…

SESION06: DIODOS ZENER

Tabla 1. Polarización inversa.

VAB (v) I (mA) Rz(Ω)

3.0 0 0
6.0 0 0
8.0 0 0
10.190 1.0 10190
10.720 2.0 5360
12.240 5.0 2448
14.790 10 1479
19.240 20 960
24.840 30 828
29.6 40 740

Tabla 2. Polarización directa.

VAB (v) I (mA) Rz(Ω)

0.20 0.0 -
0.40 0.0 -
0.55 0.0 0.0
0.60 0.0 0.0
0.65 0.0 0.0
0.70 0.30 2666.67
0.75 1.60 937.5
0.80 7.80 576.92

Diodo zener como regulador de tensión

Página 1
…

N° RL(Ω) VDC(V) IR(mA) IZ(mA) IL(mA)

1 250 9.66 40.34 1.66 38.66
2 500 9.83 40.17 20.44 19.67
3 820 9.86 40.14 28.11 12.02
4 1000 9.86 40.24 30.26 9.86

R∗VZ (1kΩ)(10V)
RL min = =
Vi−VZ 50−10
RL min= 250 Ω
VR= Vi- VZ = 50 – 10 = 40v
VR 40
IR = =
R 1k
IR= 40 mA
IL min = IR – IZ M = 40 mA – 32 mA
IL min= 8mA
Vz 10 v
RL max =ILmin = 8mA
RL max= 1.25 kΩ

CUESTIONARIO:
1. Con los datos de las tablas 1 y 2 dibujar la gráfica de la característica tensión
corriente.
12.5 I
10.0 (mA)
7.5
5.0
2.5
0.0
Axis Title

-5.5 -5.0 -4.5 -4.0 -3.5 -3.0 -2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 Vab
-2.5
Caracteristica
(v) V
-5.0
-I
-7.5
-10.0
-12.5
-15.0
-17.5
-20.0
Axis Title

Página 2
…

2. Analizar el comportamiento del circuito con diodo zener, las especificaciones y

cuidados a tener en cuenta.

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequeña corriente circula por él,
llamada corriente de saturación Is, esta corriente permanece relativamente constante
mientras aumentamos la tensión inversa hasta que el valor de ésta alcanza Vz, llamada
tensión Zener (que no es la tensión de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la
región de colapso. La corriente empieza a incrementarse rápidamente por el efecto
avalancha.
En esta región pequeños cambios de tensión producen grandes cambios de corriente. El
diodo zener mantiene la tensión prácticamente constante entre sus extremos para un
amplio rango de corriente inversa. Obviamente, hay un drástico cambio de la resistencia
efectiva de la unión PN

Si ahora vamos disminuyendo la tensión inversa se volverá a restaurar la corriente de

saturación Is, cuando la tensión inversa sea menor que la tensión zener. El diodo podrá
cambiar de una zona a la otra en ambos sentidos sin que para ello el diodo resulte
dañado, esto es lo que lo diferencia de un diodo de unión como el que estudiamos en la
práctica anterior y es lo que le da al diodo zener su característica especial.

El progresivo aumento de la polarización inversa hace crecer el nivel de corriente y no

debe sobrepasarse un determinado nivel de tensión especificado por el fabricante pues
en caso contrario se dañaría el diodo, además siempre debemos tener en cuenta la
máxima potencia que puede disipar el diodo y trabajar siempre en la región de seguridad.

3. ¿En qué condiciones de carga y tensión de entrada se producen los valores

extremos de VZ?

Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando

negativamente el voltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy
poco.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener
(Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo
considerarse constante.

4. ¿Cuánto vale VZ en dichas condiciones? ¿Están estos valores dentro de la

tolerancia especificada por el fabricante?

Alcanza su voltaje máximo y si se encuentra dentro de su tolerancia especifica por el

fabricante.

