TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR DE ÓXIDO

METÁLICO (MOSFET)
P. A. Bonilla1
paola.bonilla@uao.edu.co
1Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Occidente, Ala Norte segundo piso, Cali

Colombia

Resumen- A través de este informe se expondrá
inicialmente la teoría de funcionamiento de los ma-
teriales en el interior de un transistor MOSFET para
entender de manera adecuada como este transistor
entra en conducción y puede ser polarizado. Más
adelante se presentarán los dos tipos de MOSFET
que existen los E-MOSFET y los D-MOSFET cuya di-
ferencia se encuentra en el canal de conducción. Fi-
nalmente se presentarán algunos circuitos básicos
de polarización con sus debidas ecuaciones.
el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Labo-
ratorios Bell, en 1960[1]. Este dispositivo controla el
paso de corriente eléctrica entre a un terminal llamado
fuente a uno llamador drenador por medio de la aplica-
ción de una tensión eléctrica a un tercer terminal lla-
mado puerta. Modificando esta tensión eléctrica apa-
rece y desaparece un canal conductor que desconecta
la fuente y el drenador permitiendo el cierre y la aper-
tura del drenador.

Palabras claves: MOSFET, materiales, banda II. ANÁLISIS Y RESULTADOS:

de conducción
El funcionamiento del transistor MOSFET se basa
en el efecto de campo producido por dos placas para-
I. INTRODUCCIÓN
lelas separas por un dieléctrico como es el caso de un
capacitor.
El MOSFET es uno de los dispositivos electrónicos
que está más presente en nuestras vidas. EN nuestro Si se aplica un voltaje positivo como se muestra, la
alrededor hay miles de millones de ellos, están presen- placa superior se cargara con carga positiva la inferior
tes en ordenadores, celulares, videoconsolas también con carga negativa produciendo líneas de campo eléc-
se encuentran en automóviles, electrodomésticos y de- trico que van de la placa p positiva a la negativa si se
más dispositivos exactamente donde se procesa o al- aumenta el voltaje entre las placas, la intensidad de
macena información. campo eléctrico aumentara.
Si se invierte la polaridad de la fuente, la carga superior
Estos sistemas para procesar y almacenar la infor- tendrá un voltaje negativo y el campo eléctrico entre las
mación lo hacen por medio de interruptores eléctricos. placas cambiara de dirección.
Estos se caracterizan por tener dos estados abierto o
cerrado y por ende permite trasmitir la información al
igual que en procedimiento rudimentarios. Cuando el
interruptor está abierto las cargas eléctricas no pueden
circular por lo que no hay corriente eléctrica, en el caso
contrario cuando está cerrado las cargas circulan y por
tanto existe una corriente eléctrica. Para transmitir in-
formación es necesario hacer los interruptores cada vez
más pequeños como sea posibles, de manera que en
un micro chip se puedan integrar cientos de estos mis-
mos.

Estos interruptores minúsculos deben seguir el

mismo principio de funcionamiento donde dispongan Fig.1 Polarización de capacitor
de un camino por donde pasen las cargas eléctricas y [Imagen]. Adaptado de www.av.anz.udo.edu.ve
. [En línea]
debe existir también una forma de cortarla o impedir su
Consultado el 4 de Noviembre del 2017
paso todo esto de forma eléctrica.
El dispositivo usado para los anteriores fines se co-
Si se deja la placa superior como una placa
noce como MOSFET. El primer dispositivo fue cons-
metálica y la inferior se cambia por un semiconductor:
truido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y

1
Se tiene una capa superior llamada compuerta, un se-
miconductor tipo p en las partes inferiores y ambas pla-
cas están separadas por un dieléctrico, en este caso
Bióxido de Silicio, como se aprecia en la figura:

Fig.4 Creación del canal dentro del E- MOSFET

Fig.2 Estructura interna del E- MOSFET
[Imagen]. Adaptado de https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnT-
PTwRo&t=773s. [En línea]
Consultado el 4 de Noviembre del 2017
Si se aplica un voltaje positivo como se hizo ante-
riormente, la placa superior se carga positivamente. En
el semiconductor se tiene que los portadores mayorita-
rios son huecos, por acción del campo eléctrico, la
placa superior tratará de empujar los huecos por repul-
sión hasta la parte inferior del conductor y por tanto los
electrones comienzan a subir viéndose atraídos por
esta placa. Si se aumenta el potencial se comenzará a
generar una región de agotamiento dado que los hue-
cos que estaban distribuidos de forma uniforme a través
del semiconductor se comienzan a desplazar hacia la
parte inferior del conductor, dejando como resultado
que los portadores minoritarios se acumulen en la parte
superior.
[Imagen]. Adaptado de https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnT-
PTwRo&t=773s. [En línea]
Consultado el 4 de Noviembre del 2017
Lo anterior permite crear un canal de conducción (color
naranja), que permite un flujo de corriente en la super-
ficie del semiconductor.
Es necesario aprovechar el canal que se forma
por exceso de electrones, por ello se generan las dos
regiones tipo n por elementos físico-químicos, a una de
ellas se le representa con el nombre de fuente (Source)
y la otra el nombre de Drenaje (Drain). A través de las
cuales se conectan por medio de un canal o semicon-
ductor tipo n, descrito anteriormente generado por el
campo eléctrico entre el material.
La idea de la que consta este dispositivo es poder crear
este canal para que fluya corriente por la malla externa
formada por la fuente 𝑉𝐷𝑆 . Esta corriente puede llegar a
ser muy grande y se controla a través del campo eléc-
trico entre compuerta (parte metálica) y el sustrato o
cuerpo del transistor. Si se aplica una diferencia de po-
tencial 𝑉𝐺𝑆 es necesario elevarla al punto donde se al-
cancé la saturación de electrones tal para que se forme
el canal, a partir de este potencial se empieza a enri-
quecer el canal y volverse más grande. Este voltaje se
conoce como voltaje de umbral (VT) y a partir de este
comienza a fluir la corriente

Fig.3 Recombinación de electrones dentro del MOSFET

[Imagen]. Adaptado de https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnT-
PTwRo&t=773s. [En línea]
Consultado el 4 de Noviembre del 2017

De manera que, si se sigue aumentando el potencial

esta región comienza a crecer cada vez más, hasta que
el voltaje es tan intenso que se incrementan los electro-
nes atraídos hacia la carga positiva, lo que produce
una concentración que hace que el semiconductor tipo
p pase a ser tipo n en la superficie del semiconductor.

Fig.5 Polarización del E- MOSFET

2
 [Imagen]. Adaptado de https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnT-
PTwRo&t=773s. [En línea]
Consultado el 4 de Noviembre del 2017
En un instante en el que VGS alcanza un valor
estándar el transistor se comienza a comportar como
una fuente de corriente.
Este tipo de MOSFET se conoce como MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO dado que no tiene ningún canal
estructural, que el sustrato se extiende por completo
hasta la capa de SiO2.
Su simbología se conocer a continuación:
En la curva de transconductancia se puede ver que
para garantizar la saturación fuere es necesario usar
una tensión 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) muy encima de 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) . La curva
característica de transferencia del E-MOSFET nunca corta el
eje vertical es inicia en 𝑉𝐺𝑆 , la ecuación viene dada por:
𝐼𝐷 = 𝐾 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 (𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙))2 (1)
La constante K depende del MOSFET en particular
y se determina por medio de la hoja de datos tomando
el valor de 𝐼𝐷 especificado, llamado𝐼𝐷 encendido, al va-
lor dado de en 𝑉𝐺𝑆 .
Para polarizar un E-MOSFET se debe tener un va-
lor en 𝑉𝐺𝑆 mayor al valor de umbral, no se puede usar
polarización cero. EL propósito es hacer el voltaje de
compuerta más positivo que la fuente en una cantidad
que exceda en 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) [3]

