Sunteți pe pagina 1din 20

FUNDAMENTOS DE

SEMICONDUCTORES

© Israel Alejandro Suaste Rivas 2005


Universidad del Mayab
Ingeniería Mecatrónica

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Cristalinos

Un cristal ideal es solo una abstracción

Los cristales reales presentan imperfecciones

Estos defectos alteran la periodicidad del cristal, y


por lo tanto, sus cracterísticas eléctricas.

Estas imperfecciones son consecuencia del


proceso de crecimiento del cristal; la pureza del
material; tensiones mecánicas; proceso de
fabricación; cambios bruscos en la temperatura; etc.

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Cristalinos

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Cristalinos

Sitio intersticial:
es el hueco que
existe entre los
átomos que forman
la estructura crista-
lina.

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Cristalinos

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Extendidos

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Extendidos

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Defectos Cristalinos
Un sólido real es finito en extensión.
Los átomos en la superficie de un cristal no pueden
satisfacer todos los enlaces; quedan muchos
“abiertos”.
El número de enlaces insatisfechos se puede
cuantificar por la “densidad de estados superficiales”.
Ésta es un parámetro fundamental en la
fabricación de dispositivos semiconductores y
circuitos integrados.
La densidad de estados superficiales depende
fuertemente de la orientación cristalina.
Las propiedades eléctricas del material dependen
por lo tanto de la orientación cristalina en la
superficie.
09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S
Materiales Semiconductores
Índices de Miller

Índices de Miller
Se ha visto que las propiedades eléctricas del
material dependen de la orientación cristalina en la
superficie.
Una forma útil de indicar las orientaciones
cristalinas es usando los índices de Miller,
obtenidos como sigue:
1. Se definen los cruces con los ejes cartesianos en
función de la constante de red.
2. Se obtiene el inverso de éstos y se reducen a los
enteros más pequeños que conserven la razón.

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Índices de Miller

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Índices de Miller

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Índices de Miller

Para indicar interceptos con los ejes en puntos


negativos, se usa una barra sobre el número:

Y = -2b

X=a

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Índices de Miller

Se usan [corchetes] para indicar direcciones


cristalográficas:

Para indicar direcciones equivalentes, se usan


<paréntesis triangulares>:

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Índices de Miller

[0 0 1]

[1 1 1]

b
a

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Densidad Superficial para el Si

Densidad Superficial para el Silicio


Plano (1 0 0)
a

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Densidad Superficial para el Si

Densidad Superficial para el Silicio Plano (1 1 0)


√2a

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Densidad Superficial para el Si

Densidad Superficial para el Silicio Plano (1 1 1)

√2a

√2a

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Breve Repaso
El que un material sea conductor, semiconductor o
aislante depende de la densidad de portadores
“libres” que tenga.
Esta densidad es función del elemento y del enlace
que forman los átomos.
Por ejemplo, el silicio:

14 electrones:

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Breve Repaso

Los electrones en la capa semi-vacía (o semi-llena)


se pueden considerar casi libres.
Al unir los átomos, sin embargo, estos electrones
forman los enlaces covalentes, y la configuración
cambia a una de última capa llena.
El silicio cristalino tiene muy pocos electrones
libres; es un aislante.

Los pocos portadores libres se deben a la ruptura


de enlaces por efectos de temperatura (energía).

09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S


Materiales Semiconductores
Breve Repaso
A T=300K, en silicio existen 1.45X1010 portadores
libres por centímetro cúbico; la densidad atómica del
silicio es de 5X1022 cm-3, por lo sólo hay un electrón
libre por cada 3.455X1012 átomo de silicio.
Al unir los átomos, sin embargo, estos electrones
forman los enlaces covalentes, y la configuración
cambia a una de última capa llena.
Es necesario proporcionarle portadores libres al silicio
por medio de la introducción de átomos de otros
elementos (dopado).
La diferencia entre un conductor, un semiconductor y
un aislante se puede explicar en función de “Bandas de
Energía”.
09/09/2005 Fisica de Semiconductores - I.S

S-ar putea să vă placă și