În fig.3.

3b se poate observa modul în care purtătorii de sarcină din

semiconductor contribuie la formarea curenţilor exteriori măsurabili:
curentul de emitor - IE, curentul de colector – IC şi curentul de bază – IB.
Trebuie să subliniem încă odată faptul că la curentul prin tranzistor participă
purtători de ambele polarităţi, în timp ce la curenţii exteriori participă
exclusiv electronii de conducţie din metal.
Golurile, care sunt purtătorii majoritari în emitor, sunt accelerate în
câmpul de polarizare directă a joncţiunii emitoare şi, în marea lor majoritate,
vor traversa baza şi vor fi preluate de câmpul electric de polarizare inversă a
joncţiunii colectoare. Fracţiunea din curentul de emitor care contribuie la
formarea curentului de colector este notată cu α. α se numeşte factor de
curent şi valorile lui sunt foarte apropiate de 1: α ≅ 0,97 − 0,99 . Datorită
slabei dopări a bazei şi a lărgimii ei foarte mici, doar o mică parte din
p
n
p
E
C
B
IC
IB
IE
αIE ICBo
IC
IE
IB
RC
RE
EC
EE
p
n
p
ab
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice şi digitale
47
golurile care pleacă din emitor se vor recombina cu electronii din bază.
Curentul αIE împreună cu curentul de purtători minoritari, ICBo, care
traversează joncţiunea colectoare polarizată invers, vor forma curentul de
colector, IC. Astfel, pot fi scrise următoarele relaţii între curenţii măsurabili:
E C B I = I + I (3.1)

C E CBo I =αI + I (3.2)

Înlocuind expresia curentului de emitor (3.1) în relaţia (3.2) şi

exprimând curentul de colector, se obţine:
α α
α
−
+
−
=
11
CBo
CB
I
I I (3.3)
Coeficientul de multiplicare a curentului de bază se notează cu β şi
se numeşte factor de amplificare statică (sau factor de amplificare a
curentului continuu) şi este supraunitar:
α
α
β
−
=
1
(3.4)
Astfel, dependenţa curentului de colector de curentul de bază poate
fi exprimată sub forma:
( ) I = βI + 1+ β I (3.5)
C B CBo

Relaţia (3.5) indică dependenţa intensităţii curentului de colector de

intensitatea curentului de bază. De aici se poate vedea că tranzistorul
bipolar este un element activ comandat în curent. Deoarece curentul de
purtători minoritari ICBo este foarte mic (sub 1μA), în practică se poate folosi
cu bună aproximaţie relaţia C B I ≅ βI .
Ecuaţiile (3.1), (3.2) şi (3.4) descriu funcţionarea tranzistorului în
curent continuu (regimul static) şi, împreună cu legile lui Kirchhoff, permit
calcularea valorilor rezistenţelor din circuitul exterior de polarizare, precum
şi a punctului static de funcţionare caracterizat de patru parametrii: UBEo, IBo,
UCEo şi ICo.
Tranzistorul bipolar poate fi privit ca un cuadrupol dacă unul dintre
terminalele sale va face parte atât din circuitul de intrare cât şi din cel de
ieşire. De regulă, terminalul respectiv este conectat la borna de potenţial nul
(masa circuitului). Astfel, există trei conexiuni posibile ale tranzistorului
într-un circuit:
• conexiunea emitor comun – fig.3.4a
3 Tranzistorul bipolar
48
• conexiunea bază comună – fig.3.4b
• conexiunea colector comun – fig.3.4c
Fig.3.4
Cele trei conexiuni au parametrii de intrare, ieşire şi de transfer
diferiţi. Dintre ele, cea mai folosită este conexiunea emitor comun şi de
aceea în continuare ne vom axa în principal asupra ei, analizând-o atât în
regim static cât şi în regim dinamic.
IB
IC
UBE
UCE
Fig.3.5
Mărimile de intrare şi cele de ieşire pentru conexiunea emitor comun
sunt prezentate în Fig.3.5. Modificarea valorii oricăreia dintre ele conduce la
modificarea celorlalte trei. Datorită acestui lucru nu mai putem vorbi despre
o singură caracteristică volt-amperică, cum a fost în cazul diodei, ci de
familii de caracteristici statice de intrare, ieşire şi de transfer.
Pentru conexiunea emitor comun mărimile de control, cu ajutorul
cărora le modificăm pe celelalte, sunt curentul de bază, IB, şi tensiunea
dintre colector şi emitor, UCE. De aceea ele vor fi considerate variabilele
independente iar tensiunea dintre bază şi emitor, UBE, şi curentul de
colector, IC, vor fi variabilele dependente.
Într-o reprezentare calitativă, familiile de caracteristici statice ale
conexiunii emitor comun sunt arătate în fig.3.6.
Astfel, familiile de caracteristici statice sunt următoarele:
• ( ) BE B UCE const.
U f I = = , caracteristica de intrare
abc
S.D.Anghel - Bazele electronicii analogice şi digitale
49
• C ( CE ) I const. B
I f U = = , caracteristica de ieşire
• ( ) C B UCE const.
I f I = = , caracteristica de transfer în curent
• ( ) BE CE IB const.
U f U = = , caracteristica de transfer invers în
tensiune
Fig.3.6
O altă caracteristică importantă a tranzistorului bipolar este
caracteristica de transfer în tensiune, pe baza căreia se definesc şi
regimurile posibile de funcţionare ale lui. În fig.3.7a este prezentată o
schemă posibilă pentru trasarea acestei caracteristici iar în fig.3.7b este
arătat aspectul ei.
Fig.3.7
IC
IB UCE
UBE
IB
IB
UCE
I = 0 B ICBo
E = +5V C
UBE
U = U CE ies U
0 - +5V
10 kΩ
in

