Audio

amplificador
200 watts
(Parte I)

Los especialistas reconocen que existen limitaciones de la perfor-

mance en la mayoría de los amplificadores de potencia de audio dis-
ponibles comercialmente. Por ejemplo, las especificaciones de dis-
torsión, se miden casi siempre a 1 kHz, pero la generación de distor-
sión en un amplificador típico puede aumentar de 12 a 18 dB por
octava a frecuencias superiores a 1 kHz.

Presentamos un amplifi- sta es la razón por la que muchos amplificadores de

cador MOSFET de alta

potencia cuya construc-
E estado sólido tienen sonido áspero o "sucio" en las
audiofrecuencias superiores. Las especificaciones de
distorsión brindadas por los fabricantes se miden con carga
resistiva. Sin embargo ciertos sistemas de parlantes pueden ser
significativamente reactivos y causar la activación falsa de los
ción le permitirá mejorar circuitos de protección generando distorsión. De acuerdo a lo
expuesto, la competencia hace que los diseñadores de amplifi-
la calidad de sus proyec- cadores comerciales busquen obtener el mayor beneficio de
tos de audio. cada vatio disponible, para mejorar la calidad y confiabilidad de
sus productos.

41
 El amplificador de 200 W (en
adelante denominado modulo
OPTI3) representa una solución
significativa para los entusiastas
del audio. Cada módulo es
capaz de suministrar 200 vatios
RMS en cargas de audio típicas
con sólo 0,006% de dis-
torsión armónica total
(THD) a 1 kHz y máxima
salida, con un aumento
de THD a sólo 0,017 % a
20 kHz.
Esta excepcional per-
formance de distorsión
se debe a tres mejoras
especificas a la topolo-
gía convencional. La res-
puesta en frecuencia del
amplificador es virtual-
mente plana desde 5 Hz
a 100 kHz, con puntos
de -1 dB a aproximada-
mente 3 Hz y 120 kHz.
La relación señal/ruido
(S/R) del amplificador es mejor
que -100 dB. El módulo incorpo-
ra protecciones electrónicas
contra cortocircuitos, sobre car-
gas térmicas y de parlantes,
como también silenciamiento
con retardo y un indicador visual
de estado exclusivo de 3 vías.
Transistores bipolares de
juntura o MOSFET laterales
Durante décadas, el mercado
del audio estuvo dominado por
los amplificadores de potencia
con dispositivo de salida basa-
dos en transistores de juntura
bipolares. Estos transistores pro-
porcionan excelentes respuesta
a los transitorios, alta transcon-
ductancia y bajo costo. Como
desventaja, sufren un coeficien-
te de temperatura positivo (es
decir, la corriente de fuga
aumenta con la temperatura),
susceptibilidad a la ruptura
secundaria, la caída de beta
(disminución del beta con el
aumento de la corriente de
colector), extremada sensibili-
42
dad a la exactitud de la polariza-
ción y problemas de capacitan-
cias de la juntura.
En las aplicaciones de alta
corriente, los transistores de jun-
tura fueron tradicionalmente difí-
ciles de proteger contra la ruptu-
ra secundaria y la conexión cru-
zada resultante de los portado-
res almacenados en la capaci-
tancias de la juntura.
Algunos diseños de transisto-
res son más susceptibles a que-
marse bajo condiciones adver-
sas de carga que otros, pero
incluso los circuitos de protec-
ción más complicados no siem-
pre pueden impedir la falla del
transistor en todas la condicio-
nes de carga reactiva y resistiva
posible. Además, la mayoría de
los circuitos de protección pue-
den producir distorsión por falsa
limitación si la carga del parlante
es más que moderadamente
reactiva.
Nota: No deben confundir-
se los MOSFET laterales (L-
MOSFET) con los MOSFET
que incluyen las familias V-
MOSFET y HexFET. Puesto
que todas las señales de alta
corriente circulan por la
región “de canal” de los L-
MOSFET de tipo de enrique-
cimiento, los problemas de
conducción cruzada y ruptura
secundaria no existen. La con-
fiabilidad real de los amplificado-
res L-MOSFET es mucho mayor
que la ofrecida por los amplifica-
dores de transistores, aún si
éstos últimos tienen las etapas
de salida muy protegidas.
Los amplificadores
L-MOSFET también
poseen coeficientes de
temperatura "negati-
vos" a niveles de alta
corriente, eliminando
la posibilidad de corri-
da térmica o la necesi-
dad de circuitos de
polarización, con reali-
mentación térmica. Las
condiciones de sensi-
bilidad al punto de
reposo esenciales
para una performance
de distorsión óptima se
reducen notablemente
en comparación con
los dispositivos de transistores,
de modo que el ajuste de polari-
zación inicial es mucho menos
crucial y mejora la estabilidad
del funcionamiento a largo
plazo.
La ausencia de mecanismos
de pérdida de ganancia a altas
corrientes (correspondientes a
la "caída de beta" de los transis-
tores) implica que el rendimiento
en distorsión de los amplificado-
res L-MOSFET no se deteriora
cuando conducen cargas de
baja impedancia tales como sis-
temas de parlantes de 4 ó 2
ohmios. Las únicas desventajas
tips
Los MOSFET latera-
les (L-MOSFET) presentan la carac-
terística de ser los únicos dispositi-
vos de estado sólido desarrollado
y fabricados exclusivamente para
las aplicaciones de audio de
potencia.
significativas de los L-MOSFET
en comparación con los transis-
tores tradicionales son su mayor
costo y menor transconductancia.
El OPTI3 usa una etapa de
salida L-MOSFET en combina-
ción con tres mejoras específi-
cas de la topología lineal de 3
etapas convencional.
Colectivamente las mejoras
resuelven con eficacia el com-
promiso de linealidad asociado
con los L-MOSFET y proporcio-
nan mejoras tangibles en diver-
sas áreas de operación.
Etapa de entrada balance
No se ha difundido amplia-
mente que el par diferencial de
transistores de la etapa de
entrada debe tener un balance
de corriente de colector casi per-
fecto para una óptima cancela-
ción de distorsión y máxima
A pensar las variaciones
B beneficios adicionales:
ganancia. Se trata de la física el balance de corriente de colec-
del transistor, que requiere la tor de Q1 y Q2 en un factor
colocación del punto de opera- mayor de 10 a 1 independiente-
ción en reposo en el centro mente del diseño del circuito.
exacto de la curvas opuestas de Algunos diseñadores han mejo-
transconductancia del par dife- rado esa configuración ajustan-
rencial. En términos simples, las do los valores de R3 y R4 (en
corrientes de colector del par ciertos casos, anulando R4 com-
diferencial deben ser iguales pletamente).
dentro del 1%. Lamentablemente, esa no es
La figura 1A muestra una una técnica efectiva, porque el
fuente de corriente constante balance se deteriora al aumen-
que suministra la corriente de tar la frecuencia y la caída de
alimentación, mientras que R1 y impedancia asociada de la
R2 proporcionan un nivel ade- etapa amplificadora de tensión.
cuado de realimentación dege- En la figura 1B, las cargas de
nerativa para aplanar la curva de colector de los transistores dife-
transconductancia (y mejorar la renciales se han reemplazado
linealidad). Puesto que R3 y R4 con un “espejo de corriente”,
son iguales, se sugiere el con- compuesto por Q3, Q4, R3 y R4.
cepto de simetría. Los espejos de corriente fuer-
Obsérvese que la entrada de zan activamente un balance de
la etapa amplificadora de ten- corriente entre las dos ramas del
sión está acoplada directamente circuito, para representar la solu-
al colector de Q1. Esto desplaza ción ideal a nuestra necesidad
de un balance de
corrección exacto y
dinámico.
Para obtener los
mejores resultados, los
Beta de Q3 y Q4 deben
estar adaptados dentro
del 10% y los resistores
de degeneración de R3
y R4 deben incluirse en
el circuito para com-
Figura Nº 1
El circuito A mues-
de VBE típicas de Q3 y
tra una etapa de
entrada genérica Q4.
simplificada que se Una vez cumplidas
utiliza en la mayoría estas condiciones, las
de los amplificado- corrientes de colector
res comerciales. de Q1 y Q2 deben
En B, las cargas estar balanceadas den-
diferenciales de tro del 1% en toda la
colector se reempla- gama de audiofrecuen-
zaron por un “espe-
cias.
jo de corriente” que
Si bien el motivo pri-
reduce la distorsión
de la etapa de mario de un espejo de
entrada. corriente es reducir la
distorsión interetapas,
su inclusión ofrece dos
a) Acrecienta la “velo-
cidad de variación rápi-
da” en más del 100%.
43
 b) Aumenta la “relación de
rechazo de fuente de alimentación”
(PSRR).

