Sunteți pe pagina 1din 10

DCE - Cap. 9.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 79

Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE


9.1. TIRISTOARE

9.1.1. Structură, schema echivalentă, caracteristicile statice

Denumirea de tiristoare a fost dată unui grup de dispozitive semiconductoare a căror


structură conţine trei sau mai multe joncţiuni şi care au caracteristici asemănătoare tubului cu gaz
numit tiratron. Termenul a rezultat prin contractarea cuvintelor tiratron-tranzistor. Structura de
tiristor a fost propusă de Shockley în 1950, dar primul tiristor a fost realizat în 1956 de Moll şi
colaboratorii săi. În principiu, structura constă din 4 regiuni de conductibilitate alternată, într-un
monocristal de siliciu (fig. 9.1.a).

Fig. 9.1
Tiristorul are trei terminale numite anod, catod şi poartă (grilă). În figura 9.1.c se prezintă
schema echivalentă a tiristorului, la care se ajunge cu ajutorul figurii 9.1.b. Se observă că J 1 , J3 sunt
joncţiuni emitoare şi J2 joncţiune de colector pentru T1 ,T2. T2 este amplificator în conexiune EC,
având ca sarcină în colector rezistenţa JBET2. Semnalul de la ieşirea unui etaj de amplificare se aplică
la intrarea celuilalt; avem de-a face cu un circuit de amplificare cu reacţie pozitivă. Simbolul este
prezentat în figura 9.1.d, iar caracteristicile statice în figura 9.2.

Fig. 9.2
Aplicând tiristorului o tensiune directă, cu (+) pe anod şi (-) pe catod, fără I P , IA este mic (10-8A), iar
RAC ≈ 0-8; aceasta este starea blocată. Mărind tensiunea, punctul de funcţionare se deplasează pe
ramura OA. Când se atinge tensiunea de străpungere directă (UA=Ustrd), tensiunea UA se reduce brusc
(UA=1...2V), iar I creşte mult fiind limitat numai de rezistenţa din circuitul anodic (se parcurge
ramura de rezistenţă negativă AB, apoi ramura BC). Această străpungere nu este distructivă pentru
tiristor. Dacă nu se depăşeşte I max admis. Ea se numeşte comutaţie prin străpungere directă. Prin
comutaţie sau comutare directă se înţelege trecerea tiristorului polarizat direct din starea de blocare
în stare de conducţie. Nu se foloseşte în practică comutarea directă prin depăşirea U strd, deoarece nu
se poate controla starea tiristorului. În prezenţa unui curent de poartă, tensiunea anodică la care
80 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

apare comutaţia directă a tiristorului scade. Uzual comutarea directă se face prin aplicarea unui
curent de poartă. Fiind comutat direct, tiristorul se menţine la conducţie chiar după anularea
curentului de poartă. Dacă I A depăşeşte o anumită valoare I H (hold, hipostatic, de menţinere).
Tiristorul polarizat invers prezintă o rezistenţă foarte mare. Atunci când -UA=-Ustri, IA începe să
crească datorită multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină. Apare străpungerea inversă care
duce la străpungerea tiristorului datorită puterii mari disipate de acesta Ustri este cam cu 100V mai
mare decât Ustrd. Trecerea tiristorului din stare de conducţie în starea de blocare (comutaţie inversă)
se poate face prin reducerea UA astfel încât IA să scadă sub limita de menţinere (comutaţie naturală)
fie aplicând tiristorului o tensiune inversă, cu (+) pe catod şi (-) pe anod, tensiune ce trebuie
menţinută un timp suficient (comutaţie forţată).