Para polarización mediante divisor de tensión se tiene

que:

Fig.6 Simbología del MOSFET

[Imagen]. Adaptado de “Principios de electrónica”
(p.455), por Alberto Malvino. MacGraw-Hill/ España 2007

Característica de transferencia del E-MOSFET

El E-MOSFET de canal n requiere un voltaje positivo

de voltaje a fuente y un dispositivo de canal p requiere
un voltaje negativo de compuerta a fuente. Como se
puede apreciar en la siguiente gráfica el MOSFET solo
comienza a conducir cuando se supera el voltaje de
umbral (𝑉𝐺𝑆 ) [2] Fig.8 Polarización por divisor de tensión
[Imagen]. Adaptado de “Dispositivos electrónicos”
(p.405), por Thomas L.Floyd. 2008 Pearson
Education

𝑉𝐺𝑆= ( 𝑅2
)𝑉
𝑅2 +𝑅2 𝐷𝐷
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷

Donde 𝐼𝐷 es igual a la ecuación 1.

Fig.8 Curvas de polarización
[Imagen]. Adaptado de “Principios de electrónica” Para la polarización mediante retroalimenta-
(p.459), por Alberto Malvino. McGraw-Hill/ España 2007 ción del drenaje, se tiene una corriente despreciable en
la compuerta y por tanto ninguna caída de voltaje a tra-
Por lo general un MOSFET de pequeña señal tiene vés de 𝑅𝐺 .
una limitación de potencia de 1 W o menos, la figura
anterior representa la curva característica de drenador.

La región casi vertical se conocer como región óh-

mica y las regiones casi verticales se conocen como
regiones activas. Cuando está polarizado en la región
óhmica, el E-MOSFET es equivalente a una resistencia,
mientras que cuando esta polarizado en región activa
es equivalente a una fuente de corriente.

Fig.9 Polarización por retroalimentación de drenaje

3
 [Imagen]. Adaptado de “Dispositivos electrónicos”
(p.405), por Thomas L.Floyd. 2008 Pearson
Education
Esto hace 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆
Cuando el MOSFET está polarizado en región
óhmica es equivalente a una resistencia 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛) , la
hoja de características especifica el valor de la re-
sistencia para una corriente de drenador y una ten-
sión puerta-fuente determinados. [4]
Fig.10 Ubicación punto Q optimo
[Imagen]. Adaptado de “Principios de electrónica”
(p.460), por Alberto Malvino. McGraw-Hill/ España 2007
Para polarizar un transistor en esta región
basta con poner el punto 𝑄 por debajo del punto
𝑄𝑝𝑟𝑢𝑒𝑏𝑎 , se satisface la siguiente ecuación:
𝐼𝐷(𝑠𝑎𝑡) < 𝐼𝐷(𝑜𝑛) Cuando 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛)
MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)
El D-MOSFET trabaja en región tanto de enri-
quecimiento como empobrecimiento:
El MOSFET canal n cuando opera en el modo empo-
brecimiento cuando se le aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente y en modo de enriquecimiento
cuando se aplica un voltaje positivo de compuerta a
fuente [5].
Fig.11 Funcionamiento por modo empobrecimiento y enriqueci-
miento
4
[Imagen]. Adaptado de “Dispositivos electrónicos”
(p.399), por Thomas L.Floyd. 2008 Pearson
Education
En el modo de empobrecimiento, el capacitor
descrito anteriormente formado por la compuerta como
placa superior y el canal como placa contigua, el ma-
terial aislante es el dieléctrico (Bióxido de Silicio). Con
un voltaje negativo en compuerta, los electrones en
esta área se repelen con los electrones de conducción
provenientes del canal y se combinan con los huecos,
generando iones positivos. Es por ello, que el canal n
se queda sin algunos de sus electrones lo que produce
la disminución de la conductividad del canal, mientras
más negativo es el voltaje en compuerta, más grande
es el empobrecimiento en el canal n al punto de que
con un 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒) lo suficientemente negativo el canal se
empobrece y la corriente de drenaje es cero.
Las curvas de un MOSFET de vaciamiento
comprueban que el D-MOSFET es normalmente un dis-
positivo en conducción ya que como se puede ver,
cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉, la corriente de drenador es igual a
𝐼𝐷𝑆𝑆 . Cuando 𝑉𝐺𝑆 es negativo, la corriente se reduce,
mientras que cuando 𝑉𝐺𝑆 es positiva, 𝐼𝐷 aumenta se-
gún la ecuación 2.
Fig.12 Curvas de un D-MOSFET
[Imagen]. Adaptado de “Dispositivos electrónicos”
(p.399), por Thomas L.Floyd. 2008 Pearson
Education
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (2)
𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑓𝑓)
Un MOSFET en modo vaciamiento es único
porque puede funcionar con tensión tanto positiva
como negativa. Debido a esto el punto Q puede ser fi-
jado en 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉. La resistencia de entrada de este tipo
de MOSFET es muy elevada dado que no hay unión pn
para polarizar en directa. En este caso es posible cons-
truir circuitos de polarización muy básicos:
Puesto que 𝐼𝐺 = 0, 𝑉𝐺𝑠 = 0 𝑉 e 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 , la tensión de
drenador es: 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆𝑆 − 𝑅𝐷
 IV. REFERENCIAS

