Electronica de putere

1
 EVALUARE
- activitatea de laborator: 25%
- activitatea la proiect: 25%
- lucrare de control după primele 7 săptămâni (partial): 25%
- examen final scris: 25%
Condiţii de promovare
-predarea si promovarea proiectului;
-efectuarea integrala si promovarea laboratorului;
-obţinerea a 50 % din punctajul total
(ex: 40 - 49,99 puncte = nota 4; 50 – 54,99 puncte = nota 5)

2
 Conţinutul cursului

1. Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

2. Dioda de putere. Construcţie. Funcţionare. Caracteristici. Parametri caracteristici.

Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la blocare. Regimul termic permanent si
tranzitoriu. Protecţie.

3. Tiristorul. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Ecuaţia de funcţionare.

Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la
blocare. Regimul termic. Protectie.

4. GTO. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Ecuaţia de funcţionare.

Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducţie si la
blocare. Protectie.

5. Componente derivate din tiristor: Triac, ASCR, RCT, LAT, IGCT, MCT

3
 Conţinutul cursului

6. Tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul Darlington. Construcţie. Scheme

echivalente. Funcţionare. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul
dinamic la intrarea in conducţie si la blocare.
7. Tranzistorul MOS de putere. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare.
Tipuri de MOS. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la
intrarea in conducţie si la blocare.
8. Tranzistorul IGBT. Construcţie. Scheme echivalente. Funcţionare. Tipuri de
IGBT. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in
conducţie si la blocare.
9. Legarea in serie sau paralel a dispozitivelor semiconductoare. Legarea in serie
sau paralel a diodelor, tiristoarelor si tranzistorelor
10. Concluzii asupra întreruptoarelor. Intreruptoare în două, trei şi patru
segmente. Celula de comutaţie

4
 Conţinutul cursului

11. Conversia c.a.-c.c.: Redresoare necomandate şi comandate.

Redresorul monofazat monoalternanţă, necomandat şi comandat,
funcţionând cu sarcină R şi RL;
Redresorul monofazat bialternanţă în punte comandată şi necomandată,
funcţionând cu sarcină normală;
Redresorul trifazat cu punct median comandat şi necomandat, funcţionând
cu sarcină normală;
Redresorul trifazat în punte comandată şi necomandată, funcţionând cu
sarcină normală; Funcţionarea cu sarcina RLE în regim de invertor. Caracteristica
externă a redresorului.
Interactiunea redresor reţea si redresor sarcina.

5
 BIBLIOGRAFIE MINIMALA
1. Ionescu Fl., Nitu S., Floricau D.: Electronicǎ de putere. Dispozitive semiconductoare de
putere .216 pag.,Ed.ICPE, Bucuresti 2000, ISBN 973-8067-15-4
2 .Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C. : Electronica de putere II :"Convertoare
statice" Editura Electra, Bucuresti 2004, 389 pag., ISBN 973-8067-15-4
3. Ionescu Fl, Floricău D., Niţu S., Six J.-P., Delarue Ph., Boguş C. : Electronicǎ de
putere. Convertoare statice. Ed Tehnică 1998, 493 pag.,ISBN 973-31-1262-3.
4. Ionescu Fl.: Diode şi redresoare de putere, Ed. Tehnică 1995, 290 pag. ISBN 973-31-
0721-2
5. Ionescu Fl., Roşu E.,Six Jean-Paul, Dakyo B.,Milent E., Nichita C. :Exercices
d’électronique de puissance". Ed.Tehnicǎ, 2001, 230 pag., ISBN 973-31-2100-2. In limba
francezǎ
6. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C., Lazar L.: Componente semiconductoare
de putere. Indrumar de laborator, Lit.UPB, Bucureşti, 2006
7. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C.:Convertoare statice de putere. Indrumar
de laborator, Lit UPB, Bucureşti, 1997

6
Electronica de Putere

CURS 1

7
Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

8
1. Dioda de putere.

9
 Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare
necomandabile, unidirecţionale în curent şi în tensiune.

