Generación y recombinación de electrones huecos

 Si la introducción de impurezas se realiza de manera

controlada pueden modificarse las propiedades
eléctricas en zonas determinadas del material. Así, se
habla de dopado tipo P ó N (en su caso, de silicio P ó
N) según se introduzcan huecos o electrones
respectivamente, es esta característica de los
semiconductores la que permite la existencia de
circuitos electrónicos integrados.
 Con la tabla siguiente se pretende resumir los
conceptos anteriores:
Portadores Portadores
Material
mayoritarios minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos

 Hay que resaltar que el dopado no altera la neutralidad

eléctrica global del material.
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS
SEMICONDUCTORES
 Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y
minoritarios se ha asumido una hipótesis de trabajo: que a
temperatura ambiente (25ºC) la concentración de portadores
provocada por generación térmica es mucho menor que la
causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura
sobre la de ambiente se aumentará la tasa de pares
electrón/hueco generados. Llegará un momento en el que, si la
temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares
generados enmascare a los portadores presentes debidos a la
impurificación. En ese momento se dice que el semiconductor es
degenerado, y a partir de ahí no se puede distinguir si un
material es de tipo N ó P: es la temperatura a la cual los
dispositivos electrónicos dejan de operar correctamente. En el
caso del silicio, esta temperatura es de 125 ºC.
 El silicio (Si) pierde sus propiedades semiconductoras
por encima de 150 ºC.
 Debemos asegurar por diseño que esto no va a suceder
 La evacuación de calor desde el interior del dispositivo
hasta el ambiente depende enormemente del
encapsulado utilizado.
 Cada modelo tiene unas características geométricas
que le proporcionan una cierta capacidad de evacuar
calor.
 En caso de que el propio encapsulado no sea suficiente
para evacuar todo el calor, es necesario utilizar algún
sistema para mejorar la transferencia: LOS
RADIADORES
Ejemplo de disipadores

13/04/2014
6
CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES

 Dada la especial estructura de los semiconductores, en

su interior pueden darse dos tipos de corrientes:

 1. Corrientes por arrastre de campo

 2. Corrientes por difusión
1. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO
 Supongamos que disponemos de un semiconductor
con un cierto número de electrones y de huecos, y que
aplicamos en su interior un campo eléctrico. Veamos
que sucede con los portadores de carga:

 Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo

eléctrico ejerce sobre los electrones provocará el
movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo
eléctrico. De este modo se originará una corriente
eléctrica.
 CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
DIAGRAMA DE BANDAS DEL SILICIO

Diagramas de bandas de
energía del Si no excitado
(Sin energía externa
como el calor) en un
cristal de silicio puro.

Esta condición ocurre

solo a una temperatura
del cero absoluto.
 CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
ELECTRONES DE CONDUCCION Y HUECOS

Por cada electrón elevado a la banda de conducción por medio

de energía externa queda un hueco en la banda de valencia y
se crea lo que se conoce como par electrón-hueco
 CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
CORRIENTE DE ELECTRON Y HUECO

La corriente de electrones en silicio intrínseco se produce por el

movimiento de electrones libres generados térmicamente,
denominándose a este efecto corriente de electrón.
Los electrones que permanecen en la banda de valencia siguen estando
unidos a sus átomos y no pueden moverse al azar en la estructura
cristalina como lo hacen los electrones libres. No obstante, un electrón de
valencia puede moverse a un hueco cercano con poco cambio en su nivel de
energía y por lo tanto deja otro hueco en el lugar de donde vino,
denominándose a este efecto corriente de hueco.
 CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
CORRIENTE DE ELECTRON Y HUECO
  La densidad de la corriente eléctrica (número de
cargas que atraviesan la unidad de superficie en la
unidad de tiempo) dependerá de la fuerza que actúa
(qE), del número de portadores existentes y de la
"facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:
Je = en(qE)
en donde:
•Je = Densidad de corriente de electrones
•e = Movilidad de los electrones en el material
•n = Concentración de electrones
•q = Carga eléctrica
•E = Campo eléctrico aplicado
La movilidad e es característica del material, y está relacionada con la capacidad de movimiento
del electrón a través de la red cristalina.
 Huecos: El campo eléctrico aplicado ejerce también
una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces
covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrón
perteneciente a un enlace cercano a la posición del
hueco salte a ese espacio. Así, el hueco se desplaza una
posición en el sentido del campo eléctrico. Si este
fenómeno se repite, el hueco continuará
desplazándose. Aunque este movimiento se produce
por los saltos de electrones, podemos suponer que es el
hueco el que se está moviendo por los enlaces. Se
puede apreciar en la siguiente figura:
 La carga neta del hueco vacante es
positiva y por lo tanto, se puede
pensar en el hueco como una carga
positiva moviéndose en la dirección
del campo eléctrico. Obsérvese que
los electrones individuales de enlace
que se involucran en el llenado de los
espacios vacantes por la propagación
del hueco, no muestran movimiento
continuo a gran escala. Cada uno de
estos electrones se mueve
únicamente una vez durante el
proceso migratorio. En contraste, un
electrón libre se mueve de forma
continua en la dirección opuesta al
campo eléctrico.
 Análogamente al caso de los electrones libres, la
densidad de corriente de huecos viene dada por:

Jh = hp(qE)

en donde:
•Jh = Densidad de corriente de huecos
•h = Movilidad de los huecos en el material
•p = Concentración de huecos
•q = Carga eléctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrón
•E = Campo eléctrico aplicado
 La movilidad h es característica del material, y está
relacionada con la capacidad de movimiento del hueco
a través de los enlaces de la red cristalina. La
"facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior
a la de los electrones.
 Consideremos ahora el caso de un semiconductor que
disponga de huecos y electrones, al que sometemos a
la acción de un campo eléctrico. Hemos visto cómo los
electrones se moverán en el sentido opuesta a la del
campo eléctrico, mientras que los huecos lo harán en
según el campo.
 El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el
sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de
cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, la
densidad de corriente global es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:

J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)
2. CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES

 El fenómeno de conducción por difusión se puede

explicar con el siguiente ejemplo: si tenemos una caja
con dos compartimentos separados por una pared
común. En un compartimento introducimos un gas A,
y en el otro un gas B.

Figura : Difusión de dos gases a través de

una membrana porosa
 Si en un momento determinado se abre una
comunicación entre las dos estancias parte del gas A
atravesará la pared para ocupar el espacio contiguo, al
igual que el B. El resultado final es que en ambas
estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La
difusión de partículas es un mecanismo de transporte
puramente estadístico, que lleva partículas "de donde
hay más, a donde hay menos", siempre que no haya
ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho
proceso.
 ¿Qué aplicación tiene esto a la conducción en los
semiconductores?. Qué sucedería si, por las razones
que sean, tuviéramos un semiconductor tipo P cuya
concentración de huecos no fuera constante, sino
variable según la dirección x. Los huecos tenderán a
emigrar de la región de alta concentración a la de baja
concentración. Esta migración de portadores, es un
proceso puramente estadístico, originado por el
movimiento térmico aleatorio de los portadores. No
está relacionado con la presencia de ningún campo
eléctrico.
Conceptos Básicos de Circuitos
Eléctricos

 Elementos Lineales
 Fuentes de energía
 Leyes de Kirchhoff
 Teoremas de Thevenin
 ELEMENTOS LINEALES

Son aquellos elementos en que las variables

electricas (Tension y Corriente) guardan una relación
simple proporcional, cumpliendo los principios de
homogeniedad y superposicion.

Los elementos que responden a este principio son:

La resistencia , La inductancia y La Capacitancia.
Elementos lineales
 La Resistencia
 Resistencias lineales.
1
v  Ri i  Gv G
R
 El parámetro R se denomina resistencia y se mide en Ohmios, Ω.
 El parámetro G (Tambien: Y) se denomina conductancia y se mide en Siemens,
S.
 La resistencia equivalente de un conjunto de resistencias conectadas en serie es
igual a la suma de las resistencias.
 La conductancia equivalente de un conjunto de resistencias conectadas en
paralelo es igual a la suma de las conductancias.
1 1 1 1 1
   
Req R1 R2 R3 R4

Req  R1  R2  R3  R4
La Resistencia
La Resistencia
La Resistencia
La Resistencia Variable
 Condensadores

Permitividad
absoluta de algunos Permitividad en el vacio
dieléctricos
 Condensadores

Características de
funcionamiento de los
condensadores
Condensadores
 Condensadores
 La capacidad equivalente de un conjunto de condensadores
conectados en paralelo es igual a la suma de las
capacidades.
 La inversa de la capacidad de un conjunto de
condensadores conectados en serie es igual a la suma de las
inversas de las capacidades
C1

C2 C1 C2 C3 C4
C3

C4

1 1 1 1 1
   
C  C1  C2  C3  C4 C C1 C2 C3 C4
 Inductores
 Son componentes que pueden producir un campo
magnético al pasar corriente por ellos.

