Lucrare de laborator nr.

Tema: CARACTERISTICA CURENT- TENSIUNE A DIODEI SEMICONDUCTOARE.

Scopul: Ridicarea caracteristicilor şi determinarea principalilor parametrii ai diodelor

semiconductoare; studiul comportării diodei semiconductoare în circuite elementare.

Utilajul necesar: Placă de montaj, rezistenţă variabilă 100-200Ω, rezistor 15Ω, diode pe bază de
Si şi Ge, voltmetru cu preţul diviziunii 0,1V, miliampermetru 5/50 mA, surse de curent continuu:
IPF şi sursă ± 30V, fire de conexiune.

Consideraţii teoretice: Caracteristica statică, curent-tensiune, teoretică a unei diode

semiconductoare dedusă prin analiza fenomenelor fizice într-o joncţiune p-n ideală ce au loc la
qu A

aplicarea unei tensiuni din exterior este dată de legea: i A  I 0 (e kT  1) (1.1)
În această relaţie reprezentată grafic în fig.1.1, I 0 este curentul de saturaţie al diodei dat
D Dn
de expresia : I 0  qni2 ( p  ) S (1.2), şi este dependent de parametrii fizici şi
L p N D Ln N A
tehnologici ai joncţiunii p-n (suprafaţa joncţiunii, S , concentraţia intrinsecă de purtători ni ,
coeficienţii de difuzie D p , Dn , lungimile de difuzie L p , Ln , ale purtătorilor de sarcină , precum
şi concentraţiile de impurităţi, N D , N A ), iar 1    2 , un coeficient cu valori mai apropiate de 1
pentru Ge, şi mai apropiate de 2 pentru Si, care rezultă din considerarea efectului de recombinare
din zona de sarcină spaţială la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importanţă la diodele
cu Si la temperatura camerei.

În funcţie de suprafaţa joncţiunii p-n , la rândul ei, dependentă de curentul maxim pe care trebuie
să-l accepte dioda în conducţie directă, curentul de saturaţie I 0 , are, la temperatura camerei,
valori de ordinul de mărime, 1 10 A, pentru diodele din Ge şi 1 100 mA pentru diodele din
Si.
La curenţi direcţi de ordinul 1 10 mA (valori des întâlnite în practică) tensiunea directă
pe diodă este de 0.2 –0.3 V pentru diodele din Ge respectiv 0.6-0.8 V pentru diodele din Si.
3. Cele două mărimi, I 0 şi  , se determină prin reprezentarea ecuaţiei diodei
semiconductoare la scară semilogaritmică (ca în fig.1.2 unde pe abscisă se reprezintă tensiunea
aplicată pentru conducţie directă la scară liniară şi pe verticală curentul pe diodă în scară
logaritmică). Panta dreptei astfel obţinute permite deducerea coeficientului  . (De remarcat
faptul că forma exponenţială a caracteristicii directe se păstrează într-un interval mare de valori
q 1 u A
ale curentului) cu relaţia :   (1.3). Prin prelungirea aceleaşi drepte, la
kT 2.3  lg i A
intersecţia cu axa ordonatei se obţine curentul de saturaţie I 0 .
 4. Dependenţa de temperatură a caracteristicii statice a unei diode semiconductoare este
foarte puternică, înregistrându-se a dublare a curentului de saturaţie la fiecare 10 0C pentru diode
din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Această dependenţă poate fi pusă în
evidenţă şi prin coeficientul de variaţie a tensiunii directe de pe diodă cu temperatura, la curent
constant. Teoretic acest curent este de circa –2 mA / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate
curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.
Caracteristica curent- tensiune a diodei, care arată dependenţa curentului ce trece prin
diodă, de valoarea şi polaritatea tensiunii aplicate, reprezintă caracteristica de bază a acestui
dispozitiv semiconductor.
Tensiunea Udirect aplicată diodei se numeşte directă dacă borna ”+” sursei de curent este
unit cu regiunea p (anod) a diodei, iar borna ”-” – cu regiunea n (catod). În acest caz joncţiunea
p-n posedă o rezistenţă mică şi prin diodă trece curent creat de purtătorii de sarcină de bază.
Dependenţa intensităţii curentului direct de tensiune pentru polarizare directă e prezentată în fig.
1.3, partea dreaptă a graficului.