K A
n ++
A K
+ - p ++ p
Jpn
a) b)
În structura sa există o singură joncţiune p-n, deşi are trei straturi semiconductoare:
cele două exterioare (dopate p, respectiv n) sunt puternic dopate (notate din acest motiv
p++, respectiv n++) şi permit vehicularea unui număr mare de purtători de sarcină liberi.
Datorită lor, o diodă de putere poate suporta densităţi de curent medii de 60…100
A/cm2, valori necesare frecvent în electronica de putere. Stratul median este slab dopat
(cel mai adesea p), astfel încât joncţiunea p-n se realizează între un strat slab dopat şi unul
puternic dopat. Numai în felul acesta joncţiunea poate suporta tensiuni inverse mari, de
1…5 kV, fără să se străpungă. Diferenţa mare de potenţial între anod şi catod se regăseşte
practic în întregime pe stratul slab dopat, strat în care se extinde zona de blocare (săracă în
purtători de sarcină liberi) de la joncţiunea p-n.
10
 vF vR

A iF K A iR K
+ - - +
a) b)

polarizată direct, cu o tensiune exterioară aplicată cu borna pozitivă la anodul diodei şi cu

cea negativă la catod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu indicele F (VF şi
IF), iar dioda asigură continuitatea circuitului, dacă este în conducţie, adică tensiunea la
bornele ei depăşeşte o anumită valoare, numită tensiune de prag;

polarizată invers, cu o tensiune exterioara aplicată cu borna pozitivă la catodul diodei şi cu

cea negativă la anod, situaţie în care mărimile caracteristice se notează cu indicele R (VR şi
IR), iar dioda asigură întreruperea circuitului (prin joncţiune circulă un curent invers foarte
mic, de ordinul mA);

nepolarizată, fără tensiune exterioara aplicată, situaţie în care dioda asigură întreruperea
circuitului, dar care este fără importanţă practică în domeniul convertoarelor statice de 11
putere.
 1.1. CARACTERISTICA
STATICĂ
i=i F [A sau kA]
F CI
IF VF
VRSM + -
A I F r on V K
To
v=vR VBR VRRM V0 α
O
[kV] R IRM V VF v=vF [V]
T o

VR

- +
C III
A IR roff K
i=i R [mA]
S
12
Caracteristica directă corespunde polarizării directe a diodei, se numeşte şi
caracteristica de conducţie şi este reprezentată prin ramura OF. Curentul
i=iF şi tensiunea v=vF corespunzătoare sunt considerate pozitive, motiv pentru
care se trasează în cadranul unu al planului (i,v).

v F = VT 0 + rT i F

rT este rezistenţa dinamică a diodei (dată de catalog)

dv F
rT =
d iF
dv F V
rT = ≈ ctg α ≈ F
d iF IF

O diodă în conducţie este echivalentă cu un circuit serie format dintr-o

rezistenţă de valoare mică ron = rT şi o sursă de tensiune continuă de valoare
VT0.

13
Caracteristica inversă corespunde polarizării inverse a diodei, se numeşte şi
caracteristica de blocare şi este reprezentată prin ramura OR. Curentul i=iR şi tensiunea
v=vR corespunzătoare sunt considerate negative, motiv pentru care se trasează în cadranul
trei al planului (i,v).

Pentru valori negative ale tensiunii la borne, curentul prin diodă este foarte mic, de
µA…100mA şi se datorează agitaţiei termice. Acest curent este neglijabil în raport
10µ
cu valorile uzuale ale curenţilor în electronica de putere

O diodă blocată este echivalentă cu o rezistenţă de valoare mare roff

14
Valoarea maximă a tensiunii inverse este limitată de apariţia fenomenului de străpungere
prin avalanşă. La depăşirea tensiunii de străpungere, notată VBR , curentul invers creşte brusc,
datorită ionizărilor prin ciocniri repetate şi smulgerii de electroni din legăturile covalente.

În cataloagele producătorilor de diode semiconductoare de putere este indicată tensiunea VRRM ,

numită tensiune inversă repetitivă maximă şi care reprezintă valoarea de vârf a tensiunii
inverse ce poate fi aplicată diodei, periodic (repetitiv), fără ca ea să se distrugă.

Curentul invers corespunzător tensiunii VRRM este curentul invers maxim, notat IRM şi
indicat de asemenea în cataloagele de diode.