 El flujo magnético por unidad de intensidad se

denomina autoinducción L y su unidad es el
henrio ([weber x vuelta]/amperio)
 Inductores
 Relación i-v
 El término Φ se denomina encadenamiento de flujo y lo vamos a
representar con la letra λ
 El voltaje a través de un inductor es igual al cambio de
encadenamiento de flujo por unidad de tiempo, por lo que:
d (t ) dLiL (t ) di (t )
vL (t )   L L
dt dt dt
 Potencia y energía
diL (t )
pL (t )  iL (t )vL (t )  iL (t ) L
dt
 La potencia puede ser positiva o negativa.
 Positiva: El dispositivo absorbe energía.
 Negativa: El dispositivo libera energía.
 Inductores
Inductancias en serie . La inductancia (L) de un número de
bobinas, o inductores, conectados en serie, pero no acoplados
mutuamente es:

L = L1 + L2 + L3 + . . . (henrios)

Inductancias en paralelo. La inductancia (L) de un número

de bobinas en paralelo, pero no acopladas mutuamente, está
dada por:

La inductancia de dos bobinas (L1 y L2) conectadas en

paralelo, pero sin acoplamiento mutuo es
Divisor de tensión: Es un conjunto de dos o mas resistencias en
serie, de modo que entre los elementos de cada resistencia la ddp existente es
una fracción del voltaje aplicado al conjunto.

Vo
Vo  I  R  I 
R

Ri
Vi  IRi  Vo
R
 La Resistencia
Divisor de corriente: Es un conjunto de dos o mas resistencias
en paralelo de modo que la corriente que circula por cada resistencia es una
fracción de la intensidad de corriente total.

Vo
I   I i siendo I i 
Ri
1
I  Vo 
Ri

PARA UN DIVISOR DE DOS RESISTENCIAS

1 R1R2 R2
I1  I I
R paralelo R1 R1  R2 R1  R2
Ii  I
Ri 1 R1R2 R1
I2  I I
R2 R1  R2 R1  R2
Fuentes de Alimentación
Leyes de Kirchhoff
Leyes de Kirchhoff
Leyes de Kirchhoff
Identificación de Nodos, Ramas y Mallas

Nodos

Ramas

Mallas
Diodo Semiconductor
 En la teoría vista anteriormente se presentaron los
materiales tipo n y tipo p.
 El diodo semiconductor se forma al unir estos
materiales como se muestra en la siguiente figura. En
el momento en que los dos materiales se “unan”, los
electrones y los huecos en la región de la unión se
combinarán y como consecuencia se originará una
carencia de portadores en la región cercana a la unión.
 Esta región de iones positivos y negativos descubiertos
se denomina región de agotamiento debido a la
disminución de portadores en ella.
 Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión
de dos materiales semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta
estructura se le añaden dos terminales metálicos para
la conexión con el resto del circuito. En la siguiente
Figura se presenta el esquema de los dos tipos de
diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y
el plano.

Esquemas de diodos de unión PN

Formación de la unión PN
 Supongamos que se dispone de un monocristal de
silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera
nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N (siguiente
Figura). La zona P tiene un exceso de huecos, y se
obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red
cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de
electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo
V (fósforo). En ambos casos se tienen también
portadores de signo contrario, aunque en una
concentración varios órdenes de magnitud inferior
(portadores minoritarios).
Figura: Impurificación del silicio para la
obtención de diodos PN
 En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón
hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo,
es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni
campos eléctricos internos. En el momento mismo de
crear dos zonas de diferente concentración de
portadores, entra en juego el mecanismo de la
difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a
llevar partículas de donde hay más a donde hay menos.
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a
la unión de las dos zonas la cruzan y se instalan en la
zona contraria, es decir:
 Electrones de la zona N pasan a la zona P.
 Huecos de la zona P pasan a la zona N.
 Este movimiento de portadores de carga tiene un
doble efecto. Centrémonos en la región de la
zona P cercana a la unión:
 El electrón que pasa la unión se recombina con
un hueco. Aparece una carga negativa, ya que
antes de que llegara el electrón la carga total era
nula.
 Al pasar el hueco de la zona P a la zona N,
provoca un defecto de carga positiva en la zona P,
con lo que también aparece una carga negativa.
 El mismo razonamiento, aunque con signos
opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unión se va
Figura: Formación
creando una zona de carga, que es positiva en la de la unión PN

zona N y negativa en la zona P

 La distribución de cargas formada en la región de la
unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la
zona P. Este campo eléctrico se opone al movimiento
de portadores según la difusión, y va creciendo
conforme pasan más cargas a la zona opuesta. Al final
la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se
equilibran y cesa el trasiego de portadores.

 Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece

una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta
diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
 En ese momento está ya formado el diodo de unión
PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:
 Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
 Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
 Zona de agotamiento (deplección): No es conductora,
puesto que no posee portadores de carga libres. En ella actúa
un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una
barrera de potencial.
 Hay que tener en cuenta que este proceso sucede
instantáneamente en el momento en el que se ponen
en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún
aporte de energía, excepto el de la agitación térmica.
 FORMACION DEL DIODO
Diagramas de Energía de la unión PN

Las impurezas trivalentes ejercen bajas fuerzas sobre los electrones de capa externa
que las impurezas pentavalentes.
Los electrones libres superiores de la región n se difunden en la región
p y luego caen a la banda de valencia de la región p.
Existe un gradiente de energía , que actúa como colina de energía que un electrón
de la región n debe escalar para llega a la región p
 Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que
en un caso como el descrito, tal que no se encuentra
sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no está polarizado. Al extremo p, se le denomina
ánodo, representándose por la letra A, mientras que la
zona n, el cátodo, se representa por la letra C (o K).

A (p) C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de

tensión externa, se dice que el diodo está polarizado,
pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa
 El bloque PN descrito en la figura anterior en
principio no permite el establecimiento de una
corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la
zona de deplección no es conductora.

Figura: Diodo PN durante la aplicación de

una tensión inferior a la de barrera
 Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el
ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará"
los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de deplección (siguiente
Figura). Sin embargo, mientras ésta exista no será
posible la conducción.

Figura: Diodo PN bajo la acción de una

tensión mayor que la de barrera
Polarización directa
 El polo negativo de la batería repele los electrones
libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de
la batería es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de deplección, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unión p-n.
Polarización directa
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la
zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo
de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.
 De este modo, con la batería cediendo electrones libres
a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.
 Concluyendo si la tensión aplicada supera a la de
barrera, desaparece la zona de deplección y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo
que sucede en la figura anterior es lo siguiente:
 Electrones y huecos se dirigen a la unión.
 En la unión se recombinan.
 Por lo tanto polarizar un diodo PN en directa es
aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona
N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda
de cargas móviles la zona de deplección.

 La tensión aplicada se emplea entonces en:

 Vencer la barrera de potencial.
 Mover los portadores de carga.
 POLARIZACION DEL DIODO
Polarización en Directa

La fuente de tensión proporciona energía a los electrones libres de la región n

para vencer el potencial de barrera (Si: 0,7 V Ge: 0.3 V) y atravesar a la región p.

Los electrones en la región p caen a la banda de valencia y atreves de los

huecos se desplazan hacia la izquierda atraídos por el potencial positivo.

La región de empobrecimiento se reduce debido ala disminución de iones

positivos y negativos durante el proceso de desplazamiento de los electrones de
una región a otra.
Polarización inversa
 Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una
tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se
retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.
Estos portadores son atraídos hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de deplección. Esto
hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula.

Figura: Diodo PN polarizado en inversa

Polarización inversa
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de
la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia).
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los
átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco.
 Polarización inversa
 El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería
entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia).
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de
deplección adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
 En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin
embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares
electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo una
pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada
corriente superficial de fugas la cual, que conduce una pequeña
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.
 Polarización inversa
 Esto hace que los átomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturación, la corriente
superficial de fugas es despreciable.
 Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en
que se produce la ruptura de la zona de deplección, al
igual que sucede en un material aislante: el campo
eléctrico puede ser tan elevado que arranque
electrones que forman los enlaces covalentes entre los
átomos de silicio, originando un proceso de rotura
por avalancha.
 POLARIZACION DEL DIODO
Polarización en Inversa
Los electrones de la región n se desplazan a la
derecha, los huecos en la región p se desplazan
ala izquierda; ensanchando la región de
empobrecimiento

La corriente inversa es
provocada por los
portadores minoritarios
en las regiones n y p

