EXPERIENCIA: SEMICONDUCTORES RESISTIVOS

I.- INTRODUCCION:
Los semiconductores poseen múltiples aplicaciones. Dos de ellas les permite detectar
la temperatura y la intensidad de la luz. Para ello se eligen semiconductores
adecuados para optimizar la sensibilidad a las variables físicas que estamos
interesados en medir.
La presente experiencia nos permite variar la resistencia de un semiconductor en
función de la temperatura o de la intensidad de la luz.

Semiconductores intrínsecos.
El semiconductor más importante es sin duda el
silicio (Si) de número atómico 14 y perteneciente al
grupo IV-A de la clasificación periódica, grupo al
que también pertenecen el carbono (C, número
atómico 6) y el germanio (Ge, número atómico 32).
Los elementos de este grupo se caracterizan por
poseer en la última capa cuatro electrones.
Cristalizan todos ellos en el mismo sistema y la
celda y unitaria es un tetraedro regular con un
electrón cada vértice y uno más en el centro. El
enlace covalente consiste en la compartición de los
cuatro electrones de valencia de cada átomo con
los cuatro átomos contiguos para simular así una
estructura con ocho electrones en la capa más
externa, que corresponde a un estado cristalino de
gran estabilidad.

Semiconductores extrínsecos, Tipos N y P.

Los semiconductores reales no son nunca puros, sino que tienen impurezas, es
decir no todos los átomos son del elemento base (Si por ejemplo). Sin embargo, se
intenta que las impurezas incontroladas sean sumamente escasas, para lo cual el
proceso de fabricación debe ser extraordinariamente cuidadoso. Por el contrario, se
añaden impurezas de determinado tipo y en proporciones cuidadosamente
controladas. Así se tienen dos tipos de semiconductores impurificados, denominados
extrínsecos.

Semiconductores tipos N.
Cuando las impurezas añadidas son predominantemente del grupo V-A de la tabla
periódica (fósforo (P), arsénico (As), antimonio (Sb)), el semiconductor se denomina
tipo N y las impurezas se denominan donantes. Los átomos de este grupo poseen en
su última capa 5 electrones. Así por ejemplo, si un átomo de Si, por ejemplo, es
sustituido por un átomo de As , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 átomos
de Si vecinos, queda un electrón del átomo de As sin emparejar y por lo tanto tan
débilmente ligado al átomo de As, que a temperatura poco por encima del 0 K
quedará libre, es decir, ocupando un nivel de la BC
Semiconductores tipos P.
 Cuando las impurezas añadidas son predominantemente del grupo III-A de la tabla
periódica (aluminio (Al), galio (Ga), indio (In)), el semiconductor se denomina tipo P y
las impurezas se denominan aceptantes. Los átomos de este grupo poseen en su
última capa 3 electrones. Así por ejemplo, si un átomo de Si, es sustituido por un
átomo de Ga , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 átomos de Si vecinos,
queda un enlace sin completar. A temperatura poco por encima del 0 K lo ocupará un
electrón de la BV, que dejará un hueco la BV. Como esto ocurrirá con cada átomo de
impureza de Ga, en la BV tendremos, además de los huecos debidos a la generación
de pares, un hueco por cada átomo de impureza aceptante, o sea, que tendremos
más huecos en la BV que electrones en la BC: p>n. Así pues, los portadores
mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los electrones. En la práctica, en los
SC tipo P, los huecos son en su mayoría debidos a los átomos de impureza
aceptante, hasta el punto que se puede suponer que p Na , siendo Na la densidad de
impurezas aceptantes (nº de átomos de impureza por cm3).

II.- OBJETIVOS:
Observar el comportamiento de una resistencia de alambre y compararla con dos
resistencias semiconductoras, estableciendo sus características, similitudes y
diferencias.

III.- INSTRUMENTACION Y MATERIALES A USAR:

Resistencias Termistor 10k

Fotoresistencia LDR Fuente regulada variable

  Para obtener voltajes entre 2.5v y 15 v, se ensamblo una fuente
regulada variable de 2.5 v a 15 v.