Unii producători dau şi tensiunea VRSM , tensiunea inversă maximă accidentală, care poate fi
suportată de diodă în mod singular, fără să se străpungă. Străpungerea diodei este
ireversibilă şi înseamnă distrugerea dispozitivului semiconductor, deoarece acesta îşi pierde
proprietatea de conducţie unidirecţională. Pe caracteristica statică, acest regim este reprezentat
de porţiunea RS din cadranul trei al planului (i,v).

15
Exemplu de caracteristica statică directă, pentru două temperaturi de
funcţionare (data de catalog)

o
IF Tvj=25 C
[kA]
o
Tvj=150 C

VF [V]

16
 1.2. CARACTERISTICA
DINAMICĂ

Caracteristica dinamică reprezintă variaţia în timp a curentului prin diodă şi a

tensiunii la bornele acesteia, în regim dinamic de funcţionare, adică în comutaţie.

Prin comutaţie se desemnează trecerea diodei din stare de blocare în stare de

conducţie (proces denumit comutaţia în direct) şi invers, din stare de conducţie în
stare de blocare (proces denumit comutaţia în invers).

17
 CARACTERISTICA DINAMICĂ

i ,v
IF _ di F
dt
i t rr
VFM ts tf
v
∆
1,1 VF
t0 vF t1 β t2 t3 t4 t
IR tfr 0,25I RRM β
Qs Qf VR
0,9I RRM
I RRM
VRM

18
 1.2.1. Comutaţia în direct

Trecerea diodei din stare de blocare sau de nepolarizare în stare de conducţie (comutaţia în
direct) se face într-un interval de timp foarte scurt, de câteva ns, notat tfr şi numit timp
de comutaţie în direct. Acest timp este necesar ca, începând cu momentul t0, când diodei i
se aplică o tensiune directă, zona săracă în purtători de sarcină liberi, din preajma joncţiunii
p-n, să fie invadată de purtători de sarcină liberi, proveniţi din zonele puternic dopate şi să
capete astfel conductibilitate electrică ridicată.

La bornele diodei apare o supratensiune directă de comutaţie, VFM, care depinde de

panta curentului direct prin diodă şi de valoarea lui stabilizată IF, deci, mai mult de
circuitul exterior decât de proprietăţile diodei.

19
 1.2.2. Comutaţia în invers

Trecerea diodei din starea de conducţie în starea de blocare (comutaţia în invers)

durează un timp mai lung, definitoriu pentru proprietăţile de comutaţie ale diodei.

La momentul t1, se aplică diodei o tensiune inversă. Este nevoie de timp pentru ca
purtătorii de sarcină liberi să părăsească zona joncţiunii prin difuzie sau recombinare.
Curentul scade, dar nu se opreşte la valoarea practic nulă a curentului invers de regim,
IR, ci scade în continuare până la curentul IRRM (curent invers de revenire maxim),
astfel încât toţi purtătorii de sarcină liberi, care au existat în zona joncţiunii, să fie
evacuaţi şi joncţiunea să îşi recapete proprietăţile izolante. Scăderea curentului se face
cu viteza , − d i F d t care este impusă de caracteristicile circuitului şi de tensiunea
inversă aplicată.

20
 Comutaţia în invers

Timpul scurs din momentul trecerii curentului prin zero, de la valori pozitive, către valori
negative (notat cu t2), până în momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM
(notat cu t3) se numeşte timp de stocare şi se notează cu ts. În acest interval de timp,
tensiunea scade de la VF la zero, iar în joncţiune se acumulează o cantitate de sarcină
electrică, numită sarcină stocată, notată Qs şi definită de relaţia:
ts
Qs = ∫ 0
i dt

Timpul scurs din momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM (notat cu t3) până în
momentul t4 se numeşte timp de cădere şi se notează cu tf . Momentul t4 se obţine prin
intersecţia abscisei cu o dreaptă ajutătoare ∆.. Dreapta ∆ se construieşte unind punctele de
ordonate 0,9IRRM şi 0,25IRRM şi aproximează variaţia curentului invers care scade de la IRRM
la IR. Când curentul invers începe să scadă, datorită energiei acumulate în câmpul
magnetic al inductivităţilor din circuit, apare o supratensiune de comutaţie inversă VRM .
Această supratensiune este normală în funcţionarea diodei, dar trebuie luate măsuri ca ea
să nu depăşească tensiunea VRRM.
21
 Comutaţia în invers

Se definesc:

tf trr

Qf = i dt ∫
0
∫
Qrr = Qs + Q f = i d t
0

t rr = t s + t f

upă mărimea lui trr diodele se clasifică în :

- diode rapide (de comutaţie), cu trr < 10µ

µs

- diode normale , cu trr > 10µ

µs.