Idirect B

IdirectMAX .C

Ustrăpungere
• O
.
A Udirect
D

Fig. 1.3 Caracteristica current-tensiune a diodei

semiconductoare

La început pentru valori mici ale tensiunii, curentul direct creşte neesenţial (ramura OA).
Ramura AB merge brusc în sus, aceasta înseamnă că curentul direct ce trece prin diodă creşte cu
creşterea tensiunii aplicate. Pe această ramură se află unul din parametrii de bază a diodei
punctul C – curentul limită ce poate trece prin diodă. Trecerea peste această limită poate duce la
distrugerea joncţiunii p-n drept cauză servind supraîncălzirea dispozitivului. La polarizarea
indirectă a diodei, regiunea ”n” se conectează la borna ”+”, iar regiunea ”p” se conectează la
borna ”-” a sursei de curent. În acest caz joncţiunea p-n are o rezistenţă mare, şi valoarea
curentului indirect condiţionat de mişcarea sarcinilor auxiliare Iindirect este mică. Cu creşterea
tensiunii indirecte curentul practic nu se schimbă. Această dependenţă este reprezentată în partea
stângă a figurii 1 ramura OD. Există încă un parametru important a diodei – tensiunea indirectă
maximă permisă (punctul E), trecerea căruia poate provoca distrugerea joncţiunii p-n.

Mersul lucrării:
I. Studiul dependenţei I direct  f (U ) .
1. Conectaţi schema circuitului din figura 1.4.
2. Cu ajutorul rezistorului R1 aplicăm diodei tensiunea de 0,1V. Fixăm indicaţiile
miliampermetrului şi voltmetrului în tabelul 1.
3. Repetăm măsurările peste fiecare 0,1V până la 0,8V. Datele le fixăm în tabel.

Atenţie! Intensitatea curentului direct nu trebuie să depăşească valoarea limită pentru dioda dată.

4. Folosind datele din tabelă construim graficul dependenţei I direct  f (U ) .

Se recomandă scara: 10mm – 5mA (OY),
10mm – 0,1V (OX).
5. Repetăm punctele (1-4) pentru dioda din Si (Ge).

Tabelul 1

Udirect, V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Idirect, mA, (Si) 0 0.21 0.42 0.70 1.08 2.10 5.95 28.00 87.50
Idirect, mA, (Ge) 0 0.12 0.24 0.40 0.62 1.20 3.40 16.00 50.00

+
R2

R1 mA
4V

-
Fig. 1.4.

II. Studiul dependenţei I indirect  f (U ) .

1. Conectăm schema circuitului din figura 3.
2. Fixăm indicaţiile miliampermetrului peste fiecare 5V în diapazonul 0 – 30V. Datele
le introducem în tabelul 2.
3. Folosind datele experimentale construim graficul dependenţei I indirect  f (U ) .
4. Repetăm măsurările pentru al doilea tip de diodă.
 5. Construim graficul dependenţei I indirect  f (U ) .

Se recomandă maştabul: 10mm – 0,1mA (OY),

10mm – 5V (OX).

Tabelul 2

Uindirect, V 0 -5 -10 -15 -20 -25 -30

Iindirect, mA, (Si) 0 0,02 0,05 0,07 0,08 0,09 0,10
Iindirect, mA, (Ge) 0 0,01 0,03 0,05 0,06 0,07 0,08

+
R2

R1 mA
30V V

-
Fig.1.5.

III. Determinarea parametrilor.

Folosind dependenţele experimentale obţinute calculaţi:
1. Rezistenţele statistice pentru ambele direcţii ale curentului şi diferite tensiuni:
U
RS  .
I
U
2. Rezistenţa dinamică: Rd  .
I
I direct
3. Coeficientul de redresare pentru trei tensiuni: K  , U direct  U indirect .
I indirect

Întrebări de control:
1. Când prin diodă trece curent direct?
2. Cum arată graficul dependenţei curentului direct de tensiunea aplicată?
3. Care este condiţia de apariţie a curentului indirect prin diodă?
4. Cum arată graficul dependenţei curentului indirect de tensiunea aplicată?
5. De ce la folosirea diodelor nu se recomandă trecerea peste valorile limită a intensităţii
curentului direct şi a tensiunii indirecte? Arătaţi aceste puncte pe grafic.