La única desventaja que se pre-

senta es el costo de los dos tran- C2
sistores. 1000pF
En las pruebas y comparacio-
nes reales, la disposición de etapa C1

de entrada diferencial con espejo

de corriente ilustrada en la figura 1
1B muestra una linealidad mucho
mejor que la de las etapas de 2
entrada genéricas, o de imagen p
espejada tradicionales. ,

Compensación de dos polos A B

Para aprovechar plenamente las Figura Nº 2
ventajas de la topología lineal de 3 Se muestra en A una etapa amplificadora de tensión simplificada que
etapas convencional, toda la incorpora técnicas de "mejora de beta" y "carga activa".
ganancia del amplificador de En B se ilustra cómo se puede simplificar la compensación de polo
potencia debe producirse en la dominante simple a una "compensación de dos polos", agregando el
etapa amplificadora de tensión. capacitor CC2 y el resistor Rp.
En consecuencia, una etapa
amplificadora de tensión óptima
Ccomp mejora la distorsión en altas frecuencia
incorpora técnicas de “mejora de beta” (por ejem-
pero produce también pérdida de estabilidad.
plo un par Darlington) y de “carga activa” (por
La figura 2B ilustra cómo la compensación de
ejemplo, una fuente de corriente constante que
polo dominante simple puede modificarse a la
actúe como carga del colector del amplificador).
“compensación de dos polos” agregando el capa-
La figura 2A ilustra una etapa amplificadora de
citor de C2 y el resistor Rp.
tensión simplificada que implementa estas carac-
En efecto, este diseño se comporta como un fil-
terísticas.
tro de 2do. orden que hace decaer la ganancia del
Observe que Ccomp (capacitor de compensa-
amplificador de tensión al régimen de 12 dB por
ción) de la figura 2A está conectado de la salida
octava en lugar de 6 dB.
del amplificador hacia su entrada, configuración
En consecuencia, el primer polo de frecuencia
denominada “compensación de polo dominante”.
se puede fijar a unos 10 kHz, manteniendo la
A frecuencias superiores al primer polo de fre-
misma frecuencia de atenuación progresiva infe-
cuencia, Ccomp reduce la ganancia de tensión del
rior a la unidad de la compensación de polo domi-
amplificador en 6B/octava.
nante simple.
A fin de lograr una ganancia a lazo abierto infe-
El resultado es una mejora aproximada de 3
rior a la unidad sin que se produzcan desfasajes
veces en la THD sobre los diseños convenciona-
excesivos (que causen inestabilidad), el primer
les a altas frecuencias.
polo de frecuencia de los amplificadores con com-
pensación de polo dominante simple se debe
ajustar a un valor relativamente bajo, normalmen- Etapa de salida híbrida de transistor
te alrededor de 1 kHz o menor. de juntura/MOSFET
Esto produce una pérdida de aproximadamen-
te 24 a 30 dB en la ganancia en lazo abierto y una La figura 3A ilustra una etapa de salida L-MOS-
realimentación negativa global proporcional al FET seguidora de fuente simplificada. Este es el
momento de alcanzar el límite superior del ancho equivalente MOSFET de enriquecimiento de la
de banda de audio (20 kHz). etapa de salida seguidora de emisor con transis-
La consecuencia final de esta pérdida de reali- tores.
mentación negativa es un aumento aproximado de La configuración de seguidor de fuente es la
10 veces de la distorsión armónica en las frecuen- disposición usada habitualmente en los amplifica-
cias superiores de audio. La reducción del valor de dores de potencia de audio L-MOSFET comercia-