22
 Comutaţia în invers

În cataloage, este indicat grafic modul de creştere al sarcinii Qs sau Qrr ca funcţii de (-di/dt),
cu IF ca parametru.

Circuitul de forţă determină (-di/dt) şi IF.

Caracteristicile diodei determină Qs sau Qrr ;

Se pot determina IRRM şi ts , aproximând variaţia curentului cu o variaţie liniară, adică :

d i t s2
ts ts
di i di
− = const = tg β ⇒ Qs = ∫ t ⋅ d t = ∫ − t ⋅dt = − ⇒
dt 0
t 0
dt dt 2

2Q s di
ts = I RRM = 2Qs −
di dt
−
dt

23
 1.3. REGIMUL TERMIC

Temperatura cristalului semiconductor influenţează semnificativ comportarea diodei, în

orice regim de funcţionare. Acestă temperatură, denumită temperatura virtuală a
joncţiunii şi notată Tvj, este determinată de echilibrul între puterea dezvoltată şi puterea
disipată de diodă ;

Căldura se dezvoltă prin efectul Joule la trecerea curentului prin diodă ;

Căldura se disipă prin încălzirea elementelor componente (cristal semiconductor, capsulă

şi radiator) şi prin cedare către mediul ambiant, în principal prin radiatorul pe care este
montată capsula.

Radiatorul se montează pe o singură parte a capsulei (răcire unidirecţională) la diodele

mici, sau pe ambele feţe ale acesteia (răcire bidirecţională) la diodele de curenţi mari.

24
tudiul regimului termic permite

- alegerea radiatorului potrivit pentru a asigura funcţionarea diodei în limitele de

temperatură admise (-40°C…150°C), pentru un curent mediu dat ;

- determinarea temperaturii Tvj , pentru o configuraţie dată şi un curent mediu impus ;

- determinarea curentului mediu pentru o configuraţie dată şi o temperatură Tvj , impusă.

tudiul regimului termic (permanent sau tranzitoriu) se face cu ajutorul schemelor termice
echivalente, construite prin analogie cu schemele electrice.

25
 1.3.1. REGIMUL TERMIC PERMANENT

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic permanent se construiesc numai cu
rezistenţe termice.

Rezistenţa termică reda modul în care un mediu transferă căldura. Rezistenţa termică Rth se
măsoară în [grd/W], aşa cum rezultă din relaţia de definiţie, similară cu teorema lui Ohm:

Rth = ∆T
P
unde:
- ∆T este diferenţa de temperatură între cele două puncte între care se consideră că
există o rezistenţă termică Rth ;
- P este puterea termică dezvoltată în sursa de căldură şi transmisă prin rezistenţa
termică respectivă
V =
= Τ
I ∆V ∆Θ P
∆V=RI R th ∆ Τ= R th P
R I P
R R th ΤA
V0 26
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu răcire unidirecţională se construieşte schema termică echivalentă

Τ
vJ
R thJC (θ) R
P thCK RthKA ΤA ΤC
=
Τ vJ ΤC ΤK
P ΤK
ΤA

27
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Notatii:

TvJ temperatura virtuală a joncţiunii (a cristalului semiconductor);

TC temperatura capsulei ;

TK temperatura radiatorului (montat de obicei la catod) ;

TA temperatura mediului ambiant ;

RthJC (θ) rezistenţa termică dintre joncţiune şi capsulă, care este funcţie de
unghiul de conducţie θ, adică de unghiul electric care măsoară durata trecerii
curentului prin diodă ;

RthCK rezistenţa termică dintre capsulă şi radiator ;

RthKA rezistenţa termică dintre radiator şi mediul ambiant 28

 REGIMUL TERMIC PERMANENT

RthJC (θ) = RthJC DC + ∆r (θ)

∆r
[k/W]
0,064

θ
0,048
T

0,032

0,016 θ
T
0
30 60 90 120 150 180
θ [grd]

29
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

( )
TvJ = T A + P ⋅ RthJC DC + ∆r (θ) + RthCK + RthKA = T A + P ⋅ RthJA

TC = T A + P ⋅ (RthCK + RthKA ) = T A + P ⋅ RthCA

30
 REGIMUL TERMIC PERMANENT

Pentru diode cu răcire bidirecţională, schema termică echivalentă are două ramuri : câte
una pentru fiecare direcţie de transmitere a căldurii.

