelor la intrare şi ieşire este diferită,

ele fiind în opoziţie de fază, motiv pentru care montajul este inversor.

Amplificator sumator
Amplificatorul sumator este utilizat pentru a obţine o tensiune egală
cu suma ponderată a tensiunilor din mai multe etaje (fig. 9.4):
V V V 
Vout   R f  1  2  ....  n 
 R1 R 2 Rn 

Fig. 9.4 Amplificator sumator

107
10. SISTEME DE ACHIZIŢIE ŞI GESTIONARE A
DATELOR

10.1 Sisteme realizate cu microprocesor

Un sistem de achiziţie de date, realizat cu microprocesoare, trebuie
să conţină o unitate centrală construită în jurul unui microprocesor şi o serie
de dispozitive periferice specifice aplicaţiei respective. Unitatea centrală
trebuie să conţină un microprocesor, ales în funcţie de cerinţele de procesare
impuse şi cele câteva componente esenţiale pentru buna funcţionare a
procesorului, precum şi un generator de ceas, buffere, multiplexoare pentru
magistrala de date şi/sau adrese. Echipamentele periferice ce se conectează
la unitatea centrală trebuie să corespundă aplicaţiei în cauză. Aceste
dispozitive sunt văzute de către procesor ca nişte porturi de date.

AI Eşantionare şi memorare Date

M CAD
C Display
U
X
Comanda E/M Comunicaţie

Traductoare Condiţionare Comanda amplificare

semnal
CPU
INTRĂRI ANALOGICE
Vout DAC Memorie
DATE

PORT
Ieşiri digitale OUT

PORT
Intrări digitale IN

CTC
Semnale trimer

Fig. 10.1 Structura tipică a unui sistem de achiziţii de date

108
10.2 Sisteme de achiziţie de date realizate cu microcontroler
Cu ajutorul unui microcontroler se poate realiza relativ uşor un
sistem de achiziţii de date. Marele avantaj al acestor circuite constă în faptul
că ele înregistrează o serie de periferice, astfel încât putem spune că se poate
realiza un “one chip system”, adică un sistem cu un singur circuit. O
structură minimală, realizată cu microcontrolerele 8051 sau 80552 trebuie să
conţină pe lângă microcontroler doar memoria de program înpreună cu
latch-ul necesar acesteia, sursele de alimentare şi eventual referinţa de
tensiune pentru convertorul analog / digital (în cazul lui 80552). Sigur că
această structură este destul de limitată din punct de vedere al posibilităţilor
de prelucrare a datelor în special din cauza memoriei de date foarte mici
(256 octeţi).

8 canale CAD
RAM Date PORT0 analogice
(memorie Adrese
de date)
64 ko Porturi I/O
PORT5 Afişor
ROM LCD
(memorie Interfaţa 12C
program)
64 ko
µC
Osc1 SDA EEPROM Auxiliare
OSCILATOR Osc2 SCL

Referinţă Ref+ RxD

RS232
tensiune Ref- Către alt
TxD dispozitiv
PC,…
Interfaţă
serială

Fig. 10.2 Schema bloc tipică a unui sistem de achiziţii de date realizat cu
microcontrolerul 80C552

O structură extinsă presupune adăugarea a două memorii, una pentru date şi

una pentru program. Dacă sistemul necesită şi una sau două ieşiri analogice
se pot utiliza ieşirile de impulsuri modulate în durată, urmate de un
integrator de tensiune, ce va avea şi rolul scalării tensiunii în intervalul dorit.
Cel mai mare avantaj al microcontrolerului 80C552 este că acesta integrează
un convertor analog digital pe 10 biţi, precum şi un multiplexor analog cu 8
canale.
Plăcile de test pot utiliza un artificiu ce uşurează foarte mult punerea
în funcţiune şi depanarea programului de aplicaţie. O memorie RAM este
conectată astfel încât să fie scrisă ca memorie de date şi citită ca memorie
109
program. Această memorie este situată în spaţiul superior al adreselor. În
acest mod programul poate fi realizat şi compilat (sau asamblat) utilizând un
calculator PC, fiind apoi transferat prin intermediul interfeţei seriale către
modulul de achiziţie de date, realizat cu microcontroler.

110
11. APLICAŢII ALE DISPOZITIVELOR MEMS

Aplicaţiile MEMS (unele sunt deja realizate, altele sunt în curs de studiu):
- Pompe pentru capetele de printare (fig. 11.1.a)
- Accelorometre pentru activarea air-bagurilor (fig. 11.1 b)
- Senzori de presiune (fig. 11.1.c)
- Senzori chimici, utilizaţi mai ales în medicină. Moleculele se
ataşează pe o latură a unui MEMS, schimbând frecvenţa de oscilaţie,
ce poate fi măsurată
- Displayuri electronice, bazate pe arii de micro-oglinzi
- Sisteme de achiziţie de date, bazate pe microscoape STM (Scanning
Tunneling Microscopes). Se formează o matrice de MEMS pe care
se depun date cu ajutorul unei probe microscopice care baleiează
matricea. Se aşteaptă a se obţine o capacitate de câţiva gigabyte
- Senzorii pentru controlul aerodinamic sunt plasaţi pe aripile
avioanelor. Senzorii detectează acceleraţia şi direcţia avioanelor
- Relee MEMS de radio-frecvenţă, sunt incluse în sistemele sateliţilor
- Senzori şi transmiţători MEMS incluse în sisteme de geo-locaţie