Si la tensión en inversa aumenta

hasta la tensión de ruptura, la
corriente en inversa se
incrementará drásticamente.
La velocidad de los electrones
en la región p permite arrancar
electrones de valencia a la
banda de conducción
Característica tensión-corriente
 En la siguiente Figura se muestra la característica V-I
(tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura: Característica V-I de un diodo de unión PN

 Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy
pequeña, hasta que no se alcanza la tensión de barrera
(VON). El paso de conducción a corte no es
instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el
componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las
resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad
que circula por la unión aumenta rápidamente. En el
caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7
V.
Característica V-I para Polarización Directa
 EL DIODO
Característica V-I para Polarización Inversa

r
E
V0 + VI

V0

I0 <<<<
VI

VI crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión, aumenta el Etotal,

aumenta la diferencia de potencial: V´=V0+VI, y disminuye la corriente de
mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e- hacia la
zona n, ensanchándose la zona de transición. Pero estos h+ y e- provienen de zonas
donde son minoritarios. El resultado es que fluye una pequeña corriente I 0, debida
únicamente a los pares e-h+ que se generan por agitación térmica llamada
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIÓN.
 EL DIODO
Característica V-I para Polarización Inversa
Ruptura en Inversa – Efecto
avalancha

La alta tensión en inversa

proporciona energía a los electrones
minoritarios y colisiona con átomos
sacando los electrones de valencia a
la banda de conducción y estos
últimos repiten el proceso
continuamente, luego los electrones
pasan a la región “n” generando el
incremento de la corriente en
inversa, produciendo el
calentamiento del dispositivo
EL DIODO

Característica V-I
Completa
El potencial de
barreda se reduce
2mV por cada
grado de
incremento de
temperatura
 EL DIODO
Ecuación de la Curva Característica Completa

 VV 
I  I0  e  1
T

0,15  
I (mA)

kT
0,05 VT 
e
I0 < mA
Io
0,2 0,4 0,6 0,8
-0,05
V (V)

VT(300 K) = 25.85 mV I0: Corriente inversa de saturación

k (Constante de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1
 EL DIODO
Simbolo del Diodo
La región n se llama cátodo y la región p
ánodo. La "flecha" en el símbolo apunta
en la dirección de la corriente convencional
(opuesta al flujo de electrones).
 El diodo ideal es un componente discreto que permite
la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
 En la siguiente Figura se muestran el símbolo y la
curva característica tensión-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido
para la corriente es de A a K.

Figura: Símbolo y curva característica

tensión-corriente del diodo ideal.
 EL DIODO
Modelo Ideal del Diodo

VF = 0
 De forma simplificada, la curva característica de un
diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de
cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia
eléctrica.
 Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo
ideal Las principales diferencias entre el
comportamiento real y ideal son:
 La resistencia del diodo en polarización directa no es
nula.
 La tensión para la que comienza la conducción es VON.
 En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
 A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en
coducción por avalancha.
Figura : Diferencias entre el
comportamiento del diodo de unión PN y
del diodo ideal
 EL DIODO
Tipos de Encapsulado
PRUEBA DEL DIODO
 Principales características comerciales A la hora de
elegir un diodo para una aplicación concreta se debe
cuidar que presente unas características apropiadas
para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el
fabricante provee. Las características comerciales más
importantes de los diodos que aparecen en cualquier
hoja de especificaciones son:
 Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward
current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar
el diodo en directa sin que este sufra ningún daño, puesto que
una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto
Joule excesivo.
 Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown
Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que se
produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
 Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working
Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no
sobrepasar para una operación en inversa segura.
 Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se
exprese para diferentes valores de la tensión inversa
  Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se
ha señalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en
muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de
esta caída de tensión, mediante la gráfica I-V del dispositivo.
 Además, es frecuente que los fabricantes suministren
datos adicionales a cerca del comportamiento del
dispositivo para otras temperaturas diferentes a la
nominal.
Resumiendo
 Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la
aplicación de un voltaje a través de sus terminales
ofrece tres posibilidades:

 Sin polarización (VD = 0 v), En ausencia de un voltaje

de polarización aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier dirección para un diodo semiconductor es
cero.
 Polarización directa (VD > 0v), un diodo
semiconductor se encuentra en polarización directa
cuando se establece una asociación tipo p con positivo
y tipo n con negativo.

 polarización inversa (VD < 0v), la corriente que se

forma bajo una situación de polarización inversa se
denomina corriente de saturación inversa.