Universidade Federal de Pernambuco

Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica

Laboratório de Dispositivos e Nanoestruturas

Fluxo de Design de um Inversor CMOS/SOI

Henrique Müller Vasconcelos

Professor Orientador:

Edval J P Santos

Relatório de atividades utilizando a ferramenta Athena referente à disciplina de

Manufatura de Dispositivos, Circuitos e Sistemas Eletrônicos, pelo Programa de Pós-
Graduação em Engenharia Elétrica da Universidade Federal de Pernambuco

PPGEE – UFPE
Março de 2008
 1. Atividade:

Desenhar e simular no Silvaco o processo auto-alinhado completo para fabricar

Mosfets tipo N e tipo P na mesma lâmina SOI.

2. Objetivos:

Neste trabalho objetiva-se simular as etapas de fabricação de um inversor CMOS

em uma lâmina SOI utilizando as ferramentas da Silvaco International partindo do
design do layout na ferramenta Electric 8.07.

3. Metodologia:

3.1. Ferramentas computacionais:

Para realizar esta atividade foram necessárias as ferramentas computacionais

listadas abaixo:

- Electric 8.07
- Deckbuilder
- Athena
- Maskview

Para obtenção do layout da estrutura utilizamos a ferramenta Electric 8.07 e para as

simulações do processo de manufatura utilizamos a ferramenta Athena da Silvaco
International.

O layout da estrutura desenhada pode ser exportado em formato GDS que, por sua
vez, pode ser importado pelo Maskview. Nesta ferramenta, podem-se visualizar diversas
secções da estrutura, observando-se os padrões de cada máscara a ser utilizada em
determinado processo de manufatura do dispositivo. Cada secção deve então ser salva
com a extensão .SEC. Desta forma, o simulador pode carregar esses padrões.
 Primeiramente, devemos obter uma lâmina SOI partindo de alguns processos,
uma vez que não foi encontrada esta opção no simulador. O procedimento seguinte não
é utilizado para obter lâminas SOI usuais, mas foi a maneira encontrada para realizar a
atividade. A “Silvaco International” e a “Simucad Design Automation” juntamente
desenvolveram softwares de simulação para a tecnologia SOI. Os simuladores
“ATHENA/SSuprem4” e “ATLAS/S-PISCES” permitem o estudo dos efeitos sub-micro
em dispositivos SOI. A referência [2] apresenta as ferramentas citadas acima.

O cristal de silício foi escolhido com orientação 100, dopado com uma
concentração de boro 1x10 13 átomos / cm 3 (substrato tipo p). Em seguida, uma camada
de óxido de 200nm de espessura foi depositada e uma camada de silício com mesma
concentração de boro do substrato foi crescida epitaxialmente.

Uma vez obtida a lâmina SOI, devemos isolar as regiões do silício para formar
as ilhas de cada transistor com óxido. Para isso, foi depositada uma camada de óxido
nítrico com espessura 50nm. Nesta etapa, começamos a fazer uso das máscaras obtidas
no Maskview. Os padrões foram passados corroendo o óxido nítrico e, posteriormente,
o silício.

O uso de máscaras carregadas do Maskview gera automaticamente uma

redefinição da grade no Athena. As definições de largura e espaçamento na grade ficam
diretamente relacionadas ao formato da máscara tornando-a bastante carregada nas
regiões críticas das bordas.

O próximo passo foi depositar óxido por CVD e realizar uma corrosão
geométrica.

Com os poços isolados, realizamos a dopagem apropriada para cada transistor

(tipo n e p). Com o uso da máscara apropriada, restringimos a região para implantação
de dopante para criarmos o poço p (boro, dose: 1x10 17 átomos / cm 2 ). O mesmo foi feito
para o poço n, com a implantação de dopantes para inversão de portadores majoritários
para tipo n (fósforo, dose: 1x10 17 átomos / cm 2 ).

O procedimento usual a ser feito em seguida seria realizar um recozimento para

difundir as impurezas, tornando os poços mais homogêneos e rearrumar a rede cristalina
danificada pelo bombardeamento do processo de implantação. Porém, este passo não foi
realizado por uma razão de tempo computacional, que será relatado na seção de
dificuldades encontradas. Podemos adiantar que existe um problema de complexidade
da grade que torna a solução numérica dos pontos da grade muito mais demorada que o
habitual. Isto torna a simulação de processos como a difusão uma atividade bastante
exaustiva. Por este motivo, continuamos toda a atividade sem realizar difusões.