44
les, pero sufre aún la desventaja
de la total dependencia de la
realimentación negativa global
para solucionar los problemas
asociados con la pobre lineali-
dad inherente de los L-MOSFET.
En la practica, los amplifica-
dores L-MOSFET seguidores de
fuente generan una distorsión
de alrededor de 0,03% a 1 kHz.
Si bien no significativa, repre-
senta un orden de magnitud
inferior a la que puede tenerse
con un amplificador bien diseña-
do con etapa de salida de tran-
sistores.
La figura 3 B ilustra una etapa
de salida de transistor de juntu-
ra/MOSFET híbrida dispuesta
en configuración de “realimenta-
ción complementaria”. Observe
que los MOSFET han sido inver-
tidos en su posición. Los transis-
tores Q1 y Q2 están dispuestos
en configuración de emisor
común complementaria, con una
ganancia de tensión de aproxi-
madamente 5, determinada por
las relaciones R1/R2 y R4/R3.
Esta ganancia de tensión se
convierte luego en una realimen-
tación negativa local linealizante
de 100% a través de los emiso-
res de Q1 y Q2, mediante la
línea de salida de altavoces.
Por ello, la ganancia de ten-
sión real de la etapa de salida
completa sigue siendo ligera-
mente menor que la unidad,
pero se compensa en gran
medida la baja transconductan-
cia de los L-MOSFET.
Amplificador completo
La figura 4 muestra el circuito
completo del amplificador de
potencia de audio. En el circuito,
C1 y C2 (un par de unidades de
tantalio) se utilizan como capaci-
tores acopladores de entrada,
mientras que R4 establece la
impedancia de salida en 12 K,

Figura Nº 3
Se ilustra en A una etapa de salida MOSFET “seguidora de fuente”
simplificada (el equivalente con MOSFET de enriquecimiento de una
etapa “seguidora de emisor” transistorizada común).
En B se muestra una etapa de salida híbrida de transistor/MOSFET
dispuesta en configuración de "realimentación complementaria".

45
 +63VCC
R14 R26 F1
75 56 5A
R30 Q17
1K 2SJ162
F2
Entrada Q8 R22 5A
2SB649 R15 12K
15 R31 C12
1K .1
+ R7 TIERRA
C6 + 1K R20
C5 R1 R16
220 47 680 100
150
C1 + Q16 D4
D2 2SJ162
10 Q6 1N4148 1N5060
Q14
2N5401 Q2 2SD669
C2 2SD569
10 R17 Q12
+ Q3 2N5551 R32
2N5401 R8 D1 220 220
C7 L1
10K 220 1N4148 1µH
+ R50
1K R27 R38** SALIDA DEL
R9 10 R36** .22 AMPLIFICADOR
10K R11 R10 R23 .22
R2 R3 270 12K 180
100 100
Q2 + R24
C10 R37** R41**
2N5401 47 Q13 180 R28 8
Q1 C9 2N5401 10 .22 R39**
2N5401 1000pF .22 R40**
C8 R33 8
100pF Q10 Q15 220
2SD669 R21 D3 2SB649
100 Q18
1N4148 2SK1058 C13
R4 C3 .1
12K 180pF
R12 Q11
6.8K 2SD669 Q19
R13 2SK1058
Q4 Q5 1K R25 R34
1K D5
2N5551 2N5551 12K 1N5060
C4
220 R6 R19
Q7 33
68 2N5551 R29 R35
R5 R18 1K F2
58 1K 56 5A
-63 VCC

C11
.1
D6 R43** TS1*
1N4004 500
ENTRADA DE
CA ACCESORIA
R44 R45 SALIDA DE
D13 4.7K 390K D14 PARLANTE
C14 + 12V LED 1
1N4004
100
D15 R46
12V C17 390K
D7 1 C18 R47 D12
1N4148 1 1.2K 1N4148