R'thJC (θ) R'thCK R'thKA

P
= TJ TC TK TA

R''thJC (θ) R''thCK R''thKA

În realitate, variaţiile de temperatură nu sunt identice pe cele două feţe ale diodei, dar variaţiile
sunt aleatoare, în funcţie de condiţiile locale de răcire. Din acest motiv se face ipoteza
suplimentară că variaţia de temperatură este identică pe cele două feţe ale diodei şi .Rth = Rth' = Rth''
Prin legarea în paralel a rezistenţelor de pe cele două braţe ale schemei echivalente, rezultă o
valoare de două ori mai mică pentru rezistenţa termică totală, în cazul răcirii bidirecţionale.
În cataloage se dau rezistenţele termice pentru ambele moduri de răcire, la diodele pentru care
31
este cazul
 1.3.2. REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Schemele termice echivalente pentru studiul regimului termic tranzitoriu conţin rezistenţe şi
capacităţi termice. Capacităţile redau posibilitatea corpurilor de a înmagazina o anumită cantitate
de căldură. Schemele termice echivalente sunt formate din grupuri RthC, dar care nu au o
corespondenţă directă cu elementele constructive ale diodei. În cataloage sunt date, tabelat, valori
pentru rezistenţele rk şi constantele de timp τk=rkCk , k=1,2…5. Din cauza diferenţelor mari între
constantele de timp ale cristalului semiconductor (milisecunde) , capsulei (secunde) şi
radiatorului (minute), cel mai adesea este suficient să se ia în calcul numai schema echivalentă
dintre joncţiune şi capsulă.

T (t) r1 r2 rk
J T (t)
C

P(t)
C1 C2 ∆T (t) Ck
JC

Schema termică echivalentă pentru regim termic tranzitoriu

32
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Deoarece operarea cu un asemenea circuit echivalent este dificilă, se introduce noţiunea de

impedanţă termică tranzitorie echivalentă:

∆TJC (t )
Z thJCDC (t ) =
P

∆TJC (t) este diferenţa de temperatură între joncţiune şi capsulă, la momentul t, după
trecerea unui flux termic de amplitudine constantă P, un interval de timp t.
Z thJC DC P
Z thJC DC R
thJC DC

P
0 t

Variaţia impedanţei termice (calitativ) la aplicarea unei trepte de putere .

33
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

ractic, impedanţa termică se poate determina în două moduri :

 folosind
prin calcul, cu relaţia urmatoare
k −  rk şi τk date în tabelat, în fila de catalog:
t

Z thJC DC (t ) = ∑ r 1 − e
i
τi 

i =1  

din graficul dat în catalog pentru răcire uni sau bidirecţională

ZthJC DC
0,1 a)
[°C/W]
0,08
0,06
b)
0,04
0,02
t[s]
0,001 0,01 0,1 1 10 100

34
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pentru o încărcare de scurtă durată, sau neperiodică, temperatura se calculează prin

metoda superpoziţiei, considerând că o răcire corespunde unei trepte de putere negativă .

p
P t
t t1 t2
p 0

t P
0 t
t1 -P

P ZthJC DC (t-t 0)
∆ T JC

t1 t
t t2 -P Z thJC DC (t-t 1)
0

Calculul încălzirii prin metoda superpoziţiei

35
 REGIMUL TERMIC TRANZITORIU

Pulsul de putere de durată (t1-t0) se descompune în două trepte, una pozitivă (aplicată la
momentul t0) şi una negativă (aplicată la momentul t1).

0, t < t0

∆TJC (t ) =  P ⋅ Z thJC (t − t0 ), t0 ≤ t < t1
 P ⋅ Z (t − t ) − PZ
 thJC 1 0 thJCDC (t − t1 ), t ≥ t1

36