Fig 11.1 Exemple de aplicaţii cu dispozitive MEMS: a) Printer head unit produs de
SeaInkjet; b) accelerometru Analog Devices; c) senzor de presiune Accutire; d) senzor de
gaz Motorola; e) matrice de senzori IR de 100 de pixeli

MEMS-urile din giroscoapele moderne se integrează cu sistemul

electronic, de obicei în tehnologia CMOS pentru creşterea fiabilităţii,
scăderea costului şi micşorarea dispozitivului în ansamblu. Firma Silicon

111
Sensing produce giroscoape ce se pot cupla pe aripile unui avion, sunt
integrate în sistemele de control şi siguranţă ale maşinilor – se detectează
pierderea controlului şi se blochează roţile, sau chiar în maşini agricole.
Există mai multe firme (Honeywell, Analog Device, etc.) care
produc accelerometre formate dintr-un cip pe care sunt integrate MEMS-uri,
amplificatoare, circuite de detecţie a pragului, etc. Accelerometrele se
utilizează şi în ghidarea navigaţiei, prin cuplarea cu datele obţinute cu GPS.
Astfel precizia de detecţie a GPS-urilor este de câţiva metrii, iar cuplând
datele de la GPS cu datele de direcţie şi acceleraţie obţinute cu
accelerometrele se măreşte precizia detectării poziţiei navei. În industrie,
accelerometrele se utilizează la detectarea vibraţiilor emise de subansamble,
iar la detectarea unei vibraţii care este în afara intervalului permis se
întrerupe funcţionarea aparaturii, prevenind distrugerea.
Microgiroscoapele au apărut pe piaţă mai târziu decât accelerometrele.
Sensibilitatea lor este încă scăzută şi face obiectul a numeroase studii.

Fig. 11.2 Microaccelerometre, din seria ADXL, produse de firma Analig Device care
detectează acceleraţia pe două direcţii din plan

Trei caracteristici trebuie avute în vedere la un accelerometru:

domeniul de amplitudini, domeniul de frecvenţe şi domeniul de temperaturi
de funcţionare. Amplitudinea se măsoară proporţional cu acceleraţia
gravitaţională g (se dau ca unităţi număr de g). Trebuie luate în considerare
maximul vibraţiilor şi şocurilor din mediul exterior.
La ieşire accelerometrul poate afişa o tensiune electrică, un curent
electric sau o frecvenţă a unui semnal purtător. Semnalele pot fi cuplate
serial sau paralel la un microcontroler sau computer. Există şi opţiunea
acţionării unui comutator sau a unei alarme la depăşirea unui prag critic.

112
 Deoarece un accelerometru este în mişcare împreună cu un obiect,
asamblarea sa la acel obiect este foarte importantă. Realizând accelerometre
pe bază de MEMS, microminiaturale, acestea pot fi cuplate uşor la orice
obiect în mişcare sau chiar incluse în structura mecanică sau electrică a
acestuia.
Structura de bază a unui accelerator MEMS este un ”cantilever” (aşa
cum a fost definit în capitolul 7), care este fixat la un capăt şi se poate mişca
dacă este acţionat cu o forţă F. El reacţionează ca un resort, deplasându-se
pe o distanţă x, proporţională cu forţa. Constanta de proporţionalitate
depinde de parametrii materialului din care este realizat cantileverul
(modulul de elasticitate, momentul de inerţie). Măsurarea deplasării se poate
efectua optic, capacitiv sau piezorezistiv. De obicei accelerometrele folosesc
fenomenul capacitiv. În figurile următoare se prezintă accelerometre în care
principiul de detectare a mişcării este capacitiv. De obicei se folosesc mai
multe structuri în paralel (electrozii sunt comuni pentru toate structurile).
Semnalul rezultat (capacitiv) este cu atât mai mare cu cât sunt mai multe
structuri (vezi fig.11.3 b)

Fig. 11.3 Accelerometre MEMS cu un singur condensator a)

şi cu mai multe condensatoare b)

Măsurarea capacităţii se poate face cu un circuit integrat cu o structură ca

cea dată în fig.11.4. Circuitul este de tip CMOS. Accelerometrele se
folosesc pe scară largă pentru deschiderea air-bagurilor. În acest caz se
detectează atingerea unui anumit prag pentru acceleraţie, moment în care un
releu determină deschiderea air-bagului. Există accelerometre care
determină acceleraţia pe cele trei direcţii perpendiculare. În acest caz
sistemele electronice trebuie să detecteze şi să amplifice semnalele pe cele
trei direcţii.

113
Fig. 11.4 Circuitul integrat de măsurare a capacităţii la accelerometrul MEMS a) Structura;
b) lay-outul
În tabelul de mai jos se dau comparativ parametrii ai trei tipuri de
accelerometre, produse de firmele Analog Devices, Sensotec şi Entran.

Structura circuitului anexat MEMs-ului de măsurare a acceleraţiei

din dispozitivul produs de Analog Devices (circuit integrat cu MEMS-ul)
conţine un amplificator, un demodulator şi un buffer pentru creşterea
raportului semnal / zgomot (fig.11.5).

