Sunteți pe pagina 1din 3

1. Un semnal numeric periodic, de perioada T=100nsec are factorul de c.

independentă de curentul pe la borne


umplere de 20%. Cât este durata aproximativă cat forma de undă este in „1”: 42. Pentru un circuit numeric (o poartă), care din următoarele informaţii nu 81. Avem mai multe porţi NAND2 de tip cu colector in gol, ale căror iesiri
a. 20nsec pot fi determinate pe baza caracteristicii statice de transfer: sunt legate împreună. Funcţia logică realizată prin aceasta cablare este:
2. Un semnal numeric periodic, are perioada T=66nsec. Care este valoarea b. timpul de crestere c. un AND cablat la nivelul iesirilor
aproximativă a frecventei, exprimată in MHz: 43. Care din următoarele ordonări, in ordinea crescătoare a lungimii de undă 82. Diagramele K-V reprezintă o tehnică utilizată pentru:
b. 15MHz a radiaţiei luminoase, este corectă: c. minimizarea funcţiilor logice
3. Pentru un TBJ (Si) npn in regim de saturaţie care ar fi o valoare b. Albastru, Verde, Rosu 83.Care din următoarele circuite integrate numerice nu este un circuit CMOS:
aproximativă a tensiunii B-E: 44. Variaţia cu temp a câstigului de cur (F,h21E, hFE) al unui TBJ oarecare b. 74LS04
a. 0.8V b. pozitivă 84. Dacă prin intermediul iesirii unui circuit numeric de putere ar trebui să
4. Pentru un TBJ (Si) npn in regim de saturaţie care ar fi o valoare 45. Pentru un cond oarecare, cilindric, odată cu cresterea temp, rezis sa elect: comandăm (on-off) o sarcină inductivă de mică putere, de care din urmă legi
aproximativă a tensiunii C-E: b. creste si/sau teoreme ar trebui sa ţinem cont in proiectarea sistemului:
b. 0.2V 46. Care din următoarele valori reprezintă variaţia aproximativă cu temp a c. Faraday-Lenz
5. Care din urm perechi de regimuri de funcţ pentru un TBJ npn sunt utilizate căderii de tensiune la bornele unei joncţiuni p-n polarizate direct: 85. Dacă prin interm ies unui circuit numeric de putere ar trebui să omand
ca bază de lucru in cazul circuitelor numerice TTL: d. -2.2 mV/ oC (stins-aprins) un bec cu incandescenţă de mică putere, de ce ar tb sa ţinem
d. regim activ normal - saturat 47. Care din următoarele tipuri generice de etaje de intrare nu se întâlneste la c. de evoluţia in timp a curentului la bornele becului
6. Care din următoarele metale nu este utilizat pentru realizarea c.i.n familiile de circuite numerice TTL: 86. Rezistenţa electrică a unui bec cu incandescenţă este:
b. litiu b. Darlington b. mai mică când este stins si mai mare când este aprins
7. Care din urm materiale este folosit ca un conductor la realizarea unui 48. Care din următoarele perechi de tensiuni ar reprezenta nivele logice de 87. Pentru o poartă oarecare timpii de propagare standard tpLH si tpHL se
microcircuit (chip) modern: intrare valide („0”, L si „1”,H) o poartă alimentată la Vcc=5V si descrisă ca măsoară, faţă de amplitudinea formelor de undă de la intrare, respectiv ies:
b. siliciu policristalin având intrarea compatibilă TTL: a. la 50%
8. Pentru o sursă ideală de c.c, curentul pe la borne este, in primul rând: b. VIL=0.5V si VIH=3.5V 88. O intrare In a unei porţi CMOS sau TTL este conectată printr-un rezistor R
