ESTRUCTURA DE BANDAS

DE LOS SÓLIDOS
METODO TIGHT-BINDING
NIVELES DE ENERGÍA EN SOLIDOS
 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DE ESTRUCTURA DE BANDAS

Banda de
conducción
vacía
Banda de
Superposición conducción
de la banda de vacía Brecha de
conducción Brecha de energía
energía prohibida
prohibida

Banda de Banda de Banda de

valencia llena valencia llena valencia llena

Conductores Semiconductores Aislantes

DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DE ESTRUCTURA DE BANDAS

Magnesio
Cobre Silicio Diamante
Grupo II
 ENERGÍA DE FERMI

La energía de Fermi es el nivel de energía en el que la mitad de

los posibles niveles de energía de la banda esta ocupado por
electrones.

Semiconductor
CONDUCTIVIDAD VS. TEMPERATURA

Banda de
conducción
Brecha de
energía
prohibida

Banda de Tomado de:

valencia http://www.ausetute.com.au/metallic.html
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS E INTRÍNSECOS.
 Banda de
conducción
Brecha de
energía
prohibida

Banda de
valencia
s = nqmn + pqmp
 s = nqmn + pqmp

Concentración de
Concentración de Movilidades huecos en la banda
electrones en la banda de
de valencia.
conducción.
 Concentración de electrones y huecos ni = pi s = qn (m + m )
i n p

El número de portadores y la conductividad se controlan con la temperatura

0K Aumenta la temperatura

k and h are the Boltzmann and Planck’s constants

La conductividad depende del número de impurezas o dopante y en un rango de
temperaturas es independiente.

Esta capacidad de tener una conductividad ajustable, independiente de la

temperatura, es la razón por la que casi siempre se usan semiconductores extrínsecos
para fabricar dispositivos.

s depende principalmente del número de impurezas dopantes

en ciertos rangos de temperatura es independiente de esta
BRECHA DE ENERGÍA PROHIBIDA (GAP)

Brecha de energía
Material
prohibida (eV)
InP 1.34
GaAs 1.43
 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

CELDA SOLAR
La celda solar es un dispositivo fabricado para convertir luz solar
directamente en electricidad, mediante el fenómeno físico
denominado efecto fotovoltaico.
 FUNCIONAMIENTO BÁSICO DE LA CELDA SOLAR

Flujo de
fotón electrones

N
P

ABSORCION DE
RADIACION GENERACION GENERACION
DE DE
PORTADORES VOLTAJE

R
L
IPh
FUNCIONAMIENTO BÁSICO
 PROPIEDADES ÓPTICAS DE MATERIALES

Optical properties of materials are related to the interaction of a

material with electromagnetic radiation in the form of waves or
particles of energy called photons.
ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO
PROCESOS ÓPTICOS

Cambio de velocidad -
refracción

R T  A 1 Radiación
incidente
 ABSORCIÓN

En el proceso de absorción un fotón de energía conocida excita un

electrón de un estado de baja energía a uno de mayor energía

 = coeiciente de absorción

 es característico del medio absorbente y depende de la  de la

radiación.

Probabilidad de absorción del fotón en la unidad de longitud

 ABSORCIÓN FUNDAMENTAL

BC

BV

Ocurre cuando se presentan transiciones entre la BV y la BC.

LOS SEMICONDUCTORES DE ACUERDO A LAS

BANDAS SE DIVIDEN EN:

• DIRECTOS
• INDIRECTOS
ESTRUCTURA DE BANDA DE SEMICONDUCTORES
DIRECTOS E INDIRECTOS
 Brecha de energía
Material Transición
prohibida (eV)
InP Directo 1.34
GaAs Directo 1.43
Si Indirecto 1.12
Ge Indirecto 0.66

Temperatura ambiente
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES DIRECTAS

  Bh  Eg 
2
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS

hυe  E f  Ei  E p ha  E f  Ei  E p
ABSORCIÓN FUNDAMENTAL DE LA LUZ EN
TRANSICIONES INDIRECTAS
 COEFICIENTE DE ABSORCIÓN

Coeficiente de
absorción (cm-1)

