PRÁCTICA No.
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PROGRAMACIÓN MEMORIA EEPROM
OBJETIVO: Aprender a programar una memoria
EEPROM en diferentes posiciones, de forma
manual, tal que actúe como un publik de letras.
INTRODUCCIÒN.
Entender cómo se programa y se lee en una
memoria EEPROM de manera manual
comprendiendo su funcionamiento desde su
tabla de verdad, el circuito para ello será dividido
en 3 partes o secciones, la primera seccion sera
la localidad de memoria, la segunda de escritura
y finalmente de lectura.
MARCO TEÓRICO
1.Memoria EEPROM HM 6116.
Es una memoria de acceso aleatorio, Random
Access Memory (RAM), cuenta con una
capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una,
es una memoria estática de alta velocidad, está
fabricada con la tecnología CMOS, opera con
una fuente de alimentación de +5.0 Voltios y está
dispuesta en una pastilla de 24 terminales.
Figura 1. configuración pines EEPROM HM 6116
DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES
• A0-A10: Líneas de direcciones
• E/S0- E/S7: Entrada y Salida de datos
• CS Habilitador de la pastilla
• OE Habilitador de salidas
• WE Habilitador para la escritura
• Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts
• GND Terminal de tierra 0.0 Volts
OPERACIÓN DE LECTURA
Un dato será leído del dispositivo de
almacenamiento RAM 6116, mediante la
aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)',
un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la
terminal (OE)', con estas conexiones se dispone
que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se
coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o
(CS)' las líneas de E/S y/o la pastilla 6116 se
ponen en estado de alta impedancia,
respectivamente.
(CS)' posee la función de controlar la activación
de la pastilla, la cual puede ser usada por un
sistema con microprocesadores para la selección
del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone
en estado de alta impedancia, la cual puede ser
habilitada cada vez que el microprocesador
requiere leer la memoria.
OPERACIÓN DE ESCRITURA
Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116
mediante la aplicación de un nivel bajo en la
terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel
alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las
terminales E/S de la memoria RAM 6116 se
habiliten para aceptar la información, en estas
condiciones la terminal (OE)' posee la opción de
ser colocada en estado de alto bajo, para realizar
así la operación de escritura.
Tabla 1. tabla de verdad memoria EEPROM HM 6116
2. DM74LS126A (buffer 3-state)
Este dispositivo contiene cuatro puertas
independientes, cada una de las cuales realiza
una función de búfer sin inversión. Las salidas
tienen la característica 3-ESTADO. Cuando
están habilitadas, las salidas exhiben las
características de baja impedancia de una salida
LS estándar con capacidad de accionamiento
adicional para permitir la conducción de líneas de
bus sin resistencias externas. Cuando está
deshabilitado, los dos transistores de salida se
apagan presentando un estado de alta
impedancia a la línea de bus. Por lo tanto, la
salida no actuará como una carga significativa ni
como un controlador. Para minimizar la
posibilidad de que dos salidas intenten llevar un
bus común a niveles lógicos opuestos, el tiempo
de desactivación es más corto que el tiempo de
activación de las salidas.
Figura 2. Diagrama lógico buffer 74126 .
MATERIALES
● una Memoria EEPROM HM 6116.
● 4 Dip Switch de 4 disposiciones
● 16 Resistencias,
● 1 Display 7 segmentos.
● 4 Buffer tri-state 74126
● Fuente DC, protoboard.
METODOLOGÍA
Se realiza la simulación del circuito planteado
para verificar la funcionalidad de este.
Figura 3. Circuito simulado en multisim para
programar memoria HM 6116.
Este circuito se diseñó con tres secciones, la
primera sección es la localidad de memoria, la
segunda de escritura y finalmente de lectura. la
sección de la memoria está compuesta por un dip
switch de 8 disposiciones el cual enviará estados
altos o bajos, dependiendo de lo que se busque,
a las entradas de la memoria de 𝐴0 𝐴 𝐴7 qué son
las localidades de la memoria en la que serán
alojados estos estados. El resto de las entradas
de la memoria deberán ser conectadas a tierra.
La otra parte está formada por un display de tres
segmentos con el que se grabara los datos en la
memoria.
Figura 4. Sección localidad de memoria
La sección de escritura, cuando habilitamos esta
sección con el dip-switch de 3 segmentos,
encontraremos un dip-switch de ocho segmentos
en la cual se escribirá el dato que se guardará en
la memoria, estos están conectados a buffer 3-
state 74126, los cuales evitarán que se haga un
corto circuito realizando ya sea la lectura o la
escritura de datos.
Figura 5. Sección localidad de memoria
La sección de lectura está conectado
nuevamente a 2 buffer 3-state 74216 y a su vez
a un display de 7 segmentos, en el que se verán
los datos guardados

Figura 6. Sección localidad de lectura.

CONCLUSIÓN.

● Los buffer 3-state 74126, evitarán que

se haga un corto circuito realizando la
lectura o la escritura de datos.
● Es necesario conocer las disposiciones
de la memoria para poder armar el
circuito de forma correcta.
● las compuertas de entrada sin utilizar en
la memoria deben ir a tierra para un
funcionamiento idóneo.

BIBLIOGRAFÍA.

http://esime-ipn.blogspot.com/2015/10/manej

o-de-una-memoria-Tram-6116.html

https://www.idt.com/document/dst/6116sala-
data-sheet

http://ltodi.est.ips.pt/lab-dee-
et/datasheets/TTL/74126.pdf

http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/51031/FAIRCHILD/74126.html