UNIVERSIDAD DEL VALLE - FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

PROGRAMA ACADÉMICO DE TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE COMUNICACIONES DE MODULACION AM

Oscar Ivan Tengonó Casas 1664106, Miguel Ángel Valencia Montoya 1664041, Luis Eduardo
Albarracín Zuleta 1664151

miguel. Montoya, oscar. Tengono, luis.albarracin@correounivalle.edu.co

Tuluá, Valle del Cauca

largas distancias. La razón de la modulación AM es la

forma de llegar la señal que es por medio del aire que seria
Abstract: The following practical observe amplitude el canal el cual se hace por ondas electromagnéticas por lo
modulation (AM), where a signal of high frequency is cual se hace dicha modulación para que la señal llegue
multiplied with a modulating low frequency signal, but como se espera que llegue.
large amplitude where envelops the carrier creating a
casing in which may be analyzed the various parameters of
the signal, as well as knowing its voltages. The AM
modulators work with: a carrier high frequency signal, a
signal of low frequency information and to obtain the
modulated carrier output.
According to the parameters to be taken into account such
as the modulation index, the amplitudes and frequencies of
the carrier and modulator signals, which we will find with
calculations also with the help of the OrCAD pspice
program, we will proceed with the laboratory.

Resumen: En la siguiente practica observaremos la

modulación de amplitud (AM), donde una señal de
frecuencia muy alta se multiplica con una señal
moduladora de baja frecuencia, pero gran amplitud en
donde envuelve a la portadora creando una envolvente en
donde se podrán analizar los distintos parámetros de la
señal, así como conocer sus voltajes. Los moduladores AM
trabajan con: una señal portadora de alta frecuencia, una
señal de información de baja frecuencia y a la salida
obtendremos la portadora modulada.
De acuerdo a los parámetros a tener en cuenta como el
índice de modulación, las amplitudes y frecuencias de la
señal portadora y moduladora los cuales hallaremos con
[1] fig1. Señales de la modulacion
cálculos igualmente con la ayuda del programa orcad
pspice, procederemos con el laboratorio.
Modulación AM
1. Introducción La modulación am es aquella que cuenta con una señal de
El ser humano ha visto la necesidad de comunicarse a información y una señal portadora que se adecua conforme
largas distancias adoptando ciertas maneras de hacerlo a la señal modulante o de información para con ello formar
como la transmisión que es imprescindible para la una onda modulada o envolvente que es capaz de
comunicación a larga distancias como la modulación de propagarse por el espacio, pero esta clase de modulación a
amplitud de una señal, la cual consiste en modificar la pesar de ser más barato su construcción ya que cuenta con
amplitud de una señal de alta frecuencia la cual conocemos dispositivos de menor costo, y alcanzan largas distancias,
como portadora y una señal de baja frecuencia conocida su modulación es relativamente baja. Este tipo de
como moduladora, las cuales se multiplican creando una modulación son utilizados en radiodifusión de audio y
envolvente. Esta señal ahora llamada señal modulada video; la
adopta las características de ambas y tiene como ventaja modulación am va desde los 535KHZ hasta los 1605KHZ.
