1
Diferencias físicas y eléctricas entre el diodo PN y el
diodo PIN
Susana Aragadvay 921
Susana.aragadvay@espoch.edu.ec
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
Abstract— Electrical connectors are perhaps one of the most
influential factors for the proper operation of an electrical
installation. Depending on the situation in which the facility is
installed and leave as electric cables, it should perform the
most perfect splice. In this paper the results obtained are
shown in practice that aimed to know the different types of
electrical connectors and the importance of carrying out this
process correctly and avoiding accidents or serious damage to
electrical installations.
Index Terms: Diodo, semiconducor
I. INTRODUCCIÓN
Un convertidor electrónico es en realidad un dispositivo que se
comporta como un interruptor y que está construido con
semiconductores, ya sean diodos, transistores de potencia,
tiristores, GTO, IGBT, BJT, MOSFET, tiristores. Uno de los
dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son
los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes
limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El
único procedimiento de control es invertir el voltaje entre
ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de
conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad
con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben
ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo
con una pequeña intensidad de fugas.
II. DIODO P-N
A. Características físicas
La unión p-n es un dispositivo de dos terminales que,
dependiendo de sus condiciones de polarización, de dopado,
así como de su geometría física, puede ejercer diferentes
funciones dentro de un circuito electrónico. Podemos
encontrar uniones p-n haciendo funciones de rectificación, de
regulación de tensión, de varistor (resistencia variable).
(Univesidad de Valencia)
Fig.1 Esquema del diodo pn
B. Características eléctricas
Este tipo de diodo es un material semiconductor compuesto
por dos regiones, una tipo p y otra tipo n, formando así una
unión p-n. La característica más importante de las uniones p-n
es que son rectificadoras, es decir, permiten el paso de
corriente en un único sentido.
La figura 2 muestra la característica corriente-tensión típica
de una unión p-n. Cuando se aplica sobre ella una polarización
directa, la corriente se incrementa rápidamente con el
incremento de la tensión. Sin embargo, cuando se le aplica una
polarización inversa, inicialmente la corriente no circula. Si la
tensión inversa aumenta, la corriente permanece con un valor
casi nulo hasta que se alcanza un valor de tensión crítico,
momento en el cual la corriente se incrementa repentinamente.
Este aumento repentino es conocido como ruptura de la unión.
La tensión aplicada en polarización directa es normalmente
menor de 1 V, pero la tensión inversa de ruptura puede variar
entre unos cuantos voltios y cientos dependiendo de la
concentración de dopados y de otros parámetros del
dispositivo. (ETIS)
Fig.2 Característica I-V de la unión p-n típica
Resultando de la representación gráfica la relación I = f(V),
teóricamente aproximada por la ecuación de Shockley:
En donde:
Io= Corriente inversa de saturación.
q = 1,6x10-19 culombios (carga del electrón).
T = Temperatura absoluta en ºK.
K = Constante de Boltzman.
η = 1 para Ge y 2 para Si, en corrientes moderadas.
VT= KT/q = T/11.600, para T = 300 K ⇒ VT= 26 mV.
La unión p-n juega un papel muy importante tanto en las
aplicaciones de la electrónica moderna como en el
entendimiento de otros dispositivos semiconductores. Su
mayor utilización se produce en procesos como la
rectificación, la conmutación y otras operaciones dentro de
circuitos electrónicos. También constituye el bloque básico