Fig. 9.3
Funcţionarea tiristorului în regim static se poate explica cu ajutorul schemei echivalente.
Pentru IP=0 se pot scrie relaţiile:
IC1  α1 IE1  ICB01
IC2  α 2 IE2  ICB02
Notam I0  ICB01  ICB02 (curentul invers al jonctiunii)
IJ2  IC1  IC2  α1 IE1  α 2 IE2  I0
I0
Dar IE1  IE2  IJ2  IA  IA  (α1  α 2 )  IA  I0  IA 
1  (α 1  α 2 )
Se reprezintă dependenţa (1   2 ) funcţie de IA; pentru IA  IH , suma (α 1  α 2 )  1
datorită fenomenelor de recombinare în regiunea de tranziţie a joncţiunilor emitor.

Pentru un tiristor blocat (1   2 )  1  IA  I0 . La tensiuni


directe mari, notând prin M factorul de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor la joncţiunea J2, rezultă că:
M  I0
IA 
1  M  (1   2 )
Atunci când Ua=Ustrd, deşi IA este mic, se îndeplineşte condiţia
de comutaţie M(α 1  α 2 )  1 , deoarece M<<1. IA creşte, tiristorul
comutând prin străpungere directă.
Fig. 9.4
După comutare:
U A  1...2V, M = 1, dar IA ramane mare, caci (α 1  α 2 )  1.
Pentru IP  0  IE2  IA  IP
IC1  M(α 1  IE1  ICB01)  M(α 1  IA  ICB01)
M( I0  α 2 IP )
IC2  M(α 2  IE2  ICB02)  M[α 2 ( IA  IP )  ICB02]  IA 
1  M(α 1  α 2 )
În acest caz comutaţia directă a tiristorului apare la o UA directă mult mai mică, deoarece acţiunea Ip
constă în creşterea lui  2 şi îndeplinirea condiţiei de comutaţie M (1   2 )  1 la o U mai mică.
DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 81

Dacă IP este suficient de mare, amorsarea tiristorului se poate produce şi la o tensiune U A egală cu
căderea de tensiune pe tiristor în condiţia directă (1...2V), deci M=1. Caracteristica circuitului de
poartă a tiristorului IP(UP) este asemănătoare unei diode, având o cădere de tensiune mai mare (2…
3V – figura 9.5), datorită rezistenţei serie a regiunilor neutre.

IP şi UP, necesare pentru a realiza comutaţia


directă, scad cu temperatura şi prezintă o anumită
dispersie tehnologică. În cataloage se indică U continuă
maximă ce poate fi aplicată porţii fără să provoace
comutaţia la nici un exemplar, precum şi tensiunea
minimă care asigură comutaţia tuturor exemplarelor.

Fig. 9.5

9.1.2. Procese tranzitorii la comutaţia tiristoarelor

Comutaţia directă normală

Dacă un tiristor este conectat ca în figura 9.6 şi se aplică circuitului de poartă o treaptă de
curent, IA se va stabili la valoarea de regim staţionar cu o anumită întârziere (fig. 9.7).

Fig. 9.6 Fig. 9.7


Timpul de comutaţie directă t cd, reprezintă intervalul de timp măsurat din momentul aplicării
treptei de curent iP şi până când ia atinge 90% din valoarea de regim staţionar. t cd = tI + tr; ti = timp de
întârziere (0...0,1I A); tr = timp de ridicare (0,1...0,9I A) în general t cd = 1...10 sec. Timpul t i este
determinat de durata compensării sarcinii spaţiale a joncţiunii J2, în vederea polarizării directe a
acesteia, precum şi de durata necesară deplasării purtătorilor de sarcină ai tranzistoarelor T1, T2
pentru realizarea reacţiei pozitive.
Timpul de ridicare tr, este determinat de necesitatea acumulării unor sarcini de purtători
minoritari în exces în bazele T1, T2, pentru a se asigura trecerea curentului prin dispozitiv. Iniţial
amorsarea tiristorului se petrece într-o zonă din imediata vecinătate a electrodului de comandă,
numită zonă de conducţie primară, având forma unui canal îngust. Apoi această zonă se va propaga
în restul dispozitivului cu o viteză de cca. 100 m / sec. Dacă pe durata t r, circuitul în care este
conectat tiristorul permite o creştere rapidă a I A, densitatea de curent în zona de conducţie poate
deveni foarte mare, în acelaşi timp, descreşterea tensiunii la bornele tiristorului nu se petrece
instantaneu. Ca urmare, puterea instantanee disipată pe tiristor este mare. Deoarece puterea
instantanee se disipă numai în zona redusă de conducţie, această zonă se poate topi ducând la
82 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