b. independent de tensiunea la borne 49. Care din urm perechi de tens ar repr nivele logice de intr valide („0” si =1kOhm la o sursă de cc Vx ca in figură (cu masa comună cu sursa de
9. In mod convenţional, prin raportare la un nod al unui circuit, semnul „1”) o poartă alim la Vcc=5V si descrisă ca având intr compatibilă CMOS: alime a porţii). Vx------R------In Care va fi tens pe pinul Px daca Vx= - 3V:
curentului este: b. VIL=0.5V si VIH=3.8V c. cca. - 0.7V
a. pozitiv când intră in nod 50. Pentru o diodă Schottky (metal-semiconductor) care din urm. ar fi o 89. O intrare In a unei porţi CMOS, alimentată la Vcc=5V este conectată ca in
10.Care din următoarele legi ale fizicii ar fi „modelul” care descrie valoare aproximativă a tensiunii de conducţie directă: figură. Cele două rezistoare R1=84 KOhmi si R2 = 16 KOhmi sunt
omportarea unui rezistor ideal in c.c d. 0.35V înseriate si se conectează cu nodul comun la acest pin si respectiv la Vcc si
b. Legea lui Ohm masă: In Vcc ----R1---|- --R2----Masă Valoarea tensiunii pe pinul In este:
51.Diodele Schottky sunt utilizate in circuitele TTL pentru: c. cca. 0.8V
11. La modul general un capacitor ideal C oarecare introdus in serie cu o b. a limita saturaţia TBJ-ului 90. O iesire O a unei porţi CMOS, alim la Vcc=5V este in „1”. Două rezist R1
latură de circuit: 52. Timpul de propagare, pentru o poartă oarecare, descrie: si R2 de 50KOhmi sunt înseriate si se conect la acest pin si resp la masă: O
b. blochează componenta de curent continuu c. întârzierea intrare-iesire ----R1----R2----Masă Care este val tens pe nodul comun al celor 2 rezist:
12. La modul gen un inductor ideal L introdus in paralel cu o latură de circuit: 53. Pentru un circuit numeric (o poartă), care din următoarele informaţii pot fi c. cca. 2.5V
c. scurtcircuitează componenta de c.c. determinate pe baza caracteristicii statice de transfer:
13. Pentru majoritatea circuitelor numerice uzuale nivelele logice reprezintă: b. tensiunea de prag 91. Având la dispoziţie circuite din familia 74HC alimentate la Vcc=2..6V,
c. tensiuni asociate stărilor logice 54. Pentru o poartă TTL, cu etaj de iesire totem-pole, care din urm rel intre cur care din următoarele variante de alimentare ar fi indicată pentru o aplicaţie din
14. Faptul ca pentru un circuit numeric nivelele logice sunt definite in logică de iesire Io (ca val abs) pt cele două stări ale ies (H,L), este adevărată: industria automobilului (automotive):
pozitivă înseamnă si că: c. IOH << IOL b. Vcc=5V
b. un nivel de 1 este mai + decât unul de 0 55. Pt o poartă CMOS modernă, cu etaj de iesire normal, care din urm rel intre 92. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt, împreună cu un grup RC, poate
15. La modul general pentru o poartă,c.s.t cur de ies Io (ca val abs) pt cele două stări ale ies (H,L), este adevărată: fi utilizată si la realizarea unui:
c. dependenţa iesirii de intrare a. IOH ≈ IOL b. circuit de tip oscilator numeric
16. Pentru un c.n. (o poartă) care din urm caract,de regulă,nu prezintă interes: 56. Care din urm val de tens se încadrează într-un nivel logic TTL: 93. Pe o intrare a unei porţi este adus semnalul de iesire, compatibil TTL, al
c. amplitudine-frecvenţă c. 2.4V unui optocuplor comun (lent, cu fototranzistor); de ce ar trebui să ţinem cont?
