PREGUNTAS DE REPASO

2-1. ¿Cuáles son los tipos de diodos de potencia?

Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy
pequeña (0,3 V típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan
Dispositivos de Electrónica de Potencia tensiones inversas superiores a 50 – 100 V.

Diodos de recuperación rápida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada

en combinación con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de
recuperación pequeños. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y
varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperación inversas
(trr) de pocos nanosegundos.

Diodos rectificadores o de frecuencia de línea: La tensión en el estado de

conducción (ON) de estos diodos es la más pequeña posible, y como consecuencia
tienen un trr grande, el cual es únicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia
de línea. Estos diodos son capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios
kiloamperios. Se pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango
de tensión o de corriente.

2-2. ¿Qué es la corriente de fuga de los diodos?

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es
función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la
corriente de fugas.

2-3. ¿Qué es el tiempo de recuperación inversa de los diodos?

Es el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa por cero durante el
cambio de conducción directa a la condición de bloqueo inverso.

2-4. ¿Qué es la corriente de recuperación inversa de los diodos?

Depende del tiempo de caída y del tiempo de almacenamiento. Se defie como la suma
de ambos. trr=ta y tc.
2-5. ¿Qué es el factor de suavidad de los diodos?

El tiempo de recuperación inversa tiene dos componentes ta y tb. El ta variable se debe

al almacenamiento de cargas en la región de agotamiento de la unión y representa el
tiempo desde el cruce con cero hasta el pico en sentido de corriente en sentido inverso
IRR. El tb se debe al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor.
La razón ta / tb se llama SF(softness factor).

SF = tc/ta

2-6. ¿Cuáles son los tipos de recuperación de los diodos?

Recuperación inversa

Una característica importante de un diodo o ideal es la corriente de recuperación

inversa. Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en él disminuye y,
momentáneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor cero.

Recuperación directa

Si se le aplica una polarización directa, se obligaría al diodo a conducir. Pero, se

requiere un cierto tiempo, conocido como tiempo de recuperación en directa, antes de
que los portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de la
corriente. El tiempo de recuperación en directo limita la velocidad de elevación de la
corriente directa.

2-7. ¿Cuál es la causa del tiempo de recuperación inversa de un diodo de unión

pn?

El incremento de los portadores minoritarios en las adyacencias de la unión

provenientes de la inyección desde el otro lado de la unión donde están en exceso por
ser mayoritarios.

2-8. ¿Cuál es el efecto del tiempo de recuperación inversa?

El costo de fabricación de ese diodo podría aumentar, sin embargo, podrían usar
diodos pocos costosos dependiendo de las características de recuperación y de las
técnicas de manufactura.

2-9. ¿Por qué es necesario utilizar diodos de recuperación rápida para

conversión de alta velocidad?

Por qué tienen tiempo de recuperación corto y se usan en circuitos convertidores cd a

cd y cd a ca, donde con frecuencia la velocidad de conmutación tiene importancia
crítica.
2-10. ¿Qué es el tiempo de recuperación directo?

Es el tiempo de activación o tiempo encendido para que todos los portadores de

mayoría en toda la unión puedan contribuir al flujo de corriente.

2-11. ¿Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión pn y los
diodos de Schottky?

La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo

equivalente de unión pn.

Un diodo Schottky tiene una caída de voltaje relativamente baja en sentido directo.

La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unión pn,

2-12. ¿Cuáles son las limitaciones de los diodos Schottky?

De 1 a 400 A

2-13. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de uso

general?

Tienen un tiempo de 25 microsegundos.

2-14. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de

recuperación rápida?

Tienen un tiempo por lo general menor que 5 microsegundos.

2-15. ¿Cuáles son los problemas de los diodos conectados en serie, y cuáles
son las soluciones posibles?

Cada diodo debe conducir la misma corriente de fuga, y en consecuencia los voltajes
de bloqueo pueden ser distintos en forma apreciable, una solución sencilla para este
problema es forzar la partición a voltajes iguales conectando un resistor en paralelo
con cada diodo.