+
RY1
Q20 Q21 Q23
2N5551 2N5551 2N5551
R48
150K Q24
SALIDA DEL 2N5551
AMPLIFICADOR

D8 D9 +
R42
10K nnn 1N4148 1N4148
Q22
C19
220
2N5551
D10 D11
1N4148 1N4148 *VER TEXTO
C15 C16 R49
220 220 56K
**RESISTORES DE 5W
+ +

Figura Nº 4
Esquema completo del amplificador de potencia de audio
(que puede excitar cargas de 4 u 8 ohmios).

con el requerimiento de que del 10%. El capacitor C3 atenúa el mentación negativa global aplicada
R10 tenga el mismo valor para ruido ultrasónico indeseable y las a la entrada y establece la ganan-
minimizar los desvíos de CC del señales interferentes que a menu- cia de tensión de CA del amplifica-
par diferencial Q1 y Q2. Los do se cuelan por el cableado de dor (que también determina la sen-
resistores R2 y R3 son disposi- entrada. C4 y C5 son capacitores sibilidad). Con los valores mostra-
tivos de degeneración del par de desacoplamiento de las líneas dos, la sensibilidad es aproximada-
diferencial Q1 y Q2, mientras de alimentación. Su función es mente 8 milivoltios RMS. Si se
que Q4, Q5, R5 y R6 forman el mejorar la PSRR, que ya es muy requiere mayor sensibilidad, se
espejo de corriente explicado alta debido al diseño inherente del puede reducir, en consecuencia, el
previamente. amplificador. valor de R11. C7 es un capacitor
Recuerde que Q4 y Q5 deben La relación entre R10 y R11 de bloqueo del circuito de reali-
tener los beta adaptados dentro determina el porcentaje de reali- mentación negativa global.

46

LISTADO DE COMPONENTES
DEL AMPLIFICADOR L-MOSFET DE 200 W
Semiconductores
Cantidad Símbolo
5 Q1, Q3, Q6, Q13,
6 Q4, Q5, Q7, Q12, Q20, Q24 Transistor PNP de silicio 2N5551.
2 Q8, Q15.
4 Q9, Q10, Q11, Q14
2 Q16, Q17
2 Q18, Q19
4 D1-D3, D7-D12.
2 D4, D5
2 D6, D14
2 D13, D15
1 LED1
Resistores (1/2 W, 5% salvo especificación en contrario)
Cantidad Símbolo
1 R1
4 R2, R3, R20, R21
4 R4, R10, R22, R25
R5, R6
2
R7, R13, R18, R30, R31, R34, R35 71000 ohmios
7
R8, R9, R42
3
1 R11
1 R12
1 R14
1 R15
1 R16
3 R17, R32, R33
1 R19
2 R23, R24
R26, R29
2
R27, R28
2
R36, R39
4
2 R40, R41
1 R43
1 R44
1 R45, R46
1 R47
R48
1
R49
1
R50
1
Fuerza la realimentación de CC al valor del
100%, para mantener un buen balance de CC en
todo el circuito amplificador (la tensión de desvío
de salida de CC típica de este amplificador es
aproximadamente 7 milivoltios). El
diodo D1 evita que C7 quede destruc-
tivamente polarizado en forma inver-
sa en caso de existir una alta tensión
Descripción
de CC
de polaridad inversa a la salida del
Transistor PNP de silicio 2N5401.
amplificador.
Transistor PNP de silicio 2SB649. Los componentes C8, C9, R12,
Transistor PNP de silicio 2SD669. R18, Q10 y Q11 conforman la sec-
L-MOSFET de canal P 2SJ2162. ción inferior de la etapa amplificadora
L-MOSFET de canal N 2SK1058. con beta mejorado y compensación
Diodo de conmutación de 2 polos que describimos previa-
de propósitos generales 1N4148. mente. Q7, R13 y R19 proporcionan
Diodo de recuperación rápida protección por limitación de corriente
de propósitos generales 1N5060. para Q11 en caso de cortocircuito a la
Diodo rectificador de silicio.
salida del amplificador.
de PIV 400 V, 1 W, 1N4004.
El circuito de polarización del punto
Diodo zener de 1W 12V.
Diodo emisor de luz (rojo). de reposo requerido para llevar la etapa
de salida a una operación precisa en
clase B, consiste en R50, R17, R16,
C10, Q9, R15. Este circuito es una
variante del circuito de “diodo amplifica-
Descripción
do” común, con unas cuantas mejoras.
150 ohmios El potenciómetro R5 se coloca en el
100 ohmios
circuito de modo que una condición de
12.000 ohmios
68 ohmios circuito abierto en el cursor (falla común
de los trimmers) disminuye la polariza-
10.000 ohmios ción directa en vez de aumentarla peli-
270 ohmios grosamente.
6.800 ohmios El capacitor C10 agrega estabiliza-
75 ohmios ción adicional a la tensión de polariza-
15 ohmios ción, mientras que R15 proporciona
680 ohmios una significativa inmunidad contra los
220 ohmios cambios de la polarización resultantes
33 ohmios
de las variaciones de la corriente de
180 ohmios
56 ohmios Q9. Como en otros diseños de etapas
10 ohmios de salida de realimentación comple-
0,22 ohmios, 5W, 10%, mentaria, el transistor polarizador Q9
bobinado de potencia 8, 5W, debe efectuar el seguimiento térmico
10% bobinado de de la temperatura de los transistores
potencia ohmios. predriver.
500 5W, 10% bobinado El amplificador, Q9, se monta físi-
de potencia ohmios. camente en el mismo disipador térmi-
4.700 ohmios co que Q14, primariamente para
390.000 ohmios
compensar la temperatura ambiente.
1.200 ohmios
150.000 ohmios Los transistores predriver Q14 y Q15
56.000 ohmios sólo se calientan ligeramente durante
1.000 ohmios, potenciómetro la operación normal.
trimmer de montaje horizontal. Los componentes R1 Q3, C6, Q6,
R8, R9, R7, R14, y Q8, comprenden
las dos fuentes de corriente constan-
te necesarias para las etapas de
entrada y amplificadora de tensión. Q6 es la refe-
rencia de tensión para ambas fuentes, al forzar la
caída de tensión en R14 al valor de su propia
caída VBE (aprox. 0,67 V).
47
 Puesto que las bases de Q3 y Q8 están conecta-
das, la tensión de referencia del colector de Q6 fuer-
za la caída de tensión en R1 también alrededor de
0,67 V. Por ello, debido a la resistencia de R1 y R14,
la corriente de cola de la etapa diferencial de entrada
se mantiene en 4,5 mA aproximadamente, mientras
que la fuente de corriente del amplificador de tensión
se mantiene en 9 mA.
La protección contra sobrecargas y cortocircuitos
de la salida del amplificador se proporciona median-
te un circuito protector de "pendiente simple" consis-
tente en D2, D3, Q12, Q13, R22, R25, R32 y R33.
Ese circuito monitorea la tensión instantánea en R36
y R37, mientras suma simultáneamente esa tensión
a la diferencia de tensión a la salida y la fuente de ali-
mentación. Esto produce una protección en la forma
de una línea con pendiente que permite que las
corrientes de salida elevadas fluyan por la carga del
parlante si la tensión es alta, pero restringe dicha
corriente si la tensión es relativamente baja.
En consecuencia, se produce un cortocircuito en
la salida (estableciendo una condición de muy baja
tensión en la carga) y la corriente de salida máxima
se limita por debajo del punto de destrucción del
componente o fusión de los fusibles de la línea.