distrugerea tiristorului prin efect di / dt. O secţiune printr-un tiristor distrus prin efect di / dt pune în
evidenţă un crater, în apropierea porţii, pe toată grosimea pastilei de Si.
Protejarea tiristorului împotriva distrugerii prin efect di / dt se realizează introducând o
inductanţă în serie cu acesta care să limiteze viteza de creştere a curentului. Totodată I de poartă
trebuie sa aibă un front foarte bun pentru a mări zona de conducţie primară a tiristorului. În
cataloage se indică di / dt max. al tiristorului (uzual 50...100 A/s) .

Comutaţia inversă

Presupunem tiristorul din figura 9.6 în conducţie. Vom realiza trecerea sa în stare de blocare
prin inversarea polarităţii sursei EA. În figura 9.8
sunt date variaţiile în timp ale IA şi UA. Imediat
după momentul t0, în care s-a inversat polaritatea
sursei EA, joncţiunile tiristorului rămân polarizate
direct deoarece la marginile regiunilor de tranziţie
ale joncţiunilor concentraţiile purtătorilor
minoritari sunt mai mari ca la echilibru. Prin
tiristor va circula un curent de sens invers
E
I  A , eliminându-se purtătorii minoritari. În
R RS
momentul t1 dispare excesul de purtători minoritari
în joncţiunea J3. Tensiunea pe tiristor îşi schimbă
semnul, iar rezistenţa acestuia creşte. Va scade
curentul invers prin tiristor. În momentul t 2 se
polarizează invers şi J1, iar în t3 IA=0. Dacă imediat
după t3 s-ar aplica tiristorului o tensiune directă
acesta ar comuta, deoarece concentraţia
purtătorilor de sarcină în J2 este mai mare ca la
echilibru. Abia după t4, tiristorul se consideră
Fig. 9.8 blocat. Se numeşte timp de comutaţie inversă t q
(timp de revenire) durata dintre momentul aplicării
unei tensiuni inverse pe tiristor şi momentul în care acesta poate bloca o tensiune directă.
Cunoaşterea tq este importantă pentru proiectarea circuitelor de comutaţie forţată. În funcţie de
valoarea sa tiristoarele se împart în 4 categorii:
- ultrarapide - tq =5...10s;
- rapide - tq =10...30s;
- normale - tq =30...100s;
- lente - de regulă în catalog nu se indică t q (sunt folosite în circuite cu comutaţie
naturală; ex.: redresoarele comandate).

Comutaţia directă anormală prin efect du / dt

Se aplică unui tiristor o tensiune directă, cu o anumită viteză de creştere în timp şi care se
menţine sub Ustrd. Mărind progresiv viteza de creştere se constată că la un moment dat, tiristorul
amorsează (curba 2 din fig. 9.9). UA scade la 1...2V. Se spune că s-a atins viteza de creştere critică,
notată (du / dt) critic sau că tiristorul a amorsat prin efect du / dt. Explicaţia fenomenului se poate da
considerând capacitatea prezentată de joncţiunea J2 a tiristorului, care depinde de tensiunea de la
extremităţile joncţiunii. CJ2 apare conectată ca în figura 9.10 în schema echivalentă, I CJ2 poate să
atingă o valoare importantă dacă viteza de creştere a tensiunii duA / dt este suficient de mare.