1.- Ensamble el circuito:

2.- Aplique al circuito tensiones de 5 a 15 v, completar la tabla 1.

V(v) 5 7.5 10 12.5 15

Vr(v) 4.03 6.05 8.06 10.1 12.1
Vf(v) 0.97 1.45 1.94 2.4 2.9
I(ma) 40.3 60.5 80.6 101 121
Rf(Ω) 24.069 23.966 24.069 23.762 23.966
TABLA 1.
3.- Ensamble el circuito:

4.- Manteniendo constante la tensión de 12v que polariza al termistor, varíe la tensión
del foco (entre 2v y 12 v) llenando la tabla 2.

Vf(v) 2 4 6 8 10 12
Vr(v) 1.21 1.42 1.61 1.79 2.12 2.5
Vt(v) 10.81 10.61 10.38 10.22 9.89 9.6
It(ma) 1.18 1.38 1.61 1.73 2.06 2.35
Rth(Ω) 9133.79 7647.27 6432.29 5909.12 4802.43 4087.38
Tabla 2

5.- Ensamble el circuito:

6.- La tensión V que polariza la fotoresistencia no debe vararse. Debe permanecer en

12 v. Varié el voltaje del foco Vf (entre 0 y 12v) y llene la Tabla N°3.

Vf(v) 2 4 6 8 10 12
Vr(v) 3.12 3.94 4.18 4.81 5.34 5.79
Vlrd(v) 8.89 8.1 7.87 7.23 6.71 6.24
Ildr (mA) 0.309 0.392 0.415 0.48 0.529 0.576
Rldr(Ω) 28770.22 20663.26 17488.88 15062.5 12684.31 10833.3
Tabla N°3
7.- Con los componentes desconectados, mida con el multímetro la resistencia de los
siguientes elementos utilizados.

ELEMENTO VALOR
FILAMENTO 104 Ω
TERMISTOR,NTC 8,4 k Ω
FOTORESISTENCIA , LDR 5.6k Ω
Tabla N°4
II.- CUESTIONARIO:

1. Haga una breve explicación teórica de las características de las resistencias

conductoras y semiconductoras.

La resistencia eléctrica de los conductores, como por ejemplo un alambre de

cobre, es muy baja.
La resistencia eléctrica de los semiconductores, como los diodos transistores,
es mayor, en comparación con la de los conductores.

2. Para el circuito de la fig. 1 determine según los datos experimentales las

características del filamento del foco, grafique Rt vs Vf y explique la curva
resultante.

3. En el circuito de la fig. 2 considerando que la temperatura depende de la

tensión aplicada al foco Vf, grafique Rt vs Vf explicando las características del
termistor.
 Vf vs Rth
35000

30000

25000

20000

15000

10000

5000

0
0 2 4 6 8 10 12 14

- La grafica de Vf vs RTH tiene una tendencia logarítmica.

4. Considerando que la luz es proporcional a la tensión del foco, determine las
concentraciones de la fotorresistencia. Grafique Rldr vs Vf.

- La grafica Vf vs RLDR tiene una tendencia logarítmica.

5. Explique brevemente los inconvenientes surgidos en la medición directa de la

resistencia (tabla N°4) de los elementos empleados.
- Para medir la resistencia del termistor, debe considerarse que después de la
experiencia el termistor se enfría , produciendo que la resistencia aumente .
Para medir la resistencia de la fotorresistencia, debe tomarse en cuenta el
lugar en donde se mida su resistencia , ya que si es que se mide en un lugar
con buena luminosidad, la resistencia será alta , pero si es que medimos la
resistencia en un lugar por luminoso, la resistencia será alta.

6. Indique sus observaciones y conclusiones acerca de la experiencia.

En esta experiencia se pudo notar como es el comportamiento de un termistor
NTC , ya que al aumentar la temperatura , la resistencia del termistor
disminuía.
También se pudo verificar que cuando la fotoresistencia recibía mas
iluminación, a medida que se aumentaba el voltaje , su resistencia disminuía.