17. Marginile de zgomot de curent continuu, pentru o familie de circuite 57. Care din următoarele valori ar fi credibilă dacă este vorba de tensiunea la a. de faptul că intrarea nu este sau nu de tip trigger Schmitt
integrate numerice, caracterizează: bornele unei diode electro luminiscente (LED) aprinsă: 94. La un sistem numeric oarecare, faptul că intrările sau iesirile sunt izolate
b. imunitatea la perturbaţii b. 1.8V prin optocuploare ajută si la:
18. Marginile de zgomot de c.c, pentru o familie de c.i.n depind si de val: 58. Un tranzistor MOSFET cu canal n diferă de unul cu canal p si prin: b. rejecţia tensiunilor parazite si eventual a zgomotului
c. tensiunii de alimentare d. semnul tensiunii de prag 95. La un sist numeric oarecare, una din prin surse de zgomot este legată de:
19. Care din următoarele porţi, ar putea să fie utilizate ca un inversor, prin 59. Care ar fi ord de mărime al cap de intr al unei intrări a unui c.n CMOS: d. viteza mare de variaţie a curenţilor de alimentare
conectarea intrărilor „neutilizate” in „1” (H): d. x pF 96. La modul general, legătura intre putere si energie înseamnă:
d. NAND3 60. Comparativ cu o diodă p-n, o diodă Schottky are si: a. puterea este energie raportată la timp
20. Pentru o poarta XOR2 (cu 2 intrări) cum ar trebui sa conectăm cealaltă b. o cădere de tensiune in conducţie directă mai mică 97. Pute cons de o poartă CMOS in reg stat, in cond normale de funct, este:
intrare pentru a obţine un inversor: b. nesemnificativă
a. in „1” 61. Care din următoarele valori ar fi credibilă dacă este vorba de curentul de 98. Puterea consumată de o poartă CMOS in regim dinamic este:
grilă al unui tranzistor MOSFET intr-un regim normal de funcţionare: a. direct proporţională cu capacitatea de sarcina
21. Fan-out-ul, pentru o familie de c.i.n., exprimă: a. 1.5 mA c. invers proporţională cu frecventa de comutare a iesirii
a. nr max de intr care poate fi comandat de iesire 62. Pentru ca o familie de circuite integrate numerice să fie viabilă, nivelele 99. In cond nor de funcţ, curentul de intrare pentru o poartă CMOS este:
22. La bornele unei surse ideale de tens. Cont. V=+3.3V se conectează doi logice de intrare si respectiv iesire trebuie: c. de ordinul x mA
rezistori R1=500 Ohmi si R2= 1000 Ohmi, conectaţi (legaţi) la rândul lor in b. să fie mai mici de 5V 100. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt are:
paralel. Care este curentul I1 prin rezistorul R1? 63. O denumire alternativă pentru un capacitor polarizat este si : b. 2 tensiuni de prag diferite
c. cca. 6.6mA c. electrolitic
23. Teorema lui Norton presupune echivalarea unui circuit (o combinaţie de 64. Teorema lui Thevenin presupune echivalarea unui circuit (o combinaţie de
surse de tensiune, curent si rezistori) cu: surse de tensiune, curent si rezistori) cu:
d. o sursă de curent paralel cu un rezistor a. o sursă de tensiune serie cu un rezistor
24. Aveţi un cap (iniţial descărcat) care se încarcă de la o sursă ideală de tens 65. La modul general un tiristor este cu dispozitiv electronic activ cu:
cont printrun rezistor. Timpul de crestere (tr) al tens la bornele cap este: b. 3 terminale
c. direct proporţional cu capacitatea capacitorului 66. Aveţi de conectat un LED la iesirea unui inversor TTL, ca „martor” pentru
25. Pt o poartă oarecare, care din urm mărimi repr un factor de influenta ext: starea ei (LED aprins: iesirea in „0”, cu VOL = 0.2V/IOL=8mA, Vcc=5V).
c. tensiunea de alimentare Conducţia directă a LED-ului este caract de VF=2V la
26. Pentru un inver num minimal realizat cu un TBJ npn, tranzistorul are cone IF=8mA. Care din urm val ar fi corectă pt rezis de limitare a cur prin LED:
c. emitor comun b. cca. 0.35 kOhmi
27. Pentru un capa (condensator) plan oarecare, capacitatea este prop cu: 67.Avem de comandat un releu electromecanic cu iesirea unei porţi TTL sau
c. suprafaţa armăturilor CMOS normale (Vcc=5V). Dacă releul este caracterizat prin valorile
28. La bornele unei surse ideale de tensiune continuă V=+5V se conectează nominale Un=24V si In=50mA ce fel dispozitiv(e) ar trebui cel puţin să mai