Fig.11.5 Structura condiţionatorului de semnal pentru un accelerometru MEMS

114
Există accelerometre ce au alte principii de
determinare a forţei aplicate. Unul din sisteme este
cel cu elemente piezorezistive (piezoresistive
strain gauge).
Alăturat se dă ca exemplu un monitor de vibraţie
VS2, realizat de firma Electro-Sensor. Se
utilizează ca detector de vibraţii pe maşini
industriale pentru determinarea vibraţiilor maxime
la care acestea pot fi supuse fără a fi distruse.
Fig. 11.6 Monitor de vibraţii
produs de firma Electro-Sensor

Sisteme cu senzori MEMS pe bază de piezoelectrici

Senzorii MEMS pe bază de piezoelectrici se utilizează pentru alertă
teroristă, pentru agenţi chimici (agenţi neurotoxici) şi alţi senzori de gaze.
Există senzori cu piezoelectrici QCM (Quartz Micro Balance) ce oscilează
la frecvenţe relativ joase (5 MHz), senzorii SAW (Surface Acoustic Wave)
care oscilează la frecvenţe înalte (100 MHz), piezoelectrici cu cantilever pe
siliciu, utilizaţi la spectrometria pe baze atomice. Detecţia substanţei din
mediul înconjurător se face pe baza fenomenului de adsorbţie, care duce
(prin schimbarea masei elementului care vibrează) la o schimbare a
frecvenţei proprii de oscilaţie. Principiile de funcţionare ale unor senzori de
tip SAW au fost stabilite încă din 1979, dar utilizarea lor implică procese
tehnologice şi circuite electronice complexe. Avantajele utilizării
dispozitivelor cu piezoelectrici constau în factori de pierdere mici,
posibilităţi variate de realizare, reproductibilitate şi posibilităţi numeroase
de caracterizare. Ca senzori de gaze pot avea selectivitate ridicată prin
includerea în structura traductoare a polimerilor chemo-selectivi. Faţă de
alte tipuri de senzori de tip MEMS, senzorii care includ şi straturi
piezorezistive au avantajul că sunt şi traductori mecano-electrici, nemaifiind
nevoie de alţi traductori (ca cei capacitivi, sau cu senzori optici). Aceasta
duce la creşterea sensibilităţii senzorului (se pot detecta unităţi de masă de
ordinul femtogramului), la miniaturizarea sa şi posibilitatea de a fi inclus
într-un sistem portabil, datorită consumului mic de putere.
Primele structuri MEMS cu piezoelectric au fost realizate în 2002.
Stratul piezoelectric a fost titanat de zirconiu. În acelaşi an a fost raportată şi
o structură utilizată pentru microscopia cu forţă atomică (AFM - Atomic
Force Microscopy). S-au obţinut senzori cu sensibilitatea de 10-11–10-12
g/Hz la detecţia vaporilor de trinitrotoluen. Sensibilitatea a fost
crescută la 10-13g/Hz odată cu obţinerea structurilor piezoelectrice pe

115
nitrură de siliciu. Acestea au fost utilizate ca senzori biologici pentru
detectarea proteinelor.
Senzorii oscilează pe o frecvenţă proprie, care se schimbă cu un
procent foarte mic la adăugarea masei din substanţa adsorbită. Pentru
măsurarea unei frecvenţe cu multe ordine mai mici decât frecvenţa de
oscilaţie se utilizează o schemă ce include două circuite detectoare de fază,
unul de măsură, ce include senzorul FPW (vezi cap. 7) şi unul de referinţă,
semnalele celor două circuite fiind apoi comparate într-un microcontroler.
Se măsoară un senzor de referinţă, pentru a determina frecvenţa proprie de
oscilaţie. Pentru senzorul de măsură se include în circuit un schimbător de
fază, pentru a obţine noua frecvenţă de oscilaţie. Semnalul de pe fiecare
senzor este amplificat, trecut printr-un filtru “trece jos” şi apoi trimis la
microcontroler (fig.11.7).

Fig. 11.7 Schema generală de măsură cu senzor FPW

Indiferent de soluţia adoptată, funcţionarea unui senzor piezoelectric implică

utilizarea unui oscilator local de frecvenţă înaltă şi cu posibilităţi de reglare
a frecvenţei şi fazei. Oscilatorul trebuie să realizeze următoarele cerinţe: să
fie stabil şi linear la rezonanţă; să poată compensa variaţiile semnalului dat
de senzor prin variaţii de fază; să aibă zgomot propriu cât mai mic.
Amplificatoarele utilizate trebuie să aibă bandă de frecvenţă şi linearitate
ridicate, dar offset, curent de alimentare şi zgomot propriu reduse.
Un sistem cu senzor biochimic piezoelectric, la care datele sunt stocate
într-un microcontroler, va conţine următoarele subansamble (fig. 11.8):
- Senzor;
- Oscilatoare locale de frecvenţă înaltă;
- RF tunere pentru oscilatoare;
- Sursa de alimentare;
- Sistemul de achiziţie de date, incluzând microcontrolerul cuplat la
computer.