2-16. ¿Cuáles son los problemas de los diodos conectados en paralelo, y cuáles
son las soluciones posibles?

La repartición de corriente entre los diodos debe estar de acuerdo con sus respectivas
caídas de voltaje directo, se puede lograr un reparto uniforme de corriente mediante
inductancias iguales o conectando resistores es posible minimizar este problema
seleccionando diodos con caídas iguales de voltaje directo o diodos del mismo tipo.

2-17. Si dos diodos están conectados en serie con igual repartición de voltaje,
¿Por qué difieres las corrientes de fuga de los diodos?

Por razones de tolerancias en la fabricación, las curvas características de ambos

diodos difieren ligeramente. Esto origina un reparto desigual de la tensión inversa a
bloquear por cada semiconductor.
PROBLEMAS
2-1. El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr=5 µs, y la velocidad de
reducción de la corriente del diodo es di/dt= 80 A/µs. Si el factor de suavidad es
SF=0.5, determine:
a) La carga de almacenamiento QRR
b) La corriente inversa pico IRR

trr= 5µs

𝑑𝑖 𝐴 𝑑𝑖
= 80 a) QRR = SF × 𝑑𝑡 ×tri2 b) IRR = √2𝑄𝑅𝑅 𝑑𝑡
𝑑𝑖
𝑑𝑡 µ𝑠
𝐴
SF = 0.5 QRR = 0.5 × 80 µ𝑠
× (5x10 -6) 2 s 𝐴
IRR = √2 × 1000𝜇𝑠 × 80 µ𝑠
a) QRR = ¿? QRR = 1000 𝜇C
IRR = 400 A
b) IRR = ¿?

2-2. Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25 ºC son: VD=1.0V a

ID=50A, VD=1.5V a ID=600A. Determine:
a) El coeficiente de emisión n
b) La corriente de fuga Is
a) n = depende del material y de la construcción
VD=1.0 V a ID=50 A física del diodo. Para los diodos de Germanio = 1,
VD=1.5 V a ID=600 A para los de Silicio = 2

T = 25ºC = 273 + 25ºC = 298ºK

𝐽
k = constante de Boltzmann = 1.3806×10-23 𝐾

q = carga del electrón = 1.6022×10-19 C

a) n= ¿? b) ID = Is (eVD / nVT – 1) b) ID = Is (eVD / nVT – 1)

b) Is= ¿? 𝑘𝑇 𝑘𝑇
VT = VT =
𝑞 𝑞

𝐽 𝐽
(1.3806×10−23 ×298º𝐾) (1.3806×10−23 ×298º𝐾)
VT = 𝐾
VT = 𝐾
1.6022×10−19 C 1.6022×10−19 C

VT ≈ 25.7 mV VT ≈ 25.7 mV

50A = Is (e1V/ (2*25.7mV) - 1) 600A = Is (e1.5V/ (2*25.7mV) - 1)

50𝐴 600𝐴
Is = 1V Is = 1.5V
(e2∗25.7x10−3 V ) − 1) (e2∗25.7x10−3 V ) − 1)

Is = 1.77689X10-7 A Is = 1.27112X10-10 A
2-3.Dos diodos están conectados en serie y el voltaje a través de cada uno de
ellos se mantiene igual mediante la conexión de una resistencia de distribución
de voltaje, de tal forma que VD1=VD2=2000V y R1=100kΩ. Las características v-i de
los diodos aparecen en la figura P2-3. Determine las corrientes de fuga de cada
diodo y la resistencia R2 a través del diodo D2.

Las corrientes son: 𝑉𝐷1 2000

𝐼𝑅1 = = = 20 𝑚𝐴
IS1= 17mA 𝑅1 10000

IS2 = 25mA

b) De la ecuación 𝐼𝑆1 + 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑆2 + 𝐼𝑅2

17 + 20 = 25 + IR2 o Ir2 = 12mA

2000
𝑅2 = = 166.67 𝐾Ω
12𝑚𝐴