LA MAYORÍA DE LOS ESPECIALISTAS EN AUDIO,

RECHAZAN TOTALMENTE LA PROTECCIÓN CONTRA
CORTOCIRCUITO PORQUE TEMEN QUE PUEDA CAU-
SAR DISTORSIÓN CUANDO EL AMPLIFICADOR DEBE
EXITAR CARGAS MODERADAMENTE REACTIVAS.

Este circuito de protección es muy superior a los

circuitos comunes con diodos zener de enclavamien-
to de compuerta incorporados prácticamente a todos
los amplificadores L-MOSFET.
Esto es cierto para muchos circuitos de protección
con transistores de juntura “multipendiente”. En cam-
bio, en el caso de los L-MOSFET, el límite de corrien-
te se puede configurar mucho más alto para tensio-
nes de carga menores (puesto que no es necesario
proteger los L-MOSFET contra la ruptura secunda-
ria), eliminando así eficazmente el problema.
Los amplificadores OPTI3 pueden excitar cargas
de 4 u 8 ohmios en paralelo con un capacitor de 2mF
a plena potencia sin activación de circuito de protec-
ción. Como era de esperar, ni la estabilidad ni la acti-
vación de la protección son afectadas por los valores
extremos de reactancia inductiva (la reactancia capa-
citiva es perjudicial para la mayoría de los amplifica-
dores de potencia de estado sólido).
Los resistores R20 y R21 elevan la impedancia de
salida del amplificador de tensión de modo que la
señal entregada a los transistores predriver (Q14 y
Q15) puede ser cortocircuitada más eficazmente a la

