Capitolul 7

Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

1. Simbolul unui tiristor este prezentat în figura notată:
1p
a) b) c) d)
A T2 A T2

G
G

T1 T1
C C

2. Simbolul unui triac este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2

G
G

T1 T1
C C

3. Simbolul unei diode Shockley este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2

G
G

T1 T1
C C

127
 Elemente de electronică analogică - teste

4. Simbolul unui diac este prezentat în figura notată:

1p
a) b) c) d)
A T2 A T2

G
G

T1 T1
C C

5. Structura unui tiristor este prezentată în figura notată:

3p
a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
n p n
p p’1 p2 p

n n S
n’2 n2 canal
G p p’2 p1 p p
nnp n1
n n
G

C G T1 C

6. Structura unui triac este prezentată în figura notată:

3p
a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
p p n p n
p’1 p2
n n’2 n2 n S
canal
G p p’2 p1 p p
nnp n1
n n
G

C G T1 C

7. Structura unei diode Shockley este prezentată în figura notată:

3p

128
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

a) b) c) d)
A T2 A
G
n’1
p p n p n
p’1 p2
n n’2 n2 n S
canal
G p p’2 p1 p
p
nnp n1
n n
G

C G T1 C

8. În funcţionare normală, tiristorul prezintă:

2p
a) două stări, ambele instabile;
b) două stări, una stabilă, una instabilă;
c) trei stări, toate trei stabile;
d) două stări, ambele stabile.

9. În funcţionare normală, tiristorul prezintă două stări:

2p
a) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
scurtcircuit, şi starea de blocare stare în care tiristorul se comportă
ca un circuit întrerupt;
b) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
scurtcircuit, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă
ca o rezistenţă negativă;
c) starea de blocare stare în care tiristorul se comportă ca un circuit
întrerupt, şi starea instabilă stare în care tiristorul se comportă ca o
rezistenţă negativă;
d) stare de conducţie, stare în care tiristorul se comportă ca un
amplificator, şi starea de blocare stare în care tiristorul se
comportă ca un circuit întrerupt;

10. Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă:

2p
a) tranziţia de la starea de blocare la starea în care tiristorul se
comportă ca o rezistenţă negativă;
b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se
comportă ca o rezistenţă negativă;
c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;
d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

11 Procesul de amorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de

129
 Elemente de electronică analogică - teste

2p blocare la starea de conducţie. Pentru a se realiza această tranzitie este

necesar:
a) să fie îndeplinite una dintre următoarele condiţii: polarizare directă
a tiristorului sau comandă pe poartă;
b) să fie îndeplinite simultan două condiţii: polarizare directă a
tiristorului şi comandă pe poartă;
c) şi suficient ca tiristorul să fie polarizat direct;
d) şi suficient să existe comandă pe poartă.

12. Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare

2p conectate ca în figura:
a) b) c) d)
C A A A

T1 T1 T1 T1

G G G G
T2 T2 T2 T

A C C C

13. Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare

2p conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin
faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite
declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura:
A

T1

G
T2

C
Figura 7.1
a) ( )
iG ↑ ⇒ i BT 1 ↑ ⇒ iCT 1 = i BT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ i BT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
b) ( )
iG ↑ ⇒ iBT 2 ↑ ⇒ iCT 1 = iBT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ iBT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐

130
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

c) ( )
iG ↑ ⇒ iBT 1 ↑ ⇒ iCT 2 = iBT 2 ↑ ⇒ iCT 1 ↑ ⇒ iBT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
d) ( )
iG ↑ ⇒ iBT 1 ↑ ⇒ iCT 1 = iBT 1 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ iBT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐

14. Tiristorul poate fi conceput având în structura sa două tranzistoare

3p conectate ca în figura 7.1. Amorsarea tiristorului poate fi explicată prin
faptul că modul de conectare al celor două tranzistoare permite
declanşarea unui proces regenerativ în structură prezentat în figura7.2.
Mecanismul este :
( )
iG ↑ ⇒ i BT 1 ↑ ⇒ iCT 1 = i BT 2 ↑ ⇒ iCT 2 ↑ ⇒ i BT 1 ↑
⇑ ⇓
⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐ ⇐
a) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
celor două tranzistoare;
b) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2;
c) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin saturarea
celor două tranzistoare;
d) pornit prin injectarea unui curent pe grilă şi ia sfârşit prin blocarea
tranzistorului T1 şi saturarea tranzistorului T2.

