Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
BURLACU GEORGIAN
Master an II – TAEA
Introducere
Cipurile realizate din siliciu semiconductor au lansat revoluția din industria electronicelor și
informatizarea din societatea noastră. Circuitele integrate pe bază de siliciu stau la baza
dispozitivelor electronice interconectate din lumea noastră digitală cu ajutorul cărora putem
accesa și partaja informațiile dorite.
Pentru a înțelege această provocare tehnologică, trebuie să cunoaştem de ce s-a ales siliciul
pentru fabricarea componentelor electronice semiconductoare. Deşi acesta are de partea sa
o serie de avantaje – abundenţa, se prelucrează relativ uşor, are proprietăți fizice bune și
dispune de un strat nativ de oxid (SiO2) stabil care este un bun izolator – el are, de asemenea,
mai multe dezavantaje.
De exemplu, un mare avantaj al integrării unui număr cât mai mare de tranzistoare într-un
singur cip este acela că în acest mod circuitul integrat va putea procesa mai rapid informațiile.
Dar această creştere de viteză depinde în mod semnificativ de cât de ușor se pot deplasa
electronii în interiorul materialului semiconductor. Această proprietate este cunoscută sub
numele de mobilitatea electronilor și chiar dacă electronii din siliciu sunt destul de mobili,
aceştia se pot deplasa mult mai uşor în alte materiale semiconductoare cum ar fi arseniura
de galiu, arseniura de indiu și antimonid de indiu.
Pentru creşterea mobilităţii golurilor de electroni din siliciu, în prezent se adaugă o cantitate
mică de germaniu pentru a îmbunătăți această caracteristică, dar folosirea unei cantităţi mai
mari sau chiar realizarea tranzistoarelor numai din germaniu ar putea fi soluţii mai bune. Deşi
germaniul a fost primul material utilizat pentru dispozitivele semiconductoare, o realinierea a
industriei componentelor semiconductoare în jurul germaniului ar fi destul de problematică
pentru producători.
În ceea ce priveşte oxizii metalici, dioxidul de siliciu a fost folosit în cadrul tranzistoarelor de
mai mulți ani, dar odată cu miniaturizarea, stratul de dioxid de siliciu a devenit atât de subțire
încât a început să-și piardă proprietățile izolatoare, ceea ce înseamnă că tranzistoarelor pot
deveni nesigure în funcţionare. În ciuda faptului că s-a utilizat şi dioxidul de hafniu (HfO2) ca
izolator, căutarea unui material alternativ cu proprietăți chiar mai bine de izolare continuă şi
în prezent.
Probabil cea mai interesantă alternativă pentru siliciu o reprezintă utilizarea așa-numitelor
materiale semiconductoare compuse III-V, în special cele care conțin indiu, cum ar fi
arseniura de indiu și antimonid de indiu. Aceste materiale semiconductoare au o mobilitate a
electronilor de până la 50 ori mai mare decât în cazul siliciului. În combinaţie cu germaniul,
acestea pot oferi tranzistoarelor o creștere majoră de viteză.
Cu toate acestea, acest lucru nu este la fel de simplu pe cât pare. Siliciul, germaniul, oxizii și
materialele din grupele III-V reprezintă structuri cristaline ale căror proprietăţi depind de
integritatea cristalului. Nu putem, pur și simplu, să le amestecăm cu siliciu și să obţinem tot
ce este mai bun din ele. Asimetria rețelei cristaline reprezintă o provocare tehnologică majoră.
În ciuda limitărilor sale, siliciul s-a dovedit un material de bază pentru realizarea
componentelor electronice ce sunt înglobate în dispozitivele electronice ce sunt produse în
masă şi la un preţ redus. Deci, în ciuda unor titluri privind „sfârșitul siliciului” sau a unor
promisiuni spectaculoase (și, uneori, destul de nerealiste) privind materialele alternative,
siliciul este încă regele și, susținut de o industrie globală uriașă și extrem de bine dezvoltată,
acesta nu va fi detronat în timpul vieții noastre.