A formação das portas dos transistores requer os seguintes passos:

- Crescimento de um óxido fino de porta

- Deposição de polissilício

- Transferência dos padrões da máscara e Corrosão do polissilício indesejado

- Crescimento de mais uma camada de óxido

Para formar as fontes e os drenos dos transistores devemos fazer novas

implantações de impurezas a fim de criarmos as junções p-n dos respectivos
transistores.

Por fim, o processo de metalização é realizado depositando-se uma camada de

óxido de campo. Em seguida, uma máscara de contatos é aplicada e o óxido é corroído
nas áreas de interesse. Depois é depositada uma camada de alumínio para preencher as
cavidades dos drenos e fontes. Outra máscara contendo os padrões de metal 1 especifica
as regiões onde o alumínio será corroído.
4. Resultados Obtidos:

4.1. A lâmina SOI:

Fig 4.1 – Região de silício isolada para construção dos transistores

4.2. Separação dos transistores:

Fig 4.2.1 – Corrosão do nitreto

Fig 4.2.2 – Isolando os transistores tipo N e tipo P

4.3. Formação dos Poços N e P

Fig 4.3.1 – Criando o poço N para o transistor de canal tipo P

Fig 4.3.2 – Criando o poço P para o transistor de canal tipo N

Fig 4.3.3 – Gráficos da concentração de impureza em função da profundidade

 4.4. Formação das Portas

Fig 4.4 – Corroendo o polissilício indesejado e depositando outra camada de óxido

4.5. Formação das Fontes e Drenos

Fig 4.5.1 – Realizando a implantação de impurezas para formação de fonte e dreno de cada transistor

Fig 4.5.2 – Pode-se também criar afastadores

4.6. Metalização

Fig 4.6.1 – Depositando o óxido de campo

Fig 4.6.2 – Corroendo o óxido e depositando o alumínio

Fig 4.6.3 – Corroendo o alumínio com os padrões do metal 1

 5. Dificuldades encontradas:

Problemas de grade:

A grade representa o número de pontos que sofrerão o tratamento numérico na

simulação de cada processo. A chave para uma simulação precisa é ter uma boa grade
nas áreas de interesse.

À medida que a estrutura vai sendo trabalhada, a grade é rearranjada em regiões

críticas. No caso do uso de máscaras, importadas pelo carregamento do arquivo de
secção (.sec), a grade tem a quantidade de nós intensificada nas bordas dos padrões da
máscara. Esse fato causa um aumento considerável no tempo de solução numérica da
simulação. É importante manter o número de nós mínimo para evitar tempos de
processamento extremos (meses). As figuras seguintes comparam e mostram o aumento
maciço do número de nós com o uso de um arquivo de máscara.

Fig 5.1.1 – Uma grade relativamente pobre e mal distribuída

As ferramentas utilizadas possuem uma geração automática de grade,

porém ainda existem linhas de código capazes de editar e refinar a malha.
 Fig 5.1.2 – Uma grade carregada depois de usar uma máscara

Em contrapartida, uma grade pobre ou mal distribuída influi diretamente no quanto

o resultado gráfico se aproxima do esperado para a simulação. Este efeito pode ser
observado na figura abaixo.

Fig 5.1.3 – Diferentes resultados obtidos de um mesmo processo para diferentes definições de grade

As figuras mostram a diferença entre os resultados gráficos de um mesmo

código, com todos os parâmetros iguais em um processo de corrosão. O gráfico da
esquerda foi obtido carregando uma máscara. Pode-se perceber que a quantidade de nós
da grade se intensifica nos arredores dos padrões. O resultado se aproxima do esperado
dados os parâmetros do processo. No caso do gráfico da direita, não foi carregado
nenhum arquivo de máscara e o resultado, para a simulação do mesmo processo de
corrosão, foi bem diferente. Inclusive, os parâmetros e os tempos de duração dos
processos são alterados em função do número de nós da grade.
 Como dito anteriormente, não foi realizado nenhum processo que envolvesse
difusões na atividade proposta. Em uma das tentativas de realizá-las, precisamente na
etapa de formação dos poços, durante o recozimento da estrutura, a simulação demorou
20 horas para retornar os resultados. Infelizmente, eles não foram satisfatórios e a etapa
teve que ser repetida. Ainda assim, não resultou no procurado. Tornou-se um caso de
estudo fazer o controle da malha da grade para que as simulações pudessem ser mais
viáveis em termos de tempo de processamento.