para otros dispositivos electrónicos como pueden ser los
transistores bipolares, tiristores, JFETs, MOSFETs. Para
condiciones de polarizaciones idóneas o expuestas a la luz, la
unión p-n también se utiliza para funciones en campos como
las microondas o la óptica.
1) Unión p-n, polarizada directamente
La unión p-n está polarizada directamente, cuando a la región
p se le aplica un potencial superior al de la región n.
Fig.3 Diodo polarizado directamente
Los huecos de la región p y los electrones de la región n, son
empujados hacia la unión, por el campo eléctrico a que da
lugar la polarización, reduciendo la anchura de la zona de
transición. El campo eléctrico de la polarización se opone al
de la unión reduciendo este, y también la barrera de potencial
que sin polarización era Vo y con polarización directa Vo-V.
La reducción del campo eléctrico de la unión reduce el efecto
de arrastre. Al ser la zona de transición más estrecha, aumenta
el gradiente de las concentraciones en ella y
consecuentemente, aumenta el efecto de difusión. No se
alcanza el equilibrio, produciéndose una circulación neta de
carga por el circuito, de forma que la corriente en la unión es
por difusión y fuera de ella por arrastre. (ETIS)
1) Unión p-n, polarizada inversamente
Una unión p-n está polarizada inversamente, cuando a la
región p se le aplica un potencial inferior al de la región n. Los
portadores mayoritarios (huecos de p y electrones de n) de
ambas regiones tienden a separase de la unión, empujados por
el campo eléctrico a que da lugar la polarización, aumentando
la anchura de la zona de transición. El campo eléctrico en la
unión aumenta reforzado por la el de la polarización del
mismo sentido, y la barrera de potencial pasa a ser Vo+V.
Fig.4 Diodo polarizado inversamente
Solo los portadores minoritarios generados térmicamente en
ambas regiones son empujados hacia la unión, así solo los
pocos electrones de p, al pasar al lado n formarán con los
mayoritarios de esta región una corriente de arrastre, y de
similar manera los pocos huecos de n al pasar a p formarán
otra débil corriente de arrastre que se sumará a la anterior.
Esta pequeña corriente es la corriente inversa de saturación del
2
diodo y su valor se distingue por Io, presentando una fuerte
dependencia de la temperatura.
III. DIODO P-I-N
A. Características físicas
Fig.5 Esquema físico del diodo
El diodo p-i-n presenta una región p y una región n
altamente dopadas, y separadas por una región intrínseca con
resistividad más elevada que las regiones p y n. Estos
dispositivos son ampliamente usados en aplicaciones tales
como desplazadores de fase y conmutadores de señales
microondas. Los dispositivos diseñados con diodos p-i-n se
destacan por bajas pérdidas de inserción y elevado desempeño
en altas frecuencias. A estas frecuencias, el diodo tiene una
impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado
(circuito abierto) y una impedancia muy baja cuando está
polarizado en sentido directo (corto circuito). Además, las
tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100
a 1000 V. (Cortez)
Un material altamente dopado significa que tiene un mayor
número de impurezas, generalmente de tipo p o de tipo n. Por
lo mismo, existirá una menor resistencia al paso de la
corriente. Para un material no dopado, es decir intrínseco,
presentará una resistencia mucho mayor al paso de la
corriente, dependiendo del material semiconductor que se esté
utilizando. En la práctica un diodo p-i-n tiene una alta
resistividad en la parte media de la zona p o n. Mientras que
existe una baja resistividad en los límites en las zonas p y n.
La nomenclatura p+ y n+ indica un alto dopaje de los
materiales p y n, respectivamente. Se utilizan las letras griegas
“π” y “ν” para los materiales altamente resistivos y
ligeramente dopados p y n respectivamente. El material usado
en la región I puede ser tipo “π” o “v”. En la práctica,
generalmente se utiliza el silicio como el material
semiconductor, el cual no es perfectamente intrínseco.
Utilizando cualquiera de estas dos estructuras no se presentan
cambios en el desempeño de un dispositivo.
B. Características eléctricas
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección
de alto nivel. En otras palabras, la región intrínseca "i" se
inunda con los portadores de carga de las regiones de "n", "p".
Su función se puede comparar a llenar un cubo de agua con un
agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del
agujero en el que comenzará a derramar. Del mismo modo, el
diodo conducir la corriente una vez que los electrones y los
huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el
número de electrones es igual al número de agujeros en la
región intrínseca. Cuando el diodo está polarizado hacia