[1] «Patent US3102230: Electric field controlled se-

miconductor device» (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 7 de noviembre de 2017.

[2] FLOYD, Thomas L. Dispositivos electrónicos.

Octavo edición. PEARSON Educación, México 2008. p.
402.

[3] FLOYD, Thomas L. Dispositivos electrónicos.

Fig.13 Polarización D-MOSFET
[Imagen]. Adaptado de “Dispositivos electrónicos”
(p.400), por Thomas L.Floyd. 2008 Pearson
Education
El propósito de 𝑅𝐺 es aceptar una entrada de señal de
CA aislándola de tierra. Como no hay corriente CD en
la compuerta 𝑅𝐺 no afecta la polarización entre com-
puerta y fuente.
Octavo edición. PEARSON Educación, México 2008.
p.405
[4] MALVINO, Alberto: Principios de electrónica. Vo-
lumen 1. Séptima edición. McGraw-Hill/ España 2007.
p. 460.
[5] FLOYD, Thomas L. Dispositivos electrónicos.
Octavo edición. PEARSON Educación, México 2008. p.
421

III. CONCLUSIONES

La principal ventaja de los MOSFET está en los cir-

cuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a va-
rias ventajas sobre los transistores bipolares. Los tran-
sistores MOSFET poseen un consumo en modo está-
tico muy bajo, menor tamaña que los transistores bipo-
lares, gran capacidad de integración debida a su redu-
cido tamaño. Además de esto poseen funcionamiento
por tensión, debido a esto poseen una impedancia de
entrada bastante alta.
El MOSFET además posee velocidad de conmutación
muy alta en el orden de los nanosegundos y es resis-
tente a altas frecuencias.

EL E-MOSFET es un dispositivo muy utilizado en

conmutación, sin embargo en algunas aplicaciones se
usa como amplificador: en amplificadores de RF de alta
frecuencias empleaos en equipo de comunicaciones y
los E-MOSFET de potencia empleaos en amplificado-
res de potencia tipo AB.

Con respecto a la hoja técnica de datos, hay que te-

ner especial cuidado cuando se prueba un MOSFET
para chequear su funcionamiento. L capa de dióxido de
silicio que hay entre la puerta y el canal puede des-
truirse fácilmente si VGS es mayor que VGS (máx.), esto es
a causa de la puerta aislada y la construcción del canal.
Por ello, para probar un MOSFET se aconseja utilizar
un trazador de curvas o diversos circuitos que ya exis-
ten para probar su funcionamiento.