48
línea de salida mediante Q12 y Q13 LISTADO DE COMPONENTES
si se detecta un cortocircuito o sobre-
DEL AMPLIFICADOR L-MOSFET DE 200 W (Cont.)
carga en la salida. El transistor Q7
limita también la corriente de Q11 Capacitores
aproximadamente en 20 mA. Cantidad Símbolo Descripción
Los L-MOSFET son dispositivos
2 C1, C2 Tantalio, 10µF, 35 V
de tensión, ello significa que funcio- Cerámico monolítico 180 pF
1 C3
nan basados en la tensión de com- 2 C4, C5 Electrolítico de aluminio, 200µF, 100V
puerta sin absorber un nivel continuo 1 C6 Electrolítico de aluminio, 47µF,100V
significativo de corriente de compuer- 4 C7, C15, C16, C19 Electrolítico de aluminio, 220µF, 35V
ta. Sin embargo, su capacitancia de 1 C8 Cerámico monolítico 100 pF
compuerta es relativamente alta com- 1 C9 Cerámico monolítico 100 pF
parada con los transistores de juntu- 1 C10 Electrolítico de aluminio,47µF, 35V
ra. Por esta razón se deben incorpo- 3 C11, C13 Mylar 0,1 µF, 250 V
rar "resistores aisladores de com- 1 C14 Electrolítico de aluminio, 100µF, 10
2 C17, C18 Electrolítico de aluminio, 1µF35V 35V
puerta" en las etapas de salida MOS-
FET paralelo para asegurar una Resistores (1/2 W, 5% salvo especificación en contrario)
buena estabilidad en alta frecuencia.
Cantidad Símbolo Descripción
Esa es la función de R30, R31, R34 y
R35. Los resistores de drenaje R36 y 1 TS1 Interruptor térmico de 75 ºC
R37 se usan como sensores de 1 L1 Inductor de núcleo de aire,
corrientes del circuito de protección 1µH (Ver el texto).
contra sobrecargas. 1 RY1 Relé 2 polos 2 posiciones, bobina
de 24 VCC.
Los resistores R38 y R39 se insta-
2 F1, F2 Fusible AGC de 5 A.
lan para mantener la simetría de
balance de corrientes de los dispositi- Circuito impreso, fusibles, disipador térmico, aisladores para transistores
vos de salida en paralelo. TO-220 y TO-3P, cable, soldadura, etc.
Los diodos D4 y D5 se denominan
"diodos trampa". Su propósito es
absorber los transitorios generados por los cam- cula por el circuito Zobel. El inductor de salida L1
bios rápidos de corriente en una carga inductiva. brinda estabilidad en cargas capacitivas al propor-
También protegen el amplificador contra daños cionar un efecto aislante contra las capacitancias
si accidentalmente se invierten las polaridades de en derivación, sin imponer ninguna impedancia
la fuente de alimentación. R40 y C13 constituyen significativa a las audiofrecuencias.
el usualmente denominado "circuito Zobel” (tam- El resistor R42 produce amortiguamiento para
bién conocido como “célula de Boucherot”). Su reducir el sobreimpulso y las oscilaciones produ-
propósito es proteger el amplificador contra la cidas en L1 en combinación con la capacitancia
inestabilidad resultante de las cargas inductivas. A de carga del parlante. C11 y C12 se usan para
frecuencias continuas de 20 kHz y superiores, es desacoplamiento de alta frecuencia y se incluyen
normal que R40 tenga un recalentamiento excesi- primariamente en el circuito para reducir el ruido
vo debido a la menor reactancia capacitiva de C13 de alta frecuencia que puede inyectarse por las
y el consiguiente aumento de la corriente que cir- líneas de la fuente de alimentación.™

49

Amplificador
de 200W
En la continuidad del desarrollo del presente
artículo nos ocupamos, específicamente, del
armado del amplificador.
e incorporan a los módulos amplificado-
S res OPTI3 circuitos de protección adi-
cionales, incluidos el silenciamiento al
encendido, protección de CC de parlantes y
corte térmico.
Es conveniente suministrar alimentación ope-
racional a los circuitos de protección de parlantes
desde una fuente externa, para eliminar así toda
posibilidad de falla del circuito por si se quema
uno de los fusibles de alimentación. En ese caso
la alimentación operacional de CA se obtiene de
cualquiera de las mitades del secundario del
transformador de alimentación que puede variar
de 30 a 45 VCA. D6 rectifica esta tensión y C14 la
Audio
Parte II
filtra, mientras que R43, D13 y D15 forman una
fuente de alimentación de CC de 24 V con regula-
ción simple por diodos zener.
Los componentes R44, R47, LED1, C17, C18,
Q20, y Q21 forman un multivibrador astable.
Cuando el circuito se alimenta por primera vez (se
enciende el amplificador), el multivibrador hace
que LED1 destelle con un período de 1 segundo.
Al mismo tiempo, C19 comienza a cargarse con
los pulsos de 60 Hz rectificados provistos por D7
a través de R48. C19 demora aproximadamente 3
segundos en cargase a una tensión suficiente-
mente alta para poner en conducción el par
Darlington consistente en Q3 y Q24. Cuando ello
50
ocurre se energiza el relé de
silenciamiento (RY1) y el colec-
tor de Q21 se lleva al nivel bajo
mediante D12. Esta acción inhi-
be el multivibrador astable y
fuerza a LED1 a encenderse
continuamente.
Cuando se energiza RY1, la
salida del aplicador se aplica
directamente a la conexión de
salida de parlantes.
El retardo de 3 segundos
impide que cualquier pulso de
encendido irritativo y potencial-
mente destructivo se aplique a
los parlantes.
La iluminación continua de
LED1 proporciona una indica-
ción visual de que la operación
es normal y el sistema de par-
lantes está conectado al amplifi-
cador.
Observe que la salida del
amplificador está conectada
también a R42. Si aparece a la
salida del amplificador algún
nivel de CC significativo, C15 y
C16 se cargan a ese nivel a tra-
vés de R42.
Si el nivel está por encima de
aproximadamente de 1,2 V, el
puente de diodos consistente en
de D8 a través de D11 conduce
el potencial de CC de modo que
satura a Q22 y descarga a C19.
Cuando se descarga C19, Q23 y
Q24 van al corte y RY1 se des-
energiza, para desconectar la
salida del amplificador del siste-
ma de parlantes.
De esta forma, los parlantes
están continuamente protegidos
contra potenciales destructivos
de CC originados en el amplifi-
cador.
Al mismo tiempo que se des-
energiza RY1, el multivibrador
astable se activa otra vez y hace
que LED1 comience a destellar
indicando visualmente que se
produjo una falla de CC. El diodo
D14 está conectado en paralelo
con la bobina de RY1 para supri-
mir los picos inductivos que
podrían producirse posiblemen-
te cuando se desacopla el relé.
Un termo interruptor TS1 de
75º C está montado en el disipa-
dor del amplificador. Si la tempe-
ratura del disipador térmico
supera la especificación de TS1,
sus contactos se abren para
desenergizar a RY1 y desconec-
tar la carga de parlantes del
amplificador. Una vez desconec-
tada la carga de parlantes, el
disipador debería comenzar a
enfriarse.
Cuando su temperatura dis-
minuye por debajo de la histére-
sis típica de 2-3 grados del ter-
mointerruptor los contactos de
TS1 se cierran y restablecen la
207 mm
145 mm
operación normal del circuito.
Cuando los contactos de TS1
se abren, el Darlington (Q23 y
Q24) pierde su carga de colector
a través de RY1. La consiguien-
te elevación de la impedancia de
colector de Darlington produce
un significativo aumento de la
velocidad de oscilación del mul-
tivibrador y hace que LED1
comience a destellar a aproxi-
madamente 6 Hz. Este rápido
destello es una indicación visual
de que se produjo una sobrecar-
ga térmica.
El indicador (LED1) se puede
ubicar remotamente en un panel
frontal, si se desea.
Construcción del amplificador
Como en la mayoría de los
amplificadores de potencia de
audio, el armado del módulo de
OPTI3 es relativamente sencillo
en comparación con otros pro-
yectos electrónicos, debido al
uso de componentes más gran-
Figura Nº 5
Circuito impre-
so del lado del
cobre, repre-
sentado al
50% de su
tamaño real.
des y pistas de circuito impreso
más anchas.
No se requiere una plaqueta
de doble faz y la separación
entre componentes no es crítica.
Este proyecto se armó en una
plaqueta de 207 x 145 mm.
La figura 5 nos muestra una
plantilla, al 50 % de su tamaño
natural, del circuito impreso que
51
nuestros lectores pueden utilizar para fabricar su
propia plaqueta y comenzar el armado; para ello,
el diagrama de ubicación de componentes se
observa en la figura 6.Observe que la disposición
de la plaqueta contiene 7 conexiones de puentes.
Estas conexiones pueden hacerse con cable
aislado calibre 18 AWG. Todos los resistores de
potencia de 5W (R36, R39, R40, R41 y R43)
deben montarse ligeramente elevados sobre la
plaqueta para permitir una mejor circulación de
aire y evitar que decoloren la plaqueta.
En conjunto con 6 de los transistores de
mediana potencia se usan 4 pequeños disipado-
res. Q9 y Q14 se montan espalda contra espalda
en un disipador, para permitir el necesario segui-
miento de temperatura de los transistores predri-
ver por el circuito de polarización.
Análogamente, Q10 y Q11 se montan en un
mismo disipador. Q8 y Q15 se montan en disipa-
dores individuales.Se deben usar aisladores en
la instalación de todos estos transistores. Las
bases de los disipadores pequeños se pueden
montar al ras de la superficie de la plaqueta,
puesto que no se calientan demasiado durante
una operación normal.
OPCIONES
SI NO DESEA USAR EL DISIPADOR ESPECIFI-
CADO, SE PUEDE EMPLEAR CUALQUIER TIPO
DE DISIPADOR QUE SOPORTE 0,35 ºC/W O
BIEN PUEDE UTILIZARSE UN DISIPADOR MÁS
PEQUEÑO SI EL AMPLIFICADOR SE USA CON
MENOR CAPACIDAD DE POTENCIA. SI LOS
MOSFET DEBEN UBICARSE REMOTAMENTE
EN UNA SUPERFICIE DISIPADORA, ES IMPOR-
TANTE QUE EL CABLEADO DE LAS COMPUER-
TAS SEA LO MÁS CORTO POSIBLE.
52
 SALIDA
-63 VCC PARLANTES
LED1
+68 VCC
D15