116
 Fig. 11.8 Configuraţia blocului de condiţionare a semnalului

Microcontrolerul va funcţiona sincron cu oscilatoarele, fiind cuplat

la acestea. Datele generate vor fi stocate în memoria auxiliară pe durata
măsurătorilor, după care vor fi transmise serial către computer, unde vor fi
gestionate şi prelucrate cu un software dedicat.
Senzori piezoelectrici s-au obţinut şi în variantă comercială, astfel
încât agenţii guvernamentale intenţionează să le utilizeze în clădiri oficiale,
metrouri, şcoli, pentru prevenirea atacurilor teroriste.

Fig. 11.9 Micro-cantilever cu substrat piezorezistiv ce detectează o singură particulă de

vaccin

Pe de altă parte s-au realizat senzori pentru substanţe biologice, cu

sensibilitate ridicată (vezi fig.11.9). Acestea au posibilitatea detectării
anumitor proteine in-situ (de exemplu antigen specific pentru prostată –
PSA).

117
12. SISTEM DE MONITORIZARE ÎN TIMP REAL A
POLUĂRII AERULUI

Procesul de monitorizare a poluării aerului este o cerinţă impetuoasă

în zonele industriale. Nivelele de poluare au variaţii rapide ceea ce impune
utilizarea sistemelor de măsură în timp real cu sensibilitate ridicată. De
asemenea se impune funcţionarea în condiţii severe şi utilizarea surselor
proprii de energie. Toate dispozitivele din sistem trebuie să aibă consum
mic de putere (inclusiv senzorii), ceea ce face dificilă utilizarea unor senzori
încălziţi la temperaturi ridicate, cum sunt senzorii cu SnO2.
Cerinţele monitorizării poluării aerului Studiind tabelul de mai jos, în care
sunt daţi principalii poluanţi ai aerului, rezultă că există foarte multe tipuri
de gaze (reducătoare, oxidante, inerte chimic, etc.) şi cu concentraţii pe o
plajă largă. Deşi unii poluanţi au concentraţii mici (plumbul de exemplu) ei
trebuie monitorizaţi pentru că sunt foarte toxici. Rezultă că trebuie să
includem în sistem mulţi senzori foarte sensibili şi selectivi.
Sistemul clasic de monitorizare (încă în funcţiune) utilizează
prelevarea de probe şi transportarea lor la un spectrometru sensibil, selectiv
şi foarte precis. Cu toate aceste caracteristici, acest tip de monitorizare nu
este util în multe cazuri, deoarece poluarea poate creşte rapid între
măsurători, acest fapt neputând fi detectat. Este de preferat să se scadă
precizia măsurătorilor, dar să se poată efectua multe măsurători în timp real.
Concentraţiile uzuale pentru principalii poluanţi ai aerului
Poluant Domeniul uzual de concentraţii
(mg/m3)
NO2 0.1 – 0.4
HCl 0.1 – 0.3
CH4 0.1 – 0.9
SO2 0.2 – 0.75
O3 10-4
-3
Cr 2 x 10
-6
Pb 10
NH3 0.1 – 0.3
Mn 10-2
CO 2. – 6.
Fl 10 – 1.5 10-2
-3

Cd 10-8 - 10-7

118
 Costul sistemului este în majoritatea cazurilor o altă problemă ce
trebuie pusă la alegerea sistemului de monitorizare.
Cerinţele enumerate sunt contradictorii: un spectrometru este
precis, selectiv şi sensibil, dar are timp de răspuns mare şi este foarte
costisitor. Dacă includem mulţi senzori în sistem, consumul de putere creşte
şi obţinerea unei surse autonome de energie este dificilă. De asemenea cresc
şi costurile. Anumiţi senzori (senzorii electrochimici de exemplu) sunt
sensibili şi selectivi, dar trebuie înlocuiţi des (o dată la 6 luni / 1 an).
Proiectarea unui sistem cu senzori de tip MOEMS poate îndeplini o
bună parte din cerinţele unui sistem de monitorizare a poluării aerului:
senzorii MOEMS sunt microminiaturizaţi, deci ocupă spaţiu mic, sunt uşori,
mobili, consumă putere scăzută. Timpii de răspuns mici şi integrarea cu
circuitele de condiţionare şi amplificare, posibilitatea de cuplare la
microcontroler sau computer sunt alte avantaje ale acestor senzori. Trebuie
însă subliniat că acest tip de senzor este foarte nou (încă în cercetare).
Configuraţia hardware este dată în fig. 12.1. Modulul 1 include o
sursă de radiaţie monocromatică (o diodă în infraroşu - IRED de intensitate
ridicată) şi generatorul ce o alimentează. Sursa funcţionează în pulsuri mari
cu amplitudinea de 400 mA, pentru a compensa puterea mică ce ajunge pe
fotodiodele cuplate la ghid. Măsurarea fotocurenţilor, respectiv a semnalelor
proporţionale cu aceşti curenţi se face sincron cu impulsurile prin IRED,
folosind şi un filtru trece jos pentru eliminarea zgomotului. Modulul 2
include senzorul chemo-optic şi amplificatoarele corespunzătoare. Modulul
3 include microcontrolerul (INTEL8051, Philips 1 GWP) utilizat pentru
achiziţia de date şi managementul întregului sistem (sincronizarea
impulsurilor date de IRED cu măsurarea semnalelor de ieşire,
managementul puterii absorbite de la sursă, etc.). Modulul 4 include sursa
de tensiune, care este un acumulator reîncărcabil de 12 V şi un circuit pentru
stabilizarea tensiunilor pe fiecare modul (senzori, preamplificatori,
microcontroler).