doi rezistori R1=5 kOhmi si R2=15 kOhmi, conectaţi in serie. Care este utilizăm pentru realizarea unei interfeţe de „putere”:
căderea de tensiune la bornele rezistorului R2 ? a. numai diode pn de putere
b. 3.75 V 68. Pentru un inversor numeric minimal realizat cu un MOSFET cu canal n
29. Care din următoarele ordonări, in ordinea crescătoare a rezistivităţii (indus), tranzistorul in cauză este utilizat intr-o conexiune:
electrice, este corectă: d. grilă comună
a. Cupru, Aur, Aluminiu 69. Curentul de iesire al unei porţi oarecare este:
30. Timpii de crestere (rise), si de cădere (fall),pentru o formă de undă a.pozitiv la 0 si neg la 1
numerică descriu, in primul rând: 70. In cazul unui circuit TTL oarecare, cu iesire de tip totem-pole, în urma
c. intarzierea intrarea-iesire scurtcircuitării iesirii în “0” la tensiunea de alimentare Vcc=5V:
a. etajul de iesire se distruge
31. Aveţi 3 capacitori cu valorile: C1= 20nF, C2=50nF si C3= 0.1F. Dacă cei
3 capacitori se conectează in serie, capacitatea echivalentă fi: 71. In cazul unui circuit TTL oarecare, cu iesire de tip totem-pole, în urma
c. 12.5nF scurtcircuitării iesirii în “1” la masă :
32. Timpii de crestere (rise), respectiv de cădere (fall), pentru o formă de d. curentul de iesire este limitat intern la o valoare foarte mică
undă, se măsoară faţă de amplitudinea impulsului: 72. Nivele de intrare compatibile CMOS înseamnă si că tens de prag este:
d. între 10% si 90% a. jumătate din tensiunea de alimentare
33. Care din următoarele nu afectează c.s.ta unui circuit numeric: 73. Dacă pe o intrare a unei porţi TTL oarecare se aplică direct o ten de –6V:
b. viteza de variaţie a semnalului c. etajul de intrare se distruge
34. Cât este puterea disipată P (exprimată in mW) de un rezistor ideal R=1 74. Dacă dorim să comandăm un LED (aprins-stins) cu ajutorul unei iesiri de
KOhm, care are la borne o tens cont V=5V ? circuit numeric, in proiectarea interfeţei trebuie să ţinem cont si de:
c. 25 mW c. culoarea LED-ului
35. Pentru un cond oarecare, cilindrică, rezis electrică este proporţională cu: 75. Un grup unic RC (cu un R si un C) poate fi conectat la iesirea sau intrarea
d. lungimea unui circuit numeric si cu scopul realizării:
36. La modul gen, curentul pe la bornele unui capa oarecare C depinde de: d.doar a unei filtrari trece-jos
c.viteza dee variatie a tens la borne 76. Un circuit integrator RC poate fi conectat la intrarea unei porţi si cu scopul
37. Avem un capacitor C = 5pF pe care este acumulată o cantitate de sarcină Q c. introducerii unei întârzieri suplimentare
= 100pC. Cat este tensiunea la bornele capacitorului: 77. Care din următoarele circuite integrate numerice nu este un circuit TTL:
b. cca. 20 V d. 74HCT04
38. Care ar fi nr min de terminale (borne) pe care ar trebui să-l aibă un c.n.: 78. Tensiunea de alimentare nominală a unui circuit numeric este descrisă ca
b. 4 fiind Vcc = 5V +/- 5%. Care din urm tensiuni se încadrează in plaja dată:
39. Aveţi 3 rezistori cu valorile: R1= 200 kO,R2=50 kO si R3= 0.1 MO. Dacă b. 4.85V 101. Pentru o poartă cu intrare de tip trigger Schmitt, histerezisul
cei 3 rezistori se conectează in paralel, rezistenţa echiv va fi: 79. La modul general un tranzistor MOSFET este cu : caracteristicii statice de transfer reflectă:
b. cca. 28 kOhmi c. 3 sau 4 terminale c. dependenţa de sensul de variaţie al tensiunii de intrare
40. Care din următoarele combinaţii de polarizări ale joncţiunilor in cauză ar 102. Iesirea O a unei porţi CMOS alimentată la Vcc=5V generează o formă de
descrie regimul de saturaţie al unui TBJ: undă modulată in durată (PWM) cu factorul de umplere FU% = 30% si o
a. B-E invers, B-C direct frecvenţă de 100kHz. O------R-----
|
41. Pentru o sursă ideală de tens cont,tensiunea la borne este, in primul rând: C
| 125. Înainte de a atinge cu mâna un sistem (o placa) care foloseste circuite 165. Conţinutul deja programat al unui circuit de memorie EPROM de tip