Q20 RY1

J
F1* F2* D13
R39 R44
R46 R47
C19
R45 D12 +
Q19 L1
+ C17 R49
Q21
Q24
C18 +
R42 R48 Q23
D9
R37 Q22 D11
+
J C15 D8
J R41 R40 + C16 D10
R35 ENTRADA CA
C13
R34 ACCESORIOS
Q18
D4 R43
R27 Q13
D5 D6
R23 D3
R33 +
R39 Q12 C14
R32 Q15
TS1*
R26 D2 R20 R28 J
C11
C12 Q14* J R24
R30 Q9* R21 R29
J R31 + R25
Q17
R14 C10 Q7 R19

R15 R18
R17 R16 Q10*
+ C6
Q11*
R11
R22
+ J R10 R50 R13
R7 R9 C8 R6
C5 C9
R8 D1 R12
Q6 Q4 R5
Q3 C7 +
R1
Q16 C3 C4 +
Q2 Q5
R2
R36 R3 Q1 + ENTRADA
+ +
R4 C2 C1
*VER TEXTO

Figura Nº 6
Para armar la plaqueta del amplificador utilice como guía este dia-
grama de disposición de componentes. Observe que el circuito con-
tiene 7 puentes, que deben instalarse primero para que sirvan como
referencia para la instalación de los restantes componentes.