que es más económica y sencilla además de transmitirse a
Un modulador AM es un dispositivo no lineal con dos
señales de entrada de información: una señal portadora de
amplitud constante y de una sola frecuencia, y la señal de
información. La información actúa sobre o modula la
portadora y puede ser una forma de onda de frecuencia
simple o compleja compuesta de muchas frecuencias que
fueron originadas de una o más fuentes. Debido a que la
información actúa sobre la portadora, se le llama señal
modulante. La resultante se llama onda modulada o señal
modulada.
2. OBJETIVOS
 Conocer el funcionamiento de una modulación
am.
 Diseñar un modulador am con un transistor
2n222.
 Ventajas de la modulación para la transmisión de
señales.
 Analizar los coeficientes de modulación y sobre
modulación.
3. PALABRAS CLAVES:
Modulación, ad633j, demodulación, DBS-FC,
SSB-FC, señal moduladora, envolvente, banda
lateral superior, banda lateral inferior, espectro de
frecuencia, señal portadora, ancho de banda.
4. MATERIALES
 A633j
 Resistencias
 Trimmers
 Transistor 2n2222
 Capacitores de diferentes valores
 Cable timbre
5. PROCEDIMIENTO
5.1 Trabajo previo
a. Banda base: Es la señal de una sola
transmisión en un canal.
Ancho de banda de la señal: Es que lleva más de
una señal las cuales son transmitidas por
diferentes canales hasta cierto límite de señales.
Espectro de una señal: Es la distribución de
amplitudes para cada frecuencia que sea
superposición de ondas de varias frecuencias.
Banda paso del canal: es la gama
de frecuencias o longitudes de onda que pueden
pasar a través de un filtro sin ser atenuadas.
b. Ventajas
 La comunicación a largas distancias.
 Costos muy bajos.
 Reducción de lo físico como las antenas ya que se
da por frecuencias dependiendo de la señal.
 Disminuye el ruido de la señal.
 En (AM) La modulación por banda lateral única o
la doble banda lateral son mas eficientes en ancho
de banda o potencia.
c. Señal portadora: Es una señal de una
frecuencia alta con la cual es modificada por
una señal llamada moduladora para
transmitir información.
Señal moduladora: es la señal que cambia los
parámetros de la señal portadora cambien de valor de
acuerdo con las variaciones de la moduladora para que
transmita la información que queremos.
Envolvente: es la multiplicación de la portadora y la
moduladora. la envolvente también es conocida como
onda modulada en amplitud.
Bandas laterales: Son las bandas superior y inferior
que se dan en el la modulación y en el medio de estas
con una amplitud mayor esta la portadora.
d. Los tipos de modulación analógicas son:
 Modulación en doble banda laterales (DSB)
 Modulación de Banda Lateral Vestigial.
(BLV)
 Modulación Banda lateral única (SSB)
 Modulación (AM)
Modulador DSB-FC: Esta modulación la cual
significa doble banda lateral con portadora máxima es
muy sencilla donde la portadora esta amplificada y
cuando se aplica una señal modulante, la amplitud de
la onda de salida varía de acuerdo a la señal
modulante, pero es algo ineficiente. la onda modulada
de salida contiene todas las frecuencias que componen
la señal AM y se utilizan para llevar información a
través del sistema, por lo tanto, a la forma de la onda
se le llama envolvente.
e.
 modulación ya que al contrario se generaría
mucha distorsión armónica. Y así obtener la
mejor la información.