Masă integrate ar fi bine să: OTP poate fi sters:
Pe iesire se conectează un grup R (1KOhm) si C(100nF) ca in figură. Ce tens b. atingem cu mâna un conductor metalic care este legat la pământ d. nu poate fi sters
va indica un volt de curent continuu conectat intre punctul -> (+) si masă (-)? 126. Pentru o poartă CMOS, prezenţa circuitului de protecţie la descărcări 166. Un circuit de memorie de tip EEPROM poate fi sters:
c. cca. 1.5V electrostatice are drept consecinţe si: b. prin modalităţi electrice
103. O rezistenţă de 1KOhm conectată serie între iesirea unei porţi si respectiv b. posibilitatea apariţiei „alimentării pirat” 167. Circuitele de memorie de tip FLASH diferă de cele EEPROM si prin:
intrarea alteia: 127. Un circuit BICMOS, prin raportare la unul CMOS: c. numărul maxim posibil de operaţii de stergere/scriere
a. afectează numai regimul dinamic dacă intrarea este CMOS b. ate etaj de iesire bipolar 168. Circuitele de memorie de tip NAND FLASH diferă de cele NOR FLASH
104. Pt o poartă CMOS, în reg static, dacă se conectează o rezist de 1KOhm 128. Pentru un circuit CMOS apariţia fenomenului de latch-up (zăvorare) este si prin:
serie, între sursa de alim si borna de alimentare (VDD sau Vcc) a circuitului: legată de existenţa internă a unui dispozitiv „parazit” de natura unui: b. modul in care este accesată informaţia
c. tensiunea de alimentare a porţii creste nesemnificativ d. tiristor echivalent 169. Necesitatea împrospătării periodice a informaţiei memorate este legată de
105. Conex (borna) de masă (GND) a unui c.i.n TTL sau CMOS tb să fie: 129. Pentru un circuit CMOS circuitul intern de protecţie la descărcări utilizarea circuitelor de memorie:
a. la potenţialul de referinţă, de 0V electrostatice (ESD) este realizat in esenţă cu: c. DRAM
106. Care este numărul minim de tranzistoare MOSFET necesar pentru a. o reţea internă de capacitori 170. Pentru un circuit de memorie de tip NAND FLASH mecanismul de acces
realizarea unei porţi CMOS NAND cu 2 intrări: 130. Pt un circ CMOS apariţia feno de latch-up (zăvorâre) este corelată si cu: la informaţie (scriere sau citire) poate fi descris ca:
c. 4 b. aplicarea unei tensiuni de intrare mai mari decât cea de alimentare d. secvenţial
107. Care este numărul minim de tranzistoare MOSFET necesar pentru
realizarea unei porţi CMOS NOR cu 3 intrări: 131. Fenomenul de descărcare electrosta (ESD) este de regulă asociat unei: 171. O celulă de memorare SRAM diferă de una DRAM si prin:
d. 6 b. acumulări de sarcină electrică c. numărul de tranzistoare
108. Pentru o poarta CMOS minimală numărul de tranzistoare MOSFET cu 132. Pentru un circuit CMOS fenom de descărcare electrostatică (ESD) este: 172. Acronimele SPI si I2C caracte pt unele circ de memorie utilizarea unei:
canal n (N) si respectiv cu canal p (P) utilizate este: c. periculos c. interfeţe seriale
c. N=P 133. Dacă pe o intrare a unui circuit CMOS se aplică direct, in mod 173. Pt un CBB de tip D cu comutare pe front intrarea de date trebuie să fie:
109. Care din următoarele dispozitive pasive ar fi si ele necesare pentru accidental, o tensiune de -1V: b. stabilă cu un timp de setup înainte de frontul activ
„deparazitarea” unui contact electromecanic utilizat ca intrare numerică: b. circuitul începe sa se încălzească puternic si devine nefuncţional 174. La modul general tens la bornele unui inductor oarecare L depinde de:
c. R,C 134. Pentru a realiza o comunicaţie serială RS-232 bidirecţională full-duplex b. viteza de variaţie a curentului pe la borne
110. Necesitatea „deparazitării” unui contact electromecanic utilizat ca intrare intre două sisteme numerice avem nevoie de minim: 175. Un capa de decuplare se conectează faţă de bornele de alim ale unui c.n:
numerică este legată de: c. 3 fire b.in serie cu un rezistor
b. vibraţia contactului 135. Pentru a realiza o comunicaţie serială RS-485 bidirecţională half-duplex 176. Cât este impedanţa, exprimată in Ohmi, a unui inductor ideal cu L=
intre două sisteme numerice avem nevoie de minim: 100mH, la frecvenţa f=50Hz ?
