CAPITULO 8 FLOYD

EXAMEN DE VERDADERO/FALSO

1. El JFET siempre opera con una unión PN de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(VERDADERO)
2. La resistencia del canal de un JFET es una constante. ( FALSO)
3. El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo.
(VERDADERO)
4. 
 se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento. ( FALSO)

 no tiene ningún efecto en . (FALSO)
5.
6.  
(VERDADERO)
y   siempre son iguales en magnitud, pero de polaridad opuesta.

7. El JFET es un dispositivo de ley cuadrática debido a la expresión matemática de su curva

de característica de transferencia. (VERDADERO )
8. La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un cambio
dado del voltaje en la compuerta. ( FALSO)
9. Los parámetros  
 y  son los mismos. ( VERDADERO )
10. El D-MOSFET puede ser operado en dos modos. ( VERDADERO)
11. Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento. ( FALSO)
12. Un D-MOSFET tiene un canal físico y un E-MOSFET tiene un canal inducido.
(VERDADERO)
13. ESD significa dispositivo semiconductor electrónico. ( FALSO)
14. Los MOSFET deben ser manejados conc on cuidado. ( VERDADERO )

EXAMEN DE ACCIÓN DE CIRCUITO.

1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8 -17, DS se
V DS

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8 -17, GS se

V GS

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

8. Si el valor de IDSS se incrementa en la f igura 8-50, VDS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

AUTOEVALUACIÓN
1. El JFET es:
(a) un dispositivo unipolar.

(b) un dispositivo controlado por voltaje.

(c) un dispositivo controlado por corriente.
(d) respuestas a) y c).

(e) respuestas a) y b).

2. El canal de un JFET se encuentra entre:

(a) la compuerta y el drenaje.

(b) el drenaje y la fuente.

f uente.
(c) la compuerta y la fuente.
(d) la entrada y la salida.
3. Un JFET siempre opera con:

(a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa.

(b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa.
(c) el drenaje conectado a tierra.
(d) el drenaje conectado a la fuente.

4. Con   = 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando

(a) el voltaje de corte
  sobrepasa:

(b) 
(c) 
(d) 0 V
5. La región de corriente constante de un FET queda entre :
(a) el corte y la saturación
(b) el corte y el estrangulamiento
6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

8. Si el valor de IDSS se incrementa en la f igura 8-50, VDS se

(a) incrementa (b) reduce (c) no cambia

AUTOEVALUACIÓN
1. El JFET es:
(a) un dispositivo unipolar.

(b) un dispositivo controlado por voltaje.

(c) un dispositivo controlado por corriente.
(d) respuestas a) y c).

(e) respuestas a) y b).

2. El canal de un JFET se encuentra entre:

(a) la compuerta y el drenaje.

(b) el drenaje y la fuente.

f uente.
(c) la compuerta y la fuente.
(d) la entrada y la salida.
3. Un JFET siempre opera con:

(a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa.

(b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa.
(c) el drenaje conectado a tierra.
(d) el drenaje conectado a la fuente.

4. Con   = 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando

(a) el voltaje de corte
  sobrepasa:

(b) 
(c) 
(d) 0 V
5. La región de corriente constante de un FET queda entre :
(a) el corte y la saturación
(b) el corte y el estrangulamiento
 (c) 0 e 
(d) el estrangulamiento y la ruptura
6. IDSS es:
(a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito.
(b) la corriente en el drenaje en corte.

(c) la corriente máxima

máxima posible en el drenaje.
(d) La corriente en drenaje del punto medio.
7. La corriente en el drenaje en
e n la región de corriente constante se incrementa cuando:

(a) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se reduce.

(b) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se incrementa.
(c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa.
(d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce.

Si
8. En un cierto circuito FET,
 se reduce a 330 ꭥ, 
 es:
   = 0 V,    = 15 V,    = 15 mA y    = 470 .
ꭥ

(a) 19.5 mA (b) 10.5 mA

(c) 15 mA (d) 1 mA
9. En corte, el canal de un JFET está:
(a) en su punto más ancho.

(b) completamente cerrado por la región de empobrecimiento.

(c) extremadamente angosto.
(d) polarizado en inversa.
10. La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)4 V. El voltaje de est rangulamiento, VP,
(a) no puede ser determinado.
(b) es de -4 V.

(c) depende de

(d) es de +4 V.
 .

11. El JFET de la pregunta 10:

(a) es un canal n.
(b) es un canal p.
(c) puede ser uno u otro.

12. Para un cierto JFET,

(a) 100 M
  = 10 nA con
(b) 1M
  = 10 V. La resistencia de entrada es
 (c) 1000 M (d) 100 m

13. Para cierto JFET de canal p,

medio aproximada es:
  = 8 V. El valor de   para polarización de punto

(a) 4 V (b) 0 V
(c) 1.25 V (d) 2.34 V
14. En un JFET autopolarizado, la compuerta está a:
(a) un voltaje positivo.

(b) 0 V.
(c) un voltaje negativo.
(d) conectada a tierra.
15. La resistencia de drenaje a fuente en la región óhmica depende de:

(a)  .
(b) los valores del punto Q.
(c) la pendiente de la curva en el punto Q.

(d) todos los anteriores.

16. Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe:
(a) ser un dispositivo de canal n.
(b) ser un dispositivo de canal p.