5.2 Trabajo de laboratorio

Fig3. Modulador am con integrado ad633j

5.2.1 SIMULACIÓN
Fig 2. Espectro de la frecuencia
Para implementar el circuito no inversor de tal forma que la
envolvente nos de un voltaje igual o mayor a 1V procedemos a
frecuencia portadora = 300khz hacer los cálculos del no inversor:
frecuencia moduladora = 20 khz
lsb = 300 khz –20 khz = 280 khz
ubs = 300 khz + 20 khz = 320khz
ancho de banda = 2*fm (máx.)
ancho de banda =2 * 20 khz = 40 khz

f. El principal inconveniente es que las bandas

laterales son las que llevan la información y
si es un transmisor am de baja potencia
también es porque usa amplificación lineal lo
cual es ineficiente.

g. Índice de modulación: Es el cambio de

amplitud en la forma de onda y su expresión
es:

M=EM/EC Fig4. Amplificador no inversor para salida de envolvente

EM= cambio máximo de amplitud de la
forma de onda de voltaje de salida.
EC= Amplitud máxima del voltaje de la
portadora no modulada.
Porcentaje de modulación: coeficiente de la
modulación expresado en porcentajes:
%M=(EM/EC) *100
Sobre modulación: la sobre modulación es cuando la
señal sobrepasa el valor máximo previsto para la
transmisión y se puede observar cuando el índice de
modulación es mayor a 1.
h. El efecto es que si el índice de modulación es
más próximo a 1 mucho mejor la modulación
y abra menos ruido por lo tanto la señal es
mas buena, pero sin exponernos a la sobre
a 1.2V
Donde:
Vi=VP=Vn
(((Vn-Vo) / R2) +(Vn/R1)) = 0
((Vi-Vo) /R2) = - (Vi/R1)
(- Vo/Vi) = ((- R2/R1) – 1)
(Vo/Vi) = ((R2/R1) + 1)
Para tener una envolvente de 1V o más, multiplicamos
la ganancia por la salida anterior de la envolvente,
Donde variamos las resistencias hasta obtener las
indicadas para el voltaje esperado.
Como dijimos anteriormente multiplicamos la
ganancia que necesitamos para obtener el voltaje
deseado.
Entonces:
AV*Vmax(envolvente)=Vo(envolvente)
 Por lo tanto: LSB= Fc – Fm(máx.)
LSB= 300khz – 20khz
Vo(e)= 3.2*(320.127*10-3) LSB=280khz
Vo=1.02V
USB=Fc + Fm(máx.)
Por ende, necesitamos una ganancia de 3.2 para USB=300khz + 20khz
obtener un voltaje de 1.02v. USB=32m0khz

Entonces: banda ancha: 2*20khz= 40khz

AV=(400k/140k) +1
AV=3.857

Por tanto, el voltaje de la envolvente seria:

Vo(e)= (320.693*10-3) *(3.857)

Vo(e)= 1.237V

ahora vamos a obtener los siguientes valores del

programa de orcad: señal sin amplificar como
amplificada y amplificador no inversor:

Amplitud pico a pico, voltaje máximo y voltaje mínimo de

la envolvente, índice de modulación, espectro de
frecuencia, amplitud de la portadora y bandas laterales.

AMPLIFICADA:

Voltaje máximo envolvente= 1.2196v

Fig7. Espectro de frecuencia

amplitud de la portadora= 610.400mv

amplitud de la banda lateral izquierda= 278.614mv
amplitud de la banda lateral derecha= 285.773mv

SIN AMPLIFICAR:
Fig5. Amplitud máxima envolvente voltaje máximo envolvente= 320.693mv
voltaje mínimo de la envolvente= 9.4671mv

Fig6. Amplitud mínima envolvente Fig8. Amplitud mínima envolvente

em=(½)*(1.2196v – 9.4671mv) = 0.60v voltaje mínimo envolvente = 1.7043mv
ec= (1/2) *(1.2196v + 9.4671mv) = 0.6145v
índice de modulación = (em/ec)
índice de modulación = 0.976
voltaje pico a pico= 2.4572v

espectro de frecuencia
 Fig12. Amplitud portadora

amplitud de la banda lateral derecha= 77.358mv

Fig9. Amplitud máxima envolvente

voltaje pico a pico= 638.386mv

em=(½)*(320.693mv – 1.7043mv) = 158mv
ec= (1/2) *(320.693mv + 1.7043mv) = 160.05mv
índice de modulación = (em/ec)
índice de modulación = 0.987

espectro de frecuencia
Fig13. Amplitud de la banda lateral derecha
LSB= Fc – Fm(máx.)
LSB= 300khz – 20khz
LSB=280khz
USB=Fc + Fm(máx.)
USB=300khz + 20khz
USB=320khz
banda ancha: 2*20khz= 40khz
PARTE EXPERIMENTAL
espectro de frecuencia
SIN AMPLIFICAR

A. señal portadora y señal modulante:

Señal portadora:

Fig10. Espectro de frecuencia

amplitud de la banda lateral izquierda= 75.929mv

Fig14. Señal portadora

Amplitud pico a pico: 70mv

Fig11. Amplitud banda lateral izquierda
Señal modulante:
amplitud de la portadora = 153.597mv
 Fig13. Señal moduladora Fig15. Espectro de frecuencia

Amplitud pico a pico: 8.80v

señal modulada o envolvente:

Fig16. Amplitud banda laterales y portadora

Amplitud portadora: 10.4mv
Amplitud de la banda lateral izquierda: 5.2mv
Amplitud de la banda latera derecha 4.40mv

AMPLIFICADA:

Fig14. Onda modulada o envolvente

Amplitud pico a pico: 752mV

Voltaje máximo: 456mV
Voltaje mínimo: 2.33mV
índice de modulación:
em/ec
(0.226835) / (0.229165) = 0.988
M= 0.988

espectro de frecuencia

Fig17. Onda modulada o envolvente

Amplitud pico a pico: 2.32V

Voltaje máximo: 1.20V
 Voltaje mínimo:8.33mV
índice de modulación
em/ec
(0.595835) / (0.604165) = 0.986
M=0.986

espectro de frecuencia

Fig20. Efecto de desmodulación

Lo que hace el diodo es limitar la señal AM recibida a solo

Fig18. Espectro de frecuencia
valores positivos.
Finalmente tenemos un circuito RC el cual remueve
frecuencias finalmente recuperadas. La función del
Capacitor es cargarse rápidamente cuando el diodo este
(ON) y descargarse rápidamente cuando el diodo este en
(OFF) esto se debe a que la resistencia del diodo es menor
a la Resistencia. La elección de R y C dependerá de que
cumpla la condición:

B= (1/(2π*RC)) =Fc

Detector coherente:

usa un circuito mesclador (mixer) que convierte hacia

abajo (Down- conversión) o traslada en frecuencia una
señal de entrada pasa banda o banda base.

El mixer es básicamente un dispositivo no lineal que

multiplica dos señales. Este es implementado mediante un
diodo o un transistor.
El detector es de mucha utilidad en la recepción de señales
sin embargo tiene una desventaja:
Debe presentar coherencia o sincronía en fase para poder
demodular la señal recibida.

Fig19. Amplitud bandas laterales y portadora

Amplitud banda lateral derecha: 42mv

Amplitud banda lateral izquierda 58mv
Amplitud portadora: 104mv

5.3 Trabajo previo

a. Tipos de demoduladores para señales DSB-FC:

Detector de envolvente:

Circuito que produce una señal proporcional a la

envolvente real de la entrada. Una forma de utilizar el
detector envolvente es usando un dispositivo no lineal de [2] Fig19. Demoduladores de am
tal manera que afecte a la mitad de un ciclo de una señal
oscilatoria diferente a la de la otra mitad.
b. desmodulación:
 Es lo contrario a la moduladora ya que extrae la
señal mensaje de la portadora por lo tanto se
elimina el efecto de la portadora en la señal
recibida.

Los parámetros que se deben cumplir en una señal

AM para la demodulación son:

Pero solamente si el índice de modulación es

menor al 90% de lo contrario no se puede hacer Fig21. Detector de envolvente con circuito tanque
uso de esta fórmula.
Procedemos a calcular la resistencia del circuito tanque,
Donde m es el índice de modulación y cuando este para la cual calcularemos la resistencia mínima, la máxima
es 1 se debe tomar 0.99 como m ya que no se y la promedio:
cumple, de igual manera si esta sobre modulado
habrá mucha distorsión armónica.
1/(2π*300k*1nf) <=R2<=1/(2π*20k*1nf)
c. Distorsión por rectificación: se debe a que R2 es 530Ω<=(mínima) R2(máxima)<= 7957Ω
muy pequeña entonces esto genera sobre la señal
picos de rectificación. R2. Promedio = √ ((530 Ω) ^2 × (7957 Ω) ^2)
R2. Promedió= 4200 Ω
Recortador diagonal: se da cuando R2 es muy
grande entonces se ve una señal con recortes, en
otras palabras, no sigue a la señal.

d. Invertir el diodo: el efecto es que simplemente la R2 (min)= 530Ω

onda aparecerá por el ciclo negativo ya que vera el
negativo del diodo invirtiendo la señal.

e. pues que el de germanio se excita a los 0.3v y el de

silicio a los 0.7v por lo tanto el de germanio se
dispara más rápido y tendremos una mejor
desmodulación.