15. În practică există posibilitatea apariţiei aşa numitelor amorsări parazite,

3p amorsări ce trebuie evitate. Există în principal doi factori care pot da
naştere acestor amorsări:
diA
a) dispersia parametrilor sau efectul ;
dt
dv A
b) dispersia parametrilor sau efectul ;
dt
di
c) temperatura sau efectul A ;
dt
dv A
d) temperatura sau efectul ;
dt

16. Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă:

2p

131
 Elemente de electronică analogică - teste

a) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se

comportă ca o rezistenţă negativă;
b) tranziţia de la starea de conducţie la starea în care tiristorul se
comportă ca o rezistenţă negativă;
c) tranziţia de la starea de conducţie la starea de blocare;
d) tranziţia de la starea de blocare la starea de conducţie.

17. Procesul de dezamorsare al tiristorului reprezintă tranziţia de la starea de

2p conducţie la starea de blocare. Pentru a se realiza această tranzitie este
necesar:
a) iG < iH
b) iG > iH
c) i A < i H
d) iA > iH
unde:
iH poartă numele de curent de menţinere
iA curent anodic
iG curent de grilă

18. Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una
2p dintre ele este:
a) polarizarea inversă a tiristorului;
b) injectarea unui curent pe poartă;
c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;
d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

19. Blocarea tiristorului clasic se realizează practic prin două metode. Una
2p dintre ele este:
a) proiectarea unui circuit special de stingere;
b) injectarea unui curent pe poartă;
c) polarizarea inversă a joncţiunii poartă catod;
d) comandă pe poartă şi polarizare inversă a tiristorului.

20. În cazul unui tiristor clasic:

3p
a) grila comandă atât amorsarea cât şi dezamorsarea;
b) după amorsare grila îşi pierde rolul;
c) uneori grila comandă amorsarea alteori dezamorsarea;
d) rolul grilei este dictat de circuitul exterior.

132
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

21. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2

c) d.)
iA
iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2

22. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2

c) d.)
iA

iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2

23. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura

2p notată:

133
 Elemente de electronică analogică - teste

a) b)
iA iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2

c) d.)
iA

iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2

24. Caracteristica statică a unui triac este prezentată în figura notată:

2p
a) b)
iA iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH vA vT1T2

c) d.)
iA

iT1T2

IH H
VBR
VBD1 VH V BD vA
vT1T2

25. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 1 este
1p notată:

134
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

iA
5
4 iG0 =0
3 iG1>iG0
2
IH H
VBR
V VH VBD3 VBD2 VBD1 vA
1 V

Figura 7.2
a) regiune de străpungere; regiune nefolosită în funcţionare normală
întrucât tiristorul se distruge dacă punctul de funcţionare ajunge în
această regiune.
b) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
d) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.

25. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 2 este
1p notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile
ale tiristorului

26. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 3 este
1p notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări

135
 Elemente de electronică analogică - teste

stabile ale tiristorului

b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile
ale tiristorului

27. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 4 este
1p notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile
ale tiristorului

28. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.2. Cu 5 este
1p notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare directă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
b) regiune de blocare la polarizare directă; ; împreună cu regiunea de
blocare la polarizare invesă constituie una dintre cele două stări
stabile ale tiristorului
c) regiune de rezistenţă negativă; stare instabilă; neutilizată în mod
normal.
d) regiune de conducţie; constituie una dintre cele două stări stabile
ale tiristorului

29. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 1 este
1p notată:

136
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

iT1T2

6
iG4 5
iG3
4

vT1T2
3 2
iG2
iG1
1

Figura 7.3
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

30. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 2 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

31. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 3 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

32. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 4 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

33. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 5 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;

137
 Elemente de electronică analogică - teste

c) regiune de rezistenţă negativă;

d) regiune de conducţie;

34. Caracteristica statică a unui tiristor este prezentată în figura 7.3. Cu 6 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

35. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 1 este notată:
iA
5
4
3
2
IH H
VBR
V VH VBD vA
1

Figura 7.4
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare la polarizare inversă;
c) regiune de blocare la polarizare directă;
d) regiune de rezistenţă negativă.

36. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 2 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;
b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.
d) regiune de conducţie.

37. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 3 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;
b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.
d) regiune de conducţie.

138
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

38. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 4 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;
b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.
d) regiune de conducţie.

39. Caracteristica statică a unei diode Shockley este prezentată în figura 7.4.
1p Cu 5 este notată:
a) regiune de blocare la polarizare inversă;
b) regiune de blocare la polarizare directă;
c) regiune de rezistenţă negativă.
d) regiune de conducţie.

40. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 1 este
1p notată:
iT1T2

6
5
4

vT1T2
3
2
1

Figura 7.5
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

41. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 2 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

42. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 3 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;

139
 Elemente de electronică analogică - teste

b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

43. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 4 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

44. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 5 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

45. Caracteristica statică a unui diac este prezentată în figura 7.5. Cu 6 este
1p notată:
a) regiune de străpungere;
b) regiune de blocare;
c) regiune de rezistenţă negativă;
d) regiune de conducţie;

46. Tiristorul blocat se modelează ca în figura notată:

2p
a) b) c) d)
A A A A

E E

C C C C

47. Tiristorul în conductie se modelează ca în figura notată:

2p

140
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

a) b) c) d)
A A A A

E E

C C C C

48. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7

4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a
curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,
căderea de tensiune (vA) pe tiristor este prezentată în figura notată:
iL vs
Tr
RL vL t
Vp Vs
T iG iG
vA
t
Figura 7.6 Figura 7.7

a) b)
vs vs

t t
iG iG

vA t vA t

t t
c) d)
vs vs

t t
iG iG

vA t vA t

t t

49. Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Figura 7.7

141
 Elemente de electronică analogică - teste

4p prezintă modul de variaţie în timp a tensiunii de alimentare Vs şi a

curentului de comandă aplicat pe grila tiristorului iG. În aceste condiţii,
căderea de tensiune (vL) pe rezistorul de sarcină tiristor este prezentată în
figura notată:
iL vs
Tr
RL vL t
Vp Vs
T iG iG
vA
t
Figura 7.6 Figura 7.7

a) b)
vs vs

t t
iG iG

vL t vL t

t t
c) d)
vs vs

t t
iG iG

vL t vL t

t t

50 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în

2p care tiristorul este în conducţie această schemă se modelează ca în figura
notată:

142
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

a) c)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA

c) d)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA

51 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. În condiţiile în

2p care tiristorul este blocat această schemă se modelează ca în figura notată:
a) c)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA

c) d)
iL iL
Tr Tr
RL vL RL vL
Vp Vs Vp Vs
T T
vA vA

52 Figura 7.6 prezintă un redresor monoalternanţă comandat. Formele undă

4p care caracterizează funcţionarea sunt prezentate în figura 7.8. În condiţiile
în care tensiunea din secundarul transformatorului are expresia
v S (t ) = V s sin ω t cădere de tensiune de pe sarcină (vL) are expresia:

143
 Elemente de electronică analogică - teste

vs

t
iG

vA t

t
vL

0 t
t1 t2 t3t4 t5 t6t7 t8
Figura 7.8

a) Vs sin ω t pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

v L (t ) = 
0 pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z

b) v (t ) = 0 pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

L
 2V s sin ω t pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z

c)  2Vs sin ω t pentru t ∈ {(kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

v L (t ) = 
0 pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z

d) v L (t ) = 0 pentru t ∈ {( kT , t1 + kT ) U (t 2 + kT , t 3 + kT )} k∈Z

V s sin ω t pentru t ∈ (t1 + kT , t1 + kT ) k∈Z

53 Figura 7.9 prezintă o aplicaţie tipică pentru funcţionarea unui triac.

4p Funcţionarea acestui circuit este descrisă de formele de unda reprezentate
în figura notată:
iL
Tr
RL vL
Vp Vs
Tc iG vA

Figura 7.9

144
 Dispozitive semiconductoare multijoncţiune

a) b)
vs vs

t t
iG iG

vT1T2 t vT1T2 t

t t
vL vL

t t
c) d)
vs vs

t t
iG iG

vT1T2 t vT1T2 t

t t
vL vL

t t

145
 Elemente de electronică analogică - teste

Răspunsuri
1. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect b.)
2. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect b.)
3. Răspuns corect c) 33. Răspuns corect c.)
4. Răspuns corect d) 34. Răspuns corect c.)
5. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect a.)
6. Răspuns corect b) 36. Răspuns corect a.)
7. Răspuns corect c.) 37. Răspuns corect b.)
8. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect c.)
9. Răspuns corect a) 39. Răspuns corect d.)
10. Răspuns corect d) 40. Răspuns corect d.)
11. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect c.)
12. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b.)
13. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect b.)
14. Răspuns corect c) 44. Răspuns corect c.)
15. Răspuns corect d) 45. Răspuns corect d.)
16. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect b.)
17. Răspuns corect c) 47. Răspuns corect a.)
18. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect b)
19. Răspuns corect a) 49. Răspuns corect d)
20. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect d)
21. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect c)
22. Răspuns corect b) 52. Răspuns corect d.)
23. Răspuns corect c) 53. Răspuns corect d)
24. Răspuns corect d)
25. Răspuns corect a)
25. Răspuns corect a)
26. Răspuns corect b)
27. Răspuns corect c)
28. Răspuns corect d.)
29. Răspuns corect d)
30. Răspuns corect c.)

146