Página 3
…

5. Dibuje un regulador zener y explique como funciona.

Es el regulador de tensión más sencillo. Consiste en una resistencia serie de entrada y el

diodo zener en paralelo con la carga como se muestra en la siguiente imagen.

Cuando la tensión de entrada aumenta se produce un aumento de la corriente de entrada,

como la tensión del diodo zener es constante, absorbe el exceso de corriente, mientras la
resistencia de entrada absorbe esta variación de tensión. Si se produce una disminución
de la tensión de entrada la caída de tensión en la resistencia de entrada disminuirá,
compensando la disminución inicial, por el zener circulará menor corriente.

Del circuito se deduce que para que el zener estabilice correctamente, la tensión mínima
a su entrada (UIN), debe ser mayor que la tensión de referencia del zener (Vz). También
hay un límite de tensión máxima debida a las limitaciones de potencia del dispositivo. Si
se cumplen estas premisas, la tensión en la carga será muy aproximada igual a la del
zener.

Las ecuaciones básicas del circuito son las siguientes:

Donde Vin es la tensión de entrada, Vr la tensión en la resistencia serie y Vz la tensión del

zener o de la resistencia de carga.

Donde Ie es la corriente de entrada, Iz la corriente por el zener e Is la corriente por la

carga.

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…

6. ¿Cuáles son las aplicaciones del diodo zener?

 Reguladores de tensión
 Estabilizador de tensión
 Comparadores Controlados
 Limitadores

7. Realizar la simulación del circuito (multisim) y presentar los resultados

obtenidos,
en valores y gráficos.

OBSERVACIONES:

 Se pudo observar en la simulación como el funcionamiento del diodo zener.

 Se observó que El diodo zener mantiene la tensión prácticamente constante entre
sus extremos para un amplio rango de corriente inversa.
 El armado del circuito fue de manera sencilla.
 Se observó en los datos que a mayor voltaje mayor es la corriente.
 Se observó que Cuando la tensión de entrada aumenta se produce un aumento de la
corriente de entrada, como la tensión del diodo zener es constante, absorbe el
exceso de corriente, mientras la resistencia de entrada absorbe esta variación de
tensión

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…

CONCLUSIONES:

 Se pudo determinar y comprender el funcionamiento de los circuitos con diodos

zener.
 Saber cuándo se puede y debe utilizar un diodo zener.
 Reconocer las precauciones necesarias para el funcionamiento óptimo del diodo
zener.
 El diodo Zener debe ser polarizado al revés para que adopte su característica de
regulador de tensión.
 Este diodo se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta
corriente, porque cuando recibe demasiada corriente se quema.

BIBLIOGRAFIA

 http://www.unicrom.com/Tut_reg_con_zener.asp
 http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
 http://www.areatecnologia.com/electronica/diodo-zener.html
 http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2001771/html/cap03/03_06_01.ht
ml

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SESION 07: EL TRANSITOR BIPOLAR – POLARIZACIONES – PARTE 1

CUESTIONARIO:

a) Explicar el funcionamiento del transistor bipolar y sus curvas de funcionamiento

El funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra

polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situación
gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta,
debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es transistor

se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicionar
de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, ésta
depende exclusivamente de la tensión entre emisor y colector.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de
forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-
C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su
circuito C-E como un interruptor abierto.

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…

b) Explicar el funcionamiento de la polarización de base.

Es la peor forma e polarizar un transistor para empleo en la zona activa. Este tipo de
polarización establece la corriente de la base como un valor fijo.

c) Explicar el funcionamiento de la polarización de emisor

La finalidad de la polarización con realimentación de emisor es anular las variaciones de

"cc" ello equivale a que "RE" sea muco mayor que "RB/cc" No obstante, en los circuitos
prácticos "RE" no puede ser lo suficientemente grande para anular los efectos de "cc" sin
que provoque la saturación del transistor. En los diseños típicos, lo que sucede es que la
polarización con realimentación de emisor es casi tan sensible a los cambios en "cc"
como la polarización en base. Por ejemplo la figura 8.24a muestra un circuito con
realimentación de emisor. En la figura 8.24b se indica su reta de carga para continua y los
puntos de trabajo para dos ganancias de corriente distintas. Como se pede ver, una
variación 3:1 en la ganancia de corriente produce gran variación en la corriente de
colector.

d) Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito dibujando en

una hoja completa , con el diseño original.