Fig. 9.9 Fig. 9.10


DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 83

d du dC J2
I CJ2  (C J2 u A )  C J2 A  u A
dt dt dt
Acest curent se închide prin bazele T 1 T2 şi are acelaşi efect ca şi curentul de poartă,
determinând comutarea directă a tiristorului. Intrarea în conducţie a tiristorului prin efect du / dt se
face într-o zonă puţin definită a dispozitivului. Apar puncte în care densitatea de curent este
inadmisibil de mare numite "puncte fierbinţi", în care materialul îşi pierde proprietăţile. Aşadar,
comutarea prin du / dt pe lângă faptul că este necontrolată, putând conecta un circuit într-un moment
nepotrivit, duce la distrugerea tiristorului, dacă se repetă de câteva ori. Constructorul indică în
cataloage (du / dt) max. care poate fi 20...1000 V / s. Pentru tiristoarele care au du / dt 20...90 V / s,
o rezistenţă între P şi C face ca tiristorul să suporte o viteză du / dt mai mare. Viteza critică du / dt la
care amorsează un tiristor depinde de următorii factori:
- scade cu creşterea tensiunii de palier upr
- scade la creşterea temperaturii
- creşte prin injecţia IP<0 (fără a depăşi Uinv max. PC)
- creşte cu creşterea tensiunii existente pe tiristor în momentul aplicării unei rampe de U
Pentru evitarea comutaţiei directe prin efect du / dt se folosesc circuite de protecţie RC (fig.
9.11 a, b, c).

Fig. 9.11
t
La închiderea contactului K, D intră în conducţie şi u A  u C  E A (1  e R SC ) .
t
du A E
 A  e R SC are maximul la t = t 0 = 0
dt R SC
 du A  E EA
   A  Dacă EA este apropiată de Ustrd  C  , du / dt fiind valoarea
 dt  max R S C R S du
dt
0.6E A
de catalog a tiristorului. Dacă EA < 0.5 Ustrd se poate folosi relaţia C  .
R S du
dt
R limitează curentul de descărcare a C prin tiristor. Uzual R=10..50 D lipseşte, iar dacă
R<<RS performanţele celor două scheme sunt asemănătoare (fig. 9.11 c).
Grupul RC paralel mai prezintă 2 avantaje:
- protejează tiristorul la supratensiuni
84 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

- ajută comutarea directă a tiristorului, dacă sarcina acestuia este inductivă, deoarece
condensatorul se descarcă prin tiristor, depăşindu-se astfel IH. Pentru sarcini inductive se folosesc
impulsuri late pentru comandă. Datorită transformatoarelor de impuls care nu pot transmite
impulsuri late, se transmit trenuri de impulsuri.

Protecţia tiristoarelor la supracurenţi

Monocristalele de Si, având dimensiuni foarte reduse, rezistă foarte puţin la curenţi mai mari
decât cei nominali. Dispozitivele de protecţie la supracurenţi pot fi întrerupătoare de putere,
siguranţe fuzibile ultrarapide (din Ag) etc., corelându-se timpul de acţionare al dispozitivului de
protecţie cu caracteristica de suprasarcină a tiristorului (conform catalog).

Exemple de tiristoare produse de IPRS Băneasa:

1A T1N05...T1N8
T1R05...T1R8, echivalent KY112A (Rusia)
3A T3N05...T3N8
T3F05...T3F8
T3N05P...T3N6P (F)
6A T6N05P...T6N5P
T6F05P...T6F5P
10A T10N05...T10N8 Fig. 9.12
T10R05...T10R8
Urmează tiristoare de 16A, 22A, 32A, 50A, 63A, 80A, 100A, 150A, 200A, 250A, 320A, 350A,
400A, 450A, 500A, 700A maxim pentru tiristoare normale şi 600A maxim pentru tiristoare rapide
(codificate F/R).

