Capitolul 4

Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

1. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC iIN
RC
iIN
vIN
RE vO
vIN vO

c) d)
EC EC
iC
RC RB1 RC
iIN Iin
C1
C2

vIN vO Vo
Vin
RB2 RE CE

2. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC
RC iIN

iIN
vIN
RE vO
vIN vO

49
 Elemente de electronică analogică - teste

c) d)
EC EC
iC
RC RB1
iIN Iin
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo

3. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura:

1p
a) b)
EC EC
iC
RC iIN

iIN
vIN
RE vO
vIN vO

c) d)
EC +EC
iC RB2 RC
RC Iin
iIN
C1 C2

Vin Vo
vIN vO RE CB RB1

4. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

2p 4.1. Tranzistorul T este blocat dacă:
EC
iC
RC
iIN

vIN vO

Figura 4.1

50
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

5. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:
a) vIN<Vγ
b) Vγ<vIN<VBEsat
c) vIN≈vBEsat
d) vIN>>vBEsat

6. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura

2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:
a) vIN<Vγ
b) Vγ<vIN<VBEsat
c) vIN≈vBEsat
d) vIN>>vBEsat

7. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura

2p 4.2. Tranzistorul T este blocat dacă:
EC

iIN

vIN
RE vO

Figura 4.2
(
a) vIN ∈ − ∞, Vγ )
b) vIN ∈ [ Vγ , EC)
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )
8. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:
(
a) vIN ∈ − ∞, Vγ )
b) vIN ∈ [ Vγ , EC)
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )

51
 Elemente de electronică analogică - teste

9. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura

2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:
a) vIN ∈ − ∞, Vγ( )
b) vIN ∈ [ Vγ , EC)
c) vIN=EC
(
d) vIN ∈ − ∞, − Vγ )
10. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
2p 4.3. Tranzistorul T este blocat dacă:
EC
iC
RC
iIN

vIN vO

Figura 4.3
a) v IN ≅ v BEsat
b) vIN ∈ (-vBEsat , - Vγ )
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
d) vIN ∈ Vγ ,+∞ )
11. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă:
a) v IN ≅ v BEsat
b) vIN ∈ (-vBEsat , - Vγ )
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
d) vIN ∈ Vγ ,+∞ )
12. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă:
a) v IN ≅ v BEsat
b) vIN ∈ (-vBEsat , - Vγ )
c) vIN ∈ [− Vγ ,+∞ )
[
vIN ∈ Vγ , +∞ )

52
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

13. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
2p 4.1. Tranzistorul T este blocat dacă vIN<Vγ. În aceste condiţii schema
echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO

c) d)
EC EC
iC

RC RC

C RB C
B B

E E
vIN vO v IN ≈ 0 vO

14. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
3p 4.2. Tranzistorul T este blocat dacă v IN ∈ (− ∞, Vγ ) . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO

c) d)
EC EC
iC

RC RC

C RB C
B B

E E
vIN vO v IN ≈ 0 vO

53
 Elemente de electronică analogică - teste

15. Schema de principiu a unui etaj bază comună comun este prezentată în
3p figura 4.3. Tranzistorul T este blocat dacă ∈ [− Vγ ,+∞ ) . În aceste condiţii
schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC
C
RC iIN B
E
C
E
vIN
B RE vO
vIN vO

c) d)
EC EC
iC

RC RC

C RB C
B B

E E
vIN vO v IN ≈ 0 vO

16. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă Vγ<vIN<VBEsat. În
aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim
cvasistatic este::
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
iIN B C vBE βiIN
vIN E
vIN
vO
RE vO
E

c) d)
EC It Ib B C Ic
iC

RC βIb
rπ
iIN E C E
Vt Ir RB
v IN
βiIN vO RE Vot

54
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

17. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă vIN ∈ [ Vγ , EC). În
aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim
cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
vBE βiIN
iIN B C
vIN E
vIN
vO
RE vO
E

c) d)
EC It Ib B C Ic
iC
βIb
RC rπ
iIN E C E
Vt Ir RB
vIN RE Vot
βiIN vO

18. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim activ normal dacă
vIN ∈ (-vBEsat, - Vγ ). În aceste condiţii schema echivalentă de semnal mare
pentru regim cvasistatic este:
a) b)
EC EC
iC iIN B C
βiIN
RC
iIN B C vBE βiIN
vIN E
vIN
vO
RE vO
E

55
 Elemente de electronică analogică - teste

c) d)
EC It Ib B C Ic
iC
βIb
RC rπ
E
iIN E C
Vt Ir RB
vIN RE Vot
βiIN vO

19. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
2p 4.1. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN≈vBEsat În aceste
condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic
este::
a) b)
EC EC

vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C

vIN vBEsat vO vIN ≈ EC vBEsat vO

E E

c) d)
EC EC
B C
RC
vBEsat vCEsat vCEsat
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B

20. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
2p 4.2. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă vIN=EC. În aceste
condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic
este:

56
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

a) b)
EC EC

vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C

vIN vBEsat vO vIN ≈ EC vBEsat vO

E E

c) d)
EC EC
B C
RC
vBEsat vCEsat vCEsat
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B

21. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
2p 4.3. Tranzistorul T operează în regim saturat dacă v IN ≅ v BEsat . În aceste
condiţii schema echivalentă de semnal mare pentru regim cvasistatic
este:
a) b)
EC EC

vCEsat RC vCEsat RC
RB
B C B C

vIN vBEsat vO vIN ≈ EC vBEsat vO

E E

c) d)
EC EC
B C
RC
vBEsat vCEsat vCEsat
E C
E
vIN
vIN vBEsat vO
vO
RE
B

57
 Elemente de electronică analogică - teste

22. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
4p 4.1. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat

23. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
4p 4.2. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat

24. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
4p 4.3. Dacă tranzistorul T este blocat, tensiunea de ieşire are valoarea:
a) vO=EC;
b) vO ≈ vCE sat ;
c) vO=0;
d) vO ≈ vBE sat

25. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
4p 4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea de
ieşire are valoarea:
 vIN 
a) vO = EC − RC I S exp − 
 eT 
b) vO=vIN-vBE
c) vO ≈ VCEsat ≅ 0
vIN
d) vO = EC − I S RC exp
eT

58
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

26. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
4p 4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea de
ieşire are valoarea:
 vIN 
a) vO = EC − RC I S exp − 
 VT 
b) vO=vIN-vBE
c) vO ≈ VCEsat ≅ 0
v IN
d) v O = E C − IS R C exp
VT

27. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
4p 4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim activ normal, tensiunea de
ieşire are valoarea:
 vIN 
a) vO = EC − RC I S exp − 
 eT 
b) vO=vIN-vBE
c) vO ≈ VCEsat ≅ 0
vIN
d) vO = EC − I S RC exp
eT

28. Schema de principiu a unui etaj emitor comun este prezentată în figura
4p 4.1. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire are
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat

29. Schema de principiu a unui etaj colector comun este prezentată în figura
4p 4.2. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire are
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat

59
 Elemente de electronică analogică - teste

30. Schema de principiu a unui etaj bază comună este prezentată în figura
4p 4.3. Dacă tranzistorul T operează în regim saturat, tensiunea de ieşire are
valoarea:
a) vO=vCEsat
b) vO=EC-vCEsat
c) vO=EC
d) vO=EC-vBEsat

31. Caracteristica de transfer a unui etaj emitor comun este prezentată în

3p figura:

a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.
Vγ

vCEsat

0.5V 1V vIN
Vγ EC vIN

c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.

-vBEsat - Vγ vIN Vγ EC vIN

32. Caracteristica de transfer a unui etaj colector comun este prezentată în

3p figura:
a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.
Vγ

vCEsat

0.5V 1V vIN
Vγ EC vIN

60
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.

-vBEsat - Vγ vIN Vγ EC vIN

33. Caracteristica de transfer a unui etaj bază comună este prezentată în

3p figura:
a) b)
vO vO
EC vBEsat
EC-vCEsat.

Vγ

vCEsat

0.5V 1V vIN Vγ EC vIN

c) d)
vO vO
EC
EC-vCEsat.

-vBEsat - Vγ vIN Vγ EC vIN

34 Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiunea

4p emitor comun este:
a) b)
EC EC

RB1 RC
Iin RB
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo

61
 Elemente de electronic ă analogică - teste

c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2

Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE

35 Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiunea

4p colector comun este:
a) b)
EC EC

RB1 RC
Iin C1
RB
C2

Vin
RB2 RE Vo vIN vO

c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2

Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE

36 Schema electrică a unui etaj de amplificare care lucrează în conexiunea

4p bază comună este:
a) b)
EC EC

RB1 RC
Iin RB
C1
C2
vIN vO
Vin
RB2 RE Vo

62
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2

Vin Vo
Vo RE CB RB1
Vin
RB2 RE CE

37 Schema electrică a unui inversor saturat este:

4p
a) b)
EC EC

RB1
RC
Iin
C1
RB
C2

Vin
RB2 RE Vo vIN vO

c) d)
EC +EC
RB2 RC
RB1 RC Iin
Iin
C1
C2 C1 C2

Vin
Vo Vo
Vin RE CB RB1
RB2 RE CE

38 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Schema

3p echivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:
EC

RB1 RC
Iin
C1
C2

Vo
Vin
RB2 RE CE

Figura 4.4

63
 Elemente de electronic ă analogică - teste

a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
RB rπ V be gmV be RC Vt
E -
E

c) d)
It Ib B C Ic βIb
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

39 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Schema

3p echivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:
EC

RB1
Iin C1
C2

Vin
RB2 RE Vo

Figura 4.5
a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
RB rπ V be gmV be RC Vt
E -
E