5.4 Trabajo de laboratorio

5.4.1 SIMULACIÓN
En esta parte del laboratorio vamos a implementar un
demodulador el cual vamos a hacer con un circuito sencillo
de RC (detector de envolvente) con un diodo rectificador, Fig22. Desmodulación con R2 mínimo
donde hallaremos el valor mínimo y máximo, así como el
promedio de la Resistencia con un capacitor de 1nf, según R2(máx.) = 7957Ω
el índice de modulación si es menor al 90% se utiliza la
siguiente forma de lo contrario no se utiliza.

En este caso el índice de modulación es mayor al 90%.

 Fig23. Desmodulación de R2 máximo

R2(promedio)= 4200Ω      Fig26. Desmodulación de R2 máximo

R2(medio)= 4200Ω

Fig24.. Desmodulación de R2 promedio

Al invertir el diodo obtendremos la señal por el lado

negativo:
Fig27. Desmodulación de R2 promedio

R2 (min)= 530Ω

Fig25.Diodo invertido con R2 mínimo

PARTE EXPERIMENTAL
 Fig28. Desmodulación de R2 mínimo
R2 (Max)= 7957Ω
Diodo invertido con el valor promedio:

Fig31. Espectro de frecuencia con múltiplos

Fig29. Diodo invertido con R2 promedio

5.5 Trabajo previo

a. para generar una señal SSB-FC puede ser a

partir de la señal DBS-FC ya que en ella podemos
utilizar filtros paso alto para que se elimine la
banda deseada con la cual se debe utilizar una
frecuencia alta porque son las que eliminan las
bajas frecuencias y como las bandas pueden ser de
bajas frecuencias utilizamos frecuencias altas.
Fig32. Espectro de frecuencia

b. La ventaja es que la banda lateral única llevara

toda la potencia ya que con las dos bandas la
información es la misma en las dos bandas.

5.6 Trabajo de laboratorio

5.6.1 Trabajo previo

a. La función del paralelo RC del transistor es

filtrar una señal al bloquear ciertas
frecuencias y dejar pasar otras. También sirve
para auto polarizarse a la inversa y 5.7 Trabajo de laboratorio
determinar el voltaje de encendido del
transistor.

Fig30. Forma de onda de salida del colector

5.7.1 SIMULACIÓN
a. Señal portadora y moduladora

Fig37. Espectro de frecuencia del transistor

e. Como vamos a hallar la señal de la modulación

Fig34. Señal moduladora y portadora
b. Forma de onda de salida de corriente del
colector
DBS-FC debemos hallar los valores de los filtros y
necesitamos eliminar las señales armónicas no
deseadas para ello utilizamos un filtro de segundo
orden lo cual hallamos con la tabla de filtros y la
fórmula:
R=1/(2π*Fc*n*C)

Donde n es el numero del filtro que usaremos por ejemplo

este la haremos de orden 2 entonces en la tabla buscamos
el de orden 2 y hallamos las resistencias.

Fig35. Señal de la corriente de colector de (-10mA)

Fig38. Señal DBS-FC a la Salida del filtro pasa alto

c.

Fig 39. Voltaje máximo de la envolvente

Fig36. salida de transistor con amplitud de 10v

d.
 Fig40. Voltaje mínimo de la envolvente Fig44. Amplitud banda lateral derecha

Voltaje pico a pico=13.7811V

Voltaje Máximo= 7.6528V
Voltaje mínimo= 5.5101 mV
M = (EM/EC)
Índice de modulación= 0.998

f.

Fig45. Amplitud portadora

amplitud de la portadora= 989.808mv

amplitud de la banda lateral izquierda= 904.385mv
amplitud banda lateral derecha=954.952mv

g. Ahora procederemos a aumentar el voltaje offset

Fig41. Espectro de frecuencia con múltiplos de la señal modulante repitiendo los pasos 5 y 7
anteriores.