V(v) Vcc Vce IB VRC Ic βdc VRB

7.02v 7.02v 0.03mv 19.15µA 7.003v 14.9mA 778.07 6.32v
10.0v 10.0v 2.01v 28.18µA 9.99v 21.27mA 754.96 4.2994v
12.0v 12.0v 4.00v 34.24µA 12.0v 25.53mA 745.6 11.29v

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…

V(v) VcT VET VCE IC VCC VRC IE

7.16v 4.22v 4.21v 0.01v 4.21mA 7.16v 8.42v 4.21mA
8.97v 4.24v 4.22v 0.01v 4.23mA 8.97v 8.46v 4.23mA
11.20v 4.28v 4.26v 0.02v 4.26mA 11.21v 8.52v 4.26mA

e) Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja
para poder hacer comparaciones, una por cada tabla.

IC(mA)
30

25

20

15
IC(mA)
10

0
0 1 2 3 4

Página 9
…

IC(mA)
4.27

4.26

4.25

4.24

4.23 IC(mA)

4.22

4.21

4.2
0 1 2 3 4

f) Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.

El grafico de la tabla 1 muestra una pendiente positiva al igual que en el gráfico de

la tabla 2.

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…

g) Comprobar teóricamente la ganancia de la configuración del circuito 1 y

Explicar la ganancia experimental de la tabla 1.

7.02
Ic = = 0.0149A
470
Vce = 7.02 − 0.0149 ∗ 470 = 0.017v

10.0
Ic = = 0.0213A
470
Vce = 10.0 − 0.0213 ∗ 470 = 0.13v

11
Ic = = 0.0.023A
470
Vce = 11 − 0.023 ∗ 470 = 0.19v

h) Comprobar teóricamente y Explicar la configuración del circuito 2, los valores

esperados y las aplicaciones de ella.

Ve = 5 − 0.702 = 4.298v
4.298
Ie = 103
= 4.298mA

Vc = 7.16 − 4.298 ∗ 10−3 ∗ 2 ∗ 103 = −1.436v

Vce = −1.436 − 4.298 = −5.734v

Ve = 5 − 0.702 = 4.298v
4.298
Ie = 103
= 4.298mA

Vc = 8.97 − 4.298 ∗ 10−3 ∗ 2 ∗ 103 = 0.374v

Vce = 0.374 − 4.298 = −3.924v

Ve = 5 − 0.702 = 4.298v
4.298
Ie = 103
= 4.298mA

Vc = 11.2 − 4.298 ∗ 10−3 ∗ 2 ∗ 103 = 2.604v

Vce = 2.604 − 4.298 = −1.694v

Página 11
…

i) Realizar la simulación del circuito (multisim) y presentar los resultados

obtenidos, en valores y gráfico

POLARIZACION BASE

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…

POLARIZACION EMISOR

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…

OBSERVACIONES

 Se pudo observar el funcionamiento de del bjt.

 En la simulación del 1er circuito fue necesario usar un osciloscopio en el cal el canal 1
fue conectado al colector.
 En el segundo circuito se necesitaron dos voltímetros ambos el polo positivo iban
conectados al BJT uno al emisor y otro al colector, el polo negativo a tierra.
 Entender el principio de funcionamiento de un BJT .
 Reconocer sus partes como emisor, base y colector como también sus características.
 Conocer los diferentes tipos de polarización.