9.1.3. Tipuri speciale de tiristoare

1. Dioda pnpn (Shockley)

Este un tiristor fără poartă. Se mai numeşte şi


tiristor - diodă sau dinistor. Este folosită ca element
detector de nivel pentru semnale lent variabile, sau ca
generator de relaxare.
Uprag = 18..50 V, IH = 1..5 mA

2. Dioda BOD (Break-Over Diode) Fig. 9.13

Este un tiristor fără poartă, de putere mare si tensiune ridicată (U prag = 500…4000V). Intră în
conducţie prin autoaprindere (comutare directă prin depăşirea U strd) şi se blochează dacă curentul
prin ea scade sub valoarea curentului de menţinere IH.

3. Tiristor cu comanda comutaţiei inverse pe poartă (Gate Turn Off – GTO)

Dispozitivul comută direct ca un tiristor obişnuit, dar poate fi


comutat invers printr-un curent de poartă negativ, care duce la
eliminarea purtătorilor minoritari în exces. GTO se realizau iniţial
numai la curenţi mici (< 2A), iar I P pentru comutaţia inversă putea
atinge valoarea -IP=0.5IA (în prezent se ajunge până la 1000A şi
6KV). Se mai foloseşte simbolul obişnuit de tiristor cu iniţialele GTO,
Fig. 9.14 precum şi denumirea de tiristor cu revenire cu o poartă, sau tiristor cu
blocare pe poartă. Au apărut şi GTO cu poartă MOS având I P = 0.
DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 85

4. Tiristoare cu revenire cu două porţi

O poartă este anodică şi alta catodică. Ele comută direct, injectând I P>0 în GC
sau IP < 0 în GA. Pentru comutaţie inversă, se schimbă sensul curenţilor. Sunt scumpe.

Fig. 9.15
5. Darlistorul

Este un tiristor cu performanţe superioare în ceea ce priveşte di / dt şi du / dt.


Pe aceeaşi pastilă de Si se integrează două tiristoare: T1 de comandă şi T2 cel
principal. După comutarea directă a lui T2, T1 comută invers.

Fig. 9.16

6. Triacul (tiristor-triodă bidirecţional)

Este un dispozitiv bidirecţional care poate înlocui două


tiristoare montate antiparalel, dar are mai multe posibilităţi
(moduri) de comandă:

I. uT2 > uT1, uG > uT1 (U anodică polarizată direct, iar IP > 0);
tiristor obişnuit;
II. uT2 > uT1, uG > uT1 – există un tiristor principal şi unul
secundar, tiristor având poarta realizată sub forma unei
joncţiuni suplimentare;
III. uT2 < uT1, uG < uT1 – tiristor cu poartă depărtată;
IV. uT2 < uT1, uG > uT1 – tiristor cu poartă depărtată (tiristor
secundar şi tiristor principal). Fig. 9.17

În cazurile I şi III triacul are cea mai bună sensibilitate de comandă, iar în IV cea mai redusă.
Parametrii du / dt şi di / dt depind de modul de comandă. Dacă pentru I şi II (di / dt) cr = 200 A / sec,
atunci pentru III şi IV avem 100 A / sec.

Ex.: TB6N2...6, TB10N2...6.

7. Diacul

Sub această denumire se întâlnesc două structuri:


1. O structură cu cinci zone (două diode Shockley
antiparalele);
2. O structură cu trei zone uniform dopate la care
joncţiunea polarizată invers străpunge nedistructiv.
Fig. 9.18.a
Se foloseşte în circuitele de
comandă ale triacurilor.
Up = 10...50 V, I = 0.2...0.3 A.

Ex.: DC32 (Up = 32V), DC 38, DC 44, DC


50.
Fig. 9.18.b
86 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

8. Quadracul
Denumire comercială, dispărută actualmente, pentru un triac cu diac încorporat.

9. Contactor static unilateral cu siliciu (Silicon Unilateral Switch – SUS)

Este un tiristor cu poartă


anodică şi o diodă Zener. Deschiderea
diodei asigură IP pentru tiristor.