Fig. 12.1 Configuraţia hardware a sistemului de monitorizare a poluării aerului

119
 Tehnologia senzorului combină tehnologia bipolară pentru obţinerea
fotodiodelor, tehnologia LPCVD (Liquid Phase Chemical Vacuum
Deposition) pentru realizarea ghidurilor de undă şi tehnologia „sol-gel”
pentru stratul traducător. Ghidul de undă are miez de SiON între două
straturi de bioxid de siliciu. Stratul traductor este SiO2 sau SiO2+TiO2
incluzând o substanţă organică cu rol de indicator. Sursa de radiaţie emite o
radiaţie cu lungimea de undă de =904 nm. Raportul fotocurenţilor celor
două fotodiode este egal cu raportul puterilor ce străbat ghidurile de peste
fotodiode.
Parametrii tehnologici care determină parametrii de ieşire ai
sistemului sunt:
1) Sensibilitatea – este determinată de lungimea stratului traductor în
contact cu ghidul, de parametrii tehnologici ai ghidului şi de
lungimea de undă a IRED-ului
2) Domeniul de concentraţii ce poate fi detectat – depinde de parametrii
stratului traductor, lungimea sa şi lungimea de undă a radiaţiei. Dacă
parametrii tehnologici determină o sensibilitate mare, domeniul de
concentraţii scade.
3) Fotocurenţii – sunt determinaţi de puterea incidentă în ghid şi de
parametrii tehnologici ai ghidului şi fotodiodelor
Parametrii ghidului şi ai fotodiodelor
Cel mai important parametru al ghidului este grosimea sa.
Considerând un ghid cu straturi externe de SiO2 şi un miez de SiON, lăţimea
acestuia nu trebuie să depăşească 0,33 m la lungimea de undă de 904nm,
pentru a avea un ghid monomod. Spre deosebire de fotodiodele care sunt
iluminate frontal, la care puterea incidentă este uniformă pe toată suprafaţa
ghidului, puterea radiaţiei fotodiodelor cuplate la ghid scade de-a lungul
contactului cu ghidul. Calculele demonstrează că există o lungime maximă
de contact ghid – fotodiodă, peste care creşterea fotocurenţilor este
nesemnificativă. Pentru datele anterioare ale ghidului şi lungimii de undă,
această lungime este de aproximativ 150 m. La lungimea de undă de
940nm adâncimea optimă a joncţiunii este 3 m.
Sensibilitatea senzorului şi domeniul de concentraţii sunt
determinate de lungimea de contact a stratului traductor la ghid - LS.
Coeficientul de refracţie al stratului traductor poate fi considerat o mărime
complexă n  n' jn" . În cazul senzorului absorbtiv (vezi fig. 7.19) partea
complexă variază cu concentraţia substanţei poluante. Sensibilitatea şi
domeniul de concentraţii sunt determinate de lungimea de contact strat
traductor – ghid de undă). Pentru senzorul absorbtiv proiectarea se face
luând în considerare domeniul concentraţiilor de măsură. Dacă acesta este

120
50-1000 ppm pentru amoniac, cunoscând variaţia coeficientului de absorbţie
în funcţie de concentraţia amoniacului, cu datele tehnologice şi ale sursei
prezentate, se obţine, pentru o atenuare de la minimul la maximul
domeniului de lucru de 10 dB, o lungime a stratului de contact traductor –
ghid egală cu 550 m.
Senzorul de tip refractiv utilizează un strat traductor a cărui index de
refracţie variază cu concentraţia poluantului. Aceasta va conduce la o
variaţie de fază a semnalului după trecerea de stratul traductor. Pentru ca
această să poată fi măsurată se utilizează o structură cu mai multe braţe Y,
ce formează un interferometru Mach Zender (fig. 7.20).Variaţia de fază  se
transformă într-o variaţie a puterii pe ghid, astfel încât raportul dintre
puterea radiaţiei la ieşirea din interferometru (P0) şi cea la intrarea sa (Pi
egală cu cea pe ghidul de referinţă) va rezulta:
Po 
 cos 2
Pi 2
Variaţia de fază este proporţională cu lungimea de contact a stratului
traductor la miezul ghidului – LS. Conform relaţiei anterioare rezultă o
funcţie periodică ce depinde de LS. Pentru ca funcţia de ieşire – concentraţie
să fie biunivocă, lungimea LS nu trebuie să depăşească o anumită valoare.
Calculele au arătat că o lungime LS mai mică de 1 mm asigură o măsurare
univocă a concentraţiei poluantului.
Parametrii sistemului electronic
Se impune un domeniu de fotocurenţi de 10 – 50 nA, pentru a depăşi
zgomotul electric. Pentru aceasta se alege un IRED de intensitate sporită
alimentat în impulsuri de 400 mA şi factor de umplere 1/20, astfel încât
puterea medie disipată pe IRED să nu depăşească 100 mW. Un sistem
micromecanic aliniază structura de IRED cu ghidul din structura MOEMS.
Preamplificatoarele sunt de tip transimpedanţă cu un factor de transfer de
12M. Microcontrolerul asigură achiziţia datelor sincron cu impulsurile
generate de IRED. Un filtru trece jos asigură eliminarea zgomotului de
frecvenţă înaltă.
Sursa de putere este un acumulator alcalin cu Ni-Cd, model GS 12 –
4, 12 V, 4 Ah/20 h. Curentul mediu absorbit de fotodiode, amplificatoare,
microcontroler şi generatorul IRED-ului este mai mic de 0,5 A.
Raportul măsurat al puterii de ieşire / puterea de intrare, la
concentraţii în domeniul 50 …1000 ppm pentru azot (domeniu ce include
limita EPA pentru acest gaz) a fost în domeniul 1/2 – 1/9. Corespunzător,
tensiunile măsurate la ieşire sunt în domeniu 0,01 …0,12 V. Timpul de
răspuns a fost sub 2 min. şi timpul de refacere a senzorului după
măsurătoare sub 10 min. Aceşti timpi asigură măsurători de timp real.