adelante, la concentración de portadores inyectada es
típicamente varios órdenes de magnitud más alta que la
concentración de portadores nivel intrínseco.
Las variaciones de diferentes parámetros del diodo pin dentro
de sus secciones:
Fig.6 a) Variación de la carga espacial (Px), b) variación del campo eléctrico
(Ex) c) variación del potencial (Vx). Diodo p-i-n en equilibrio, es decir, sin
tensión aplicada.
1) Uso del diodo PIN
Este diodo se puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud de frecuencias de microondas ya que
para todos los propósitos se puede presentar como un corto
circuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. La principal ventaja del diodo p-i-n frente a
un diodo convencional es la mejora en la respuesta de
conmutación de señales microondas. También se lo utiliza
para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy
grandes. Destaca en su utilización como fotodiodo el cual es
uno de los fotodetectores más comúnmente utilizados hoy en
día en campos que van desde las comunicaciones en fibra
óptica hasta la electrónica de consumo. Esto se debe
principalmente a su elevado índice de eficiencia respecto a
otros dispositivos similares debido a la zona intrínseca,
entendiendo por eficiencia la proporción entre la luz que le
llega y la que es capaz de absorber y convertir en corriente
eléctrica. (Pavón)
2) Funcionamiento del diodo PIN
A frecuencias más altas el diodo se parece a una resistencia
casi perfecta es decir que hay una gran cantidad de carga
almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la
carga se quita y el diodo se apaga. Si el diodo esta polarizado
en sentido directo los huecos del material P se difunden en la
región P-I creando una capa P de baja resistividad, como ya
sabemos la corriente es debido al flujo de los electrones y de
los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente
iguales en la región I, la condición de polarización directa la
caída de tensión en la región I es muy pequeña debido a que la
zona de agotamiento es muy estrecha e igual que el diodo PN,
si se aumenta la corriente también disminuye la resistencia.
Como la región intrínseca es altamente resistiva, la zona de
agotamiento se extiende hasta las regiones de alta conducción,
incluso aun cuando no se ha polarizado al diodo. Se dice que
la capacitancia equivalente del diodo no se ve alterada por el
voltaje suministrado.
La siguiente figura muestra el circuito equivalente del diodo.
3
Fig. 7 Esquema del circuito equivalente del diodo
Cuando se manejan frecuencias bajas en un diodo p-i-n los
efectos reactivos que se presentan en las uniones se consideran
despreciables. Estos efectos son asociados con la difusión de
portadores a través de la unión. En estado de baja impedancia,
situación de polarización directa, el diodo tiene una excelente
linealidad y baja distorsión. En estado de alta impedancia,
situación de polarización inversa, la región intrínseca produce
valores muy altos de voltaje de ruptura e impedancia. Así
proporciona una buena aproximación a un circuito abierto. La
presencia de la región intrínseca permite obtener
características operacionales muy deseables para aplicaciones
de conmutación. A medida que el ancho de la región intrínseca
(I) aumenta, la capacitancia formada en las uniones del diodo
disminuye. Esta característica es benéfica en la conmutación
de señales de microondas, puesto que una capacitancia baja y
una alta impedancia del diodo p-i-n en situación de
polarización inversa, hacen posible que el diodo se comporte
como un circuito abierto
La velocidad a la cual el diodo p-i-n puede ser conmutado
desde una baja impedancia (polarización directa) a una alta
impedancia (polarización inversa) es determinada por la
velocidad a la cual la carga libre puede ser extraída del diodo.
Los diodos con región intrínseca larga y gran área de sección
transversal, almacenarán más carga y por lo tanto percibirán
tiempos más largos para conmutar. El tiempo de conmutación
actual tiene dos componentes:
El tiempo requerido para remover mayor parte de la carga de
la región intrínseca, llamado tiempo de retardo.
El tiempo durante el cual el diodo está cambiando del estado
de baja impedancia al de alta, llamado tiempo de transición.
3) Modelado de los diodos p-i-n
Se pueden diseñar diferentes tipos de diodos p-i-n con las
mismas características de Rs y CT con solo variar el ancho
“W” y área “A” de la región I. Con una región I más gruesa se
puede lograr mejores propiedades para la distorsión, si por el
contrario, el dispositivo es más delgado la velocidad de
conmutación será mucho más rápida.
Fig.8 Diodo pin