Fig 5.1.4 – Resultados indesejados em longos tempos de processamento

Alguns tipos de erro devido à malha da grade podem ser resolvidos ou

minimizados com base na referência [3], Controle de Grade no Athena.

6. Conclusões:

Simulação de processos é desejável, pois se pode entender melhor e prever a

performance final do dispositivo. Se possível, tente simular passos críticos da realização
prática do dispositivo.

Para simulação de dispositivos numa lâmina SOI com precisão, é necessária uma
ferramenta que simule os efeitos sub-micro.

Os problemas de grade em simuladores de processos são umas das maiores questões

enfrentadas por qualquer usuário. Uma boa grade deve ser bem distribuída, mais
carregada nas regiões de interesse e, ao mesmo tempo, ter um número comedido de nós,
para não tornar a simulação exaustiva em tempo computacional.

Referências Bibliográficas:

[1] Manuel Lozano, “Use of Simulation Software in Microelectronics”

[2] www.silvaco.com/products/design_flows/soi_tech/soi_design_flow_08.pdf; “SOI

Design Flow”

[3] www.silvaco.com/tech_lib/simulationstandard/1998/feb/a4/a4.html; “Mesh Control

in ATHENA”
Apêndice A
Código no ATHENA
go athena
#
################################################################################
############################## Define a Grade ################################
################################################################################
#
line x loc=0.00 spac=0.20
line x loc=17.2 spac=0.20
#
line y loc=0.00 spac=0.04
line y loc=2.00 spac=0.04
#
################################################################################
############################## Define o substrato ############################
################################################################################
#
init silicon c.boron=1.0e13 orientation=100
#
################################################################################
############################## Deposita Óxido #################################
################################################################################
#
deposit oxide thick=0.20
#
################################################################################
############################## Crescimento epitaxial de si ###################
################################################################################
#
epitaxy time=30 temp=1000 thickness=0.20 c.boron=1.0e13
#
################################################################################
########################### Arquivo de máscara, refaz a grade ################
################################################################################
#
mask name="Alum"
#
etch barrier all
#
################################################################################
########################### Deposita Óxido de Nitrito ########################
################################################################################
#
deposit oxynitride thick=0.05
#
deposit barrier thick=0.10
#
etch barrier left p1.x=0.7
#
etch barrier right p1.x=16.70
#
rate.etch machine=Machine_etch2 oxynitride a.s rie isotropic=50.00 \
dir=50.00 chem=4.00 div=6.00
#
etch machine=Machine_etch2 time=20.0 seconds
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Corroe o Silicio ##############################
################################################################################
#
rate.etch machine=Machine_etch3 silicon a.s rie isotropic=90.00 \
dir=90.00 chem=4.00 div=5.00
#
etch machine=Machine_etch3 time=25.0 seconds
#
################################################################################
############################## Deposita oxido #################################
################################################################################
#
rate.depo machine=Machine_2 oxide a.s cvd dep.rate=1.0 step.cov=0.90
#
deposit oxide thick=0.40
#
etch oxide above p1.y=-1.25
#
################################################################################
########################## Corroe o Óxido de Nitrito #########################
################################################################################
#
deposit barrier thick=0.1
#
etch barrier start x=8.00 y=-1.35
etch cont x=8.10 y=-1.35
etch done x=8.10 y=-1.25
etch done x=8.00 y=-1.25
#
rate.etch machine=Machine_etch2 oxynitride a.s rie isotropic=50.00 \
dir=50.00 chem=4.00 div=6.00
#
etch machine=Machine_etch2 time=20.0 seconds
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Corroe o Silício ##############################
################################################################################
#
rate.etch machine=Machine_etch3 silicon a.s rie isotropic=90.00 \
dir=90.00 chem=4.00 div=5.00
#
etch machine=Machine_etch3 time=25.0 seconds
#
################################################################################
############################## Corroe o Óxido ################################
################################################################################
#
rate.etch machine=Machine_etching oxide a.s rie isotropic=50.00 dir=5.00 \
chem=5.00 div=5.00
#
etch machine=Machine_etching time=1.0 seconds
#
etch oxynitride all
#
################################################################################