CONCLUSIONES

El funcionamiento de un transistor BJT depende de la polarización que se le aplica en

sus terminales
Se pudo observar que la corriente del colector después de cierto voltaje se aproxima al
emisor
En una mala polarización podría funcionar mal todo el circuito
Al aplicarle un voltaje se puede usar como amplificador
También se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y al base se puedo
obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base

BIBLIOGRAFIA
 http://juliodelgado.galeon.com/
 http://es.slideshare.net/Jhomgomez/transistor-bjt-y-polarizacion

Página 14
…

SESION 08: EL TRANSITOR BIPOLAR POLARIZACION – PARTE 2

CUESTIONARIO:

1. Explicar el funcionamiento de la polarización por divisor de tensión

Este tipo de polarización es la más ampliamente utilizada en circuitos lineales, por este
motivo algunas veces se le conoce como polarización universal.

Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensión del voltaje VCC La función de esta
red es facilitar la polarización necesaria para que la unión base-emisor este en la región
apropiada.

Este tipo de polarización es mejor que las anteriores, pues proporciona mayor estabilidad
del punto de operación con respecto de cambios en  .

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…

2. Explicar el funcionamiento de la polarización de emisor con dos alimentaciones

Colocando nuestro propio experimento como ejemplo, la alimentación negativa polariza

en directa el diodo de emisor. La alimentación positiva polariza en inversa el diodo de
colector. Este circuito se deriva del circuito de polarización de emisor, por lo que nos
referiremos a él como circuito de polarización de emisor con dos alimentaciones.
Cuando este tipo de circuito está bien diseñado, la corriente de base es lo suficientemente
pequeña como para poder ignorarla. Esto es equivalente a decir que la tensión de base es
aproximadamente 0 V.
Para hallar la corriente en la resistencia del emisor aplicamos la ley de Ohm a la
resistencia de emisor como sigue: el terminal superior de la resistencia de emisor está a
una tensión de -0,7 V y el terminal inferior está a una tensión de -2 V. Por tanto, la tensión
que cae en la resistencia de emisor es igual a la diferencia de estas dos tensiones.
Cuando un circuito con polarización de emisor con dos alimentaciones está bien
diseñado, es similar a la polarización mediante divisor de tensión y satisface la regla de
100 :1

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…

3. Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito dibujando en

una hoja completa , con el diseño original.

Vcc VBB VE=VRE VRC VCT VCE IE IC

7v 1.27v 0.66v 2.56v 4.41v 3.76v 0.67mA 0.67mA
10v 1.81v 1.18v 1.62v 5.33v 4.14v 1.20 mA 1.20 mA
12v 2.18v 1.54v 6.01v 5.93v 4.39v 1.57 mA 1.57 mA

VCC VB VRE VRC VCE IE IC

7v 0.01v 1.37v 4.53v 3.16v 1.37mA 1.37mA
10v 0.01v 1.38v 4.54v 3.26v 1.38 mA 1.38 mA
12v 0.01v 1.39v 4.54v 3.31v 1.39 mA 1.39 mA

4.Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja

Página 17
…

para poder hacer comparaciones, una por cada tabla.

IC(mA)
1.8 VCE(V) IC(mA)
1.6 3.76 0.67
1.4 4.14 1.2
4.39 1.57
1.2

1
IC(mA)
0.8

0.6

0.4

0.2

0
3.7 3.8 3.9 4 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5

IC(mA)
VCE(V) IC(mA)
1.395
3.16 1.37
1.39 3.26 1.38
3.31 1.39
1.385

1.38
IC(mA)
1.375

1.37

1.365
3.15 3.2 3.25 3.3 3.35

Página 18
…

5. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.

Para poder hallar los puntos Q se necesita 𝐼𝐶 𝑦 𝑉𝐶𝐸 la manera de hallarlos es

con:
En la primera tabla estos son los puntos Q:

De la segunda tabla los puntos Q son:

En la gráfica 1 sale una recta con pendiente positiva y en la gráfica 2 también sale una recta

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…

6. Comprobar teóricamente la ganancia de la configuración del circuito 1 y

Explicar la ganancia experimental de la tabla 1.