Transiciones directas 104 - 105

Transiciones indirectas 10-1 - 103

Imagen tomada de: Practical Handbook of Photovoltaics Fundamentals and Applications. Tom Markvart & Luis Castañer.
Elsevier 2003
REFRACCIÓN


k
4n
 INDICE DE REFRACCIÓN (n)

La velocidad de propagación de la radiación a través de un

semiconductor con índice de refracción complejo es:

nc  n  ik
La parte compleja se denomina coeficiente de extinción

k 
4

La parte real esta relacionado con la velocidad de propagación en

el vacío por:
velocidad de la luz en el vacío c
n 
velocidad de la luz en el medio v
 DISPERSIÓN

Es la variación de la velocidad de la luz en un medio como

función de la longitud de onda 

DISPERSIÓN NORMAL
Factores característicos:

1. n decrece al aumentar 
2. La rata de crecimiento de n se hace mayor a longitudes de
onda cortas.
3. En materiales con n grande la dispersión es también
mayor. 4.6
4.4 Silicio amorfo
4.2
4.0
n

3.8
3.6
3.4
3.2
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
 (nm)
 DISPERSIÓN ANOMALA

Cuando se mide n en la región IR del espectro, la curva de

dispersión no se comporta de acuerdo a la ecuación de
Cauchy.
 DETERMINACIÓN DE CONSTANTES ÓPTICAS A
PARTIR DE MEDIDAS DE TRANSMITANCIA
LAMPARA ESPECTROFOTOMETRO
CHOPPER

MONOCROMADOR

ESPEJO MUESTRA
CÓNCAVO
DETECTOR
MOTOR
DE PASO

INTERFACE
AMPLIFICADOR
LOCK-IN
SEÑAL DE
REFERENCIA

SISTEMA DE
ADQUISICIÓN DE
DATOS
COMPUTADOR
 CALCULO DE LAS CONSTANTES ÓPTICAS USANDO
MEDIDAS DE TRANSMITANCIA
El método desarrollado por Swanepoel se obtienen utilizando los
espectros de transmitancia y cálculos teóricos de transmitancia
realizados con base en un modelo que considera efectos de
interferencia múltiple.
 TRANSMITANCIA

A  16s(n 2  k 2 )
B  {(n  1) 2  k 2 }{(n  1)(n  s 2 )  k 2 }
T=T(,s,n,d,) C  {(n 2  1  k 2 )(n 2  s 2  k 2 )  2k 2 ( s 2  1)}2 cos 
 k{2(n 2  s 2  k 2 )  ( s 2  1)(n 2  1  k 2 )}2sen
Ax D  {(n  1) 2  k 2 }{(n  1)(n  s 2 )  k 2 }
T
B  Cx  Dx 2   4nd / 
x  e d
  4k / 
 TRANSMITANCIA

Ax
K=0 T
B  Cx cos   Dx2

A  16sn2
B  (n  1) n  s
3
 2

C  2(n 2  1)(n 2  s 2 )
D  (n  1)3 (n  s 2 )
  4nd / 
x  e d
EXTREMOS DE LAS FRANJAS DE INTERFERENCIA

Ax
TM 
B  Cx  Dx2
Ax
Tm 
B  Cx  Dx2
MÉTODOS PARA DETERMINAR CONSTANTES ÓPTICAS

Se distinguen 3 métodos diferentes:

• Usando al menos dos métodos ópticos diferentes

• Usando relaciones de dispersión

• Usando medidas virtuales como segunda variable

CELDAS SOLARES
CELDAS SOLARES
 TIPOS DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS

HOMOJUNTURA

HETEROJUNTURA
Celda solar tipo p-i-n
PROCESOS QUE AFECTAN EL TRANSPORTE ELÉCTRICO EN
CELDAS SOLARES
 TECNOLOGÍA DE CELDAS SOLARES

Estas se dividen en tres tipos que son:

 Primera generación: Comprende la tecnología de Silicio

Monocristalino, Silicio Policristalino.