b. 2 fire c. cca. 31 Ohmi
111. Care din următoarele valori de tensiuni de alimentare Vcc ar fi corectă 136. Standardul de comu serială RS-232 este descris ca fiind „semnalizare”: 177. Diafonia descrie un efect de:
pentru un circuit numeric din seria 74HCT: b. asimetrica b. interferenţă intre două semnale
a. 5.1V 137. Standardul de comunicaţie serială RS-422/485 este descris ca fiind unul 178. Pentru o undă (nu neapărat de natură electrică), lungimea ei de undă
112. Pentru o poartă CMOS din seriile standardizate (ex. 4000 sau 74HC) a cu „semnalizare”: este legată de frecvenţa ei f prin intermediul:
lăsa o intrare flotantă (in aer) este un lucru: b. diferenţială b. vitezei de propagare a undei
c. interzis 138. Standardul de comunicaţie seriala RS-232 permite doar o comunicaţie ce 179. Pentru un sistem numeric, cuplajele capacitive parazite, ca mecanism de
113. Pentru o poartă CMOS din seriile standardizate (cum ar fi 4000 sau poate fi descrisă ca: generare a zgomotului, sunt legate de:
74HC) existenta unei intrări flotante poate afecta: c. punct la punct c. variaţia tensiunilor
d. tensiunea de alimentare 139. Care din următoarele perechi de tensiuni ar reprezenta corect 2 nivele 180. Un condensator de decuplare se conectează, faţă de bornele de alimentare
114. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt trebuie in mod obligatoriu logice valide pentru standardul de comunicaţie seriala RS-232: ale circuitului integrat:
utilizată atunci când avem un semnal de intrare: d. -2/+2 b. în paralel
c. cu timpi de front mari 140. „Transla de nivele” este realizata in primul rând cu scopul de a asigura:
115. Avem o poartă CMOS oarecare cu tensiunea de alimentare Vcc=5V. O b. compatibilitatea nivelelor logice 181. Efectul de diafonie este legat si de existenţa:
sursă V+=5V este conectată la bornele de alimentare ale porţii cu borna + la b. de inductanţe si capacitaţi mutuale parazite
borna de masă a porţii si cu borna – la borna Vcc porţii. Cat va fi nivelul de 141. Un circuit de memorie SRAM diferă de unul DRAM si prin: 182. Pentru un sistem numeric, cuplajele inductive parazite, ca mecanism de
„1” logic pentru iesire, in gol: c. mecanismul de selecţie al circuitului generare a zgomotului, sunt legate de:
d. circuitul se distruge cu o astfel de alimentare 142. Pt un circ având o iesire de tip tri-state cea de a treia stare a iesirii este: a. variaţia curenţilor
116. Avem la dispoziţie o sursă V+ = 5V si un circuit numeric cu tensiunea de c. o stare de impedanţă foarte mare 183. Cât este impedanţa, exprimată in kOhmi, a unui capacitor ideal cu C=
alimentare nominală Vcc= 3.3V +/-10%. Care din următoarele dispozitive ar 143. Pentru un circuit numeric având o iesire descrisă ca fiind de tip asimetric, 50nF, la frecvenţa f=50Hz ?
permite, si cum, alimentarea aproape corectă a circuitului folosind V+, pentru tensiunea de iesire este definită faţă de: b. cca. 64 kOhmi
un curent mediu de alimentare de cca. 10mA: c. borna de masă Gnd 184. Care din următoarele tipuri constructive de capacitori ar fi adecvat pentru
c. 3 diode pn 144. Pentru a realiza o translaţie de nivele de tip „de la mai mare la mai mic” decuplarea alimentării unui circuit numeric?
