Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Construcción de un transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos
capas de material tipo N y una de tipo P o dos capas de material tipo P y una de tipo N. El
primero se denomina transistor NPN, en tanto que el último recibe el nombre de transistor
PNP.
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector. Este voltaje positivo
al colector permite que la corriente fluya a través del colector al emisor, dado que hay una
suficiente corriente base para encender el transistor.
2
Como funciona un transistor NPN
A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se activa
cada vez más hasta que se conduce completamente desde el colector al emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se
enciende cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no conduce
a través del colector al emisor y se apaga.
Un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal emisor. El voltaje positivo al emisor
permite que la corriente fluya desde el emisor al colector, dado que hay una corriente
negativa a la base (corriente que fluye desde la base a tierra).
3
Limite de operaciones y hojas de especificación
Para cada transistor hay una región de operación en las características que garantizará
que no se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de salida exhiba
distorsión mínima.
Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del
colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en
el colector) y el voltaje máximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o
V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, ICmáx se
especificó como 50 mA y VCEO como 20 V. La línea vertical en las características definida
como VCEsat especifica el VCE mínimo que se puede aplicar sin caer en la región no lineal
llamada región de saturación. El nivel de VCEsat está por lo común cerca de 0.3 V,
especificado para este transistor.
PCmax=VCEIC
4
Como la hoja de especificaciones es el vínculo de comunicación entre el fabricante y el
usuario, es de particular importancia que la información provista se reconozca e interprete
correctamente.
5
Punto Q
Obtener el punto de trabajo Q de un dispositivo consiste básicamente en obtener el valor
de las diferentes tensiones y corrientes que se establecen el funcionamiento el mismo en
su punto más estable. El análisis del punto de trabajo de un dispositivo, se puede llevar a
cabo de dos formas diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las
ecuaciones implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua).
a) Anular los generadores de corriente o tensión alterna (los de tensión se sustituyen por
cortocircuitos y los de corriente por circuitos abiertos).
b) Sustituir por circuitos abiertos los condensadores y por cortocircuitos las inductancias.
c) El punto Q se encuentra siempre sobre la recta de carga en continua.
d) Un método para elegir el punto Q adecuado se basa en representar previamente la recta
de carga, para poder evaluar las diferentes posibilidades.
6
Bibliografía
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
http://electronicalugo.com/funcionamiento-del-transistor-como-interruptor-transistores-
npn-y-pnp/
http://www.learningaboutelectronics.com/Articulos/Diferencia-entre-transistores-NPN-y-
PNP.php
https://dsa-research.org/teresa/Electronica/T02-5.pdf