121
13. APLICAŢII ALE DISPOZITIVELOR CCD

Alegerea arhitecturii dispozitivului CCD depinde de aplicaţie. Dacă

nu se poate utiliza un obturator mecanic scump şi care utilizează putere
electrică relativ mare se utilizează structuri CCD de tip „interline”. Pentru
utilizatorii la care parametrii imaginii sunt foarte importanţi şi îşi pot
permite să dea un preţ mai mare se utilzează structuri de tip „full frame” (de
obicei în astronomie). Structurile de tip „frame transfer” se utilizează atunci
când cele de tip „interline” nu pot fi utilizate, de exemplu dacă radiaţia cade
pe spatele structurii.
Primele dispozitive optice de tip CCD s-au utilizat în aeronautică. În
prezent, dispozitivele de tip CCD se utilizează în aparatele fotografice
digitale, în copiatoare, în camere video. Eficienţa lor cuantică este de
aproximativ 70 %, faţă de filmul fotografic pe care cade aproximativ 2 %
din radiaţia incidentă (depinzând însă de sistemul optic).
Există aparate fotografice digitale pentru radiaţie infraroşie (se ştie
că siliciul are maximul sensibilităţii spectrale în infraroşu apropiat, dar, dacă
se utilizează alte semiconductoare, se poate extinde domeniul în infraroşu
mai îndepărtat; germaniul poate detecta de exemplu o radiaţie cu lungime de
undă mai mare, dar, datorită variaţiei parametrilor cu temperatura, trebuie
răcit).
În astronomie se utilizează CCD–uri cu sensibilitate mare şi al căror
semnal este procesat cu un sistem special electronic şi de obturatoare astfel
încât să se detecteze radiaţia optică din ultraviolet până în infraroşu şi pentru
a elimina orice sursă de zgomot. De asemenea, dacă măsurătorile se fac pe
un interval de timp mai lung, trebuie luate în considerare vibraţiile
aparatelor şi mişcarea corpurilor cosmice. Astronomii utilizează un sistem
cu auto-aliniere, la care se utilizează
o altă matrice CCD pentru detectarea
deviaţiilor şi auto-corectarea. Un alt
sistem astronomic (utilizat de Sloan
Digital Sky Survey) utilizează
detectorul CCD astfel încât citirea să
se corecteze cu direcţia schimbării
axei astrelor faţă de Pământ.

Fig.13.1. Masca Bayer

122
 Aparatele digitale color utilizează o mască Bayer. Fiecare pătrat de
patru pixeli are un filtru roşu, unul albastru şi două verzi (deoarece ochiul
uman are maximul la această lungime de undă).
O altă variantă este utilizarea unei prisme cu rol de „beam splitter”, care
descompune imaginea în radiaţia roşie, albastră şi verde la dispozitivele
3CCD. Dispozitivul foloseşte câte un pixel pentru fiecare culoare.
Dispozitivele de tip 3CCD se utilizează la
aparatele profesionale. Eficienţa cuantică a
acestor dispozitive este mai mare decât cele
cu filtru Bayer.
În fig. 13.2 se dă un senzor de
imagine CCD. Astfel de dispozitive sunt
utilizate de firma Canon, ca şi de celelalte
firme care produc aparate de fotografiat
digitale. Această tehnologie a permis
integrarea camerelor video la dimensiuni
miniaturale, de exemplu în telefoanele mobile.
Fig. 13.2 Senzor de imagine CCD
În tabelul următor sunt daţi parametrii dispozitivelor CCD din aparate
digitale de fotografiat.