Fig42. Espectro de frecuencia de la envolvente

AUMENTAMOS A 10V EL OFSET

Fig43. Amplitud Banda lateral izquierda

Fig46. señal de salida con 10v en offset

como se puede apreciar se disminuyó el índice de

modulación que más adelanta hallaremos.

Voltaje máximo= 8.0878V

Voltaje mínimo= 4.0194V
Voltaje pico a pico= 14.34V
M=1/2((8.0878V -4.0194V) / (8.0878V+ 4.0194V))
M= 0.336
%M = 33.6%

Fig50.espectro de frecuencia con múltiplos

Fig47. Espectro de frecuencia con multiplos

Fig48.espectro de frecuencia

amplitud portadora= 1.7202V

amplitud banda lateral izquierda= 771.803mv Fig51.espectro de frecuencia
amplitud banda lateral derecha= 830.862mv

amplitud de la banda latera derecha= 918.173mv

amplitud de la banda lateral izquierda=506.163mv
amplitud de la portadora= 868.952mv

PARTE EXPERIMENTAL
AUMENTAMOS EL OFSET A 2.5
A. Señal portadora y modulante:

Fig49.Señal con sobre modulación

como podemos observar en la imagen la señal esta sobre

modulada por lo tanto el índice de modulación es mayor a
Fig52. Señal portadora y moduladora
amplitud pico a pico= 11.1699v
voltaje máximo= 5.9767v B. Señal de la salida del transistor y amplitud
voltaje mínimo= -771.852mv
m= 1.29
Fig53. Señal de la salida del transistor y amplitud
Fig55. Amplitud banda laterales
C. Espectro de frecuencia

Fig54. Espectro de frecuencia

Fig56. Voltaje pico a pico

D.

Fig55. Voltaje mínimo de la envolvente

Amplitud pico a pico: 16v

Fig55. Salida de la señal DSB-FC y espectro de
Voltaje máximo:10.2v
frecuencia
Voltaje mínimo:50mv
Índice de modulación: 0.99
Banda lateral izquierda:60.8mv
Banda lateral derecha: 60.8mv
Amplitud portadora: 79.6mv
 6. CONCLUSIONES

En conclusión se logró obtener buenos resultados con los

circuitos implementados para la modulación am, en los
cuales aprendimos los conceptos de un modulador así
como sus parámetros, y cómo funcionan las ondas ya que
las apreciamos en el osciloscopio, también que a pesar de
utilizar la modulación para que estos puedan viajar por un
medio hostil , estos deben ser demodulados para recuperar
la señal original con un circuito demodulador o detector de
envolvente y como calcular dicho circuito para que este no
se distorsione.
En esta práctica hubo 3 puntos de los cuales cada uno nos
mostraba un proceso de la modulación, donde en el
primero hicimos un modulador am de DSB-FC (doble
banda lateral con máxima portadora) en la cual nos tocaba
hacer un amplificador no inversor para que este me diera
una ganancia donde pudiera amplificar la envolvente a 1V
o más; el segundo era des modular la onda modulante del
primero. También implementamos un DSB-FC con un
transistor donde podíamos cambiar el índice de
modulación variando el ófset de la señal.

7. OBSERVACIONES
Tuvimos problemas con el primer montaje ya que por las
características del integrado era muy propenso a dañarse
muy fácil; este integrado era muy sensible y cuando lo
fuimos a montar la primera vez se nos quemó puesto que
donde lo compramos ya venia dañado por ende nos toco
pedir otro que demoro en llegar y ese era otro problema la
llegada del integrado y cuando llego lo probamos y
efectivamente funciono, con este pudimos tomar las
respectivas capturas.

8. REFERENCIAS

[1]http://148.206.53.84/tesiuami/UAMI11223.pdf
[2]https://www.monografias.com/trabajos105/demoduladores-
amplitud-am-dsb-ssb-y-ask/demoduladores-amplitud-am-dsb-ssb-
y-ask.shtml
https://www.youtube.com/watch?v=2vuhRZLH498&t=38s