117. Două sau mai multe iesiri de porţi se pot conecta (lega) împreună dacă: (de ex. 5V ->3.3V) putem utiliza o poartă CMOS: b. Capacitor ceramic multistrat
d. iesirile porţilor sunt de tip colector(sau drenă) in gol 185. Firul (traseul) care leagă borna + a sursei de alim cu borna Vcc a unui
118. Două sau mai multe iesiri de porţi cu iesire de tip tri-state se pot conecta 145. Pentru a realiza o translaţie de nivele de tip „de la mai mic la mai mare” c.n. are inductanţa proprie de 15nH. Curen de alime al circ prez la un moment
(lega) împreună dacă: (de ex. 2.5V ->3.3V) putem utiliza o poartă CMOS: dat o variaţie caract de o viteză de 20mA/nsec. Cât este variaţia max a tens de
c. la un moment dat doar o iesire este activă alim a circuitului:
119. Iesirea unei porţi cu colector in gol este in starea „0” dar nu are rezistenţa 146. Pentru un circuit numeric având o intrare descrisă ca fiind de tip c. cca. 0.3V
de sarcină externă conectată către tensiunea de alimentare Vcc. Ce tensiune diferenţial, tensiunea de intrare este definită ca: 186. Faptul că o legătură intrare – iesire, pentru circuitele numerice, trebuie
am măsura intre borna de iesire si masă: d. o dif de tens intre una din cele două borne de intrare si tens de alimen Vcc uneori modelată ca o linie de transmisie este legat in primul rând de:
b. ceva apropiat de 0V 147. Faptul ca un circuit numeric secvenţial este descris ca fiind sincron a. nivelele logice
120. Circuitele numerice având iesirea de tip colector (sau drena) in gol pot fi înseamnă in primul rând că: 187. Faptul că o legătură intrare - iesire pentru circuitele numerice trebuie
utilizate si la: a. modificarea stării (stărilor) este strict corelată cu un semnal de ceas uneori modelată ca o linie de transmisie poate fi legat si de:
c. translaţia nivelelor logice 148. Diagramele temporale utilizate pentru descrierea unui ciclu de acces la c. zgomotul electric
un circuit de memorie exprimă in primul rând: 188. Neadaptarea de impedanţă pentru legătură intrare - iesire a unui circuit
b. restricţii temporale pentru si intre semnale numeric poate avea ca efect asupra semnalului:
149. O celulă de memorare SRAM este in esenţă:
b. un CBB 189. Un „terminator de linie” se utilizează pentru:
150. O celulă de memorare DRAM este in esenţă: b. a asigura adaptarea de impedanţă
a. un capacitor 190. Care din următoarele circuite electronice nu poate fi implementat
utilizând un circuit CPLD:
151. Un circuit de memorie descris ca fiind volatil: c. amplificator operaţional
c. nu îsi păstrează conţinutul după intreruperea alimentării
152. Pt un CBB de tip D cu comutare pe front intrarea de date trebuie să fie: 191. Avem un numărător binar de 4 biţi si dorim să-i vizualizăm starea prin
c. stabilă cu un timp de hold după frontul activ intermediul unui sistem de afisare cu 7 segmente. Care din următoarele
153. Un CBB de tip D cu comutare pe front dif deunul de tip D - latch si prin: circuite ar fi necesar:
c. momentul de timp la care inf este memorată si respectiv transf la iesire b. un decodificator 4 : 7
154. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front numărul minim total de 192. Care din următoarele limbaje de programare nu este un limbaj HDL:
intrări si iesiri (excluzând bornele de alimentare) ar fi: c. Prolog
b. 3 sau 4 193. Care din urmă acronime nu reprezintă un tip standardizat de CBB:
155. Pentru un CBB de tip D cu comutare pe front există si intrări descrise ca d. V-K
asincrone, pentru reset (stergere, aducere in „0”) si preset (aducere in 194. Pentru un decodificator numeric binar zecimal (cod 8421) care din urm
„1”).Aceasta înseamnă că intrările respective: combinaţii de intrare (ordinea fiind MSB-d3, d2,d1,d0-LSB) este invalidă:
c. nu sunt condiţionate de semnalul de ceas d. 1010
156. Care din următoarele tehnologii de realizare a circuitelor de memorie 195. Un decodificator numeric de tip binar – 7 segmente este utilizat de regulă
descriu o memorie volatilă: la realizarea unui sistem de afisare in tehnologie LED sau LCD de tip:
a. SRAM d. numeric
157. Care din următoarele tipuri de cicluri de acces nu există pentru circuit de 196. Un circ de tip multiplexor numeric poate fi descris si ca având un rol de:
memorie de tip FLASH: d. selector
b. împrospătare 197. Un circuit de tip decodificator numeric are de regulă:
158. Dorim să ecranăm electric si magnetic incintain care se află un sistem d. un număr de intrări mai mic decât cel de iesiri
numeric. Trebuie să folosim pentru aceasta ca material: 198. Un circuit CPLD utilizează si o tehn similară circuitelor de memorie:
b. nevolatile
159. Câte cuvinte de date pot fi adresate pentru un circuit de memorie având o 199. Interfaţa JTAG, existentă la toate circuitele CPLD si FPGA moderne, se
magistrală de adrese formată din 16 linii: utilizează tipic pentru:
b. 64 Kcuvinte c. programarea circuitului
160. Un circuit de memorie EPROM (cu interfaţă paralelă) este descris ca 200. Un circuit FPGA utilizează si o tehno similară circuitelor de memorie:
având capacitatea de a adresa 256 Kilo cuvinte. Magistrala sa de adrese are: c. volatile
c. 18 linii 201. Utilizarea unui limbaj HDL presupune si necesitatea utilizării unui
program care să realizeze:
c. o sinteză logică
121. Utilizarea unui releu electromecanic intr-un sistem numeric este uneori o 161. Un circuit de memorie este descris ca având dimensiunea de 2048 de 202. Dacă vrem să utilizăm un limbaj HDL pentru implementarea unei sistem
soluţie (nu chiar ideala) pentru realizarea unei: cuvinte de 16 de biţi. Capacitatea sa totală exprimată in biţi este: : numeric, atunci utilizatorul tb să-l descrie folosind in primul rând un:
a. izolări termice a. 32 Kbiti c. netlist
122. Care din următoarele dispozitive ar putea fi conectat relativ simplu la 162. Un circuit de memorie este descris ca având dimensiunea de 4096 de 203. Circuitele FPGA utilizează pentru implementarea funcţiilor logice
intrarea unei porţi oarecare (intrarea unui circuit numeric): cuvinte de 32 de biţi.Capacitatea sa totală exprimată in octeţi (Bytes) este: : combinaţionale o tehnică bazată pe:
a. un inhibitor b. 16 K octeţi b. tabele de căutare
123. Dispozitivul numit optocuplor este alcătuit in mod tipic din: 163. Pt un circ de mem utilizarea unor circ interne de decodificare permite: 204. Un circuit FPGA oferă utilizatorului, in mod tipic, si posibilitatea:
c. un LED pe intrare si un fototranzistor pe iesire b. reducerea numărului de linii de adresare c. programării tipului de interfaţă intrare/iesire
124. Un circuit de tip optocuplor poate fi utilizat pentru realizarea: 164. Un circuit de memorie are si un semnal de intrare pentru activarea iesirii 205. Folosind doar un circuit FPGA se poate implementa cu relativă usurinţă:
a. izolării galvanice (/OE). Aceasta denotă că avem un circuit cu: b. un microprocesor
a. intrări/iesiri de date activate
206. Pentru un CBB e tip D cu comutare pe front ridicător (CK- intrare de
ceas, D- intrare de date si Qiesirea directa) desenaţi diagrama temporală
idealizată corespunzătoare iesirii Q din figura următoare. Timpii
de propagare, setup (pregătire) si hold(menţinere) sunt,
in mod ideal, nuli.

207. Pentru un CBB e tip D latch (transparent) cu comutare (G- intrare de


activare, D- intrare de date si Q- iesirea directă) desenaţi diagrama temporală
idealizată corespunzătoare iesirii Q din figura următoare. Intrarea de activare
este activă in „1”. Timpii de propagare, setup (pregătire) si
hold(menţinere) sunt, in mod ideal, nuli.

208. Pentru următoarea porţiune dintr-o formă de undă numerică (reprezentare


trapezoidală) arătaţi cum se măsoară perioada si cum se calculează factorul de
umplere (ce si cum se măsoară pe forma de undă si
relaţia de calcul).

209. La intrarea (In) a unui circuit inversor se aplică forma de undă numerică
(periodică) de mai jos. Desenaţi forma de undă de la iesire (out) punând in
evidenţă timpii de propagare intrare-iesire. Pentru referinţă ei sunt
aproximativ egali cu: tpHL = 0.25 din perioadă, iar tpLH = 0.5 din perioadă.

210. La intrările A si B ale unui circuit XOR2 se aplică formele de undă


numerice idealizate de mai jos. Desenaţi forma de undă de la iesirea Y,
presupunând ca circuitul este ideal din punct de vedere al timpului de
propagare, cu:tpHL = tpLH = 0 .

211. Desenaţi schema minimală dar si completă (incluzând alimentarea) a unei


porţi CMOS NAND2 (cu 2 intrări).