Lăţime Înălţime Diagonală Arie Arie

Tip Aspect Ratio
mm mm mm mm2 relativă
1/6" 4:3 2.300 1.730 2.878 3.979 1.000
1/4" 4:3 3.200 2.400 4.000 7.680 1.930
1/3.6" 4:3 4.000 3.000 5.000 12.000 3.016
1/3.2" 4:3 4.536 3.416 5.678 15.495 3.894
1/3" 4:3 4.800 3.600 6.000 17.280 4.343
1/2.7" 4:3 5.270 3.960 6.592 20.869 5.245
1/2" 4:3 6.400 4.800 8.000 30.720 7.721
1/1.8" 4:3 7.176 5.319 8.932 38.169 9.593
2/3" 4:3 8.800 6.600 11.000 58.080 14.597
1" 4:3 12.800 9.600 16.000 122.880 30.882
4/3" 4:3 22.500 18.000 28.814 405.000 101.784

Firma Spectral Instruments, Inc. Produce sisteme (SI5) cu

dispozitive CCD destinate pentru a obţine imagini din avion, cu o precizie şi

123
acurateţe deosebită: 3,46 cm, de la o înălţime de 300 m şi pe o lungime de
450 m. Sistemul este cuplat la computer şi este compatibil cu sistemele GPS
şi IMU, putând să achiziţioneze imagini timp de multe ore, chiar şi la viteze
ridicate ale avionului. Toate aceste caracteristici se pot obţine datorită unui
singur senzor CCD de 100+ Megapixeli, utilat cu o mască Bayer. Sistemul
depăşeşte calităţile altor sisteme cu mai mulţi senzori, tocmai datorită
caracteristicilor senzorului CCD de dimensiuni mari şi cu parametrii
(aliniere, rezoluţie, etc.) ajustabili. Costul unui astfel de sistem este mult mai
mic decât al altor sisteme cu parametrii comparabili sau chiar mai puţin
performanţi, datorită existenţei senzorului CCD.
Telescopul Hubble include un sistem WPFC (Wide Field Planetary
Camera) cu dispozitive CCD. Primul sistem care a fost proiectat, în 1976,
includea dispozitive CCD în perioada în care acestea erau puţin utilizate.
WPFC era format din două sisteme de patru CCD-uri de 800 x 800 pixeli,
realizate de firma Texas Instruments. Camera WP avea o scală de 0,1
arcsecunde x pixel şi era destinată observaţiilor panoramice, iar cea
planetară (Planetary Camera) o scală de 0,043 arcsecunde x pixel şi era
destinată observaţiilor de înaltă rezoluţie. Prima cameră a fost înlocuită în
1993. Dispozitivele CCD din acest sistem detectează un domeniu de radiaţie
de lungimi de undă de la 120 nm la 1100 nm (spectrul ultraviolet, vizibil şi
infraroşu apropiat). Sistemul include patru dispozitive CCD de 800 x 800
pixeli. Trei dintre dispozitivele CCD, aranjate în L formează camera de
câmp larg (WF), cea de a patra este camera planetară. Pentru a obţine cât
mai multe observaţii ştiinţifice sistemul optic include 48 filtre, şi anume:
- un filtru polarizant
- un filtru gradual, având posibilitatea de a forma filtre de înaltă
rezoluţie (bandă îngustă)
- un număr mare de filtre optice.
La ora actuală funcţionează un sistem ACS (Advanced Camera
Surveys). A fost lansat pe 1 martie 2002 şi instalat pe 7 martie. Are trei
canale diferite, acoperind domeniul de lungimi de undă din ultraviolet,
vizibil şi infraroşu apropiat. Canalul WFC are două dispozitive CCD de
2048 x 4096, 15 m / pixel, rezultând un total de 16 megapixeli, dispozitive
realizate de SITe (Scientific Imaging Technologies). WFC detectează
lungimi de undă între 350 şi 110 nm. Canalul HRC (High Resolution
Channel) include un detector CCD de 1024 x 1024 pixeli. Are rezoluţie mai
bună decât WFC şi este mai sensibil în UV (sub 350 nm). Are posibilitatea
obturării radiaţiilor foarte intense, emise de stele sau quasari, pentru a
detecta discurile circumstelare, de exemplu. Din cauza unor defecţiuni
electrice este de multe ori deconectat.

124
 Canalul SBC (Solar Blind Channel) are o matrice MAMA (Multi
Anod Microchannel Array) care este un dispozitiv pentru numărarea
fotonilor optimizat pentru detecţia în UV (115 – 170 nm). Include un
fotocatod, o placă microcanal şi o matrice de anozi. Este o parte a unui
spectrograf care a devenit inutilizabil în anul 2004. Canalul SBC este cel
care este curent operaţional. Şi acest sistem, datorită nenumăratelor
defecţiuni şi a alterării pixelilor din CCD-uri va fi înlocuit, se speră că în
2009, de sistemul WPFC3.