 Segunda generación: Tecnología de películas delgadas (CuInSe2)

y silicio amorfo, es una tecnología muy cambiante y se basa en
compuestos ternarios.

 Tercera generación: Nuevos conceptos para el desarrollo de

celdas solares en el futuro. Estos son materiales de banda metálica
intermedia.
 TECNOLOGÍA – PRIMERA GENERACIÓN

La primera celda solar de Si fue desarrollada en

1954 por el laboratorio Bell, la cual tenia una
eficiencia del 6% evolucionando rápidamente a 10%.
ESTRUCTURA TÍPICA DE UNA CELDA SOLAR DE SI TIPO PERL

PERL (PASIVATED EMITTER REAR LOCALY CELL)

Eficiencia del 24.5% - 1995

 SILICIO MONOCRISTALINO

CZOCHRALSKI
ZONA FLOTANTE
TECNOLOGÍA – SEGUNDA GENERACIÓN

Ventana óptica
 CONDICIONES IMPORTANTES

capa absorbente capa buffer

• Gap adecuado ( 1.1 – 1.6 eV) • Gap adecuado (>2 eV)

• Alto coeficiente de absorción • Bajo coeficiente de absorción
(>104 cm-1) (103 cm-1)
• Muy delgada ( 50- 80nm)

Contactos eléctricos
contacto óhmico con la capa absorbente para facilitar el transporte de los portadores
fotogenerados hacia el circuito exterior y además tener resistividades bajas para
reducir la resistencia serie del dispositivo.
 TECNOLOGÍA – SEGUNDA GENERACIÓN

Eficiencia del 20 % Eficiencia del 17 %

MATERIALES ABUNDANTES EN LA NATURALEZA

Y DE MENOR COSTO
 KESTERITAS

Las kesteritas son una familia de compuesto que comprende Cu2ZnSnS4 (CZTS),
Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) y aleaciones.
 TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN

Sublimación en espacio cerrado

500 oC

coevaporación
TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN

Spin coating
 MÉTODOS DE CARACTERIZACIÓN

Método de Determinación de
Propiedades
caracterización Parámetros
Transmitancia
Ópticas Constantes ópticas
Espectral
Estructura cristalina,
DRX Estructurales constante de red, fase
cristalina
Tamaño de grano,
AFM Morfológicas
rugosidad
Termopotencia Eléctricas Tipo de conductividad
XRD pattern of typical CZTS thin films
deposited varying the sequence in
which the metallic precursors are
evaporated.
PELÍCULAS DELGADAS DEPOSITADAS
POR SULFURIZACIÓN
CONSTANTES ÓPTICAS

 2  Ah  Eg 
 IMÁGENES AFM DE PELÍCULAS
DEPOSITADAS POR SULFURIZACIÓN

SnS (250oC) SnS2 (250oC)

 TECNOLOGÍA – TERCERA GENERACIÓN

Materiales de banda metálica intermedia

Materiales de eficiencia cuántica mayor que uno

 TECNOLOGÍA – TERCERA GENERACIÓN

Sensibilizadas por
Orgánicas
colorante
 ESTADO ACTUAL DE LAS TECNOLOGIAS DE CELDAS SOLARES

Máximas eficiencias de celdas ( a nivel de laboratorio)

Reporte de NREL (National renewable energies laboratory)

 Módulos Fotovoltaicos

Un módulo FV está conformado por un conjunto de celdas

interconectadas entre si. Estas se encapsulan dentro de
una caja con marco de aluminio
SISTEMA FOTOVOLTAICO AUTONOMO
 APLICACIONES CONECTADAS
A LA RED

a. Viviendas y edificios conectados a la red:

b. Centrales fotovoltaicas
 SISTEMA FOTOVOLTAICO CONECTADO A LA RED

SFIR instalado en la torre de Economía de la

Universidad Central

México, 1MW, Central Solar Fotovoltaica Piloto Santa

Rosalía