𝟏𝟐 × 𝟐. 𝟐 × 𝟏𝟎𝟑
𝑽𝑩𝑩 = = 𝟐. 𝟏𝟔𝒗
𝟏𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 + 𝟐. 𝟐 × 𝟏𝟎𝟑

𝑽𝑬 = 𝟐. 𝟏𝟔 − 𝟎. 𝟕 = 𝟏. 𝟒𝟔𝒗

𝟏.𝟒𝟔
𝑰𝑬 = = 𝟏. 𝟒𝟔𝒎𝑨 ≈ 𝑰𝑪
𝟏𝟎𝟑

𝑽𝑪 = 𝟏𝟐 − 𝟑. 𝟔 × 𝟏. 𝟒𝟔 = 𝟔. 𝟕𝟒𝟒𝒗

𝑽𝑪𝑬 = 𝟔. 𝟕𝟒𝟒 − 𝟏. 𝟒𝟔 = 𝟓. 𝟐𝟖𝟒𝒗

7. Comprobar teóricamente y Explicar la configuración del circuito 2, los valores

esperados y las aplicaciones de ella.

𝑽𝑩 ≈ 𝟎

𝑽𝑬 = 𝟎 − 𝟎. 𝟕 = −𝟎. 𝟕𝒗

𝑽𝑹𝑬 = −𝟎. 𝟕 − (−𝟐) = 𝟏. 𝟑𝑽

𝟏.𝟑
𝑰𝑬 = 𝟏𝟎𝟑 = 𝟏. 𝟑𝒎𝑨 ≈ 𝑰𝑪

𝑽𝑪 = 𝟏𝟐 − 𝟑. 𝟔 × 𝟏. 𝟑 = 𝟕. 𝟑𝟐𝒗

𝑽𝑪𝑬 = 𝟕. 𝟑𝟐 − (−𝟎. 𝟕) = 𝟖. 𝟎𝟐𝒗

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…

8. Realizar la simulación del circuito (multisim) y presentar los resultados

obtenidos, en valores y gráficos

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…

OBSERVACIONES

 Se pudo observar el funcionamiento de del bjt.

 En la simulación del 1er circuito fue necesario usar un osciloscopio en el cal el
canal 1 fue conectado al colector.
 En el segundo circuito se necesitaron dos voltímetros ambos el polo positivo iban
conectados al BJT uno al emisor y otro al colector, el polo negativo a tierra.
 Entender el principio de funcionamiento de un BJT .
 Reconocer sus partes como emisor, base y colector como también sus
características.
 Conocer los diferentes tipos de polarización.

CONCLUSIONES

 El funcionamiento de un transistor BJT depende de la polarización que se le

aplica en sus terminales
 Se pudo observar que la corriente del colector después de cierto voltaje se
aproxima al emisor
 En una mala polarización podría funcionar mal todo el circuito
 Al aplicarle un voltaje se puede usar como amplificador
 También se pudo demostrar que si se aplica un voltaje entre el emisor y al base se
puedo obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base

BIBLIOGRAFIA
 http://juliodelgado.galeon.com/
 http://es.slideshare.net/Jhomgomez/transistor-bjt-y-polarizacion
 www.unicrom.com/el_transistor BJT

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…

SESION 09: EL TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO POLARIZACION

GANANCIAS

CUESTIONARIO:

1. Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito con el diseño

original.
2. Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para
poder hacer comparaciones, una por cada tabla.

3. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.

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 …

4. Dígame cómo funciona un JFET, incluyendo en su explicación la tensión de

estrangulamiento y la tensión de corte puerta-fuente.

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Características generales:

 Por el terminal de control no se absorbe corriente.

 Una señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N.
Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el
FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común
(SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor
común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

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…

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación

de señales débiles.

CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una
saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y
surtidor.

Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de

drenador es máxima.