125
BIBLIOGRAFIE GENERALĂ

Dispozitive discrete
M. Căldăraru, F. Căldăraru „Dispozitive şi circuite integrate – Electronică
analogică”, Editura Cavallioti, Bucureşti, 2007, ISBN: 978-973-7622-38-9
A.S.Grove „Fizica şi tehnologia dispozitivelor semiconductoare”, Editura
Tehnică, Bucureşti, 1973
A.Vasile „Electronica industrială, Componente şi circuite electronice de
bază” Editura Cavallioti, Bucureşti, 2004

Circuite integrate
Ben Braun “Producing Integrated Circuits With X-ray Lithography “:
http://tc.engr.wisc.edu/uer/uer97/author7/index.html
C. Bulucea, „Circuite integrate liniare”, Editura Tehnică, 1975
McConnell Email „Transistor – transistor logic”:
http://www.csee.wvu.edu/~digital/book/chapters/TTL.pdf
M. Glesner „VLSI –Design of Integrated Circuits”, Darmstadt University of
Technology
P.R.Gray şi R.G.Meyer, „Circuite integrate liniare – analiză şi proiectare”,
Editura Tehnică, 1997
A.Manolescu, s.a. „Circuite integrate liniare”, Editura Didactică şi
Pedagogică”, 1983
Donald Neamen „International Technology Roadmap of Semiconductors,
Microelectronics: Circuit Analysis and Design, 3/e”, University of New
Mexico-Albuquerque, ISBN: 007252362x, Copyright year: 2007
Krishna Saraswat “Trends in Integrated Circuits Technology”:
http://www.stanford.edu/class/ee410/AdvCMOS.pdf
Inetgrated circuits: http://www-
mtl.mit.edu/researchgroups/icsystems/photos/chips/
A.W. Topol „Three Dimensional integrated circuits”:
http://www.research.ibm.com/journal/rd/504/topol.pdf

Memorii
Memory 1997 :
http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF
Toshio Sugano et.al. „Semiconductor Device Technology for Implementing
System Solutions- Memory Modules”, Hitachi Review Vol. 47 (1998),
No.4: http://www.hitachi.com/rev/1998/revaug98/r3_107.pdf

126
Microprocesoare
Microprocessor:
http://www.ibm.com/podcasts/howitworks/20080225/index.shtml

Senzori
Amy Catherine Bowman “A Selective Encapsulation Solution For Packaging
An Optical Microelectromechanical System”:
http://www.wpi.edu/Pubs/ETD/Available/etd-0108102-
140953/unrestricted/bowman.pdf
M.Căldăraru et.al, Silicon Photodiode Waveguide Coupling – Two
Dimensional Modelling, Software Simulation and Expriments, Solid State
Electronics, vol.39, No.11, pp1649-1657, 1996
Don Chandana Abeysinghe “Novel MEMS Pressure and Temperature
Sensors Fabricated on Optical Fibers”
http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?acc_num=ucin997987327
Robert L. Ewing et.al. “Paradigm of Design for Biosystem on a chip
(BioSoC):
http://csdl2.computer.org/comp/proceedings/mse/2003/1973/00/19730154.p
df
Andreas Hierlemann, Oliver Brand, Christoph Hagleitner, and Henry Baltes,
Microfabrication Techniques for Chemical/Biosensors, PROCEEDINGS
OF THE IEEE, Vol. 91, No. 6, June 2003, pp.839
Keith N. Hoffman “Mems accelerometer: proof of concept for geotechnical
engineering testing”: http://www.uwgeotech.org/pdf/HofThe.pdf
Matthieu Lagouge „MEMS World: Design, fabrication, applications”:
http://matthieu.lagouge.free.fr/mems/
About MEMS: http://www.memx.com/
Zuyan Shen “Synthesis, Fabrication, and Characterization of Self-exciting,
Self-sensing PZT/SiO2 Piezoelectric Micro-cantilever Sensors”:
http://idea.library.drexel.edu/bitstream/1860/1227/1/Shen_Zuyan.pdf
Alexandru Vasile, Florin Caldararu, Mira Caldararu, MEMS FOR
BIOSENSORS, Proceedings of the XXXI International Conference of
IMAPS Poland Chapter, Rzeszów - Krasiczyn, 23 - 26 September 2007, p.
371-374, ISBN 978-83-917701-4-6

Dispozitive CCD
H.-S. Wong, et.al “TDI charge coupled-devices: Design and applications”:
http://www.research.ibm.com/journal/rd/361/ibmrd3601K.pdf

127
Microelectronică şi nanotehnologie
“About nanotechnology” http://www.foresight.org/
Nanotechnology/Physics: http://www.physorg.com/
Mark L. Schattenburg
“History of the “Three Beams” Conference, the Birth of the Information
Age and the Era of Lithography Wars”: http://www.eipbn.org/history.pdf
Jun Wang and Peter J Dortmans “A Review of Selected Nanotechnology
Topics and Their Potential Military Applications”:
http://stinet.dtic.mil/cgi-
bin/GetTRDoc?AD=ADA423657&Location=U2&doc=GetTRDoc.pdf
APLICAŢII
Sung Ahn, et. al. “Internet-Based Design And Manufacturing”:
http://graco.unb.br/alvares/DOUTORADO/telemanufatura/Papers/InternetD
esMfg00_1.pdf
Adrian Florea “Microarhitecturi de procesare a informaţiei”:
http://webspace.ulbsibiu.ro/adrian.florea/html/docs/CARTEA_PDF.pdf
M. Lawford, R. Leduc „Technology and Practical Considerations” :
http://www.cas.mcmaster.ca/~leduc/slides2d04/slides2.pdf
Andrew Mason „Algorithms of Circuit Design”
http://www.egr.msu.edu/classes/ece418/mason/files/418Intro.pdfT.
Niculescu, I.Catană, V.Panduru „Electronică şi automatizări- Îndrumar de
laborator”, Editura Pământul, Bucureşti, 2003

128