(c) estar polarizado en la región óhmica.

(d) estar polarizado en saturación.
17. Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal está determinada
 por:
(a) los valores del punto Q. (b) VGS.
(c) la transconductancia. (d) las respuestas (b) y (c).
18. Un MOSFET difiere de un JFET principalmente:
(a) debido a la capacidad de potencia.
(b) porque el MOSFET tiene dos compuertas.

(c) el JFET tiene una unión pn.

(d) porque los MOSFET no tienen un canal físico.
19. Un D-MOSFET opera:
(a) sólo en el modo de empobrecimiento.
(b) sólo en el modo de enriquecimiento.
 (c) sólo en la región óhmica.

(d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento.

20. Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera:
(a) en el modo de empobrecimiento.

(b) en el modo de enriquecimiento.

(c) en corte.

(d) en saturación.

21. Cierto E-MOSFET de canal p tiene un

el drenaje es
  (umbral)= -2 V. Si   = 0 V, la corriente en

(a) 0 A  (b) 

(c) máxima (d) 
22. En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que  :

(a) alcanza  (b) es positivo

(c) es negativo (d) es igual a 0 V

23. Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daños a consecuencia de:
(a) calor excesivo
(b) descarga electrostática
(c) voltaje excesivo

(d) todas las respuestas anteriores

y 
24. Cierto D-MOSFET se polariza con 
 = 0 V. Su hoja de datos especifica
 =5 V. El valor de la corriente en el drenaje:
  =20 mA

(a) es de 0 A
(b) no puede ser determinada

(c) es de 20 mA
25. Un IGBT en general se utiliza en:

(a) aplicaciones de baja potencia.

(b) aplicaciones de radiofrecuencia.

(c) aplicaciones de alto voltaje.

(d) aplicación de baja corriente.
PROBLEMAS BASICOS.
El JFET
1. El   de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.

(a) ¿Se estrecha o ensancha la región de empobrecimiento?

 Se estrecha

(b) ¿Se incrementa o reduce la resistencia del canal?

 Se incrementa

2. ¿Por qué el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre debe ser
cero 0 o negativo?

El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para
mantener la condición de polarización inversa requerida.

3. Trace los diagramas esquemáticos de un JFET de canal p y uno de cana l n. Identifique las
terminales.

4. Muestre cómo se conectan los voltajes de polarización entre la compuerta y la fuente de

los JFET de la figura.
CARACTERÍSTICA Y PARÁMETROS DEL JFET.
5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando
es  en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?
  = 0, ¿cuál

 = = 
6. Un cierto JFET de canal n se polariza de tal forma que
 
 si  es de 6 V? ¿Está prendido del dispositivo?
 = -2 V. ¿Cuál es el valor de

 = = 

 =2 
El dispositivo esta prendido, porque

 
7. La hoja de datos de cierto JFET da = -8 V e  = 10 mA. Cuando
¿cuál es ID con valores de VDS por encima del valor de estrangulamiento? VDD = 15 V.
 = 0,

Por definición,  =  =0

 cuando  >
 para valores de .

Por lo tanto, = 


8. Cierto JFET de canal p tiene un 
= 6 V. ¿Cuál es ID cuando  = 8 V?

Ya que  >  = 

, El JFET está apagado y
9. El JFET de la figura 8-65 tiene un
de alimentación    = -4 V. Suponga que incrementa el voltaje
, desde cero hasta que el amperímetro alcanza un valor constante. ¿Qué
lee el voltímetro en este momento?

 = =4  =4 

El voltímetro lee 
 =  = 
. A medida que aumenta
que  alcanza un valor constante es
 ,  también aumenta. El punto en el

10. Se obtienen los siguientes parámetros de cierta hoja de datos de un JFET:

Ve  = 5 mA. Determine los valores de ID con cada uno de los valores de

 desde 0 V
= -8

hasta -8 V en incrementos de 1 V. Trace la curva de la característica de transferencia con

estos datos.


 = 1 
 
0 
 =0  =5 1 8  =5  
1  
 =1   =5 1 8  =3,83 
2  
 =2   =5 1 8  =2,81 
3  
 =3   =5 1 8  =1,95 
4  
 =4   =5 1 8  =1,25 
5  
 =5   =5 1 8  =0,703 
6  
 =6   =5 1 8  =0,313 
7  
 =7   =5 1 8  =0,078 
8
 =8   =5 1 8  =0  
 Curva de la característica de transferencia

11. Para el JFET del problema 10, ¿qué valor de

en el drenaje de 2.25 mA?
  se requiere para establecer una corriente


 = 1 
 
 =√ 
1 
 = 1√ 
 =8 1 √ 2,525=8 ,329 =,  

12.  Para un JFET particular,

= -8 V?
  
 = 3200 mS. ¿Cuál es  cuando = -4 V, dado que

 =3200 1 48 = 

 = 1 
hojas de datos, = -7 V y

13. Determine la transconductancia en directa de un JFET polarizado con
     = -2000 mS con
 = -2 V. En las
 = 0 V. Determine también la
conductancia de transferencia en directa .

 =2000 1 27 = 

 = 1 
 = =  
Determine la resistencia de entrada.

14.  La hoja de datos de un JFET de canal p muestra que    = 5 nA con   = 10 V.