64
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

40 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Schema

3p echivalentă pentru regimul cvasistatic de semnal mare a acestui etaj este:
+EC
RB2 RC
Iin

C1 C2

Vin Vo
RE CB RB1

Figura 4.6

a) b)
Ir
It Ib B C Ic
B C It
+
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
RB rπ V be gmV be RC Vt
E -
E

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ie Ib
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

41 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorii RB1 şi

1p RB2 au rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea

65
 Elemente de electronic ă analogică - teste

activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) sarcină.

42 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RE

1p are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de sarcină.

43 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Rezistorul RC

1p are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de sarcină.

44 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Condensatorul

1p C1 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

45 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Condensatorul

1p C2 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

66
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

46 Figura 4.4 prezintă un etaj de amplificare emitor comun. Condensatorul

1p CE are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

47 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorii RB1

1p şi RB2 au rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

48 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Rezistorul RE

1p are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de sarcină asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

49 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Condensatorul

1p C1 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de sarcină asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

50 Figura 4.5 prezintă un etaj de amplificare colector comun. Condensatorul

1p C2 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.

67
 Elemente de electronic ă analogică - teste

b) de sarcină asigura stabilizare termică

c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune emitorul la masă în curent alternativ.

51 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorii RB1 şi

1p RB2 au rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

52 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RE are

1p rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă.
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

53 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Rezistorul RC are

1p rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică
c) de sarcină.
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

54 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul

1p C1 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală.
b) de a asigura stabilizare termică;
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

55 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul

68
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

1p C2 are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală;
b) de a asigura stabilizare termică;
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

56 Figura 4.6 prezintă un etaj de amplificare bază comună. Condensatorul

1p CB are rolul:
a) de a asigura în bază potenţialul necesar funcţionării în regiunea
activă normală;
b) de a asigura stabilizare termică;
c) de a separa în curent continuu etajul, blocând componenta
continuă, dar lăsând să treacă componenta alternativă;
d) de a pune baza la masă în curent alternativ.

57. Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
cvasistatic este:
EC

RB1 RC
It
C1
C2

Vot
Vt
RB2 RE CE

Figura 4.7
a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
RB rπ Vbe gmVbe RC Vt
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
-
E E

69
 Elemente de electronic ă analogică - teste

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

58. Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
cvasistatic este:

EC

RB1
It
C1
C2
Vot
Vt
RB2 RE

Figura 4.8

a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
RB rπ Vbe gmVbe RC Vt
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
-
E E

70
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

59. Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Schema echivalentă de semnal mic, regim
cvasistatic este:
+EC
RB2 RC
It

C1 C2

Vt
Vot
RE CB RB1

Figura 4.9

a) b)
Ir
B C It
It Ib B C Ic +
RB rπ Vbe gmVbe RC Vt
Vt RB rπ Vbe g mVbe RC Vot
-
E E

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

60. Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a

71
 Elemente de electronic ă analogică - teste

rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin

Vot
relaţia A V = , expresia acestei amplificări este:
Vt
a) Av = − gπ RC ;
b) Av = − g m RC ;
c) Av ≅ 1 ;
d) Av = g m RC .

61. Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin
Vot
relaţia A V = , expresia acestei amplificări este:
Vt
a) Av = − gπ RC ;
b) Av = − g m RC ;
c) Av ≅ 1 ;
d) Av = g m RC .

62. Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că amplificarea în tensiune este definită prin
Vot
relaţia A V = , expresia acestei amplificări este:
Vt
a) Av = − g π RC ;
b) Av = − g m RC ;

c) Av =
(β + 1)RE ≅ 1;
rπ + (β + 1)RE
d) Av = g m RC .

63. Figura 4.7 prezintă un etaj emitor comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
Vt
relaţia R in = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
It

72
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β
c) Rin = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
d) Rin = RB rπ ≅ rπ

64. Figura 4.8 prezintă un etaj colector comun atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
Vt
relaţia R in = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
It
rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β
c) Rin = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
d) Rin = RB rπ ≅ rπ

65. Figura 4.9 prezintă un etaj bază comună atacat cu un generator de

4p tensiune Vt pentru a permite calculul amplificării în tensiune precum şi a
rezistenţei de intrare. Ştiind că rezistenţa de intrare este definită prin
Vt
relaţia R in = , expresia acestei rezistenţe de intrare este:
It
rm r
a) Rin = RE ≅ m
β +1 β
rπ r
b) Rin = RE ≅ π
β +1 β
c) Rin = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
d) Rin = RB rπ ≅ rπ

66. Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator

73
 Elemente de electronic ă analogică - teste

4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă de

semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB1
RC It

C2
+
C1
Vt
CS
RB2 RE CE
-

Figura 4.10
a) b)
It Ib B C
+
RC Vt rπ βIb
It
- RB
E Ie +
RE Vt
-

c) d)
It Ib B C Ic βIb
It
βIb
rπ Ie Ib
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

67. Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu un

4p generator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema
echivalentă de semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB1

C2 It
C1
+
CS
RB2 RE Vt
-

Figura 4.11

74
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

a) b)
It Ib B C Ic Ib B C

βIb βIb
rπ rπ
E It
RB
E Ie +
Vt Ir RB
RE Vot RE Vt
-

c) d)
It β Ib
+ It
RC Vt Ib
Ie
- Vx
Vt RE rπ RC V ot

68. Figura 4.12 prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generator
4p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Schema echivalentă de
semnal mic, regim cvasistatic este:
+EC
RB2 RC

It

C1 C2
Cs
RE CB RB1 Vt

Figura 4.12
a) b)
It Ib B C

rπ βIb
It
RC Vt RB
E Ie +
RE Vt
-

75
 Elemente de electronic ă analogică - teste

c) d)
It Ib B C Ic β Ib
It
βIb
rπ Ib
Ie
E Vx
Vt Ir RB Vt RE rπ RC V ot
RE Vot

69. Figura 4.11 prezintă un etaj colector comun atacat la ieşire cu un

3p generator de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei
este:
a) Ro = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
b) Ro = RB rπ ≅ rπ
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC

70 Figura 4.10 prezintă un etaj emitor comun atacat la ieşire cu un generator

3p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:
a) Ro = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
b) Ro = RB rπ ≅ rπ
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC

71 Figura 4.12prezintă un etaj bază comună atacat la ieşire cu un generator

3p de tensiune pentru a evalua rezistenţa de ieşire. Expresia ei este:
a) Ro = RB [ rπ + (β + 1)RE ] ≅ RB β RE ≅ β RE
b) Ro = RB rπ ≅ rπ
rπ r
c) Ro = RE ≅ π
β +1 β
d) Ro = RC

76
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

72. Figura 4.13 prezinta schema unui inversor saturat: Acesta realizează
3p funcţia logică:
EC

RC
RB

vIN vO

Figura 4.13
a) AND;
b) NOT;
c) OR;
d) NAND.
Răspuns corect b)

77
Elemente de electronic ă analogică - teste

78
 Circuite fundamentale cu tranzistoare bipolare

Răspunsuri

1. Răspuns corect a) 37. Răspuns corect d)

2. Răspuns corect b) 38. Răspuns corect a)
3. Răspuns corect c) 39. Răspuns corect c)
4. Răspuns corect a) 40. Răspuns corect d)
5. Răspuns corect b) 41. Răspuns corect a)
6. Răspuns corect c) 42. Răspuns corect b)
7. Răspuns corect a) 43. Răspuns corect d)
8. Răspuns corect b) 44. Răspuns corect c)
9. Răspuns corect c) 45. Răspuns corect c)
10. Răspuns corect c) 46. Răspuns corect d)
11. Răspuns corect b) 47. Răspuns corect a)
12. Răspuns corect a) 48. Răspuns corect a)
13. Răspuns corect c) 49. Răspuns corect c)
14. Răspuns corect b) 50. Răspuns corect c)
15. Răspuns corect a) 51. Răspuns corect a)
16. Răspuns corect a) 52. Răspuns corect b)
17. Răspuns corect b) 53. Răspuns corect c)
18. Răspuns corect c) 54. Răspuns corect c)
19. Răspuns corect a) 55. Răspuns corect c)
20. Răspuns corect c) 56. Răspuns corect d)
21. Răspuns corect d) 57. Răspuns corect a)
22. Răspuns corect a) 58. Răspuns corect c)
23. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect d)
24. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect b.)
25. Răspuns corect d) 61. Răspuns corect c.)
26. Răspuns corect b) 62. Răspuns corect d.)
27. Răspuns corect a) 63. Răspuns corect d)
28. Răspuns corect a) 64. Răspuns corect c)
29. Răspuns corect b) 65. Răspuns corect c)
30. Răspuns corect c) 66. Răspuns corect a)
31. Răspuns corect a) 67. Răspuns corect b)
32. Răspuns corect b) 68. Răspuns corect a)
33. Răspuns corect c) 69. Răspuns corect c)
34. Răspuns corect c) 70. Răspuns corect d
35. Răspuns corect a) 71. Răspuns corect d)
36. Răspuns corect d) 72. Răspuns corect b)

79
Elemente de electronic ă analogică - teste

80