Para poder determinar la distorsión producida y la frecuencia
más baja a la que puede operar el diodo p-i-n está el parámetro
tiempo de vida de portadores, “τ”. El valor de τ de un diodo p-
i-n está determinado por el ancho W de la región I, el cual es
otro parámetro de gran importancia.
a) Modelo de baja frecuencia
Se muestra la característica típica de V-I de un diodo p-i-n.
Los diodos son evaluados frecuentemente por voltaje directo,
VF, en una polarización de corriente continua DC fija. El
fabricante garantiza que al aplicar un voltaje inverso VR al
diodo, la corriente inversa que fluye no sobrepasa los 10 μA.
La cantidad de voltaje de ruptura VB de aproximadamente 10
V/μm y es determinado por el ancho de la región I.
Fig.9 Característica V-I típica de un diodo p-i-n
La frecuencia de operación para el diodo p-i-n es aquella que
está por debajo de la frecuencia definida por el tiempo de vida
de portadores = CLT (1/ τ) de la región I.
b) Modelo de alta frecuencia
Cuando se aplica una polarización directa al diodo p-i-n, la
carga Q debe ser más grande que el incremento de la carga
almacenada agregada o anulada por la corriente de
polarización directa, RF, o inversa, IRF.
c) Modelo de Polarización Directa
Bajo polarización directa, la conductividad de la región
intrínseca es controlada o modulada por la inyección de carga
de las regiones p y n de los extremos, y el diodo conducirá
corriente. La resistencia en estado de baja impedancia del
diodo es controlada por la polarización directa. El diodo tiene
una excelente linealidad y baja distorsión. En este estado de
baja impedancia, el diodo es controlado por las características
de inyección de carga de la unión p-n y el diodo puede ser
representado como una resistencia con una magnitud
determinada por la corriente que fluye en el diodo. En este
estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como
una inductancia L en serie con una resistencia Rs, y su modelo
de circuito equivalente se muestra en la siguiente figura.
4
Fig.10 Circuito equivalente del diodo p-i-n en polarización directa
Asumiendo que la señal de RF no afecta la carga almacenada,
la impedancia de polarización directa Rs se obtiene con la
siguiente ecuación:
donde:
µn = Movilidad de los electrones
µp = Movilidad de los huecos
La carga Q producto de la recombinación de portadores en la
región intrínseca está dada por:
;
La resistencia del diodo en polarización directa es
inversamente proporcional a la corriente de polarización del
diodo, y la resistencia más baja se obtiene para altas
corrientes. La impedancia del diodo puede ser sintonizada para
el acoplamiento de circuitos RF ajustando la corriente de
polarización.
d) Modelo de Polarización Inversa
En situación de polarización inversa, el diodo p-i-n se
comporta como el circuito conformado por una inductancia en
serie con el paralelo de una capacitancia y una resistencia. Tal
como se muestra en la siguiente figura.
Fig.11 Circuito equivalente para el diodo p-i-n en situación de polarización
inversa
El capacitor se puede obtener de
;
donde:
ε= constante dieléctrica del silicio
A = Área de la unión del diodo
ρ = resistividad de la región I
frl =frecuencia de relajación dieléctrica
Para frecuencias más bajas el diodo p-i-n se comporta como
un varactor, el cual es un diodo que dependiendo de la tensión
que se le aplique el valor de la capacitancia varía. Es decir, si
la tensión aplicada al diodo varactor aumenta la capacitancia
disminuye, si por el contrario, la tensión disminuye la
capacitancia aumenta. El valor de la resistencia en paralelo RP
 5

es proporcional al voltaje e inversamente proporcional a la

frecuencia.

En la mayoría de las aplicaciones en RF este valor es más alto

que la reactancia del capacitor CT. El voltaje de ruptura
masiva o avalancha, VB, siempre será más grande que el
voltaje inverso, VR. Así mismo, VB es proporcional al ancho
de la región I. Una excursión instantánea de la señal de RF en
situación de polarización directa por lo regular no causa que el
diodo entre en conducción debido a la lentitud de la velocidad
de conmutación de la polarización inversa a directa. La
magnitud de la señal RF y el ancho de la región I están
relacionados con la polarización inversa de DC necesaria para
mantener al diodo p-i-n en baja conductancia.

IV. CONCLUSIONES
Los diodos pin tienen un campo aplicativo muy amplio
debido a su ventaja sobre los diodos pn en cuanto al
tiempo de conmutación y los altos voltajes que maneja;
por lo tanto son dispositivos con gran aplicabilidad dentro
de la electrónica de potencia.

V. REFERENCIAS
Cortez, M. (s.f.). Scribd. Recuperado el 2019, de
https://es.scribd.com/document/400407115/diodo-
PIN
ETIS. (s.f.). Recuperado el Marzo de 2019, de
http://quegrande.org/apuntes/ETIS/1/TE/teoria/09-
10/diodo_de_union_p-n.pdf
Pavón, E. (s.f.). ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE
INGENIERÍA . Recuperado el 2019, de
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema4.pdf
Univesidad de Valencia. (s.f.). Recuperado el 2019, de
https://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-
02).pdf