Fig. 9.19
10. Contactor bilateral cu siliciu (SBS)

Este folosit în circuitele de comandă ale triacurilor.


Fig. 9.20
9.2. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE (TUJ)

Prima structură de TUJ conţinea o bară de siliciu uniform dopată de tip n, având la mijloc o
mică regiune p, numită emitor. Capetele barei se numesc baze. Bara este slab dopată.
RBB = 1..10 K

Emitorul formează cu fiecare dintre Fig. baze9.21


diode obişnuite. Funcţionarea se bazează pe
controlul conductivităţii regiunii EB1 cu ajutorul tensiunii UEB1. Uzual B1 este electrod de referinţă şi
UBB 10 V.
R B1 R
Se numeşte factor de divizare intrinsec    B1  0.4...0.8 . Dacă UEB1 <
R B1  R B 2 R BB
UBB, atunci EB1 este polarizată invers, iar IE0. Când UEB1 = UBB + UD UBB, atunci TUJ-ul
amorsează. Dioda EB1 devine polarizată direct, emitorul injectează goluri în zona EB1, rezistenţa
zonei EB1 scade şi apare o zonă PV cu rezistenţă negativă în caracteristica TUJ-ului. Dacă U EB1
creşte, atunci caracteristica devine cea a unei diode obişnuite.
Parametrii de catalog:  UP (pisc), UV (vale), RB1B2, IE max.
Este folosit ca oscilator de relaxare pentru comanda tiristoarelor; în circuitele de relaxare, de
memorie, la releele electromagnetice.
În figura următoare se prezintă un oscilator de relaxare cu TUJ, precum şi formele de undă.

Fig. 9.22
DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE 87

Condensatorul C se încarcă prin R către EA. Atunci când uC(t) = EA, TUJ-ul comută şi C se
descarcă pe R1. Variaţia tensiunii la bornele condensatorului este descrisă de relaţia:
t
u C (t)  u F  (u I  u F )e RC
- uI = uV – tensiunea iniţială (la t = 0)
- uF = uFinala = lim uC(t) = EA – tensiunea spre care se încarcă condensatorul (t ).
t
Rezultă u (t)  E  (u  E )e RC .
C A V A
Durata de încărcare a condensatorului (t 1) se determină din condiţia uC(t1) = EA 
u
 t1 uF  uI 1  EVA
ηE A  E A  (u V  E A )e RC  t 1  RC ln  RC ln
u F  ηE A 1 η
Durata de descărcare a condensatorului (t 2) este proporţională cu R1 care va avea 50..200 
1
t2 << t1; uV << EA  T  t 1  RC ln 1  η
R2 este introdus pentru a realiza o compensare termică şi se dimensionează cu relaţia
1  u
R 2  R1  R B1B 2 D .
 E A
Montajul funcţionează ca oscilator de relaxare doar dacă dreapta de sarcină corespunzătoare
rezistorului R intersectează caracteristica TUJ-ului în zona de rezistenţă negativă. Rezultă condiţia:
EA  uV 1 
 R  EA .
IV IP
Perioada oscilatorului poate fi modificată variind R sau C. Variaţia perioadei se mai poate
obţine prin modificarea tensiunii iniţiale pe C, sau folosind un TB introdus în serie sau în paralel cu
condensatorul.
Ex. (în ţară): ROS11, 12, 2N1671, 2160, 2646, 3479...3484.

Rusia: KT117A. Fig. 9.23

TUJ programabil (TUP)


R1
Este similar cu tiristorul cu poarta anodică.  
R1  R 2
Se urmăreşte ca I pe rezistenţa R să fie mai mic decât
curentul de menţinere pentru blocarea tiristorului după ce se descarcă
condensatorul.

Fig. 9.24 Fig. 9.25


88 DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

Temă: să se proiecteze un oscilator cu un tiristor normal în loc de TUJ,


folosind o diodă Zener, trei rezistenţe şi un condensator.