1 kΩ
Rb
Rc
U [V] CE
U [V] BE
UCEsat 0,1 - 0,2V
5
0 0,65
blocat
saturat
zona
activa
ab
IC
3 Tranzistorul bipolar
50
Discuţia asupra comportării tranzistorului se poate face dacă
considerăm comportamentul celor două joncţiuni asemănător
comportamentului unor diode. Vom numi în continuare joncţiunea emitoare
drept dioda emitor, DE, iar joncţiunea colectoare drept dioda colector, DC.
Pentru tensiuni UBE mai mici decât tensiunea de deschidere a diodei
emitor, între emitor şi colector nu poate circula nici un curent, căderea de
tensiune pe rezistenţa Rc este nulă şi UCE = Ec. În acest interval de tensiuni
de intrare tranzistorul este blocat, între colector şi emitor el acţionând ca un
întrerupător deschis. Odată cu creşterea tensiunii de intrare, dioda emitor se
va deschide şi va permite “curgerea” electronilor între emitor şi colector
peste dioda colector polarizată invers. Tensiunea UCE va începe să scadă
foarte rapid, deoarece creşte căderea de tensiune pe Rc, în condiţiile în care
tensiunea de alimentare, Ec, este păstrată constantă (Ec = IcRc + UCE).
Curentul de colector va creşte şi tensiunea UCE se va micşora până când se
ajunge în regimul de saturaţie (cantitatea de sarcină disponibilă nu este
nelimitată) în care ambele diode, emitor şi colector, sunt în stare de
conducţie. Acest regim de lucru se numeşte saturat. În regimul saturat
tensiunea între colector şi emitor este foarte mică, U V CE ≅ 0,1− 0,2 . Ea se
numeşte tensiune colector-emitor de saturaţie, UCEsat. Zona de tranziţie
dintre regimurile blocat şi saturat se numeşte zona activă. În zona activă
curentul de colector şi tensiunea de ieşire pot fi controlate de către tensiunea
de intrare şi implicit de către curentul de bază.
Putem sintetiza regimurile de funcţionare ale tranzistorului
bipolar în felul următor:
• regimul blocat DE
şi DC - blocate,
IC = 0, UCE = Ec
• regimul în zona activă DE – conducţie, DC – blocată,
I U V C CE ≠ 0, = 5→0,2
• regimul saturat: DE şi DC – conducţie,
 I ≠ 0, U = 0,1− 0,2V =U
C CE CEsat

Regimul de funcţionare în zona activă este folosit atunci când

tranzistorul se află într-o schemă de prelucrare a semnalelor, de amplificare
sau generatoare