############################## Deposita Óxido ################################
################################################################################
#
rate.depo machine=Machine_oxidation oxide a.s cvd dep.rate=1.0 step.cov=0.90
#
deposit machine=Machine_oxidation time=3600.0 seconds
#
etch oxide above p1.y=-1.2
#
################################################################################
############################## Implanta Fósforo ##############################
################################################################################
#
mask name="Dop_P"
#
implant phosphor dose=1.0e17 energy=40 tilt=0 rotation=0 crystal
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Extração de Concentração ######################
################################################################################
#
extract name="Nwell_extraction" curve(abs(depth),abs(impurity="Phosphorus" \
material="Silicon" mat.occno=1 x.val=12.00)) \
outfile="extract_Nwell.dat"
#
tonyplot extract_Nwell.dat
#
################################################################################
############################## Implanta Boro #################################
################################################################################
#
mask name="Dop_N"
#
implant boron dose=1.0e17 energy=10 tilt=0 rotation=0 crystal
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Extração de Concentração ######################
################################################################################
#
extract name="Pwell_extraction" curve(abs(depth),abs(impurity="Boron" \
material="Silicon" mat.occno=1 x.val=4.00)) \
outfile="extract_Pwell.dat"
#
tonyplot extract_Pwell.dat
#
################################################################################
############################## Difusão de dopantes ###########################
################################################################################
#
diffus time=50 temp=1000 t.final=1200 dryo2 press=0.10 hcl.pc=3
#
diffus time=220 temp=1200 nitro press=1.00
#
diffus time=90 temp=1200 t.final=800 nitro press=1.00
#
################################################################################
############################## Extração de Concentração ######################
################################################################################
#
extract name="Pwell_extraction2" curve(abs(depth),abs(impurity="Boron" \
material="Silicon" mat.occno=1 x.val=4.00)) outfile="extract_Pwell2.dat"
#
extract name="Nwell_extraction2" curve(abs(depth),abs(impurity="Phosphorus" \
material="Silicon" mat.occno=1 x.val=12.00)) \
outfile="extract_Nwell2.dat"
#
tonyplot extract_Nwell2.dat extract_Pwell2.dat
#
################################################################################
######################## Crescimento do Óxido de porta #######################
################################################################################
#
deposit oxide thick=0.01
#
################################################################################
############################## Deposita Polissilício #########################
################################################################################
#
deposit polysilicon thick=0.20
#
mask name="Poly"
#
etch polysilicon dry thick=0.20
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Crescimento de óxido ##########################
################################################################################
#
deposit oxide thick=0.02
#
################################################################################
############################## Implanta Boro #################################
################################################################################
#
mask name="Dop_P"
#
implant boron dose=1.0e17 energy=12 tilt=0 rotation=0 crystal
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Implanta Fósforo ##############################
################################################################################
#
mask name="Dop_N"
#
implant phosphor dose=1.0e17 energy=30 tilt=0 rotation=0 crystal
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Deposita Óxido de campo #######################
################################################################################
#
etch oxide dry thick=0.03
#
deposit oxide thick=0.50
#
etch oxide above p1.y=-0.8
#
mask name="L#49"
#
etch oxide dry thick=0.4
#
etch barrier all
#
################################################################################
############################## Deposita Alumínio #############################
################################################################################
#
deposit aluminum thick=0.80
#
etch aluminum above p1.y=-1.4
#
etch aluminum start x=3.00 y=-1.40
etch cont x=3.00 y=-0.80
etch cont x=5.50 y=-0.80
etch done x=5.50 y=-1.40
#
etch aluminum start x=10.50 y=-1.40
etch cont x=10.50 y=-0.80
etch cont x=14.0 y=-0.80
etch done x=14.0 y=-1.40
#
################################################################################
############################## Salva e plota #################################
################################################################################
#
structure outfile=Proj_Inverter.str
#
tonyplot
#