53
 El termo interruptor (TS1) se monta en el disi-
pador grande antes de montar el disipador en la
plaqueta puesto que los orificios del montaje del
termo interruptor no quedarán accesibles luego.
Para fijar cada MOSFET en su sitio, se usa un
único perno de montaje (que se extiende a través
del transistor, el disipador y la plaqueta). De esta
forma, el disipador queda fijado a la plaqueta con
los mismos pernos que se usan para sostener el
MOSFET. Los L-MOSFET especificados no son
susceptibles a daños por descargas estáticas, de
modo que no se necesita tomar precauciones
especiales durante la instalación.
Después del bobinado, la bobina se puede
revestir con “epoxi” para que mantenga su forma,
en el caso de ser necesario.
El resto del armado es muy sencillo. Como en
todo proyecto electrónico, se debe tener mucho
cuidado para asegurar que todos los componen-
tes polarizados (capacitores electrolíticos, dio-
dos y otros semiconductores) queden correcta-
mente orientados. Recomendamos tener espe-
cial cuidado al soldar, para no recalentar los
semiconductores.
Efectúe una doble verificación del amplificador
armado para detectar posibles errores en la ubica-
ción y orientación de componentes, antes de ali-
mentar el circuito.
DISIPADOR TERMOINTERRUPTOR FILTROS CAPACITORES
(MONTADO EN EL DISIPADOR)
RB1
+ +
TS1
RB2
+ +
CONJUNTO DE
AMPLIFICADOR Y DISIPADOR
ENTRADA CA A CC
+
ALIMENTACION DE CIRCUITO DE PROTECCION
ENTRADA DE AUDIO
DE NIVEL DE LINEA
Debido al diseño de la red de protección, el
amplificador estándar entrega aproximadamente
110W RMS en una carga de 2 ohmios. No se reco-
miendan para un amplificador de alta calidad pero
si desea usarlos, puede reducir los resistores R23
y R24 a 150 ohmios. Esto modifica la red de protec-
ción de modo que la máxima potencia y tolerancia
se pueden obtener con cargas de 2 ohmios.
Conexiones y ajustes del amplificador
La figura 7 ilustra una fuente de alimentación
sencilla de doble polaridad como la que se usan
normalmente para alimentar los amplificadores de
audio. El transformador P1 debe ser de tipo “blinda-
do” o “toroidal” con los valores basados aproxima-
damente en la tabla 1.
Observe que las tensiones secundarias nomina-
les de los transformadores laminados típicos
(conocidos como de tipo “E-I”) se especifican casi
siempre en términos de la tensión de la derivación
central, mientras que los toroidales se especifican
en base a dos secundarios separados. Por ejem-
plo, un transformador de tipo E de 70 V con punto
medio es equivalente a un transformador Toroidal
35-35. Para aplicaciones requieren aproximada-
mente 100 W RMS o menos, sólo se necesitan 2
capacitores de 8.200 o de 10.000µF uno para cada
polaridad de la fuente. Para aplicaciones próximas
a plena potencia del amplificador se recomienda
usar 15.000 - 20.000µF por polaridad (conseguido
normalmente con dos capacitores en paralelo por
línea de alimentación, como se ilustra en la figura
7). Naturalmente, la tensión de trabajo debe elegir-
se de acuerdo a la tensión secundaria pico de T1.
El rectificador puente de onda completa BR1
debe construirse con una tensión inversa de pico
de 200 V a 20 A o superior.
T1 FUSIBLES
BR1
SUMINISTRO
DE CA
SALIDA DE
PARLANTES
Figura Nº 7
Observe cómo se conecta una fuente de alimentación
de dos polaridades al circuito del amplificador.
Esta alta corriente proporciona un margen adi-
cional de seguridad contra los transistores de alta
corriente de los capacitores de filtro de fuente de
alimentación.
El par de resistores “de drenaje”, RB1 y RB2,
se instala para descargar con seguridad las car-
gas peligrosas de los capacitores en caso que se
quemen uno (o ambos) fusibles de alimentación.
54
 VALORES PONTENCIA DE SALIDA
TENSION SECUNDARIA
NOMINALES DEL AMPLIFICADOR (RMS)
E+I TOROIDAL APROX. 4 OHMIOS 8 OHMIOS
60 (PUNTO 1/2) 30 + 30 300 VA 120W 80W
70 (PUNTO 1/2) 35 + 35 400 VA 170W 115W
80 (PUNTO 1/2) 40 + 40 500 VA 200W 150W
90 (PUNTO 1/2) 45 + 45 625 VA 200W 200W
Tabla Nº 1
Potencia de salida estimada en función del tamaño del transformador.

Estos resistores pueden ser de 12 K, 1/2 W de Consultando la figura 4 puede obtenerse un

hasta 63 V de alimentación. La señal de nivel de
línea de audio se aplica al amplificador en los
puntos indicados en la figura 7.
La señal de entrada debe conectarse al módu-
lo amplificador con un buen cable blindado de
audio, que no debe pasar cerca de ningún otro
cable del amplificador. La sensibilidad para máxi-
ma salida sobre cargas de 4 ohmios es aproxi-
madamente 630 mV RMS. Para cargas de 8
ohmios, la sensibilidad es aproximadamente 800
mV. El parlante se conecta entre la salida para
parlantes y el común del circuito.
Dada la insensibilidad inherente de este
amplificador a los ajustes del punto de reposo,
R50 se puede centrar simplemente para una dis-
torsión casi óptima.
ajuste preciso de polarización midiendo la ten-
sión continua del drenaje de Q17 al drenaje de
Q19 y ajustando R50 para una lectura de 20 mV,
que establece la corriente de polarización de los
MOSFET en aproximadamente 45 mA.
Conclusiones
Los módulos amplificadores OPTI3 están dedi-
cados al hobbysta o el profesional que desea un
diseño simple para una amplia variedad de aplica-
ciones de audio. La incorporación de L-MOSFET y
la mayor complejidad del circuito hacen que el
armado sea más exigente que otros diseños pero
la calidad sonora y la confiabilidad a largo plazo
justifican las diferencias de costos.™

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