5. Dibuje las curvas de drenador y la curva de transconductancia de un JFET.

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…

6. Compare el transistor JFET con el transistor de unión bipolar. Sus comentarios

deberán incluir las ventajas y desventajas de cada uno de ellos.

Ventajas del FET con respecto al BJT

 Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)MΩ.
 Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Son más estables con la temperatura que los BJT.
 Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
 Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños
de tensión drenaje-fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas de los FET

 Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
 Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que los BJT.
 Los FET´s se pueden dañar debido a la electricidad estática.

BJT
 Controlado por corriente de base.

Página 26
…

 Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
 IC es una función de IB.
 ß (beta factor de amplificación)
 Altas ganancias de corriente y voltaje.
 Relación lineal entre Ib e Ic.
JFET
 Controlado por tensión entre puerta y fuente.
 Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó
electrones (canal n).
 ID es una función de Vgs.
 gm (factor de transconductancia).
 Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los
BJT.
 Relación cuadrática entre Vgs e Id.

7. ¿Cómo puede saber si un FET está trabajando en la región óhmica o en la región

activa?

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA ÓHMICA o LINEAL:

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del
valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIÓN:

En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS

ZONA DE CORTE:

La intensidad de drenador es nula (ID=0).

11. Dibuje un seguidor de fuente de JFET y explique cómo funciona.

El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento activo
de muchos amplificadores. Una de las configuraciones es: El amplificador seguidor de
cátodo al que se le conoce también con el nombre de circuito drenador común o ánodo
común.

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…

Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado
principalmente como adaptador de impedancias. La salida se obtiene del resistor
(resistencia) RS y la ganancia es aproximadamente igual a 1. Esta ganancia no es 1
debido a que existe una pequeña diferencia de tensión entre la entrada
(patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.

La ganancia de este amplificador se obtiene con la ayuda de la fórmula: AV = gm x Rs/ [1

+ (gm x Rs)].

De la fórmula se deduce que la señal de salida está en fase con la señal de entrada pues
no existe el signo menos que indica inversión de fase.

La impedancia de salida se obtiene con la siguiente fórmula: Ro = Rs / [1 + (gm x Rs)].

12. ¿Qué magnitud de entrada controla la corriente de salida en un BJT? ¿Y en un

JFET? Si las magnitudes son diferentes, explíquelo.

La corriente de salida es controlada por la corriente de entrada y amplificada en un factor

llamado B.de ahí que se dice que la corriente de salida es una variable que depende tanto
de la intensidad de corriente a la entrada como de la B del transistor.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la
señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en
los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las
ganancias
de tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que
las correspondientes a los FET.

8. Un JFET es un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una

tensión a la puerta. Explique esta afirmación.

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En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp,
en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de
canal p.

9. Realizar la simulación del circuito desarrollado y comparar teóricamente

10. Nombrar las aplicaciones de los JFET y de los MOSFET.

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

1.-Los FET generan un nivel de ruido menor que los

BJT.
2.-Los FET se comportan como resistores
variables controlados por tensión para valores
pequeños de tensión de drenaje a fuente.
3.- Los FET so más estables con la temperatura
que los BJT.

OBSERVACIONES

 Los JFET pueden ser de dos tipos los de canal N y los de canal P

 Los FET consumen poca potencia

 En general los FET son más estables con la temperatura

 Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá
únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y
de los huecos en los de canalp

 Para probar la resistencia del canal drenador-fuente del JFET, se debe conectar el
terminal de puerta al terminal de fuente.

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CONCLUSIONES

 Los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión)
 El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar
como elemento activo de muchos amplificadores
 El amplificador seguidor de cátodo al que se le conoce también con el nombre
de circuito drenador común o ánodo común.
 En un FET Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de
drenador permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
 Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores

BIBLIOGRAFIA

 http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7-
teoria.pdf
 http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Solar/Componentes/Transistor_unipolar/JFET.htm
 http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf

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